JP3412652B2 - ポリカーボネートの製造方法 - Google Patents
ポリカーボネートの製造方法Info
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Description
反応によるポリカーボネートの製造方法に関し、詳しく
は、色相、熱安定性に優れたポリカーボネートの製造方
法に関する。
は、芳香族ジヒドロキシ化合物とホスゲンとを直接反応
させる方法〔界面法〕、あるいは芳香族ジヒドロキシ化
合物と炭酸ジエステルとをエステル交換させる方法〔エ
ステル交換法〕がある。界面法は有害なホスゲンやハロ
ゲン系溶剤である塩化メチレンを使用するため、最近、
環境保全の面からエステル交換法が見直されている。
してアルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物など
を用いて行われる。しかしながら、これら触媒を用いる
方法では、重縮合中に反応生成物が着色し、色相、熱安
定性に問題を生じている。このため、エステル交換反応
時の触媒として、特殊な構造をもつ化合物の単独使用ま
たはアルカリ金属化合物類との併用、あるいはこれら触
媒にホウ素系化合物やリン系化合物とヒンダードフェノ
ール化合物等を併用することが知られている。例えば、
表されるホウ素含有化合物を使用する方法。(米国特許
第4330664号) (2)触媒としてKBH4を使用し、フェニルホスホン
酸ジアルキルを併用する方法。(特開昭62−1587
19号) (3)触媒として,MBH4 を使用し、第4級アンモニ
ウムボロハイドライド等を併用する方法。(特開昭63
−43924号) (4)第4級チッソ化合物触媒の存在下、フォスフォナ
イト系化合物及びヒンダードフェノール系化合物を併用
する方法(特開昭61−151236号) 等がある。
安定性を改良する方法として、 (5)特定のリン系化合物、フェノール系化合物を添加
する方法(特開平4−77549号)。 (6)イオウ含有酸性化合物、リン化合物を添加する方
法(特開平4−328124号)等がある。 しかしながら、これらの方法でも、未だ色相、熱安定性
が十分に優れたポリカーボネートを得ることは困難であ
る。
テル交換法で得られる芳香族ポリカーボネートの品質上
の問題点を解決しようとするものであって、色相、熱安
定性が改良された芳香族ポリカーボネートの製造方法を
提供することにある。
題点を解決すべく、鋭意検討を行った結果、特定の触媒
系を用いた溶融重縮合法により製造した芳香族ポリカー
ボネート樹脂を、リン系化合物単独、または、更に、リ
ン系化合物とフェノール系化合物から選ばれる安定剤と
組み合わせることにより、色相、熱安定性が改良された
芳香族ポリカーボネートを提供できることを見いだし、
本発明の方法に到達した。
化合物と炭酸ジエステルとを、下記一般式(1)で表さ
れるホウ素系化合物の金属塩と特定のフェノール系化合
物を含む触媒系を用いてエステル交換反応させて得られ
るポリカーボネート100重量部に、(イ)リン系化合
物単独、または(ロ)リン系化合物とフェノール系化合
物を0.001〜0.5重量部添加することを特徴とす
るポリカーボネートの製造方法に関する。 MB(R1 )n (R2 )4-n (1) (式中、R1 ,R2 はアルキル基、フェニル基またはア
ルキル置換フェニル基を表し、R1 ,R2 は同一または
相互に異なるものでも良く、Mはアルカリ金属化合物又
はアルカリ土類金属化合物を表し、nは0〜4の整数を
表す。)
によれば、反応性が向上し得られるポリマーの分子量が
十分に高くすることができると共に、重縮合直後及び加
熱溶融後の色相に優れた熱安定性の良好なポリカーボネ
ートが経済性よく得られる。
について、以下具体的に説明する。本発明で用いられる
芳香族ジヒドロキシ化合物類としては、下記一般式
(2)で示される化合物を挙げることができる。
換又は未置換の直鎖状、分岐状又は環状の2価の炭化水
素基、および−O−、−S−,−CO−,−SO−,−
SO2−で示される2価の基からなる群から選ばれるも
のであり,X及びYは同一または相互に異なるものであ
って、ハロゲン、又は炭素数1〜6の炭化水素基から選
ばれる物であり,p及びqは0〜2の整数である。)
具体的には、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、2,
2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2
−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)
プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジ
エチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロ
キシ−3,5−ジブロモフェニル)プロパン、2,2−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)オクタン、ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)フェニルメタン、1,1−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、4,4’
−ジヒドロキシジフェニルエ−テル、4,4’−ジヒド
ロキシ−3,3’−ジメチルジフェニルエ−テル、4,
4’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、4,4’−
ジヒドロキシ−3,3’−ジメチルジフェニルスルフィ
ド、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、
4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジメチルジフェニ
ルスルホキシド、4,4’−ジヒドロキシジフェニルス
ルホン、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジメチル
ジフェニルスルホン等を挙げることができる。これらの
うちでは、特に2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)プロパンが好ましく用いられる。または、これらの
芳香族ジヒドロキシ化合物は、単独であるいは組み合わ
せて用いることができる。
記一般式(3)で表される化合物である。
ルは、例えば、ジフェニルカーボネート及び置換ジフェ
ニルカーボネート、ジトリルカーボネート、ジメチルカ
ーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネ
ート、ジシクロヘキシルカーボネート等を挙げることが
できるが、特にジフェニルカーボネート、置換ジフェニ
ルカーボネートが好ましい。これらの炭酸ジエステル
は、単独あるいは2種以上を混合して用いてもよい。
に、好ましくは50モル%以下さらに好ましくは30モ
ル%以下のジカルボン酸あるいはジカルボン酸エステル
を使用してもよい。このようなジカルボン酸あるいはジ
カルボン酸エステルとしては、テレフタル酸、イソフタ
ル酸、テレフタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジフェニ
ル等が用いられる。このようなジカルボン酸あるいはジ
カルボン酸エステルを炭酸ジエステルと併用した場合に
は、ポリエステルカーボネートが得られる。
ヒドロキシ化合物1モルに対して過剰に用いられるのが
一般的であり、1.01〜1.30モル、好ましくは
1.02〜1.20モルの量で用いることが望ましい。
するに際して、上記のような芳香族ジヒドロキシ化合物
と炭酸ジエステルとともに、1分子中に3個以上の官能
基を有する多官能性化合物を用いることもできる。この
ような多官性能化合物としては、フェノール性水酸基ま
たはカルボキシル基を有する化合物が好ましく、特にフ
ェノール性水酸基を3個含有する化合物が好ましい。
グルシン、2,6−ジメチル−2,4,6−トリ(4−
ヒドロキシフェニル)ヘプテン−3、4,6−ジメチル
−2,4,6−トリ(4−ヒドロキシフェニル)ヘプテ
ン−2、1,3,5−トリ(2−ヒドロキシフェニル)
ベンゾール、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェ
ニル)エタン、2,6−ビス(2−ヒドロキシ−5−メ
チルベンジル)−4−メチルフェノール、3,3−ビス
(4−ヒドロキシアリール)オキシインド−ル(=イサ
チンビスフェノール)、5−クロルイサチンビスフェノ
ール、5−ブロムイサチンビスフェノール、トリメリッ
ト酸、1,3,5−ベンゼントリカルボン酸、ピロメリ
ット酸等が挙げられる。多官能性化合物は芳香族ジオ−
ル化合物1モルに対して、通常0.01〜3モル%、好
ましくは0.05〜1モル%の範囲で用いられる。
れるホウ素系化合物の金属塩をエステル交換触媒として
用いることにある。
物の具体例としては、テトラメチルホウ素、テトラエチ
ルホウ素、テトラプロピルホウ素、テトラブチルホウ
素、トリメチルエチルホウ素、トリメチルベンジルホウ
素、トリメチルフェニルホウ素、トリエチルメチルホウ
素、トリエチルベンジルホウ素、トリエチルフェニルホ
ウ素、トリブチルメチルホウ素、トリブチルベンジルホ
ウ素、トリブチルフェニルホウ素、テトラフェニルホウ
素、ベンジルトリフェニルホウ素、メチルトリフェニル
ホウ素、エチルトリフェニルホウ素、ブチルトリフェニ
ルホウ素等のナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩、
カルシウム塩、マグネシウム塩、バリウム塩、ストロン
チウム塩等を挙げることができる。
も、特に、テトラフェニルホウ素、ベンジルトリフェニ
ルホウ素、メチルトリフェニルホウ素、エチルトリフェ
ニルホウ素、ブチルトリフェニルホウ素等のナトリウム
塩、カリウム塩が好ましい。これらホウ素系化合物は単
独あるいは2種以上混合して用いてもよい。
化合物の使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物1モルに
対して、1×10-9〜1×10-3モルの量で、好ましく
は1×10-7〜1×10-5モルの量で用いられる。
物を溶融重縮合反応条件下に用いることがもう一つの特
徴である。この特定のフェノール系化合物は、2,2’
−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノー
ル)、2,2’−メチレンビス(4−エチル−6−t−
ブチルフェノール)、1,1,3−トリス(2−メチル
−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、
2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒドロキ
シ−5−メチルベンジル)−4−メチルフェニルアクリ
レート、2−〔1−(2−ヒロドキシ−3,5−ジ−t
−ペンチルフェニル)エチル〕−4,6−ジ−t−ペン
チルフェニルアクリレート、4,4’−ブチリデンビス
(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’
−チオビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノー
ル)、トリエチレングリコール−ビス〔3−(3−t−
ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピ
オネート〕、1,6−ヘキサンジオール−ビス〔3−
(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロピオネート〕、n−オクタデシル−3−(4’−ヒ
ドロキシ−3’,5’−ジ−t−ブチルフェニル)プロ
ピオネートから選ばれた少なくとも1種である。
も、特に、2,2’−メチレンビス(4−エチル−6−
t−ブチルフェノール)、2−t−ブチル−6−(3−
t−ブチル−2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−
4−メチルフェニルアクリレート、4,4’−ブチリデ
ンビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、
1,6−ヘキサンジオール−ビス〔3−(3,5−ジ−
t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
ト〕が好ましい。これら特定のフェノール系化合物は単
独あるいは2種以上混合して用いてもよい。
ェノール系化合物の使用量は、エステル交換反応時にお
いてポリマーの色相悪化を実質的に阻止するに十分な量
である。その使用量は、一般的には芳香族ジヒドロキシ
化合物1モルに対して、1×10-7〜1×10-2モルの
量で、好ましくは1×10-5〜1×10-3モルの量で用
いられる。
時期は、エステル交換反応工程中であれば特に限定され
ないが、反応工程において最高温度に到達するまでに反
応系中に添加することが必要である。簡便には、反応の
初期から、すなわち原料モノマーである芳香族ジヒドロ
キシ化合物、炭酸ジエステル化合物と同時に添加混合す
る方法である。
工程中に前記の一般式(1)で表されるホウ素系化合物
の金属塩を使用すること、および、特定のフェノール系
化合物を添加する以外は公知の芳香族ポリカーボネート
の溶融重縮合法により行うことができる。すなわち、前
記の原料を用いて、加熱下に常圧又は減圧下にエステル
交換反応により副生物を除去しながら溶融重縮合を行う
ものであるが、反応は一般には二段階以上の多段工程で
実施される。
60℃、好ましくは180〜240℃の温度で0〜5時
間好ましくは0.5〜3時間反応させる。次いで反応系
の減圧度をあげながら反応温度を高めて芳香族ジヒドロ
キシ化合物と炭酸ジエステルとの反応を行い、最終的に
は1mmHg以下の減圧下、240〜320℃の温度で
重縮合反応を行う。上記のような芳香族ジヒドロキシ化
合物と炭酸ジエステルとの反応は、連続式で行ってもよ
くまたバッチ式で行ってもよい。また、上記の反応を行
うに際して用いられる反応装置は、槽型であっても管型
であっても塔型であってもよい。
れるリン系化合物およびフェノール系化合物について記
述する。
(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ペンタエリスリト
ール−ジ−ホスファイト、ビス(2,6−ジ−t−ブチ
ル−4−メチルフェニル)ペンタエリスリトール−ジ−
ホスファイト、2,2−メチレンビス(4,6−ジ−t
−ブチルフェニル)オクチルホスファイト、4,4’−
イソプロピリデン−ジフェノールアルキルホスファイ
ト、ジフェニルデシルホスファイト、ジフェニルイソオ
クチルホスファイト、フェニルイソオクチルホスファイ
ト、2−エチルヘキシルジフェニルホスファイト等のア
リールアルキルホスファイト;トリシクロヘキシルホス
ファイト等のトリシクロアルキルホスファイト;トリフ
ェニルホスファイト、トリクレジルホスファイト、トリ
ス(エチルフェニル)ホスファイト、トリス(2,4−
ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイト、トリス(ノリ
ルフェニル)ホスファイト、トリス(ヒドロキシフェニ
ル)ホスファイト等のトリアリールホスファイト;トリ
メチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブ
チルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリデ
シルホスフェート、トリオクタデシルホスフェート、ジ
ステアリルペンタエリスリトールジホスフェート等のト
リアルキルホスフェート;トリシクロヘキシルホスフェ
ート等のトリシクロアルキルホスフェート;トリフェニ
ルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリス
(ノリルフェニル)ホスフェート、2−エチルフェニル
ジフェニルホスフェート等のトリアリールホスフェート
等、および亜リン酸が挙げられ、これらを単独で用いて
も2種以上混合してもよい。
−ブチルフェニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスフ
ァイト、ビス(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフ
ェニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト、
2,2−メチレンビス(4,6−ジ−t−ブチルフェニ
ル)オクチルホスファイト、4,4’−イソプロピリデ
ン−ジフェノールアルキルホスファイト、トリス(2,
4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイトが好ましく
用いられる。
媒系に用いる化合物の他に、例えば、ペンタエリスリチ
ル−テトラキス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−
ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、オクタデシル
−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネ−ト、1,3,5−トリメチル−2,
4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロ
キシベンジル)ベンゼン、4−ヒドロキシメチル−2,
6−ジ−t−ブチルフェノール等が挙げられ、これらを
単独で用いても2種以上用いてもよい。
ール−ビス〔3−(3−t−ブチル−5−メチル−4−
ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、1.6−ヘキ
サンジオール−ビス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−
4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、n−オク
タデシル−3−(4’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−
tブチルフェニル)プロピオネート等が好適である。
リン系化合物単独及びリン系化合物とフェノール系化合
物の組合せが好ましく、フェノール系化合物単独は好ま
しくない。リン系化合物、及びフェノール系化合物は、
各々芳香族ポリカーボネート100重量部に対して、
0.001〜0.5重量部、好ましくは0.005〜
0.1重量部が使用される。
に、顔料、染料、強化剤や充填剤、紫外線吸収剤、滑
剤、離型剤、結晶核剤、可塑剤、流動性改良剤、帯電防
止剤などを添加することができる。これら添加剤は、従
来から公知の方法で各成分を芳香族ポリカーボネート樹
脂に混合することができる。例えば、各成分をターンブ
ルミキサーやヘンシェルミキサー、リボンブレンダー、
スーパーミキサーで代表される高速ミキサーで分散混合
した後、押出機、バンバリ−ミキサ−、ロ−ル等で溶融
混練する方法が適宜選択される。
るが、本発明は以下の実施例になんらの制限を受けるも
のではない。尚、得られたポリカーボネートの評価は、
以下の方法により行った。
限粘度[η]を測定し、以下の式より求めた。 [η]=1.11×10-4(Mv)0.83
に溶解し、APHA標準液にて目視で判定した。(値が
小さい方が色相は良好)
より比色定量を行った。
4g(0.50モル)、ジフェニルカーボネート118
g(0.55モル)、テトラフェニルホウ素ナトリウム
塩7.5×10-7モル、2,2′−メチレンビス(4−
エチル−6−t−ブチルフェノール)7.5×10-5モ
ルを1リットルの撹拌機及び留出装置付の反応器に入
れ、窒素雰囲気下、180℃で0.5時間保持した後、
減圧度を100mmHgに調整すると同時に、25℃/
hrの速度で280℃まで昇温を行った。昇温開始後約
1時間経過時に反応容器内の減圧度を50mmHgと
し、0らにその1時間経過後に減圧度を1mmHg以下
とし、合計約6時間撹拌下反応を行った。
圧に戻し、生成ポリカーボネート樹脂100重量部に対
し、トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスフ
ァイト0.05重量部、1.6−ヘキサンジオール−ビ
ス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロピオネート〕0.05重量部を添加し、2
80℃で10分間撹拌混合した後、反応器よりポリカー
ボネートを抜き出し、押出機、ペレタイザーによりペレ
ット化した。得られたポリカーボネートは、Mv= 24
000、末端OH= 0.009重量%、溶融前APHA
5〜10、溶融後APHA10と着色度は小さく、色
相、熱安定性は良好であった。
系化合物の種類、量、および重合終了後に添加するリン
系化合物、フェノール系化合物の種類、量を表−1に示
したように用いる以外は、実施例1と同様に行った。結
果を表−1に示す。
物の代わりに、アルカリ金属化合物またはアルカリ土類
金属化合物を使用し、また、重合終了後にリン系化合
物、およびフェノール系化合物を添加しない以外は、実
施例1と同様に行った。結果を表−2に示す。
の色相を評価した。
は、下記のものを示す。 ; テトラフェニルホウ素のカリウム塩、 ; ベンジルトリフェニルホウ素のナトリウム塩、 ; メチルトリフェニルホウ素のカリウム塩、 ; エチルトリフェニルホウ素のナトリウム塩、
Fは、下記の化合物を示す。 A; 2,2′−メチレンビス(4−エチル−6−t−
ブチルフェノール)、 B; 4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−t
−ブチルフェノール)、 C; 2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒ
ドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチルフェニル
アクリレート、 D; 1.6−ヘキサンジオ−ル−ビス〔3−(3,5
−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオ
ネート〕、 E; n−オクタデシル−3−(4’−ヒドロキシ−
3’,5’−ジ−tブチルフェニル)プロピオネート、 F; トリエチレングリコール−ビス〔3−(3−t−
ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピ
オネート〕、
合物を示す。 イ; ビス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ペンタ
エリスリトール−ジ−ホスファイト、 ロ; ビス(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェ
ニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト、 ハ; 2,2−メチレンビス(4,6−ジ−t−ブチル
フェニル)オクチルホスファイト、 ニ; 4,4’−イソプロピリデン−ジフェノ−ルアル
キルホスファイト、
法により、色相、熱安定性に優れたポリカーボネートを
製造することができ、工業的にも極めて有効な方法であ
る。
Claims (8)
- 【請求項1】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
テルとを、該芳香族ジヒドロキシ化合物1モルに対し、
触媒系として、(a)下記一般式(1)で表されるホウ
素系化合物の金属塩を1×10 -9 〜1×10 -3 モルと、
(b)特定のフェノール系化合物を1×10 -7 〜1×1
0 -2 モル用いてエステル交換反応させて得られるポリカ
ーボネート100重量部に、(イ)リン系化合物単独、
または(ロ)リン系化合物とフェノール系化合物を0.
001〜0.5重量部添加することを特徴とするポリカ
ーボネートの製造方法。 MB(R1 )n (R2 )4-n (1) (式中、R1 ,R2 はアルキル基、フェニル基またはア
ルキル置換フェニル基を表し、R1 ,R2 は同一または
相互に異なるものでも良く、Mはアルカリ金属化合物又
はアルカリ土類金属化合物を表し、nは0〜4の整数を
表す。) - 【請求項2】 ホウ素系化合物の金属塩が、テトラメチ
ルホウ素、テトラエチルホウ素、テトラプロピルホウ
素、テトラブチルホウ素、トリメチルエチルホウ素、ト
リメチルベンジルホウ素、トリメチルフェニルホウ素、
トリエチルメチルホウ素、トリエチルベンジルホウ素、
トリエチルフェニルホウ素、トリブチルメチルホウ素、
トリブチルベンジルホウ素、トリブチルフェニルホウ
素、テトラフェニルホウ素、ベンジルトリフェニルホウ
素、メチルトリフェニルホウ素、エチルトリフェニルホ
ウ素、ブチルトリフェニルホウ素等のナトリウム塩、カ
リウム塩、リチウム塩、カルシウム塩、マグネシウム
塩、バリウム塩、ストロンチウム塩の少なくとも一種で
ある請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 ホウ素系化合物の金属塩が、テトラフェ
ニルホウ素、ベンジルトリフェニルホウ素、メチルトリ
フェニルホウ素、エチルトリフェニルホウ素、ブチルト
リフェニルホウ素等のナトリウム塩、カリウム塩の少な
くとも一種である請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 リン系化合物が、アリールアルキルホス
ファイト、トリアリールホスファイト、トリシクロアル
キルホスファイト、トリアルキルホスフェート、トリシ
クロアルキルホスフェート、トリアリールホスフェート
および亜リン酸から選ばれる少なくとも一種である請求
項1記載の方法。 - 【請求項5】 リン系化合物が、ビス(2,4−ジ−t
−ブチルフェニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスフ
ァイト、ビス(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフ
ェニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト、
2,2−メチレンビス(4,6−ジ−t−ブチルフェニ
ル)オクチルホスファイト、4,4’−イソプロピリデ
ン−ジフェノールアルキルホスファイト、ジフェニルデ
シルホスファイト、ジフェニルイソオクチルホスファイ
ト、フェニルイソオクチルホスファイト、2−エチルヘ
キシルジフェニルホスファイト、トリシクロヘキシルホ
スファイト、トリフェニルホスファイト、トリクレジル
ホスファイト、トリス(エチルフェニル)ホスファイ
ト、トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスフ
ァイト、トリス(ノリルフェニル)ホスファイト、トリ
ス(ヒドロキシフェニル)ホスファイト、トリメチルホ
スフェート、トリエチルホスフェート、トリブチルホス
フェート、トリオクチルホスフェート、トリデシルホス
フェート、トリオクタデシルホスフェート、ジステアリ
ルペンタエリスリトールジホスフェート、トリシクロヘ
キシルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリ
クレジルホスフェート、トリス(ノリルフェニル)ホス
フェート、2−エチルフェニルジフェニルホスフェート
および亜リン酸から選ばれる少なくとも一種である請求
項1記載の方法。 - 【請求項6】 リン系化合物が、ビス(2,4−ジ−t
−ブチルフェニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスフ
ァイト、ビス(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフ
ェニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト、
2,2−メチレンビス(4,6−ジ−t−ブチルフェニ
ル)オクチルホスファイト、4,4’−イソプロピリデ
ン−ジフェノールアルキルホスファイト、トリス(2,
4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイトから選ばれ
る少なくとも一種である請求項1記載の方法。 - 【請求項7】 特定のフェノール系化合物が、2,2’
−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノー
ル)、2,2’−メチレンビス(4−エチル−6−t−
ブチルフェノール)、1,1,3−トリス(2−メチル
−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、
2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒドロキ
シ−5−メチルベンジル)−4−メチルフェニルアクリ
レート、2−〔1−(2−ヒロドキシ−3,5−ジ−t
−ペンチルフェニル)エチル〕−4,6−ジ−t−ペン
チルフェニルアクリレート、4,4’−ブチリデンビス
(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’
−チオビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノー
ル)、トリエチレングリコール−ビス〔3−(3−t−
ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピ
オネート〕、1,6−ヘキサンジオール−ビス〔3−
(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロピオネート〕、n−オクタデシル−3−(4’−ヒ
ドロキシ−3’,5’−ジ−t−ブチルフェニル)プロ
ピオネートから選ばれた少なくとも1種である請求項1
記載の方法。 - 【請求項8】 フェノール系化合物が、2,2’−メチ
レンビス(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)、
2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒドロキ
シ−5−メチルベンジル)−4−メチルフェニルアクリ
レート、4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−
t−ブチルフェノール)、4,4’−チオビス(3−メ
チル−6−t−ブチルフェノール)、1,6−ヘキサン
ジオール−ビス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−
ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、n−オクタデ
シル−3−(4’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−t−
ブチルフェニル)プロピオネート、トリエチレングリコ
ール−ビス〔3−(3−t−ブチル−5−メチル−4−
ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕から選ばれた少
なくとも一種である請求項1記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04008294A JP3412652B2 (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | ポリカーボネートの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04008294A JP3412652B2 (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | ポリカーボネートの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07247353A JPH07247353A (ja) | 1995-09-26 |
JP3412652B2 true JP3412652B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=12570987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04008294A Expired - Lifetime JP3412652B2 (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | ポリカーボネートの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3412652B2 (ja) |
-
1994
- 1994-03-10 JP JP04008294A patent/JP3412652B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH07247353A (ja) | 1995-09-26 |
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