JP3356668B2 - Thin-film electret condenser microphone and method of manufacturing the same - Google Patents

Thin-film electret condenser microphone and method of manufacturing the same

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はエレクトレットコン
デンサマイクロホンとその製造方法とに関する。
The present invention relates to an electret condenser microphone and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】振動板と電極板とエレクトレット材とで
コンデンサ部を形成するエレクトレットコンデンサマイ
クロホンは、振動板とエレクトレット材の位置関係によ
ってバックエレクトレット方式とホイルエレクトレット
方式に大別され、最近ではフロントエレクトレット方式
と呼ばれるものも出願人により開発されている。これら
のうち、バックエレクトレットのコンデンサマイクロホ
ンとフロントエレクトレット方式のコンデンサマイクロ
ホンの各概略構造を図2及び図3に示す。
2. Description of the Related Art Electret condenser microphones, which form a condenser section by a diaphragm, an electrode plate and an electret material, are roughly classified into a back electret type and a wheel electret type according to the positional relationship between the diaphragm and the electret material. What is called a scheme has also been developed by the applicant. Of these, the schematic structures of the back electret condenser microphone and the front electret condenser microphone are shown in FIGS.

【0003】バックエレクトレット方式のコンデンサマ
イクロホンは、図2に示されるように、カプセル1内に
後面側から前面側へプリント基板2、保持体3、背極板
4、エレクトレット層5、スペーサ6、振動板7及びリ
ング8を順番に配置し、保持体3の内側にIC素子9を
配置した構造になっている。
As shown in FIG. 2, a back electret type condenser microphone includes a printed circuit board 2, a holder 3, a back electrode plate 4, an electret layer 5, a spacer 6, a vibrator, and the like in a capsule 1 from the rear side to the front side. The plate 7 and the ring 8 are arranged in order, and the IC element 9 is arranged inside the holder 3.

【0004】エレクトレット層5は、ここではスペーサ
6により形成された空間を介して振動板7の後面側に位
置している。このために、この方式はバックエレクトレ
ット方式と呼ばれている。そしてエレクトレット層5
は、電極板としての背極板4の表面に溶着された12.
5〜25μm程度の高分子フィルム(通常FEP)によ
り形成されている。なお、背極板4は、前記高分子フィ
ルムが溶着された金属板をプレス加工で打ち抜くことに
よって形成される。
The electret layer 5 is located on the rear side of the diaphragm 7 via a space formed by the spacer 6. For this reason, this method is called a back electret method. And the electret layer 5
Are welded to the surface of the back electrode plate 4 as an electrode plate.
It is formed of a polymer film (usually FEP) of about 5 to 25 μm. The back electrode plate 4 is formed by stamping out a metal plate on which the polymer film is welded by pressing.

【0005】IC素子9はインピーダンス変換用のFE
Tであり、その入力端子9aは前面側の背極板4と接続
され、出力端子9bは後面側のプリント基板2と接続さ
れている。なお、1aはカプセル1の前面部に形成され
た音孔、1′はその前面部の表面に貼り付けられた前面
クロスである。
The IC element 9 is an FE for impedance conversion.
The input terminal 9a is connected to the back electrode plate 4 on the front side, and the output terminal 9b is connected to the printed circuit board 2 on the rear side. Reference numeral 1a denotes a sound hole formed on the front surface of the capsule 1, and 1 'denotes a front cloth adhered to the surface of the front surface.

【0006】一方、フロントエレクトレット方式のコン
デンサマイクロホンは、図3に示されるように、カプセ
ル1内に後面側から前面側へプリント基板2、保持体
3、振動板7、スペーサ6及びエレクトレット層5を順
番に配置し、保持体3の内側にIC素子9を配置した構
造になっている。
On the other hand, as shown in FIG. 3, the condenser microphone of the front electret type includes a printed circuit board 2, a holder 3, a diaphragm 7, a spacer 6, and an electret layer 5 in a capsule 1 from the rear side to the front side. The IC elements 9 are arranged in order and the IC elements 9 are arranged inside the holder 3.

【0007】エレクトレット層5は、ここでは振動板7
の前面側に位置する電極板としてのカプセル前面部の裏
面に被覆されており、振動板7の前面側にエレクトレッ
ト層5が配置されている点で、この方式はフロントエレ
クトレット方式と呼ばれている。そしてエレクトレット
層5は、バックエレクトレット方式の場合と同様に、カ
プセル前面部の裏面に溶着された厚みが12.5〜25
μm程度の高分子フィルム(通常FEP)により形成さ
れている。
The electret layer 5 is made of a diaphragm 7 in this case.
This method is called a front electret method in that an electret layer 5 is disposed on the front side of the diaphragm 7 so as to cover the front surface of the capsule as an electrode plate located on the front side of the diaphragm. . As in the case of the back electret system, the electret layer 5 has a thickness of 12.5 to 25 welded to the back surface of the front surface of the capsule.
It is formed of a polymer film (usually FEP) of about μm.

【0008】また、エレクトレット層5と振動板7の間
に空間を形成するためのスペーサ6としては、いずれの
方式の場合も、額縁状に打ち抜いて形成された厚みが3
0μm程度の高分子フィルム(通常PET)が使用され
ている。
The spacer 6 for forming a space between the electret layer 5 and the diaphragm 7 has a thickness of 3 mm formed by punching out a frame in any case.
A polymer film (usually PET) of about 0 μm is used.

【0009】なお、ホイルエレクトレット方式のコンデ
ンサマイクロホンは、背極板の前面側に設けられる振動
板自体をエレクトレット効果をもつ高分子フィルムによ
り形成したものであり、エレクトレット層が振動板から
分離していない点でバックエレクトレット方式及びフロ
ントエレクトレット方式のものとは区別される。
In a foil electret condenser microphone, the diaphragm itself provided on the front side of the back electrode plate is formed of a polymer film having an electret effect, and the electret layer is not separated from the diaphragm. This is distinguished from the back electret type and the front electret type.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のエレクトレットコンデンサマイクロホンには以
下のような問題点がある。すなわち、エレクトレット層
は、電極板としての背極板の表面に溶着及びプレス加工
された12.5〜25μm程度の高分子フィルムにより
形成されているため、高分子フィルムのロット間の品
質、厚みのばらつきや、背極板のプレス加工時に生じる
高分子フィルムのバリ等を原因とするエレクトレットコ
ンデンサマイクロホンの性能の個体差があった。
However, the above-mentioned conventional electret condenser microphone has the following problems. That is, since the electret layer is formed of a polymer film of about 12.5 to 25 μm welded and pressed on the surface of the back electrode plate as an electrode plate, the quality and thickness of the polymer film between lots are reduced. There were individual differences in the performance of electret condenser microphones due to variations and burr of the polymer film generated during pressing of the back electrode plate.

【0011】また、振動板と背極板との間の間隔には、
高分子フィルムであるスペーサの厚み分が含まれるた
め、実質的には大きすぎて性能的に問題が生じていた。
すなわち、スペーサの厚みは30μmであり、エレクト
レット層の厚さは12.5〜25μmであるから、間隔
は42.5〜55μmもあったのである。
In addition, the distance between the diaphragm and the back plate is
Since it contains the thickness of the spacer, which is a polymer film, it is substantially too large, causing a problem in performance.
That is, since the thickness of the spacer was 30 μm and the thickness of the electret layer was 12.5 to 25 μm, the interval was 42.5 to 55 μm.

【0012】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、従来のようにエレクトレットコンデンサマイクロホ
ンにエレクトレット層の厚さ等のばらつきに起因する性
能の個体差を生じることがなく、しかもより高性能のエ
レクトレットコンデンサマイクロホンとすることができ
る薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホン及びその
製造方法を提供することを目的としている。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and does not cause individual differences in performance due to variations in the thickness of electret layers in electret condenser microphones as in the prior art. It is an object of the present invention to provide a thin-film electret condenser microphone that can be used as the electret condenser microphone and a method of manufacturing the same.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜エレク
トレットコンデンサマイクロホンは、振動板と、その後
面側に配置された電極板としての背極板と、背極板の振
動板側の表面に形成されたエレクトレット層とでコンデ
ンサ部を形成するバックエレクトレット方式の薄膜エレ
クトレットコンデンサマイクロホンにおいて、前記エレ
クトレット層は背極板の振動板側の表面に高分子FEP
の微粒子が分散された有機溶媒を塗布した後、背極板を
加熱して有機溶媒を除去し、その後、背極板を溶液に浸
漬するか、又は冷却用気体を噴射することで冷却して分
極したものである。
A thin-film electret condenser microphone according to the present invention is formed on a diaphragm, a back plate as an electrode plate disposed on the rear side, and a surface of the back plate on the diaphragm side. in the thin-film electret condenser microphone of the back electret type that forms a capacitor portion between the electret layer, said Jer
The cullet layer is a polymer FEP on the surface of the back electrode plate on the diaphragm side.
After applying an organic solvent in which fine particles of
Heat to remove organic solvent, then immerse back plate in solution
Soak or inject cooling gas to cool and separate
It is extreme.

【0014】本発明に係る薄膜エレクトレットコンデン
サマイクロホンの製造方法は、振動板と、その後面側に
配置された電極板としての背極板と、背極板の振動板側
の表面に形成されたエレクトレット層とでコンデンサ部
を形成するバックエレクトレット方式のエレクトレット
コンデンサマイクロホンであり、前記背極板の表面上に
高分子FEPの微粒子で薄膜を直接形成する薄膜形成工
程と、前記薄膜に分極処理を施す分極工程とを備えてお
り、前記分極工程は、薄膜形成工程の後に背極板を溶液
に浸漬するか、又は薄膜形成工程の後の背極板に冷却用
気体を噴射することで行う。
The thin-film electret condensate according to the present invention
The method of manufacturing the microphone is as follows.
The back electrode plate as the placed electrode plate and the diaphragm side of the back electrode plate
Capacitor part with electret layer formed on the surface of
Back electret electret forming
A condenser microphone on the surface of the back plate
Thin film forming process for forming a thin film directly with fine particles of polymer FEP
And a polarization step of performing a polarization treatment on the thin film.
In the polarization step, the back electrode plate is subjected to a solution after the thin film formation step.
For cooling on the back plate after the thin film formation process
This is done by injecting gas.

【0015】また、前記薄膜形成工程は、高分子FEP
の微粒子を分散した有機溶媒を背極板上に塗布する工程
と、前記有機溶媒が塗布された背極板を加熱して有機溶
媒のみを除去する工程と、有機溶媒のみを除去した背極
板をより高い温度で加熱して高分子FEPの薄膜を形成
する工程とを有している。
In the thin film forming step, the polymer FEP may be used.
Of applying organic solvent with fine particles dispersed on back electrode plate
And heat the back electrode plate coated with the organic solvent to dissolve the organic solvent.
The process of removing only the solvent and the back electrode from which only the organic solvent has been removed
Heat the plate at a higher temperature to form a thin film of polymer FEP
And a step of performing

【0016】前記高分子FEPの微粒子を分散した有機
溶媒を背極板上に塗布する工程では、背極板への前記有
機溶媒のスピンオンコート、又は背極板の前記有機溶媒
へのディップによって行う。
An organic material in which the fine particles of the polymer FEP are dispersed
In the step of applying a solvent on the back electrode plate,
Spin-on coating of organic solvent, or the organic solvent of back electrode plate
Performed by dip into.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】図1は本発明の実施の形態に係る
薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法
の各工程を示す概略的説明図である。
FIG. 1 is a schematic explanatory view showing each step of a method for manufacturing a thin-film electret condenser microphone according to an embodiment of the present invention.

【0018】なお、本発明の実施の形態に係る薄膜エレ
クトレットコンデンサマイクロホン自体の構成は、エレ
クトレット膜5の厚さ以外は上述した従来のバックエレ
クトレット方式のエレクトレットコンデンサマイクロホ
ンと同様であるので、図2を流用する。
The structure of the thin-film electret condenser microphone according to the embodiment of the present invention is the same as that of the above-described conventional back electret electret condenser microphone except for the thickness of the electret film 5, and FIG. Divert.

【0019】本発明の実施の形態に係る薄膜エレクトレ
ットコンデンサマイクロホンは、振動板7と、その後面
側に配置された電極板としての背極板4と、背極板4の
振動板7側の表面に形成されたエレクトレット層5とで
コンデンサ部を形成するバックエレクトレット方式の薄
膜エレクトレットコンデンサマイクロホンであって、前
記エレクトレット層5は高分子FEPの微粒子で形成さ
れた薄膜であって分極処理が施されているものである。
The thin-film electret condenser microphone according to the embodiment of the present invention has a diaphragm 7, a back electrode 4 as an electrode plate disposed on the rear side, and a surface of the back electrode 4 on the diaphragm 7 side. A back electret type thin film electret condenser microphone that forms a capacitor portion with the electret layer 5 formed on the substrate, wherein the electret layer 5 is a thin film formed of fine particles of a polymer FEP and is subjected to a polarization treatment. Is what it is.

【0020】前記エレクトレット層5は、背極板4の表
面にFEP等を直接成膜して形成した厚みが1.O〜
2.Oμm程度の薄膜である。エレクトレット層5の周
縁部表面には、その前面側に配置される振動板との間に
空間を形成するためのスペーサ6が、スクリーン印刷に
より30μm程度の厚みに形成されている。
The electret layer 5 has a thickness of 1.0 formed by directly depositing FEP or the like on the surface of the back electrode plate 4. O ~
2. It is a thin film of about O μm. On the surface of the peripheral portion of the electret layer 5, a spacer 6 for forming a space between the electret layer 5 and a diaphragm disposed on the front side thereof is formed to a thickness of about 30 μm by screen printing.

【0021】このような背極板4とエレクトレット層5
とスペーサ6の一体化部材を使用することにより、図2
に示すようなバックエレクトレット方式の薄膜エレクト
レットコンデンサマイクロホンが構成される。
The back electrode plate 4 and the electret layer 5
By using an integrated member of the spacer and the spacer 6, FIG.
The thin-film electret condenser microphone of the back electret type shown in FIG.

【0022】前記エレクトレット層5は次のような工程
によって形成される。まず、熱伝導に優れた真鍮材から
なる背極板4の表面上に高分子FEPの直径が0.1μ
m〜0.25μm程度の微粒子で薄膜を直接形成する薄
膜形成工程と、前記薄膜に分極処理を施す分極工程とか
らなっている。
The electret layer 5 is formed by the following steps. First, the diameter of the polymer FEP is 0.1 μm on the surface of the back electrode plate 4 made of a brass material having excellent heat conduction.
The method comprises a thin film forming step of directly forming a thin film with fine particles of about m to 0.25 μm, and a polarizing step of performing a polarizing process on the thin film.

【0023】詳述すると、前記薄膜形成工程は、高分子
FEPの微粒子を分散した有機溶媒100を背極板4上
に塗布する工程と、高分子FEPの微粒子を分散した有
機溶媒100が塗布された背極板4を加熱して有機溶媒
110のみを除去する工程と、有機溶媒110のみを除
去した背極板4をより高い温度で加熱して高分子FEP
の薄膜を形成する工程とを有している。
More specifically, the thin film forming step includes a step of applying an organic solvent 100 in which fine particles of polymer FEP are dispersed on the back electrode plate 4, and a step of applying the organic solvent 100 in which fine particles of polymer FEP are dispersed. Heating the back electrode plate 4 to remove only the organic solvent 110, and heating the back electrode plate 4 from which only the organic solvent 110 has been removed at a higher temperature to polymer FEP.
And forming a thin film.

【0024】前記高分子FEPの微粒子としては、例え
ば四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン重合体微粒子
が用いられる。この高分子FEPの微粒子を分散させた
有機溶媒としては、例えばダイキン工業株式会社製のネ
オフロン(商標)FEPディスパージョンであるND−
1が適している。このND−1は、粘度が10〜30
c.p.,25℃であり、背極板4への塗布に適してい
る。
As the fine particles of the polymer FEP, for example, ethylene tetrafluoride-propylene hexafluoride polymer fine particles are used. Examples of the organic solvent in which the fine particles of the polymer FEP are dispersed include ND-, a Neoflon (trademark) FEP dispersion manufactured by Daikin Industries, Ltd.
1 is suitable. This ND-1 has a viscosity of 10 to 30.
c. p. , 25 ° C., which is suitable for application to the back electrode plate 4.

【0025】この高分子FEPの微粒子を分散させた有
機溶媒100の背極板4への塗布の方法としては、図1
(A)に示すように、スピンオンコート法がある。この
場合、スピナー500で背極板4を1000〜4000
rpmで回転させながら、前記有機溶媒100を背極板
4の上に滴下することによって行う。1つの背極板4に
対して10〜20秒程度が適している。このようにする
ことにより、図1(B)に示すように、1.0〜2.0
μmの膜厚で有機溶媒100が塗布される。
The method of applying the organic solvent 100 in which the fine particles of the polymer FEP are dispersed to the back electrode plate 4 is as shown in FIG.
As shown in (A), there is a spin-on coating method. In this case, the back electrode plate 4 is
This is carried out by dropping the organic solvent 100 onto the back electrode plate 4 while rotating at rpm. About 10 to 20 seconds is suitable for one back electrode plate 4. By doing so, as shown in FIG.
The organic solvent 100 is applied to a thickness of μm.

【0026】次に、図1(C)に示すように、前記有機
溶媒100が塗布された背極板4を加熱するのである
が、ここでは有機溶媒110のみを除去する仮焼成とし
て、雰囲気温度を100〜120℃程度とし、5分程度
加熱する。この加熱によって有機溶媒110のみが除去
され、高分子FEPの微粒子の堆積物130が背極板4
の上に形成される。
Next, as shown in FIG. 1 (C), the back electrode plate 4 coated with the organic solvent 100 is heated. Of about 100 to 120 ° C. and heating for about 5 minutes. This heating removes only the organic solvent 110, and deposits 130 of fine particles of the polymer FEP form the back electrode plate 4.
Formed on

【0027】さらに、高分子FEPを薄膜化するため
に、すなわち前記高分子FEPの微粒子の堆積物130
を薄膜化するために、前記仮焼成より高い雰囲気温度、
例えば380〜450°で本焼成を行う。この本焼成は
10分程度行う。この本焼成によって高分子FEPの薄
膜120が形成される。
Further, in order to reduce the thickness of the polymer FEP, that is, a deposit 130 of the polymer FEP fine particles.
In order to reduce the film thickness, the ambient temperature higher than the preliminary firing,
For example, main firing is performed at 380 to 450 °. This main firing is performed for about 10 minutes. By this baking, a thin film 120 of the polymer FEP is formed.

【0028】この本焼成の後に分極工程を行うが、この
分極工程では薄膜形成工程の後に背極板4を冷却するこ
とで行う。例えば、溶液200としての水に前記背極板
4を浸漬して急冷することで行う。この急冷によって、
高分子FEPの薄膜120の分子配向が変化しエレクト
レット層5として機能するようになる。
After the main firing, a polarization step is performed. In the polarization step, the back electrode plate 4 is cooled after the thin film formation step. For example, the back electrode plate 4 is immersed in water as a solution 200 and rapidly cooled. With this quenching,
The molecular orientation of the polymer FEP thin film 120 changes, and the thin film 120 functions as the electret layer 5.

【0029】このようにして得られたエレクトレット層
5は、1.0〜2.0μmの厚さに形成され、その表面
抵抗は厚さ2.0μmのもので、1×1013Ωとなって
いた。ここで、従来のように、FEPフィルムを背極板
4の表面に溶着するものであれば、厚さ12.5μmの
もので2×1013Ωとなっていた。すなわち、本実施例
に係る製造方法で製造するほうが、同等の抵抗値であり
ながら極めて薄いエレクトレット層5を形成できるので
ある。
The electret layer 5 thus obtained is formed to a thickness of 1.0 to 2.0 μm, and has a surface resistance of 2.0 μm and 1 × 10 13 Ω. Was. Here, if the FEP film is welded to the surface of the back electrode plate 4 as in the related art, the thickness is 1 × 10 13 Ω and 2 × 10 13 Ω. In other words, when manufactured by the manufacturing method according to the present embodiment, an extremely thin electret layer 5 can be formed while having the same resistance value.

【0030】なお、上述した実施の形態では、薄膜形成
工程において、高分子FEPが分散された有機溶媒10
0をスピンオンコート法で塗布していたが、背極板4を
前記有機溶媒100にディップすることによって塗布し
てもよい。すなわち、背極板4を前記有機溶媒100に
浸漬することで塗布するのである。この場合には、スピ
ンオンコート法に比較して作業性の点で優れている。
In the above-described embodiment, in the thin film forming step, the organic solvent 10 in which the polymer FEP is dispersed is used.
0 was applied by the spin-on coating method, but may be applied by dipping the back electrode plate 4 in the organic solvent 100. That is, the back electrode plate 4 is applied by dipping in the organic solvent 100. In this case, the workability is superior to the spin-on coating method.

【0031】また、上述した実施の形態では、分極工程
で背極板4を急冷するのに溶液200としての水に背極
板4を浸漬することで行ったが、水ではなくメチルアル
コールであってもよい。メチルアルコールを用いる場合
には、水を用いる場合に比較して配向の点で優れてい
る。
In the above-described embodiment, the back electrode 4 is rapidly cooled in the polarization step by immersing the back electrode 4 in water as a solution 200. However, methyl alcohol is used instead of water. You may. When methyl alcohol is used, it is superior in orientation in comparison with the case where water is used.

【0032】さらに、分極工程における急冷は、図1
(F)に示すように、溶液200ではなく冷却用気体、
例えば冷たい空気300を噴射することで行ってもよ
い。いわば空冷である。この場合には、溶液200を用
いる場合と比較して作業性の点で優れている。
Further, the rapid cooling in the polarization step is performed as shown in FIG.
(F) As shown in FIG.
For example, it may be performed by injecting cold air 300. It is air-cooled, so to speak. In this case, workability is superior to the case where the solution 200 is used.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明に係る薄膜エレクトレットコンデ
ンサマイクロホンは、振動板と、その後面側に配置され
た電極板としての背極板と、背極板の振動板側の表面に
形成されたエレクトレット層とでコンデンサ部を形成す
るバックエレクトレット方式の薄膜エレクトレットコン
デンサマイクロホンにおいて、前記エレクトレット層は
背極板の振動板側の表面に高分子FEPの微粒子が分散
された有機溶媒を塗布した後、背極板を加熱して有機溶
媒を除去し、その後、背極板を溶液に浸漬するか、又は
冷却用気体を噴射することで冷却して分極したものであ
る。
The thin-film electret condenser microphone according to the present invention comprises a diaphragm, a back plate as an electrode plate disposed on the rear side, and an electret layer formed on the surface of the back plate on the diaphragm side. In the back electret type thin film electret condenser microphone that forms a capacitor portion with the above, the electret layer is
Fine particles of polymer FEP are dispersed on the surface of the back electrode plate on the diaphragm side
After applying the organic solvent, the back electrode plate is heated to
Remove the medium and then immerse the back plate in the solution, or
Polarized by cooling by injecting a cooling gas
You.

【0034】このため、FEPフィルムを背極板に溶着
した従来の薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホン
のような、エレクトレット層の品質、厚みのばらつきが
ないため、品質の均一化が図れる。また、背極板に高分
子FEPのフィルムを溶着した後にプレス加工をする必
要がないため、従来のような性能の劣化の原因となるフ
ィルムのバリが生じるという問題がない。また、分極工
程を薄膜形成工程の後に背極板を冷却するとすると、分
極が容易に生じるが、背極板の冷却を薄膜形成工程後の
背極板を溶液に浸漬するか、又は薄膜形成工程後の背極
板に冷却用気体を噴射することとすると、簡単な設備で
エレクトレット層の分極が可能になる。
Therefore, there is no variation in the quality and thickness of the electret layer as in the conventional thin film electret condenser microphone in which the FEP film is welded to the back electrode plate, so that the quality can be made uniform. In addition, since it is not necessary to press work after welding the polymer FEP film to the back electrode plate, there is no problem that a burr of the film which causes deterioration of the performance occurs as in the related art. In addition, polarization work
If the back electrode plate is cooled after the thin film forming process,
The poles are easily formed, but the cooling of the back plate is
Immerse the back electrode plate in the solution, or back electrode after the thin film forming process
Injecting the cooling gas into the plate is simple equipment.
The electret layer can be polarized.

【0035】本発明に係る薄膜エレクトレットコンデン
サマイクロホンの製造方法は、振動板と、その後面側に
配置された電極板としての背極板と、背極板の振動板側
の表面に形成されたエレクトレット層とでコンデンサ部
を形成するバックエレクトレット方式のエレクトレット
コンデンサマイクロホンであり、前記背極板の表面上に
高分子FEPの微粒子で薄膜を直接形成する薄膜形成工
程と、前記薄膜に分極処理を施す分極工程とを備えてお
り、前記分極工程は、薄膜形成工程の後に背極板を溶液
に浸漬するか、又は薄膜形成工程の後の背極板に冷却用
気体を噴射することで行う。
The thin-film electret condensate according to the present invention
The method of manufacturing the microphone is as follows.
The back electrode plate as the placed electrode plate and the diaphragm side of the back electrode plate
Capacitor part with electret layer formed on the surface of
Back electret electret forming
A condenser microphone on the surface of the back plate
Thin film forming process for forming a thin film directly with fine particles of polymer FEP
And a polarization step of performing a polarization treatment on the thin film.
In the polarization step, the back electrode plate is subjected to a solution after the thin film formation step.
For cooling on the back plate after the thin film formation process
This is done by injecting gas.

【0036】分極工程を薄膜形成工程の後に背極板を冷
却するとすると、分極が容易に生じるが、背極板の冷却
を薄膜形成工程後の背極板を溶液に浸漬するか、又は薄
膜形成工程後の背極板に冷却用気体を噴射することとす
ると、簡単な設備でエレクトレット層の分極が可能にな
る。
After the polarization step, the back electrode plate is cooled after the thin film forming step.
Otherwise, polarization occurs easily, but cooling of the back plate
Dipping the back electrode plate after the thin film formation process
Injecting a cooling gas to the back electrode plate after the film formation process
Then, the electret layer can be polarized with simple equipment.
You.

【0037】また、前記薄膜形成工程は、高分子FEP
の微粒子を分散した有機溶媒を背極板上に塗布する工程
と、前記有機溶媒が塗布された背極板を加熱して有機溶
媒のみを除去する工程と、有機溶媒のみを除去した背極
板をより高い温度で加熱して高分子FEPの薄膜を形成
する工程とを有しているので、均一なエレクトレット層
を容易に形成することが可能となる。
In the thin film forming step, the polymer FEP is used.
Of applying organic solvent with fine particles dispersed on back electrode plate
And heat the back electrode plate coated with the organic solvent to dissolve the organic solvent.
The process of removing only the solvent and the back electrode from which only the organic solvent has been removed
Heat the plate at a higher temperature to form a thin film of polymer FEP
A uniform electret layer.
Can be easily formed.

【0038】さらに、前記高分子FEPの微粒子を分散
した有機溶媒を背極板上に塗布する工程では、背極板へ
の前記有機溶媒のスピンオンコート、又は背極板の前記
有機溶媒へのディップによって行うとすると、均一なエ
レクトレット層を容易に形成することができる。
Further, the fine particles of the polymer FEP are dispersed.
In the process of applying the organic solvent to the back plate,
The spin-on coating of the organic solvent, or the back electrode plate
If performed by dipping in organic solvent, uniform
The lectret layer can be easily formed.

【0039】[0039]

【0040】[0040]

【0041】[0041]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係る薄膜エレクトレット
コンデンサマイクロホンの製造方法の各工程を示す概略
的説明図である。
FIG. 1 is a schematic explanatory view showing each step of a method for manufacturing a thin-film electret condenser microphone according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来のエレクトレットコンデンサマイクロホン
(バックエレクトレット方式)の概略的縦断面図であ
る。
FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view of a conventional electret condenser microphone (back electret system).

【図3】従来のエレクトレットコンデンサマイクロホン
(フロントエレクトレット方式)の概略的縦断面図であ
る。
FIG. 3 is a schematic longitudinal sectional view of a conventional electret condenser microphone (front electret system).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

4 背極板 5 エレクトレット層 100 高分子FEPの微粒子が分散された有機溶媒 110 有機溶媒 120 薄膜 Reference Signs List 4 back electrode plate 5 electret layer 100 organic solvent in which fine particles of polymer FEP are dispersed 110 organic solvent 120 thin film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04R 19/01 H04R 31/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H04R 19/01 H04R 31/00

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 振動板と、その後面側に配置された電極
板としての背極板と、背極板の振動板側の表面に形成さ
れたエレクトレット層とでコンデンサ部を形成するバッ
クエレクトレット方式の薄膜エレクトレットコンデンサ
マイクロホンにおいて、前記エレクトレット層は背極板
の振動板側の表面に高分子FEPの微粒子が分散された
有機溶媒を塗布した後、背極板を加熱して有機溶媒を除
去し、その後、背極板を溶液に浸漬するか、又は冷却用
気体を噴射することで冷却して分極したことを特徴とす
薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホン。
1. A back electret system in which a capacitor portion is formed by a diaphragm, a back plate as an electrode plate disposed on the rear surface side, and an electret layer formed on the surface of the back plate on the diaphragm side. In the thin film electret condenser microphone of the above, the electret layer is a back electrode plate
Fine particles of polymer FEP were dispersed on the surface on the diaphragm side
After applying the organic solvent, the back electrode plate is heated to remove the organic solvent.
And then immerse the back plate in the solution or
It is cooled and polarized by injecting gas.
Thin film electret condenser microphone that.
【請求項2】 振動板と、その後面側に配置された電極
板としての背極板と、背極板の振動板側の表面に形成さ
れたエレクトレット層とでコンデンサ部を形成するバッ
クエレクトレット方式のエレクトレットコンデンサマイ
クロホンであり、前記背極板の表面上に高分子FEPの
微粒子で薄膜を直接形成する薄膜形成工程と、前記薄膜
に分極処理を施す分極工程とを具備しており、前記分極
工程は、薄膜形成工程の後に背極板を溶液に浸漬する
か、又は薄膜形成工程の後の背極板に冷却用気体を噴射
することで行うことを特徴とする薄膜エレクトレットコ
ンデンサマイクロホンの製造方法。
2. A diaphragm and an electrode disposed on a rear surface side thereof.
The back electrode plate as a plate and the surface formed on the diaphragm side of the back electrode plate
To form a capacitor with the electret layer
Electret condenser my of electret type
And a polymer FEP on the surface of the back electrode plate.
A thin film forming step of directly forming a thin film with fine particles;
And a polarization step of performing a polarization process on the substrate.
In the process, the back electrode plate is immersed in the solution after the thin film formation process
Or, inject cooling gas to back plate after thin film formation process
Film electret core characterized by performing
Method for manufacturing a condenser microphone.
【請求項3】 前記薄膜形成工程は、高分子FEPの微
粒子を分散した有機溶媒を背極板上に塗布する工程と、
前記有機溶媒が塗布された背極板を加熱して有機溶媒の
みを除去する工程と、有機溶媒のみを除去した背極板を
より高い温度で加熱して高分子FEPの薄膜を形成する
工程とを具備したことを特徴とする請求項2記載の薄膜
エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the step of forming a thin film comprises the step of
A step of applying an organic solvent having dispersed particles on a back electrode plate,
The back electrode plate coated with the organic solvent is heated to remove the organic solvent.
Process and the back plate from which only the organic solvent has been removed.
Heat at higher temperature to form polymer FEP thin film
3. The method of manufacturing a thin-film electret condenser microphone according to claim 2, comprising the steps of :
【請求項4】 請求項3における高分子FEPの微粒子
を分散した有機溶媒を背極板上に塗布する工程では、背
極板への前記有機溶媒のスピンオンコート、又は背極板
の前記有機溶媒へのディップによって行うことを特徴と
する薄膜エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造
方法。
4. Fine particles of the polymer FEP according to claim 3.
In the process of applying an organic solvent in which
Spin-on coating of the organic solvent on the electrode plate, or back electrode plate
Is carried out by dipping in the organic solvent.
Of manufacturing a thin film electret condenser microphone.
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