JP3351544B2 - 基板の温度制御方法 - Google Patents
基板の温度制御方法Info
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- JP3351544B2 JP3351544B2 JP24789891A JP24789891A JP3351544B2 JP 3351544 B2 JP3351544 B2 JP 3351544B2 JP 24789891 A JP24789891 A JP 24789891A JP 24789891 A JP24789891 A JP 24789891A JP 3351544 B2 JP3351544 B2 JP 3351544B2
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- Control Of Resistance Heating (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板の温度制御方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体の製造工程で用いる種々
の薄膜を基板上に形成する方法の１つとして化学的気相
堆積法（ＣＶＤ）がある。これは、基板表面に原料ガス
を輸送し、基板表面での化学反応により薄膜を形成する
方法である。通常、ＣＶＤ法により薄膜を形成する場
合、堆積速度の向上および膜質の向上のため、減圧下で
基板を所望の温度まで加熱し、基板表面に原料ガスを輸
送する、所謂減圧ＣＶＤ法が広く用いられている。
の薄膜を基板上に形成する方法の１つとして化学的気相
堆積法（ＣＶＤ）がある。これは、基板表面に原料ガス
を輸送し、基板表面での化学反応により薄膜を形成する
方法である。通常、ＣＶＤ法により薄膜を形成する場
合、堆積速度の向上および膜質の向上のため、減圧下で
基板を所望の温度まで加熱し、基板表面に原料ガスを輸
送する、所謂減圧ＣＶＤ法が広く用いられている。
【０００３】基板の加熱方法としては、石英製の反応室
（管）の外側に巻いたヒーターにより反応室の中に設置
された基板を加熱する方法、反応室の外側から石英製窓
を通して、赤外線ランプにより反応室に設置された基板
を加熱する方法および反応室の中に設置したホットプレ
ート上に基板を載せて加熱する方法などがある。
（管）の外側に巻いたヒーターにより反応室の中に設置
された基板を加熱する方法、反応室の外側から石英製窓
を通して、赤外線ランプにより反応室に設置された基板
を加熱する方法および反応室の中に設置したホットプレ
ート上に基板を載せて加熱する方法などがある。
【０００４】基板の温度制御は、実際に薄膜を形成する
基板の温度を直接測定しながら、基板温度が所望の温度
になるように加熱源のパワーを制御して行うのが望まし
い。しかし、半導体製造装置の構造は複雑であり、ま
た、基板を反応性ガス雰囲気に晒すため、基板温度を直
接、再現性良く測定することができなかった。したがっ
て、次の方法により基板温度を間接的に制御していた。
即ち、実際に薄膜を形成する基板と同一の基板に直接熱
電対を固定し、上記熱電対の温度と加熱手段自身又は加
熱手段の近傍に取り付けられた熱電対（温度校正用熱電
対）の温度との関係を調べておき、この関係を用いて加
熱源のパワーを制御することにより基板温度を制御して
いた。
基板の温度を直接測定しながら、基板温度が所望の温度
になるように加熱源のパワーを制御して行うのが望まし
い。しかし、半導体製造装置の構造は複雑であり、ま
た、基板を反応性ガス雰囲気に晒すため、基板温度を直
接、再現性良く測定することができなかった。したがっ
て、次の方法により基板温度を間接的に制御していた。
即ち、実際に薄膜を形成する基板と同一の基板に直接熱
電対を固定し、上記熱電対の温度と加熱手段自身又は加
熱手段の近傍に取り付けられた熱電対（温度校正用熱電
対）の温度との関係を調べておき、この関係を用いて加
熱源のパワーを制御することにより基板温度を制御して
いた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、上述した従
来の温度制御方法においては、加熱手段の熱電対温度に
より間接的に制御される基板温度は、基板の種類（例え
ば材質，被覆率）、反応室の圧力および反応ガスの種類
により変化するため、多くの反応データーを取得しなけ
ればならないという問題点があった。また、熱電対の劣
化、熱電対の取り付け位置のずれなどにより実際の基板
温度と設定基板温度とにずれが生じる問題点があった。
来の温度制御方法においては、加熱手段の熱電対温度に
より間接的に制御される基板温度は、基板の種類（例え
ば材質，被覆率）、反応室の圧力および反応ガスの種類
により変化するため、多くの反応データーを取得しなけ
ればならないという問題点があった。また、熱電対の劣
化、熱電対の取り付け位置のずれなどにより実際の基板
温度と設定基板温度とにずれが生じる問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、上述した問題点に鑑み、
多くの反応データーを取る必要がなく、基板温度をより
正確に制御できる基板の温度制御方法を提供するもので
ある。
多くの反応データーを取る必要がなく、基板温度をより
正確に制御できる基板の温度制御方法を提供するもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上述した目的を
達成するため、加熱源としてのヒーター線を一体に成形
したホットプレート上に基板を載置し、前記ヒーター線
への印加電圧値と電流値より求めた前記ヒーター線の電
気抵抗値が設定した温度の抵抗値になるように前記ヒー
ター線への印加電圧および電流を制御することによっ
て、前記ホットプレートの温度制御を行う制御回路を有
する基板の温度制御方法を提供するものである。そし
て、本発明は、前記ホットプレートに基板を密着させる
静電チャック電極を前記ホットプレート内部に設けたも
のである。
達成するため、加熱源としてのヒーター線を一体に成形
したホットプレート上に基板を載置し、前記ヒーター線
への印加電圧値と電流値より求めた前記ヒーター線の電
気抵抗値が設定した温度の抵抗値になるように前記ヒー
ター線への印加電圧および電流を制御することによっ
て、前記ホットプレートの温度制御を行う制御回路を有
する基板の温度制御方法を提供するものである。そし
て、本発明は、前記ホットプレートに基板を密着させる
静電チャック電極を前記ホットプレート内部に設けたも
のである。
【０００８】
【作用】本発明においては、ヒーター線を一体に成形し
たホットプレートを用いて、基板温度をヒーター線の電
気抵抗値により制御するので、基板の温度が直接制御さ
れ、基板の温度制御の信頼性が向上する。また、ホット
プレートに基板を密着させる静電チャック電極を設けれ
ば、ホットプレートと基板との温度差が等しくなり、よ
り基板温度の制御性が向上する。
たホットプレートを用いて、基板温度をヒーター線の電
気抵抗値により制御するので、基板の温度が直接制御さ
れ、基板の温度制御の信頼性が向上する。また、ホット
プレートに基板を密着させる静電チャック電極を設けれ
ば、ホットプレートと基板との温度差が等しくなり、よ
り基板温度の制御性が向上する。
【０００９】
【実施例】本発明の基板温度制御方法に係わる一実施例
を図１乃至図５に基づいて説明する。
を図１乃至図５に基づいて説明する。
【００１０】図１はホットプレートの断面図である。ホ
ットプレート１は、アルミナ２の内部にホットプレート
１上に基板Ａを密着する静電チャック電極４および静電
チャック電極４の下方にあって基板Ａを加熱するヒータ
ー線３が埋設されている。
ットプレート１は、アルミナ２の内部にホットプレート
１上に基板Ａを密着する静電チャック電極４および静電
チャック電極４の下方にあって基板Ａを加熱するヒータ
ー線３が埋設されている。
【００１１】かかるホットプレート１は次のように作成
される。
される。
【００１２】先ず、アルミナ製グリーンシート２を所望
の形に切り出し、この上にタングステンのヒーター線３
をスクリーン印刷により形成する。続いて、ヒーター線
３上にアルミナ製グリーンシート２を重ね、この上にタ
ングステンの静電チャック電極４をスクリーン印刷によ
り形成する。さらに、静電チャック電極４上にアルミナ
２をスクリーン印刷により形成し、焼結してホットプレ
ート１が完成する。
の形に切り出し、この上にタングステンのヒーター線３
をスクリーン印刷により形成する。続いて、ヒーター線
３上にアルミナ製グリーンシート２を重ね、この上にタ
ングステンの静電チャック電極４をスクリーン印刷によ
り形成する。さらに、静電チャック電極４上にアルミナ
２をスクリーン印刷により形成し、焼結してホットプレ
ート１が完成する。
【００１３】図２はかかるホットプレート１を設置した
ＣＶＤ装置の構成図である。同図において、反応室１１
内に設置されたホットプレート１の静電チャック電極４
（図１参照）は双局型で直流電圧源６に接続されてい
る。ヒーター線３（図１参照）は直流電源７に接続さ
れ、直流電源７は設定した温度の抵抗値になるように印
加電圧をコントロールするコントローラー８に接続され
ている。基板Ａとホットプレート１との間には所望圧力
のアルゴンガスを導入するアルゴンガス導入手段９が設
けられている。また、反応室１１には搬送室１２、前処
理室１０がそれぞれゲートバルブ１５を介して順次連結
されている。反応室１１および搬送室１２には反応性ガ
スや生成ガスを排気するターボ分子ポンプ１３が連結さ
れ、前処理室１０にも反応性ガスや生成ガスを排気する
ターボ分子ポンプ１３、ドライポンプ１４が順次連結さ
れている。尚、ヒーター線３は直流電源７に限定され
ず、交流電源に接続しても良い。
ＣＶＤ装置の構成図である。同図において、反応室１１
内に設置されたホットプレート１の静電チャック電極４
（図１参照）は双局型で直流電圧源６に接続されてい
る。ヒーター線３（図１参照）は直流電源７に接続さ
れ、直流電源７は設定した温度の抵抗値になるように印
加電圧をコントロールするコントローラー８に接続され
ている。基板Ａとホットプレート１との間には所望圧力
のアルゴンガスを導入するアルゴンガス導入手段９が設
けられている。また、反応室１１には搬送室１２、前処
理室１０がそれぞれゲートバルブ１５を介して順次連結
されている。反応室１１および搬送室１２には反応性ガ
スや生成ガスを排気するターボ分子ポンプ１３が連結さ
れ、前処理室１０にも反応性ガスや生成ガスを排気する
ターボ分子ポンプ１３、ドライポンプ１４が順次連結さ
れている。尚、ヒーター線３は直流電源７に限定され
ず、交流電源に接続しても良い。
【００１４】図３は真空中（１０-3Ｔｏｒｒ以下）にお
いて、ホットプレート１の上部に装着された熱電対より
求めたホットプレート１の温度と印加電圧値と電流値よ
り求めたヒーター線３の抵抗値との特性図である。同図
のようにホットプレート内にヒーター線を埋め込んだホ
ットプレートであれば、ホットプレート１に埋め込まれ
たヒーター線３に電圧を印加して電流を流し、ホットプ
レート１を加熱したとき、ホットプレート１の温度はヒ
ーター線３の抵抗値に比例して上昇し、ヒーター線３の
抵抗値でホットプレート１の温度が制御できることが判
る。
いて、ホットプレート１の上部に装着された熱電対より
求めたホットプレート１の温度と印加電圧値と電流値よ
り求めたヒーター線３の抵抗値との特性図である。同図
のようにホットプレート内にヒーター線を埋め込んだホ
ットプレートであれば、ホットプレート１に埋め込まれ
たヒーター線３に電圧を印加して電流を流し、ホットプ
レート１を加熱したとき、ホットプレート１の温度はヒ
ーター線３の抵抗値に比例して上昇し、ヒーター線３の
抵抗値でホットプレート１の温度が制御できることが判
る。
【００１５】図４はヒーター線３の抵抗値から求めたホ
ットプレート１の温度と基板Ａに取り付けられた熱電対
により求めた基板温度との関係図である。同図によれ
ば、静電チャック電極４を用いない場合は、基板Ａの温
度がホットプレート１の温度より低くなるが、静電チャ
ック電極４を用いた場合は、基板Ａの温度とホットプレ
ート１の温度とが等しくなるのが判る。また、静電チャ
ック電極４を働かせ、基板Ａとホットプレート１との間
にアルゴンガス導入手段９によりアルゴンガスを導入し
た場合も、基板Ａの温度とホットプレート１の温度とは
等しくなる。さらに、静電チャック電極４を用いた場
合、基板Ａの種類に因らず、基板温度とホットプレート
１の温度とは等しくなる。従って、ホットプレート１に
埋め込まれたヒーター線３の抵抗値により基板温度が制
御される。
ットプレート１の温度と基板Ａに取り付けられた熱電対
により求めた基板温度との関係図である。同図によれ
ば、静電チャック電極４を用いない場合は、基板Ａの温
度がホットプレート１の温度より低くなるが、静電チャ
ック電極４を用いた場合は、基板Ａの温度とホットプレ
ート１の温度とが等しくなるのが判る。また、静電チャ
ック電極４を働かせ、基板Ａとホットプレート１との間
にアルゴンガス導入手段９によりアルゴンガスを導入し
た場合も、基板Ａの温度とホットプレート１の温度とは
等しくなる。さらに、静電チャック電極４を用いた場
合、基板Ａの種類に因らず、基板温度とホットプレート
１の温度とは等しくなる。従って、ホットプレート１に
埋め込まれたヒーター線３の抵抗値により基板温度が制
御される。
【００１６】次に、基板Ａの加熱方法を述べる。先ず、
前処理室１０で前処理を終えた基板Ａを反応室１１に搬
送する。搬送された基板Ａを３００℃に加熱したホット
プレート１上に載せる。基板Ａを載せた後、静電チャッ
ク電極４に１．５ＫＶ直流電圧を印加し、基板Ａをホッ
トプレート１に密着させる。さらに、基板Ａとホットプ
レート１との間に基板Ａの昇温時間を短縮するために３
Ｔｏｒｒのアルゴンガスを導入する。ところで、基板Ａ
をホットプレート１上に載せ、ホットプレート１上に基
板Ａを密着したとき、および基板Ａとホットプレート１
との間にアルゴンガスを導入したとき、ホットプレート
１の温度は変化するが、ヒーター線３の抵抗値が一定に
なるように印加電圧をコントロールして、ホットプレー
ト１の温度を一定に保つ。
前処理室１０で前処理を終えた基板Ａを反応室１１に搬
送する。搬送された基板Ａを３００℃に加熱したホット
プレート１上に載せる。基板Ａを載せた後、静電チャッ
ク電極４に１．５ＫＶ直流電圧を印加し、基板Ａをホッ
トプレート１に密着させる。さらに、基板Ａとホットプ
レート１との間に基板Ａの昇温時間を短縮するために３
Ｔｏｒｒのアルゴンガスを導入する。ところで、基板Ａ
をホットプレート１上に載せ、ホットプレート１上に基
板Ａを密着したとき、および基板Ａとホットプレート１
との間にアルゴンガスを導入したとき、ホットプレート
１の温度は変化するが、ヒーター線３の抵抗値が一定に
なるように印加電圧をコントロールして、ホットプレー
ト１の温度を一定に保つ。
【００１７】図５は反応室１１に移動可能な熱電対を取
り付け、搬送してきた基板Ａを３００℃に加熱したホッ
トプレート１上に載せると同時に、基板Ａに熱電対を接
触させ、基板温度とヒーター線の抵抗との関係の経時変
化を求めた図である。同図によれば、基板温度は基板Ａ
がホットプレート１に載ると同時に、急激に上昇する。
このときホットプレートから基板に熱が逃げるため、ヒ
ーター線３の抵抗は低下するが、コントローラー８の制
御回路によりヒーター線３の抵抗値が一定になるように
印加電圧がコントロールされるので、基板温度は安定に
保持される。
り付け、搬送してきた基板Ａを３００℃に加熱したホッ
トプレート１上に載せると同時に、基板Ａに熱電対を接
触させ、基板温度とヒーター線の抵抗との関係の経時変
化を求めた図である。同図によれば、基板温度は基板Ａ
がホットプレート１に載ると同時に、急激に上昇する。
このときホットプレートから基板に熱が逃げるため、ヒ
ーター線３の抵抗は低下するが、コントローラー８の制
御回路によりヒーター線３の抵抗値が一定になるように
印加電圧がコントロールされるので、基板温度は安定に
保持される。
【００１８】本実施例では、ＣＶＤ装置において基板を
加熱，制御する方法について説明したが、本発明は、基
板を加熱してエッチングを行うエッチング装置における
基板温度制御方法としても有効である。
加熱，制御する方法について説明したが、本発明は、基
板を加熱してエッチングを行うエッチング装置における
基板温度制御方法としても有効である。
【００１９】また、本実施例では、アルミナ、タングス
テン配線および電極の一体型ホットプレートについて述
べたが、ボロンナイトライドとグラファイトまたは白金
とを組み合わせたホットプレートでも同様の基板温度制
御が行える。
テン配線および電極の一体型ホットプレートについて述
べたが、ボロンナイトライドとグラファイトまたは白金
とを組み合わせたホットプレートでも同様の基板温度制
御が行える。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ヒ
ーター線を一体に成形したホットプレートを用いて、基
板温度をヒーター線の電気抵抗値により制御するので、
多くの反応データーを取ることもなく、基板温度が直接
制御され、基板の温度制御の信頼性を向上できる。ま
た、ホットプレートに基板を密着させる静電チャック電
極を設けたので、ホットプレートと基板との温度差が等
しくなり、基板温度の制御性を向上できる。
ーター線を一体に成形したホットプレートを用いて、基
板温度をヒーター線の電気抵抗値により制御するので、
多くの反応データーを取ることもなく、基板温度が直接
制御され、基板の温度制御の信頼性を向上できる。ま
た、ホットプレートに基板を密着させる静電チャック電
極を設けたので、ホットプレートと基板との温度差が等
しくなり、基板温度の制御性を向上できる。
【図１】本発明のホットプレートの断面図である。
【図２】本発明のホットプレートを設置したＣＶＤ装置
の構成図である。
の構成図である。
【図３】本発明のホットプレート抵抗（ヒーター線抵
抗）とホットプレート温度との特性図である。
抗）とホットプレート温度との特性図である。
【図４】本発明のホットプレート温度と基板温度との関
係図である。
係図である。
【図５】本発明の基板昇温特性図である。
１ ホットプレート ２ グリーンシート ３ ヒーター線 ４ 静電チャック電極 １０ 前処理室 １１ 反応室 １２ 搬送室 １３ ターボ分子ポンプ １４ ドライポンプ Ａ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｂ 3/00 Ｈ０１Ｌ 21/302 (72)発明者 渡辺 徹 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社 東芝 堀川町工場内 (72)発明者 遠藤 隆之 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社 東芝 堀川町工場内 (56)参考文献 特開 昭63−65631（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−145084（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−296273（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−78211（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−43134（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/324 H01L 21/205 H05B 3/00
Claims (1)
- 【請求項１】 静電チャック電極とヒーター線がその内
部に埋め込まれたホットプレート上に基板を載置し、前
記基板を前記ホットプレートに密着させる段階と、 前記ヒーター線への印加電圧値と電流値より求めた前記
ヒーター線の電気抵抗値が設定した温度の抵抗値になる
ように、前記ヒーター線への印加電圧および電流を制御
回路で制御することによって、前記ホットプレートの温
度制御を行い、前記基板を加熱する段階 とを含むことを
特徴とする基板の温度制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24789891A JP3351544B2 (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 基板の温度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24789891A JP3351544B2 (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 基板の温度制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590273A JPH0590273A (ja) | 1993-04-09 |
| JP3351544B2 true JP3351544B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=17170207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24789891A Expired - Fee Related JP3351544B2 (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 基板の温度制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3351544B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3986598B2 (ja) * | 1996-10-08 | 2007-10-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板温度制御機構 |
| JP4879060B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-02-15 | 日本碍子株式会社 | 基板加熱装置 |
-
1991
- 1991-09-26 JP JP24789891A patent/JP3351544B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0590273A (ja) | 1993-04-09 |
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