JP3388531B2 - ポリスルフィドシランの脱硫方法 - Google Patents
ポリスルフィドシランの脱硫方法Info
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- polysulfide silane
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
- C07F7/1872—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20
- C07F7/1892—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20 by reactions not provided for in C07F7/1876 - C07F7/1888
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
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- C07F7/20—Purification, separation
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリカ配合ゴムに
使用されるシランカップリング剤等として有用な高ポリ
スルフィドシラン含有量の少ないポリスルフィド混合物
を得ることができ、特にトリスルフィドシラン、ジスル
フィドシランの含有率を向上させることができる脱硫方
法に関する。
使用されるシランカップリング剤等として有用な高ポリ
スルフィドシラン含有量の少ないポリスルフィド混合物
を得ることができ、特にトリスルフィドシラン、ジスル
フィドシランの含有率を向上させることができる脱硫方
法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
自動車の低燃費化の要求からタイヤ用コンパウンドの低
発熱化が求められている。この観点から、シリカ配合コ
ンパウンドが注目され、特公昭51−20208号公報
等にシリカ−シランカップリング剤を補強材とした技術
が開示されている。
自動車の低燃費化の要求からタイヤ用コンパウンドの低
発熱化が求められている。この観点から、シリカ配合コ
ンパウンドが注目され、特公昭51−20208号公報
等にシリカ−シランカップリング剤を補強材とした技術
が開示されている。
【0003】このシランカップリング剤としては、
(C2H5O)3Si(CH2)3Sa(CH2)3Si(OC
2H5)3 の構造のデグサ社製のSi69が広く使用されている。
ここで、aは1〜9の整数を示すが、このシランカップ
リング剤はaが1〜9の範囲のものの混合物であり、硫
黄原子の平均数が通常4程度のもので、aが5以上の高
ポリスルフィドシランを比較的多く含むものである。
2H5)3 の構造のデグサ社製のSi69が広く使用されている。
ここで、aは1〜9の整数を示すが、このシランカップ
リング剤はaが1〜9の範囲のものの混合物であり、硫
黄原子の平均数が通常4程度のもので、aが5以上の高
ポリスルフィドシランを比較的多く含むものである。
【0004】しかし、この種のシランカップリング剤
は、ゴムの練り温度が低いと十分な補強効果が得られ
ず、またエタノールの気化によるブリスターの問題があ
った。一方、練り温度が150℃以上の高温練りを行う
と補強性は向上するが、欠点としてシランカップリング
剤に由来するポリマーのゲル化が起こり、ムーニー粘度
が上昇し、後工程での加工が困難になる問題があった。
は、ゴムの練り温度が低いと十分な補強効果が得られ
ず、またエタノールの気化によるブリスターの問題があ
った。一方、練り温度が150℃以上の高温練りを行う
と補強性は向上するが、欠点としてシランカップリング
剤に由来するポリマーのゲル化が起こり、ムーニー粘度
が上昇し、後工程での加工が困難になる問題があった。
【0005】即ち、本発明者らは、高温練りに適合する
シランカップリング剤につき検討を行った結果、ポリマ
ーのゲル化を生起させないためには、ポリスルフィドシ
ラン中のヘプタスルフィドシランやヘキサスルフィドシ
ラン等の高ポリスルフィドシランの含有量を下げること
が必要であることを知見した。
シランカップリング剤につき検討を行った結果、ポリマ
ーのゲル化を生起させないためには、ポリスルフィドシ
ラン中のヘプタスルフィドシランやヘキサスルフィドシ
ラン等の高ポリスルフィドシランの含有量を下げること
が必要であることを知見した。
【0006】しかし、単純に下記の反応(A)により、
ポリスルフィドシランの組成を変更すると、全体の分布
がシフトしてカップリング効果を有しないジスルフィド
シランの含量が多くなるので、高ポリスルフィドシラン
を選択的に除去する手法が求められていた。
ポリスルフィドシランの組成を変更すると、全体の分布
がシフトしてカップリング効果を有しないジスルフィド
シランの含量が多くなるので、高ポリスルフィドシラン
を選択的に除去する手法が求められていた。
【0007】
【化1】
(式中、Etはエチル基を示し、b<3である。)
【0008】本発明は上記要望に応えたもので、ヘプタ
スルフィドシラン、ヘキサスルフィドシラン等の高ポリ
スルフィドシランを確実に選択的に除去することがで
き、シリカ配合ゴムに使用されて150℃以上の高温練
りにおいてもポリマーの架橋反応が抑制され、ポリマー
のゲル化が生起し難く、しかも良好なカップリング効果
を発揮する、高スルフィドシラン含有量の少ないスルフ
ィドシラン混合物を得ることができる脱硫方法を提供す
ることを目的とする。
スルフィドシラン、ヘキサスルフィドシラン等の高ポリ
スルフィドシランを確実に選択的に除去することがで
き、シリカ配合ゴムに使用されて150℃以上の高温練
りにおいてもポリマーの架橋反応が抑制され、ポリマー
のゲル化が生起し難く、しかも良好なカップリング効果
を発揮する、高スルフィドシラン含有量の少ないスルフ
ィドシラン混合物を得ることができる脱硫方法を提供す
ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を進めた
結果、硫黄原子を1〜9個の範囲で含み、硫黄原子の平
均数が2個を超える下記一般式(1)で示されるポリス
ルフィドシラン混合物に3価のリン化合物、具体的には
ホスフィンやホスファイトなどを添加することにより、
これが選択的に高ポリスルフィドシランと反応し、この
ポリスルフィドシランから硫黄が一部脱硫されて、ヘプ
タスルフィドシラン、ヘキサスルフィドシラン等の高ポ
リスルフィドシランの含有量が低下した下記一般式
(2)で示されるポリスルフィドシラン混合物が得られ
ること、そして得られたポリスルフィドシラン混合物は
シリカ配合ゴムに使用されるシランカップリング剤とし
て好適に使用され、特に150℃以上の高温練りにおい
てもポリマーの架橋反応が抑制されるものであることを
知見し、本発明をなすに至ったものである。
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を進めた
結果、硫黄原子を1〜9個の範囲で含み、硫黄原子の平
均数が2個を超える下記一般式(1)で示されるポリス
ルフィドシラン混合物に3価のリン化合物、具体的には
ホスフィンやホスファイトなどを添加することにより、
これが選択的に高ポリスルフィドシランと反応し、この
ポリスルフィドシランから硫黄が一部脱硫されて、ヘプ
タスルフィドシラン、ヘキサスルフィドシラン等の高ポ
リスルフィドシランの含有量が低下した下記一般式
(2)で示されるポリスルフィドシラン混合物が得られ
ること、そして得られたポリスルフィドシラン混合物は
シリカ配合ゴムに使用されるシランカップリング剤とし
て好適に使用され、特に150℃以上の高温練りにおい
てもポリマーの架橋反応が抑制されるものであることを
知見し、本発明をなすに至ったものである。
【0010】即ち、本発明は、下記一般式(1)
(CnH2n+1O)3Si(CH2)mSp(CH2)mSi(OCnH2n+1)3 (1)
(式中、nは1〜3の整数、mは1〜9の整数を示し、
pは硫黄原子の平均数を示し、p>2の正数である。)
で示されるポリスルフィドシラン混合物に3価のリン化
合物を反応させて、このポリスルフィドシラン中の高ポ
リスルフィド含量を低下させ、下記一般式(2) (CnH2n+1O)3Si(CH2)mSq(CH2)mSi(OCnH2n+1)3 (2) (式中、n,mは上記と同様であり、qは硫黄原子の平
均数を示し、2<q≦4であるが、q<pの正数であ
る。)で示され、シランカップリング剤として使用され
る高ポリスルフィドシラン含有量の少ないポリスルフィ
ドシラン混合物を得ることを特徴とするポリスルフィド
シランの脱硫方法を提供する。
pは硫黄原子の平均数を示し、p>2の正数である。)
で示されるポリスルフィドシラン混合物に3価のリン化
合物を反応させて、このポリスルフィドシラン中の高ポ
リスルフィド含量を低下させ、下記一般式(2) (CnH2n+1O)3Si(CH2)mSq(CH2)mSi(OCnH2n+1)3 (2) (式中、n,mは上記と同様であり、qは硫黄原子の平
均数を示し、2<q≦4であるが、q<pの正数であ
る。)で示され、シランカップリング剤として使用され
る高ポリスルフィドシラン含有量の少ないポリスルフィ
ドシラン混合物を得ることを特徴とするポリスルフィド
シランの脱硫方法を提供する。
【0011】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明において、脱硫の対象となるポリスルフィドシラ
ン混合物は、下記一般式(1) (CnH2n+1O)3Si(CH2)mSp(CH2)mSi(OCnH2n+1)3 (1) で示されるものである。
本発明において、脱硫の対象となるポリスルフィドシラ
ン混合物は、下記一般式(1) (CnH2n+1O)3Si(CH2)mSp(CH2)mSi(OCnH2n+1)3 (1) で示されるものである。
【0012】ここで、nは1〜3の整数、mは1〜9の
整数である。また、pは硫黄原子の平均数を示し、p>
2、好ましくは2<p<9、特に2<p<5の正数であ
る。
整数である。また、pは硫黄原子の平均数を示し、p>
2、好ましくは2<p<9、特に2<p<5の正数であ
る。
【0013】このポリスルフィドシラン混合物は、硫黄
原子が1〜9個、特に2〜8個の範囲でスルフィドシラ
ンが混合されているものである。なお、このポリスルフ
ィドシラン混合物としては、例えば前記した反応(A)
と同様な方法において、硫黄量を上記pの値とするよう
に適宜選定することによって得られたものを使用するこ
とができる。
原子が1〜9個、特に2〜8個の範囲でスルフィドシラ
ンが混合されているものである。なお、このポリスルフ
ィドシラン混合物としては、例えば前記した反応(A)
と同様な方法において、硫黄量を上記pの値とするよう
に適宜選定することによって得られたものを使用するこ
とができる。
【0014】上記ポリスルフィドシラン混合物との反応
に使用される3価のリン化合物としては、P(NR
1R2)3やP(R3)3のようなホスフィン化合物、P
(OR4)3や下記式(3)で示されるもののようなホス
ファイト化合物を挙げることができる。
に使用される3価のリン化合物としては、P(NR
1R2)3やP(R3)3のようなホスフィン化合物、P
(OR4)3や下記式(3)で示されるもののようなホス
ファイト化合物を挙げることができる。
【0015】
【化2】
【0016】なお、R1〜R5はそれぞれ独立に水素原子
又は置換もしくは非置換のアルキル基、アルケニル基、
アリール基、アラルキル基等の1価炭化水素基で、好ま
しくは炭素数1〜20のものである。また、置換1価炭
化水素基としては、例えばハロゲン置換体などが挙げら
れる。
又は置換もしくは非置換のアルキル基、アルケニル基、
アリール基、アラルキル基等の1価炭化水素基で、好ま
しくは炭素数1〜20のものである。また、置換1価炭
化水素基としては、例えばハロゲン置換体などが挙げら
れる。
【0017】これらの中で、ホスフィン化合物として
は、P(R3)3タイプのもので、R 中に水素原子を含ま
ないものが特に好適に使用される。
は、P(R3)3タイプのもので、R 中に水素原子を含ま
ないものが特に好適に使用される。
【0018】好適なホスフィン化合物としては下記に示
すものが例示される。
すものが例示される。
【0019】
【化3】
好適なホスファイト化合物としては下記に示すものが例
示される。
示される。
【0020】
【化4】
また、以下のようなジホスファイト化合物も好適に使用
される。
される。
【0021】
【化5】
【0022】ここで、上記ポリスルフィドシラン混合物
と3価のリン化合物との反応は、通常−10℃〜80
℃、好ましくは20〜60℃で実施する。
と3価のリン化合物との反応は、通常−10℃〜80
℃、好ましくは20〜60℃で実施する。
【0023】この反応は、通常発熱反応であるので、3
価のリン化合物をポリスルフィドシラン中に滴下するこ
とによって反応を行うことができる。反応温度が50〜
60℃であれば反応時間は8時間以内で十分である。溶
剤は使用しても使用しなくてもよいが、使用する場合は
エタノールなどのアルコール系溶剤、炭化水素系溶剤
(芳香族、脂肪族)、エステル系溶剤、エーテル系溶
剤、ケトン系溶剤、塩素系溶剤など一般的な溶剤が使用
可能である。脱硫により生成した含硫黄リン化合物は減
圧留去、濾過等でポリスルフィドシラン混合物中から取
り除くことができるが、得られたポリスルフィドシラン
混合物をシリカ配合ゴムのシランカップリング剤として
使用する場合、特に自動車等のタイヤに配合する場合、
タイヤ物性に影響を及ぼさないので、そのままポリスル
フィドシラン混合物中に残存させて使用するようにして
もよい。
価のリン化合物をポリスルフィドシラン中に滴下するこ
とによって反応を行うことができる。反応温度が50〜
60℃であれば反応時間は8時間以内で十分である。溶
剤は使用しても使用しなくてもよいが、使用する場合は
エタノールなどのアルコール系溶剤、炭化水素系溶剤
(芳香族、脂肪族)、エステル系溶剤、エーテル系溶
剤、ケトン系溶剤、塩素系溶剤など一般的な溶剤が使用
可能である。脱硫により生成した含硫黄リン化合物は減
圧留去、濾過等でポリスルフィドシラン混合物中から取
り除くことができるが、得られたポリスルフィドシラン
混合物をシリカ配合ゴムのシランカップリング剤として
使用する場合、特に自動車等のタイヤに配合する場合、
タイヤ物性に影響を及ぼさないので、そのままポリスル
フィドシラン混合物中に残存させて使用するようにして
もよい。
【0024】ポリスルフィドシラン混合物と3価のリン
化合物との反応モル比は、ポリスルフィドシラン混合物
の平均ポリスルフィド長さ(pの値)によって異なる。
ポリスルフィド部の平均が2〜4の場合、反応モル比は
ポリスルフィドシラン混合物1モルに対して3価のリン
化合物が2モル以下で十分であり、例えば平均テトラス
ルフィドシランの場合、その1モルに対して3価のリン
化合物を0.5〜2モル使用することが好適である。
化合物との反応モル比は、ポリスルフィドシラン混合物
の平均ポリスルフィド長さ(pの値)によって異なる。
ポリスルフィド部の平均が2〜4の場合、反応モル比は
ポリスルフィドシラン混合物1モルに対して3価のリン
化合物が2モル以下で十分であり、例えば平均テトラス
ルフィドシランの場合、その1モルに対して3価のリン
化合物を0.5〜2モル使用することが好適である。
【0025】即ち、(C2H5O)3SiC3H6SpC3H6
Si(OC2H5)3(但し、p=4)1モルに対し、ホ
スフィン又はホスファイトを0.5モル反応させる時、
得られたポリスルフィドシランのポリスルフィド部の平
均は約3.5になるが、この場合はこれを配合したタイ
ヤ用ゴムの高温練り性はまずまずであり、低燃費性は非
常に良好である。上記式のポリスルフィドシラン1モル
に対しホスフィン又はホスファイトを1〜1.5モル反
応させた場合には、シランのポリスルフィド部の平均は
2.5〜3になるが、この場合は高温練り性と低燃費性
のバランスがとれている。また、ホスフィン又はホスフ
ァイトを2モル反応させる時は、得られたシランを配合
したタイヤ用ゴムの高温練りは非常に良好であり、低燃
費性はまずまずである。
Si(OC2H5)3(但し、p=4)1モルに対し、ホ
スフィン又はホスファイトを0.5モル反応させる時、
得られたポリスルフィドシランのポリスルフィド部の平
均は約3.5になるが、この場合はこれを配合したタイ
ヤ用ゴムの高温練り性はまずまずであり、低燃費性は非
常に良好である。上記式のポリスルフィドシラン1モル
に対しホスフィン又はホスファイトを1〜1.5モル反
応させた場合には、シランのポリスルフィド部の平均は
2.5〜3になるが、この場合は高温練り性と低燃費性
のバランスがとれている。また、ホスフィン又はホスフ
ァイトを2モル反応させる時は、得られたシランを配合
したタイヤ用ゴムの高温練りは非常に良好であり、低燃
費性はまずまずである。
【0026】また、平均2.5〜3のポリスルフィド部
を持つポリスルフィドシラン混合物1モルに対し0.5
モル以下の3価のリン化合物を反応させ、ペンタスルフ
ィドシラン以上の高ポリスルフィドシランを除去するこ
ともできる。
を持つポリスルフィドシラン混合物1モルに対し0.5
モル以下の3価のリン化合物を反応させ、ペンタスルフ
ィドシラン以上の高ポリスルフィドシランを除去するこ
ともできる。
【0027】この場合、ホスフィン化合物及びホスファ
イト化合物による脱硫反応は以下のルートで進行する。
イト化合物による脱硫反応は以下のルートで進行する。
【0028】
【化6】
また以下の反応も同時に進行するが、メインの反応では
ない。
ない。
【0029】
【化7】
【0030】ここで、n,m,pは上記と同様の意味を
示し、qは硫黄原子の平均数を示し、q<pの正数であ
り、2<q≦4であることが特に好ましい。
示し、qは硫黄原子の平均数を示し、q<pの正数であ
り、2<q≦4であることが特に好ましい。
【0031】本発明によれば、上記式(2)で示される
ポリスルフィドシラン混合物が得られれる。この場合、
この式(2)のポリスルフィドシラン混合物は、高ポリ
スルフィドシランがトリスルフィドシラン、テトラスル
フィドシランに転換され、シランカップリング剤として
有用なトリスルフィドシラン及びテトラスルフィドシラ
ン含有量の多いものとなる。
ポリスルフィドシラン混合物が得られれる。この場合、
この式(2)のポリスルフィドシラン混合物は、高ポリ
スルフィドシランがトリスルフィドシラン、テトラスル
フィドシランに転換され、シランカップリング剤として
有用なトリスルフィドシラン及びテトラスルフィドシラ
ン含有量の多いものとなる。
【0032】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
【0033】〔実施例1〕表1のポリスルフィド分布を
有する平均トリスルフィドシラン(A)506g(1モ
ル)を1リットルフラスコにはかりとり、トリエチルホ
スファイト49.9g(0.3モル)を滴下ロートより
2時間かけてフラスコを撹拌しながら滴下した。この時
内温は25℃から45℃まで上昇した。そのまま3時間
後撹拌し、ガスクロマトグラフィーを確認したところ、
トリエチルホスファイトに由来するピークは消失してお
り、反応が進行したことが確認された。ここに得られた
組成物(I)中のポリスルフィド分布を液体クロマトグ
ラフィーで測定したところ、表1に示す通りであり、高
ポリスルフィド部分が選択的に反応したことが確認され
た。
有する平均トリスルフィドシラン(A)506g(1モ
ル)を1リットルフラスコにはかりとり、トリエチルホ
スファイト49.9g(0.3モル)を滴下ロートより
2時間かけてフラスコを撹拌しながら滴下した。この時
内温は25℃から45℃まで上昇した。そのまま3時間
後撹拌し、ガスクロマトグラフィーを確認したところ、
トリエチルホスファイトに由来するピークは消失してお
り、反応が進行したことが確認された。ここに得られた
組成物(I)中のポリスルフィド分布を液体クロマトグ
ラフィーで測定したところ、表1に示す通りであり、高
ポリスルフィド部分が選択的に反応したことが確認され
た。
【0034】〔実施例2〕実施例1のトリエチルホスフ
ァイトの代わりに下記に示す化合物67.8g(0.1
5モル)を使用して、実施例1と同様に反応を行い、組
成物(II)を得た。
ァイトの代わりに下記に示す化合物67.8g(0.1
5モル)を使用して、実施例1と同様に反応を行い、組
成物(II)を得た。
【0035】
【化8】
【0036】〔実施例3〕実施例1のトリエチルホスフ
ァイトの代わりにトリフェニルホスフィン78.7g
(0.3モル)を使用して、実施例1と同様に反応を行
い、組成物(III)を得た。
ァイトの代わりにトリフェニルホスフィン78.7g
(0.3モル)を使用して、実施例1と同様に反応を行
い、組成物(III)を得た。
【0037】〔実施例4〕実施例1の平均トリスルフィ
ドシラン(A)の代わりに平均2.5のスルフィドシラ
ン含量となるように硫黄を反応させたポリスルフィドシ
ラン(B)を490g(1モル)使用した以外は実施例
1と同様に反応を行い、組成物(IV)を得、液体クロ
マトグラフィーを測定した。
ドシラン(A)の代わりに平均2.5のスルフィドシラ
ン含量となるように硫黄を反応させたポリスルフィドシ
ラン(B)を490g(1モル)使用した以外は実施例
1と同様に反応を行い、組成物(IV)を得、液体クロ
マトグラフィーを測定した。
【0038】なお、液体クロマトグラフィーはWate
rs600システムで分析を行った。溶媒にアセトニト
リル/水=9/1(重量比)を使用し、254nmUV
で分析した。以上の結果を表1に示す。
rs600システムで分析を行った。溶媒にアセトニト
リル/水=9/1(重量比)を使用し、254nmUV
で分析した。以上の結果を表1に示す。
【0039】
【表1】
【0040】〔実施例5〕表2のポリスルフィド分布を
有する平均テトラスルフィドシラン(C)538g(1
モル)を1リットルフラスコにはかりとり、トリエチル
ホスファイト83.1g(0.5モル)を滴下ロートよ
り2時間かけてフラスコを撹拌しながら滴下した。この
時内温は25℃から50℃まで上昇した。そのまま3時
間後撹拌し、ガスクロマトグラフィーを確認したとこ
ろ、トリエチルホスファイトに由来するピークは消失し
ており、反応が進行したことが確認された。ここに得ら
れた組成物(V)中のポリスルフィド分布を液体クロマ
トグラフィーで測定したところ、表2に示す通りであ
り、高ポリスルフィド部分が選択的に反応したことが確
認された。
有する平均テトラスルフィドシラン(C)538g(1
モル)を1リットルフラスコにはかりとり、トリエチル
ホスファイト83.1g(0.5モル)を滴下ロートよ
り2時間かけてフラスコを撹拌しながら滴下した。この
時内温は25℃から50℃まで上昇した。そのまま3時
間後撹拌し、ガスクロマトグラフィーを確認したとこ
ろ、トリエチルホスファイトに由来するピークは消失し
ており、反応が進行したことが確認された。ここに得ら
れた組成物(V)中のポリスルフィド分布を液体クロマ
トグラフィーで測定したところ、表2に示す通りであ
り、高ポリスルフィド部分が選択的に反応したことが確
認された。
【0041】〔実施例6〕実施例5のトリエチルホスフ
ァイト166.2g(1モル)を使用し、2時間かけて
滴下した。この時内温は50℃以下に保つためにフラス
コを水冷した。40〜50℃で3時間加熱後撹拌し、同
様にして組成物(VI)を得た。同様にポリスルフィド
分布を液体クロマトグラフィーで測定した。
ァイト166.2g(1モル)を使用し、2時間かけて
滴下した。この時内温は50℃以下に保つためにフラス
コを水冷した。40〜50℃で3時間加熱後撹拌し、同
様にして組成物(VI)を得た。同様にポリスルフィド
分布を液体クロマトグラフィーで測定した。
【0042】〔実施例7〕実施例6のトリエチルホスフ
ァイトの代わりに下記に示す化合物226g(0.5モ
ル)を使用して、実施例6と同様に反応を行った。組成
物(VII)が得られ、同様にポリスルフィド分布を液
体クロマトグラフィーで測定した。
ァイトの代わりに下記に示す化合物226g(0.5モ
ル)を使用して、実施例6と同様に反応を行った。組成
物(VII)が得られ、同様にポリスルフィド分布を液
体クロマトグラフィーで測定した。
【0043】
【化9】
【0044】〔実施例8〕実施例6のトリエチルホスフ
ァイトの代わりにトリフェニルホスフィン262.3g
(1モル)を使用して、実施例6と同様に反応を行っ
た。組成物(VIII)が得られ、同様にポリスルフィ
ド分布を液体クロマトグラフィーで測定した。
ァイトの代わりにトリフェニルホスフィン262.3g
(1モル)を使用して、実施例6と同様に反応を行っ
た。組成物(VIII)が得られ、同様にポリスルフィ
ド分布を液体クロマトグラフィーで測定した。
【0045】
【表2】
【0046】
【発明の効果】本発明によれば、高ポリスルフィドシラ
ン含有量が少ないポリスルフィドシラン混合物を確実に
得ることができる。
ン含有量が少ないポリスルフィドシラン混合物を確実に
得ることができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平9−169774(JP,A)
特開 昭57−145135(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
C07F 7/18
Claims (4)
- 【請求項1】 下記一般式(1) (CnH2n+1O)3Si(CH2)mSp(CH2)mSi(OCnH2n+1)3 (1) (式中、nは1〜3の整数、mは1〜9の整数を示し、
pは硫黄原子の平均数を示し、p>2の正数である。)
で示されるポリスルフィドシラン混合物に3価のリン化
合物を反応させて、このポリスルフィドシラン中の高ポ
リスルフィド含量を低下させ、下記一般式(2) (CnH2n+1O)3Si(CH2)mSq(CH2)mSi(OCnH2n+1)3 (2) (式中、n,mは上記と同様であり、qは硫黄原子の平
均数を示し、2<q≦4であるが、q<pの正数であ
る。)で示される高ポリスルフィドシラン含有量の少な
いポリスルフィドシラン混合物を得ることを特徴とする
ポリスルフィドシランの脱硫方法。 - 【請求項2】 3価のリン化合物が、下記式 【化10】 (式中、R1〜R5はそれぞれ独立に水素原子又は置換も
しくは非置換の1価炭化水素基を示す。)で示される化
合物から選ばれるものである請求項1記載の脱硫方法。 - 【請求項3】 3価のリン化合物が、下記式 (式中、R1〜R5はそれぞれ独立に水素原子又は置換も
しくは非置換の1価炭化水素基で示す。)で示される化
合物である請求項1記載の脱硫方法。 - 【請求項4】 式(1)のポリスルフィドシラン混合物
におけるp=3のシランの含有率より、式(2)のポリ
スルフィドシラン混合物のq=3のシラン含有率が大き
いことを特徴とする請求項1,2又は3記載の脱硫方
法。
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- 1997-09-19 US US08/933,974 patent/US5817852A/en not_active Expired - Fee Related
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