JP3387351B2 - 基板のプラズマクリーニング装置 - Google Patents
基板のプラズマクリーニング装置Info
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- JP3387351B2 JP3387351B2 JP03457297A JP3457297A JP3387351B2 JP 3387351 B2 JP3387351 B2 JP 3387351B2 JP 03457297 A JP03457297 A JP 03457297A JP 3457297 A JP3457297 A JP 3457297A JP 3387351 B2 JP3387351 B2 JP 3387351B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bottom plate
- insulator
- lower electrode
- substrate
- plasma cleaning
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- Cleaning In General (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品を実装す
る基板の表面をクリーニングする基板のプラズマクリー
ニング装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】基板の回路パターンの電極にワイヤボン
ディングを行ったり電子部品を実装したりする前に、基
板の表面をプラズマクリーニングすることが知られてい
る。また基板のプラズマクリーニング装置として、底盤
の内部に高周波電圧が印加される下部電極を設け、底盤
上に蓋ケースを被蓋して蓋ケースの内部を真空チャンバ
とするものが知られている（特開平４−３１１０４４号
公報）。 【０００３】このものは、下部電極上に基板を配置して
真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給し、下部電
極に高圧の高周波電圧を印加することによりプラズマを
発生させ、プラズマイオンを基板の表面に衝突させてこ
の表面をクリーニングするようになっている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】底盤と下部電極は電気
的に絶縁される必要があり、このため底盤と下部電極の
間にはわずかなすき間が確保される。ところがプラズマ
クリーニングを繰り返し行っている間に、プラズマクリ
ーニングにより基板の表面をエッチングして生じた微小
な物質がこのすき間に集積し、底盤と下部電極の絶縁性
を阻害しやすくなる。そこで時折、このすき間に集積し
た物質を清掃除去せねばならず、しかもこのすき間の幅
はきわめて小さい（一般に約２ｍｍ程度）ので、この清
掃はきわめて面倒なものであった。 【０００５】したがって本発明は、底盤と下部電極の間
のすき間の清掃を不要にでき、しかも底盤と下部電極の
絶縁性を十分に確保できる基板のプラズマクリーニング
装置を提供することを目的とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明の基板のプラズマ
クリーニング装置は、底盤と、この底盤の内部にあって
高周波電圧が印加される下部電極と、この底盤上に被蓋
されてアースされる蓋ケースと、この蓋ケースの内部を
真空吸引する真空吸引手段と、この蓋ケースの内部にプ
ラズマ発生用ガスを供給するガス供給手段とを備え、前
記下部電極と前記底盤の間のすき間に絶縁物を充てん
し、かつこの絶縁物上に取りはずし自在な絶縁体を配置
することにより、エッチングにより基板の表面から飛散
した物質が絶縁物上に付着するのを防止するようにし
た。 【０００７】 【発明の実施の形態】上記構成の本発明によれば、底盤
と下部電極の間のすき間にエッチングにより生じた微小
な物質が集積することはなく、底盤と下部電極の十分な
絶縁性を確保することができる。 【０００８】以下、本発明の実施の形態を図面を参照し
ながら説明する。図１は、本発明の一実施の形態の基板
のプラズマクリーニング装置の断面図、図２は同底盤と
絶縁体の斜視図である。 【０００９】まず、基板のプラズマクリーニング装置の
全体構造を説明する。図１において、１は底盤であり、
その内部に下部電極２が設けられている。下部電極２に
は高周波電源３から高圧の高周波電圧が印加される。底
盤１上には蓋ケース４が被蓋されている。蓋ケース４は
底盤１上に着脱自在に配置されており、その内部は真空
チャンバ５になっている。また蓋ケース４はアース６に
接続されている。 【００１０】底盤１には第１パイプ７が挿入されてい
る。第１パイプ７には真空吸引手段８が接続されてお
り、真空チャンバ５を真空吸引する。また底盤１には第
２パイプ９が接続されている。第２パイプ９にはガス供
給手段１０が接続されており、真空チャンバ５内にアル
ゴンガスなどのプラズマ発生用ガスが供給される。 【００１１】底盤１と下部電極２の間には電気的絶縁性
を確保するためのすき間があり、このすき間には絶縁物
１１が充てんされている。プラズマクリーニング中には
真空チャンバ５の内部は高温度になるので、この絶縁物
１１としては、耐熱性の大きいセラミックなどが望まし
い。 【００１２】図２において、１２は絶縁体であって、ピ
ン状の脚体１３が複数本突設されている。絶縁体１２の
平面形状は、底盤１と下部電極２の境界に充てんされた
絶縁物１１に沿うように、枠形になっている。またこの
絶縁体１２や脚体１３は、セラミックなどの絶縁物から
成っている。また底盤１には、この脚体１３が取りはず
し自在に挿入される挿入孔１４が形成されている。図１
に示すように脚体１３を挿入孔１４に挿入すると、絶縁
体１２は絶縁物１１の表面に被蓋される。図１におい
て、１５はプラズマクリーニングの対象物である基板で
あり、下部電極２上に配置される。 【００１３】この基板のプラズマクリーニング装置は上
記のような構成より成り、次に取り扱い動作を説明す
る。図１において、基板１５を下部電極２上に配置した
ならば、真空吸引手段８を駆動して真空チャンバ５内を
真空吸引し、またガス供給手段１０から真空チャンバ５
内にプラズマ発生用のガスを供給する。 【００１４】次に下部電極２に高圧の高周波電圧を印加
すれば、真空チャンバ５内にプラズマが発生し、プラズ
マイオンやプラズマ分子は基板１５の表面に衝突してこ
の表面をエッチングしながらクリーニングする。クリー
ニングが終了したならば、蓋ケース４を開いて基板１５
を真空チャンバ５から取り出す。 【００１５】さて、上述した基板１５のプラズマクリー
ニング中には、基板１５の表面をエッチングして生じた
微小な物質Ｋは周辺に飛散する。この飛散した物質Ｋが
絶縁物１１上に集積すると、下部電極２と底盤１の絶縁
性は阻害される。そこで絶縁物１１上には絶縁体１２が
配置されており、上記物質Ｋはこの絶縁体１２上に徐々
に集積する。そこで運転停止時に、時折絶縁体１２を底
盤１上から取りはずしてその表面を清掃し、上記物質Ｋ
を除去して絶縁体１２は再使用する。勿論、絶縁体１２
は使い捨てにしてもよい。また底盤１と下部電極２の間
のすき間には絶縁物１１が充てんされているので、上記
物質Ｋがこのすき間に入り込むことはない。 【００１６】図３は、本発明の他の実施の形態の基板の
プラズマクリーニング装置の部分断面図である。このも
のは、絶縁物１１上に絶縁体としての耐熱性の絶縁テー
プ１６を貼着している。この絶縁テープ１６上に上記物
質Ｋが集積したならば、この絶縁テープ１６を剥がして
取りはずし、新たな絶縁テープ１６を貼りつける。 【００１７】 【発明の効果】本発明によれば、下部電極と底盤の間の
絶縁性を十分に確保できる。また下部電極と底盤の間の
すき間にエッチングにより生じた微細な物質が入り込む
こともないので、このすき間の清掃は不要となり、保守
管理上きわめて有利である。
る基板の表面をクリーニングする基板のプラズマクリー
ニング装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】基板の回路パターンの電極にワイヤボン
ディングを行ったり電子部品を実装したりする前に、基
板の表面をプラズマクリーニングすることが知られてい
る。また基板のプラズマクリーニング装置として、底盤
の内部に高周波電圧が印加される下部電極を設け、底盤
上に蓋ケースを被蓋して蓋ケースの内部を真空チャンバ
とするものが知られている（特開平４−３１１０４４号
公報）。 【０００３】このものは、下部電極上に基板を配置して
真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給し、下部電
極に高圧の高周波電圧を印加することによりプラズマを
発生させ、プラズマイオンを基板の表面に衝突させてこ
の表面をクリーニングするようになっている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】底盤と下部電極は電気
的に絶縁される必要があり、このため底盤と下部電極の
間にはわずかなすき間が確保される。ところがプラズマ
クリーニングを繰り返し行っている間に、プラズマクリ
ーニングにより基板の表面をエッチングして生じた微小
な物質がこのすき間に集積し、底盤と下部電極の絶縁性
を阻害しやすくなる。そこで時折、このすき間に集積し
た物質を清掃除去せねばならず、しかもこのすき間の幅
はきわめて小さい（一般に約２ｍｍ程度）ので、この清
掃はきわめて面倒なものであった。 【０００５】したがって本発明は、底盤と下部電極の間
のすき間の清掃を不要にでき、しかも底盤と下部電極の
絶縁性を十分に確保できる基板のプラズマクリーニング
装置を提供することを目的とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明の基板のプラズマ
クリーニング装置は、底盤と、この底盤の内部にあって
高周波電圧が印加される下部電極と、この底盤上に被蓋
されてアースされる蓋ケースと、この蓋ケースの内部を
真空吸引する真空吸引手段と、この蓋ケースの内部にプ
ラズマ発生用ガスを供給するガス供給手段とを備え、前
記下部電極と前記底盤の間のすき間に絶縁物を充てん
し、かつこの絶縁物上に取りはずし自在な絶縁体を配置
することにより、エッチングにより基板の表面から飛散
した物質が絶縁物上に付着するのを防止するようにし
た。 【０００７】 【発明の実施の形態】上記構成の本発明によれば、底盤
と下部電極の間のすき間にエッチングにより生じた微小
な物質が集積することはなく、底盤と下部電極の十分な
絶縁性を確保することができる。 【０００８】以下、本発明の実施の形態を図面を参照し
ながら説明する。図１は、本発明の一実施の形態の基板
のプラズマクリーニング装置の断面図、図２は同底盤と
絶縁体の斜視図である。 【０００９】まず、基板のプラズマクリーニング装置の
全体構造を説明する。図１において、１は底盤であり、
その内部に下部電極２が設けられている。下部電極２に
は高周波電源３から高圧の高周波電圧が印加される。底
盤１上には蓋ケース４が被蓋されている。蓋ケース４は
底盤１上に着脱自在に配置されており、その内部は真空
チャンバ５になっている。また蓋ケース４はアース６に
接続されている。 【００１０】底盤１には第１パイプ７が挿入されてい
る。第１パイプ７には真空吸引手段８が接続されてお
り、真空チャンバ５を真空吸引する。また底盤１には第
２パイプ９が接続されている。第２パイプ９にはガス供
給手段１０が接続されており、真空チャンバ５内にアル
ゴンガスなどのプラズマ発生用ガスが供給される。 【００１１】底盤１と下部電極２の間には電気的絶縁性
を確保するためのすき間があり、このすき間には絶縁物
１１が充てんされている。プラズマクリーニング中には
真空チャンバ５の内部は高温度になるので、この絶縁物
１１としては、耐熱性の大きいセラミックなどが望まし
い。 【００１２】図２において、１２は絶縁体であって、ピ
ン状の脚体１３が複数本突設されている。絶縁体１２の
平面形状は、底盤１と下部電極２の境界に充てんされた
絶縁物１１に沿うように、枠形になっている。またこの
絶縁体１２や脚体１３は、セラミックなどの絶縁物から
成っている。また底盤１には、この脚体１３が取りはず
し自在に挿入される挿入孔１４が形成されている。図１
に示すように脚体１３を挿入孔１４に挿入すると、絶縁
体１２は絶縁物１１の表面に被蓋される。図１におい
て、１５はプラズマクリーニングの対象物である基板で
あり、下部電極２上に配置される。 【００１３】この基板のプラズマクリーニング装置は上
記のような構成より成り、次に取り扱い動作を説明す
る。図１において、基板１５を下部電極２上に配置した
ならば、真空吸引手段８を駆動して真空チャンバ５内を
真空吸引し、またガス供給手段１０から真空チャンバ５
内にプラズマ発生用のガスを供給する。 【００１４】次に下部電極２に高圧の高周波電圧を印加
すれば、真空チャンバ５内にプラズマが発生し、プラズ
マイオンやプラズマ分子は基板１５の表面に衝突してこ
の表面をエッチングしながらクリーニングする。クリー
ニングが終了したならば、蓋ケース４を開いて基板１５
を真空チャンバ５から取り出す。 【００１５】さて、上述した基板１５のプラズマクリー
ニング中には、基板１５の表面をエッチングして生じた
微小な物質Ｋは周辺に飛散する。この飛散した物質Ｋが
絶縁物１１上に集積すると、下部電極２と底盤１の絶縁
性は阻害される。そこで絶縁物１１上には絶縁体１２が
配置されており、上記物質Ｋはこの絶縁体１２上に徐々
に集積する。そこで運転停止時に、時折絶縁体１２を底
盤１上から取りはずしてその表面を清掃し、上記物質Ｋ
を除去して絶縁体１２は再使用する。勿論、絶縁体１２
は使い捨てにしてもよい。また底盤１と下部電極２の間
のすき間には絶縁物１１が充てんされているので、上記
物質Ｋがこのすき間に入り込むことはない。 【００１６】図３は、本発明の他の実施の形態の基板の
プラズマクリーニング装置の部分断面図である。このも
のは、絶縁物１１上に絶縁体としての耐熱性の絶縁テー
プ１６を貼着している。この絶縁テープ１６上に上記物
質Ｋが集積したならば、この絶縁テープ１６を剥がして
取りはずし、新たな絶縁テープ１６を貼りつける。 【００１７】 【発明の効果】本発明によれば、下部電極と底盤の間の
絶縁性を十分に確保できる。また下部電極と底盤の間の
すき間にエッチングにより生じた微細な物質が入り込む
こともないので、このすき間の清掃は不要となり、保守
管理上きわめて有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の基板のプラズマクリー
ニング装置の断面図 【図２】本発明の一実施の形態の基板のプラズマクリー
ニング装置の底盤と絶縁体の斜視図 【図３】本発明の他の実施の形態の基板のプラズマクリ
ーニング装置の部分断面図 【符号の説明】 １ 底盤 ２ 下部電極 ４ 蓋ケース ５ 真空チャンバ ６ アース ８ 真空吸引手段 １０ ガス供給手段 １２ 絶縁体 １６ 絶縁テープ
ニング装置の断面図 【図２】本発明の一実施の形態の基板のプラズマクリー
ニング装置の底盤と絶縁体の斜視図 【図３】本発明の他の実施の形態の基板のプラズマクリ
ーニング装置の部分断面図 【符号の説明】 １ 底盤 ２ 下部電極 ４ 蓋ケース ５ 真空チャンバ ６ アース ８ 真空吸引手段 １０ ガス供給手段 １２ 絶縁体 １６ 絶縁テープ
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】底盤と、この底盤の内部にあって高周波電
圧が印加される下部電極と、この底盤上に被蓋されてア
ースされる蓋ケースと、この蓋ケースの内部を真空吸引
する真空吸引手段と、この蓋ケースの内部にプラズマ発
生用ガスを供給するガス供給手段とを備え、前記下部電
極と前記底盤の間のすき間に絶縁物を充てんし、かつこ
の絶縁物上に取りはずし自在な絶縁体を配置することに
より、エッチングにより基板の表面から飛散した物質が
絶縁物上に付着するのを防止するようにしたことを特徴
とする基板のプラズマクリーニング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03457297A JP3387351B2 (ja) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 基板のプラズマクリーニング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03457297A JP3387351B2 (ja) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 基板のプラズマクリーニング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233379A JPH10233379A (ja) | 1998-09-02 |
| JP3387351B2 true JP3387351B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=12418052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03457297A Expired - Fee Related JP3387351B2 (ja) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 基板のプラズマクリーニング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3387351B2 (ja) |
-
1997
- 1997-02-19 JP JP03457297A patent/JP3387351B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10233379A (ja) | 1998-09-02 |
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