JP3352918B2 - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
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- JP3352918B2 JP3352918B2 JP25192097A JP25192097A JP3352918B2 JP 3352918 B2 JP3352918 B2 JP 3352918B2 JP 25192097 A JP25192097 A JP 25192097A JP 25192097 A JP25192097 A JP 25192097A JP 3352918 B2 JP3352918 B2 JP 3352918B2
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- substrate
- semiconductor element
- heating elements
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板面に複数の発
熱体が取り付けられた基板と、複数の発熱体のうち少な
くとも１つに熱的に接続されたヒートシンクとを備えた
電子部品に係り、とりわけ、当該電子部品においてヒー
トシンクの伝熱面積を増大させることを可能とする発熱
体の実装手法に関する。
熱体が取り付けられた基板と、複数の発熱体のうち少な
くとも１つに熱的に接続されたヒートシンクとを備えた
電子部品に係り、とりわけ、当該電子部品においてヒー
トシンクの伝熱面積を増大させることを可能とする発熱
体の実装手法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７に、基板１に複数の発熱体（半導体
素子）２、３、４、５を搭載してなる電子部品の従来例
を示す。この従来例においては、複数の半導体素子のう
ち最も発熱量の大きい半導体素子３の上面３ａにヒート
シンク６が接続されている。
素子）２、３、４、５を搭載してなる電子部品の従来例
を示す。この従来例においては、複数の半導体素子のう
ち最も発熱量の大きい半導体素子３の上面３ａにヒート
シンク６が接続されている。
【０００３】このような場合、半導体素子３の放熱を更
に向上させようとした場合、ヒートシンク６を大型化す
ることが考えられる。
に向上させようとした場合、ヒートシンク６を大型化す
ることが考えられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図７に示すよ
うに、ヒートシンク６が接続される半導体素子３の上面
（基板１から最も離れた面）３ａに比べて、他の半導体
素子２、４、５のそれぞれの上面２ａ、４ａ、５ａの高
さが高くなるように各半導体素子２〜５が実装されてい
るため、ヒートシンク６の大きさは周囲の半導体素子
２、４、５の制限を受け、伝熱面積の増加には限界があ
る。これに対応するため、フィンベース６ａに、例えば
座ぐりなどの加工を施し周囲の半導体素子２、４、５の
制限を避け伝熱面積を増加することも可能ではあるが、
ヒートシンク６の形状が複雑化するため、ヒートシンク
６が高価なものになってしまうという問題がある。
うに、ヒートシンク６が接続される半導体素子３の上面
（基板１から最も離れた面）３ａに比べて、他の半導体
素子２、４、５のそれぞれの上面２ａ、４ａ、５ａの高
さが高くなるように各半導体素子２〜５が実装されてい
るため、ヒートシンク６の大きさは周囲の半導体素子
２、４、５の制限を受け、伝熱面積の増加には限界があ
る。これに対応するため、フィンベース６ａに、例えば
座ぐりなどの加工を施し周囲の半導体素子２、４、５の
制限を避け伝熱面積を増加することも可能ではあるが、
ヒートシンク６の形状が複雑化するため、ヒートシンク
６が高価なものになってしまうという問題がある。
【０００５】本発明は、上記実状に鑑みなされたもので
あり、基板上に搭載された複数の発熱体を安価なヒート
シンクで効率よく冷却することができる構造を提供する
ことを目的とする。
あり、基板上に搭載された複数の発熱体を安価なヒート
シンクで効率よく冷却することができる構造を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するた
め、本発明は、電子部品において、基板面に複数の発熱
体が取り付けられた基板と、前記複数の発熱体のうち少
なくとも１つに熱的に接続されたヒートシンクとを備
え、前記複数の発熱体のうち基板面の所定領域内にある
発熱体は、ヒートシンクに接続される発熱体の基板面か
ら最も離れた部位の基板面からの距離が、ヒートシンク
に接続されない発熱体の基板面から最も離れた部位の基
板面からの距離よりも大きくなるように前記基板面に取
り付けられていることを特徴とする。
め、本発明は、電子部品において、基板面に複数の発熱
体が取り付けられた基板と、前記複数の発熱体のうち少
なくとも１つに熱的に接続されたヒートシンクとを備
え、前記複数の発熱体のうち基板面の所定領域内にある
発熱体は、ヒートシンクに接続される発熱体の基板面か
ら最も離れた部位の基板面からの距離が、ヒートシンク
に接続されない発熱体の基板面から最も離れた部位の基
板面からの距離よりも大きくなるように前記基板面に取
り付けられていることを特徴とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、電子部品において、基板面に複数の発熱
体が取り付けられた基板と、前記複数の発熱体を覆うヒ
ートシンクであって、このヒートシンクに覆われる前記
複数の発熱体のうちの１つのみに熱的に接続されたヒー
トシンクと、を備え、前記ヒートシンクの底面にはヒー
トシンク幅方向に延びる凸部が形成されており、前記ヒ
ートシンクに接続される発熱体は前記凸部に接続されて
おり、前記ヒートシンクに覆われる複数の発熱体には、
前記凸部に対応する領域内にある複数の発熱体と、前記
凸部に対応する領域外にある発熱体と、が含まれてお
り、前記凸部に対応する領域内にある複数の発熱体は、
前記ヒートシンクに熱的に接続される発熱体の前記基板
面から最も離れた部位の前記基板面からの距離が、前記
ヒートシンクに熱的に接続されない発熱体の基板面から
最も離れた部位の基板面からの距離よりも大きくなるよ
うに前記基板に取り付けられていることを特徴とする。
め、本発明は、電子部品において、基板面に複数の発熱
体が取り付けられた基板と、前記複数の発熱体を覆うヒ
ートシンクであって、このヒートシンクに覆われる前記
複数の発熱体のうちの１つのみに熱的に接続されたヒー
トシンクと、を備え、前記ヒートシンクの底面にはヒー
トシンク幅方向に延びる凸部が形成されており、前記ヒ
ートシンクに接続される発熱体は前記凸部に接続されて
おり、前記ヒートシンクに覆われる複数の発熱体には、
前記凸部に対応する領域内にある複数の発熱体と、前記
凸部に対応する領域外にある発熱体と、が含まれてお
り、前記凸部に対応する領域内にある複数の発熱体は、
前記ヒートシンクに熱的に接続される発熱体の前記基板
面から最も離れた部位の前記基板面からの距離が、前記
ヒートシンクに熱的に接続されない発熱体の基板面から
最も離れた部位の基板面からの距離よりも大きくなるよ
うに前記基板に取り付けられていることを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、電子部品において、基板
面に複数の発熱体が取り付けられた基板と、押し出し加
工で製作されるとともに前記複数の発熱体のうち少なく
とも１つに熱的に接続されたヒートシンクとを備え、前
記複数の発熱体のうち基板面の所定領域内にあり、か
つ、前記ヒートシンクの押し出し方向に配置された発熱
体は、ヒートシンクに接続される発熱体の基板面から最
も離れた部位の基板面からの距離が、ヒートシンクに接
続されない発熱体の基板面から最も離れた部位の基板面
からの距離よりも大きくなるように前記基板面に取り付
けられていることを特徴とする。
面に複数の発熱体が取り付けられた基板と、押し出し加
工で製作されるとともに前記複数の発熱体のうち少なく
とも１つに熱的に接続されたヒートシンクとを備え、前
記複数の発熱体のうち基板面の所定領域内にあり、か
つ、前記ヒートシンクの押し出し方向に配置された発熱
体は、ヒートシンクに接続される発熱体の基板面から最
も離れた部位の基板面からの距離が、ヒートシンクに接
続されない発熱体の基板面から最も離れた部位の基板面
からの距離よりも大きくなるように前記基板面に取り付
けられていることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００１０】［第１の実施形態］まず、第１の実施形態
について図１を参照して説明する。図１に示すように、
電子部品は、基板１０と、基板１０の基板面１１上に実
装された複数の発熱体として半導体素子Ａ11、Ａ12、Ａ
13、Ａ14、Ａ21、Ａ22、Ａ23、Ａ24、Ａ31、Ａ32、Ａ3
3、Ａ34、Ａ41、Ａ42、Ａ43、Ａ44とを備えている。な
お、図１は、基板面１１上への半導体素子の配置を示す
ことを目的としており、図面の簡略化のためヒートシン
クの記載は省略している。
について図１を参照して説明する。図１に示すように、
電子部品は、基板１０と、基板１０の基板面１１上に実
装された複数の発熱体として半導体素子Ａ11、Ａ12、Ａ
13、Ａ14、Ａ21、Ａ22、Ａ23、Ａ24、Ａ31、Ａ32、Ａ3
3、Ａ34、Ａ41、Ａ42、Ａ43、Ａ44とを備えている。な
お、図１は、基板面１１上への半導体素子の配置を示す
ことを目的としており、図面の簡略化のためヒートシン
クの記載は省略している。
【００１１】これら半導体素子のうち、半導体素子Ａ12
は、単位時間当たりの発熱量が最も大きい、または発熱
密度が最も大きい、あるいは許容温度が最も低い等の理
由により特に冷却効率を高くしなければならない半導体
素子である。このため、図２に示すように、半導体素子
Ａ12にはヒートシンク２０が接続されている。
は、単位時間当たりの発熱量が最も大きい、または発熱
密度が最も大きい、あるいは許容温度が最も低い等の理
由により特に冷却効率を高くしなければならない半導体
素子である。このため、図２に示すように、半導体素子
Ａ12にはヒートシンク２０が接続されている。
【００１２】ヒートシンク２０は櫛形の断面形状を有
し、複数のフィン２１と、フィンベース２２とから構成
されており、ヒートシンク２０のフィンベース２２の底
面２３が半導体素子Ａ12の背面Ａ12ａに接続されるよう
になっている。
し、複数のフィン２１と、フィンベース２２とから構成
されており、ヒートシンク２０のフィンベース２２の底
面２３が半導体素子Ａ12の背面Ａ12ａに接続されるよう
になっている。
【００１３】ここで、図１Ｙ方向からの側面図である図
２に示すように、ヒートシンク２０が接続される半導体
素子Ａ12の基板面１１から最も離れた部位すなわち背面
Ａ12ａの基板面１１からの（垂直方向の）距離は、ヒー
トシンクに接続されない他の半導体素子の基板面１１か
ら最も離れた部位の基板面１１からの距離よりも大きく
なっている。
２に示すように、ヒートシンク２０が接続される半導体
素子Ａ12の基板面１１から最も離れた部位すなわち背面
Ａ12ａの基板面１１からの（垂直方向の）距離は、ヒー
トシンクに接続されない他の半導体素子の基板面１１か
ら最も離れた部位の基板面１１からの距離よりも大きく
なっている。
【００１４】このため、ヒートシンク２０を図２に示す
ように大型化して（従来技術を示す図７を比較して参
照）、ヒートシンク２０が半導体素子Ａ12以外の半導体
素子Ａ11、Ａ13、Ａ14の上方を覆うようにしても、ヒー
トシンク２０のフィンベース２２に半導体素子Ａ12以外
の半導体素子との干渉を避けるために加工を施す必要は
ない。このため、ヒートシンク２０の製造コストを増大
させることなく伝熱面積を広げることができ、特に冷却
を必要とする半導体素子Ａ12の冷却効率を向上させるこ
とができる。
ように大型化して（従来技術を示す図７を比較して参
照）、ヒートシンク２０が半導体素子Ａ12以外の半導体
素子Ａ11、Ａ13、Ａ14の上方を覆うようにしても、ヒー
トシンク２０のフィンベース２２に半導体素子Ａ12以外
の半導体素子との干渉を避けるために加工を施す必要は
ない。このため、ヒートシンク２０の製造コストを増大
させることなく伝熱面積を広げることができ、特に冷却
を必要とする半導体素子Ａ12の冷却効率を向上させるこ
とができる。
【００１５】［第２の実施形態］次に、図３乃至図４に
より第２の実施形態について説明する。なお、本実施形
態においても、基板１０上への半導体素子への配置は第
１の実施形態と同一（図１参照）である前提で説明を行
うものとする。
より第２の実施形態について説明する。なお、本実施形
態においても、基板１０上への半導体素子への配置は第
１の実施形態と同一（図１参照）である前提で説明を行
うものとする。
【００１６】図３は、図１Ｙ方向からの側面図であり、
ヒートシンク２０は、単位時間当たりの発熱量が最も大
きい、または発熱密度が最も大きい、あるいは許容温度
が最も低い等の理由により特に冷却効率を高くしなけれ
ばならない発熱体である半導体素子Ａ12に接続されてい
る。
ヒートシンク２０は、単位時間当たりの発熱量が最も大
きい、または発熱密度が最も大きい、あるいは許容温度
が最も低い等の理由により特に冷却効率を高くしなけれ
ばならない発熱体である半導体素子Ａ12に接続されてい
る。
【００１７】図３に示すように半導体素子Ａ12の高さ
は、Ｙ方向から見て、半導体素子Ａ11と一列に並ぶ半導
体素子Ａ21、Ａ31、Ａ41のうちいずれか一の半導体素
子、半導体素子Ａ13、と一列に並ぶＡ23、Ａ33、Ａ43の
うちいずれか一の半導体素子、および半導体素子Ａ14と
一列に並ぶＡ24、Ａ34、Ａ44のうちいずれか一の半導体
素子の高さより低くなっている。
は、Ｙ方向から見て、半導体素子Ａ11と一列に並ぶ半導
体素子Ａ21、Ａ31、Ａ41のうちいずれか一の半導体素
子、半導体素子Ａ13、と一列に並ぶＡ23、Ａ33、Ａ43の
うちいずれか一の半導体素子、および半導体素子Ａ14と
一列に並ぶＡ24、Ａ34、Ａ44のうちいずれか一の半導体
素子の高さより低くなっている。
【００１８】ヒートシンク２０はＹ方向（図３紙面法線
方向）に押し出し成形することにより製作されている。
そして本実施形態におけるヒートシンク２０には、第１
の実施形態におけるヒートシンク２０に加えて更に、フ
ィンベース２２の底面２３にＹ方向に延びる凸部２４が
形成されている。
方向）に押し出し成形することにより製作されている。
そして本実施形態におけるヒートシンク２０には、第１
の実施形態におけるヒートシンク２０に加えて更に、フ
ィンベース２２の底面２３にＹ方向に延びる凸部２４が
形成されている。
【００１９】半導体素子Ａ12の背面Ａ12ａはヒートシン
ク２０の凸部２４の底面２５と接続されている。この凸
部２４の高さ、すなわちフィンベース２２の底面から凸
部２４の底面２５までの距離は、半導体素子Ａ12の背面
Ａ12ａをヒートシンク２０の凸部２４の底面２３と接続
した場合に、ヒートシンク２０の凸部２４以外の底面２
１の高さが、半導体素子Ａ11、Ａ21、Ａ31、Ａ41、半導
体素子Ａ13、Ａ23、Ａ33、Ａ43および半導体素子Ａ14、
Ａ24、Ａ34、Ａ44のいずれの高さより高くなるように設
定されている。
ク２０の凸部２４の底面２５と接続されている。この凸
部２４の高さ、すなわちフィンベース２２の底面から凸
部２４の底面２５までの距離は、半導体素子Ａ12の背面
Ａ12ａをヒートシンク２０の凸部２４の底面２３と接続
した場合に、ヒートシンク２０の凸部２４以外の底面２
１の高さが、半導体素子Ａ11、Ａ21、Ａ31、Ａ41、半導
体素子Ａ13、Ａ23、Ａ33、Ａ43および半導体素子Ａ14、
Ａ24、Ａ34、Ａ44のいずれの高さより高くなるように設
定されている。
【００２０】図３におけるIV-IV 断面を示す図４には、
ヒートシンク２０に接続される半導体素子Ａ12を基板面
１１と平行なＹ方向（Ｙ方向は基板面１１と平行なある
一つの方向であり、ヒートシンク２０の押し出し方向と
一致する）から見た場合、ヒートシンク２０に接続され
る半導体素子Ａ12およびこの半導体素子Ａ12と重なる位
置にある半導体素子Ａ22、Ａ32、Ａ42の高さの相互関係
が示されている。
ヒートシンク２０に接続される半導体素子Ａ12を基板面
１１と平行なＹ方向（Ｙ方向は基板面１１と平行なある
一つの方向であり、ヒートシンク２０の押し出し方向と
一致する）から見た場合、ヒートシンク２０に接続され
る半導体素子Ａ12およびこの半導体素子Ａ12と重なる位
置にある半導体素子Ａ22、Ａ32、Ａ42の高さの相互関係
が示されている。
【００２１】ここでＹ方向から見た場合半導体素子Ａ12
と重なる位置にある半導体素子とは、半導体素子Ａ12の
幅方向両端からそれぞれＹ方向に延びる２本の直線（図
１一点鎖線参照）に挟まれる領域Ｄ内に位置する半導体
素子を意味する。そして領域Ｄ内に位置する半導体素子
のうち、ヒートシンク２０に接続される半導体素子Ａ12
の基板面１１から最も離れた部位である背面Ａ12ａの基
板面１１からの距離は、ヒートシンク２０に接続されな
い半導体素子Ａ22、Ａ32、Ａ42の基板面１１から最も離
れた部位である各背面Ａ22ａ、Ａ32ａ、Ａ42ａの基板面
１１からの距離よりも大きくなっている。
と重なる位置にある半導体素子とは、半導体素子Ａ12の
幅方向両端からそれぞれＹ方向に延びる２本の直線（図
１一点鎖線参照）に挟まれる領域Ｄ内に位置する半導体
素子を意味する。そして領域Ｄ内に位置する半導体素子
のうち、ヒートシンク２０に接続される半導体素子Ａ12
の基板面１１から最も離れた部位である背面Ａ12ａの基
板面１１からの距離は、ヒートシンク２０に接続されな
い半導体素子Ａ22、Ａ32、Ａ42の基板面１１から最も離
れた部位である各背面Ａ22ａ、Ａ32ａ、Ａ42ａの基板面
１１からの距離よりも大きくなっている。
【００２２】このような構成とすることにより、同一基
板１０上に実装された周囲の半導体素子の制限を受ける
ことなく、半導体素子Ａ12に接続されるヒートシンク２
０のサイズを大きくすることができる。このため、ヒー
トシンク２０の伝熱面積を大きくすることができるた
め、発熱量が最も大きい発熱体、あるいは発熱密度が最
も大きい発熱体、あるいは許容温度が最も低い発熱体で
ある半導体素子Ａ12を効果的に冷却することができる。
板１０上に実装された周囲の半導体素子の制限を受ける
ことなく、半導体素子Ａ12に接続されるヒートシンク２
０のサイズを大きくすることができる。このため、ヒー
トシンク２０の伝熱面積を大きくすることができるた
め、発熱量が最も大きい発熱体、あるいは発熱密度が最
も大きい発熱体、あるいは許容温度が最も低い発熱体で
ある半導体素子Ａ12を効果的に冷却することができる。
【００２３】また、ヒートシンク２０の凸部２４と半導
体素子Ａ22、Ａ32、Ａ42との干渉を防止するため、ヒー
トシンク２０の凸部２４の一部を削除する等の細工を行
う必要もなくなる。すなわち、フィン２１、フィンベー
ス２２および凸部２４を押し出し加工で一括して加工で
き、かつヒートシンク２０に何ら加工を施すことなく押
し出し成形のまま使用することが可能となる。このた
め、安価なヒートシンクひいては安価な電子部品を提供
することができる。
体素子Ａ22、Ａ32、Ａ42との干渉を防止するため、ヒー
トシンク２０の凸部２４の一部を削除する等の細工を行
う必要もなくなる。すなわち、フィン２１、フィンベー
ス２２および凸部２４を押し出し加工で一括して加工で
き、かつヒートシンク２０に何ら加工を施すことなく押
し出し成形のまま使用することが可能となる。このた
め、安価なヒートシンクひいては安価な電子部品を提供
することができる。
【００２４】［第３の実施形態］次に、第３の実施形態
について図５および図６により説明する。
について図５および図６により説明する。
【００２５】第３の実施形態においても、ヒートシンク
２０はＹ方向に押し出し成形を行うことにより製作され
ている。
２０はＹ方向に押し出し成形を行うことにより製作され
ている。
【００２６】図５は図１Ｙ方向からの側面図であり、本
図に示すように、本実施形態におけるヒートシンク２０
には、第２の実施形態におけるヒートシンク２０に加え
更に、凸部２４と平行にＹ方向に延びる凸部２６が形成
されており、半導体素子Ａ24の背面Ａ24ａはヒートシン
ク２０の凸部２６の底面２７と接続されている。
図に示すように、本実施形態におけるヒートシンク２０
には、第２の実施形態におけるヒートシンク２０に加え
更に、凸部２４と平行にＹ方向に延びる凸部２６が形成
されており、半導体素子Ａ24の背面Ａ24ａはヒートシン
ク２０の凸部２６の底面２７と接続されている。
【００２７】図５に示すように、基板面１１から半導体
素子Ａ24の背面Ａ24ａまでの距離と、基板面１１から半
導体素子Ａ12の背面Ａ12ａまでの距離との相違に対応し
て、凸部２６の底面２７とフィンベース２２の底面２３
との間の距離は、凸部２４の底面２５とフィンベース２
２の底面２３との間の距離と異なっている。
素子Ａ24の背面Ａ24ａまでの距離と、基板面１１から半
導体素子Ａ12の背面Ａ12ａまでの距離との相違に対応し
て、凸部２６の底面２７とフィンベース２２の底面２３
との間の距離は、凸部２４の底面２５とフィンベース２
２の底面２３との間の距離と異なっている。
【００２８】また、図５におけるVI-VI 断面を示す図６
に示すように、ヒートシンク２０に接続される半導体素
子Ａ24を基板面１１と平行なＹ方向（ヒートシンク２０
の押し出し方向）から見た場合、ヒートシンク２０に接
続される半導体素子Ａ24およびこの半導体素子Ａ24と重
なる位置にある半導体素子Ａ14、Ａ34、Ａ44の高さの相
互関係が図４に示されており、ヒートシンク２０に接続
される半導体素子Ａ24の基板面１１から最も離れた部位
である背面Ａ24ａの基板面１１からの距離は、ヒートシ
ンク２０に接続されない半導体素子Ａ14、Ａ34、Ａ44の
基板面１１から最も離れた部位である各背面Ａ14、Ａ3
4、Ａ44の基板面１１からの距離よりも大きくなってい
る。なお、図５におけるIV-IV 断面は、第２の実施形態
で参照した図４に示すものと同一である。
に示すように、ヒートシンク２０に接続される半導体素
子Ａ24を基板面１１と平行なＹ方向（ヒートシンク２０
の押し出し方向）から見た場合、ヒートシンク２０に接
続される半導体素子Ａ24およびこの半導体素子Ａ24と重
なる位置にある半導体素子Ａ14、Ａ34、Ａ44の高さの相
互関係が図４に示されており、ヒートシンク２０に接続
される半導体素子Ａ24の基板面１１から最も離れた部位
である背面Ａ24ａの基板面１１からの距離は、ヒートシ
ンク２０に接続されない半導体素子Ａ14、Ａ34、Ａ44の
基板面１１から最も離れた部位である各背面Ａ14、Ａ3
4、Ａ44の基板面１１からの距離よりも大きくなってい
る。なお、図５におけるIV-IV 断面は、第２の実施形態
で参照した図４に示すものと同一である。
【００２９】本実施形態においても、前述した第２の実
施形態と略同一の効果が得られる。更に、本実施形態に
よれば、複数の発熱体を一のヒートシンクにより効果的
に冷却することができる。
施形態と略同一の効果が得られる。更に、本実施形態に
よれば、複数の発熱体を一のヒートシンクにより効果的
に冷却することができる。
【００３０】なお、上述した第１乃至第３の実施形態に
おいては、ヒートシンク２０のサイズを基板１０上の全
ての半導体素子を覆うまで拡大しているが、これに限定
されるものではない。すなわち、ヒートシンク２０のサ
イズの拡大は、基板１１上の一部の半導体素子のみを覆
う程度にとどめてもよく、この場合は、ヒートシンク２
０を半導体素子に接続した場合にヒートシンク２０に覆
われる複数の半導体素子、すなわち基板面の所定領域内
に位置する複数の半導体素子の間で上述した背面高さの
相互関係が成立していればよい。
おいては、ヒートシンク２０のサイズを基板１０上の全
ての半導体素子を覆うまで拡大しているが、これに限定
されるものではない。すなわち、ヒートシンク２０のサ
イズの拡大は、基板１１上の一部の半導体素子のみを覆
う程度にとどめてもよく、この場合は、ヒートシンク２
０を半導体素子に接続した場合にヒートシンク２０に覆
われる複数の半導体素子、すなわち基板面の所定領域内
に位置する複数の半導体素子の間で上述した背面高さの
相互関係が成立していればよい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板上に搭載された複数の発熱体を安価なヒートシンク
で効率よく冷却することができる。
基板上に搭載された複数の発熱体を安価なヒートシンク
で効率よく冷却することができる。
【図１】基板上への半導体素子の配置状態を示す図。
【図２】本発明の第１の実施の形態を示す図であって、
ヒートシンクが装着された状態における図１Ｙ方向から
見た側面図。
ヒートシンクが装着された状態における図１Ｙ方向から
見た側面図。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す図であって、
ヒートシンクが装着された状態における図１Ｙ方向から
見た側面図。
ヒートシンクが装着された状態における図１Ｙ方向から
見た側面図。
【図４】図３におけるIV-IV 断面を示す図。
【図５】本発明の第３の実施の形態を示す図であって、
ヒートシンクが装着された状態における図１Ｙ方向から
見た側面図。
ヒートシンクが装着された状態における図１Ｙ方向から
見た側面図。
【図６】図５におけるVI-VI 断面を示す図。
【図７】半導体素子へのヒートシンクの取付けに関する
従来技術を示す図。
従来技術を示す図。
１０ 基板 １１ 基板面 Ａ11〜Ａ14、Ａ21〜Ａ24、Ａ31〜Ａ34、Ａ41〜Ａ44 発
熱体（半導体素子） ２０ ヒートシンク
熱体（半導体素子） ２０ ヒートシンク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 生 方 浩 東京都青梅市末広町２丁目９番地 株式 会社東芝 青梅工場内 (72)発明者 槙 田 貞 夫 東京都青梅市末広町２丁目９番地 株式 会社東芝 青梅工場内 (72)発明者 富 岡 健太郎 東京都青梅市末広町２丁目９番地 株式 会社東芝 青梅工場内 (56)参考文献 特開 平８−130385（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−291225（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−224334（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−160311（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/34 - 23/473
Claims (2)
- 【請求項１】基板面に複数の発熱体が取り付けられた基
板と、前記複数の発熱体を覆うヒートシンクであって、このヒ
ートシンクに覆われる前記複数の発熱体のうちの１つの
みに 熱的に接続されたヒートシンクと、を備え、前記ヒートシンクの底面にはヒートシンク幅方向に延び
る凸部が形成されており、前記ヒートシンクに接続され
る発熱体は前記凸部に接続されており、 前記ヒートシンクに覆われる複数の発熱体には、前記凸
部に対応する領域内にある複数の発熱体と、前記凸部に
対応する領域外にある発熱体と、が含まれており、 前記凸部に対応する領域内にある前記複数の発熱体 は、
前記ヒートシンクに熱的に接続される発熱体の前記基板
面から最も離れた部位の前記基板面からの距離が、前記
ヒートシンクに熱的に接続されない発熱体の基板面から
最も離れた部位の基板面からの距離よりも大きくなるよ
うに前記基板に取り付けられていることを特徴とする電
子部品。 - 【請求項２】前記ヒートシンクが押し出し加工で製作さ
れていることを特徴とする、請求項１に記載の電子部
品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25192097A JP3352918B2 (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25192097A JP3352918B2 (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197591A JPH1197591A (ja) | 1999-04-09 |
| JP3352918B2 true JP3352918B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=17229942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25192097A Expired - Lifetime JP3352918B2 (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3352918B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011067855A1 (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | 富士通株式会社 | 電子機器および放熱モジュール |
| JP6248803B2 (ja) * | 2014-05-20 | 2017-12-20 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
| JP2016063064A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | シャープ株式会社 | 放熱構造体、放熱構造体付き回路基板、および、テレビ装置 |
| JP7421264B2 (ja) * | 2018-10-03 | 2024-01-24 | 川崎重工業株式会社 | ヒートシンク及びそれを備えるロボット制御装置 |
-
1997
- 1997-09-17 JP JP25192097A patent/JP3352918B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1197591A (ja) | 1999-04-09 |
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