JP3387224B2 - ホトマスク及びパタン形成方法 - Google Patents
ホトマスク及びパタン形成方法Info
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- JP3387224B2 JP3387224B2 JP17508894A JP17508894A JP3387224B2 JP 3387224 B2 JP3387224 B2 JP 3387224B2 JP 17508894 A JP17508894 A JP 17508894A JP 17508894 A JP17508894 A JP 17508894A JP 3387224 B2 JP3387224 B2 JP 3387224B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置などの製造に
用いるホトマスク、特に、照明光の位相を変える処理を
施したホトマスクの構造に関する。
用いるホトマスク、特に、照明光の位相を変える処理を
施したホトマスクの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】マスクパターンを転写する露光装置の解
像力を向上させる従来技術の一つとして、特開平4−136
854 号公報では、単一透明パタンの解像度向上手段とし
て、単一透明パタン周囲を半透明にして、すなわち、従
来型マスクの遮光部を半透明にし、半透明部を通過する
わずかな光と、透明パタンを通過する光の位相を反転さ
せるようにしている。すなわち、パタンを転写するレジ
ストの感度以下の光を半透明膜から通過させ、この光と
透明パタンを通過してきた光の位相が反転するようにし
た。
像力を向上させる従来技術の一つとして、特開平4−136
854 号公報では、単一透明パタンの解像度向上手段とし
て、単一透明パタン周囲を半透明にして、すなわち、従
来型マスクの遮光部を半透明にし、半透明部を通過する
わずかな光と、透明パタンを通過する光の位相を反転さ
せるようにしている。すなわち、パタンを転写するレジ
ストの感度以下の光を半透明膜から通過させ、この光と
透明パタンを通過してきた光の位相が反転するようにし
た。
【０００３】半透明膜を通過した光は、主パタンである
透明パタンを通過した光に対して位相が反転しているた
め、その境界部で位相が反転し、境界部での光強度が０
に近づく。これにより、相対的に透明パタンを通過した
光の強度と、パタン境界部の光強度の比は大きくなり従
来法に比べコントラストの高い光強度分布が得られる。
このマスク構造は従来の遮光膜を位相反転機能を持つ半
透明膜に変更するだけで実現でき、マスク作製が簡単で
ある事が特徴である。
透明パタンを通過した光に対して位相が反転しているた
め、その境界部で位相が反転し、境界部での光強度が０
に近づく。これにより、相対的に透明パタンを通過した
光の強度と、パタン境界部の光強度の比は大きくなり従
来法に比べコントラストの高い光強度分布が得られる。
このマスク構造は従来の遮光膜を位相反転機能を持つ半
透明膜に変更するだけで実現でき、マスク作製が簡単で
ある事が特徴である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
得られる投影像では、主パタン以外の部分に不要な第２
の光強度ピークが表れる。たとえば、大きい透明パタン
の２５０°以上のコーナ部に挟まれた半透明部には不要
な光強度ピークができてしまう。このピークは主パタン
のピーク強度を１とし、半透明部を通過した光強度を
０.１ とすると、約０.３ の光強度であり、実際に基板
上のレジストに転写されてしまう不良が発生している。
得られる投影像では、主パタン以外の部分に不要な第２
の光強度ピークが表れる。たとえば、大きい透明パタン
の２５０°以上のコーナ部に挟まれた半透明部には不要
な光強度ピークができてしまう。このピークは主パタン
のピーク強度を１とし、半透明部を通過した光強度を
０.１ とすると、約０.３ の光強度であり、実際に基板
上のレジストに転写されてしまう不良が発生している。
【０００５】また、近接して配列されている穴パタンの
場合は、二つの穴パタンから一定距離の位置に不要な光
強度ピークが発生し、前例と同様に基板上のレジストに
転写されてしまう不良が発生している。この場合の不要
な光強度ピークの位置は二つの穴パタンの中心からの距
離をＳとすると、Ｓ＝ｓλ／ＮＡの関係を満たす（ただ
し、投影光学系の開口数をＮＡ，露光波長をλ，０.８
≦ｓ≦１.１とする）位置である。
場合は、二つの穴パタンから一定距離の位置に不要な光
強度ピークが発生し、前例と同様に基板上のレジストに
転写されてしまう不良が発生している。この場合の不要
な光強度ピークの位置は二つの穴パタンの中心からの距
離をＳとすると、Ｓ＝ｓλ／ＮＡの関係を満たす（ただ
し、投影光学系の開口数をＮＡ，露光波長をλ，０.８
≦ｓ≦１.１とする）位置である。
【０００６】本発明の目的は、不要な光強度ピークの発
生を抑制し、不要なパタンの転写を防止し、良好な形状
のパタン形成歩留まりを向上することにある。
生を抑制し、不要なパタンの転写を防止し、良好な形状
のパタン形成歩留まりを向上することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では不要な光強度ピークが発生する位置に対
応するマスク上の位置に透過光の位相差が主パタンと同
じで、かつ透明な補助パタンを配置する。
に、本発明では不要な光強度ピークが発生する位置に対
応するマスク上の位置に透過光の位相差が主パタンと同
じで、かつ透明な補助パタンを配置する。
【０００８】透明補助パタンの配置位置は主パタンの形
状，配置により異なる。例えば、透明パタンの二辺が≧
２５０°の角度でＬ字の様に折れ曲がった形状の場合
は、この二辺からの距離ＤがＤ＝ｄλ／ＮＡの関係を満
たす位置（ただし、投影光学系の開口数をＮＡ，露光波
長をλ，０.４≦ｄ≦０.７とする）に補助パタンを配置
する。
状，配置により異なる。例えば、透明パタンの二辺が≧
２５０°の角度でＬ字の様に折れ曲がった形状の場合
は、この二辺からの距離ＤがＤ＝ｄλ／ＮＡの関係を満
たす位置（ただし、投影光学系の開口数をＮＡ，露光波
長をλ，０.４≦ｄ≦０.７とする）に補助パタンを配置
する。
【０００９】また、方形透明パタンが対角方向に接する
あるいは隣接して配置してある場合は、それぞれのパタ
ンの辺に挟まれた半透明部の中に、それぞれの辺からの
距離ＤがＤ＝ｄλ／ＮＡの関係を満たす位置（ただし、
投影光学系の開口数をＮＡ，露光波長をλ，０.４≦ｄ
≦０.７とする）に補助パタンを配置する。
あるいは隣接して配置してある場合は、それぞれのパタ
ンの辺に挟まれた半透明部の中に、それぞれの辺からの
距離ＤがＤ＝ｄλ／ＮＡの関係を満たす位置（ただし、
投影光学系の開口数をＮＡ，露光波長をλ，０.４≦ｄ
≦０.７とする）に補助パタンを配置する。
【００１０】また、複数個の透明方形パタンが並んで配
置されている場合、２個の透明主パタンの中心からの距
離がＳ＝ｓλ／ＮＡの関係を満たす位置（ただし、投影
光学系の開口数をＮＡ，露光波長をλ，０.８≦ｓ≦１.
１とする）に補助パタンを配置する。
置されている場合、２個の透明主パタンの中心からの距
離がＳ＝ｓλ／ＮＡの関係を満たす位置（ただし、投影
光学系の開口数をＮＡ，露光波長をλ，０.８≦ｓ≦１.
１とする）に補助パタンを配置する。
【００１１】これらの補助パタンの形状には制限はない
が、方形あるいは円形が望ましい。正方形の場合の大き
さは、辺の長さをＩとするとＩ＝ｉλ／ＮＡの関係（た
だし、投影光学系の開口数をＮＡ，露光波長をλ，０.
２≦ｉ≦０.５とする）を満たす大きさが望ましい。
が、方形あるいは円形が望ましい。正方形の場合の大き
さは、辺の長さをＩとするとＩ＝ｉλ／ＮＡの関係（た
だし、投影光学系の開口数をＮＡ，露光波長をλ，０.
２≦ｉ≦０.５とする）を満たす大きさが望ましい。
【００１２】
【作用】不要な光強度ピークは、主パタンからの回折光
と半透明部を通過した光の位相が一致した部分で、光が
互いに強めあう為に発生する。特に、二つのパタンから
の回折光が同位相で重なった部分では大きな光強度ピー
クとなる。したがって、不要な光強度ピークが発生する
位置に対応するマスク上の位置に透過光の位相差が主パ
タンと同じでかつ透明な補助パタンを配置することによ
り、回折光を打ち消すことができる。すなわち、不要な
光強度ピークと逆位相の光を、補助パタンから入射する
ことにより、光を打ち消す。従って、補助パタンの大き
さは、光を打ち消すに充分な光強度が得られる大きさに
する必要があるが、それ以上の大きさにした場合は逆効
果となり、不適切である。
と半透明部を通過した光の位相が一致した部分で、光が
互いに強めあう為に発生する。特に、二つのパタンから
の回折光が同位相で重なった部分では大きな光強度ピー
クとなる。したがって、不要な光強度ピークが発生する
位置に対応するマスク上の位置に透過光の位相差が主パ
タンと同じでかつ透明な補助パタンを配置することによ
り、回折光を打ち消すことができる。すなわち、不要な
光強度ピークと逆位相の光を、補助パタンから入射する
ことにより、光を打ち消す。従って、補助パタンの大き
さは、光を打ち消すに充分な光強度が得られる大きさに
する必要があるが、それ以上の大きさにした場合は逆効
果となり、不適切である。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例を図１及び図２で説明する。
図１（ａ）は従来法のマスクの平面図、（ｂ）は本発明
のマスクの平面図である。１が半透明位相シフト部、２
が透明主パタン部である。図２は図１のマスクを用いて
基板にパタンを投影したときの基板上で得られる光強度
分布をシミュレーションにより求め、マスク上の位置
(Ａ−Ｂ)について示したものである。マスクを投影する
光学系はレンズのＮＡ＝０.５２，露光波長は３６５ｎ
ｍ，光源のコヒーレンシーはσ＝０.３とした。今回用
いた光学系は実験の一つの条件例であり、これに限らな
い。
図１（ａ）は従来法のマスクの平面図、（ｂ）は本発明
のマスクの平面図である。１が半透明位相シフト部、２
が透明主パタン部である。図２は図１のマスクを用いて
基板にパタンを投影したときの基板上で得られる光強度
分布をシミュレーションにより求め、マスク上の位置
(Ａ−Ｂ)について示したものである。マスクを投影する
光学系はレンズのＮＡ＝０.５２，露光波長は３６５ｎ
ｍ，光源のコヒーレンシーはσ＝０.３とした。今回用
いた光学系は実験の一つの条件例であり、これに限らな
い。
【００１４】曲線ａが従来マスク，曲線ｂが本発明のマ
スクで得られた光強度分布である。図１（ａ）に示す従
来法のマスクで得られる光強度分布では、点Ｐ１の部分
で約０.３ の相対光強度ピークが発生していることがわ
かる。
スクで得られた光強度分布である。図１（ａ）に示す従
来法のマスクで得られる光強度分布では、点Ｐ１の部分
で約０.３ の相対光強度ピークが発生していることがわ
かる。
【００１５】図１（ｂ）の本発明のマスクでは点Ｐ１の
部分に透明な補助パタン３を配置した。補助パタン３の
位置は辺４および辺５からの距離Ｄは０.３８μｍ とし
たがこれに限らない。Ｄ＝ｄλ／ＮＡの関係を満たす位
置（ただし、投影光学系の開口数をＮＡ，露光波長を
λ，０.４≦ｄ≦０.７とする）であれば同様の効果が得
られる。
部分に透明な補助パタン３を配置した。補助パタン３の
位置は辺４および辺５からの距離Ｄは０.３８μｍ とし
たがこれに限らない。Ｄ＝ｄλ／ＮＡの関係を満たす位
置（ただし、投影光学系の開口数をＮＡ，露光波長を
λ，０.４≦ｄ≦０.７とする）であれば同様の効果が得
られる。
【００１６】補助パタン３は正方形とし、辺の長さＩは
０.３μｍ としたが、これに限らない。Ｉ＝ｉλ／ＮＡ
の関係（ただし、投影光学系の開口数をＮＡ，露光波長
をλ，０.３≦ｉ≦０.６とする）を満たす大きさであれ
ば同様の効果が得られる。また、形状も正方形に限らな
い。長方形や円形等でもよい。面積がほぼ同等であれば
同様の効果が得られる。
０.３μｍ としたが、これに限らない。Ｉ＝ｉλ／ＮＡ
の関係（ただし、投影光学系の開口数をＮＡ，露光波長
をλ，０.３≦ｉ≦０.６とする）を満たす大きさであれ
ば同様の効果が得られる。また、形状も正方形に限らな
い。長方形や円形等でもよい。面積がほぼ同等であれば
同様の効果が得られる。
【００１７】本マスクを用いて基板上に塗布した通常の
ポジ型レジストにパタンを転写した。設計通りの寸法に
レジストパタンを形成できる露光量は２４０ｍｊ／cm2
であった。この露光量の場合は従来法のマスクを用いて
も、主パタン２以外の部分に不要なパタンは形成されな
かった。しかし、露光量を２８０ｍｊ／cm2 にしたとこ
ろ、マスク上のＰ１に対応する位置にレジストの膜べり
が生じた。さらに、３００ｍｊ／cm2 にしたところ、Ｐ
１に対応する位置に不要な穴パタンが形成された。これ
に対し本発明を適用したマスクでは３００ｍｊ／cm2 の
露光量でもＰ１に対応する位置、あるいはその他の位置
にも不要なパタンは形成されなかった。
ポジ型レジストにパタンを転写した。設計通りの寸法に
レジストパタンを形成できる露光量は２４０ｍｊ／cm2
であった。この露光量の場合は従来法のマスクを用いて
も、主パタン２以外の部分に不要なパタンは形成されな
かった。しかし、露光量を２８０ｍｊ／cm2 にしたとこ
ろ、マスク上のＰ１に対応する位置にレジストの膜べり
が生じた。さらに、３００ｍｊ／cm2 にしたところ、Ｐ
１に対応する位置に不要な穴パタンが形成された。これ
に対し本発明を適用したマスクでは３００ｍｊ／cm2 の
露光量でもＰ１に対応する位置、あるいはその他の位置
にも不要なパタンは形成されなかった。
【００１８】本発明の参考例について図３及び図４を用
いて説明する。図３（ａ）に従来型マスクを、図３
（ｂ）に本発明のマスクの平面図を示す。それぞれ半透
明位相シフトマスク内に透明正方形パタン６が２個並列
して並んでいる。透明正方形パタン６は一辺の長さが
０.５μｍ，パタン中心間の距離は１.１μｍとした。こ
のパタン寸法及び配置は１例でありこれに限らない。
いて説明する。図３（ａ）に従来型マスクを、図３
（ｂ）に本発明のマスクの平面図を示す。それぞれ半透
明位相シフトマスク内に透明正方形パタン６が２個並列
して並んでいる。透明正方形パタン６は一辺の長さが
０.５μｍ，パタン中心間の距離は１.１μｍとした。こ
のパタン寸法及び配置は１例でありこれに限らない。
【００１９】図４は図３のマスクを用いて基板にパタン
を投影したときの基板上で得られる光強度分布をシミュ
レーションで求め、マスク上の位置（Ｃ−Ｄ）について
示したものである。マスクを投影する光学系はレンズの
ＮＡ＝０.５２ ，露光波長は３６５ｎｍ，光源のコヒー
レンシーはσ＝０.３ とした。今回用いた光学系は実験
の一例であり、これに限らない。
を投影したときの基板上で得られる光強度分布をシミュ
レーションで求め、マスク上の位置（Ｃ−Ｄ）について
示したものである。マスクを投影する光学系はレンズの
ＮＡ＝０.５２ ，露光波長は３６５ｎｍ，光源のコヒー
レンシーはσ＝０.３ とした。今回用いた光学系は実験
の一例であり、これに限らない。
【００２０】図４の曲線ａが従来マスク，曲線ｂが本発
明のマスクで得られた光強度分布である。図３（ａ）に
示す従来法のマスクで得られる光強度分布では、点Ｐ
２，Ｐ３の部分で約０.２５ の相対光強度ピークが発生
していることがわかる。図３（ｂ）の本発明のマスクで
は点Ｐ２，Ｐ３の部分に透明な補助パタン７を配置し
た。補助パタン７の位置は２個の正方形パタン６の中心
から等しい距離８の位置に配置した。距離８は０.６５
μｍ としたがこれに限らない。距離８をＳとするとＳ
＝ｓλ／ＮＡの関係（ただし、投影光学系の開口数をＮ
Ａ，露光波長をλ，０.８≦ｓ≦１.１とする）を満たす
位置であれば同様の効果が得られる。
明のマスクで得られた光強度分布である。図３（ａ）に
示す従来法のマスクで得られる光強度分布では、点Ｐ
２，Ｐ３の部分で約０.２５ の相対光強度ピークが発生
していることがわかる。図３（ｂ）の本発明のマスクで
は点Ｐ２，Ｐ３の部分に透明な補助パタン７を配置し
た。補助パタン７の位置は２個の正方形パタン６の中心
から等しい距離８の位置に配置した。距離８は０.６５
μｍ としたがこれに限らない。距離８をＳとするとＳ
＝ｓλ／ＮＡの関係（ただし、投影光学系の開口数をＮ
Ａ，露光波長をλ，０.８≦ｓ≦１.１とする）を満たす
位置であれば同様の効果が得られる。
【００２１】補助パタン７は正方形とし、辺の長さＩは
０.２μｍ としたが、これに限らない。Ｉ＝ｉλ／ＮＡ
の関係（ただし、投影光学系の開口数をＮＡ，露光波長
をλ，０.２≦ｉ≦０.５とする）を満たす大きさであれ
ば同様の効果が得られる。また、形状も正方形に限らな
い。長方形や円形等でもよい。面積がほぼ同等であれば
同様の効果が得られる。
０.２μｍ としたが、これに限らない。Ｉ＝ｉλ／ＮＡ
の関係（ただし、投影光学系の開口数をＮＡ，露光波長
をλ，０.２≦ｉ≦０.５とする）を満たす大きさであれ
ば同様の効果が得られる。また、形状も正方形に限らな
い。長方形や円形等でもよい。面積がほぼ同等であれば
同様の効果が得られる。
【００２２】図４の曲線ｂに示すように、本参考例のマ
スクで得られる光強度分布では、Ｐ２及びＰ３の部分で
の光強度は小さくなっており、従来法でのピークを消失
できたことがわかる。
スクで得られる光強度分布では、Ｐ２及びＰ３の部分で
の光強度は小さくなっており、従来法でのピークを消失
できたことがわかる。
【００２３】本マスクを用いて基板上に塗布した通常の
ポジ型レジストにパタンを転写した。設計通りの寸法に
レジストパタンを形成できる露光量は２７０ｍｊ／cm2
であった。この露光量の場合は従来法のマスクを用いて
も、主パタン２以外の部分に不要なパタンは形成されな
かった。しかし、露光量を２８０ｍｊ／cm2 にしたとこ
ろ、マスク上のＰ２，３に対応する位置にレジストの膜
べりが生じた。さらに、３００ｍｊ／cm2 にしたとこ
ろ、Ｐ２，３に対応する位置に不要な穴パタンが形成さ
れた。これに対し本発明を適用したマスクでは３００ｍ
ｊ／cm2 の露光量でもＰ２、３に対応する位置、あるい
はその他の位置にも不要なパタンは形成されなかった。
ポジ型レジストにパタンを転写した。設計通りの寸法に
レジストパタンを形成できる露光量は２７０ｍｊ／cm2
であった。この露光量の場合は従来法のマスクを用いて
も、主パタン２以外の部分に不要なパタンは形成されな
かった。しかし、露光量を２８０ｍｊ／cm2 にしたとこ
ろ、マスク上のＰ２，３に対応する位置にレジストの膜
べりが生じた。さらに、３００ｍｊ／cm2 にしたとこ
ろ、Ｐ２，３に対応する位置に不要な穴パタンが形成さ
れた。これに対し本発明を適用したマスクでは３００ｍ
ｊ／cm2 の露光量でもＰ２、３に対応する位置、あるい
はその他の位置にも不要なパタンは形成されなかった。
【００２４】ここで用いた半透明位相シフトマスクは、
ガラス基板上に薄膜ＣｒとＳＯＧ（Spin on Glass ）を
積層した、通常の２層構造方式であるがこれに限らな
い。ＭｏＳｉＯ，ＭｏＳｉＮ，ＷＳｉＯ，ＷＳｉＮ，Ｃ
ｒＯ，ＣｒＮ系の材料等による単層構造でも本発明の効
果は変わらない。
ガラス基板上に薄膜ＣｒとＳＯＧ（Spin on Glass ）を
積層した、通常の２層構造方式であるがこれに限らな
い。ＭｏＳｉＯ，ＭｏＳｉＮ，ＷＳｉＯ，ＷＳｉＮ，Ｃ
ｒＯ，ＣｒＮ系の材料等による単層構造でも本発明の効
果は変わらない。
【００２５】すなわち、本発明は半透明位相シフトマス
クのパタン配置に関するものであり、複数の透明パタン
部から回折した光が、半透明部を通過した光と同位相で
重なったときに発生する光強度ピークを打ち消す補助パ
タンを配置したことに特徴があり、マスク構造には依ら
ない。
クのパタン配置に関するものであり、複数の透明パタン
部から回折した光が、半透明部を通過した光と同位相で
重なったときに発生する光強度ピークを打ち消す補助パ
タンを配置したことに特徴があり、マスク構造には依ら
ない。
【００２６】また、本発明の補助パタンの配置はマスク
設計時は特に考慮せずに、設計者は所望のパタンのみを
設計した。その後、本発明で示した補助パタン配置のル
ールを導入した補助パタン自動配置システムを用い、マ
スクパタンデータを作成し、このデータを用い通常の方
法でマスク作成を行った。ここで用いた補助パタン自動
配置システムでは通常のパタン平面形状の情報と、使用
するパタン転写光学系のＮＡ，λ，σの情報を入力する
ことにより、本発明の補助パタン配置の計算式から導か
れた補助パタンを自動的に発生することができる。
設計時は特に考慮せずに、設計者は所望のパタンのみを
設計した。その後、本発明で示した補助パタン配置のル
ールを導入した補助パタン自動配置システムを用い、マ
スクパタンデータを作成し、このデータを用い通常の方
法でマスク作成を行った。ここで用いた補助パタン自動
配置システムでは通常のパタン平面形状の情報と、使用
するパタン転写光学系のＮＡ，λ，σの情報を入力する
ことにより、本発明の補助パタン配置の計算式から導か
れた補助パタンを自動的に発生することができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、従来型半透明位相シフ
トマスクで問題となっていた主パタンのパタン配置に依
存した不要な光強度ピークが無くなり、不要なパタンの
転写を避け、主パタンのみ転写できる露光量の設定幅が
大きくなった。言い替えれば、不要パタンが転写される
不良の発生を防止できた。また、本発明のマスクを用い
て半導体素子を作成した結果、半透明位相シフトマスク
の解像度向上効果を有効に使うことができ従来型のマス
クに比べパタンの微細化が実現でき素子面積の縮小化が
実現できた。
トマスクで問題となっていた主パタンのパタン配置に依
存した不要な光強度ピークが無くなり、不要なパタンの
転写を避け、主パタンのみ転写できる露光量の設定幅が
大きくなった。言い替えれば、不要パタンが転写される
不良の発生を防止できた。また、本発明のマスクを用い
て半導体素子を作成した結果、半透明位相シフトマスク
の解像度向上効果を有効に使うことができ従来型のマス
クに比べパタンの微細化が実現でき素子面積の縮小化が
実現できた。
【図１】実施例１のマスクの平面形状を示す説明図。
【図２】実施例１の光強度分布を示す特性図。
【図３】参考例のマスクの平面形状を示す説明図。
【図４】参考例の光強度分布を示す特性図。
1・・・半透明位相シフト部、２，６・・・透明パタン部、
３，７・・・補助パタン。
３，７・・・補助パタン。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 1/00 - 1/16
Claims (4)
- 【請求項１】半透明領域と、前記半透明領域内に配置さ
れ、２５０°以上のコーナ部を有する主開口パタンと、
前記コーナ部に挟まれた前記半透明領域に生じる光強度
ピークの発生を抑制するための補助パタンとを有し 、 前
記半透明領域を透過した露光光と前記主開口パタンを透
過した露光光とは位相が互いに反転し、前記主開口パタ
ンを透過した露光光と前記補助パタンを透過した露光光
とは位相が同じであるホトマスクを用いて、前記補助パ
タンが配置された位置に対応するレジスト膜にはパタン
を転写せず、前記主開口パタンが配置された位置に対応
する前記レジスト膜にはパタンを転写することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記主開口パタンはＬ字状であることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記コーナ部の角度は２７０°であること
を特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】前記補助パタンは、前記コーナ部を形成す
る二辺からの距離Ｄが、Ｄ＝ｄλ／ＮＡの関係を満たす
（ただし、投影光学系の開口数をＮＡ、露光波長をλ、
０．４≦ｄ≦０．７とする。）位置に配置されているこ
とを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載の半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17508894A JP3387224B2 (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | ホトマスク及びパタン形成方法 |
| KR19950017404A KR960002536A (ja) | 1994-06-29 | 1995-06-26 | |
| US08/495,836 US5700601A (en) | 1994-06-29 | 1995-06-28 | Photomask, manufacture of photomask, formation of pattern, manufacture of semiconductor device, and mask pattern design system |
| CN95107777A CN1109924C (zh) | 1994-06-29 | 1995-06-28 | 光掩模及其制造方法 |
| US08/906,162 US5895741A (en) | 1994-06-29 | 1997-08-05 | Photomask, manufacture of photomask, formation of pattern, manufacture of semiconductor device, and mask pattern design system |
| CNB021499330A CN1251020C (zh) | 1994-06-29 | 2002-11-08 | 光掩模及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17508894A JP3387224B2 (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | ホトマスク及びパタン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0844036A JPH0844036A (ja) | 1996-02-16 |
| JP3387224B2 true JP3387224B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=15990043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17508894A Expired - Lifetime JP3387224B2 (ja) | 1994-06-29 | 1994-07-27 | ホトマスク及びパタン形成方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3387224B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0161879B1 (ko) * | 1995-09-25 | 1999-01-15 | 문정환 | 위상 반전 마스크의 구조 및 제조방법 |
-
1994
- 1994-07-27 JP JP17508894A patent/JP3387224B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0844036A (ja) | 1996-02-16 |
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