JP3366548B2 - イオントフォレーシス用デバイス構造体及びその製造方法 - Google Patents
イオントフォレーシス用デバイス構造体及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、経皮又経粘膜薬
剤投与に使用されるイオントフォレーシス用デバイス構
造体及びその製造方法に関する。
剤投与に使用されるイオントフォレーシス用デバイス構
造体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、哺乳類、特に人間の皮膚や粘膜か
ら薬物を吸収させる場合、経口投与と比べ、投与の簡便
さ、血中濃度の維持、消化管に対する薬物の副作用を回
避することができる等の利点を有するため経皮又は経粘
膜投与用の製剤が積極的に研究されている。なかでも、
薬物の経皮又は経粘膜吸収を促進する効果的な局所投与
方法としてイオントフォレーシスが注目されている。イ
オントフォレーシスは薬物の物理的吸収促進方法の一種
であって、皮膚または粘膜に電圧を印加し、電気的に薬
物を泳動させ、皮膚または粘膜から薬物を投与するもの
である。イオントフォレーシス装置は大きく分けて、電
流を発生させる電源装置部と、皮膚や粘膜に貼付するた
めの電極層を含むイオントフォレーシス用デバイス構造
体からなる。通常、イオントフォレーシス用デバイス構
造体は薬物を含むドナー電極と参照電極との２つに分け
られる。イオントフォレーシスはこれら電源部、イオン
トフォレーシス用デバイス構造体、生体で１つの電気回
路を形成し、この回路に電流を流し、電気的駆動力によ
り皮膚や粘膜から薬物を投与させるものである。イオン
トフォレーシス用デバイス構造体の電極層と電源部との
接続方法として、特表平３−５０４３４３号公報や特開
平８−１９６６４４号公報に開示されているようなスナ
ップ型の突起端子が使用されている。
ら薬物を吸収させる場合、経口投与と比べ、投与の簡便
さ、血中濃度の維持、消化管に対する薬物の副作用を回
避することができる等の利点を有するため経皮又は経粘
膜投与用の製剤が積極的に研究されている。なかでも、
薬物の経皮又は経粘膜吸収を促進する効果的な局所投与
方法としてイオントフォレーシスが注目されている。イ
オントフォレーシスは薬物の物理的吸収促進方法の一種
であって、皮膚または粘膜に電圧を印加し、電気的に薬
物を泳動させ、皮膚または粘膜から薬物を投与するもの
である。イオントフォレーシス装置は大きく分けて、電
流を発生させる電源装置部と、皮膚や粘膜に貼付するた
めの電極層を含むイオントフォレーシス用デバイス構造
体からなる。通常、イオントフォレーシス用デバイス構
造体は薬物を含むドナー電極と参照電極との２つに分け
られる。イオントフォレーシスはこれら電源部、イオン
トフォレーシス用デバイス構造体、生体で１つの電気回
路を形成し、この回路に電流を流し、電気的駆動力によ
り皮膚や粘膜から薬物を投与させるものである。イオン
トフォレーシス用デバイス構造体の電極層と電源部との
接続方法として、特表平３−５０４３４３号公報や特開
平８−１９６６４４号公報に開示されているようなスナ
ップ型の突起端子が使用されている。
【０００３】次に従来のイオントフォレーシス用デバイ
ス構造体について、以下図面を用いて説明する。図７は
従来のイオントフォレーシス用デバイス構造体の断面模
式図であり、図８は他の従来例のイオントフォレーシス
用デバイス構造体の断面模式図である。２０は従来のイ
オントフォレーシス用デバイス構造体、２１はカップ状
に形成された支持体、２２は支持体２１の凹部に嵌装さ
れた電解質層、２３、２４はスナップ型の突起端子、２
５は突起端子２４と電気的に結線された電極層、２６は
支持体２１の凹部の開口部の周囲の外縁部に剥離自在に
積層されるセパレータである。以上のように構成された
従来のイオントフォレーシス用デバイス構造体につい
て、以下その通電方法を説明する。図７に記載のもの
は、突起端子２３の下部の平板部を電解質層２２に接触
させて電極層として用い突起部を外部電源と接続して通
電する。図８に記載のものは、突起端子２４の底面を別
途配設した電極層２５に接触させて電気的に結線し突起
部を外部電極と接続して広い面積を有する電極層２５を
介して通電する。
ス構造体について、以下図面を用いて説明する。図７は
従来のイオントフォレーシス用デバイス構造体の断面模
式図であり、図８は他の従来例のイオントフォレーシス
用デバイス構造体の断面模式図である。２０は従来のイ
オントフォレーシス用デバイス構造体、２１はカップ状
に形成された支持体、２２は支持体２１の凹部に嵌装さ
れた電解質層、２３、２４はスナップ型の突起端子、２
５は突起端子２４と電気的に結線された電極層、２６は
支持体２１の凹部の開口部の周囲の外縁部に剥離自在に
積層されるセパレータである。以上のように構成された
従来のイオントフォレーシス用デバイス構造体につい
て、以下その通電方法を説明する。図７に記載のもの
は、突起端子２３の下部の平板部を電解質層２２に接触
させて電極層として用い突起部を外部電源と接続して通
電する。図８に記載のものは、突起端子２４の底面を別
途配設した電極層２５に接触させて電気的に結線し突起
部を外部電極と接続して広い面積を有する電極層２５を
介して通電する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のイオントフォレーシス用デバイス構造体では、以下の
課題を有していた。すなわち、 （１）突起端子をカップ状の支持体の凹部の底部から突
起部を突出させるため突起端子の挿通孔部を形成しなけ
ればならず、また、突起端子の固定には鍔部と呼ばれる
固定リングを係合させねばならず、多大の作業工数を要
すとともに、生産性に欠け大量生産がしづらく原価が上
がるという課題を有していた。 （２）また、挿通孔部から電解質層の電解質や水等の溶
媒の漏洩が生じ品質を劣化させ製品収率を下げるという
課題があった。 （３）スナップ型の突起端子は、柔軟性のない凸型端子
を用いるため、図７のような構造では凸型端子と電解質
層との接触を増やすため端子の下面部分の面積を広くと
ると人体に張り付けた時の追従性が低下し、また逆に端
子の下面部を小さくすると端子下端から直下電流が流
れ、人体に電気的刺激が発生する危険性が高く安全性に
欠けるという課題があった。 （４）図８のように別途電極層を設けたものでは、複雑
な凸型端子の組み込み工程の他に電極層の組み込み工程
が必要で作業性に欠け生産性に劣り原価が上がるという
課題があった。 （５）また、凸型端子の材質としては、ＡＢＳ樹脂に銀
や塩化銀を蒸着したもの、或いは、亜鉛にニッケルメッ
キを施したものなどがあるが、ＡＢＳ樹脂では、凸型端
子に強度を持たすために端子に一定の厚みを持たす必要
があり、端子下部の厚みを薄くすることには限界があ
る。また、亜鉛にニッケルメッキ等を施したものについ
ては、通電による電解反応で亜鉛或いはニッケル等が溶
出するという問題があり、安全性に欠けるという課題が
あった。 （６）突起端子に外部電源と接続する際に、突起端子を
押しすぎて、イオントフォレーシス用デバイス構造体を
破壊し電解質層等の内容物が洩れるという課題があっ
た。 （７）突起端子の外周が丸いので外部電源の通電の際、
コネクターが外れ易いという課題があった。
のイオントフォレーシス用デバイス構造体では、以下の
課題を有していた。すなわち、 （１）突起端子をカップ状の支持体の凹部の底部から突
起部を突出させるため突起端子の挿通孔部を形成しなけ
ればならず、また、突起端子の固定には鍔部と呼ばれる
固定リングを係合させねばならず、多大の作業工数を要
すとともに、生産性に欠け大量生産がしづらく原価が上
がるという課題を有していた。 （２）また、挿通孔部から電解質層の電解質や水等の溶
媒の漏洩が生じ品質を劣化させ製品収率を下げるという
課題があった。 （３）スナップ型の突起端子は、柔軟性のない凸型端子
を用いるため、図７のような構造では凸型端子と電解質
層との接触を増やすため端子の下面部分の面積を広くと
ると人体に張り付けた時の追従性が低下し、また逆に端
子の下面部を小さくすると端子下端から直下電流が流
れ、人体に電気的刺激が発生する危険性が高く安全性に
欠けるという課題があった。 （４）図８のように別途電極層を設けたものでは、複雑
な凸型端子の組み込み工程の他に電極層の組み込み工程
が必要で作業性に欠け生産性に劣り原価が上がるという
課題があった。 （５）また、凸型端子の材質としては、ＡＢＳ樹脂に銀
や塩化銀を蒸着したもの、或いは、亜鉛にニッケルメッ
キを施したものなどがあるが、ＡＢＳ樹脂では、凸型端
子に強度を持たすために端子に一定の厚みを持たす必要
があり、端子下部の厚みを薄くすることには限界があ
る。また、亜鉛にニッケルメッキ等を施したものについ
ては、通電による電解反応で亜鉛或いはニッケル等が溶
出するという問題があり、安全性に欠けるという課題が
あった。 （６）突起端子に外部電源と接続する際に、突起端子を
押しすぎて、イオントフォレーシス用デバイス構造体を
破壊し電解質層等の内容物が洩れるという課題があっ
た。 （７）突起端子の外周が丸いので外部電源の通電の際、
コネクターが外れ易いという課題があった。
【０００５】本発明は上記課題を解決するもので、貼付
部位への追従性に優れるとともに安全性が極めて高く、
高品質で製品得率が高く、少ない生産工数で作業性に優
れ高い生産性で低原価で量産できるイオントフォレーシ
ス用デバイス構造体及びその製造方法を提供することを
目的とする。
部位への追従性に優れるとともに安全性が極めて高く、
高品質で製品得率が高く、少ない生産工数で作業性に優
れ高い生産性で低原価で量産できるイオントフォレーシ
ス用デバイス構造体及びその製造方法を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、以下の構成を有している。本発明の請求項
１に記載のイオントフォレーシス用デバイス構造体は、
フィルム状の材料で加工若しくは成型された凹部を有し
たカップ状の支持体と、前記凹部に形成された１以上の
通電孔部と、前記凹部の外周面の平面部に積層される電
極層と、前記凹部内に嵌装される電解質層と、を備えた
構成を有している。この構成により、支持体の凹部の外
周面の平面部に外部から電極層を固定するので、簡単に
製造でき作業性を著しく向上できるとともに、生産性を
上げ低原価で量産できる。更に凹部の外周面平面部と電
極層との密着性を著しく向上させ電解質層等の溶媒の漏
洩を防止できる。ここで、支持体としては、電解質層を
保持するためのものであり、加工性、柔軟性かつ適度な
保形成、及び水保持性に優れた材料であればよく、例え
ば、塩化ビニリデン、塩化ビニル等の重合体である塩素
含有樹脂，オレフィン系，エステル系，スチレン系，ア
クリル系，アミド系，オキシメチレン系，フェニレンス
ルフィド系，アミドイミド系，アクリロニトリル系，エ
ーテルケトン，エーテルスルホン，スルホン，エーテル
イミド，ブタジエン，イソプレン等の高分子重合体やこ
れらの共重合体が挙げられるがこれに限定されるもので
はなく上記作用を有するものであれば足りる。上記材料
をフィルム状にした後、加工したものや、成型品が用い
られる。厚さには特に限定はないが、５〜２５０μｍの
厚さにすると保形性，柔軟性に優れているので好まし
い。電解質層としては、人体の皮膚あるいは粘膜などに
直接接触することで、電源部からの電流を人体に供給す
る電解質を含む導電層であり、不織布に電解質溶液を含
浸したものあるいは、電解質溶液を寒天などの多糖類で
ゲル化させたもの、合成高分子を用いてゲル化させたも
のなどが好適に用いられる。
するために、以下の構成を有している。本発明の請求項
１に記載のイオントフォレーシス用デバイス構造体は、
フィルム状の材料で加工若しくは成型された凹部を有し
たカップ状の支持体と、前記凹部に形成された１以上の
通電孔部と、前記凹部の外周面の平面部に積層される電
極層と、前記凹部内に嵌装される電解質層と、を備えた
構成を有している。この構成により、支持体の凹部の外
周面の平面部に外部から電極層を固定するので、簡単に
製造でき作業性を著しく向上できるとともに、生産性を
上げ低原価で量産できる。更に凹部の外周面平面部と電
極層との密着性を著しく向上させ電解質層等の溶媒の漏
洩を防止できる。ここで、支持体としては、電解質層を
保持するためのものであり、加工性、柔軟性かつ適度な
保形成、及び水保持性に優れた材料であればよく、例え
ば、塩化ビニリデン、塩化ビニル等の重合体である塩素
含有樹脂，オレフィン系，エステル系，スチレン系，ア
クリル系，アミド系，オキシメチレン系，フェニレンス
ルフィド系，アミドイミド系，アクリロニトリル系，エ
ーテルケトン，エーテルスルホン，スルホン，エーテル
イミド，ブタジエン，イソプレン等の高分子重合体やこ
れらの共重合体が挙げられるがこれに限定されるもので
はなく上記作用を有するものであれば足りる。上記材料
をフィルム状にした後、加工したものや、成型品が用い
られる。厚さには特に限定はないが、５〜２５０μｍの
厚さにすると保形性，柔軟性に優れているので好まし
い。電解質層としては、人体の皮膚あるいは粘膜などに
直接接触することで、電源部からの電流を人体に供給す
る電解質を含む導電層であり、不織布に電解質溶液を含
浸したものあるいは、電解質溶液を寒天などの多糖類で
ゲル化させたもの、合成高分子を用いてゲル化させたも
のなどが好適に用いられる。
【０００７】本発明の請求項２に記載のイオントフォレ
ーシス用デバイス構造体は、請求項１において、前記電
極層が、熱可塑性合成樹脂フィルム若しくはシートで形
成された電極層基材と、前記電極層基材の一面に形成さ
れた導電層と、を備えた構成を有している。この構成に
より、電極層が柔軟なので軟質な支持体と相まって貼付
部位の形状に沿って追従することができる。また、電極
層が成形の容易な合成樹脂製なので、生産工数が少なく
生産性を上げることができる。という作用を有する。電
極層基材は、下面に導電層を備えた基材シートであり、
円形に限らず、楕円形、正方形、長方形など所望の形状
とすることができ、また、電極端子部の形状においても
同様に所望の形状とすることができる他、必要に応じて
端子にコネクタ固定用の抜き穴を設けることでコネクタ
等との固定をより安定なものにすることができる。電極
層基材の材質としては、支持体と同様の材料が用いられ
る。支持体と同一の合成樹脂を用いた場合密接にヒート
シールすることができるので好ましい。また、導電層の
位置や材質により種類の異なる合成樹脂を用いてもよ
い。導電層の材質としては、金属箔，カーボン箔等を用
いても良いが、好ましくは導電性インクペーストを直
接，高分子シートに印刷することが望ましい。これら導
電性インクペーストの材料としては例えば分極性の電極
材質としてカーボン粉やグラファイト粉を混合した樹脂
塗料，非分極性の材質としては陽極は例えば銀、銅をベ
ースとするもの，陰極には例えば銀／塩化銀，銅／塩化
銅を混合した樹脂塗料が挙げられるが、ｐＨ変動及び水
の電気分解に伴う気泡の発生等のない非分極性の材質が
特に好適に用いられる。
ーシス用デバイス構造体は、請求項１において、前記電
極層が、熱可塑性合成樹脂フィルム若しくはシートで形
成された電極層基材と、前記電極層基材の一面に形成さ
れた導電層と、を備えた構成を有している。この構成に
より、電極層が柔軟なので軟質な支持体と相まって貼付
部位の形状に沿って追従することができる。また、電極
層が成形の容易な合成樹脂製なので、生産工数が少なく
生産性を上げることができる。という作用を有する。電
極層基材は、下面に導電層を備えた基材シートであり、
円形に限らず、楕円形、正方形、長方形など所望の形状
とすることができ、また、電極端子部の形状においても
同様に所望の形状とすることができる他、必要に応じて
端子にコネクタ固定用の抜き穴を設けることでコネクタ
等との固定をより安定なものにすることができる。電極
層基材の材質としては、支持体と同様の材料が用いられ
る。支持体と同一の合成樹脂を用いた場合密接にヒート
シールすることができるので好ましい。また、導電層の
位置や材質により種類の異なる合成樹脂を用いてもよ
い。導電層の材質としては、金属箔，カーボン箔等を用
いても良いが、好ましくは導電性インクペーストを直
接，高分子シートに印刷することが望ましい。これら導
電性インクペーストの材料としては例えば分極性の電極
材質としてカーボン粉やグラファイト粉を混合した樹脂
塗料，非分極性の材質としては陽極は例えば銀、銅をベ
ースとするもの，陰極には例えば銀／塩化銀，銅／塩化
銅を混合した樹脂塗料が挙げられるが、ｐＨ変動及び水
の電気分解に伴う気泡の発生等のない非分極性の材質が
特に好適に用いられる。
【０００８】本発明の請求項３に記載のイオントフォレ
ーシス用デバイス構造体は、請求項１又は２において、
前記電極層が接着剤層を介して前記平面部に積層されて
いる構成を有している。この構成により、電極層を接着
剤で平面部の表面に接着するだけで固定でき、かつ、支
持体の外部から接着するので接着剤の塗布洩れが防止で
き確実に電極層を固定できる。電極層とカップ支持体と
が完全に接着されるため、内容物の漏洩や揮散を確実に
防止できる。構造体全体が柔軟性を有するので、使用感
に優れ、また大量生産に適したライン化が容易に構築で
きるという作用を有する。本発明の請求項４に記載のイ
オントフォレーシス用デバイス構造体は、請求項３にお
いて、前記接着剤層の接着剤がアクリル系，シリコン
系，ゴム系の感圧接着剤若しくはポリオレフィン又はそ
のエステル等からなるヒートシール剤の内１種以上から
なる構成を有している。この構成により、接着剤が接着
剤として汎用されており、高い粘着力を有するアクリル
系，ゲル内容物に腐食されにくいシリコン系，安価なゴ
ム系の感圧接着剤やポリオレフィンおよびそのエステル
体のヒートシール剤が用いられる。イオントフォレーシ
ス用デバイス構造体の大小や用途により適宜使い分ける
ことができる。また、接着剤により電極層と支持体の平
面部を完全にシールすることにより水密的に固定できる
という作用を有する。電極層とカップの接着にヒートシ
ールを行う場合、そのヒートシール温度としては上記高
分子フィルムの溶融点にもよるが、１００〜２５０℃，
好ましくは１２０〜２００℃がよい。ヒートシール温度
が２００℃以上になるにつれ電極層にヒビ割れ等を生じ
易い傾向があり、また、１２０°よりも低くなるにつれ
ヒートシールに長時間を要し作業性を低下させる傾向が
認められるのでいずれも好ましくない。本発明の請求項
５に記載のイオントフォレーシス用デバイス構造体は、
請求項１乃至４の内いずれか１項において、前記電極層
が、外部電源からの通電用の結線部を有し、前記結線部
が前記電極層の外周に膨出状に形成された耳部若しくは
前記支持体の前記凹部の外周の高さ方向に平行に形成さ
れた窪部と前記窪部の上に露出した前記電極層の露出電
極層である構成を有している。この構成により、製剤の
投与時に耳部を備えているので外部電源と簡単に接続す
ることができるという作用を有する。ここで、結線部の
耳部や露出電極層の大きさとしては、各種コネクターと
電気的に接続できる大きさと長さであればよく、また、
コネクターの抜け落ちを防止するため、端部を肉厚にし
たコネクターの掛止部を設けてもよい。更に耳部や露出
電極層にコネクターと結線用の穴部を穿孔してもよい。
本発明の請求項６に記載のイオントフォレーシス用デバ
イス構造体の製造方法は、電極層基材形成材料の上に導
電層を形成する導電層形成工程と、前記工程で形成され
た前記導電層の外周囲に支持体の平面部と略同一幅にな
るように接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、前記
工程で接着剤層が形成された電極層基材形成材料を電極
層と耳部の幅を残して裁断する裁断工程と、前記工程で
裁断された電極層基材形成材料の前記接着剤層を前記支
持体の前記平面部に積層する積層工程と、を備えた構成
を有している。
ーシス用デバイス構造体は、請求項１又は２において、
前記電極層が接着剤層を介して前記平面部に積層されて
いる構成を有している。この構成により、電極層を接着
剤で平面部の表面に接着するだけで固定でき、かつ、支
持体の外部から接着するので接着剤の塗布洩れが防止で
き確実に電極層を固定できる。電極層とカップ支持体と
が完全に接着されるため、内容物の漏洩や揮散を確実に
防止できる。構造体全体が柔軟性を有するので、使用感
に優れ、また大量生産に適したライン化が容易に構築で
きるという作用を有する。本発明の請求項４に記載のイ
オントフォレーシス用デバイス構造体は、請求項３にお
いて、前記接着剤層の接着剤がアクリル系，シリコン
系，ゴム系の感圧接着剤若しくはポリオレフィン又はそ
のエステル等からなるヒートシール剤の内１種以上から
なる構成を有している。この構成により、接着剤が接着
剤として汎用されており、高い粘着力を有するアクリル
系，ゲル内容物に腐食されにくいシリコン系，安価なゴ
ム系の感圧接着剤やポリオレフィンおよびそのエステル
体のヒートシール剤が用いられる。イオントフォレーシ
ス用デバイス構造体の大小や用途により適宜使い分ける
ことができる。また、接着剤により電極層と支持体の平
面部を完全にシールすることにより水密的に固定できる
という作用を有する。電極層とカップの接着にヒートシ
ールを行う場合、そのヒートシール温度としては上記高
分子フィルムの溶融点にもよるが、１００〜２５０℃，
好ましくは１２０〜２００℃がよい。ヒートシール温度
が２００℃以上になるにつれ電極層にヒビ割れ等を生じ
易い傾向があり、また、１２０°よりも低くなるにつれ
ヒートシールに長時間を要し作業性を低下させる傾向が
認められるのでいずれも好ましくない。本発明の請求項
５に記載のイオントフォレーシス用デバイス構造体は、
請求項１乃至４の内いずれか１項において、前記電極層
が、外部電源からの通電用の結線部を有し、前記結線部
が前記電極層の外周に膨出状に形成された耳部若しくは
前記支持体の前記凹部の外周の高さ方向に平行に形成さ
れた窪部と前記窪部の上に露出した前記電極層の露出電
極層である構成を有している。この構成により、製剤の
投与時に耳部を備えているので外部電源と簡単に接続す
ることができるという作用を有する。ここで、結線部の
耳部や露出電極層の大きさとしては、各種コネクターと
電気的に接続できる大きさと長さであればよく、また、
コネクターの抜け落ちを防止するため、端部を肉厚にし
たコネクターの掛止部を設けてもよい。更に耳部や露出
電極層にコネクターと結線用の穴部を穿孔してもよい。
本発明の請求項６に記載のイオントフォレーシス用デバ
イス構造体の製造方法は、電極層基材形成材料の上に導
電層を形成する導電層形成工程と、前記工程で形成され
た前記導電層の外周囲に支持体の平面部と略同一幅にな
るように接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、前記
工程で接着剤層が形成された電極層基材形成材料を電極
層と耳部の幅を残して裁断する裁断工程と、前記工程で
裁断された電極層基材形成材料の前記接着剤層を前記支
持体の前記平面部に積層する積層工程と、を備えた構成
を有している。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下本発明の一実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。 （実施の形態１） 図１は本発明の実施の形態１におけるイオントフォレー
シス用デバイス構造体の平面図であり、図２はその支持
体の斜視図であり、図３はその電極層の斜視図であり、
図４はその組み立て状態を示す要部断面図である。図１
乃至図２において、１は本実施の形態におけるイオント
フォレーシス用デバイス構造体、２はポリエチレンテレ
フタレート等の熱可塑性樹脂でカップ状に成形された支
持体、３は電極層、４は電極層３の一部を延設して形成
された耳部、５は支持体２の凹部の底部に１つ穿設し形
成された通電孔部である。図３において、電極層３は電
極層基材３ａと導電層３ｂで形成され、電極層基材３ａ
はポリエチレンテレフタレートフィルムで形成され、導
電層３ｂは電極層基材３ａの表面に導電性銀ペーストイ
ンク（日本アチソン（株）製、商品名アチソンＥＤ６０
２２）を乾燥後の厚さが約２０μｍとなるようにプリン
トされて形成されている。図４において、６は支持体２
の凹部に充填されたゲル等の電解質層である。尚、支持
体２は円形に形成したが、楕円形や方形でもよい。また
通電孔部５は支持体２に一つ形成したが、２以上の複数
またはメッシュ状に形成してもよい。
て、図面を参照しながら説明する。 （実施の形態１） 図１は本発明の実施の形態１におけるイオントフォレー
シス用デバイス構造体の平面図であり、図２はその支持
体の斜視図であり、図３はその電極層の斜視図であり、
図４はその組み立て状態を示す要部断面図である。図１
乃至図２において、１は本実施の形態におけるイオント
フォレーシス用デバイス構造体、２はポリエチレンテレ
フタレート等の熱可塑性樹脂でカップ状に成形された支
持体、３は電極層、４は電極層３の一部を延設して形成
された耳部、５は支持体２の凹部の底部に１つ穿設し形
成された通電孔部である。図３において、電極層３は電
極層基材３ａと導電層３ｂで形成され、電極層基材３ａ
はポリエチレンテレフタレートフィルムで形成され、導
電層３ｂは電極層基材３ａの表面に導電性銀ペーストイ
ンク（日本アチソン（株）製、商品名アチソンＥＤ６０
２２）を乾燥後の厚さが約２０μｍとなるようにプリン
トされて形成されている。図４において、６は支持体２
の凹部に充填されたゲル等の電解質層である。尚、支持
体２は円形に形成したが、楕円形や方形でもよい。また
通電孔部５は支持体２に一つ形成したが、２以上の複数
またはメッシュ状に形成してもよい。
【００１０】以上のように構成された本実施の形態のイ
オントフォレーシス用デバイス構造体について、以下、
その製造方法を図面を用いて説明する。図５は本実施の
形態のイオントフォレーシス用デバイス構造体の製造工
程を示す模式図である。図中、１０は厚さが１００μｍ
のポリエチレンテレフタレート等の熱可塑性の合成樹脂
製フィルムやシートからなる電極層基材形成材料、１１
は電極層形成材料１０の上に導電性銀ペーストインク
（日本アチソン（株）製、商品名アチソンＥＤ６０２
２）を乾燥後の厚さが約２０μｍとなるようにプリント
して形成した導電層、１２は導電層１１の外周部に塗着
されたヒートシール剤や感圧性接着剤からなる接着剤
層、１３は支持体２の平面部である。製造方法はまず、
（ａ）に示すように電極層基材形成材料１０の上に銀ペ
ーストインクをプリントし導電層１１を形成する（導電
層形成工程）、次いで、（ｂ）に示すように導電層１１
の外周囲に支持体２の平面部１３と略同一幅になるよう
にヒートシール剤や感圧性接着剤を塗着し、接着剤層１
２を作製する（接着剤層形成工程）。ついで、（ｃ）に
示すように電極層基材形成材料１０を電極層３と耳部４
の幅を残して裁断する（裁断工程）。ついで、（ｄ）に
示すように別途形成された支持体２に平面部１３に接着
剤層１２を積層させてヒートシール等を行いイオントフ
ォレーシス用デバイス構造体を得る。
オントフォレーシス用デバイス構造体について、以下、
その製造方法を図面を用いて説明する。図５は本実施の
形態のイオントフォレーシス用デバイス構造体の製造工
程を示す模式図である。図中、１０は厚さが１００μｍ
のポリエチレンテレフタレート等の熱可塑性の合成樹脂
製フィルムやシートからなる電極層基材形成材料、１１
は電極層形成材料１０の上に導電性銀ペーストインク
（日本アチソン（株）製、商品名アチソンＥＤ６０２
２）を乾燥後の厚さが約２０μｍとなるようにプリント
して形成した導電層、１２は導電層１１の外周部に塗着
されたヒートシール剤や感圧性接着剤からなる接着剤
層、１３は支持体２の平面部である。製造方法はまず、
（ａ）に示すように電極層基材形成材料１０の上に銀ペ
ーストインクをプリントし導電層１１を形成する（導電
層形成工程）、次いで、（ｂ）に示すように導電層１１
の外周囲に支持体２の平面部１３と略同一幅になるよう
にヒートシール剤や感圧性接着剤を塗着し、接着剤層１
２を作製する（接着剤層形成工程）。ついで、（ｃ）に
示すように電極層基材形成材料１０を電極層３と耳部４
の幅を残して裁断する（裁断工程）。ついで、（ｄ）に
示すように別途形成された支持体２に平面部１３に接着
剤層１２を積層させてヒートシール等を行いイオントフ
ォレーシス用デバイス構造体を得る。
【００１１】（実施の形態２）
図６（ａ）は本発明の実施の形態２におけるイオントフ
ォレーシス用デバイス構造体の斜視図であり、図６
（ｂ）はその平面図であり、図６（ｃ）はその支持体の
平面図である。１ａは実施の形態２のイオントフォレー
シス用デバイス構造体、２ａは支持体、３ａは円形に形
成された電極層、４ａは結線部の１つである露出電極
層、５ａは平面部１３の３個所に形成された通電孔部、
１４は支持体２ａの凹部の外周の高さ方向と平行に形成
された窪部である。以上のように本実施の形態によれ
ば、露出電極層４ａの下部に窪部１４があるのでコネク
タと容易に結線できる。また、凹部に電解質層等の内容
物を充填後、支持体にセパレータをシールする際、耳部
の突起がないので、シールを容易に行うことができると
いう作用を有する。
ォレーシス用デバイス構造体の斜視図であり、図６
（ｂ）はその平面図であり、図６（ｃ）はその支持体の
平面図である。１ａは実施の形態２のイオントフォレー
シス用デバイス構造体、２ａは支持体、３ａは円形に形
成された電極層、４ａは結線部の１つである露出電極
層、５ａは平面部１３の３個所に形成された通電孔部、
１４は支持体２ａの凹部の外周の高さ方向と平行に形成
された窪部である。以上のように本実施の形態によれ
ば、露出電極層４ａの下部に窪部１４があるのでコネク
タと容易に結線できる。また、凹部に電解質層等の内容
物を充填後、支持体にセパレータをシールする際、耳部
の突起がないので、シールを容易に行うことができると
いう作用を有する。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば以下の優れ
た効果を有するイオントフォレーシス用デバイス構造体
及びその製造方法を実現できる。 （ａ）電解質を保持するカップ状の支持体に電極層を張
り合わせるだけで、内容物の揮散，漏洩を確実に防止で
き、極めて高品質のイオントフォレーシス用デバイス構
造体を得ることができる。 （ｂ）全体が柔軟性を備えているので貼付部位の形状に
追従することができ、違和感を与えることなく貼付する
ことができる。 （ｃ）生産工程が極めて少ないので低原価で量産でき
る。 （ｄ）電源部との接続の際、結線部を有しているので極
めて簡単にかつ確実に接続できる。 （ｅ）硬質の突起端子がないため輸送時及び保管時の収
納性に優れる。
た効果を有するイオントフォレーシス用デバイス構造体
及びその製造方法を実現できる。 （ａ）電解質を保持するカップ状の支持体に電極層を張
り合わせるだけで、内容物の揮散，漏洩を確実に防止で
き、極めて高品質のイオントフォレーシス用デバイス構
造体を得ることができる。 （ｂ）全体が柔軟性を備えているので貼付部位の形状に
追従することができ、違和感を与えることなく貼付する
ことができる。 （ｃ）生産工程が極めて少ないので低原価で量産でき
る。 （ｄ）電源部との接続の際、結線部を有しているので極
めて簡単にかつ確実に接続できる。 （ｅ）硬質の突起端子がないため輸送時及び保管時の収
納性に優れる。
【図１】本発明の実施の形態１におけるイオントフォレ
ーシス用デバイス構造体の平面図
ーシス用デバイス構造体の平面図
【図２】本発明の実施の形態１におけるイオントフォレ
ーシス用デバイス構造体の支持体の斜視図
ーシス用デバイス構造体の支持体の斜視図
【図３】本発明の実施の形態１におけるイオントフォレ
ーシス用デバイス構造体の電極層の斜視図
ーシス用デバイス構造体の電極層の斜視図
【図４】本発明の実施の形態１におけるイオントフォレ
ーシス用デバイス構造体の組立状態を示す要部断面図
ーシス用デバイス構造体の組立状態を示す要部断面図
【図５】本発明の実施の形態１のイオントフォレーシス
用デバイス構造体の製造工程を示す模式図
用デバイス構造体の製造工程を示す模式図
【図６】（ａ）本発明の実施の形態２におけるイオント
フォレーシス用デバイス構造体の斜視図 （ｂ）本発明の実施の形態２におけるイオントフォレー
シス用デバイス構造体の平面図 （ｃ）本発明の実施の形態２におけるイオントフォレー
シス用デバイス構造体の支持体の平面図
フォレーシス用デバイス構造体の斜視図 （ｂ）本発明の実施の形態２におけるイオントフォレー
シス用デバイス構造体の平面図 （ｃ）本発明の実施の形態２におけるイオントフォレー
シス用デバイス構造体の支持体の平面図
【図７】従来例のイオントフォレーシス用デバイス構造
体の断面模式図
体の断面模式図
【図８】他の従来例のイオントフォレーシス用デバイス
構造体の断面模式図
構造体の断面模式図
１，１ａ イオントフォレーシス用デバイス構造体
２，２ａ 支持体
３ 電極層
３ａ 電極層基材
３ｂ 導電層
４ 耳部
４ａ 露出電極層
５，５ａ 通電孔部
６ 電解質層
１０ 電極層基材形成材料
１１ 導電層
１２ 接着剤層
１３ 平面部
１４ 窪部
２０ 従来のイオントフォレーシス用デバイス構造体
２１ 支持体
２２ 電解質層
２３，２４ 突起端子
２５ 電極層
２６ セパレータ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−155041（ＪＰ，Ａ)
実開 昭61−39514（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
A61N 1/30
A61N 1/04
A61M 37/00
Claims (6)
- 【請求項１】 フィルム状の材料で加工若しくは成型さ
れた凹部を有したカップ状の支持体と、前記凹部に形成
された１以上の通電孔部と、前記凹部の外周面の平面部
に積層される電極層と、前記凹部内に嵌装される電解質
層と、を備えたことを特徴とするイオントフォレーシス
用デバイス構造体。 - 【請求項２】 前記電極層が、熱可塑性合成樹脂フィル
ム若しくはシートで形成された電極層基材と、前記電極
層基材の一面に形成された導電層と、を備えていること
を特徴とする請求項１に記載のイオントフォレーシス用
デバイス構造体。 - 【請求項３】 前記電極層が接着剤層を介して前記平面
部に積層されていることを特徴とする請求項１又は２に
記載のイオントフォレーシス用デバイス構造体。 - 【請求項４】 前記接着剤層の接着剤がアクリル系，シ
リコン系、ゴム系の感圧接着剤若しくはポリオレフィン
又はそのエステル等からなるヒートシール剤の内１種以
上からなることを特徴とする請求項３に記載のイオント
フォレーシス用デバイス構造体。 - 【請求項５】 前記電極層が、外部電源からの通電用の
結線部を有し、前記結線部が前記電極層の外周に膨出状
に形成された耳部若しくは前記支持体の前記凹部の外周
の高さ方向に平行に形成された窪部と前記窪部の上に露
出した前記電極層の露出電極層であることを特徴とする
請求項１乃至４の内いずれか１項に記載のイオントフォ
レーシス用デバイス構造体。 - 【請求項６】 電極層基材形成材料の上に導電層を形成
する導電層形成工程と、前記工程で形成された前記導電
層の外周囲に支持体の平面部と略同一幅になるように接
着剤層を形成する接着剤層形成工程と、前記工程で接着
剤層が形成された電極層基材形成材料を電極層と耳部の
幅を残して裁断する裁断工程と、前記工程で裁断された
電極層基材形成材料の前記接着剤層を前記支持体の前記
平面部に積層する積層工程と、を備えていることを特徴
とするイオントフォレーシス用 デバイス構造体の製造方
法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06005197A JP3366548B2 (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | イオントフォレーシス用デバイス構造体及びその製造方法 |
| CA002281666A CA2281666C (en) | 1997-02-26 | 1998-01-26 | Device structure for iontophoresis |
| US09/331,766 US6259946B1 (en) | 1997-02-26 | 1998-01-26 | Iontophoresis device structure |
| PCT/JP1998/000323 WO1998037925A1 (fr) | 1997-02-26 | 1998-01-26 | Structure de dispositif pour ionophorese |
| EP98900757A EP0966986A4 (en) | 1997-02-26 | 1998-01-26 | DEVICE STRUCTURE FOR IONOPHORESIS |
| KR1019997007657A KR100324083B1 (ko) | 1997-02-26 | 1998-01-26 | 이온삼투요법용 디바이스 구조체 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|
| JPH10234864A JPH10234864A (ja) | 1998-09-08 |
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Family
ID=13130908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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| WO2003059442A1 (fr) * | 2002-01-10 | 2003-07-24 | Kyodo Printing Co., Ltd. | Dispositif d'electrode pour iontophorese |
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| US7245963B2 (en) * | 2002-03-07 | 2007-07-17 | Advisys, Inc. | Electrode assembly for constant-current electroporation and use |
| US6801804B2 (en) | 2002-05-03 | 2004-10-05 | Aciont, Inc. | Device and method for monitoring and controlling electrical resistance at a tissue site undergoing iontophoresis |
| KR100610255B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2006-08-09 | 주식회사 엘지생활건강 | 이온토포레시스 장치 |
| KR101180105B1 (ko) | 2006-01-26 | 2012-09-05 | 주식회사 엘지생활건강 | 파지가 용이한 이온토포레시스 장치 |
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| US8197844B2 (en) | 2007-06-08 | 2012-06-12 | Activatek, Inc. | Active electrode for transdermal medicament administration |
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| KR100950584B1 (ko) * | 2008-04-07 | 2010-04-01 | 주식회사로케트전기 | 전지 일체형 이온토포레시스 패치 |
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|---|---|---|---|---|
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| US3942517A (en) * | 1973-12-03 | 1976-03-09 | Dracard Limited | Electrodes |
| US4014345A (en) * | 1975-10-28 | 1977-03-29 | Kameny Stanley L | Electrode |
| US4027664A (en) * | 1975-11-17 | 1977-06-07 | Baxter Travenol Laboratories, Inc. | Diagnostic electrode assembly with a skin preparation surface |
| GB1594214A (en) * | 1977-01-21 | 1981-07-30 | Cardio Tech | Body electrodes |
| US4838273A (en) * | 1979-04-30 | 1989-06-13 | Baxter International Inc. | Medical electrode |
| US4270544A (en) * | 1979-05-21 | 1981-06-02 | Texas Instruments Incorporated | Medical electrode having improved adherence characteristics |
| US4522211A (en) * | 1979-12-06 | 1985-06-11 | C. R. Bard, Inc. | Medical electrode construction |
| US5320597A (en) * | 1991-02-08 | 1994-06-14 | Becton, Dickinson And Company | Device and method for renewing electrodes during iontophoresis |
| US5087241A (en) * | 1990-07-24 | 1992-02-11 | Empi, Inc. | Iontophoresis electrode with reservoir and injection site |
| US5221254A (en) * | 1991-04-02 | 1993-06-22 | Alza Corporation | Method for reducing sensation in iontophoretic drug delivery |
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