JP3384274B2 - Method of removing unnecessary oxide glass film - Google Patents

Method of removing unnecessary oxide glass film

Info

Publication number
JP3384274B2
JP3384274B2 JP7063997A JP7063997A JP3384274B2 JP 3384274 B2 JP3384274 B2 JP 3384274B2 JP 7063997 A JP7063997 A JP 7063997A JP 7063997 A JP7063997 A JP 7063997A JP 3384274 B2 JP3384274 B2 JP 3384274B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide glass
deposited
substrate
glass
fine particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP7063997A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH10251028A (en
Inventor
繁 小西
新二 牧川
正毅 江島
和雄 神屋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP7063997A priority Critical patent/JP3384274B2/en
Publication of JPH10251028A publication Critical patent/JPH10251028A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3384274B2 publication Critical patent/JP3384274B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • C03B19/14Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
    • C03B19/1415Reactant delivery systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/30For glass precursor of non-standard type, e.g. solid SiH3F

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、不要の多孔質酸化
物ガラス膜を除去する方法に関し、特には、火炎堆積
(Flame Hydrolysis Deposit
ion;FHD)法により、基板上に多孔質酸化物ガラ
ス膜を形成する多孔質酸化物ガラス膜製造装置におい
て、この装置内の基板面以外の部分に堆積したガラス微
粒子を容易かつ確実に除去することができる不要酸化物
ガラス膜の除去方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for removing an unnecessary porous oxide glass film, and more particularly, to flame deposition (Frame Hydrolysis Deposition).
ion (FHD) method, in a porous oxide glass film manufacturing apparatus for forming a porous oxide glass film on a substrate, glass particles deposited on a portion other than the substrate surface inside the apparatus can be easily and surely removed. The invention relates to a method for removing an unnecessary oxide glass film.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光導波
路は、基板上にアンダークラッド層、コア層及びオーバ
ークラッド層を積層した構造をとっており、光導波路を
形成する基板にはシリコン(Si)若しくは石英が用い
られている。このような光導波路のデバイスとしては、
光を多数に分割するビームスプリッタや、所望の線路に
信号を切り換える光スイッチ、更に今後は、光加入者系
において、各家庭にはSi基板の上に光信号の分波/合
波の機能を持つ光導波路と共に、レーザーダイオード
(LD)、フォトダイオード(PD)などを集積化した
ONU(Optical Network Unit)
が導入されることが予想され、例えば“Applica
tion of planar lightwave
circuit platform to hybri
d integrated optical WDM
transmitter/receiver modu
le”(Y.Yamada et al.,Elect
ron.Lett.31(16),1366−1367
(1995))などに示されているように既に開発が進
められている。
2. Description of the Related Art An optical waveguide has a structure in which an underclad layer, a core layer and an overclad layer are laminated on a substrate, and a silicon (Si ) Or quartz is used. As a device of such an optical waveguide,
A beam splitter that splits the light into many, an optical switch that switches the signal to a desired line, and in the future, in the optical subscriber system, each household will be provided with a function of demultiplexing / multiplexing optical signals on a Si substrate. ONU (Optical Network Unit) with laser diode (LD), photodiode (PD), etc. integrated with the optical waveguide
Is expected to be introduced, for example, "Applica
tion of planar lightwave
circuit platform to hybrid
d integrated optical WDM
transmitter / receiver modu
le ”(Y. Yamada et al., Select
ron. Lett. 31 (16), 1366-1367.
(1995)) and other developments are already underway.

【0003】このような光導波路を形成する基板として
シリコン(Si)を用いる場合を例にとって光導波路の
製造プロセスを説明すると、Si基板上に光導波路を作
製するには、Si基板上にアンダークラッド層となる厚
さ約20μmのガラス層を形成し、このアンダークラッ
ド層上に光が導波するコア層を形成し、このコア層をリ
ソグラフィー及び異方性エッチングにより光の導波パタ
ーンに加工した後、オーバークラッド層となる厚さ30
μm以上のガラス層を形成することにより行われてい
る。これらのガラス層の形成方法としては、火炎堆積
(FHD)法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング、プ
ラズマCVD法などが知られているが、厚さ数十μmの
ガラス層の作製は一般に火炎堆積法が好適である。
The manufacturing process of an optical waveguide will be described by taking an example of using silicon (Si) as a substrate for forming such an optical waveguide. To manufacture an optical waveguide on a Si substrate, an underclad on the Si substrate is used. A glass layer having a thickness of about 20 μm is formed, a core layer through which light is guided is formed on the underclad layer, and the core layer is processed into a light guiding pattern by lithography and anisotropic etching. Later, a thickness of 30 will be the overclad layer
This is performed by forming a glass layer having a thickness of μm or more. Flame deposition (FHD) method, electron beam evaporation method, sputtering, plasma CVD method and the like are known as methods for forming these glass layers, but the glass layer having a thickness of several tens of μm is generally produced by the flame deposition method. Is preferred.

【0004】上記火炎堆積法は、例えば“Silica
waveguides on silicon an
d their application to in
tegrated−optic component
s”(M.Kawachi,Optical and
Quantum Electronics 22,39
1−416(1990))に示されており、図1に示し
たような酸化物ガラス膜製造装置10を用い、Si、G
e、Br及びPなどのハロゲン化物を酸水素火炎バーナ
ー11に供給してガラス微粒子を生成し、これを回転可
能なテーブル13の上に載置した基板14上に吹き付け
堆積し、多孔質の酸化物ガラス微粒子膜層を形成し、こ
れを電気炉(図示せず)中で1200〜1400℃の温
度で焼結することにより基板上に透明なガラス膜を作製
する方法である。
The flame deposition method described above is, for example, "Silica".
waveguides on silicon an
d ther application to in
integrated-optic component
s "(M. Kawachi, Optical and
Quantum Electronics 22, 39
1-416 (1990)), using the oxide glass film production apparatus 10 as shown in FIG. 1, Si, G
Halides such as e, Br, and P are supplied to the oxyhydrogen flame burner 11 to generate fine glass particles, which are spray-deposited on the substrate 14 placed on the rotatable table 13 to form a porous oxide. It is a method of forming a transparent glass film on a substrate by forming a glass fine particle film layer and sintering it in an electric furnace (not shown) at a temperature of 1200 to 1400 ° C.

【0005】この場合、図1に示したように、回転可能
に形成されたテーブル上に基板を搭載して、酸水素火炎
バーナーより基板面上に酸化物ガラス微粒子を堆積する
と、堆積すべき基板表面だけでなく基板を載せたテーブ
ル上にも酸化物ガラス微粒子が堆積してしまい、このテ
ーブル上に再び基板を搭載し、酸化物ガラス微粒子の堆
積を繰り返し実施すると、テーブル上に堆積したガラス
微粒子(スート)層が剥離し、該剥離したスートが堆積
前の基板表面に付着するなどの問題が生じる。このた
め、テーブル上に堆積したガラス微粒子層は基板への堆
積が終了し、堆積した基板を取り出した後、除去(クリ
ーニング)する必要があり、従来は通常、テーブル上に
堆積したガラス微粒子層の除去は、テーブルから酸化物
ガラス層を擦り取り、系外に排気することにより行われ
ており、このため以下のような問題点がある。
In this case, as shown in FIG. 1, when a substrate is mounted on a rotatably formed table and oxide glass fine particles are deposited on the substrate surface by an oxyhydrogen flame burner, the substrate to be deposited Oxide glass particles are deposited not only on the surface but also on the table on which the substrate is placed. When the substrate is mounted again on this table and the oxide glass particles are repeatedly deposited, the glass particles deposited on the table The (soot) layer peels off, and the peeled soot adheres to the surface of the substrate before deposition. For this reason, it is necessary to remove (clean) the glass fine particle layer deposited on the table after the deposition on the substrate is completed and the deposited substrate is taken out. The removal is performed by scraping off the oxide glass layer from the table and exhausting it to the outside of the system, which causes the following problems.

【0006】(1)テーブル上から酸化物ガラス微粒子
層を剥がすとき、剥がれたスート層の全てを排気、除去
することができず、スートがチャンバ内に残り、堆積を
行うチャンバ内を散乱する。この状態を放置したまま基
板をテーブル上に搭載し堆積を行うと、基板はテーブル
下部に設置されたヒーターにより高温に加熱されている
ためチャンバ内の雰囲気の温度上昇に伴いチャンバ内に
放置されたスートが系内を舞い(散乱し)、基板表面に
付着する場合がある。また、チャンバの天井にスートが
付着した場合、何らかの外乱により落下し基板表面に付
着してしまう場合がある。
(1) When the oxide glass fine particle layer is peeled off from the table, all of the peeled soot layer cannot be exhausted and removed, and the soot remains in the chamber and scatters in the deposition chamber. When the substrate was placed on the table and deposited while leaving this state, the substrate was left in the chamber as the temperature of the atmosphere in the chamber increased because the substrate was heated to a high temperature by the heater installed under the table. Soot may fly (scatter) in the system and adhere to the substrate surface. Further, when the soot adheres to the ceiling of the chamber, it may fall due to some disturbance and adhere to the substrate surface.

【0007】このようにして基板表面にスートが付着す
ると、このスートは堆積及び焼結を行った後も異物とし
て存在し、異物の存在場所で局所的に膜厚が厚くなり
(膜厚分布にバラツキが生じ)、良好な表面状態が得ら
れず、外観を損なうおそれがある。
When the soot adheres to the surface of the substrate in this manner, the soot remains as a foreign matter even after the deposition and sintering, and the film thickness locally increases at the location of the foreign matter (the thickness distribution varies). Variation occurs), a good surface condition cannot be obtained, and the appearance may be impaired.

【0008】(2)テーブルから剥がした酸化物ガラス
微粒子層を系外に排気する際に、チャンバの扉を開け、
堆積雰囲気を系外の雰囲気に曝す必要があり、この時系
外に存在する異物が散乱し、またスート層除去作業中の
作業者からの異物が系内に混入する可能性がある。そし
て、このような異物が基板界面や堆積後の多孔質酸化物
ガラス層界面に付着した場合、加熱処理時において発泡
の原因となったり、実際に光導波路パターンを形成した
とき損失の原因となる場合がある。
(2) When exhausting the oxide glass fine particle layer peeled from the table to the outside of the system, open the chamber door,
It is necessary to expose the deposition atmosphere to an atmosphere outside the system, and at this time, foreign matter existing outside the system may be scattered, and foreign matter from an operator during the soot layer removing operation may be mixed into the system. When such foreign matter adheres to the interface of the substrate or the interface of the porous oxide glass layer after deposition, it may cause foaming during the heat treatment or cause loss when the optical waveguide pattern is actually formed. There are cases.

【0009】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、上記のような多孔質酸化物ガラス膜製造装置のチャ
ンバ内の基板面以外の部分に堆積した不要のガラス微粒
子を容易かつ確実に除去でき、チャンバ内を清浄な状態
に保ち、高品質の多孔質酸化物ガラス膜を歩留まり良く
形成することができる、不要酸化物ガラス膜の除去方法
を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and easily and reliably removes unnecessary glass fine particles deposited on a portion other than the substrate surface in the chamber of the above-described porous oxide glass film manufacturing apparatus. An object of the present invention is to provide a method for removing an unnecessary oxide glass film, which is capable of maintaining a clean state in the chamber and capable of forming a high-quality porous oxide glass film with a high yield.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた
結果、多孔質酸化物ガラス膜製造装置のチャンバ内の基
板面以外の部分に堆積したガラス微粒子などの不要酸化
物ガラス膜を除去するに際し、酸水素火炎バーナーにフ
ッ素化合物を供給した火炎で照射することにより、不要
酸化物ガラス膜を容易かつ確実に除去できることを知見
した。
Means for Solving the Problems and Embodiments of the Invention As a result of intensive studies to achieve the above-mentioned object, the inventors of the present invention have found that other than the substrate surface in the chamber of the porous oxide glass film manufacturing apparatus. We found that the unnecessary oxide glass film can be easily and surely removed by irradiating it with a flame supplied with a fluorine compound to the oxyhydrogen flame burner when removing the unnecessary oxide glass film such as glass particles deposited on the part. .

【0011】テーブル上に基板を載置し、このテーブル
下部に設けられたヒーターにより基板を加熱し、酸水素
火炎バーナーから酸化物ガラス微粒子を上記基板に吹き
付け堆積させてガラス微粒子層を形成する場合、基板面
内に堆積しなかったガラス微粒子を排気管で吸引除去し
ても、基板面以外のテーブル上や排気管内壁にガラス微
粒子が堆積するが、本発明者らは種々検討の結果、この
ガラス微粒子を除去する場合、上記酸水素火炎バーナー
にフッ素化合物を供給することにより、フッ素化合物と
酸水素炎との反応でHFが生成すると共に、酸水素炎で
2Oが生成し、このHFとH2Oを含む酸水素火炎を酸
化物ガラス微粒子の堆積したテーブル上や排気管内壁に
好ましくはこの酸化物ガラス微粒子が100℃以下に保
持された状態で照射することによって、HFとガラス微
粒子とが反応し、多孔質酸化物ガラス膜製造装置のチャ
ンバ内の基板面以外の部分に堆積したガラス微粒子を容
易かつ確実に除去でき、チャンバ内を清浄な状態に保
ち、高品質の多孔質酸化物ガラス膜を歩留まり良く形成
し得ることを見出し、本発明を完成したものである。
When a substrate is placed on a table, the substrate is heated by a heater provided under the table, and oxide glass fine particles are sprayed and deposited on the substrate from an oxyhydrogen flame burner to form a glass fine particle layer. Even if the glass particles not deposited on the substrate surface are removed by suction with the exhaust pipe, the glass particles are deposited on the table other than the substrate surface and on the exhaust pipe inner wall. When removing glass fine particles, by supplying a fluorine compound to the oxyhydrogen flame burner, HF is generated by the reaction between the fluorine compound and the oxyhydrogen flame, and H 2 O is generated by the oxyhydrogen flame. in state H is preferably in the deposited table or on the exhaust pipe wall oxide glass particles oxyhydrogen flame comprising 2 O to the oxide glass fine particles are held in the 100 ° C. or less and By the irradiation, the HF reacts with the glass particles, and the glass particles deposited on a portion other than the substrate surface inside the chamber of the porous oxide glass film manufacturing apparatus can be easily and surely removed, and the inside of the chamber can be kept clean. The present invention has been completed by discovering that a high quality porous oxide glass film can be formed with good yield.

【0012】なお、本発明の除去方法のメカニズムは、
コアの異方性エッチングで行われているようなFイオン
やFラジカルによるエッチングによるものではない。即
ち、酸水素火炎の温度は千数百℃であるのに対し、通常
F系ガスによるエッチングに用いられるエネルギーは数
百Vであるため、エネルギー的にF系ガスによるエッチ
ング機構で進むとは考えにくい。更に、テーブル温度が
400℃のときはテーブル上のスートのクリーニングは
全く起こらなかった。これに対して、テーブル温度を1
00℃以下に下げることによりスートの剥離や清浄化効
果が認められた。このことは酸水素火炎で生成されるH
2Oがテーブル上に残存し易くなる方向であることか
ら、本発明の除去方法のメカニズムはFイオンやFラジ
カルによるエッチングではなく、HF水溶液によるSi
2の溶解反応であると考えられる。
The mechanism of the removing method of the present invention is as follows.
This is not due to etching by F ions or F radicals as is done by anisotropic etching of the core. That is, while the temperature of the oxyhydrogen flame is a few thousand hundreds of degrees Celsius, the energy normally used for etching with an F-based gas is several hundred V, so it is considered that the mechanism of energy proceeds with an etching mechanism using an F-based gas. Hateful. Furthermore, when the table temperature was 400 ° C., cleaning of the soot on the table did not occur at all. On the other hand, the table temperature is 1
By lowering the temperature to 00 ° C or lower, soot peeling and cleaning effects were recognized. This is due to the H produced by the oxyhydrogen flame.
Since 2 O tends to remain on the table, the mechanism of the removing method of the present invention is not etching by F ions or F radicals, but Si by HF aqueous solution.
It is considered to be a dissolution reaction of O 2 .

【0013】また、フッ素化合物を供給した酸水素火炎
をテーブル上のスートへ照射し、清浄化を行うと、テー
ブル上ばかりでなく同時に排気管内壁も清浄化すること
ができる。即ち、基板面上へのガラス微粒子の堆積を繰
り返し行うと排気管内壁にスートが付着してしまい。こ
のスートの付着量が多いと何らかの外乱により内壁に付
着したスート微粒子がテーブル上やチャンバ内に落下
し、異物発生の原因となる。このため、排気管内壁のク
リーニングを定期的に行うことが必要となる。しかしな
がら、本発明の除去方法では、HFとH2Oとを含む酸
水素火炎を排気管により吸引することにより、排気管の
内壁のスートの除去を同時に行え、一々排気管をチャン
バから取り出して内壁に付着したスートを除去する手間
が省け、装置のメンテナンスの点でも有利となるもので
ある。
When the soot on the table is irradiated with the oxyhydrogen flame supplied with the fluorine compound for cleaning, not only the table but also the inner wall of the exhaust pipe can be cleaned at the same time. That is, when the glass particles are repeatedly deposited on the surface of the substrate, soot adheres to the inner wall of the exhaust pipe. If the amount of the soot adhered is large, the soot particles adhered to the inner wall due to some disturbance fall on the table or in the chamber, which causes the generation of foreign matter. Therefore, it is necessary to regularly clean the inner wall of the exhaust pipe. However, in the removal method of the present invention, the soot on the inner wall of the exhaust pipe can be removed at the same time by sucking the oxyhydrogen flame containing HF and H 2 O through the exhaust pipe, and the exhaust pipe is taken out of the chamber one by one. This eliminates the trouble of removing the soot adhering to, and is advantageous in terms of maintenance of the device.

【0014】従って、本発明は、テーブル上に載置され
た基板に酸水素火炎バーナーから酸化物ガラス微粒子を
吹き付け、堆積させると共に、上記基板面以外の不要部
分に堆積された酸化物ガラス微粒子を除去するに際し、
上記バーナーにフッ素化合物を供給し、このバーナーよ
りフッ化水素と水を含む火炎を上記不要部分に堆積され
た酸化物ガラス微粒子に照射することを特徴とする不要
酸化物ガラス膜の除去方法を提供する。
Therefore, according to the present invention, the oxide glass fine particles are sprayed and deposited from the oxyhydrogen flame burner onto the substrate placed on the table, and the oxide glass fine particles deposited on unnecessary portions other than the substrate surface are deposited. When removing
A method for removing an unnecessary oxide glass film, which comprises supplying a fluorine compound to the burner and irradiating a flame containing hydrogen fluoride and water to the oxide glass fine particles deposited on the unnecessary portion from the burner. To do.

【0015】この場合、上記不要部分に堆積された酸化
物ガラス微粒子は100℃以下にある状態で上記処理を
行うことが好ましく、またこの不要酸化物ガラス微粒子
としては、上記テーブル上又は上記排気管内壁に堆積さ
れた酸化物微粒子が挙げられる。
In this case, it is preferable that the oxide glass fine particles deposited on the unnecessary portions are subjected to the above treatment at a temperature of 100 ° C. or lower, and the unnecessary oxide glass fine particles are on the table or in the exhaust pipe. Oxide particles deposited on the walls are mentioned.

【0016】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明は、酸水素火炎バーナーにフッ素化合物を供給す
ることにより、フッ素化合物と酸水素火炎との反応によ
ってHFを生成させ、このHFと水を含む火炎を不要ガ
ラス微粒子に照射することにより、不要ガラス微粒子の
除去を行うものである。
The present invention will be described in more detail below.
The present invention, by supplying a fluorine compound to the oxyhydrogen flame burner, to generate HF by the reaction of the fluorine compound and the oxyhydrogen flame, and by irradiating the unnecessary glass particles with a flame containing this HF and water, The glass fine particles are removed.

【0017】ここで、用いるフッ素化合物としては、酸
水素火炎との反応で分解するものであれば特に制限され
ないが、安全性の面から大気に曝しても不活性な物質で
あれば良く、例えばSF6、CHF3などが挙げられる。
The fluorine compound used here is not particularly limited as long as it decomposes by a reaction with an oxyhydrogen flame, but from the viewpoint of safety, it may be a substance which is inert even when exposed to the atmosphere, for example, SF 6 , CHF 3 and the like can be mentioned.

【0018】上記フッ素化合物をバーナーに供給する
際、その流量は特に制限されない。清浄化に要する時間
を考慮すると1L/min以上が好ましいが、それ以下
でもよい。
When supplying the above-mentioned fluorine compound to the burner, the flow rate thereof is not particularly limited. Considering the time required for cleaning, it is preferably 1 L / min or more, but may be less than 1 L / min.

【0019】本発明において、除去すべき不要酸化物ガ
ラス微粒子は好ましくは100℃以下にある状態で上記
火炎照射を行うことが有効である。即ち、スート(酸化
物ガラス微粒子)の除去機構が気相反応ではなく、HF
水溶液によるSiO2の溶解反応であることから、テー
ブル温度がガラス微粒子の堆積時と同じ400〜600
℃であると、テーブル上ではクリーニングは全く行われ
ない。しかしながら、テーブルよりも温度が低い排気管
内部ではクリーニング効果が認められる場合がある。
In the present invention, it is effective that the unnecessary oxide glass fine particles to be removed are irradiated with the flame preferably at a temperature of 100 ° C. or lower. That is, the removal mechanism of soot (oxide glass fine particles) is not a gas phase reaction, but HF
Since the reaction is the dissolution reaction of SiO 2 by the aqueous solution, the table temperature is the same as that at the time of depositing the glass particles, 400 to 600
At ° C, no cleaning is done on the table. However, a cleaning effect may be recognized inside the exhaust pipe whose temperature is lower than that of the table.

【0020】つまり、テーブル上に付着したスートの除
去を目的とする場合は、テーブル温度、即ちスート温度
は、水分が気化しない100℃以下、好ましくは50℃
以下であり、排気管の内壁に付着したスートの除去を目
的とする場合は、排気管内壁に堆積されたスートが10
0℃以下であればよい。
That is, for the purpose of removing the soot adhering to the table, the table temperature, that is, the soot temperature, is 100 ° C. or less, preferably 50 ° C., at which water does not evaporate.
When the purpose is to remove the soot adhering to the inner wall of the exhaust pipe, the amount of soot deposited on the inner wall of the exhaust pipe is 10 or less.
It may be 0 ° C or lower.

【0021】本発明において、基板上への酸化物ガラス
微粒子の堆積は図1に示した多孔質酸化物ガラス膜製造
装置を用いて行うことができ、基板上に所望の厚さのガ
ラス微粒子層を堆積した後、ガラス原料の供給をストッ
プし、テーブル下部のヒーターをオフにし、テーブル温
度を100℃以下まで十分低く下げた後、堆積した基板
を装置から取り出し、取り出した部分にクリーニング用
ダミーSiウエハを載置し、堆積に用いた酸水素火炎バ
ーナーにクリーニング原料としてフッ素化合物を一定流
量で供給することが好ましい。このフッ素化合物を供給
した酸水素火炎をガラス微粒子堆積時と同様の方法によ
りテーブル及びダミーSiウエハ表面に照射することに
行う。なお、この場合、排気管でフッ素化合物を供給し
たバーナーを吸引させることにより、テーブル温度が高
い状態でも排気管内壁のクリーニングが可能となる。
In the present invention, the oxide glass fine particles can be deposited on the substrate by using the porous oxide glass film production apparatus shown in FIG. 1, and the glass fine particle layer having a desired thickness is formed on the substrate. After the deposition, the supply of the glass raw material was stopped, the heater under the table was turned off, the table temperature was lowered to 100 ° C or lower, the deposited substrate was taken out of the apparatus, and the cleaning dummy Si was put on the taken out portion. It is preferable to place a wafer and supply a fluorine compound as a cleaning material at a constant flow rate to the oxyhydrogen flame burner used for deposition. The surface of the table and the dummy Si wafer are irradiated with the oxyhydrogen flame supplied with the fluorine compound by the same method as that for depositing the glass particles. In this case, by sucking the burner supplied with the fluorine compound through the exhaust pipe, the inner wall of the exhaust pipe can be cleaned even when the table temperature is high.

【0022】本発明に用いられる基板としては、シリコ
ン(Si)又は石英からなるものが好ましく、その形
状、大きさは、特に制限されない。
The substrate used in the present invention is preferably made of silicon (Si) or quartz, and its shape and size are not particularly limited.

【0023】本発明の不要酸化物ガラス膜の除去方法に
よれば、基板面以外の部分に堆積したガラス微粒子を容
易かつ確実に除去することができ、チャンバ内を常に清
浄な状態に保つことができ、膜厚分布が均一で、表面状
態が良好な酸化物ガラス膜を形成することができるもの
である。
According to the method for removing an unnecessary oxide glass film of the present invention, the glass particles deposited on the portion other than the substrate surface can be easily and surely removed, and the chamber can be kept clean at all times. It is possible to form an oxide glass film having a uniform film thickness distribution and a good surface condition.

【0024】[0024]

【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below by showing Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

【0025】〔実施例1〕基板上への酸化物ガラス微粒
子の堆積を図1に示した装置を用いて行った。回転テー
ブル13の直径は80cmであり、その外周部に直径1
0cm、厚さ1mmのシリコン(Si)基板14を複数
枚(図1では9枚)搭載した。これら基板は予め回転テ
ーブル13下部のヒーター(図示せず)により、基板温
度約600℃に加熱されている。
Example 1 Oxide glass fine particles were deposited on a substrate using the apparatus shown in FIG. The rotary table 13 has a diameter of 80 cm and a diameter of 1
A plurality of (9 in FIG. 1) silicon (Si) substrates 14 having a thickness of 0 cm and a thickness of 1 mm were mounted. These substrates are preheated to a substrate temperature of about 600 ° C. by a heater (not shown) below the rotary table 13.

【0026】基板を搭載したテーブル13を一定方向
(図中矢印L)に5rpmの回転数で回転させながら、
酸水素火炎バーナーに供給管(図示せず)からガラス原
料を供給しつつバーナーをテーブルの径方向に沿ってス
トローク長16cm、移動速度1cm/secの条件で
基板上を往復運動させながらガラス微粒子を基板上に吹
き付け堆積した。この際、基板上に堆積しなかった余剰
ガラス微粒子は排気管により系外へ吸引除去される。ガ
ラス原料としてはSiCl4、BBr3及びPOCl3
用い、それぞれの供給量が150cc/min、20c
c/min及び20cc/minとなるように火炎内に
供給した。
While rotating the table 13 on which the substrate is mounted in a fixed direction (arrow L in the figure) at a rotation speed of 5 rpm,
While supplying the glass raw material from the supply pipe (not shown) to the oxyhydrogen flame burner, the burner was reciprocated along the radial direction of the table under the conditions of a stroke length of 16 cm and a moving speed of 1 cm / sec to remove glass particles. It was spray deposited on the substrate. At this time, the excess glass fine particles not deposited on the substrate are sucked out of the system by the exhaust pipe. SiCl 4 , BBr 3 and POCl 3 were used as glass raw materials, and the respective supply rates were 150 cc / min and 20 c.
It was supplied into the flame so as to be c / min and 20 cc / min.

【0027】基板上に所望の厚さ(〜200μm程度)
のガラス微粒子層を堆積した後、ガラス原料の供給をス
トップし、テーブル下部のヒーターをオフにし、テーブ
ル温度を40℃まで十分低く下げた。テーブルが十分冷
えた後、堆積した基板を装置から取り出し、取り出した
部分にクリーニング用ダミーSiウエハを載置した。堆
積に用いた酸水素火炎バーナーにクリーニング原料とし
てSF6を流量1L/minで供給した。このSF6を供
給した酸水素火炎をガラス微粒子堆積時と同様の方法に
よりテーブル及びダミーウエハ表面に照射した。
Desired thickness on substrate (about 200 μm)
After depositing the glass particulate layer, the supply of the glass raw material was stopped, the heater under the table was turned off, and the table temperature was sufficiently lowered to 40 ° C. After the table was sufficiently cooled, the deposited substrate was taken out of the apparatus, and a cleaning dummy Si wafer was placed on the taken out portion. SF 6 as a cleaning raw material was supplied to the oxyhydrogen flame burner used for deposition at a flow rate of 1 L / min. The surface of the table and the dummy wafer were irradiated with the oxyhydrogen flame supplied with SF 6 by the same method as in the deposition of the glass particles.

【0028】このとき、テーブル上に堆積していたガラ
ス微粒子層は速やかに溶解し、テーブル面の露出が確認
できた。また、この際テーブル表面ばかりでなく、スー
ト層が付着していた排気管内壁もクリーニングされてい
ることが確認できた。
At this time, the glass fine particle layer deposited on the table was quickly dissolved, and the exposure of the table surface could be confirmed. At this time, it was confirmed that not only the surface of the table but also the inner wall of the exhaust pipe to which the soot layer had adhered was cleaned.

【0029】クリーニング後、テーブル上に複数枚のS
iウエハをセットし、同様のプロセスにてガラス微粒子
の堆積を行ったが、Si基板表面に異物の付着は見られ
なかった。
After cleaning, a plurality of sheets of S are placed on the table.
The i-wafer was set and glass particles were deposited by the same process, but no foreign matter was found to adhere to the surface of the Si substrate.

【0030】[実施例2]基板上への酸化物ガラス微粒
子の堆積は実施例1と同様の方法で行い、堆積終了後、
ガラス原料の供給をストップし、テーブル下部のヒータ
ーをオフとした。テーブル温度が十分冷えないうち(4
00℃)に堆積した基板を取り出し、取り出した部分に
クリーニング用ダミーSiウエハを載置した。
[Example 2] The oxide glass fine particles were deposited on the substrate in the same manner as in Example 1, and after the deposition was completed,
The supply of glass raw materials was stopped, and the heater under the table was turned off. While the table temperature is not cold enough (4
The substrate deposited at 00 ° C. was taken out, and a cleaning dummy Si wafer was placed on the taken-out portion.

【0031】堆積に用いた酸水素火炎バーナーにクリー
ニング原料としてSF6を流量1L/minで供給し
た。このSF6を供給した酸水素火炎をガラス微粒子堆
積時と同様の方法によりテーブル及びダミーウエハ表面
に照射した。
SF 6 as a cleaning raw material was supplied to the oxyhydrogen flame burner used for deposition at a flow rate of 1 L / min. The surface of the table and the dummy wafer were irradiated with the oxyhydrogen flame supplied with SF 6 by the same method as in the deposition of the glass particles.

【0032】このとき、テーブル上に堆積されているガ
ラス微粒子層の様子にはほとんど変化が認められなかっ
た。ガラス微粒子層の堆積時間の5倍の時間までSF6
を供給した酸水素火炎を照射させ続けたが、テーブル上
のガラス微粒子層の様子に変化はなかった。しかしなが
ら、排気管内部に関してはテーブル上に比べて十分温度
が下がっているため、クリーニングできていることが認
められた。
At this time, almost no change was recognized in the state of the glass fine particle layer deposited on the table. Up to 5 times the deposition time of the glass particle layer SF 6
The irradiation of the oxyhydrogen flame was continued, but there was no change in the appearance of the glass fine particle layer on the table. However, it was confirmed that the inside of the exhaust pipe was cleaned because the temperature was sufficiently lower than that on the table.

【0033】[比較例]基板上への酸化物ガラス微粒子
の堆積は実施例1と同様の方法で行い、堆積終了後、ガ
ラス原料の供給をストップし、テーブル下部のヒーター
をオフにし、テーブル温度を十分低くした。テーブルが
十分冷えた後、堆積した基板を取り出し、チャンバの蓋
を開け、テーブル上に堆積したスートを機械的に擦り取
り、剥がれたスートを掃除機にて排除した。テーブル上
のスートを除去した後、再び複数枚の4″φSiウエハ
をテーブル上にセットし、テーブル下部のヒーターによ
り基板を加熱した。この加熱途中数枚のSiウエハ表面
に剥離したスート粒子と思われる異物が付着しているこ
とが確認できた。また、ガラス微粒子を堆積し、熱処理
後の基板には、一部に発砲、異物が認められた。
[Comparative Example] The oxide glass fine particles were deposited on the substrate in the same manner as in Example 1. After the deposition was completed, the supply of the glass raw material was stopped, the heater under the table was turned off, and the table temperature was changed. Was low enough. After the table was sufficiently cooled, the deposited substrate was taken out, the chamber lid was opened, the soot deposited on the table was mechanically scraped off, and the separated soot was removed by a vacuum cleaner. After removing the soot on the table, a plurality of 4 ″ φ Si wafers were set again on the table, and the substrate was heated by the heater under the table. It seems that soot particles were peeled off on the surface of several Si wafers during this heating. In addition, it was confirmed that the foreign matter adhered to the substrate was adhered, and that the glass particles were deposited and the substrate after the heat treatment was partially fired and foreign matter was observed.

【0034】[0034]

【発明の効果】本発明によれば、基板面以外の不要な部
分に堆積したガラス微粒子を容易かつ確実に除去するこ
とができ、膜厚分布が均一で、表面状態の良好な多孔質
酸化物ガラス膜を歩留まり良く形成することができる。
EFFECTS OF THE INVENTION According to the present invention, it is possible to easily and surely remove the glass fine particles deposited on unnecessary portions other than the substrate surface, and to have a uniform film thickness distribution and a good surface condition. The glass film can be formed with high yield.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る多孔質酸化物ガラス膜
製造装置の部分概略図である。
FIG. 1 is a partial schematic view of an apparatus for producing a porous oxide glass film according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】 10 多孔質酸化ガラス膜製造装置 11 バーナー 12 排気管 13 テーブル 14 基板[Explanation of symbols] 10 Porous oxide glass film manufacturing equipment 11 burners 12 Exhaust pipe 13 tables 14 board

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江島 正毅 群馬県安中市磯部2丁目13番1号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (72)発明者 神屋 和雄 群馬県安中市磯部2丁目13番1号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (56)参考文献 特開 昭62−187133(JP,A) 特開 昭62−291034(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C03B 8/04 C03B 19/14 C03B 20/00 C03B 37/00 - 37/16 G02B 6/12 H01L 21/306 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Masaki Ejima 2-13-1, Isobe, Annaka-shi, Gunma Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Institute of Precision Materials (72) Inventor Kazuo Kamiya Isobe, Gunma Prefecture 2-chome No. 13-1 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Precision Materials Research Laboratory (56) References JP-A-62-187133 (JP, A) JP-A-62-291034 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) C03B 8/04 C03B 19/14 C03B 20/00 C03B 37/00-37/16 G02B 6/12 H01L 21/306

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 テーブル上に載置された基板に酸水素火
炎バーナーから酸化物ガラス微粒子を吹き付け、堆積さ
せると共に、上記基板面以外の不要部分に堆積された酸
化物ガラス微粒子を除去するに際し、上記バーナーにフ
ッ素化合物を供給し、このバーナーよりフッ化水素と水
を含む火炎を上記不要部分に堆積された酸化物ガラス微
粒子に照射することを特徴とする不要酸化物ガラス膜の
除去方法。
1. A method of spraying oxide glass particles from an oxyhydrogen flame burner onto a substrate placed on a table to deposit the oxide glass particles and removing oxide glass particles deposited on an unnecessary portion other than the substrate surface, A method for removing an unnecessary oxide glass film, comprising supplying a fluorine compound to the burner, and irradiating a flame containing hydrogen fluoride and water to the oxide glass fine particles deposited on the unnecessary portion from the burner.
【請求項2】 上記不要部分に堆積された酸化物ガラス
微粒子が100℃以下である状態でフッ化水素と水を含
む火炎を照射した請求項1記載の方法。
2. The method according to claim 1, wherein the oxide glass fine particles deposited on the unnecessary portion are irradiated with a flame containing hydrogen fluoride and water at a temperature of 100 ° C. or lower.
【請求項3】 上記不要部分に堆積された酸化物ガラス
微粒子が、上記テーブル上又は上記バーナーの近傍に配
置されて基板面に堆積されなかった酸化物ガラス微粒子
を吸引除去する排気管内壁に堆積された酸化物微粒子で
ある請求項1又は2記載の方法。
3. The oxide glass fine particles deposited on the unnecessary portion are deposited on the inner wall of an exhaust pipe which is disposed on the table or in the vicinity of the burner and sucks and removes the oxide glass fine particles not deposited on the substrate surface. The method according to claim 1 or 2, wherein the oxide fine particles are formed.
JP7063997A 1997-03-07 1997-03-07 Method of removing unnecessary oxide glass film Expired - Fee Related JP3384274B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7063997A JP3384274B2 (en) 1997-03-07 1997-03-07 Method of removing unnecessary oxide glass film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7063997A JP3384274B2 (en) 1997-03-07 1997-03-07 Method of removing unnecessary oxide glass film

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10251028A JPH10251028A (en) 1998-09-22
JP3384274B2 true JP3384274B2 (en) 2003-03-10

Family

ID=13437430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7063997A Expired - Fee Related JP3384274B2 (en) 1997-03-07 1997-03-07 Method of removing unnecessary oxide glass film

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3384274B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200108168A (en) * 2019-03-07 2020-09-17 김부열 Apparatus for recycling fly ash having glassy membrane removal
US11738375B2 (en) 2017-02-28 2023-08-29 Corning Incorporated Apparatus and method for cleaning edge director

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11738375B2 (en) 2017-02-28 2023-08-29 Corning Incorporated Apparatus and method for cleaning edge director
KR20200108168A (en) * 2019-03-07 2020-09-17 김부열 Apparatus for recycling fly ash having glassy membrane removal
KR102294433B1 (en) * 2019-03-07 2021-08-26 김부열 Apparatus for recycling fly ash having glassy membrane removal

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10251028A (en) 1998-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0941773B1 (en) Process for depositing metallic oxide(s) layers
JP3384274B2 (en) Method of removing unnecessary oxide glass film
JP2002285338A (en) Deposition method for thick dielectric film
KR100509510B1 (en) Fabrication for uniform planar waveguide
JP2003193239A (en) Method and apparatus for depositing glass film
JP2747352B2 (en) Method for forming glass film for optical waveguide and method for manufacturing optical waveguide
JP2000208502A (en) Method and device for manufacturing glass film for optical waveguide
JPH11183745A (en) Apparatus for production of oxide glass film
JPH10324532A (en) Membrane producing device for porously oxidized glass
JP3771034B2 (en) Manufacturing method of optical waveguide
JP3174787B2 (en) Optical CVD equipment
JP7280462B2 (en) Optical waveguide manufacturing method
US20020118942A1 (en) Method for producing an optical waveguide substrate and an optical waveguide substrate
KR100352645B1 (en) Planar silica optical waveguide manufactural method using the High Temperature Substrate and Flame Hydrolysis Deposition method
JP2002275633A (en) Carbon thin film-forming apparatus
JP2004037881A (en) Hydrophilic optical window of optical equipment and its manufacturing method
JPH11231159A (en) Manufacture of optical waveguide
FR2879188A1 (en) METHOD AND INSTALLATION FOR PROCESSING A GLASS SUBSTRATE INCORPORATING A MAGNETRON LINE AND A DEVICE GENERATING ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA.
JPH1164661A (en) Formation of optical waveguide film
JP2992329B2 (en) Method and apparatus for forming glass film for optical waveguide and optical waveguide
JP2001066450A (en) Method for production of glass waveguide
JPH01100272A (en) Photo-cvd apparatus
JPH06174951A (en) Quartz-based glass waveguide and production thereof
KR20000000195A (en) Aerosol Flame Deposition Method for Over-cladding process of Planar Silica Optical Waveguide
JP2001044188A (en) Plasma processor

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees