JP3398710B2 - General-purpose memory macro processing apparatus and general-purpose memory macro processing method - Google Patents

General-purpose memory macro processing apparatus and general-purpose memory macro processing method

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JP3398710B2 JP2000227682A JP2000227682A JP3398710B2 JP 3398710 B2 JP3398710 B2 JP 3398710B2 JP 2000227682 A JP2000227682 A JP 2000227682A JP 2000227682 A JP2000227682 A JP 2000227682A JP 3398710 B2 JP3398710 B2 JP 3398710B2
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和博 吉田
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、汎用メモリマクロ
化処理装置及び汎用メモリマクロ化処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a general-purpose memory macro conversion processing device and a general-purpose memory macro conversion processing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年シリコンオンチップの需要は伸びて
おり、メモリを搭載するASIC品についても将来の期
待は大きい。
2. Description of the Related Art Demand for silicon-on-chip has been increasing in recent years, and future expectations for ASIC products equipped with memories are great.

【0003】現在の用途は、CD、MDプレーヤの音飛
び防止機能等が主で、メモリ容量が少量で済んでいる
が、今後は画像処理、音声認識等多量にメモリ(汎用メ
モリ相当)を必要とするDRAMメモリ混載型のシリコ
ンオンチップの需要が見込まれる。
Currently, the main use is a sound skip prevention function for CD and MD players, etc., and a small memory capacity is sufficient, but in the future, a large amount of memory (corresponding to a general-purpose memory) for image processing, voice recognition, etc. will be required. There is expected to be demand for a silicon-on-chip embedded with DRAM memory.

【0004】そこで、従来技術を使用し汎用メモリを大
規模メモリマクロとしてASICチップに搭載する技術
が求められている。
Therefore, there is a demand for a technique for mounting a general-purpose memory as a large-scale memory macro on an ASIC chip by using the conventional technique.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術では、次の様な問題点が生じる。
However, the conventional technique has the following problems.

【0006】第1の問題点として、レイアウト変更が生
じ開発TATが膨大なる。その理由は、汎用メモリの入
出力端子は、リードフレームを介してボンディングで外
部に接続されている。よって、ASICチップに汎用メ
モリをそのまま搭載するとASIC側の信号配線(以下
LOGIC信号)を配線する領域を考えた設計を行って
いないため汎用メモリの入出力端子は接続出来ない為で
ある。
The first problem is that the layout is changed and the development TAT becomes enormous. The reason is that the input / output terminals of the general-purpose memory are connected to the outside by bonding via a lead frame. Therefore, when the general-purpose memory is mounted on the ASIC chip as it is, the input / output terminals of the general-purpose memory cannot be connected because the design is not made considering the area for wiring the signal wiring (hereinafter, LOGIC signal) on the ASIC side.

【0007】この解決策として、LOGIC信号線を接
続させるため、従来のメガマクロ設計技術を使用するこ
とを考えると、図8に示す様に汎用メモリ入出力端子を
LOGIC信号と接続出来る位置(側面)に移動する
(引き出す)レイアウト変更が考えられる。
As a solution to this problem, considering that the conventional mega macro design technique is used to connect the LOGIC signal line, as shown in FIG. 8, a general memory input / output terminal can be connected to the LOGIC signal at a position (side surface). A layout change to move to (draw out) can be considered.

【0008】しかし、ここで第2の問題点として、汎用
メモリからレイアウトの変更に膨大な作成TATが増加
し、側面まで端子を移動する(引き出す)ことによりメ
モリ側でバッファを付加することになり、メモリ内の回
路の再シミュレーションを行う必要が発生し、最悪汎用
メモリと同一の特性を保証出来ないと言う問題点が生じ
る。
However, the second problem here is that a huge number of TATs are required to change the layout from the general-purpose memory, and a buffer is added on the memory side by moving (drawing) the terminal to the side surface. However, it is necessary to re-simulate the circuit in the memory, and the worst problem is that the same characteristics as the general-purpose memory cannot be guaranteed.

【0009】図7は上記内容の配置配線処理フローを示
したものである。汎用メモリレイアウトデータ作成(6
1)後、マスクパターンデータベース(62)を汎用メ
モリとして使用するかメモリマクロとして使用するか判
断(63)、汎用メモリとして使用する場合はそのまま
処理を終了(64)する。メモリマクロとしてASIC
に搭載する場合、ASIC信号と接続出来る様に入出力
端子を側面に配置するマスクパターンデータベースのデ
ータ変更(65)を行い、回路接続情報(66)、自動
配置配線データベース(67)を用いて自動配置配線
(69)、マージ処理(70)を行い、処理を終了(7
1)する。
FIG. 7 shows a layout / wiring processing flow having the above contents. General-purpose memory layout data creation (6
After 1), it is determined whether the mask pattern database (62) is used as a general-purpose memory or a memory macro (63), and when it is used as a general-purpose memory, the process is terminated (64). ASIC as a memory macro
In case of mounting on the board, the data of the mask pattern database that arranges the input / output terminals on the side so that it can be connected to the ASIC signal is changed (65), and the circuit connection information (66) and the automatic placement and routing database (67) are used to automatically The placement and routing (69) and the merge process (70) are performed, and the process ends (7
1) Do.

【0010】また、汎用メモリ入出力端子を側面に配置
するメガマクロ設計技術ではなく、従来技術の延長で類
推出来る手法として、汎用メモリの入出力端子、ESD
素子レイアウト変更により削除、この削除した領域を汎
用メモリマクロ〜LOGIC間配置配線領域として使用
することが考えられる。
Further, instead of the mega-macro design technique of arranging the general-purpose memory input / output terminal on the side surface, the general-purpose memory input / output terminal, ESD
It is conceivable to delete the area by changing the element layout and use the deleted area as a layout wiring area between the general-purpose memory macro and the LOGIC.

【0011】しかし、ここで第3の問題点として、この
手法ではレイアウト変更後のメモリマクロ〜LOGIC
間配置配線領域に無駄が生じると言う問題点が発生す
る。この理由を最大使用IO数が16(以下×16とす
る)で、使用IO数が8、4(以下×8、×4とする)
と可変可能な場合の事例を用いて説明する。汎用メモリ
の入出力端子(PAD)、ESD素子配置領域を汎用メ
モリマクロ〜LOGIC間配置配線として使用する場
合、最大使用IO数分、この場合16IO分と自動配線
出来るマージンを含んだ領域を確保したメモリマクロと
なる。しかし、上記メモリマクロで使用IO数が4(以
下×4とする)となる場合、 16−4=12 …(式11) この12IO分メモリマクロ〜LOGIC間配線領域が
余る。メモリ容量128M相当の大規模DRAMメモリ
を考えると、長辺方向が約10mm(10000μ
m)、自動配線格子を0.56μmピッチとした場合 0.56μm×12IO = 6.72μm …(式12) 6.72μm×10000μm = 67200μm2 …(式13) LOGIC側のUnitCellSizeを9.3μm2 とした場
合、 67200μm2 ÷ 9.3μm2 = 約7225 個 …(式14) のUnitCellを配置出来る領域が無駄となっている。上記
内容の解決策として、各使用IO数分(合計3マクロ)
メモリマクロを作成することが考えられる。
However, as a third problem, this method requires a memory macro after the layout change to LOGIC.
There is a problem that waste occurs in the inter-wiring area. The reason is that the maximum number of used IOs is 16 (hereinafter referred to as × 16), and the number of used IOs is 8 and 4 (hereinafter referred to as × 8 and × 4).
It will be explained by using the case where it is variable. When using the input / output terminal (PAD) of the general-purpose memory and the ESD element arrangement area as the arrangement wiring between the general-purpose memory macro and LOGIC, the area including the maximum number of used IOs, in this case 16IOs, and the margin for automatic wiring is secured. It becomes a memory macro. However, when the number of used IOs in the memory macro is 4 (hereinafter referred to as x4), 16-4 = 12 (Equation 11) This 12 IO memory macro-LOGIC wiring area is left. Considering a large-scale DRAM memory with a memory capacity of 128 M, the long-side direction is approximately 10 mm (10000 μm).
m), when the automatic wiring grid has a pitch of 0.56 μm 0.56 μm × 12 IO = 6.72 μm (Equation 12) 6.72 μm × 10000 μm = 67200 μm 2 (Equation 13) UnitCellSize on the LOGIC side is 9.3 μm 2. In this case, the area in which 67200 μm 2 ÷ 9.3 μm 2 = about 7225 unit cells (Formula 14) can be arranged is wasted. As a solution to the above contents, each number of used IOs (3 macros in total)
It is possible to create a memory macro.

【0012】しかし、第4の問題点として、データ管理
が複雑になることが生じる。
However, as a fourth problem, data management becomes complicated.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明の汎用メモリマク
ロ化処理装置は、汎用メモリのレイアウトデータであっ
てメモリマクロとして不要な所定素子及び所定配線部分
のレイアウトデータをも含むレイアウトデータを格納す
るデータベース手段と、前記データベースデータを汎用
メモリとして使用するかメモリマクロとして使用するか
を選別する選別手段と、メモリマクロとして使用する際
にメモリマクロとロジック間の領域を設定する設定手段
とを有することを特徴とする。
A general-purpose memory macro conversion processing device of the present invention stores layout data of general-purpose memory, including layout data of a predetermined element and a predetermined wiring portion which are unnecessary as a memory macro. It has a database means, a selection means for selecting whether the database data is used as a general-purpose memory or a memory macro, and setting means for setting an area between the memory macro and the logic when the database data is used as a memory macro. Is characterized by.

【0014】前記設定手段は、前記メモリマクロの端子
数及びバッフア数から前記メモリマクロと前記ロジック
間の自動配線格子数を求める手段と、前記格子数分の領
域を空けメモリマクロを配置及び配線し、配線で使用し
た格子数を前記メモリマクロ左右境界部で求める手段
と、前記求められた格子数のうち多い本数をメモリマク
ロとロジック間自動配線格子数と設定し配置及び配線す
る手段とを含む。
The setting means obtains the number of automatic wiring grids between the memory macro and the logic from the number of terminals and the number of buffers of the memory macro, and arranges and wires the memory macro by leaving an area for the number of grids. , A means for determining the number of grids used for wiring in the left and right boundary portions of the memory macro, and a means for setting and arranging a large number of the calculated number of grids as the memory macro and logic automatic wiring grid number .

【0015】本発明の汎用メモリマクロ化処理装置は、
汎用メモリのレイアウトデータであってメモリマクロと
して不要な所定素子及び所定配線部分のレイアウトデー
タをも含むレイアウトデータを格納するデータベース手
段と、前記データベースデータを汎用メモリとして使用
するかメモリマクロとして使用するかを選別しメモリマ
クロとして使用する際には前記不要なレイアウトデータ
を削除した後にロジック部との配線を行う配線手段を有
することを特徴とする。
A general-purpose memory macro processor according to the present invention is
Database means for storing layout data which is layout data of a general-purpose memory and also includes layout data of a predetermined element and a predetermined wiring portion which are unnecessary as a memory macro, and whether the database data is used as a general-purpose memory or a memory macro Is selected and used as a memory macro, it is characterized by having wiring means for wiring the logic section after deleting the unnecessary layout data.

【0016】本発明の汎用メモリマクロ化処理方法は、
汎用メモリのレイアウトデータであってメモリマクロと
して不要な所定素子及び所定配線部分のレイアウトデー
タをも含むレイアウトデータを格納する工程と、前記デ
ータベースデータを汎用メモリとして使用するかメモリ
マクロとして使用するかを選別する選別工程と、メモリ
マクロとして使用する際にメモリマクロとロジック間の
領域を設定する設定工程とを有する。
The general-purpose memory macro processing method of the present invention is
A step of storing layout data which is layout data of a general-purpose memory and also includes layout data of a predetermined element and a predetermined wiring part unnecessary as a memory macro, and whether the database data is used as a general-purpose memory or a memory macro. It has a selecting step of selecting and a setting step of setting an area between the memory macro and the logic when used as a memory macro.

【0017】前記設定工程は、前記メモリマクロの端子
数及びバッフア数から前記メモリマクロと前記ロジック
間の自動配線格子数を求める工程と、前記格子数分の領
域を空けメモリマクロを配置及び配線し、配線で使用し
た格子数を前記メモリマクロ左右境界部で求める工程
と、前記求められた格子数のうち多い本数をメモリマク
ロとロジック間自動配線格子数と設定し配置及び配線す
る工程とを含む。
In the setting step, a step of obtaining an automatic wiring grid number between the memory macro and the logic from the number of terminals and the number of buffers of the memory macro, and arranging and wiring the memory macros by leaving an area for the number of grids , A step of obtaining the number of grids used for wiring at the left and right boundary portions of the memory macro, and a step of setting and arranging a large number of the obtained number of grids as a memory macro and an automatic wiring grid number between logics .

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】本発明による半導体集積装置及び
汎用メモリマクロ化処理方法は、LOC(リードオンチ
ップ)タイプの汎用メモリを、レイアウトデータ作成時
に予めASICメモリマクロとしても使用出来る様に、
不要な部品を取り除くことが可能な階層を持ったレイア
ウトとして作成し、ASICメモリマクロとして使用す
る場合は処理フローに従い不要部分を取り除く事が出来
るレイアウト構成を有する半導体集積装置と、使用メモ
リマクロ全端子数、バッファ数から、メモリマクロ〜L
OGIC間自動配線格子数を求め、その配線格子分を空
けてメモリマクロを配置・配線後、配線で使用した格子
数をメモリマクロ左右境界部で求め、多い本数をメモリ
マクロ〜LOGIC間自動配線格子数と設定、再度配置
・配線することを特徴とする、最適なメモリマクロ〜L
OGIC間領域を求める汎用メモリマクロ化処理方法で
ある。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A semiconductor integrated device and a general-purpose memory macro processing method according to the present invention enable a LOC (read-on-chip) type general-purpose memory to be used in advance as an ASIC memory macro when creating layout data.
A semiconductor integrated device having a layout configuration capable of removing unnecessary parts according to a processing flow when created as a layout having a hierarchy capable of removing unnecessary parts and used as an ASIC memory macro, and all terminals of used memory macros Number, buffer number, memory macro ~ L
After determining the number of automatic wiring grids between OGICs, placing and allocating memory macros for the wiring grids, and after wiring, find the number of grids used for wiring at the left and right boundaries of the memory macros, and the larger number is the automatic wiring grid between memory macros and LOGICs. Optimal memory macro characterized by the number and setting, and re-arranging and wiring ~ L
This is a general-purpose memory macro processing method for obtaining an inter-OGIC area.

【0019】まず初めにレイアウト構成の特徴について
説明する。 図1(b)は、図1(a)の8部分を拡大
した、本発明の基本的な実施形態によるレイアウト構成
拡大図である。
First, the features of the layout configuration will be described. FIG. 1B is an enlarged view of the layout configuration according to the basic embodiment of the present invention, which is an enlarged view of 8 parts of FIG.

【0020】図1(b)において、PAD1、ESD素
子2、入出力信号配線3、通過信号配線4は一括削除出
来るセルデータ階層としておくことで、セルデータを一
括削除後の入出力信号線3は、図1(c)に示す様に、
ブロック配置領域縁端5にのみ存在するようになる。こ
の図1(b)に示す様に、セルデータを一括削除後、入
出力信号線3は、ブロック配置領域縁端5に存在する。
さらに、ブロック配置領域(1)、(2)間を紙面において上
下に通過する通過信号配線4も上記内容と同様に一括削
除出来るセルデータ構成を形成しており、ブロック配置
領域縁端5で、ブロック配置領域(1)に含まれる信号配
線部分、ブロック配置領域(2)に含まれる信号配線部分
と、それ以外(今回対象としている領域:図1(c)の
PAD、ESD素子、入出力信号配線、通過信号配線セ
ル配置領域8)の三つに分割して切り離せる。これらの
領域には、上記に示したデータ以外配置されていない。
In FIG. 1B, the PAD 1, the ESD element 2, the input / output signal wiring 3, and the passing signal wiring 4 are arranged in a cell data hierarchy that can be collectively deleted, so that the input / output signal line 3 after batch deletion of cell data is performed. Is, as shown in FIG.
It exists only at the edge 5 of the block placement area. As shown in FIG. 1B, the input / output signal line 3 exists at the edge 5 of the block arrangement area after the cell data is collectively deleted.
Further, the pass signal wiring 4 passing vertically between the block arrangement areas (1) and (2) on the paper surface also has a cell data structure that can be collectively deleted in the same manner as described above. The signal wiring portion included in the block arrangement area (1), the signal wiring portion included in the block arrangement area (2), and other portions (target area this time: PAD, ESD element, input / output signal in FIG. 1C) Wiring and passage signal wiring cell arrangement area 8) can be divided into three parts and separated. No data other than the above-mentioned data is arranged in these areas.

【0021】以上の特徴を持ったレイアウト構成に、図
2に示す処理方法を用いて、最適なメモリマクロ〜LO
GIC間領域を求めマクロ化処理を行うことを特徴とし
ている。
By using the processing method shown in FIG. 2 in the layout configuration having the above characteristics, the optimum memory macro to LO
The feature is that macroscopic processing is performed by obtaining the inter-GIC area.

【0022】図2において、あらかじめ上記特徴を持っ
たレイアウト構成で作成された上記マスクパターンデー
タベース(14)を、汎用メモリで使用するのかメモリ
マクロとして使用するのか判断(11)し、汎用メモリ
として使用する場合は、そのままレイアウトデータを使
用(12)し、処理を終了(13)する。
In FIG. 2, it is judged (11) whether the mask pattern database (14) created in advance with a layout configuration having the above characteristics is used in a general-purpose memory or a memory macro, and is used as a general-purpose memory. If so, the layout data is used as it is (12), and the process is ended (13).

【0023】メモリマクロとして使用する場合は、回路
接続情報(15)、自動配置配線データベース(16)
を用いて使用メモリマクロ全端子、バッファ数からメモ
リマクロ〜LOGIC間自動配線格子数を求める。(1
7)次に、メモリマクロ〜LOGIC間領域、バッファ
配置総領域を求める(18)。
When used as a memory macro, circuit connection information (15), automatic placement and routing database (16)
Is used to obtain the number of automatic wiring grids between the memory macro and LOGIC from all terminals of the memory macro used and the number of buffers. (1
7) Next, the area between the memory macro and the LOGIC and the total area for buffer placement are obtained (18).

【0024】次に、メモリマクロ〜LOGIC間領域と
バッファ配置総領域を比較(19)し、バッファ配置総
領域が大きい場合は、メモリマクロ〜LOGIC間領域
がバッファ配置総領域より大きくなるように、メモリマ
クロ〜LOGIC間領域を配線格子を2本ステップで追
加し(20)、処理(19)に戻る。メモリマクロ〜L
OGIC間領域が大きい場合、自動配置配線データベー
スを作成(21)に進む。
Next, the area between the memory macro and the LOGIC is compared (19) with the total buffer arrangement area. If the total area of the buffer arrangement is large, the area between the memory macro and the LOGIC is made larger than the total buffer arrangement area. An area between the memory macro and the LOGIC is added with a wiring grid in two steps (20), and the process returns to (19). Memory macro ~ L
If the inter-OGIC region is large, the process proceeds to (21) for creating an automatic placement and routing database.

【0025】次に、領域が最適化済みか判断(22)す
る。 判断基準は、(18)の処理で初めに求めたメモ
リマクロ〜LOGIC間領域と、(19)の処理後のメ
モリマクロ〜LOGIC間領域の比較で行う。 (1
9)の処理後の領域が(18)の処理で求めた領域より
大きいか、もしくは同じであれは最適化未了。小さけれ
ば最適化完了と判断する。
Next, it is judged whether the area has been optimized (22). The judgment criterion is based on the comparison between the memory macro-LOGIC area initially obtained in the processing of (18) and the memory macro-LOGIC area after the processing of (19). (1
If the area after the processing in 9) is larger than or equal to the area obtained in the processing in (18), optimization is not completed. If it is smaller, it is determined that optimization is completed.

【0026】(22)の処理で最適化未了と判断される
と、自動配置配線(23)後、配線で使用した格子数を
メモリマクロ左右境界部で求め多い本数をメモリマクロ
〜LOGIC間自動配線格子数と設定(24)後、先に
説明した(19)に戻り、処理を続ける。
When it is judged in the process of (22) that the optimization has not been completed, after the automatic placement and routing (23), the number of grids used in the wiring is obtained at the left and right boundaries of the memory macro, and a large number is automatically set between the memory macro and the LOGIC. After setting (24) the number of wiring grids, the process returns to (19) described above to continue the processing.

【0027】領域が最適化完了と判断されると、自動配
置配線(25)後、マスクパターンをマージ処理(2
6)し、全ての処理が終了(27)する。以上の特徴を
持った処理方法により、最適なメモリマクロ〜LOGI
C間信号領域で配置・配線を行う事が出来る。
When it is judged that the optimization of the area is completed, after the automatic placement and routing (25), the mask pattern is merged (2
6) Then, all the processing ends (27). With the processing method having the above characteristics, the optimum memory macro-LOGI
Placement and wiring can be performed in the signal area between Cs.

【0028】この図1(b)に示す様に、セルデータを
一括削除後、入出力信号線3は、ブロック配置領域縁端
5に存在する。さらに、ブロック配置領域(1)、(2)間を
紙面において上下に通過する通過信号配線4も上記内容
と同様に一括削除出来るセルデータ構成を形成してお
り、ブロック配置領域縁端5で、ブロック配置領域(1)
に含まれる信号配線部分、ブロック配置領域(2)に含ま
れる信号配線部分と、それ以外(今回対象としている領
域:図1(a)のPAD、ESD素子、入出力信号配
線、通過信号配線セル配置領域8)の三つに分割して切
り離せる。
As shown in FIG. 1B, the input / output signal line 3 is present at the edge 5 of the block arrangement area after the cell data is collectively deleted. Further, the pass signal wiring 4 passing vertically between the block arrangement areas (1) and (2) on the paper surface also has a cell data structure that can be collectively deleted in the same manner as described above. Block placement area (1)
Signal wiring portion included in, the signal wiring portion included in the block placement area (2) and other portions (target area this time: PAD, ESD element, input / output signal wiring, passing signal wiring cell in FIG. 1A) It can be separated by dividing it into three placement areas 8).

【0029】ところで、自動配置配線データベース(1
6)にはASIC用の自動配置配線データベースの他に
汎用メモリと同一サイズの配線禁止領域、入出力端子を
持ったデータ、汎用メモリ時のPAD、ESD配置領域
サイズを備えている。自動配線禁止領域は、汎用メモリ
の周辺回路を含むメモリセル部とし、入出力端子は、汎
用メモリ時のPAD位置近傍に設けるが、その位置は、
図1(b)において、初段ブロックが配置されているブ
ロック配置領域(1)もしくはブロック配置領域(2)のブロ
ック配置領域縁端5とする。
By the way, the automatic placement and routing database (1
In 6), in addition to the automatic placement / wiring database for ASIC, a wiring prohibited area having the same size as the general-purpose memory, data having input / output terminals, PAD in the general-purpose memory, and ESD arrangement area size are provided. The automatic wiring prohibited area is the memory cell portion including the peripheral circuit of the general-purpose memory, and the input / output terminals are provided near the PAD position in the general-purpose memory.
In FIG. 1B, the block placement area edge 1 of the block placement area (1) or the block placement area (2) in which the initial block is placed.

【0030】次に、本発明の実施例について図面を参照
して詳細に説明する。
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0031】図3から図5は、本発明の1実施形態によ
る汎用メモリマクロ化処理方法である。
3 to 5 show a general-purpose memory macro processing method according to an embodiment of the present invention.

【0032】適用具体例としては、使用IO数16(×
16)、その他の端子数34、全入出力端子数合計50
端子の汎用メモリをASICチップに搭載することを考
えるものとする。
As a specific example of application, the number of used IOs is 16 (×
16), 34 other terminals, 50 total I / O terminals
It is assumed that a general-purpose memory for terminals is mounted on an ASIC chip.

【0033】図3において、予めメモリマクロに変更可
能な構成で作成した汎用メモリのマスクパターンデータ
ベース(14)を用い、汎用メモリとして使用するの
か、メモリマクロとして使用するのかを判断(11)す
る。
In FIG. 3, a mask pattern database (14) of a general-purpose memory, which is created in advance so that it can be changed to a memory macro, is used to determine (11) whether to use as a general-purpose memory or a memory macro.

【0034】ここでメモリマクロとして使用することが
判断されると、回路接続情報(15)、自動配置配線デ
ータベース(16)を読み込む処理に入る。
If it is determined that the memory macro will be used, a process for reading the circuit connection information (15) and the automatic placement and routing database (16) is started.

【0035】汎用メモリとして使用すると判断した場合
について説明しておくと、マスクパターンデータベース
をそのまま使用12することとし、処理を終了13す
る。
The case where it is determined that the mask pattern database is used as a general-purpose memory will be described. The mask pattern database is used 12 as it is, and the process is ended 13.

【0036】メモリマクロとして使用することとし説明
を続ける。
The description will be continued assuming that the memory macro is used.

【0037】回路接続情報(15)、自動配置配線デー
タベース(16)の読み込み(37)後、その読み込ん
だ情報からメモリマクロの使用構成、使用IO数を検索
(38)する。 使用IO数は、回路接続情報(15)
のメモリマクロ部の接続記述に書かれている出力端子数
を検索することにより行われる。今回の例では使用IO
数は16端子である。
After reading (37) the circuit connection information (15) and the automatic placement and routing database (16), the used configuration of the memory macro and the number of used IOs are retrieved (38) from the read information. The number of IOs used is the circuit connection information (15)
This is done by searching for the number of output terminals written in the connection description of the memory macro part. IO used in this example
The number is 16 terminals.

【0038】次に、メモリマクロ〜LOGIC間の総格
子数を求める(39)。総格子数は、使用IO数にその
他のメモリマクロ使用端子数を足すこと求められる。今
回の例では、 16+34=50 …(式1) と算出される。次に、メモリマクロ〜LOGIC間に配
置されるバッファ数とその領域を求める。(40) バ
ッファ数は、回路接続情報(15)のメモリマクロ前段
に接続されているバッファ回路から検索する。 領域
は、自動配置配線データベースのセル構成から導き、最
後に全使用バッファ数から使用総領域を算出する。
Next, the total number of grids between the memory macro and LOGIC is calculated (39). The total number of grids is calculated by adding the number of used IOs and the number of other memory macro used terminals. In this example, it is calculated as 16 + 34 = 50 (Equation 1). Next, the number of buffers arranged between the memory macro and LOGIC and its area are obtained. (40) The number of buffers is searched from the buffer circuit connected to the previous stage of the memory macro in the circuit connection information (15). The area is derived from the cell configuration of the automatic placement and routing database, and finally the total used area is calculated from the total number of used buffers.

【0039】例えば、1バッファあたりの領域を10μ
m2、全使用バッファ数を100個とすると、 10μm2×100=1000μm2 …(式2) となる。次に図4に移り、メモリマクロ〜LOGIC間
領域を求める。(41) 求める式は、メモリマクロ〜LOGIC間の短辺=(メ
モリマクロ〜LOGIC間信号総本数 )×(自動配置配線データベース内に記述されている配線ピッチ) …(式3) メモリマクロ〜LOGIC間の長辺=メモリマクロ長辺長 …(式4) 故に、 メモリマクロ〜LOGIC間領域=メモリマクロ〜LOGIC間の短辺×メモリ マクロ〜LOGIC間の長辺 …(式5) となる。
For example, the area per buffer is 10 μm.
If m2 and the total number of used buffers are 100, then 10 μm2 × 100 = 1000 μm2 (Equation 2). Next, moving to FIG. 4, the area between the memory macro and the LOGIC is obtained. (41) The formula to be obtained is the short side between the memory macro and the LOGIC = (total number of signals between the memory macro and the LOGIC) × (wiring pitch described in the automatic placement and wiring database) (Equation 3) memory macro to the LOGIC Therefore, the long side between the memory macro and the LOGIC = the short side between the memory macro and the LOGIC × the long side between the memory macro and the LOGIC (equation 5).

【0040】今回、自動配置配線データベース内に記述
されている配線格子ピッチを0.56μm、メモリマク
ロ長辺長を10000μm、メモリマクロ短辺長を40
00μm、汎用メモリ時のPAD、ESD配置領域短辺
サイズを200μmとすると、 メモリマクロ〜LOGIC間の短辺=50本×0.56μm=28μm …(式 6) メモリマクロ〜LOGIC間の長辺=10000μm …(式7) メモリマクロ〜LOGIC間領域=28μm×10000μm=280000μ m2 …(式8) となる。
This time, the wiring grid pitch described in the automatic placement and routing database is 0.56 μm, the memory macro long side length is 10000 μm, and the memory macro short side length is 40.
If the short side size of the PAD / ESD arrangement area in the general-purpose memory is 200 μm, the short side between the memory macro and LOGIC = 50 lines × 0.56 μm = 28 μm (Equation 6) The long side between the memory macro and LOGIC = 10000 μm (Equation 7) Area between memory macro and LOGIC = 28 μm × 10000 μm = 280000 μm 2 (Equation 8)

【0041】求めたメモリマクロ〜LOGIC間領域
と、先に求めたバッファ配置総領域を比較(19)し、
メモリマクロ〜LOGIC間領域の方が大きければ次の
処理(42)に進み、バッファ配置総領域の方が大きけ
れば、メモリマクロ〜LOGIC間領域がメモリマクロ
〜LOGIC間領域より大きくなるように、メモリマク
ロ〜LOGIC間領域を、配線格子を2本ステップで追
加(20)し、処理(19)に戻る。この目的は、バッ
ファブロックを配置する為に必要な領域を確保すること
にある。
The obtained memory macro-LOGIC area is compared with the previously obtained buffer placement total area (19),
If the area between the memory macro and LOGIC is larger, the process proceeds to the next process (42). If the total area for buffer arrangement is larger, the area between the memory macro and LOGIC is made larger than the area between the memory macro and LOGIC. The wiring grid is added (20) to the area between the macro and the LOGIC in two steps, and the process returns to (19). The purpose is to secure the area necessary for arranging the buffer blocks.

【0042】次に、自動配置配線を行うため、求めたメ
モリマクロ〜LOGIC間領域を反映したメモリマクロ
自動配置配線データベースを作成(42)する。メモリ
マクロ自動配置配線データベースの内容は先に説明した
通りであり説明を省略する。
Next, in order to perform automatic placement and routing, a memory macro automatic placement and routing database reflecting the obtained memory macro-LOGIC area is created (42). The contents of the memory macro automatic placement and routing database are as described above, and the description is omitted.

【0043】まず、上記基本メモリマクロ自動配置配線
データの高さ方向(メモリマクロ短辺長)の1/2より
上に存在する基本メモリマクロ自動配置配線データを、
汎用メモリ時のPAD、ESD配置領域短辺サイズか
ら、先に求めたメモリマクロ〜LOGIC間領域短辺サ
イズを引いた値分移動する。 ここで、メモリマクロ短
辺長を4000μm、汎用メモリ時のPAD、ESD配
置領域短辺サイズは200μmであるから、 4000μm÷2=2000μm …(式9) 200μm−28μm=172μm …(式10) よって、基本メモリマクロ自動配置配線データの高さ方
向(メモリマクロ短辺長)の1/2より上に存在する基
本メモリマクロ自動配置配線データの中の2000μm
より大きな値を持ったデータを、高さ方向のみ172μ
m分減算する。
First, the basic memory macro automatic arrangement / wiring data existing above 1/2 of the height direction (memory macro short side length) of the basic memory macro automatic arrangement / wiring data is
The area is moved by a value obtained by subtracting the size of the short side of the memory macro-LOGIC area previously obtained from the size of the short side of the PAD / ESD arrangement area in the general-purpose memory. Here, since the short side length of the memory macro is 4000 μm and the short side size of the PAD / ESD arrangement area in the general-purpose memory is 200 μm, 4000 μm / 2 = 2000 μm (Equation 9) 200 μm-28 μm = 172 μm (Equation 10) , 2000 μm in the basic memory macro automatic placement and routing data existing above 1/2 of the height direction (memory macro short side length) of the basic memory macro automatic placement and routing data
172μ in the height direction only for data with larger values
Subtract m minutes.

【0044】さらに、マスクパターンデータベース14
中の図1(b)のブロック領域(1)、(2)間を紙面におい
て上下に通過する通過信号配線4も調整する。 調整
は、図1(b)のブロック配置領域縁端5で三つに分割
し切り離された配線セルデータの紙面において縦方向の
長さは、(式6)で求めたメモリマクロ〜LOGIC間
領域短辺サイズ長、今回の場合28μmとなる。
Further, the mask pattern database 14
The passing signal wiring 4 passing vertically between the block areas (1) and (2) in FIG. 1B in the figure is also adjusted. In the adjustment, the length in the vertical direction on the paper surface of the wiring cell data divided into three at the edge 5 of the block arrangement area in FIG. 1B is the area between the memory macro and the LOGIC obtained by (Equation 6). The short side size length is 28 μm in this case.

【0045】次に、領域が最適化されたか判断(22)
し、自動配置配線に進む。判断基準は、上述したのでこ
こでは説明を省略する。初めは最適化されていないた
め、最適化を行う自動配置配線処理に進む。処理手順は
フロー通りに、メモリマクロの配置(43)、メモリマ
クロ〜LOGIC間領域にバッファ配置(44)、メモ
リマクロ〜LOGIC間領域配置禁止定義(45)後、
その他のLOGICブロックの配置(46)、メモリマ
クロ〜LOGIC間優先配線(47)の順で行う。
Next, it is judged whether the area is optimized (22).
Then, proceed to automatic placement and routing. Since the judgment criteria have been described above, the description thereof will be omitted here. Since it is not optimized at the beginning, the process proceeds to automatic placement and routing processing for optimization. After the arrangement of memory macros (43), the buffer arrangement in the memory macro-LOGIC area (44), and the memory macro-LOGIC area allocation prohibition definition (45),
The arrangement of other LOGIC blocks (46) and the priority wiring (47) between the memory macro and LOGIC are performed in this order.

【0046】メモリマクロ〜LOGIC間優先配線完了
後、図9に示す、メモリマクロ右辺境界部11、メモリ
マクロ左辺境界部12で、この境界部を通る信号配線本
数をカウントし、左右辺で信号配線本数が多い側をメモ
リマクロ〜LOGIC間自動配置配線格子数と設定(2
4)する。 これが最適化領域となる。
After the priority wiring between the memory macro and the LOGIC is completed, the number of signal wirings passing through these boundary portions is counted at the memory macro right side boundary portion 11 and the memory macro left side boundary portion 12 shown in FIG. The side with the largest number is set as the number of automatic placement / wiring grids between the memory macro and LOGIC (2
4) Do. This is the optimization area.

【0047】例えば、メモリマクロ右辺境界部11を通
る信号配線本数が10本、メモリマクロ左辺境界部12
を通る信号配線本数が40本であれば、メモリマクロ〜
LOGIC間自動配置配線格子数は40となる。
For example, the number of signal wirings passing through the boundary portion 11 on the right side of the memory macro is 10, and the boundary portion 12 on the left side of the memory macro.
If the number of signal wires passing through is 40, the memory macro
The number of automatic placement and routing grids between LOGICs is 40.

【0048】最適化領域決定後、メモリマクロ〜LOG
IC間領域がバッファ総領域より大きいか比較(19)
を行い、問題あればメモリマクロ〜LOGIC間領域が
メモリマクロ〜LOGIC間領域より大きくなるように
メモリマクロ〜LOGIC間領域を、配線格子を2本ス
テップで追加(20)し処理(19)に戻る。問題なけ
ればメモリマクロ自動配置配線データベースの作成(4
2)を再度行う。 今回の例では、(式8)からメモリ
マクロ〜LOGIC間領域は280000μm2 、
(式2)からバッファ総領域は1000μm2で、配線
格子を追加する処理は行われない。
After the optimization area is determined, the memory macro to LOG
Compare IC area is larger than total buffer area (19)
If there is a problem, the area between the memory macro and the LOGIC is added (20) in two steps so that the area between the memory macro and the LOGIC is larger than the area between the memory macro and the LOGIC, and the process returns to step (19). . If there is no problem, create a memory macro automatic placement and routing database (4
Repeat step 2). In this example, from (Equation 8), the area between the memory macro and the LOGIC is 280000 μm 2,
From (Equation 2), the total buffer area is 1000 μm 2, and the process of adding the wiring grid is not performed.

【0049】次に、メモリマクロ〜LOGIC間領域が
最適化されているか判断(22)、最適化されているの
で、最終配置配線に進む。
Next, it is judged whether the area between the memory macro and the LOGIC is optimized (22). Since it is optimized, the process proceeds to the final placement and wiring.

【0050】最初に行った配置配線同様、メモリマクロ
〜LOGIC間領域が最適化されたメモリマクロの配置
(48)、メモリマクロ〜LOGIC間領域にバッファ
を配置(49)、メモリマクロ〜LOGIC間領域配置
禁止定義(50)後、その他のLOGICブロックの配
置(51)を行い、メモリマクロ〜LOGIC間優先配
線(52)、優先配線を固定(53)後、その他の配線
を行い(54)、配置配線結果出力(55)、マスクパ
ターンデータベースをマージ処理(26)し、処理を終
了(27)する。
Similar to the layout and wiring performed first, the memory macro-LOGIC area is optimized to have a memory macro layout (48), the memory macro-LOGIC area is provided with a buffer (49), and the memory macro-LOGIC area is allocated. After the placement prohibition definition (50), the other LOGIC blocks are placed (51), the priority wiring between the memory macro and the LOGIC (52), the priority wiring is fixed (53), and the other wiring is performed (54), and the placement is performed. The wiring result output (55) and the mask pattern database are merged (26), and the process ends (27).

【0051】本発明では、汎用メモリのレイアウト作成
時に、予めASICメモリマクロとして不要な部品を取
り除くことが可能な階層を持ったレイアウトとして作成
し、ASICメモリマクロとして使用する場合は、処理
フローに従い不要部分を取り除く事が出来る処理方法を
説明したが、逆にASICメモリマクロのレイアウト作
成時に、予め汎用メモリとして必要な部品を取り込むこ
とが可能なレイアウト構成として作成し、汎用メモリと
して使用する場合の処理方法について説明する。
According to the present invention, when the layout of the general-purpose memory is created, it is created beforehand as a layout having a hierarchy in which unnecessary parts can be removed as the ASIC memory macro, and when it is used as the ASIC memory macro, it is unnecessary according to the processing flow. Although the processing method that can remove the part was explained, conversely, when creating the layout of the ASIC memory macro, it is created as a layout configuration that can take in the necessary parts as the general-purpose memory in advance, and the processing when using it as the general-purpose memory The method will be described.

【0052】図10は、上記内容の処理方法を示すもの
である。 ここで、予め汎用メモリとして必要な部品を
取り込むことが可能なレイアウト構成については、本発
明のレイアウト構成を逆に考えれば良いことなので説明
は省略する。
FIG. 10 shows a processing method of the above contents. Here, the layout configuration capable of preliminarily incorporating the necessary components as the general-purpose memory can be considered in the reverse manner of the layout configuration of the present invention, and thus the description thereof will be omitted.

【0053】図10において、あらかじめ上記特徴を持
ったレイアウト構成で作成された上記マスクパターンデ
ータベース(14)を、汎用メモリで使用するのかメモ
リマクロとして使用するのか判断(11)し、メモリマ
クロとして使用する場合は、そのままレイアウトデータ
を使用(12)し、回路接続情報(15)、自動配置配
線データベース(16)を用いて、自動配置配線(2
5)を行い、マージ処理(26)を経て終了(27)す
る。
In FIG. 10, it is judged (11) whether the mask pattern database (14) created in advance with a layout configuration having the above characteristics is used as a general-purpose memory or a memory macro, and is used as a memory macro. In this case, the layout data is used as it is (12), and the automatic placement and routing (2) is performed using the circuit connection information (15) and the automatic placement and routing database (16).
5) is performed, the merge process (26) is performed, and then the process ends (27).

【0054】汎用メモリとして使用する場合は、データ
ベース(81)中に予め記述されているPAD、ESD
素子、入出力信号配線、通過信号配線セル配置領域サイ
ズを読み込み(82)、読み込んだサイズ分領域を広
げ、PAD、ESD素子、入出力信号配線、通過信号配
線セルを配置し(83)、処理が終了(13)する。
When used as a general-purpose memory, PAD, ESD previously described in the database (81)
The element, the input / output signal wiring, and the passage signal wiring cell arrangement area size are read (82), the area is expanded by the read size, and the PAD, the ESD element, the input / output signal wiring, and the passage signal wiring cell are arranged (83) and processed. Ends (13).

【0055】[0055]

【発明の効果】第1の効果は、汎用メモリのレイアウト
をASICに搭載可能なメモリマクロとして使用する場
合、不要な部品を予め取り除くことが出来るレイアウト
構成になっているおり、またメモリマクロとして使用す
る場合、処理フローに従って自動で作成される為、レイ
アウト変更による開発TATは発生しない。
The first effect is that when a general-purpose memory layout is used as a memory macro that can be mounted on an ASIC, it has a layout configuration in which unnecessary parts can be removed in advance, and it is also used as a memory macro. In such a case, the development TAT due to the layout change does not occur because it is automatically created according to the processing flow.

【0056】第2の効果は、汎用メモリ時と変わらない
位置でASIC側の信号配線と接続されるため、メモリ
側で再度回路シミュレーションは必要無く、汎用メモリ
と同一スペックに出来る。
The second effect is that the circuit is connected to the signal wiring on the ASIC side at the same position as in the general-purpose memory, so that the circuit simulation is not necessary on the memory side again, and the same specifications as the general-purpose memory can be obtained.

【0057】第3の効果は、自動配置配線領域をメモリ
構成、使用バッファ数によって可変に出来るため、メモ
リマクロ〜LOGIC間配置配線領域に無駄が生じるこ
とはなく、使用IO構成によってはLOGIC配置領域
を従来のマクロより増加させることが出来る。
The third effect is that since the automatic placement and routing area can be made variable depending on the memory configuration and the number of used buffers, no waste occurs in the placement and routing area between the memory macro and LOGIC, and depending on the IO configuration used, the LOGIC placement area can be used. Can be increased over conventional macros.

【0058】第4の効果は、使用IO構成毎にマスクパ
ターンを作成、登録する必要がないため、データ管理が
容易に出来る。
The fourth effect is that since it is not necessary to create and register a mask pattern for each IO configuration used, data management can be facilitated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の基本的な実施形態による汎用メモリレ
イアウト構成拡大図
FIG. 1 is an enlarged view of a general-purpose memory layout configuration according to a basic embodiment of the present invention.

【図2】本発明の基本的な実施形態による汎用メモリマ
クロ化処理方法のフローを示す図
FIG. 2 is a diagram showing a flow of a general-purpose memory macro processing method according to a basic embodiment of the present invention.

【図3】本発明の1実施形態による汎用メモリマクロ化
処理方法のフローを示す図
FIG. 3 is a diagram showing a flow of a general-purpose memory macro processing method according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の1実施形態による汎用メモリマクロ化
処理方法のフローを示す図
FIG. 4 is a diagram showing a flow of a general-purpose memory macro processing method according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の1実施形態による汎用メモリマクロ化
処理方法のフローを示す図
FIG. 5 is a diagram showing a flow of a general-purpose memory macro processing method according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の1実施形態による汎用メモリマクロ化
処理方法のフローを示す図
FIG. 6 is a diagram showing a flow of a general-purpose memory macro processing method according to an embodiment of the present invention.

【図7】従来例による汎用メモリマクロ化処理方法のフ
ローを示す図
FIG. 7 is a diagram showing a flow of a general-purpose memory macro conversion processing method according to a conventional example.

【図8】従来例によるマクロ接続を示す図FIG. 8 is a diagram showing a macro connection according to a conventional example.

【図9】メモリマクロを示す図FIG. 9 is a diagram showing a memory macro.

【図10】本発明の他の実施例による処理方法のフロー
を示す図
FIG. 10 is a diagram showing a flow of a processing method according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 PAD 2 ESD素子 3 入出力信号配線 4 通過信号配線 5 ブロック配置領域縁端 6 メモリセル 9 入出力端子 1 PAD 2 ESD element 3 I / O signal wiring 4 Passing signal wiring 5 Block placement area edge 6 memory cells 9 I / O terminals

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/82 G06F 17/50 H01L 27/10 H01L 27/04 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/82 G06F 17/50 H01L 27/10 H01L 27/04

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 汎用メモリのレイアウトデータであって
メモリマクロとして不要な所定素子及び所定配線部分の
レイアウトデータをも含むレイアウトデータを格納する
データベース手段と、前記データベースデータを汎用メ
モリとして使用するかメモリマクロとして使用するかを
選別する選別手段と、メモリマクロとして使用する際に
メモリマクロとロジック間の領域を設定する設定手段と
を有することを特徴とする汎用メモリマクロ化処理装
置。
1. A database means for storing layout data which is layout data of a general-purpose memory and also includes layout data of a predetermined element and a predetermined wiring portion which are unnecessary as a memory macro, and whether or not the database data is used as a general-purpose memory. A general-purpose memory macro conversion processing device having a selection means for selecting whether to use as a macro and a setting means for setting an area between the memory macro and the logic when used as a memory macro.
【請求項2】 前記設定手段は、前記メモリマクロの端
子数及びバッフア数から前記メモリマクロと前記ロジッ
ク間の自動配線格子数を求める手段と、前記格子数分の
領域を空けメモリマクロを配置及び配線し、配線で使用
した格子数を前記メモリマクロ左右境界部で求める手段
と、前記求められた格子数のうち多い本数をメモリマク
ロとロジック間自動配線格子数と設定し配置及び配線す
る手段とを含む請求項1記載の汎用メモリマクロ化処理
装置。
2. The setting means obtains the number of automatic wiring grids between the memory macro and the logic from the number of terminals and the number of buffers of the memory macro, and arranges the memory macro to leave an area for the number of grids. Means for arranging and determining the number of grids used in wiring at the left and right boundary portions of the memory macro; and means for setting and arranging a large number of the calculated number of grids as the memory macro and logic automatic wiring grid number 2. The general-purpose memory macro conversion processing device according to claim 1, comprising:
【請求項3】 前記選別手段で汎用メモリとして使用す
ると選別された際に前記データベースのデータをそのま
ま汎用メモリのマスクパターンとして使用する手段を有
する請求項1記載の汎用メモリマクロ化処理装置。
3. The general-purpose memory macro conversion processing device according to claim 1, further comprising means for directly using the data of the database as a mask pattern of the general-purpose memory when the data is selected by the selecting means as a general-purpose memory.
【請求項4】 汎用メモリのレイアウトデータであって
メモリマクロとして不要な所定素子及び所定配線部分の
レイアウトデータをも含むレイアウトデータを格納する
データベース手段と、前記データベースデータを汎用メ
モリとして使用するかメモリマクロとして使用するかを
選別しメモリマクロとして使用する際には前記不要なレ
イアウトデータを削除した後にロジック部との配線を行
う配線手段を有することを特徴とする汎用メモリマクロ
化処理装置。
4. A database means for storing layout data which is layout data of a general-purpose memory and also includes layout data of a predetermined element and a predetermined wiring portion unnecessary as a memory macro, and whether the database data is used as a general-purpose memory or a memory. A general-purpose memory macro conversion processing device having wiring means for selecting whether to use as a macro and, when using as a memory macro, deleting the unnecessary layout data and then wiring to a logic section.
【請求項5】 汎用メモリのレイアウトデータであって
メモリマクロとして不要な所定素子及び所定配線部分の
レイアウトデータをも含むレイアウトデータを格納する
工程と、前記データベースデータを汎用メモリとして使
用するかメモリマクロとして使用するかを選別する選別
工程と、メモリマクロとして使用する際にメモリマクロ
とロジック間の領域を設定する設定工程とを有すること
を特徴とする汎用メモリマクロ化処理方法。
5. A step of storing layout data which is layout data of a general-purpose memory and also includes layout data of a predetermined element and a predetermined wiring part which are unnecessary as a memory macro, and whether the database data is used as a general-purpose memory or a memory macro. A general-purpose memory macro conversion processing method comprising: a selection step of selecting whether to use as a memory macro and a setting step of setting an area between the memory macro and the logic when used as a memory macro.
【請求項6】 前記設定工程は、前記メモリマクロの端
子数及びバッフア数から前記メモリマクロと前記ロジッ
ク間の自動配線格子数を求める工程と、前記格子数分の
領域を空けメモリマクロを配置及び配線し、配線で使用
した格子数を前記メモリマクロ左右境界部で求める工程
と、前記求められた格子数のうち多い本数をメモリマク
ロとロジック間自動配線格子数と設定し配置及び配線す
る工程とを含む請求項5記載の汎用メモリマクロ化処理
方法。
6. The setting step includes the step of obtaining an automatic wiring grid number between the memory macro and the logic from the number of terminals and the number of buffers of the memory macro; Wiring and determining the number of grids used in the wiring at the left and right boundary portions of the memory macro, and a step of setting and allocating a large number of the obtained number of grids as the number of memory macro and logic automatic wiring grids The general-purpose memory macro processing method according to claim 5, further comprising:
【請求項7】 前記選別工程で汎用メモリとして使用す
ると選別された際に前記データベースのデータをそのま
ま汎用メモリのマスクパターンとして使用する工程を有
する請求項5記載の汎用メモリマクロ化処理方法。
7. The general-purpose memory macro conversion processing method according to claim 5, further comprising the step of using the data of the database as it is as a mask pattern of the general-purpose memory when it is selected to be used as a general-purpose memory in the selecting step.
【請求項8】 汎用メモリのレイアウトデータであって
メモリマクロとして不要な所定素子及び所定配線部分の
レイアウトデータをも含むレイアウトデータを格納す工
程と、前記データベースデータを汎用メモリとして使用
するかメモリマクロとして使用するかを選別しメモリマ
クロとして使用する際には前記不要なレイアウトデータ
を削除した後にロジック部との配線を行う配線工程を有
することを特徴とする汎用メモリマクロ化処理方法。
8. A step of storing layout data which is layout data of a general-purpose memory and also includes layout data of a predetermined element and a predetermined wiring portion which are unnecessary as a memory macro, and whether the database data is used as a general-purpose memory or a memory macro. A general-purpose memory macro conversion processing method, which comprises a wiring step of performing wiring with a logic part after deleting the unnecessary layout data when selecting whether to use as a memory macro and using as a memory macro.
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