JP3378583B2 - ガス充填形放電ギャップ - Google Patents
ガス充填形放電ギャップInfo
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- JP3378583B2 JP3378583B2 JP52475597A JP52475597A JP3378583B2 JP 3378583 B2 JP3378583 B2 JP 3378583B2 JP 52475597 A JP52475597 A JP 52475597A JP 52475597 A JP52475597 A JP 52475597A JP 3378583 B2 JP3378583 B2 JP 3378583B2
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- gas
- discharge gap
- electrode activation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
- H01T1/00—Details of spark gaps
- H01T1/20—Means for starting arc or facilitating ignition of spark gap
- H01T1/22—Means for starting arc or facilitating ignition of spark gap by the shape or the composition of the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J17/00—Gas-filled discharge tubes with solid cathode
- H01J17/02—Details
- H01J17/04—Electrodes; Screens
- H01J17/06—Cathodes
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Discharge Lamp (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子デバイスの分野において、少なくとも２
個の電極を有するガスで充填された放電ギャップの形で
使用可能であり、点弧特性を保証するために少なくとも
電極の１つに複数の成分から成る電極活性化コンパウン
ドが施されているデバイスに関する。
個の電極を有するガスで充填された放電ギャップの形で
使用可能であり、点弧特性を保証するために少なくとも
電極の１つに複数の成分から成る電極活性化コンパウン
ドが施されているデバイスに関する。
火花ギャップ又は避雷器のような希ガスで満たされた
放電ギャップにおいて点弧電圧、応答時間、静的応答電
圧及び動的応答電圧、消弧電圧及びグロー燃焼電圧のよ
うなそれぞれ所望の作動挙動を保証するために、電極の
構造形態、ガス充填の方式と圧力及び電極の活性表面に
施された活性化コンパウンドの選択のような種々の措置
を相互に調和させる必要がある。その際一定の点弧率を
形成するためにガラス又はセラミックス絶縁体の内壁に
単数又は複数の点弧片の配置、場合によっては特殊なイ
オン化源の設置が一般的である。例えばセラミックス絶
縁体の端面側に挿入される２つの電極を有する避雷器が
公知であり、それらの互いに向き合う電極表面は活性化
コンパウンドで覆われており、そのコンパウンドは電極
表面のくぼみに配置されている。この内壁にセラミック
絶縁体の軸方向に延びる複数の点弧片が配置されてお
り、それらはいわゆる中心点弧片として直接電極に接続
することなく形成されている（米国特許第4266260号及
びドイツ連邦共和国特許第2828650号明細書）。更にそ
の作動中に外部からの光の影響に対してカプセル化され
た空間に配置されているガスで充填された避雷器では、
絶縁体の内壁に付加的なイオン化源が放射性物質から成
る点状堆積物の形で配置されている。或いは避雷器の充
填ガスは放射性ガスから成っていてもよい（米国特許第
3755715号明細書）。ガス充填形避雷器において暗部内
に極めて僅かな点弧遅延を保証するために付加的イオン
化源としてエレクトロルミネセンス物質を使用すること
が公知であり、これが避雷器の両電極を接続する被覆と
して絶縁体の内壁に施されている（ドイツ連邦共和国特
許第4318944号明細書）。
放電ギャップにおいて点弧電圧、応答時間、静的応答電
圧及び動的応答電圧、消弧電圧及びグロー燃焼電圧のよ
うなそれぞれ所望の作動挙動を保証するために、電極の
構造形態、ガス充填の方式と圧力及び電極の活性表面に
施された活性化コンパウンドの選択のような種々の措置
を相互に調和させる必要がある。その際一定の点弧率を
形成するためにガラス又はセラミックス絶縁体の内壁に
単数又は複数の点弧片の配置、場合によっては特殊なイ
オン化源の設置が一般的である。例えばセラミックス絶
縁体の端面側に挿入される２つの電極を有する避雷器が
公知であり、それらの互いに向き合う電極表面は活性化
コンパウンドで覆われており、そのコンパウンドは電極
表面のくぼみに配置されている。この内壁にセラミック
絶縁体の軸方向に延びる複数の点弧片が配置されてお
り、それらはいわゆる中心点弧片として直接電極に接続
することなく形成されている（米国特許第4266260号及
びドイツ連邦共和国特許第2828650号明細書）。更にそ
の作動中に外部からの光の影響に対してカプセル化され
た空間に配置されているガスで充填された避雷器では、
絶縁体の内壁に付加的なイオン化源が放射性物質から成
る点状堆積物の形で配置されている。或いは避雷器の充
填ガスは放射性ガスから成っていてもよい（米国特許第
3755715号明細書）。ガス充填形避雷器において暗部内
に極めて僅かな点弧遅延を保証するために付加的イオン
化源としてエレクトロルミネセンス物質を使用すること
が公知であり、これが避雷器の両電極を接続する被覆と
して絶縁体の内壁に施されている（ドイツ連邦共和国特
許第4318944号明細書）。
請求項１の上位概念の特徴を有する火花ギャップ又は
避雷器のようなガス充填形放電ギャップから出発して、
本発明の課題は付加的イオン化源を使用することなく暗
部の点弧遅延が極めて僅かな放電ギャップを形成するこ
とにある。
避雷器のようなガス充填形放電ギャップから出発して、
本発明の課題は付加的イオン化源を使用することなく暗
部の点弧遅延が極めて僅かな放電ギャップを形成するこ
とにある。
この課題を解決するために本発明によれば、避雷器の
電極の少なくとも１つに施される複数の成分から成る電
極活性化コンパウンドは、約30〜60重量％の量の単数又
は複数のアルカリ−又はアルカリ土類ハロゲン化物及び
／又はケイ酸ナトリウム及び／又はケイ酸カリウムの形
の通常の基本成分の他に、別の成分としてバリウム化合
物及びチタン、ハフニウム、ジルコニウム、バナジウ
ム、ニオブ又はクロムのようないわゆる遷移金属を金属
の形でそれぞれ５〜25重量％、及びセシウム及びタング
ステン、クロム、モリブデン、ニオブ又はバナジウムの
ようないわゆる遷移金属から成る酸化物化合物、即ちタ
ングステン酸セシウム（Cs2WO4）、クロム酸セシウム
（Cs2Cr2O7、モリブデン酸セシウム（CsMoO4）、ニオブ
酸セシウム（CsNbO3）又はバナジウム酸セシウム（CsVO
3）を同様に約５〜25重量％の量で含んでいる。
電極の少なくとも１つに施される複数の成分から成る電
極活性化コンパウンドは、約30〜60重量％の量の単数又
は複数のアルカリ−又はアルカリ土類ハロゲン化物及び
／又はケイ酸ナトリウム及び／又はケイ酸カリウムの形
の通常の基本成分の他に、別の成分としてバリウム化合
物及びチタン、ハフニウム、ジルコニウム、バナジウ
ム、ニオブ又はクロムのようないわゆる遷移金属を金属
の形でそれぞれ５〜25重量％、及びセシウム及びタング
ステン、クロム、モリブデン、ニオブ又はバナジウムの
ようないわゆる遷移金属から成る酸化物化合物、即ちタ
ングステン酸セシウム（Cs2WO4）、クロム酸セシウム
（Cs2Cr2O7、モリブデン酸セシウム（CsMoO4）、ニオブ
酸セシウム（CsNbO3）又はバナジウム酸セシウム（CsVO
3）を同様に約５〜25重量％の量で含んでいる。
本発明による組成の活性化コンパウンドを使用する場
合、第１の点弧の点弧電圧は放電ギャップの24時間の暗
貯蔵後このような放電ギャップのユーザにより要求され
る帯域幅以内にあり、特に第２の点弧値の点弧電圧から
10〜15％以上逸れることはない。本発明の枠内で行われ
るタングステン酸セシウム又は他のセシウム化合物を活
性化コンパウンドの付加的成分として使用することは、
更に極めて良好な放電ギャップの消弧特性及び安定な電
気特性を一層長い暗貯蔵後及び電気負荷の後にも保証す
る。この場合の電気特性は特に定格誘導サージ電流及び
定格誘導交流及び寿命負荷である。
合、第１の点弧の点弧電圧は放電ギャップの24時間の暗
貯蔵後このような放電ギャップのユーザにより要求され
る帯域幅以内にあり、特に第２の点弧値の点弧電圧から
10〜15％以上逸れることはない。本発明の枠内で行われ
るタングステン酸セシウム又は他のセシウム化合物を活
性化コンパウンドの付加的成分として使用することは、
更に極めて良好な放電ギャップの消弧特性及び安定な電
気特性を一層長い暗貯蔵後及び電気負荷の後にも保証す
る。この場合の電気特性は特に定格誘導サージ電流及び
定格誘導交流及び寿命負荷である。
本発明により達成される利点は特に、電極活性化コン
パウンドの成分中にバリウム化合物、有利にはバリウム
−アルミニウム合金（BaAl4）、及びチタン、ハフニウ
ム、ジルコニウム、バナジウム、ニオブ又はクロムのよ
うな金属の形のいわゆる遷移金属が用いられることにり
生じる。その際バリウム−アルミニウム及び金属のチタ
ンを活性化コンパウンドの成分として使用することはそ
れ自体公知であり（ドイツ連邦共和国特許第2619866号
明細書）、同様にまた単数又は複数のアルカリ−又はア
ルカリ土類ハロゲン化物及び／又はケイ酸ナトリウム及
び／又はケイ酸カリウムの形の基本成分の使用も公知で
ある（ドイツ連邦共和国特許第2619860号、同第3723571
号、同第2735865号明細書）。更にセシウム及びジルコ
ニウム、タングステン、タンタル及びモリブデンのよう
な遷移金属から成る酸化物化合物を放電ランプの発光物
質としてランプの全耐用期間中の破壊電圧及び動作電圧
を僅かにするために使用することは公知である。その際
酸化物化合物は高溶融金属から成る焼結体の孔中に分散
される。別の発光物質としてアルミナ酸バリウム又はタ
ングステン酸バリウムを使用してもよい（ドイツ連邦共
和国特許第3008518号明細書）。
パウンドの成分中にバリウム化合物、有利にはバリウム
−アルミニウム合金（BaAl4）、及びチタン、ハフニウ
ム、ジルコニウム、バナジウム、ニオブ又はクロムのよ
うな金属の形のいわゆる遷移金属が用いられることにり
生じる。その際バリウム−アルミニウム及び金属のチタ
ンを活性化コンパウンドの成分として使用することはそ
れ自体公知であり（ドイツ連邦共和国特許第2619866号
明細書）、同様にまた単数又は複数のアルカリ−又はア
ルカリ土類ハロゲン化物及び／又はケイ酸ナトリウム及
び／又はケイ酸カリウムの形の基本成分の使用も公知で
ある（ドイツ連邦共和国特許第2619860号、同第3723571
号、同第2735865号明細書）。更にセシウム及びジルコ
ニウム、タングステン、タンタル及びモリブデンのよう
な遷移金属から成る酸化物化合物を放電ランプの発光物
質としてランプの全耐用期間中の破壊電圧及び動作電圧
を僅かにするために使用することは公知である。その際
酸化物化合物は高溶融金属から成る焼結体の孔中に分散
される。別の発光物質としてアルミナ酸バリウム又はタ
ングステン酸バリウムを使用してもよい（ドイツ連邦共
和国特許第3008518号明細書）。
本発明の実施例を以下に説明する。
ドイツ連邦共和国特許第4318944号明細書の図１に示
すようにセラミックス絶縁材及び端面に挿入された２つ
の電極から成るガス充填形避雷器において、電極のワッ
フル格子の表面に基本成分として50重量％の量の塩化カ
リウム、17重量％の量の金属のチタン、17重量％の量の
バリウム−アルミニウム化合物及び16重量％の量のセシ
ウム−タングステン酸塩を含んでいる活性化コンパウン
ドが入れられる。更に活性化コンパウンドはセシウム及
び使用される遷移金属の酸化物、即ちセシウム酸化物、
チタン酸化物及びタングステン酸化物のの少量の成分を
含むことができる。
すようにセラミックス絶縁材及び端面に挿入された２つ
の電極から成るガス充填形避雷器において、電極のワッ
フル格子の表面に基本成分として50重量％の量の塩化カ
リウム、17重量％の量の金属のチタン、17重量％の量の
バリウム−アルミニウム化合物及び16重量％の量のセシ
ウム−タングステン酸塩を含んでいる活性化コンパウン
ドが入れられる。更に活性化コンパウンドはセシウム及
び使用される遷移金属の酸化物、即ちセシウム酸化物、
チタン酸化物及びタングステン酸化物のの少量の成分を
含むことができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭55−121260（ＪＰ，Ａ)
特公 平４−38111（ＪＰ，Ｂ２)
特表 平８−506449（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01T 1/22
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも２個の電極及び該電極の少なく
とも１つに施された複数の成分から成る電極活性化コン
パウンドを有するガス充填形放電ギャップにおいて、 電極活性化コンパウンドが基本成分として単数又は複数
のアルカリハロゲン化物及び／又はケイ酸ナトリウム及
び／又はケイ酸カリウムを30〜60重量％の量で含んでお
り、 またこの電極活性化コンパウンドが別の成分としてバリ
ウム化合物及び遷移金属、即ちチタン、ハフニウム、ジ
ルコニウム、バナジウム、ニオブ又はクロムを金属の形
でそれぞれ５〜25重量％の量で、また遷移金属、即ちセ
シウム及びタングステン、クロム、モリブデン、ニオブ
又はバナジウムの酸化物化合物、即ちタングステン酸セ
シウム（Cs2WO4）、クロム酸セシウム（Cs2Cr2O7又はCs
2CrO4）、モリブデン酸セシウム（CsMoO4）、ニオブ酸
セシウム（CsNbO3）又はバナジウム酸セシウム（CsV
O3）を５〜25重量％の量で含んでいる ガス充填形放電ギャップ。 - 【請求項２】少なくとも２個の電極及び該電極の少なく
とも１つに施された複数の成分から成る電極活性化コン
パウンドを有するガス充電形放電ギャップにおいて、 電極活性化コンパウンドが基本成分として単数又は複数
のアルカリ土類ハロゲン化物、又は前記アルカリ土類ハ
ロゲン化物とケイ酸ナトリウム、又は前記アルカリ土類
ハロゲン化物とケイ酸カリウム、又は前記アルカリ土類
ハロゲン化物とケイ酸ナトリウムとケイ酸カリウムとを
30〜60重量％の量で含んでおり、 またこの電極活性化コンパウンドが別の成分としてバリ
ウム化合物（ハロゲン化物を除く）及び遷移金属、即ち
チタン、ハフニウム、ジルコニウム、バナジウム、ニオ
ブ又はクロムを金属の形でそれぞれ５〜25重量％の量
で、また遷移金属、即ちセシウム及びタングステン、ク
ロム、モリブデン、ニオブ又はバナジウムの酸化物化合
物、即ちタングステン酸セシウム（Cs2WO4）、クロム酸
セシウム（Cs2Cr2O7又はCs2CrO4）、モリブデン酸セシ
ウム（CsMoO4）、ニオブ酸セシウム（CsNbO3）又はバナ
ジウム酸セシウム（CsVO3）を５〜25重量％の量で含ん
でいる ガス充填形放電ギャップ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19601928.1 | 1996-01-12 | ||
| DE19601928 | 1996-01-12 | ||
| PCT/DE1997/000055 WO1997025760A1 (de) | 1996-01-12 | 1997-01-08 | Gasgefüllte entladungsstrecke |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11506262A JPH11506262A (ja) | 1999-06-02 |
| JP3378583B2 true JP3378583B2 (ja) | 2003-02-17 |
Family
ID=7783214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52475597A Expired - Lifetime JP3378583B2 (ja) | 1996-01-12 | 1997-01-08 | ガス充填形放電ギャップ |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5995355A (ja) |
| JP (1) | JP3378583B2 (ja) |
| KR (1) | KR100410817B1 (ja) |
| CN (1) | CN1049767C (ja) |
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| DE (1) | DE19701816B4 (ja) |
| FR (1) | FR2743672B1 (ja) |
| IN (1) | IN190707B (ja) |
| WO (1) | WO1997025760A1 (ja) |
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| DE19814631A1 (de) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Siemens Ag | Gasgefüllte Entladungsstrecke |
| DE19852639B4 (de) * | 1998-11-14 | 2004-10-07 | Daimlerchrysler Ag | Stromabnehmer |
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| US7336472B2 (en) * | 2004-09-30 | 2008-02-26 | Taser International, Inc. | Systems and methods for illuminating a spark gap in an electric discharge weapon |
| DE102005013499A1 (de) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Epcos Ag | Gasgefüllte Entladungsstrecke |
| DE102008044845B4 (de) * | 2008-08-28 | 2015-04-09 | Epcos Ag | Bias-Netzwerk |
| SI23691A (sl) | 2011-03-21 | 2012-09-28 | ISKRA ZAŠČITE d.o.o. | Plinski odvodnik s kovinskim ohišjem za visokotokovne udare |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| GB937391A (en) * | 1962-02-14 | 1963-09-18 | Mullard Ltd | Cold-cathode glow-discharge tubes |
| US3942161A (en) * | 1972-06-28 | 1976-03-02 | Owens-Illinois, Inc. | Selective control of discharge position in gas discharge display/memory device |
| US3755715A (en) * | 1972-10-11 | 1973-08-28 | Reliable Electric Co | Line protector having arrester and fail-safe circuit bypassing the arrester |
| DE2619866C3 (de) * | 1976-05-05 | 1979-10-31 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Gasentladungsröhre, insbesondere Überspannungsableiter |
| DE2735865C3 (de) * | 1977-08-09 | 1980-10-16 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Gasentladungs-Überspannungsableiter |
| DE2828650C3 (de) * | 1978-06-29 | 1982-03-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Überspannungsableiter |
| US4275330A (en) * | 1979-03-08 | 1981-06-23 | General Electric Company | Electric discharge lamp having a cathode with cesium metal oxide |
| DE3207663A1 (de) * | 1982-03-03 | 1983-09-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Ueberspannungsableiter mit einem gasgefuellten gehaeuse |
| DE3723571C2 (de) * | 1987-07-16 | 1995-05-04 | Siemens Ag | Hochspannungsfunkenstrecke |
| JPH0684579A (ja) * | 1991-12-26 | 1994-03-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | ガスチューブ保護装置 |
| JPH06231727A (ja) * | 1993-02-03 | 1994-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 閃光放電管用陰極材及びその製造方法 |
| DE4318994C2 (de) * | 1993-05-26 | 1995-04-20 | Siemens Ag | Gasgefüllter Überspannungsableiter |
| JPH0757692A (ja) * | 1993-08-16 | 1995-03-03 | Noritake Co Ltd | 放電管 |
-
1996
- 1996-12-14 CH CH03071/96A patent/CH691245A5/de not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-01-08 KR KR10-1998-0705227A patent/KR100410817B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-01-08 JP JP52475597A patent/JP3378583B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-08 US US09/101,603 patent/US5995355A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-08 CN CN97191677A patent/CN1049767C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-08 WO PCT/DE1997/000055 patent/WO1997025760A1/de active IP Right Grant
- 1997-01-09 IN IN44CA1997 patent/IN190707B/en unknown
- 1997-01-09 FR FR9700144A patent/FR2743672B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-10 DE DE19701816A patent/DE19701816B4/de not_active Expired - Lifetime
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