JP3404482B2 - ハロゲンランプを用いたプラズマディスプレーパネル焼成及び封着装置並びにこれを用いたプラズマディスプレーパネル焼成及び封着方法 - Google Patents

ハロゲンランプを用いたプラズマディスプレーパネル焼成及び封着装置並びにこれを用いたプラズマディスプレーパネル焼成及び封着方法

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JP3404482B2 JP2000221538A JP2000221538A JP3404482B2 JP 3404482 B2 JP3404482 B2 JP 3404482B2 JP 2000221538 A JP2000221538 A JP 2000221538A JP 2000221538 A JP2000221538 A JP 2000221538A JP 3404482 B2 JP3404482 B2 JP 3404482B2
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  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
ーパネル焼成及び封着装置並びにその焼成及び封着方法
に係り、特にハロゲンランプを装置の発熱源として利用
して温度の上昇及び下降時間を短縮し、焼成及び封着工
程時、装置内部のガス環境を制御してプラズマディスプ
レーパネルの性能を向上させるハロゲンランプを用いた
プラズマディスプレーパネル焼成及び封着装置並びにこ
れを用いたプラズマディスプレーパネル焼成及び封着方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、表示装置は人間と電子装置との
情報交換のための重要なインタフェースであって、情報
化社会の発展に伴い人間が接することができる情報の量
が膨大になるにつれ、これを用いた情報化機器の多様化
が求められており、このような情報化機器の表示装置に
関する特性が重要視されている。このため、現在におい
ては大型のパネルが製作が可能であり、寿命がＣＲＴ
（Ｃａｔｈｏｄｅ−Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）に比べて二倍以
上であり、構造が簡単で製作しやすいプラズマディスプ
レーパネル（以下、ＰＤＰと称する）に対する研究が活
発になされつつあり、これは現在まで表示装置の主流で
あったＣＲＴに取って代わる次世代ディスプレーとして
最も脚光を浴びている。
【０００３】一方、前記ＰＤＰの製造工程は、上部ガラ
スと下部ガラスに所定の電極及び誘電体膜、隔壁の焼成
工程を行う前工程と、前工程済みの上部ガラスと下部ガ
ラスを封着し、所定のガスを排気及び注入させて一枚の
パネルを形成する後工程とに大別される。図１はＰＤＰ
の上部ガラスと下部ガラスの前工程過程を説明するため
の図面である。
【０００４】図１において、上部ガラス１０は、透明電
極１１及びバス電極１２が一面に形成され、該透明電極
１１及びバス電極１２上には、放電時の放電電流を制限
し、壁電荷の生成を容易にする誘電層１３が均一な厚さ
に形成され、この誘電層１３上には、放電時に発生する
スパッタリングから、前記透明電極１１とバス電極１２
及び誘電層１３を保護するように酸化マグネシウム保護
膜１４が蒸着形成される。
【０００５】また、図１において、下部ガラス２０は、
前記上部ガラス１０に形成された透明電極１１及びバス
電極１２と所定距離離隔して直交するようにアドレス電
極２１を形成し、前記上部ガラス１０と下部ガラス２０
との間には前記アドレス電極２１を複数の放電セルに分
離してセル間混色を防止し、放電空間を確保することが
できるように隔壁２２が配設される。また、前記アドレ
ス電極２１上には蛍光体２３が塗布される。
【０００６】一方、図２はＰＤＰの後工程過程中の封着
工程を説明するための図面である。即ち、封着工程時に
は図２に示したように、前工程処理済の下部ガラス２０
の一面に所定の排気孔３１を形成し、この下部ガラス２
０の上部にチップ管３２をフリットガラス３３を通じて
接着し、チップ管３２の内部に排気孔３１が形成される
ように接着する。そして、前工程処理済の上部ガラス１
０の上面封着部分、即ち上部ガラス１０と下部ガラス２
０が接着される縁部にフリットガラス３３を塗布した
後、前記チップ菅３２が接着された下部ガラス２０の下
面と接着して封着する。
【０００７】引き続き、前記封着工程が完了した後は、
封着工程済の前記下部ガラス２０の排気孔３１を通して
上部ガラス１０と下部ガラス２０との間の封着部分の内
部に所定の気体を注入するガス注入工程と、前記下部ガ
ラス２０のチップ菅３２を溶融封止する工程を行うこと
によってＰＤＰが形成される。
【０００８】一方、前記上部ガラス１０と下部ガラス２
０の前工程時の焼成、または後工程時の封着工程は、一
般的にファーネスで大量に行われるところ、図３は従来
のファーネスの構成を示した図面である。即ち、図３に
示したように、従来のファーネスは、前工程処理を施す
ための多数枚の上部ガラスまたは下部ガラスを安着して
置き、ファーネス内に備えるヒーター３６を駆動制御し
てファーネス全体の内部温度を上昇、下降させるように
制御して、前記ヒーター３６から発生する熱が全体的に
均一にファーネス内に分布されるようにファーネス内に
ファン３７を備えて構成される。
【０００９】また、前記上部ガラスと下部ガラスの焼成
及び封着工程のためには、工程時の温度プロファイルに
ともなう装置内の温度制御が必要になるところ、前記フ
ァーネスの場合は、ファーネス内部の全体的な温度を測
定し、図３に示したヒーター３６を制御することにより
温度制御を行う。
【００１０】例えば、前記ガラスに各種の電極を焼成す
るにあたっては、図４のような温度プロファイルにとも
なうファーネスの温度制御が必要になるが、図４に示し
たように１次に１２０℃に昇温維持し、２次に３８０℃
に昇温維持する仮焼成段階を行った後、最終的に５８０
℃に昇温焼成して、ガラスに電極を焼成する。
【００１１】しかし、従来のファーネスを通じてＰＤＰ
用の上部ガラスまたは下部ガラスを焼成または封着処理
するにあたっては、ファーネスの内部温度にともなう温
度制御を行うようになるところ、図４に示したように温
度上昇及び下降時間が延びて、ガラスに電極を焼成する
工程を行うのに約４時間５０分が必要であり、結局、Ｐ
ＤＰの生産競争力が低下する問題がある。このように、
プラズマディスプレーパネルを製造する際における焼成
及び封着の作業工程時間を可能な限り短縮する必要があ
る。
【００１２】また、ＰＤＰの焼成及び封着工程時には高
温の温度制御が必要になるが、ファーネスの内部温度と
焼成及び封着工程がなされる多数の上部ガラスまたは下
部ガラスがファーネスに設けられた位置に応じて上部ガ
ラスまたは下部ガラスが受ける温度には差が出るように
なり、この、ファーネス内部のガラスに対して均一な温
度にならないことにより、ガラスの熱変形や焼成または
封着工程後のＰＤＰ性能が低下する問題が生じる。
【００１３】特に、封着工程時には、上部ガラスと下部
ガラスとの間に塗布されたフリットガラスの液化温度が
約３５０〜４００℃であって、ファーネスを用いた封着
工程時には多数のガラスに対して封着工程を一時的に行
うために４００℃以上の封着温度プロファイルによって
封着工程を行うようになるところ、この時ＰＤＰで上部
ガラスの融着面は保護膜、即ち酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）膜は４００℃でその結合が割れるようになる特性を
持つので、従来のファーネスの場合のように上部ガラス
と下部ガラスとの間に塗布された封着剤を溶かすため
に、ファーネスの内部温度を４００℃以上に設定する場
合は、上部ガラスの融着面の酸化マグネシウム膜が割れ
るようになって、結局、ＰＤＰの性能を劣化させる問題
がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前述した問題
を解決するために創案されたものであり、ハロゲンラン
プを装置の発熱源として使用し、装置の壁面内部には冷
却水路を形成して温度の上昇及び下降時間を縮めると共
に、装置の内部ガス環境を最適化して焼成及び封着工程
を行うことにより、ＰＤＰ性能を向上することができる
ハロゲンランプを用いたプラズマディスプレーパネル焼
成及び封着装置並びにこれを用いたプラズマディスプレ
ー焼成及び封着方法を提供することを目的としている。
【００１５】また、本発明の他の目的は、装置内に置か
れたガラスの温度を測定して焼成及び封着工程にともな
う温度制御を行うことにより、精密な温度制御の可能な
ハロゲンランプを用いたプラズマディスプレーパネル焼
成及び封着装置並びにこれを用いたプラズマディスプレ
ーパネル焼成及び封着方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明に係るハロゲンランプを用いたプラズマディス
プレーパネル焼成及び封着装置は、壁面内部には冷却水
路が形成され、内部底面にはハロゲンランプが設けられ
た上部チャンバーと、壁面内部には冷却水路が形成さ
れ、ガスを排気するためのガス排気孔と、ガスを注入す
るためのガス注入孔が内部壁面に貫着された下部チャン
バーと、前記下部チャンバーに形成されたガス排気孔と
結合されチャンバー内部のガスを排気するためのガス排
気手段と、前記下部チャンバーに形成されたガス注入孔
と結合されチャンバー内部に所定のガスを注入するため
のガス注入手段と、チャンバー内部に置かれたガラスに
接触してガラスから伝導される熱に該当する温度情報を
出力する熱伝対と、前記熱伝対から印加される温度情報
を貯蔵すると共に、この温度情報を踏まえて前記上部チ
ャンバーに構成されたハロゲンランプに印加される電力
レベルを制御する温度制御手段とを含んで構成されるこ
とを特徴とする。
【００１７】また、前記目的を達成するためのプラズマ
ディスプレーパネル焼成及び封着方法は、上部チャンバ
ーの内部面にはハロゲンランプが形成され、上部チャン
バーと下部チャンバーの壁面内部には冷却水路が形成さ
れるように構成され、チャンバー内部に所定のガスを注
入排気するためのガス注入・排気装置がチャンバーと結
合されるように構成されると共に、前記上部チャンバー
に形成されたハロゲンランプは熱伝対を通じて測定され
たガラスの温度情報に対応されるように温度制御装置に
より駆動制御されるハロゲンランプを用いたプラズマデ
ィスプレーパネル焼成及び封着装置を用いたプラズマデ
ィスプレーパネル焼成及び封着方法において、上部チャ
ンバーと下部チャンバー内部に位置したガラスに熱伝対
を接触させ、この熱伝対から印加される温度情報を前記
温度制御装置に貯蔵する温度情報貯蔵段階と、前記ガス
注入・排気装置を通じチャンバー内部に所定のガスを注
入するガス注入段階と、工程にともなう温度プロファイ
ルによって前記温度情報貯蔵段階で貯蔵された温度情報
を踏まえてハロゲンランプに印加される電力レベルを制
御して該当工程にともなう温度制御を行う温度制御段階
とを含んで構成されることを特徴とする。
【００１８】即ち、前述したような本発明によれば、装
置の発熱源としてハロゲンランプを上部チャンバーに設
けて温度上昇時間を縮め、上部チャンバーと下部チャン
バーの壁面内部に冷却水路を設けて工程隨行にともなう
温度下降時間を縮めると共に、チャンバー内部に設けら
れた冷却水路により外部温度と内部温度を隔離させるこ
とで、高温におけるガラス破損を防止できる。
【００１９】また、ＰＤＰ製造工程時に、チャンバー内
部に所定のガスを注入してチャンバーの内部環境を工程
最適環境に設定し、結果的に該当工程に対する温度プロ
ファイルを最適化することによって、工程後ＰＤＰの性
能を改善することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の実施例を説明する。図５は本発明の第１実施例に
ともなうプラズマディスプレーパネルの焼成及び封着装
置の構成を示す図面である。図５において、参照番号４
１は上部チャンバーであり、図に示すように、本装置の
発熱源として用いられるハロゲンランプ４１１が並列に
結合されて状態にて内部面に設けられ、その全ての壁面
内部には“Ｓ”字状の第１冷却水路４１２が形成され、
その外壁一面には、前記第１冷却水路４１２と結合され
冷却水を入出力するための第１冷却水入出力ポート４１
３が壁面内部を通じて結合されて構成される。
【００２１】また、参照番号４２は下部チャンバーであ
り、図に示すように、下部チャンバー４２の縁部の内側
には所定の段差が設けられ、前記段差には垂直方向に貫
通され所定のガスを注入するためのガス注入孔４２１が
形成され、また前記段差には底面から内壁面に貫通され
た折曲形状のガス排気孔４２２が形成される。そして、
この下部チャンバー４２の全ての壁面内部には“Ｓ”字
状の第２冷却水路４２３が設けられ、その外壁一面には
前記第２冷却水路４２３と結合されて冷却水を入出力す
るための第２冷却水入出力ポート４２４が内壁を通じて
結合される。
【００２２】一方、参照番号４３は、焼成または封着工
程を行うためのガラスを支持するための支持台であり、
これはガラスを上部に位置させるためのセラミックパネ
ル４３１と、このセラミックパネル４３１を支持するた
めの石英板４３２と、該石英板４３２を前記下部チャン
バー４２の内部面に安着させるための石英ピン４３３と
から構成される。この時、石英ピン４３３とセラミック
パネル４３１との間に石英板４３２を置くのことは、当
該石英板４３２は熱伝導性が低く、冷却されたチャンバ
ー底部とハロゲンランプの輻射熱を吸収したガラスやセ
ラミックパネル４３１との熱的差により、ガラスやセラ
ミックパネル４３１に亀裂が生じることを防止するため
である。
【００２３】また、図５において、参照番号４４はガラ
スの温度を測定するための熱伝対であり、ガラスの面に
接触するようにチャンバーに設けて使用する。この時熱
伝対４４の設置形態は図６に示した通りである。即ち、
下部チャンバーに設けられたセラミックパネル４３１上
に第１補助ガラス５１と第２補助ガラス５２を平行に置
き、この第１補助ガラス５１と第２補助ガラス５２との
間に熱伝対４４を置き、この第１補助ガラス５１と第２
補助ガラス５２及び熱伝対４４上にガラス５３を載置し
た後、前記ガラス５３を通じて伝導する熱に該当する温
度情報を熱伝対４４を通じて後述する温度制御装置４５
に送出する。
【００２４】一方、図５において参照番号４５はガラス
の温度制御を行う温度制御装置であり、これは熱伝対４
４から印加される温度情報を貯蔵すると共に、この温度
情報に基づき温度制御を行い、設定温度を表示できるよ
うになる。また、参照番号４６は前記温度制御装置４５
から印加される電流レベルに対応する電力を前記上部チ
ャンバー４１に設けられたハロゲンランプ４１１に供給
する電力制御装置である。
【００２５】そして、参照番号４７は、前記下部チャン
バー４２に形成されたガス排気孔４２２を通してチャン
バー内部のガスを排気するためのガス排気装置であり、
４８は前記下部チャンバー４２に形成されたガス注入孔
４２１を通してチャンバー内部に所定のガスを注入する
ためのガス注入装置であって、このガス注入装置４８は
図７に示したように構成される。
【００２６】即ち、図７はガス注入装置４８の内部構成
を示したブロック構成図であり、これは、窒素（Ｎ２）
ガスが貯蔵されている窒素ガス貯蔵部６１と、酸素（Ｏ
２）ガスが貯蔵されている酸素ガス貯蔵部６２から放出
される窒素ガスまたは酸素ガスを第１ガス調節部６３と
第２ガス調節部６４を通じて放出量を調節して均一に放
出させ、第１ガス調節部６３及び第２ガス調節部６４か
ら放出されるガスはガスフィルター部６５を通じて該当
ガス以外の不純物成分をフィルタリングして、下部チャ
ンバー４２に形成されたガス注入孔４２１を通してチャ
ンバー内部に注入される。
【００２７】この時、前記第１ガス調節部６３と第２ガ
ス調節部６４を通じて調節されるガス放出量は、チャン
バー内部に位置するガラスの工程種類によって異なるよ
うに設定してチャンバー内部に注入するようになる。例
えば、誘電体焼成工程の場合は窒素ガスと酸素ガスの比
率を０：１００に設定してチャンバー内部にガスを注入
すると、誘電体焼成工程後ガラスの透過率特性が８０％
以上に得られた。
【００２８】引き続き、前述したように構成された装置
を用いた焼成工程動作を説明する。まず、熱伝対４４を
利用して測定されたガラスの温度情報を前記温度制御装
置４５に貯蔵して置く。次いで、焼成工程を行うガラス
をセラミック板４３１上に位置させ、上部チャンバー４
１の下部壁面と下部チャンバー４２の上部壁面が一致す
るように上部チャンバー４１と下部チャンバー４２を置
く。
【００２９】そして、該当工程に適正なガスを下部チャ
ンバー４２のガス注入孔４２１を通してチャンバー内部
に注入し、チャンバーの内部ガス環境を設定した後、工
程時の温度プロファイルによって温度制御装置４５の出
力電流レベルを調節し、この温度制御装置４５と結合さ
れた電力制御装置４６を通じて電流レベルに対応する電
力を上部チャンバー４１の壁面の内部に設けられたハロ
ゲンランプ４１１に供給することにより、該当工程動作
を行うようになるが、この時、本発明に係る焼成工程で
は該当焼成工程にともなう温度制御を行う。
【００３０】図８は本発明に係る装置を用いた焼成工程
時の温度制御を例示したことであって、例えばガラスに
電極を焼成する場合、仮焼成段階を経ず、早速５８０℃
工程を行うところ、その電極焼成工程時間は２時間に、
図４に示したファーネスを用いた焼成工程時の場合より
約２時間５０分が短縮される。
【００３１】また、本出願人は仮焼成段階を経る場合と
仮焼成段階を経ない場合に対して工程隨行後の性能比較
実験を行った。図９はＡｇを材料とした電極の焼成方式
にともなう工程後の面抵抗特性実験結果を示したもので
ある。図９において、Ｘは仮焼成段階を経た場合の面抵
抗特性を示したものであり、Ｙは仮焼成段階を経ない場
合の面抵抗特性を示しており、これによれば、仮焼成段
階を経なくてもその工程後の面抵抗特性にはさほど変化
が無いことがわかる。
【００３２】一方、図１０は、本発明にともなう装置の
断面図であり、特に、封着工程遂行時において、遂行の
ために図２に示したチップ管３２が接着された下部ガラ
ス２０と封着部分に封着剤が塗布された上部ガラス１０
を結合してチャンバーの内部に置いた場合のチャンバー
断面図である。
【００３３】即ち、図２に示した前述の上部ガラス１０
と下部ガラス２０を下部チャンバー４２の内部面に結合
されたセラミックパネル４３１の上部に置き、図１１の
ような封着工程時の温度プロファイルによって上部チャ
ンバー４１に設けられたハロゲンランプ４１１への電力
レベルを調節し、ハロゲンランプ４１１の赤外線放出量
を調節することによって封着工程を行う。
【００３４】図１１に示したように、本発明に係る装置
を用いた封着工程時には、１次に２５０℃に温度を上昇
させて約３０分間２５０℃を維持し、以後３８０℃に温
度を上昇させて約３０分間３８０℃を維持するようにガ
ラスの温度を制御する。
【００３５】即ち、前記実施例によれば、装置の発熱源
としてハロゲンランプを上部チャンバーに設け、焼成工
程及び封着工程時該当温度プロファイルに基づきハロゲ
ンランプの供給電力レベルを制御すると共に、上部チャ
ンバーと下部チャンバーの壁面内部に冷却水路を形成
し、結果的に工程遂行にともなう温度上昇時間及び温度
下降時間を短縮させ、チャンバーの外部温度と内部温度
を離して高温におけるガラス割れを防止できるようにな
り、特に封着工程時、封着温度を下げることができ、従
来の封着工程で発生しうる悪影響を除去することができ
る。
【００３６】また、熱伝対を通じてガラスの温度制御を
精密に行うことにより、特に封着工程時の封着温度を下
げることが可能になるので、封着工程において温度の過
度上昇により発生するＰＤＰ性能の劣化を防止できる。
また、焼成工程時、チャンバー内部に所定のガスを注入
してチャンバーの内部環境を焼成最適環境に設定するこ
とにより、ＰＤＰの性能を改善できる。また、本実施例
によれば、焼成工程時、仮焼成を経ずに、直接焼成を行
うことにより、温度上昇及び下降時間を短縮し、結局Ｐ
ＤＰの生産競争力を向上することかできる。
【００３７】なお、本発明は前記実施例に限定されず、
本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実
施することができる。例えば、前記実施例においては一
つのＰＤＰを生成できるように実施したが、前記チャン
バーの規模を大きくし、ガラスを支持するための多数本
の支持台を下部チャンバーに構成して同時に多数個のＰ
ＤＰを生成できるように実施することもできる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、装
置の発熱源としてハロゲンランプを上部チャンバーに設
け、焼成工程及び封着工程時該当温度プロファイルに基
づきハロゲンランプの供給電力レベルを制御すると共
に、上部チャンバーと下部チャンバーの壁面の内部に冷
却水路を設け、その結果、工程遂行にともなう温度上昇
時間及び温度下降時間を短縮し、チャンバーの外部温度
と内部温度を離して高温におけるガラス破損を防止する
ことができる。また、熱伝対を通じてガラスの温度測定
が精密になるにつれ封着工程時、封着温度を下げること
ができ、ＰＤＰ製造工程時、チャンバーの内部に所定の
ガスを注入してチャンバーの内部環境を工程における最
適環境に設定することにより、工程後のＰＤＰの性能を
改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的なプラズマディスプレーパネルの上部ガ
ラス１０と下部ガラス２０の構造を示した図面。
【図２】一般的なプラズマディスプレーパネルの後工程
過程中封着工程を説明するための図面である。
【図３】従来のプラズマディスプレーパネル封着装置の
ファーネスの構成を概略的に示した図面である。
【図４】図３に示したファーネスを用いた焼成工程にと
もなう温度プロファイルを例示した図面である。
【図５】本発明の第１実施例にともなうプラズマディス
プレーパネル焼成及び封着装置の構成を示した結合斜視
図である。
【図６】図５に示した装置において熱伝対の構成及びそ
れにともなう温度測定方法と制御方法を説明するための
図面である。
【図７】図５に示したガス注入装置４８の内部構成を示
したブロック構成図である。
【図８】図５に示した装置を用いた焼成工程時の温度プ
ロファイルの一例を示した図面である。
【図９】Ａｇが印刷されたガラスの焼成方式にともなう
工程後の面抵抗特性の実験結果を示した図面である。
【図１０】封着工程時の図５に示した装置の断面図であ
る。
【図１１】図５に示した装置を用いた封着工程時の温度
プロファイルを示した図面である。
【符号の説明】
４１ 上部チャンバー ４１１ ハロゲンラ
ンプ ４１２ 第１冷却水路 ４１３ 第１冷却水
入出力ポート ４２ 下部チャンバー ４２１ ガス注入孔 ４２２ ガス排気孔 ４２３ 第２冷却水
路 ４２４ 第２冷却水入出力ポート ４３ 支持台 ４３１ セラミックパネル ４３２ 石英板 ４３３ 石英ピン ４４ 熱伝対 ４５ 温度制御装置 ４６ 電力制御装置 ４７ ガス排気装置 ４８ ガス注入装置
フロントページの続き (72)発明者 ハァン キ ウン 大韓民国 ソウル特別市 江南區 大峙 洞 宇星 ２次アパート 11桐 1307号 (56)参考文献 特開 平７−94102（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 9/26 G09F 9/00 G09F 9/313 H01J 9/38

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 壁面の内部には冷却水路が形成され、内
    部の底面にはハロゲンランプが設けられた上部チャンバ
    ーと、 壁面の内部には冷却水路が形成され、ガスを排気するた
    めのガス排気孔と、 ガスを注入するためのガス注入孔が内部壁面を貫通して
    形成された下部チャンバーと、 前記下部チャンバーに形成されたガス排気孔と結合され
    チャンバー内部のガスを排気するためのガス排気手段
    と、 前記下部チャンバーに形成されたガス注入孔と結合され
    チャンバー内部に所定のガスを注入するためのガス注入
    手段と、 チャンバー内部に置かれたガラスに接触してガラスから
    伝導される熱に該当する温度情報を出力する熱伝対と、 前記熱伝対から印加される温度情報を貯蔵すると共に、
    この温度情報に基づき前記上部チャンバーに構成された
    ハロゲンランプに印加される電力レベルを制御する温度
    制御手段とを含めて構成されることを特徴とするハロゲ
    ンランプを用いたプラズマディスプレーパネル焼成及び
    封着装置。
  2. 【請求項２】 前記下部チャンバーの内面には焼成及び
    封着工程のためのガラスを支持するために石英ピンが結
    合され、該石英ピンの上部に石英板が結合され、この石
    英板の上部にはセラミックパネルが結合されることを特
    徴とする請求項１に記載のハロゲンランプを用いたプラ
    ズマディスプレーパネル焼成及び封着装置。
  3. 【請求項３】 前記ガス注入装置は第１ガスを貯蔵する
    ための第１ガス貯蔵手段と、 第２ガスを貯蔵するための第２ガス貯蔵手段と、 前記第１ガス貯蔵手段から放出される第１ガスの放出量
    を調節するための第１ガス調節手段と、 前記第２ガス貯蔵手段から放出される第２ガスの放出量
    を調節するための第２ガス調節手段と、 前記第１ガス調節手段と第２ガス調節手段から放出され
    るガスの不純物成分をろ過して前記下部チャンバーのガ
    ス注入孔に放出するためのガスフィルターとを含めて構
    成されることを特徴とする請求項１に記載のハロゲンラ
    ンプを用いたプラズマディスプレーパネル焼成及び封着
    装置。
  4. 【請求項４】 前記第１ガスと第２ガスは窒素（Ｎ２）
    と酸素（Ｏ２）であることを特徴とする請求項２に記載
    のハロゲンランプを用いたプラズマディスプレーパネル
    焼成及び封着装置。
  5. 【請求項５】 上部チャンバーの内部面にはハロゲンラ
    ンプが形成され、上部チャンバーと下部チャンバーの壁
    面の内部には冷却水路が形成されるように構成され、チ
    ャンバー内部に所定のガスを注入排気するためのガス注
    入・排気装置がチャンバーと結合されるように構成され
    ると共に、前記上部チャンバーに形成されたハロゲンラ
    ンプは熱伝対を通じて測定されたガラスの温度情報に対
    応するように温度制御装置により駆動制御されるハロゲ
    ンランプを用いたプラズマディスプレーパネル焼成及び
    封着装置を用いたプラズマディスプレーパネル焼成及び
    封着方法において、 上部チャンバーと下部チャンバーの内部に置かれたガラ
    スに熱伝対を接触させ、該熱伝対から印加される温度情
    報を前記温度制御装置に貯蔵する温度情報貯蔵段階と、 前記ガス注入・排気装置を通じてチャンバーの内部に所
    定のガスを注入するガス注入段階と、 工程にともなう温度プロファイルによって前記温度情報
    貯蔵段階で貯蔵された温度情報に基づきハロゲンランプ
    に印加される電力レベルを制御して該当工程にともなう
    温度制御を行う温度制御段階とを含めて構成されること
    を特徴とするプラズマディスプレーパネル焼成及び封着
    方法。
  6. 【請求項６】 前記ガス注入段階においてチャンバー内
    部に注入されるガスは窒素ガスと酸素ガスであることを
    特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレーパネ
    ル焼成及び封着方法。
  7. 【請求項７】 前記温度制御段階は焼成工程時仮焼成段
    階を行わないように温度制御を行うことを特徴とする請
    求項５に記載のプラズマディスプレーパネル焼成及び封
    着方法。
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