JP3400568B2 - Ｘ線発生装置及びｘ線分析装置 - Google Patents
Ｘ線発生装置及びｘ線分析装置Info
- Publication number
- JP3400568B2 JP3400568B2 JP25280594A JP25280594A JP3400568B2 JP 3400568 B2 JP3400568 B2 JP 3400568B2 JP 25280594 A JP25280594 A JP 25280594A JP 25280594 A JP25280594 A JP 25280594A JP 3400568 B2 JP3400568 B2 JP 3400568B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- discharge
- filament
- target
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フィラメントから放出
される電子をターゲットに衝突させてそのターゲットか
らＸ線を発生させるＸ線発生装置に関する。また、その
Ｘ線発生装置を用いたＸ線分析装置に関する。
される電子をターゲットに衝突させてそのターゲットか
らＸ線を発生させるＸ線発生装置に関する。また、その
Ｘ線発生装置を用いたＸ線分析装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線を用いた分析装置、すなわちＸ線分
析装置として、Ｘ線の回折現象を利用して試料を分析す
るようにしたＸ線回折装置が知られている。一般にこの
Ｘ線回折装置では、Ｘ線発生装置から放射されるＸ線を
試料に照射し、その試料で回折したＸ線を検出する。通
常の測定では、試料に対するＸ線の入射角度を変化させ
ながら、各入射角度における回折Ｘ線の強度を測定し、
そして入射Ｘ線に対する回折Ｘ線の角度（通常は回折角
度２θと呼ばれる）の変化に対応する回折Ｘ線の強度変
化をグラフ上に表し、このグラフに基づいて試料の内部
構造や、試料を構成する材料分析等を行なう。グラフ上
に表される回折Ｘ線の強度変化線図は、通常、Ｘ線回折
図形と呼ばれている。
析装置として、Ｘ線の回折現象を利用して試料を分析す
るようにしたＸ線回折装置が知られている。一般にこの
Ｘ線回折装置では、Ｘ線発生装置から放射されるＸ線を
試料に照射し、その試料で回折したＸ線を検出する。通
常の測定では、試料に対するＸ線の入射角度を変化させ
ながら、各入射角度における回折Ｘ線の強度を測定し、
そして入射Ｘ線に対する回折Ｘ線の角度（通常は回折角
度２θと呼ばれる）の変化に対応する回折Ｘ線の強度変
化をグラフ上に表し、このグラフに基づいて試料の内部
構造や、試料を構成する材料分析等を行なう。グラフ上
に表される回折Ｘ線の強度変化線図は、通常、Ｘ線回折
図形と呼ばれている。
【０００３】Ｘ線分析装置に用いられるＸ線発生装置
は、通常、通電により電子を放出するフィラメントと、
バイアス電圧の印加により電子の進行方向を制御するた
めの電界を形成するウエネルトと、フィラメントから放
出される電子が衝突するターゲットとを有している。フ
ィラメント、ウエネルト及びターゲットの各要素は、内
部が真空状態に保持されたケーシングの中に収納され
る。このＸ線発生装置では、フィラメントから放出され
た電子が所定の面積のＸ線焦点の領域内でターゲットに
衝突し、そのＸ線焦点領域のターゲットからＸ線が発生
する。
は、通常、通電により電子を放出するフィラメントと、
バイアス電圧の印加により電子の進行方向を制御するた
めの電界を形成するウエネルトと、フィラメントから放
出される電子が衝突するターゲットとを有している。フ
ィラメント、ウエネルト及びターゲットの各要素は、内
部が真空状態に保持されたケーシングの中に収納され
る。このＸ線発生装置では、フィラメントから放出され
た電子が所定の面積のＸ線焦点の領域内でターゲットに
衝突し、そのＸ線焦点領域のターゲットからＸ線が発生
する。
【０００４】このＸ線発生装置では、フィラメントから
所定量の電子がターゲットへ移動している間は希望強度
のＸ線が正常に発生し、しかもターゲットが損傷するこ
ともない。しかしながら、ケーシング内に放電が発生す
ると、希望強度のＸ線が安定して得られなくなり、しか
もターゲットに傷が付くことがあった。本発明者は、ケ
ーシング内に発生する放電とターゲットに発生する傷と
の関係について種々の実験を行ない、そして次のような
知見を得た。
所定量の電子がターゲットへ移動している間は希望強度
のＸ線が正常に発生し、しかもターゲットが損傷するこ
ともない。しかしながら、ケーシング内に放電が発生す
ると、希望強度のＸ線が安定して得られなくなり、しか
もターゲットに傷が付くことがあった。本発明者は、ケ
ーシング内に発生する放電とターゲットに発生する傷と
の関係について種々の実験を行ない、そして次のような
知見を得た。
【０００５】すなわち、放電が発生するとフィラメント
とターゲットとの間に印加される高電圧、すなわち管電
圧が瞬間的に低下し、それにもかかわらずウエネルトに
印加されるバイアス電圧が一定値のままであると、ター
ゲット上に形成されるＸ線焦点の面積が非常に小さく絞
られてターゲットにかかる負荷が非常に大きくなり、そ
の結果、ターゲットに傷がつくものと考えられる。
とターゲットとの間に印加される高電圧、すなわち管電
圧が瞬間的に低下し、それにもかかわらずウエネルトに
印加されるバイアス電圧が一定値のままであると、ター
ゲット上に形成されるＸ線焦点の面積が非常に小さく絞
られてターゲットにかかる負荷が非常に大きくなり、そ
の結果、ターゲットに傷がつくものと考えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の知見
に基づいてなされたものであって、ケーシング内に放電
が発生したときにターゲット上でのＸ線焦点の面積が小
さく絞られることを防止して、ターゲットが傷つくのを
防止することを目的とする。
に基づいてなされたものであって、ケーシング内に放電
が発生したときにターゲット上でのＸ線焦点の面積が小
さく絞られることを防止して、ターゲットが傷つくのを
防止することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明に係るＸ線発生装置は、通電により電子を放
出するフィラメントと、バイアス電圧の印加により電子
の進行方向を制御するための電界を形成するウエネルト
と、フィラメントから放出される電子が衝突するターゲ
ットと、フィラメント、ウエネルト及びターゲットを収
納するケーシングとを有するＸ線発生装置において、ケ
ーシング内に発生する放電を検出する放電検出手段と、
その放電検出手段によって放電が検出されたときにＸ線
焦点の面積が許容限界よりも小さくならないように上記
バイアス電圧を変化させるＸ線発生制御装置とを有する
ことを特徴としている。
め、本発明に係るＸ線発生装置は、通電により電子を放
出するフィラメントと、バイアス電圧の印加により電子
の進行方向を制御するための電界を形成するウエネルト
と、フィラメントから放出される電子が衝突するターゲ
ットと、フィラメント、ウエネルト及びターゲットを収
納するケーシングとを有するＸ線発生装置において、ケ
ーシング内に発生する放電を検出する放電検出手段と、
その放電検出手段によって放電が検出されたときにＸ線
焦点の面積が許容限界よりも小さくならないように上記
バイアス電圧を変化させるＸ線発生制御装置とを有する
ことを特徴としている。
【０００８】ケーシング内に放電が発生すると、フィラ
メントとターゲットとの間に印加される管電圧は瞬間的
に低下する。よってこのとき、ウエネルトに印加される
バイアス電圧が一定値に維持されると、ターゲット上で
のＸ線焦点の面積が非常に小さく絞られる。本発明のＸ
線発生装置で用いるＸ線発生制御装置は、放電が発生し
たときにウエネルトへ印加するバイアス電圧を変化させ
ることによってＸ線焦点が小さく絞られることを防止す
る。バイアス電圧の変化のさせ方としては、バイアス電
圧を下げても良いし、あるいはバイアス電圧を上げても
良いが、制御を簡単にするためにはバイアス電圧を下げ
るように制御する方が望ましい。
メントとターゲットとの間に印加される管電圧は瞬間的
に低下する。よってこのとき、ウエネルトに印加される
バイアス電圧が一定値に維持されると、ターゲット上で
のＸ線焦点の面積が非常に小さく絞られる。本発明のＸ
線発生装置で用いるＸ線発生制御装置は、放電が発生し
たときにウエネルトへ印加するバイアス電圧を変化させ
ることによってＸ線焦点が小さく絞られることを防止す
る。バイアス電圧の変化のさせ方としては、バイアス電
圧を下げても良いし、あるいはバイアス電圧を上げても
良いが、制御を簡単にするためにはバイアス電圧を下げ
るように制御する方が望ましい。
【０００９】ケーシング内に発生する放電を検出するた
めの方法は、特定の検出方法に限定されることはない
が、例えば、フィラメントとターゲットとの間を流れる
管電流を常時測定し、その管電流が瞬間的に変化するこ
と、例えば瞬間的に大きくなることに基づいてその放電
を検出できる。
めの方法は、特定の検出方法に限定されることはない
が、例えば、フィラメントとターゲットとの間を流れる
管電流を常時測定し、その管電流が瞬間的に変化するこ
と、例えば瞬間的に大きくなることに基づいてその放電
を検出できる。
【００１０】放電が発生して管電圧が低下するとき、ウ
エネルトへ印加するバイアス電圧を変化させればＸ線焦
点が小さく絞られることを防止して、ターゲットが傷つ
くことを防止できる。しかしながら、バイアス電圧を変
化させると同時にフィラメントへ流す電流量を減少させ
れば、より一層確実にＸ線焦点の狭小化現象を防止でき
る。
エネルトへ印加するバイアス電圧を変化させればＸ線焦
点が小さく絞られることを防止して、ターゲットが傷つ
くことを防止できる。しかしながら、バイアス電圧を変
化させると同時にフィラメントへ流す電流量を減少させ
れば、より一層確実にＸ線焦点の狭小化現象を防止でき
る。
【００１１】本発明に係るＸ線分析装置は、放電の発生
時にバイアス電圧を変化させてＸ線焦点が許容限界以上
に絞られることを防止する機能を備えた上記のＸ線発生
装置を用いたＸ線分析装置であって、放電検出手段によ
って放電が検出されたときから管電圧が設定電圧へ復帰
するまでの間、Ｘ線分析データの採取を中止することを
特徴としている。また、このようなＸ線分析装置におい
て、Ｘ線分析データの採取を中止することに代えて、管
電圧が設定電圧へ復帰するまでの間に採取したデータに
関して、そのデータが異常データである旨の表示、例え
ばその範囲にアンダーラインを付けることもできる。
時にバイアス電圧を変化させてＸ線焦点が許容限界以上
に絞られることを防止する機能を備えた上記のＸ線発生
装置を用いたＸ線分析装置であって、放電検出手段によ
って放電が検出されたときから管電圧が設定電圧へ復帰
するまでの間、Ｘ線分析データの採取を中止することを
特徴としている。また、このようなＸ線分析装置におい
て、Ｘ線分析データの採取を中止することに代えて、管
電圧が設定電圧へ復帰するまでの間に採取したデータに
関して、そのデータが異常データである旨の表示、例え
ばその範囲にアンダーラインを付けることもできる。
【００１２】
【作用】ケーシング内で放電が発生すると、放電検出手
段がその放電を検出する。そしてこのとき、Ｘ線発生制
御装置の働きにより、ウエネルトへ印加するバイアス電
圧が変化、すなわち上昇又は降下する。放電が生じる
と、フィラメントとターゲットとの間に印加される管電
圧が降下するが、それに同期してバイアス電圧も変化す
るので、ターゲット上でのＸ線焦点が小さく絞られるこ
とがなくなり、よってターゲットが傷つけられることが
無くなる。
段がその放電を検出する。そしてこのとき、Ｘ線発生制
御装置の働きにより、ウエネルトへ印加するバイアス電
圧が変化、すなわち上昇又は降下する。放電が生じる
と、フィラメントとターゲットとの間に印加される管電
圧が降下するが、それに同期してバイアス電圧も変化す
るので、ターゲット上でのＸ線焦点が小さく絞られるこ
とがなくなり、よってターゲットが傷つけられることが
無くなる。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明に係るＸ線発生装置及びＸ線
分析装置の一実施例を示している。ここに示したＸ線分
析装置は、Ｘ線発生装置１と、Ｘ線光学系２と、例えば
コンピュータによって構成されるＸ線測定制御装置３と
によって構成されている。Ｘ線光学系２は、Ｘ線発生装
置１から発生されるＸ線を用いて試料に関する各種の分
析処理を行なうものであり、例えば、Ｘ線回折装置等が
用いられる。このＸ線光学系２の全体的なＸ線回折測定
動作はＸ線測定制御装置３によって制御される。
分析装置の一実施例を示している。ここに示したＸ線分
析装置は、Ｘ線発生装置１と、Ｘ線光学系２と、例えば
コンピュータによって構成されるＸ線測定制御装置３と
によって構成されている。Ｘ線光学系２は、Ｘ線発生装
置１から発生されるＸ線を用いて試料に関する各種の分
析処理を行なうものであり、例えば、Ｘ線回折装置等が
用いられる。このＸ線光学系２の全体的なＸ線回折測定
動作はＸ線測定制御装置３によって制御される。
【００１４】Ｘ線回折装置には非常に多くの種類がある
が、代表的なものとして次のような測定例がある。すな
わち、Ｘ線発生装置１から発生するＸ線を入射角度を変
えながら試料に照射し、各入射角度における回折Ｘ線の
強度をＸ線カウンタを用いて測定し、そして図４に示す
ようなＸ線回折図形を作成し、そのＸ線回折図形に基づ
いて試料の内部構造や、構成成分等を判定する。なお、
図４に示すＸ線回折図形は、回折角度（２θ）の変化に
応じた回折Ｘ線強度の変化をグラフに表したものであ
り、回折角度（２θ）というのは、試料で回折した回折
Ｘ線が試料に入射する入射Ｘ線に対して成す角度のこと
である。
が、代表的なものとして次のような測定例がある。すな
わち、Ｘ線発生装置１から発生するＸ線を入射角度を変
えながら試料に照射し、各入射角度における回折Ｘ線の
強度をＸ線カウンタを用いて測定し、そして図４に示す
ようなＸ線回折図形を作成し、そのＸ線回折図形に基づ
いて試料の内部構造や、構成成分等を判定する。なお、
図４に示すＸ線回折図形は、回折角度（２θ）の変化に
応じた回折Ｘ線強度の変化をグラフに表したものであ
り、回折角度（２θ）というのは、試料で回折した回折
Ｘ線が試料に入射する入射Ｘ線に対して成す角度のこと
である。
【００１５】図１において、Ｘ線発生装置１は、Ｘ線管
４と、管電圧印加回路５と、フィラメント通電回路６
と、バイアス電圧印加回路７と、そして例えばコンピュ
ータによって構成されるＸ線発生制御装置８とを有して
いる。Ｘ線管４は、通電により発熱して熱電子を放出す
るフィラメント１０と、電子の進行方向を制御するため
の電界を形成するウエネルト１１と、フィラメント１０
に対向して配置されたターゲット１２と、そしてフィラ
メント１０，ウエネルト１１及びターゲット１２を気密
に収納するケーシング９とによって構成されている。ケ
ーシング９の内部は、ロータリーポンプ、ターボ分子ポ
ンプ等によって構成される排気ポンプ１３によって排気
されて真空状態に保持される。
４と、管電圧印加回路５と、フィラメント通電回路６
と、バイアス電圧印加回路７と、そして例えばコンピュ
ータによって構成されるＸ線発生制御装置８とを有して
いる。Ｘ線管４は、通電により発熱して熱電子を放出す
るフィラメント１０と、電子の進行方向を制御するため
の電界を形成するウエネルト１１と、フィラメント１０
に対向して配置されたターゲット１２と、そしてフィラ
メント１０，ウエネルト１１及びターゲット１２を気密
に収納するケーシング９とによって構成されている。ケ
ーシング９の内部は、ロータリーポンプ、ターボ分子ポ
ンプ等によって構成される排気ポンプ１３によって排気
されて真空状態に保持される。
【００１６】管電圧印加回路５は、商用交流を直流電圧
に変換するコンバータＣ５と、コンバータＣ５によって
直流化された電圧を高周波交流電圧に変換するインバー
タＩ５と、インバータＩ５によって適宜の周波数に交流
化された電圧を高電圧に昇圧する昇圧回路Ｖ５とによっ
て構成されている。インバータＩ５はＸ線発生制御装置
８からの指示に基づいてパルス幅変調制御（ＰＷＭ）を
行い、これにより昇圧回路Ｖ５の出力電圧が制御され
る。
に変換するコンバータＣ５と、コンバータＣ５によって
直流化された電圧を高周波交流電圧に変換するインバー
タＩ５と、インバータＩ５によって適宜の周波数に交流
化された電圧を高電圧に昇圧する昇圧回路Ｖ５とによっ
て構成されている。インバータＩ５はＸ線発生制御装置
８からの指示に基づいてパルス幅変調制御（ＰＷＭ）を
行い、これにより昇圧回路Ｖ５の出力電圧が制御され
る。
【００１７】フィラメント通電回路６及びバイアス電圧
印加回路７は、いずれも管電圧印加回路５と同様に、コ
ンバータＣ６，Ｃ７、インバータＩ６，Ｉ７、そして昇
圧回路Ｖ６，Ｖ７によって構成されている。そして、Ｘ
線発生制御装置８によってインバータＩ６，Ｉ７をパル
ス幅変調制御（ＰＷＭ）することにより、各昇圧回路Ｖ
６，Ｖ７の出力電圧を制御する。
印加回路７は、いずれも管電圧印加回路５と同様に、コ
ンバータＣ６，Ｃ７、インバータＩ６，Ｉ７、そして昇
圧回路Ｖ６，Ｖ７によって構成されている。そして、Ｘ
線発生制御装置８によってインバータＩ６，Ｉ７をパル
ス幅変調制御（ＰＷＭ）することにより、各昇圧回路Ｖ
６，Ｖ７の出力電圧を制御する。
【００１８】管電圧印加回路５は、アースされたターゲ
ット１２とフィラメント１０との間に高電圧、すなわち
管電圧を印加する。フィラメント通電回路６は、フィラ
メント１０に所定の電流を流してそのフィラメントを加
熱して熱電子を放出させる。バイアス電圧印加回路７
は、ウエネルト１１とフィラメント１０との間に所定の
バイアス電圧を印加してそのウエネルトのまわりに電場
を形成する。この電場の働きによりフィラメント１０か
ら放出された電子の進行方向が制御される。
ット１２とフィラメント１０との間に高電圧、すなわち
管電圧を印加する。フィラメント通電回路６は、フィラ
メント１０に所定の電流を流してそのフィラメントを加
熱して熱電子を放出させる。バイアス電圧印加回路７
は、ウエネルト１１とフィラメント１０との間に所定の
バイアス電圧を印加してそのウエネルトのまわりに電場
を形成する。この電場の働きによりフィラメント１０か
ら放出された電子の進行方向が制御される。
【００１９】管電圧印加回路５の出力線に接続された管
電圧検出回路１４は、管電圧の変動を検出してその検出
結果を電気信号としてＸ線発生制御装置８へ送る。ま
た、管電圧印加回路５のアースラインに接続された管電
流検出回路１５は、フィラメント１０とターゲット１２
との間を流れる電流、すなわち管電流の変動を検出して
その検出結果を電気信号としてＸ線発生制御装置８へ送
る。通常のＸ線発生時、Ｘ線発生制御装置８は、管電圧
検出回路１４の出力信号及び管電流検出回路１５の出力
信号に基づいて、管電圧及び管電流が一定値を維持する
ように、管電圧印加回路５の出力電圧及びフィラメント
通電回路６の出力電流を制御する。具体的に云えば、例
えば管電圧を６０ｋＶ、管電流を５００ｍＡ程度に制御
する。また、ウエネルト１１に印加されるバイアス電圧
は、例えば５５０Ｖ程度に制御される。
電圧検出回路１４は、管電圧の変動を検出してその検出
結果を電気信号としてＸ線発生制御装置８へ送る。ま
た、管電圧印加回路５のアースラインに接続された管電
流検出回路１５は、フィラメント１０とターゲット１２
との間を流れる電流、すなわち管電流の変動を検出して
その検出結果を電気信号としてＸ線発生制御装置８へ送
る。通常のＸ線発生時、Ｘ線発生制御装置８は、管電圧
検出回路１４の出力信号及び管電流検出回路１５の出力
信号に基づいて、管電圧及び管電流が一定値を維持する
ように、管電圧印加回路５の出力電圧及びフィラメント
通電回路６の出力電流を制御する。具体的に云えば、例
えば管電圧を６０ｋＶ、管電流を５００ｍＡ程度に制御
する。また、ウエネルト１１に印加されるバイアス電圧
は、例えば５５０Ｖ程度に制御される。
【００２０】Ｘ線発生装置１が正常に稼働しているとき
には、図２に示すように、フィラメント１０から放出さ
れた電子がターゲット１２の表面上に、幅Ｗ×長さＬの
長方形状の面積を有するＸ線焦点Ｆを形成し、そのＸ線
焦点ＦからＸ線が発生する。このＸ線焦点Ｆの大きさ
は、実行しようとするＸ線回折測定の種類に対応して適
宜の大きさに設定される。
には、図２に示すように、フィラメント１０から放出さ
れた電子がターゲット１２の表面上に、幅Ｗ×長さＬの
長方形状の面積を有するＸ線焦点Ｆを形成し、そのＸ線
焦点ＦからＸ線が発生する。このＸ線焦点Ｆの大きさ
は、実行しようとするＸ線回折測定の種類に対応して適
宜の大きさに設定される。
【００２１】本来発生してはならないのであるが、何ら
かの理由、例えばＸ線管４のケーシング９の中にゴミや
ガスが存在すると、ケーシング９の中で放電が発生する
ことがある。この放電が発生すると、図１において、管
電流検出回路１５が異常電流を検出し、これにより放電
が発生したことが検出される。放電が発生すると、図３
に示すように、管電圧ＶK は放電発生時点Ｔ１から瞬間
的に降下する。このとき、バイアス電圧ＶB が一定値を
維持すると、図２においてＸ線焦点Ｆの幅Ｗ又は長さＬ
が異常に小さくなってターゲット１２のその領域に異常
な負荷がかかり、その結果、ターゲット１２が傷つくお
それがある。
かの理由、例えばＸ線管４のケーシング９の中にゴミや
ガスが存在すると、ケーシング９の中で放電が発生する
ことがある。この放電が発生すると、図１において、管
電流検出回路１５が異常電流を検出し、これにより放電
が発生したことが検出される。放電が発生すると、図３
に示すように、管電圧ＶK は放電発生時点Ｔ１から瞬間
的に降下する。このとき、バイアス電圧ＶB が一定値を
維持すると、図２においてＸ線焦点Ｆの幅Ｗ又は長さＬ
が異常に小さくなってターゲット１２のその領域に異常
な負荷がかかり、その結果、ターゲット１２が傷つくお
それがある。
【００２２】本実施例では図３に示すように、放電の発
生が検出されると、Ｘ線発生制御装置８（図１）の働き
により、バイアス電圧ＶB が下げられ、これにより管電
圧ＶK が下がった場合にもＸ線焦点Ｆの面積が小さくな
ることを防止している。よって、ターゲット１２に異常
な負荷がかかることがなくなり、そのターゲットの損傷
が回避される。今の説明では、Ｘ線焦点Ｆの面積の狭小
化を防ぐためにバイアス電圧ＶB を下げることにした
が、バイアス電圧ＶB を管電圧ＶK の降下に同期させて
上昇させることによってもＸ線焦点Ｆの狭小化を防ぐこ
とができる。
生が検出されると、Ｘ線発生制御装置８（図１）の働き
により、バイアス電圧ＶB が下げられ、これにより管電
圧ＶK が下がった場合にもＸ線焦点Ｆの面積が小さくな
ることを防止している。よって、ターゲット１２に異常
な負荷がかかることがなくなり、そのターゲットの損傷
が回避される。今の説明では、Ｘ線焦点Ｆの面積の狭小
化を防ぐためにバイアス電圧ＶB を下げることにした
が、バイアス電圧ＶB を管電圧ＶK の降下に同期させて
上昇させることによってもＸ線焦点Ｆの狭小化を防ぐこ
とができる。
【００２３】また、本実施例では、バイアス電圧ＶB を
下げることに同期させてフィラメント通電電流をも降下
させている。これにより、ターゲット１２に加わる負荷
をより一層軽減して、ターゲット１２が傷つくことをよ
り一層確実に防止している。
下げることに同期させてフィラメント通電電流をも降下
させている。これにより、ターゲット１２に加わる負荷
をより一層軽減して、ターゲット１２が傷つくことをよ
り一層確実に防止している。
【００２４】ところで、放電の発生により管電圧ＶK が
下がったときには、Ｘ線発生装置１から発生するＸ線の
強度は異常値を示し、よってこのときにＸ線光学系２に
よって得られた測定データは信頼性が低い。本実施例で
は、測定結果の信頼性を向上するため次のような措置を
講じている。
下がったときには、Ｘ線発生装置１から発生するＸ線の
強度は異常値を示し、よってこのときにＸ線光学系２に
よって得られた測定データは信頼性が低い。本実施例で
は、測定結果の信頼性を向上するため次のような措置を
講じている。
【００２５】すなわち、図１におけるＸ線測定制御装置
３の働きにより、図３において、放電発生時点Ｔ１から
バイアス電圧ＶB が設定値へ復帰するまでの間の時間Ｔ
の間の測定データを正規のデータとして取り扱わないよ
うに、すなわち非データ化するための表示を行う。この
ような表示としては、例えば、その範囲にアンダーライ
ンを引いたり、その範囲の測定データを削除、すなわち
Ｘ線回折図形としてデータ採取しないといった処理が考
えられる。
３の働きにより、図３において、放電発生時点Ｔ１から
バイアス電圧ＶB が設定値へ復帰するまでの間の時間Ｔ
の間の測定データを正規のデータとして取り扱わないよ
うに、すなわち非データ化するための表示を行う。この
ような表示としては、例えば、その範囲にアンダーライ
ンを引いたり、その範囲の測定データを削除、すなわち
Ｘ線回折図形としてデータ採取しないといった処理が考
えられる。
【００２６】放電発生後、管電圧ＶK はＸ線発生制御装
置８（図１）の働きによって設定値へ復帰するが、フィ
ラメント通電電流及びバイアス電圧もそれに追従させて
元の設定値まで復帰させる。なお、このとき、復帰の順
番として、フィラメント通電電流から先に復帰させ、そ
れに少し遅れてバイアス電圧ＶB を復帰させるように制
御することが望ましい。
置８（図１）の働きによって設定値へ復帰するが、フィ
ラメント通電電流及びバイアス電圧もそれに追従させて
元の設定値まで復帰させる。なお、このとき、復帰の順
番として、フィラメント通電電流から先に復帰させ、そ
れに少し遅れてバイアス電圧ＶB を復帰させるように制
御することが望ましい。
【００２７】以上、好ましい実施例をあげて本発明を説
明したが、本発明はその実施例に限られることなく、請
求の範囲に記載した技術的範囲内で種々に改変できる。
明したが、本発明はその実施例に限られることなく、請
求の範囲に記載した技術的範囲内で種々に改変できる。
【００２８】例えば、Ｘ線光学系２は図４に示すような
Ｘ線回折図形を求めるための光学系に限られず、Ｘ線の
回折を利用した任意の構造のＸ線光学系とすることがで
きる。また、必ずしもＸ線回折を利用する分析装置に限
られず、例えばＸ線の反射現象を利用した分析装置とし
ても良い。また、上記実施例では、Ｘ線管４内に発生す
る放電を管電流検出回路１５によって検出したが、放電
を検出するための専用の検出装置を用いることもでき
る。
Ｘ線回折図形を求めるための光学系に限られず、Ｘ線の
回折を利用した任意の構造のＸ線光学系とすることがで
きる。また、必ずしもＸ線回折を利用する分析装置に限
られず、例えばＸ線の反射現象を利用した分析装置とし
ても良い。また、上記実施例では、Ｘ線管４内に発生す
る放電を管電流検出回路１５によって検出したが、放電
を検出するための専用の検出装置を用いることもでき
る。
【００２９】
【発明の効果】請求項１記載のＸ線発生装置によれば、
ケーシング内に放電が発生したときにターゲット上での
Ｘ線焦点の面積が小さく絞られることが防止でき、これ
によりターゲットに異常な負荷が加わってそのターゲッ
トが傷つくことを未然に防止できる。
ケーシング内に放電が発生したときにターゲット上での
Ｘ線焦点の面積が小さく絞られることが防止でき、これ
によりターゲットに異常な負荷が加わってそのターゲッ
トが傷つくことを未然に防止できる。
【００３０】請求項２記載のＸ線発生装置によれば、バ
イアス電圧を上昇させてＸ線焦点の狭小化を防止する場
合に比べて制御が簡単且つ確実になる。
イアス電圧を上昇させてＸ線焦点の狭小化を防止する場
合に比べて制御が簡単且つ確実になる。
【００３１】請求項３記載のＸ線発生装置によれば、放
電検出のための特別な回路構成を付加する必要がないの
で、回路構成を複雑にすることがない。
電検出のための特別な回路構成を付加する必要がないの
で、回路構成を複雑にすることがない。
【００３２】請求項４記載のＸ線発生装置によれば、タ
ーゲットに加わる負荷をより一層軽減でき、よってター
ゲットが傷つくことをより一層確実に防止できる。
ーゲットに加わる負荷をより一層軽減でき、よってター
ゲットが傷つくことをより一層確実に防止できる。
【００３３】請求項５及び請求項６記載のＸ線分析装置
によれば、Ｘ線を用いて行った測定によって得られた測
定データに関して、その信頼性を大幅に向上できる。
によれば、Ｘ線を用いて行った測定によって得られた測
定データに関して、その信頼性を大幅に向上できる。
【００３４】
【図１】本発明に係るＸ線発生装置及びＸ線分析装置の
一実施例を示す回路ブロック図である。
一実施例を示す回路ブロック図である。
【図２】Ｘ線発生装置の内部構造の要部の一例を示す斜
視図である。
視図である。
【図３】Ｘ線発生装置によって実行される電圧制御の一
例を示すタイミングチャートである。
例を示すタイミングチャートである。
【図４】本発明に係るＸ線分析装置によって得られる測
定データの一例であるＸ線回折図形を示すグラフであ
る。
定データの一例であるＸ線回折図形を示すグラフであ
る。
１ Ｘ線発生装置
４ Ｘ線管
Ｃ５，Ｃ６，Ｃ７ コンバータ
Ｉ５，Ｉ６，Ｉ７ インバータ
Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７ 昇圧回路
９ Ｘ線管ケーシング
１０ フィラメント
１１ ウエネルト
１２ ターゲット
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−315088（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−206197（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−119233（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−93097（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−218100（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−48399（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−58798（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−119397（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05G 1/26
G01N 23/00
H05G 1/52
H05G 1/54
Claims (6)
- 【請求項１】 通電により電子を放出するフィラメント
と、バイアス電圧の印加により電子の進行方向を制御す
るための電界を形成するウエネルトと、フィラメントか
ら放出される電子が衝突するターゲットと、フィラメン
ト、ウエネルト及びターゲットを収納するケーシングと
を有するＸ線発生装置において、 ケーシング内に発生する放電を検出する放電検出手段
と、 放電検出手段によって放電が検出されたときにＸ線焦点
の面積が許容限界よりも小さくならないように上記バイ
アス電圧を変化させるＸ線発生制御装置とを有すること
を特徴とするＸ線発生装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のＸ線発生装置において、
Ｘ線発生制御装置は、放電検出手段によって放電が検出
されたときにバイアス電圧を下げることを特徴とするＸ
線発生装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載のＸ線発生装
置において、放電検出手段は、フィラメントとターゲッ
トとの間を流れる管電流の変化に基づいてケーシング内
に発生する放電を検出することを特徴とするＸ線発生装
置。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のうちのいずれか
１つに記載のＸ線発生装置において、Ｘ線発生制御装置
は、放電検出手段によって放電が検出されたときにバイ
アス電圧を変化させると共にフィラメントへ流す電流量
を減少させることを特徴とするＸ線発生装置。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４のうちのいずれか
１つに記載のＸ線発生装置を用いたＸ線分析装置におい
て、放電検出手段によって放電が検出されたときから管
電圧が設定電圧へ復帰するまでの間、Ｘ線分析データの
採取を中止することを特徴とするＸ線分析装置。 - 【請求項６】 請求項１から請求項４のうちのいずれか
１つに記載のＸ線発生装置を用いたＸ線分析装置におい
て、放電検出手段によって放電が検出されたときから管
電圧が設定電圧へ復帰するまでの間に採取されたＸ線分
析データに関して、その範囲内のデータが異常データで
ある旨の表示を付けることを特徴とするＸ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25280594A JP3400568B2 (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | Ｘ線発生装置及びｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25280594A JP3400568B2 (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | Ｘ線発生装置及びｘ線分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0894546A JPH0894546A (ja) | 1996-04-12 |
| JP3400568B2 true JP3400568B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=17242474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25280594A Expired - Fee Related JP3400568B2 (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | Ｘ線発生装置及びｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3400568B2 (ja) |
-
1994
- 1994-09-21 JP JP25280594A patent/JP3400568B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0894546A (ja) | 1996-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Hebner et al. | Characterization of pulse-modulated inductively coupled plasmas in argon and chlorine | |
| JPH0581168B2 (ja) | ||
| JP3377101B2 (ja) | 集束イオンビームによる集積回路の動作解析方法とその装置 | |
| JP3400568B2 (ja) | Ｘ線発生装置及びｘ線分析装置 | |
| US4937458A (en) | Electron beam lithography apparatus including a beam blanking device utilizing a reference comparator | |
| JP2005142140A (ja) | マイクロフォーカスｘ線装置およびｘ線放射の強度を制御する方法 | |
| JPS607049A (ja) | 電位測定装置 | |
| JP3531837B2 (ja) | Ｘ線発生装置の駆動方法及びｘ線回折装置の駆動方法 | |
| NL1007507C2 (nl) | Werkwijze voor het besturen van het vormen van de beeldvorming in een displayinrichting en inrichting voor het uitvoeren van deze werkwijze. | |
| JP3400697B2 (ja) | 電子顕微鏡 | |
| JP2650497B2 (ja) | 試料表面観察装置 | |
| JPS59169044A (ja) | 電界放射形電子ビ−ム装置 | |
| JP2848136B2 (ja) | 電子線照射装置用制御方式 | |
| JP3287041B2 (ja) | プラズマ処理装置の制御方法 | |
| JP2725295B2 (ja) | シンクロトロン放射光露光装置 | |
| JP3365600B2 (ja) | 電子銃におけるフィラメントの動作温度決定方法及び電子線装置 | |
| KR0170448B1 (ko) | 브라운관의 플래시 오버전류 측정방법 | |
| JP2005506664A (ja) | 電子ビーム検査におけるマイクロカラム適用の為の放出ノイズの抑制 | |
| JPH0254850A (ja) | イオン処理装置の制御方法 | |
| JPH0224940A (ja) | 回転対陰極形ｘ線発生装置 | |
| JPS6244381B2 (ja) | ||
| JPH11111177A (ja) | Ｘ線管製造方法 | |
| JPS6081794A (ja) | マイクロ波印加時の放電検知方法 | |
| JP2970880B2 (ja) | 電子ビームによる電圧測定方法及び電子ビームテスタ | |
| JPS60236500A (ja) | 線形粒子加速装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120221 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130221 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130221 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140221 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |