JP3412653B2 - ポリカーボネートの製造方法 - Google Patents

ポリカーボネートの製造方法

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JP3412653B2
JP3412653B2 JP04008394A JP4008394A JP3412653B2 JP 3412653 B2 JP3412653 B2 JP 3412653B2 JP 04008394 A JP04008394 A JP 04008394A JP 4008394 A JP4008394 A JP 4008394A JP 3412653 B2 JP3412653 B2 JP 3412653B2
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mol
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光彦 増本
勝茂 林
雅彦 石川
祐二 武田
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  • Polyesters Or Polycarbonates (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、いわゆるエステル交換
反応によるポリカーボネートの製造方法に関し、詳しく
は、色相、熱安定性に優れたポリカーボネートの製造方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来ポリカーボネートの製造方法として
は、芳香族ジヒドロキシ化合物とホスゲンとを直接反応
させる方法〔界面法〕、あるいは芳香族ジヒドロキシ化
合物と炭酸ジエステルとをエステル交換させる方法〔エ
ステル交換法〕がある。界面法は有害なホスゲンやハロ
ゲン系溶剤である塩化メチレンを使用するため、最近、
環境保全の面からエステル交換法が見直されている。
【0003】エステル交換反応においては、通常触媒と
してアルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物など
を用いて行われる。しかしながら、これら触媒を用いる
方法では、重縮合中に反応生成物が着色し、色相、熱安
定性に問題を生じている。
【0004】このため、エステル交換反応時の触媒とし
て、特殊な構造をもつ化合物の単独使用またはアルカリ
金属化合物類との併用、あるいはこれら触媒にホウ素系
化合物やリン系化合物とヒンダードフェノール化合物等
を併用することが知られている。
【0005】例えば、 (1)触媒として一般式MBHn 4-n で表されるホウ
素含有化合物を使用する方法。(米国特許第43306
64号) (2)触媒としてKBH4を使用し、フェニルホスホン
酸ジアルキルを併用する方法。(特開昭62−1587
19号) (3)触媒として,MBH4 を使用し、第4級アンモニ
ウムボロハイドライド等を併用する方法。(特開昭63
−43924号) (4)第4級チッソ化合物触媒の存在下、フォスフォナ
イト系化合物及びヒンダードフェノール系化合物を併用
する方法(特開昭61−151236号) (5)エステル交換反応金属化合物触媒の存在下、亜リ
ン酸及び亜リン酸エステル化合物を併用する方法。(特
開平5−78469号)等である。
【0006】また、重合終了後のポリカーボネートの熱
安定性を改良する方法として、 (6)特定のリン系化合物、フェノ−ル系化合物を添加
する方法(特開平4−77549号)。 (7)イオウ含有酸性化合物、リン化合物を添加する方
法(特開平4−328124号)等がある。 しかしながら、これらの方法でも、未だ色相、熱安定性
が十分に優れたポリカーボネートを得ることは困難であ
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、エス
テル交換法で得られる芳香族ポリカーボネートの品質上
の問題点を解決しようとするものであって、色相、熱安
定性が改良された芳香族ポリカーボネートの製造方法を
提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者等はこれらの問
題点を解決すべく、鋭意検討を行った結果、特定の触媒
系を用いた溶融重縮合法により製造した芳香族ポリカー
ボネート樹脂を、リン系化合物単独、または、これとフ
ェノール系化合物から選ばれる安定剤と組み合わせるこ
とにより、色相、熱安定性が改良された芳香族ポリカー
ボネートを提供できることを見いだし、本発明の方法に
到達した。
【0009】すなわち、本発明は、芳香族ジヒドロキシ
化合物と炭酸ジエステルとをアルカリ金属化合物および
/またはアルカリ土類金属化合物および下記一般式
(1)で表される第4級ホスホニウム化合物、さらに特
定のフェノール系化合物を含む触媒系を用いてエステル
交換反応させて得られるポリカーボネート100重量部
に、(イ)リン系化合物または(ロ)リン系化合物とフ
ェノール系化合物を0.001〜0.5重量部添加する
ことを特徴とするポリカーボネートの製造方法に関す
る。
【化2】(R1n (R24-n PB(R3m (R
44-m (1) (式中、R1 、R2 はアルキル基、フェニル基またはア
ルキル置換フェニル基を表し、R3 、R4 は水素、アル
キル基、フェニル基を表し、R1 、R2 、R3 、R4
同一または相互に異なるものでも良く、m、nはそれぞ
れ0〜4の整数である。)
【0010】本発明に係るポリカーボネートの製造方法
によれば、反応性が向上し得られるポリマーの分子量が
十分に高くなると共に、重縮合直後及び加熱溶融後の色
相に優れた熱安定性の良好なポリカーボネートを経済性
よく得ることができる。
【0011】本発明に係るポリカーボネートの製造方法
について、以下具体的に説明する。本発明で用いられる
芳香族ジヒドロキシ化合物類としては、下記式(2)で
示される化合物を挙げることができる。
【0012】
【化3】
【0013】(式中、Aは単結合、炭素数1〜15の置
換又は未置換の直鎖状、分岐状又は環状の2価の炭化水
素基、および−O−、−S−,−CO−,−SO−,−
SO2−で示される2価の基からなる群から選ばれるも
のであり,X及びYは同一または相互に異なるものであ
って、ハロゲン、又は炭素数1〜6の炭化水素基から選
ばれる物であり,p及びqは0〜2の整数である。)
【0014】上記芳香族ジヒドロキシ化合物として具体
的には、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,
1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、2,2−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビ
ス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロ
パン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジエチ
ルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ
−3,5−ジブロモフェニル)プロパン、2,2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)オクタン、ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)フェニルメタン、1,1−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)シクロペンタン、1,1−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、4,4’−ジヒ
ドロキシジフェニルエ−テル、4,4’−ジヒドロキシ
−3,3’−ジメチルジフェニルエ−テル、4,4’−
ジヒドロキシジフェニルスルフィド、4,4’−ジヒド
ロキシ−3,3’−ジメチルジフェニルスルフィド、
4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,
4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジメチルジフェニルス
ルホキシド、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホ
ン、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジメチルジフ
ェニルスルホン等を挙げることができる。これらのうち
では、特に2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパンが好ましく用いられる。また、これらの芳香族ジ
ヒドロキシ化合物は、単独であるいは組み合わせて用い
ることができる。
【0015】本発明で用いられる炭酸ジエステルは、下
記の一般式(3)で表される化合物である。
【0016】
【化4】
【0017】上記一般式(3)で表される炭酸ジエステ
ルは、例えば、ジフェニルカーボネート及び置換ジフェ
ニルカーボネート、ジトリルカーボネート、ジメチルカ
ーボネ−ト、ジエチルカ−ボネ−ト、ジブチルカ−ボネ
−ト、ジシクロヘキシルカーボネート等を挙げることが
できるが、特にジフェニルカーボネート、置換ジフェニ
ルカーボネートが好ましい。これらの炭酸ジエステル
は、単独あるいは2種以上を混合して用いてもよい。
【0018】また、上記のような炭酸ジエステルと共
に、好ましくは50モル%以下さらに好ましくは30モ
ル%以下のジカルボン酸あるいはジカルボン酸エステル
を使用してもよい。このようなジカルボン酸あるいはジ
カルボン酸エステルとしては、テレフタル酸、イソフタ
ル酸、テレフタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジフェニ
ル等が用いられる。このようなジカルボン酸あるいはジ
カルボン酸エステルを炭酸ジエステルと併用した場合に
は、ポリエステルカーボネートが得られる。
【0019】これら炭酸ジエステル化合物は、芳香族ジ
オ−ル化合物1モルに対して過剰に用いられるのが一般
的であり、1.01〜1.30モル、好ましくは1.0
2〜1.20モルの量で用いることが望ましい。
【0020】また、本発明では、ポリカーボネートを製
造するに際して、上記のような芳香族ジヒドロキシ化合
物と炭酸ジエステルとともに、1分子中に3個以上の官
能基を有する多官能性化合物を用いることもできる。多
官能性化合物は芳香族ジヒドロキシ化合物1モルに対し
て、通常0.01〜3モル%、好ましくは0.05〜1
モル%の範囲で用いられる。
【0021】このような多官能性化合物としては、フェ
ノール性水酸基またはカルボキシル基を有する化合物が
好ましく、特にフェノール性水酸基を3個含有する化合
物が好ましい。具体的には、フロログルシン、2,6−
ジメチル−2,4,6−トリ(4−ヒドロキシフェニ
ル)ヘプテン−3、4,6−ジメチル−2,4,6−ト
リ(4−ヒドロキシフェニル)ヘプテン−2、1,3,
5−トリ(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾール、1,
1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、
2,6−ビス(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)
−4−メチルフェノール、3,3−ビス(4−ヒドロキ
シアリ−ル)オキシインド−ル(=イサチンビスフェノ
ール)、5−クロルイサチンビスフェノール、5−ブロ
ムイサチンビスフェノール、トリメリット酸、1,3,
5−ベンゼントリカルボン酸、ピロメリット酸等が挙げ
られる。
【0022】本発明で用いられるエステル交換反応触媒
であるアルカリ金属化合物としては、具体的には、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸
水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素リチウ
ム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、酢
酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、ステアリ
ン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム、ステアリン酸
リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチ
ウム、フェニル化ホウ素ナトリウム、安息香酸ナトリウ
ム、安息香酸カリウム、安息香酸リチウム、リン酸水素
2ナトリウム、リン酸水素2カリウム、リン酸水素2リ
チウム、フェニルリン酸2ナトリウム、フェニルリン酸
2カリウム、フェニルリン酸2リチウム、ビスフェノー
ルAの2ナトリウム塩、2カリウム塩、2リチウム塩、
フェノールのナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩等
が用いられる。
【0023】また、アルカリ土類金属化合物としては、
具体的には、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸
化マグネシウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カル
シウム、炭酸水素バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭
酸水素ストロンチウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウ
ム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、酢酸カル
シウム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロ
ンチウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリ
ウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸ストロ
ンチウム等が用いられる。これらの触媒は原料として用
いられる芳香族ジヒドロキシ化合物1モルに対して10
-9〜10-3モルの量で、好ましくは10-7〜10-5モル
の量で用いられる。
【0024】本発明の特徴の一つは、前記の一般式
(1)で表される第4級ホスホニウム化合物をエステル
交換触媒として用いることにある。
【0025】前記一般式(1)で表される第4級ホスホ
ニウム化合物の具体例としては、テトラメチルホスホニ
ウムテトラフェニルボレート、テトラエチルホスホニウ
ムテトラフェニルボレート、テトラプロピルホスホニウ
ムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウム
テトラフェニルボレート、トリメチルエチルホスホニウ
ムテトラフェニルボレート、トリメチルベンジルホスホ
ニウムテトラフェニルボレート、トリメチルフェニルホ
スホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホ
スホニウムテトラフェニルボレート、ベンジルトリフェ
ニルホスホニウムテトラフェニルボレート、メチルトリ
フェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、エチル
トリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ブ
チルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレー
ト、テトラメチルホスホニウムメチルトリフェニルボレ
ート、テトラエチルホスホニウムエチルトリフェニルボ
レート、テトラプロピルホスホニウムプロピルトリフェ
ニルボレート、テトラブチルホスホニウムブチルトリフ
ェニルボレート、トリメチルエチルホスホニウムトリメ
チルフェニルボレート、トリメチルベンジルホスホニウ
ムベンジルトリフェニルボレート、トリメチルフェニル
ホスホニウムメチルトリフェニルボレート、ベンジルト
リフェニルホスホニウムメチルトリフェニルボレート、
メチルトリフェニルホスホニウムベンジルトリフェニル
ボレート、エチルトリフェニルホスホニウムベンジルト
リフェニルボレート、ブチルトリフェニルホスホニウム
トリメチルフェニルボレート等を挙げることができる。
【0026】上記した第4級ホスホニウム化合物の中で
も、特に、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニル
ボレート、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフ
ェニルボレート、メチルトリフェニルホスホニウムテト
ラフェニルボレート、エチルトリフェニルホスホニウム
テトラフェニルボレート、ブチルトリフェニルホスホニ
ウムテトラフェニルボレートが好ましい。これら第4級
ホスホニウム化合物は単独あるいは2種以上混合して用
いてもよい。
【0027】本発明の方法において使用される第4級ホ
スホニウム化合物の使用量は、エステル交換反応時にお
いてポリマーの色相悪化を実質的に阻止するに十分な量
である。その使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物1モ
ルに対して、10-8〜10-2モルの量で、好ましくは1
-7〜10-4モルの量で用いることが好ましい。
【0028】また、本発明は、特定のフェノール系化合
物を溶融重縮合反応条件下に用いて芳香族ポリカーボネ
ートを製造することも特徴の一つである。
【0029】特定のフェノール系化合物は、2,2’−
メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノー
ル)、2,2’−メチレンビス(4−エチル−6−t−
ブチルフェノール)、1,1,3−トリス(2−メチル
−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、
2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒドロキ
シ−5−メチルベンジル)−4−メチルフェニルアクリ
レート、2−〔1−(2−ヒドロキシ−3,5−ジ−t
−ペンチルフェニル)エチル〕−4,6−ジ−t−ペン
チルフェニルアクリレート、4,4’−ブチリデンビス
(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’
−チオビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノー
ル)、トリエチレングリコール−ビス〔3−(3−t−
ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピ
オネート〕、1,6−ヘキサンジオール−ビス〔3−
(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロピオネート〕、n−オクタデシル−3−(4’−ヒ
ドロキシ−3’,5’−ジ−t−ブチルフェニル)プロ
ピオネートから選ばれた少なくとも1種である。
【0030】上記した特定のフェノール系化合物のう
ち、特に、2,2’−メチレンビス(4−エチル−6−
t−ブチルフェノール)、2−t−ブチル−6−(3−
t−ブチル−2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−
4−メチルフェニルアクリレート、4,4’−ブチリデ
ンビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、
1,6−ヘキサンジオール−ビス〔3−(3,5−ジ−
t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
ト〕が好ましい。これら特定のフェノール系化合物は単
独あるいは2種以上混合して用いてもよい。
【0031】本発明の方法において使用される特定の
ェノール系化合物の使用量は、エステル交換反応時にお
いてポリマーの色相悪化を実質的に阻止するに十分な量
である。その使用量は、一般的には芳香族ジヒドロキシ
化合物1モルに対して、1×10-7〜1×10-2モルの
量で、好ましくは1×10-5〜1×10-3モルの量で用
いられる。
【0032】本発明の第4級ホスホニウム化合物および
/または特定のフェノール系化合物の添加時期は、エス
テル交換反応工程中であれば特に限定されないが、反応
工程において最高温度に到達するまでに反応系中に添加
することが必要である。簡便には、反応の初期から、す
なわち原料モノマーである芳香族ジヒドロキシ化合物、
炭酸ジエステル化合物と同時に添加混合する方法であ
る。
【0033】本発明におけるエステル交換反応は、反応
工程中に前記の一般式(1)で表される第4級ホスホニ
ウム化合物およびアルカリ金属化合物および/またはア
ルカリ土類金属化合物触媒を使用すること、また、特定
フェノール系化合物を添加する以外は公知の芳香族ポ
リカーボネートの溶融重縮合法により行うことができ
る。すなわち、前記の原料を用いて、加熱下に常圧又は
減圧下にエステル交換反応により副生物を除去しながら
溶融重縮合を行うものであるが、反応は一般には二段階
以上の多段工程で実施される。
【0034】具体的には、第1段目の反応を120〜2
60℃、好ましくは180〜240℃の温度で0〜5時
間好ましくは0.5〜3時間反応させる。次いで反応系
の減圧度を上げながら反応温度を高めて芳香族ジヒドロ
キシ化合物と炭酸ジエステルとの反応を行い、最終的に
は1mmHg以下の減圧下、240〜320℃の温度で
重縮合反応を行う。上記のような芳香族ジヒドロキシ化
合物と炭酸ジエステルとの反応は、連続式で行ってもよ
くまたバッチ式で行ってもよい。又、上記の反応を行う
に際して用いられる反応装置は、槽型であっても管型で
あっても塔型であってもよい。
【0035】次に、本発明の重合終了後に添加するリン
系化合物、フェノール系化合物について述べる。
【0036】リン系化合物としては、例えば、ビス
(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ペンタエリスリト
ール−ジ−ホスファイト、ビス(2,6−ジ−t−ブチ
ル−4−メチルフェニル)ペンタエリスリトール−ジ−
ホスファイト、2,2−メチレンビス(4,6−ジ−t
−ブチルフェニル)オクチルホスファイト、4,4’−
イソプロピリデン−ジフェノールアルキルホスファイ
ト、ジフェニルデシルホスファイト、ジフェニルイソオ
クチルホスファイト、フェニルイソオクチルホスファイ
ト、2−エチルヘキシルジフェニルホスファイト等のア
リールアルキルホスファイト; トリシクロヘキシルホ
スファイト等のトリシクロアルキルホスファイト; ト
リフェニルホスファイト、トリクレジルホスファイト、
トリス(エチルフェニル)ホスファイト、トリス(2,
4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイト、トリス
(ノリルフェニル)ホスファイト、トリス(ヒドロキシ
フェニル)ホスファイト等のトリアリールホスファイ
ト; トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェー
ト、トリブチルホスフェート、トリオクチルホスフェー
ト、トリデシルホスフェート、トリオクタデシルホスフ
ェート、ジステアリルペンタエリスリトールジホスフェ
ート等のトリアルキルホスフェート; トリシクロヘキ
シルホスフェート等のトリシクロアルキルホスフェー
ト; トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフ
ェート、トリス(ノリルフェニル)ホスフェート、2−
エチルフェニルジフェニルホスフェート等のトリアリー
ルホスフェート等、及び亜リン酸が挙げられ、これらを
単独で用いても2種以上混合してもよい。
【0037】これらのうち、特にビス(2,4−ジ−t
−ブチルフェニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスフ
ァイト、ビス(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフ
ェニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト、
2,2−メチレンビス(4,6−ジ−t−ブチルフェニ
ル)オクチルホスファイト、4,4’−イソプロピリデ
ン−ジフェノールアルキルホスファイト、トリス(2,
4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイトが好適に用
いられる。
【0038】フェノール系化合物としては、前記した触
媒系に用いる化合物の他に、例えば、ペンタエリスリチ
ル−テトラキス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−
ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、オクタデシル
−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネート、1,3,5−トリメチル−2,
4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロ
キシベンジル)ベンゼン、4−ヒドロキシメチル−2,
6−ジ−t−ブチルフェノール等が挙げられ、これらを
単独で用いても2種以上用いてもよい。
【0039】これらのうち、特に、トリエチレングリコ
ール−ビス〔3−(3−t−ブチル−5−メチル−4−
ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、1.6−ヘキ
サンジオール−ビス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−
4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、n−オク
タデシル−3−(4’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−
tブチルフェニル)プロピオネート等を挙げることがで
きる。
【0040】芳香族ポリカーボネートへの添加剤の組合
せは、リン系化合物単独またはリン系化合物とフェノー
ル系化合物の組合せが好ましく、フェノール系化合物単
独は好ましくない。リン系化合物およびフェノール系化
合物は、各々芳香族ポリカーボネート100重量部に対
して、0.001〜0.5重量部、好ましくは0.00
5〜0.1重量部が使用される。
【0041】さらに本発明において、上記熱安定剤の他
に、顔料、染料、強化剤や充填剤、紫外線吸収剤、滑
剤、離型剤、結晶核剤、可塑剤、流動性改良剤、帯電防
止剤などを添加することができる。これら添加剤は、従
来から公知の方法で各成分を芳香族ポリカーボネート樹
脂に混合することができる。例えば、各成分をターンブ
ルミキサーやヘンシェルミキサー、リボンブレンダー、
スーパーミキサーで代表される高速ミキサーで分散混合
した後、押出機、バンバリーミキサー、ロール等で溶融
混練する方法が適宜選択される。
【0042】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明は以下の実施例になんらの制限を受けるも
のではない。尚、得られたポリカーボネートの評価は、
以下の方法により行った。
【0043】(1)分子量 ウベローデ粘度計を用いて、塩化メチレン中20℃の極
限粘度[η]を測定し、以下の式より求めた。 [η]=1.11×10-4(Mv)0.83
【0044】(2)色相 得られたポリカーボネート4gを塩化メチレン25ml
に溶解し、APHA標準液にて目視で判定した。(値が
小さい方が色相は良好)
【0045】(3)末端OH量 四塩化チタン/酢酸法(Makromol Chem.88 215(1965))に
より比色定量を行った。
【0046】実施例1 2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン11
4g(0.50モル)、ジフェニルカーボネート118
g(0.55モル)、水酸化カルシウム7.5×10-7
モル、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレ
ート7.5×10-6モル、および2,2’−メチレンビ
ス(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)7.5×
10-5モルを1リットルの撹拌機及び留出装置付の反応
器に入れ、窒素雰囲気下、180℃で0.5時間保持し
た後、減圧度を100mmHgに調整すると同時に、2
5℃/hrの速度で280℃まで昇温を行った。昇温開
始後約1時間経過時に反応容器内の減圧度を50mmH
gとし、さらにその1時間経過後に減圧度を1mmHg
以下とし、合計約6時間撹拌下反応を行った。
【0047】反応終了後、反応器内に窒素を吹き込み常
圧に戻し、生成したポリカーボネート100重量部に対
し、トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスフ
ァイト0.05重量部、1,6−ヘキサンジオール−ビ
ス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロピオネート〕0.05重量部を添加し、2
80℃で10分間撹拌混合した後、反応器の底よりポリ
カーボネートを抜き出し、押出機、ペレタイザーにより
ペレットとした。その結果、得られたポリカーボネート
は、Mv= 23500、末端OH= 0.015重量% ,
溶融前APHA5〜10、溶融後APHA10と着色度
は小さく、色相、熱安定性は良好であった。
【0048】実施例2〜5 触媒系を構成するアルカリ金属化合物および/またはア
ルカリ土類金属化合物、第4級ホスホニウム化合物、
定のフェノール系化合物の種類、量、および重合終了後
に添加するリン系化合物、フェノール系化合物の種類、
量を表−1に記載した通り用いる以外は実施例1と同様
に行った。結果を表−1に示す。
【0049】比較例1〜3 触媒系のアルカリ金属化合物および/またはアルカリ土
類金属化合物、第4級ホスホニウム化合物および特定の
フェノール系化合物の代わりに、アルカリ金属化合物ま
たはアルカリ土類金属化合物のみを使用し、また、重合
終了後にリン系化合物、およびフェノール系化合物を添
加しない以外は、実施例1と同様に行った。結果を表−
2に示す。
【0050】
【表1】
【0051】但し、表中 溶融後のAPHA;窒素気流下320℃で1時間加熱後
の色相を評価。
【0052】第4級ホスホニウム化合物 、、、
は、下記の化合物を示す。 ; ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニ
ルボレート、 ; メチルトリフェニルホスホニウムテトラフェニル
ボレート、 ; エチルトリフェニルホスホニウムテトラフェニル
ボレート、 ; ブチルトリフェニルホスホニウムテトラフェニル
ボレート、
【0053】フェノ−ル系化合物A、B、C、D、E、
Fは、下記の化合物を示す。 A; 2,2′−メチレンビス(4−エチル−6−t−
ブチルフェノール)、 B; 4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−t
−ブチルフェノール)、 C; 2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒ
ドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチルフェニル
アクリレート、 D; 1.6−ヘキサンジオ−ル−ビス〔3−(3,5
−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオ
ネート〕、 E; n−オクタデシル−3−(4’−ヒドロキシ−
3’,5’−ジ−tブチルフェニル)プロピオネート、 F; トリエチレングリコ−ル−ビス〔3−(3−t−
ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピ
オネート〕、
【0054】リン系化合物イ、ロ、ハ、ニは、下記の化
合物を示す。 イ; ビス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ペンタ
エリスリトール−ジ−ホスファイト、 ロ; ビス(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェ
ニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト、 ハ; 2,2−メチレンビス(4,6−ジ−t−ブチル
フェニル)オクチルホスファイト、 ニ; 4,4’−イソプロピリデン−ジフェノールアル
キルホスファイト、
【0055】
【表2】
【0056】
【本発明の効果】本発明の方法によれば、エステル交換
法により、色相、熱安定性に優れた芳香族ポリカーボネ
ートを製造することができ、工業的にも極めて有効な方
法である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−175723(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08G 64/00 - 64/42

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
    テルとをアルカリ金属化合物および/またはアルカリ土
    類金属化合物および下記一般式(1)で表される第4級
    ホスホニウム化合物、さらに特定のフェノール系化合物
    を含む触媒系を用いてエステル交換反応させて得られる
    ポリカーボネート100重量部に、(イ)リン系化合物
    または(ロ)リン系化合物とフェノール系化合物を0.
    001〜0.5重量部添加することを特徴とするポリカ
    ーボネートの製造方法。 【化1】(R1n (R24-n PB(R3m (R
    44-m (1) (式中、R1 、R2 はアルキル基、フェニル基またはア
    ルキル置換フェニル基を表し、R3 、R4 は水素、アル
    キル基、フェニル基を表し、R1 、R2 、R3 、R4
    同一または相互に異なるものでも良く、m、nはそれぞ
    れ0〜4の整数である。)
  2. 【請求項2】 芳香族ジヒドロキシ化合物1モルに対
    し、(a)アルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属
    化合物が10-3〜10-3モル、(b)第4級ホスホニウ
    ム化合物が10-8〜10-2モル、(c)特定のフェノー
    ル系化合物が10-7〜10-2モルであることを特徴とす
    る請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 一般式(1)で表される第4級ホスホニ
    ウム化合物が、テトラメチルホスホニウムテトラフェニ
    ルボレート、テトラエチルホスホニウムテトラフェニル
    ボレート、テトラプロピルホスホニウムテトラフェニル
    ボレート、テトラブチルホスホニウムテトラフェニルボ
    レート、トリメチルエチルホスホニウムテトラフェニル
    ボレート、トリメチルベンジルホスホニウムテトラフェ
    ニルボレート、トリメチルフェニルホスホニウムテトラ
    フェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ
    フェニルボレート、ベンジルトリフェニルホスホニウム
    テトラフェニルボレート、メチルトリフェニルホスホニ
    ウムテトラフェニルボレート、エチルトリフェニルホス
    ホニウムテトラフェニルボレート、ブチルトリフェニル
    ホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラメチルホ
    スホニウムメチルトリフェニルボレート、テトラエチル
    ホスホニウムエチルトリフェニルボレート、テトラプロ
    ピルホスホニウムプロピルトリフェニルボレート、テト
    ラブチルホスホニウムブチルトリフェニルボレート、ト
    リメチルエチルホスホニウムトリメチルフェニルボレー
    ト、トリメチルベンジルホスホニウムベンジルトリフェ
    ニルボレート、トリメチルフェニルホスホニウムメチル
    トリフェニルボレート、ベンジルトリフェニルホスホニ
    ウムメチルトリフェニルボレート、メチルトリフェニル
    ホスホニウムベンジルトリフェニルボレート、エチルト
    リフェニルホスホニウムベンジルトリフェニルボレー
    ト、ブチルトリフェニルホスホニウムトリメチルフェニ
    ルボレートから選ばれる少なくとも一種である請求項1
    記載の方法。
  4. 【請求項4】一般式(1)で表される第4級ホスホニウ
    ム化合物が、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニ
    ルボレート、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラ
    フェニルボレート、トリメチルフェニルホスホニウムテ
    トラフェニボレート、メチルトリフェニルホスホニウム
    テトラフェニルボレート、エチルトリフェニルホスホニ
    ウムテトラフェニルボレート、ブチルトリフェニルホス
    ホニウムテトラフェニルボレートから選ばれる少なくと
    も一種である請求項1記載の方法。
  5. 【請求項5】 リン系化合物が、アリールアルキルホス
    ファイト、トリシクロアルキルホスファイト、トリアリ
    ールホスファイト、トリアルキルホスフェート、トリシ
    クロアルキルホスフェー、トリアリールホスフェート及
    び亜リン酸から選ばれる少なくとも一種である請求項1
    記載の方法。
  6. 【請求項6】 リン系化合物が、ビス(2,4−ジ−t
    −ブチルフェニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスフ
    ァイト、ビス(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフ
    ェニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト、
    2,2−メチレンビス(4,6−ジ−t−ブチルフェニ
    ル)オクチルホスファイト、4,4’−イソプロピリデ
    ン−ジフェノールアルキルホスファイト、トリス(2,
    4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイトから選ばれ
    る一種である請求項1記載の方法。
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