JP3404807B2 - ゲッター内蔵真空管の製造方法 - Google Patents
ゲッター内蔵真空管の製造方法Info
- Publication number
- JP3404807B2 JP3404807B2 JP18901593A JP18901593A JP3404807B2 JP 3404807 B2 JP3404807 B2 JP 3404807B2 JP 18901593 A JP18901593 A JP 18901593A JP 18901593 A JP18901593 A JP 18901593A JP 3404807 B2 JP3404807 B2 JP 3404807B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- getter
- temperature
- flash
- heating
- vacuum tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 101150097247 CRT1 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015999 BaAl Inorganic materials 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical class [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910003310 Ni-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/38—Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
- H01J9/39—Degassing vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J7/00—Details not provided for in the preceding groups and common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J7/14—Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
- H01J7/18—Means for absorbing or adsorbing gas, e.g. by gettering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ゲッター内蔵陰極線管
等のゲッター内蔵真空管の製造方法に関する。本発明
は、特に、製造時間の短縮を実現できるゲッター内蔵真
空管の製造方法を提供するものである。本発明は、例え
ば、各種用途に用いられる陰極線管（以下適宜「ＣＲ
Ｔ」と記すこともある）の製造方法として利用すること
ができる。
等のゲッター内蔵真空管の製造方法に関する。本発明
は、特に、製造時間の短縮を実現できるゲッター内蔵真
空管の製造方法を提供するものである。本発明は、例え
ば、各種用途に用いられる陰極線管（以下適宜「ＣＲ
Ｔ」と記すこともある）の製造方法として利用すること
ができる。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＣＲＴには、管内のガスを吸
着させるため、ゲッターが用いられている。一般に、製
造工程にて管内に装着したゲッター（Ｂａを主成分とす
るものが多く用いられる）を外部高周波により約８００
℃以上の加熱にてフラッシュさせている。
着させるため、ゲッターが用いられている。一般に、製
造工程にて管内に装着したゲッター（Ｂａを主成分とす
るものが多く用いられる）を外部高周波により約８００
℃以上の加熱にてフラッシュさせている。
【０００３】ゲッター内蔵のＣＲＴの一般的技術につい
て、図４及び図５を参照して説明すると、次のとおりで
ある。
て、図４及び図５を参照して説明すると、次のとおりで
ある。
【０００４】図４に示すように、ＣＲＴ１においては、
外筐１０の背部内面に装着させたゲッタースプリング１
２に、ゲッター２が保持されている。図中符号１１はア
ノードボタン、１３は突起部である。また、１４は外筐
１０の前面内部に形成された受像スクリーンであり、電
子銃１５からの電子を受けて、画像を形成する。１６は
導電層である。
外筐１０の背部内面に装着させたゲッタースプリング１
２に、ゲッター２が保持されている。図中符号１１はア
ノードボタン、１３は突起部である。また、１４は外筐
１０の前面内部に形成された受像スクリーンであり、電
子銃１５からの電子を受けて、画像を形成する。１６は
導電層である。
【０００５】ゲッター２は、図５に示す原理で、ＣＲＴ
１内部のガスを捕捉して、真空度を保つ。即ち、外部に
加熱手段３（通常高周波誘導加熱コイル）を設け（図５
（ａ））、この加熱手段３により、Ｂａを主成分とする
ゲッター２の場合７００〜１２００℃でこれを飛散さ
せ、蒸着させる（図５（ｂ））。これにより図５（ｃ）
のＢａ膜２１を内壁に有する構造とするが、このゲッタ
ー２の飛散の時、内部のガスが吸収される。即ち、Ｂａ
は、ＣＲＴ１内の酸素や窒素（あるいはこれらを構成元
素とするガス）を、酸化物、窒化物にして吸収する。例
えば、ＣＲＴ稼動時に発生するＯ2 やＣＯ、ＣＯ2 など
と反応してこれを吸収し、真空度を保つとともに、カソ
ードに悪影響を与える炭素酸化物を除去する作用を示す
（炭素酸化物は、例えばＣＯ2 がＣＨ4 化して、カソー
ドの寿命を縮めると考えられている）。
１内部のガスを捕捉して、真空度を保つ。即ち、外部に
加熱手段３（通常高周波誘導加熱コイル）を設け（図５
（ａ））、この加熱手段３により、Ｂａを主成分とする
ゲッター２の場合７００〜１２００℃でこれを飛散さ
せ、蒸着させる（図５（ｂ））。これにより図５（ｃ）
のＢａ膜２１を内壁に有する構造とするが、このゲッタ
ー２の飛散の時、内部のガスが吸収される。即ち、Ｂａ
は、ＣＲＴ１内の酸素や窒素（あるいはこれらを構成元
素とするガス）を、酸化物、窒化物にして吸収する。例
えば、ＣＲＴ稼動時に発生するＯ2 やＣＯ、ＣＯ2 など
と反応してこれを吸収し、真空度を保つとともに、カソ
ードに悪影響を与える炭素酸化物を除去する作用を示す
（炭素酸化物は、例えばＣＯ2 がＣＨ4 化して、カソー
ドの寿命を縮めると考えられている）。
【０００６】ゲッター２として用いられるものは、Ｂａ
を主成分とするものが代表的であり、例えばＢａＡｌ4
とＮｉを重量部５０：５０で配合したものに、必要に応
じＦｅ4 Ｎを０〜４．８配合したものを用いることがで
きる。これは約８００℃の加熱において、 ＢａＡｌ4 ＋４Ｎｉ → Ｂａ＋４ＮｉＡｌ の反応を生じ、飛散したＢａがガスを吸収して真空度を
保つ作用を示す。
を主成分とするものが代表的であり、例えばＢａＡｌ4
とＮｉを重量部５０：５０で配合したものに、必要に応
じＦｅ4 Ｎを０〜４．８配合したものを用いることがで
きる。これは約８００℃の加熱において、 ＢａＡｌ4 ＋４Ｎｉ → Ｂａ＋４ＮｉＡｌ の反応を生じ、飛散したＢａがガスを吸収して真空度を
保つ作用を示す。
【０００７】
【発明が解決しようとする問題点】上記したようにゲッ
ターを飛散させてガス捕捉をさせることをフラッシュと
称している。ＣＲＴ製造工程においては、このゲッター
フラッシュプロセスに要する時間を短縮することが望ま
れている。
ターを飛散させてガス捕捉をさせることをフラッシュと
称している。ＣＲＴ製造工程においては、このゲッター
フラッシュプロセスに要する時間を短縮することが望ま
れている。
【０００８】プロセス時間の短縮化のためには、ゲッタ
ーがフラッシュを開始し、充分な飛散量を確保する迄の
加熱時間をいかに早めるかが課題となる。
ーがフラッシュを開始し、充分な飛散量を確保する迄の
加熱時間をいかに早めるかが課題となる。
【０００９】上記したように、従来の一般的な技術にお
いては、ＣＲＴ内に装着したゲッターを外部より高周波
コイルにより約８００℃に加熱し、ＮｉとＡｌを反応さ
せ、Ｂａをフラッシュさせる。フラッシュしたＢａは、
ＣＲＴ内の発生ガスを吸着し、管内の真空度を保持する
等の作用を呈するものであるため、Ｂａの量が多い程、
ＣＲＴの寿命が長いとされている。
いては、ＣＲＴ内に装着したゲッターを外部より高周波
コイルにより約８００℃に加熱し、ＮｉとＡｌを反応さ
せ、Ｂａをフラッシュさせる。フラッシュしたＢａは、
ＣＲＴ内の発生ガスを吸着し、管内の真空度を保持する
等の作用を呈するものであるため、Ｂａの量が多い程、
ＣＲＴの寿命が長いとされている。
【００１０】本発明者の検討によれば、ゲッターとして
のＢａ量を確保するためには、一定のＢａ飛散量を確保
する必要時間を要する。図６に、横軸に時間、縦軸に温
度をとって、ゲッターフラッシュプロセスにおける昇温
カーブＩ′を示すが、図の横軸にＳＴで示すのがフラッ
シュ開始時間であり、ＴＴで示すのがＢａ飛散量確保必
要時間である。このＢａ飛散量確保必要時間ＴＴは、フ
ラッシュ関数時間ＳＴの関数になっていることを本発明
者は見い出している。
のＢａ量を確保するためには、一定のＢａ飛散量を確保
する必要時間を要する。図６に、横軸に時間、縦軸に温
度をとって、ゲッターフラッシュプロセスにおける昇温
カーブＩ′を示すが、図の横軸にＳＴで示すのがフラッ
シュ開始時間であり、ＴＴで示すのがＢａ飛散量確保必
要時間である。このＢａ飛散量確保必要時間ＴＴは、フ
ラッシュ関数時間ＳＴの関数になっていることを本発明
者は見い出している。
【００１１】ここで、Ｂａ飛散量確保必要時間ＴＴを短
縮するためには、フラッシュ開始時間ＳＴを短かくする
ことにより、これを達成することが可能と考えられる。
しかし、フラッシュ開始時間ＳＴを短縮するためには、
加熱手段である高周波加熱コイルのＲＦ出力を高める必
要がある。ゲッターは、通常、ＳＵＳ等のコンテナーに
保持されているので、フラッシュ開始時間ＳＴを短縮す
るために昇温を急激にすると、図６に符号Ｖで示すよう
に、Ｂａ飛散量確保必要時間ＴＴに達しない内に、コン
テナーがメルトするメルト温度（ＳＵＳで１４００℃）
まで昇温してしまい、コンテナーメルトの発生が生じ
る。
縮するためには、フラッシュ開始時間ＳＴを短かくする
ことにより、これを達成することが可能と考えられる。
しかし、フラッシュ開始時間ＳＴを短縮するためには、
加熱手段である高周波加熱コイルのＲＦ出力を高める必
要がある。ゲッターは、通常、ＳＵＳ等のコンテナーに
保持されているので、フラッシュ開始時間ＳＴを短縮す
るために昇温を急激にすると、図６に符号Ｖで示すよう
に、Ｂａ飛散量確保必要時間ＴＴに達しない内に、コン
テナーがメルトするメルト温度（ＳＵＳで１４００℃）
まで昇温してしまい、コンテナーメルトの発生が生じ
る。
【００１２】一般に、図７に示すように、高周波（Ｒ
Ｆ）出力と温度との関係は、同図のグラフＡに示すよう
に、高周波の出力を高くすると加熱温度もこれに比例し
て高くなる。
Ｆ）出力と温度との関係は、同図のグラフＡに示すよう
に、高周波の出力を高くすると加熱温度もこれに比例し
て高くなる。
【００１３】また、図８のグラフＢに示すように、高周
波（ＲＦ）の出力を一定とし、長時間加熱すると、ある
一定の温度にてピークを生じることが本発明者の検討に
よりわかった。
波（ＲＦ）の出力を一定とし、長時間加熱すると、ある
一定の温度にてピークを生じることが本発明者の検討に
よりわかった。
【００１４】一方、温度とコンテナーメルトとの関係は
図９のグラフＣの如くであり、ＳＵＳから成るコンテナ
ーは、１４００℃以上より、そのメルトが発生する。
図９のグラフＣの如くであり、ＳＵＳから成るコンテナ
ーは、１４００℃以上より、そのメルトが発生する。
【００１５】よって、図１０に符号III で示す通常出力
でのＲＦによる昇温カーブに対して、プロセス時間を短
縮しようとして符号IVで示すようにＲＦ出力を上げる
と、Ｂａ飛散量確保必要時間ＴＴ内にメルト温度に達し
てしまい、メルトが発生してしまうという問題が起こる
のである。
でのＲＦによる昇温カーブに対して、プロセス時間を短
縮しようとして符号IVで示すようにＲＦ出力を上げる
と、Ｂａ飛散量確保必要時間ＴＴ内にメルト温度に達し
てしまい、メルトが発生してしまうという問題が起こる
のである。
【００１６】
【発明の目的】本発明は上記問題点を解決して、メルト
の発生などの問題を生ずることなく、ゲッターのフラッ
シュプロセス時間を短縮でき、生産性の向上を実現でき
るゲッター内蔵真空管の製造方法を提供することを目的
とする。
の発生などの問題を生ずることなく、ゲッターのフラッ
シュプロセス時間を短縮でき、生産性の向上を実現でき
るゲッター内蔵真空管の製造方法を提供することを目的
とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本出願の請求項１の発明
は、ゲッターを内蔵する真空管の製造方法であって、加
熱によりゲッター材料をフラッシュさせる工程におい
て、ゲッター材料にフラッシュ開始温度まで急速な加熱
をすることにより温度上昇を行い、フラッシュ開始温度
に至った時点で連続して前記の温度上昇より温度上昇の
傾きを小さくした温度上昇により加熱を行うことを特徴
とするゲッター内蔵真空管の製造方法であって、これに
より上記目的を達成したものである。
は、ゲッターを内蔵する真空管の製造方法であって、加
熱によりゲッター材料をフラッシュさせる工程におい
て、ゲッター材料にフラッシュ開始温度まで急速な加熱
をすることにより温度上昇を行い、フラッシュ開始温度
に至った時点で連続して前記の温度上昇より温度上昇の
傾きを小さくした温度上昇により加熱を行うことを特徴
とするゲッター内蔵真空管の製造方法であって、これに
より上記目的を達成したものである。
【００１８】本出願の請求項２の発明は、製造する真空
管が陰極線管であり、ゲッター材料のフラッシュ開始温
度に至るまでの第１ステップの加熱と、ゲッター材料の
フラッシュ開始温度に至った後の第２ステップの加熱の
少なくとも２ステップの加熱工程を行うようにした請求
項１に記載のゲッター内蔵真空管の製造方法であって、
これにより上記目的を達成したものである。
管が陰極線管であり、ゲッター材料のフラッシュ開始温
度に至るまでの第１ステップの加熱と、ゲッター材料の
フラッシュ開始温度に至った後の第２ステップの加熱の
少なくとも２ステップの加熱工程を行うようにした請求
項１に記載のゲッター内蔵真空管の製造方法であって、
これにより上記目的を達成したものである。
【００１９】本発明において、ゲッターとしては、Ｂａ
をゲッター成分とし、これに例えばＡｌ、Ｎｉを配合し
たアロイ（例えばＢａ：Ｎｉ：Ａｌ＝５０：２５：２５
のもの）のほか、Ｍａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔ
ａ，Ｔａ，Ｔｈなどを適宜組み合わせてゲッターとした
ものも用いることができる。
をゲッター成分とし、これに例えばＡｌ、Ｎｉを配合し
たアロイ（例えばＢａ：Ｎｉ：Ａｌ＝５０：２５：２５
のもの）のほか、Ｍａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔ
ａ，Ｔａ，Ｔｈなどを適宜組み合わせてゲッターとした
ものも用いることができる。
【００２０】
【作 用】本発明によれば、ゲッター材料のフラッシュ
温度に至るまでは、急速な加熱を行って、速やかにフラ
ッシュを開始させ、フラッシュ温度に至った後は、温度
上昇の傾きを小さくすることにより、必要なフラッシュ
量が確保されない内にコンテナーメルト発生などの問題
の生じる温度にまで昇温してしまうといった問題を避け
ることができる。よってこの発明により、メルトの発生
などの問題を生ずることなく、ゲッターのフラッシュプ
ロセス時間を短縮することが可能となり、よって生産性
の向上を実現できる。
温度に至るまでは、急速な加熱を行って、速やかにフラ
ッシュを開始させ、フラッシュ温度に至った後は、温度
上昇の傾きを小さくすることにより、必要なフラッシュ
量が確保されない内にコンテナーメルト発生などの問題
の生じる温度にまで昇温してしまうといった問題を避け
ることができる。よってこの発明により、メルトの発生
などの問題を生ずることなく、ゲッターのフラッシュプ
ロセス時間を短縮することが可能となり、よって生産性
の向上を実現できる。
【００２１】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。但し当然のことではあるが、本発明は実施
例により限定を受けるものではない。
て説明する。但し当然のことではあるが、本発明は実施
例により限定を受けるものではない。
【００２２】実施例１
この実施例は、本発明を、Ｂａ−Ｎｉ−Ａｌアロイから
成り、ＳＵＳコンテナーに保持されたゲッターを内蔵し
たＣＲＴの製造に適用したものである。
成り、ＳＵＳコンテナーに保持されたゲッターを内蔵し
たＣＲＴの製造に適用したものである。
【００２３】本実施例においては、図１に示すように、
フラッシュプロセスにおける昇温カーブＩは、ゲッター
材料のフラッシュ開始温度（ここでは８００℃）に至っ
た後は、符号Ｉｂで示すように温度上昇の傾きを小さく
した。
フラッシュプロセスにおける昇温カーブＩは、ゲッター
材料のフラッシュ開始温度（ここでは８００℃）に至っ
た後は、符号Ｉｂで示すように温度上昇の傾きを小さく
した。
【００２４】また、本実施例では特に、ゲッター材料の
フラッシュ開始温度に至るまでの符号Ｉａで示す第１ス
テップの加熱と、ゲッター材料のフラッシュ開始温度に
至った後の符号Ｉｂで示す第２ステップの加熱の少なく
とも２ステップの加熱工程を行うようにした。
フラッシュ開始温度に至るまでの符号Ｉａで示す第１ス
テップの加熱と、ゲッター材料のフラッシュ開始温度に
至った後の符号Ｉｂで示す第２ステップの加熱の少なく
とも２ステップの加熱工程を行うようにした。
【００２５】この結果、第１ステップＩａでの加熱を高
温で急速に行ってプロセス時間を短縮するとともに、符
号IIで示すフラッシュ開始後は、加熱手段であるコイル
に流すＲＦ出力を切換えて昇温の傾きを小さくし、よっ
てＢａ飛散量確保必要時間ＴＴに至るまでにはコンテナ
ーのメルト温度には至らないようにすることができる。
よってこれにより、メルト発生の問題を避けて、しかも
プロセス時間を短縮することが可能ならしめられた。
温で急速に行ってプロセス時間を短縮するとともに、符
号IIで示すフラッシュ開始後は、加熱手段であるコイル
に流すＲＦ出力を切換えて昇温の傾きを小さくし、よっ
てＢａ飛散量確保必要時間ＴＴに至るまでにはコンテナ
ーのメルト温度には至らないようにすることができる。
よってこれにより、メルト発生の問題を避けて、しかも
プロセス時間を短縮することが可能ならしめられた。
【００２６】図１の昇温カーブは、第１ステップＩａ、
第２ステップＩｂとも直線的に図示してあるが、ゆるや
かに傾きを小さくする曲線的なものにしても好結果が得
られることは勿論である。
第２ステップＩｂとも直線的に図示してあるが、ゆるや
かに傾きを小さくする曲線的なものにしても好結果が得
られることは勿論である。
【００２７】本実施例のフラッシュプロセスに用いた装
置の概略を、図２に示す。製造工程においてＣＲＴ１内
に装着されたゲッター２は、外部から高周波加熱コイル
を加熱手段３として加熱される。この加熱手段３（高周
波加熱コイル）は、ケーブル３１を介して、高周波発振
装置４と接続しているが、この高周波発振装置４は、ボ
リューム設定などにより、ＲＦ出力を切換えられるよう
になっている。従って、ステップＩａからステップＩｂ
に移るとき（図１のII）には、これによりＲＦ出力を制
御して、昇温カーブの傾きを小さくする。
置の概略を、図２に示す。製造工程においてＣＲＴ１内
に装着されたゲッター２は、外部から高周波加熱コイル
を加熱手段３として加熱される。この加熱手段３（高周
波加熱コイル）は、ケーブル３１を介して、高周波発振
装置４と接続しているが、この高周波発振装置４は、ボ
リューム設定などにより、ＲＦ出力を切換えられるよう
になっている。従って、ステップＩａからステップＩｂ
に移るとき（図１のII）には、これによりＲＦ出力を制
御して、昇温カーブの傾きを小さくする。
【００２８】図２中符号５は光センサーであり、ゲッタ
ー２のフラッシュによる発光を、例えば図示５１の位置
からの光で検知する。この光センサー５によりフラッシ
ュの開始を検知することができ、これをフィードバック
して、出力切換え信号を出す。また光センサー５は、フ
ラッシュのピークを検知して、これにより制御を行う構
成にすることもできる。
ー２のフラッシュによる発光を、例えば図示５１の位置
からの光で検知する。この光センサー５によりフラッシ
ュの開始を検知することができ、これをフィードバック
して、出力切換え信号を出す。また光センサー５は、フ
ラッシュのピークを検知して、これにより制御を行う構
成にすることもできる。
【００２９】この実施例では、Ｂａを有効成分とするゲ
ッター合金を、ＳＵＳコンテナーとともに用いる場合を
示したが、その他の組成のゲッターを用い、その他の事
情でゲッターの飛散必要量を確保するまでの間にある温
度以上には加熱したくない場合などについても、各々の
組成等に応じた設定を行うことで、同様に本発明を適用
することができる。
ッター合金を、ＳＵＳコンテナーとともに用いる場合を
示したが、その他の組成のゲッターを用い、その他の事
情でゲッターの飛散必要量を確保するまでの間にある温
度以上には加熱したくない場合などについても、各々の
組成等に応じた設定を行うことで、同様に本発明を適用
することができる。
【００３０】また、本実施例ではＲＦ出力を切換えて、
加熱手段３の発熱を制御することで昇温カーブの制御を
行ったが、コイル等の加熱手段を移動させてゲッターと
の距離を変化させることにより、昇温カーブを制御する
構成にすることもできる。
加熱手段３の発熱を制御することで昇温カーブの制御を
行ったが、コイル等の加熱手段を移動させてゲッターと
の距離を変化させることにより、昇温カーブを制御する
構成にすることもできる。
【００３１】実施例２
本実施例も、実施例１と同様にフラッシュプロセスを行
ったが、ここでは昇温カーブＩを図３に示すようにし
た。符号ＩＩでフラッシュ開始を示し、符号Ｉｂでフラ
ッシュ開始ＩＩ後の第２ステップを示す。やや曲線的
に、なだらかに昇温カーブを示すように、ＲＦ出力を制
御する設定を行った。
ったが、ここでは昇温カーブＩを図３に示すようにし
た。符号ＩＩでフラッシュ開始を示し、符号Ｉｂでフラ
ッシュ開始ＩＩ後の第２ステップを示す。やや曲線的
に、なだらかに昇温カーブを示すように、ＲＦ出力を制
御する設定を行った。
【００３２】本実施例も、実施例１と同様の効果を有す
る。
る。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、メルトの発生などの問
題を生ずることなく、ゲッターのフラッシュプロセス時
間を短縮でき、生産性の向上を実現できる。
題を生ずることなく、ゲッターのフラッシュプロセス時
間を短縮でき、生産性の向上を実現できる。
【図１】実施例１のフラッシュプロセスにおける昇温カ
ーブを示す図である。
ーブを示す図である。
【図２】実施例１のフラッシュプロセスに用いた装置概
略図である。
略図である。
【図３】実施例２のフラッシュプロセスにおける昇温カ
ーブを示す図である。
ーブを示す図である。
【図４】ゲッター内蔵ＣＲＴの一般的な構成を示す図で
ある。
ある。
【図５】ゲッターの作用原理を説明する図である。
【図６】問題点を示す図である。
【図７】ＲＦ出力と温度の関係を示す図である。
【図８】ＲＦ時間と温度の関係を示す図である。
【図９】温度とコンテナーメルトの関係を示す図であ
る。
る。
【図１０】問題点を説明する図である。
Ｉ 昇温カーブ
Ｉａ 第１ステップ（の加熱）
Ｉｂ 第２ステップ（の加熱）
Claims (2)
- 【請求項１】ゲッターを内蔵する真空管の製造方法であ
って、 加熱によりゲッター材料をフラッシュさせる工程におい
て、 ゲッター材料にフラッシュ開始温度まで急速な加熱をす
ることにより温度上昇を行い、 フラッシュ開始温度に至った時点で連続して前記の温度
上昇より温度上昇の傾きを小さくした温度上昇により加
熱を行うことを特徴とするゲッター内蔵真空管の製造方
法。 - 【請求項２】製造する真空管が陰極線管であり、 ゲッター材料のフラッシュ開始温度に至るまでの第１ス
テップの加熱と、ゲッター材料のフラッシュ開始温度に
至った後の第２ステップの加熱の少なくとも２ステップ
の加熱工程を行うことを特徴とする請求項１に記載のゲ
ッター内蔵真空管の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18901593A JP3404807B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | ゲッター内蔵真空管の製造方法 |
| KR1019940014120A KR100311600B1 (ko) | 1993-06-30 | 1994-06-22 | 게터내장음극선관의제조방법 |
| US08/267,676 US5433638A (en) | 1993-06-30 | 1994-06-29 | Method of and apparatus for manufacturing getter-containing vacuum tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18901593A JP3404807B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | ゲッター内蔵真空管の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0721918A JPH0721918A (ja) | 1995-01-24 |
| JP3404807B2 true JP3404807B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=16233879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18901593A Expired - Fee Related JP3404807B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | ゲッター内蔵真空管の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5433638A (ja) |
| JP (1) | JP3404807B2 (ja) |
| KR (1) | KR100311600B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003003399A1 (en) * | 2001-06-27 | 2003-01-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for evaporating a getter material in a vacuum tube |
| KR102103526B1 (ko) | 2018-06-04 | 2020-04-23 | 주식회사 신진팩 | 포대 적재장치 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2838708A (en) * | 1954-06-09 | 1958-06-10 | Gen Electric | Electron discharge device and method of gettering |
| US3372968A (en) * | 1964-10-29 | 1968-03-12 | Westinghouse Electric Corp | Flash gettering method and apparatus having pulse duration control |
| NL8703042A (nl) * | 1987-12-16 | 1989-07-17 | Philips Nv | Getterinrichting met een getterdetector en een naverwarmingstijdklok. |
| JPH0279325A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-19 | Hitachi Ltd | 陰極線管のゲツターフラツシユ方法 |
| KR910007504B1 (ko) * | 1989-11-02 | 1991-09-26 | 삼성전관 주식회사 | 음극선관의 제작방법 |
| IT1241102B (it) * | 1990-04-11 | 1993-12-29 | Getters Spa | Metodo ed apparecchiatura per la rilevazione automatica del tempo di evaporazione dei dispositivi getters al bario |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP18901593A patent/JP3404807B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-22 KR KR1019940014120A patent/KR100311600B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-06-29 US US08/267,676 patent/US5433638A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5433638A (en) | 1995-07-18 |
| KR100311600B1 (ko) | 2001-12-15 |
| JPH0721918A (ja) | 1995-01-24 |
| KR950001819A (ko) | 1995-01-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR19990029947A (ko) | 고압 방전 램프 및 그 제조 방법 | |
| US3389288A (en) | Gettering device including a getter metal and a gas releasing material | |
| JP3404807B2 (ja) | ゲッター内蔵真空管の製造方法 | |
| US3786268A (en) | Electron gun device of field emission type | |
| JPH0850849A (ja) | 陰極部材およびそれを用いた電子管 | |
| US2934392A (en) | Methods of manufacturing evacuated and gas-filled devices | |
| US5672936A (en) | Cold cathode fluorescent discharge tube | |
| JPH0765694A (ja) | 電子管用の陰極 | |
| US3388955A (en) | Process for producing within electron tubes,in particular television picture tubes,a thin metallic film capable of sorbing their residual gases | |
| US3441333A (en) | Method of manufacturing cathode ray tube | |
| US4018489A (en) | Method for extending cathode life in vidicon tubes | |
| JP2947883B2 (ja) | 電子管のゲッターフラッシュ方法 | |
| JP2004139790A (ja) | Ｘ線管装置 | |
| US5800235A (en) | Process for manufacturing incandescent lamps having gettering agents | |
| CN1149610C (zh) | 用于钙蒸发过程的吸气剂 | |
| JPS6348387B2 (ja) | ||
| JPH0430137B2 (ja) | ||
| JPS6366821A (ja) | 陰極線管の排気方法 | |
| US3427087A (en) | Arc tubes and process for their fabrication | |
| KR0142355B1 (ko) | 브라운관의 게터링 장치 | |
| JPH0373089B2 (ja) | ||
| JP2003059404A (ja) | 陰極線管の製造方法 | |
| JPH05250981A (ja) | 含浸形陰極およびその製造方法 | |
| US2878093A (en) | Method of preparing emitter surfaces | |
| US1849527A (en) | Electron discharge device and process of making the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |