JP3357240B2

JP3357240B2 - 集積回路メモリの書込保護方法及び対応する集積回路

Info

Publication number: JP3357240B2
Application number: JP9205996A
Authority: JP
Inventors: スゥルジャンローラン; ヴィダールシルヴィー
Original assignee: エステーミクロエレクトロニクスソシエテアノニム
Priority date: 1995-03-21
Filing date: 1996-03-21
Publication date: 2002-12-16
Anticipated expiration: 2016-03-21
Also published as: EP0734023A1; JPH08273346A; FR2732151B1; US5781470A; FR2732151A1; EP0734023B1; DE69600148T2; DE69600148D1

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路メモリの
書込み保護方法の改良と、それを実行するための集積回
路に関するものである。本発明は、特に、カード使用時
に情報が書込まれる集積回路内蔵カードまたはマイクロ
回路内蔵カード、例えば入力動作の前後に収支計算し、
その情報が（カードの読取り・書込み器によって）書込
まれるプリペイドカード、再入力可能なプリペイドカー
ド、銀行カード等に適用される。

【０００２】

【従来の技術】この場合、書込動作はいかなる方法でも
妨害・粉飾されてはならない。この命題は銀行カードを
考えれば明らかであり、収支計算結果の書込を改ざんし
て収支が常にプラスになるようにすることは許されては
ならない。

【０００３】書込動作ではメモリセルの状態を変化させ
る電場、磁場、その他の物理量（これはメモリの種類に
依存する）をメモリセルに加える。例えば、不揮発性メ
モリに書込む場合には、メモリの論理用電圧よりはるか
に高い書込電圧をメモリセルの少なくとも１つの電極に
加える。特に、ＥＥＰＲＯＭメモリセルをプログラミン
グする場合にはセルのフローティングゲートへ電荷移動
させるFowler Nordheim効果を得るために、セルのゲー
トとドレインとの間に高い書込電圧を加える必要があ
る。

【０００４】しかし、特別な方法を使えば書込動作時に
メモリの内容に妨害を加えることができるということが
分かった。すなわち、電気的に書き換え可能なセル、例
えばＥＥＰＲＯＭメモリのメモリセルの状態が変化する
書込サイクルの瞬間は電荷移動という物理現象が最大強
度で起こる時間であるが、この正確な瞬間を知ることが
できるというが分かった。このことは書き換え可能なメ
モリの全てのタイプについて当てはまる。

【０００５】すなわち、この時間（瞬間）は書込サイク
ルの総書込み時間に対しては常に短いが、この極めて短
時間の間（瞬間）にある種の手段を用いて、書込動作の
物理的変量に妨害を与えてメモリセルの内容を実質的に
変えることができ、このような不正を行って「０」また
は「１」の読取り値を改ざんした場合、集積回路の外的
動作条件の正常性を検証するのに通常用いられている安
全センサでは異常は全く検出できないということが分か
った。

【０００６】従って、不正行為者は、メモリに書込用物
理的変量を加える際の上記の臨界的な瞬間（以下、臨界
時間という）を求め、その時に上記物理的変量を瞬時的
に変化させれば、メモリセルの内容を実質的に変えるこ
とができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の臨界時間を求めることができないようにすることにあ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、書込電圧を加
えてセル状態を変化させる書き換え可能な集積回路メモ
リの書込み動作の保護方法の改良であって、本発明方法
の特徴は集積回路を介して外部書込コマンドを受信した
時から内的的にメモリへ上記書込電圧を加えるまでの間
にランダム時間を挿入することにある。

【０００９】このようにすると、書込電圧を加える供給
曲線を時間の関数で求めることは不可能になり、上記の
臨界時間は求められなくなる。

【００１０】書込動作の保護をさらに改良するために
は、書込コマンド受信時からこの書込コマンドの実行終
了信号伝送までの間の総経過時間を一定の時間（以下、
一定時間という）にするのが好ましい。この変形例で
は、この一定時間を再プログラム可能にすることができ
る。

【００１１】本発明の他の特徴はランダム時間がカウン
タによって減算される点にある。マイクロプロセッサを
備えた集積回路で本発明方法を実施する場合には、ラン
ダム時間値をマイクロプロセッサまたはカウンタによっ
て減算する。

【００１２】本発明の他の対象は、書込電圧を加えて書
込む書き換え可能な集積回路メモリを有する集積回路に
おいて、集積回路が、書込電圧の供給をランダムに遅延
させるために、各書込コマンドに対してランダム値を発
生する擬似ランダム発生器と、このランダム値を減算す
る少なくとも１つの要素とを備えていることを特徴とす
る集積回路にある。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の上記およびそれ以外の特徴と利点をさらに詳しく説明
するが、本発明が下記実施例に限定されるものではな
い。本発明は電気的変量を加えて書き換えが可能なメモ
リに関するものである。本発明者は、メモリセルの状態
を変化させることが可能になる瞬間、すなわちメモリセ
ルへ電気的変量を供給するサイクルの臨界的な瞬間(臨
界時間)は当業者が求めることができるということを確
認した。全てのメモリにおいてこの瞬間は一回の書込サ
イクル時間より常に短い。電気的に書き換え可能なメモ
リでは、メモリに供給される物理的変量は電圧パルスで
ある。

【００１４】図１は、電気的に書き換え可能なメモリの
セルにおける、時間を関数とする書込電圧パルスＶｅの
供給曲線（ａ）、（ｂ）を表しており、書込コマンドの
受信時は基準時間「０」で示されている。（ａ）は従来
技術によるものを、（ｂ）は本発明によるものを示して
いる。これらの曲線と同様な「時間を関数とした特性曲
線」は、書き換え可能な他の全てのタイプの集積回路メ
モリで得られる。

【００１５】図１で曲線（ａ）で表される従来技術で
は、マイクロプロセッサμＰ（図２）または制御回路13
（図３）が電気的に書き換え可能なメモリへの外部書込
コマンドを受信すると、メモリデコーダへの書込電圧パ
ルスＶｅの供給を制御するためにマイクロプロセッサま
たは制御回路がコマンドを認識し、デコードするのに要
する時間に対応する所定時間ｔ１が経過する。

【００１６】書込パルス自体は立上がり時間Δｔｍ＝ｔ
２−ｔ１と、時間幅Δｔａ＝ｔ３−ｔ１とによって特徴
付けられる。書込電圧パルスＶｅの供給時間は、メモリ
の種類：ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ等と、書込まれる情
報（０または１）との関数である。書込パルスの立上が
り時間はメモリセルへのストレスを制限するために必要
に応じて制御される。

【００１７】書込パルスはメモリ回路内部で作られる高
電圧から形成できる。すなわち、集積回路には集積回路
の論理用給電電圧Ｖｃｃから高電圧Ｖｐｐを作る回路が
備えられている。図２に示すように、この発生回路は高
電圧Ｖｐｐを出す電圧昇圧器１と、所定特性（Δｔｍ、
Δｔａ）の書込電圧Ｖｅを発生する電圧調整器２とから
成っている。

【００１８】必要な場合には、高電圧が給電端子Ｖｐｐ
を介して集積回路に直接供給される（図３）。この場合
には、集積回路が所定特性（Δｔｍ、Δｔａ）の書込パ
ルスに切換え、それをメモリデコーダへ供給するための
切換整形回路15を有している。

【００１９】書込パルスの発生・供給手段としてどのよ
うな手段を用いたとしても、時間を関数とした書込パル
ス(より一般的には、書込み用物理的変量)の供給曲線
（ａ）は常に同じであり、これは集積回路の物理特性で
ある。従って、この供給曲線が同定できれば、不正行為
者はメモリセルへの正確な書込パルス供給の臨界時間Ｚ
を知ることができ、この臨界時間Ｚの間に集積回路の機
能パラメータ（電圧、温度、周波数）に何らかの変化を
与えて、書込パルスが加わっているセルの状態を実質的
に修正することが可能になる。

【００２０】本発明はこうした同定作業を禁止し、不正
行為を無くすものである。本発明では、外部書込コマン
ドが受信されると、ランダム時間をこの書込コマンドの
受信時からメモリへの書込パルス供給時までの間に挿入
する。図１に示した曲線（ｂ）の例では、コマンドが認
識された時間ｔ１と、書込パルスが印加される時間（す
なわち、図１に示すように書込パルスが立ち上がり始め
る時間）ｔ１′との間に、ランダム時間ｄ１が挿入され
る（ｄ１＝ｔ１′−ｔ１）。

【００２１】書込パルスの固有特性Δｔｍ、Δｔａは変
化しないので、ｔ２′を書込パルスが高レベルに到達す
る時間とし、ｔ３′をパルスが終わる時間（この例では
下降開始点）とすると、下記の式が得られる：ｔ３′−ｔ１′＝Δｔａ、ｔ２′−ｔ１′＝Δｔｍ。

【００２２】有効なランダム時間ｄ１にするためには、
臨界時間Ｚの前に十分に大きな時間の幅を持たせる必要
がある。しかし、書込動作が過度に遅れないようにする
ために、このランダム時間ｄ１の幅は、書込パルスの時
間幅Δｔａの前に過度に大きく取ってはならない。

【００２３】曲線（ｂ）に示すように、書込動作は時間
ｔ３′＝ｔ１＋ｄ１＋Δｔａの書込パルスの下降開始時
に終了する。本発明による保護の安全性をさらに良くす
るためには、書込コマンドの受信時からこのコマンドの
実行終了信号の送信時までの間の総経過時間が一定時間
ｄ２となるように選択して本発明によるランダム時間を
隠すのが好ましい。この場合には、下降開始点を検出し
たとしても、それは書込コマンドの実行終了信号とは対
応しなくなり、それは外部書込コマンドを受信してから
（参照符号「０」から）の遅れの経過時間すなわちｄ２
−ｔ１−Δｔａに対応する時間しか分からない。図１か
ら分かるように、曲線（ｂ）では総経過時間ｄ２で表さ
れる窓の中のランダムな位置に曲線（ａ）があるという
ことは理解できよう。

【００２４】実際に重要なことは、ランダム時間ｄ１を
臨界時間Ｚの持続時間の前に大きく取り、書込に必要な
最小時間（これは外部書込コマンドの認識およびデコー
ドに必要な時間ｔ１に書込パルス幅Δｔａを加えたもの
に等しい）より総経過時間をわずかに長くすることであ
る。本発明方法を用いることによって、集積回路の機能
パラメータ（電圧、温度、周波数）に対してメモリへの
書込み動作が特に敏感になる臨界時間Ｚを求めることは
不可能ないしは少なくとも極めて困難になる。

【００２５】図２は、電気的に書き換え可能な不揮発性
タイプのメモリと、内部書込パルス発生回路とを含む集
積回路の例を示している。この例では、集積回路はマイ
クロプロセッサμＰ、読出専用メモリＲＯＭ及び不揮発
性読出書込メモリＭを含み、これらの（非消耗性)リソ
ースは全てアドレスバスＢＡとデータバスＢＡとに接続
されている。より正確には、アドレスバスはＲＯＭメモ
リのデコーダ４と不揮発性メモリＭのデコーダ５とに接
続され、データバスはＲＯＭメモリ（読出し専用)の出
力６と、不揮発性メモリＭ（書込みと読出しが可能）の
入出力７に接続されている。

【００２６】図示した実施例では、マイクロプロセッサ
は集積回路の外部インターフェースから下記のような信
号をさらに受ける：論理電源電圧Ｖｃｃ及びＶｓｓクロック信号Ｃｌｋ集積回路の初期化信号Ｒｓｔ直列入出力データ信号ＩＯ１、ＩＯ２

【００２７】集積回路は不揮発性メモリの書込に必要な
高電圧Ｖｐｐを発生する内部の電圧発生回路を含む。こ
の高電圧発生回路は高電圧Ｖｐｐを供給する公知の簡単
な構成の電圧昇圧器（チャージポンプ）１と、時間幅Δ
ｔａと立上がり時間Δｔｍとを有する書込パルスを出す
電圧調整回路２とを含む。これら２つの回路は制御信号
３によって活性化される。

【００２８】以下、書込パルス発生回路を説明する。書
込パルスＶｅはアドレスデコーダ５を介して不揮発性メ
モリＭのセルに供給される。本発明方法ではランダム時
間ｄ１が書込パルス発生回路に対する制御信号３の活性
化を遅延するために使用される。

【００２９】本発明方法の第１実施例では、集積回路が
擬似ランダム発生器８を備え、この擬似ランダム発生器
８はカウンタ９を初期化するのに用いられ、このカウン
タ９の出力ＲＣ_９は書込パルス発生回路に制御信号３を
送信するのに使用される。

【００３０】実際には、出力ＲＣ_９はカウンタ９からの
減算値を表す。このカウンタ９にはクロック信号Ｃｌｋ
が供給され、擬似ランダム発生器８には集積回路内部で
発生するクロック信号ｈａが供給される。このクロック
信号ｈａは非安定であるのが好ましい。

【００３１】マイクロプロセッサは入出力信号ＩＯ１、
ＩＯ２から不揮発性メモリの書込命令を受信し、この書
込命令を時間ｔ１でデコードし、擬似ランダム発生器８
からランダム値を読出し、カウンタ９を初期化し、活性
化する。このランダム値はクロック信号Ｃｌｋの繰り返
し周期で減算される。カウンタ９の減算値が「１」にな
ると出力ＲＣ_９が書込パルス発生回路（１、２）を活性
化する。

【００３２】書込動作が一定時間ｄ２を保持するように
した本発明の好ましい実施例では、集積回路が一定時間
ｄ２に関する情報を記憶したメモリ要素10と、別のカウ
ンタ11とをさらに備えている。

【００３３】入出力信号ＩＯ１、ＩＯ２で受けた不揮発
性メモリへの外部書込命令をマイクロプロセッサがデコ
ードし終わる終了時間ｔ１になると、メモリ要素10を読
出みに行き、カウンタ11が初期化され、活性化される。
カウンタ中では一定の継続時間ｄ２を表す値がクロック
信号Ｃｌｋの繰り返し周期で減算される。カウンタ11で
の減算値が１になると、出力ＲＣ_１１が書込動作の実行
終了信号ＷＦをマイクロプロセッサに送り、マイクロプ
ロセッサは実行終了メッセージを信号ＩＯ１、ＩＯ２へ
送り返す。

【００３４】他の動作態様も可能である。例えば、減算
したランダム時間ｄ１と、時間ｔ１と、期間Δｔａとを
一定時間ｄ２から減算して値を各書込サイクル毎に書込
パルスの下降開始点で検出してカウンタ11を初期化する
こともできる。

【００３５】実際には、メモリ要素10は、ＲＯＭメモリ
の一つの要素またはヒューズ群にすることができ、１度
だけプログラム可能であるのが好ましいが、応用によっ
てはアクセスの安全性を確保した状態で再プログラム可
能なものにすることができる。例えば、再書込みが可能
なプリペイドカードではこの一定時間ｄ２を書込み時毎
に変えることができる。

【００３６】保護をさらに向上させるために、一つの回
路に対してはこの一定時間ｄ２を決めておき、他の回路
に対しては一定範囲内でその値を変更できるようにする
こともできる。書込動作を一定時間ｄ２にしない場合に
は、図２に点線で示した下降開始点を検出する通常の検
出回路12を用いて書込動作の実行終了信号ＷＦを出すこ
とができる。

【００３７】他の変形例（図示せず）も可能である。特
に、カウンタ９、11と組合わせるか又はカウンタ９、11
を使用せずに、マイクロプロセッサの計数ループを使用
することができる（構造の変形例）。

【００３８】第１の変形例ではカウンタ９、11が省略さ
れる。マイクロプロセッサは擬似ランダム発生器８を利
用して計数ループを初期化する。一定時間ｄ２を継続す
る方式を採用した場合には、メモリ要素10を用いて一定
時間ｄ２を表す値をカウントするために計数ループを初
期化する。

【００３９】他の変形例では、カウンタ９、11を上記と
同じように使用するが、マイクロプロセッサによる外部
書込コマンドの認識およびデコードを人為的的且つラン
ダムに遅延させる。そのためには、カウンタ９を初期化
する前に、マイクロプロセッサが擬似ランダム発生器８
を読みに行き、ソフトウェアの計数ループを初期化す
る。それによってマイクロプロセッサ自体によって減算
される第１のランダム時間が得られ、次に、カウンタ９
によって第２のランダム時間が得られる。これによって
最適の保護が得られる。擬似ランダム発生器に質問でき
るのは、計数ループを初期化するための１回とカウンタ
９を初期化するための１回の２回である。擬似ランダム
発生器は２つのランダム時間が最大継続時間を超過しな
いようなサイズを決定する必要がある。また、１度だけ
擬似ランダム発生器に質問し、それから計数ループ用の
値とカウンタ９用値を演繹することもできる。すなわ
ち、図１の曲線（ｂ）に示すランダム時間ｄ１の一部を
マイクロプロセッサ自体で（ソフトウェア的に）減算
し、他の一部をカウンタで（物理的に）減算すればこの
変形実施例になる。

【００４０】図示した実施例では、本発明方法を実施す
るための要素８〜11は全て集積回路のアドレスバスとデ
ータバスとに接続されている。機能を減らした変形実施
例では、カウンタ９、11にはそれを初期化する要素（擬
似ランダム発生器８またはメモリ要素10）のみがアクセ
スできるようにする。

【００４１】図３は高電圧Ｖｐｐが外部端子から供給さ
れる集積回路に本発明方法を適用した実施例を示してい
る。図２と同じ要素には図３でも同一の参照符号が付け
てある。

【００４２】この集積回路は命令シーケンサー型の制御
回路13を有しており、この制御回路13は、制御信号をデ
コードするデコーダと、不揮発性メモリＭをアドレスす
るためのアドレスカウンタとを有している。不揮発性メ
モリの入出力14はシリアルなデータ入出力ポートＩ／Ｏ
に接続されている。

【００４３】一般に制御回路13が受ける制御信号は集積
回路の初期化信号Ｒｓｔ、クロック信号Ｃｌｋおよび書
込制御信号Ｐｒｏｇである。集積回路にはさらに、制御
回路13の論理電源電圧ＶｃｃおよびＶｓｓと、不揮発性
メモリの書込動作に必要な高電圧の電圧Ｖｐｐとが与え
られる。

【００４４】この高電圧Ｖｐｐは切換整形回路15に供給
される。この切換整形回路15は特性Δｔｍ、Δｔａを有
する書込パルスＶｅの形の高電圧Ｖｐｐをメモリデコー
ダ16に送る。切換整形回路15は制御信号17を受けた時に
活性化される。

【００４５】本発明方法では、外部書込コマンドを認識
（制御信号の論理レベルでの特定なシーケンス）した後
に、制御信号17がランダム期間ｄ１だけ遅延される。そ
のために集積回路にはカウンタ19に接続された擬似ラン
ダム発生器18を備えている。カウンタ19の出力、この実
施例では切換整形回路15の制御信号17として使用され
る。カウンタ19にはクロック信号Ｃｌｋが供給される。
内部で発生されるクロック信号ｈａは擬似ランダム発生
器18に供給される。このクロック信号ｈａは非安定であ
るのが好ましい。

【００４６】制御回路13は、不揮発性メモリの外部書込
コマンドの認識・デコードが終わると（ｔ１の終り
に）、擬似ランダム発生器18及びカウンタ19を活性化
し、カウンタ19を擬似ランダム発生器18の出力値で初期
化する（図３の制御信号20）。この値はクロック信号Ｃ
ｌｋの繰り返し周期で減算される。この値が完全に減算
されると、カウンタの減算値ＲＣ_１９が１になり、切換
整形回路15が活性化される。

【００４７】本発明を書込動作が一定時間ｄ２になるよ
うに実施する場合には、集積回路はこの所定の一定時間
ｄ２に対応する情報を記憶したメモリ要素21と、カウン
タ22とを備えている。このカウンタ22の出力ＲＣ_２２は
書込動作の実行終了信号ＷＦとして使用される（この実
施例では、出力ＲＣ_２２はカウンタの減算値である）。
すなわち、制御信号20はメモリ要素21に記憶された情報
でカウンタ22を初期化し、減算を有効にする。この減算
は、クロック信号Ｃｌｋの繰り返し周期で行われる。実
行終了信号ＷＦは、制御回路13と、（入出力14を高イン
ピーダンス状態にするために）メモリの入出力14とに供
給される。

【００４８】実際には、メモリ要素21は図２で説明した
メモリ要素10と同様に、ＲＯＭメモリの要素か、ヒュー
ズ群にすることができる。この場合には、既に述べたよ
うに、アクセスの安全性が保証されるならば１度だけプ
ログラム可能なものすなわち再プログラム可能なものに
することができる。

【００４９】書込動作を一定時間ｄ２で行わない場合に
は、書込動作の実行終了信号ＷＦは図３の点線で示す下
降開始点の検出回路23によって通常の方法で出される。

【００５０】以上説明した２つの詳細な集積回路例では
データに直列にアクセスする態様を取り上げたが、この
態様を選択するか否かは本発明方法を実施する上で影響
がなく、本発明はデータに並列にアクセスする集積回路
および書き換え可能な全てのタイプのメモリに適用する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】電気的に書き換え可能なメモリセルへの書込
み用電圧パルスＶｅの供給曲線で、（ａ）は従来法を示
し、（ｂ）は本発明を示す。

【図２】本発明方法を実行するための装置を有する電
気的に書き換え可能な不揮発性メモリを備えた集積回路
の一般的ブロック図。

【図３】本発明方法を実行するための装置を有する電
気的に書き換え可能な不揮発性メモリを備えた集積回路
の他の一般的ブロック図。

【符号の説明】

Δｔｍ時間幅 Δｔａ立上り時間ｄ１ランダム時間ｄ２一定時間Ｚ臨界時間ＷＦ実行終了信号１高電圧Ｖｐｐを発生する電圧昇圧回路２書込電圧パルスＶｅを発生する電圧調整回路３、17 制御信号４読出専用メモリＲＯＭのデコーダ５、16 不揮発性メモリＭのデコーダ６読出専用メモリＲＯＭの出力７、14 不揮発性メモリＭの入出力８、18 擬似ランダム発生器９、11、19、22 カウンタ 10、21 メモリ要素 12、23 下降開始点検出回路 13 制御回路 15 切換整形回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者シルヴィーヴィダールフランス国 83910 プゥリエールリュカド12

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】書込電圧を与えてメモリセルに状態変
化を起こさせ、それによってメモリセルに情報を書込
む、書き換え可能な集積回路メモリ（Ｍ）の書込動作を
保護する方法において、集積回路メモリが外部書込コマンドを受信してから書込
電圧を与えるまでの間にランダム時間（ｄ１）を挿入す
ることを特徴とする方法。
【請求項２】外部書込コマンドを受信してから書込動
作の実行終了信号（ＷＦ）を送信するまでの間の経過時
間が一定値（ｄ２）である請求項１に記載の方法。
【請求項３】一定値（ｄ２）が集積回路毎に異なり且
つメモリ要素（10、12）にプログラムされている請求項
２に記載の方法。
【請求項４】一定値（ｄ２）が再プログラム可能であ
る請求項３に記載の方法。
【請求項５】ランダム時間（ｄ１）をカウンタ（9、1
9）によって減算する請求項１〜４のいずれか一項に記
載の方法。
【請求項６】マイクロプロセッサ（μＰ）を備えた集
積回路で用いられ、ランダム時間（ｄ１）をこのマイク
ロプロセッサによって減算する請求項１〜４のいずれか
一項に記載の方法。
【請求項７】マイクロプロセッサ（μＰ）を備えた集
積回路で用いられ、外部書込コマンドを受ける度に擬似
ランダム発生器（８）がマイクロプロセッサおよびカウ
ンタ（９）で減算すべきランダム時間（ｄ１）を発生す
る請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】マイクロプロセッサ（μＰ）を備えた集
積回路で用いられ、外部書込コマンドを受ける度にマイ
クロプロセッサで減算すべきランダム時間（ｄ１）の第
１値と、カウンタ（９）で減算すべきランダム時間（ｄ
１）の第２値とが擬似ランダム発生器（８）で発生され
る請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】書込電圧（Ｖｅ）を加えることによって
メモリセルに情報を書込む、書き換え可能な集積回路メ
モリを有する集積回路において、メモリに書込コマンドが来る度にランダム時間（ｄ１）
を発生する擬似ランダム発生器（8、18）と、前記ラン
ダム時間（ｄ１）を受けて当該ランダム時間を所定のパ
ルス信号で減算するための少なくとも１つの要素とを具
備し、前記少なくとも１つの要素が所定の値にまで減算
したあとに、メモリに書込をするための書込電圧を供給
することにより、メモリに書込をするための書込電圧の
供給をランダムに遅延することを特徴とする集積回路。
【請求項１０】ランダム時間（ｄ１）を減算する要素
がカウンタ（9、19）である請求項９に記載の集積回
路。
【請求項１１】マイクロプロセッサ（μＰ）を備え、
このマイクロプロセッサがランダム時間（ｄ１）を減算
する計数ループを初期化する請求項９に記載の集積回
路。
【請求項１２】マイクロプロセッサ（μＰ）とカウン
タとを具備し、ランダム時間（ｄ１）の一部がマイクロ
プロセッサの計数ループで減算され、他の一部はカウン
タで減算される請求項９に記載の集積回路。
【請求項１３】マイクロプロセッサ（μＰ））とカウ
ンタとを具備し、擬似ランダム発生器が、マイクロプロ
セッサの計数ループで減算すべきランダム時間（ｄ１）
の第１の値と、カウンタで減算すべきランダム時間（ｄ
１）の第２値とを発生する請求項９に記載の集積回路。
【請求項１４】書込コマンドの実行に必要な一定時間
（ｄ２）を表す値を記憶するメモリ要素（10、21)を具
備する請求項９〜１３のいずれか一項に記載の集積回
路。
【請求項１５】マイクロプロセッサ（μＰ）を備え、
一定時間（ｄ２）を表す上記の値がこのマイクロプロセ
ッサの計数ループで減算される請求項１４に記載の集積
回路。
【請求項１６】一定時間（ｄ２）を表す上記の値を減
算するカウンタ(11、22)を具備する請求項１４に記載の
集積回路。
【請求項１７】メモリ要素（10、21)が再プログラム
可能である請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の集
積回路。
【請求項１８】メモリ要素（10、21)が電気的に書き
換え可能な不揮発性メモリである請求項９〜１７のいず
れか一項に記載の集積回路。
【請求項１９】請求項９〜１８のいずれか一項に記載
の集積回路を有することを特徴とするマイクロ回路カー
ド。