JP3351089B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電気化学ストップエッ
チングによりＳｉ薄肉部を形成する半導体装置及びその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体ウエハ上へのＳｉ薄肉部形
成に、Ｓｉ薄肉部厚が所定の厚さに達した時に自動的に
エッチングを停止させる電気化学ストップエッチング技
術が行われている。この電気化学ストップエッチング
は、外部から電圧を供給し、この電圧値を制御すること
によりＳｉ薄肉部厚を所望の値に調整するものである。

【０００３】このような電気化学ストップエッチング技
術に用いられている従来の半導体装置を構成するウエハ
構造を以下図を参照して説明する。なお、電気化学スト
ップエッチングにより得られるＳｉ薄肉部として、例え
ばダイヤフラムを形成する場合を例として、以下説明す
ることにする。図７は半導体ウエハ１９の平面概略図で
あり、所定厚のダイヤフラム（図示せず）が形成される
複数の製品チップ２０（以下、チップパターンと呼ぶ）
がそれぞれスクライブ２１を挟んでウエハ表面に設けら
れ、ウエハ周辺部には全チップパターン２０を取り巻く
ように高濃度Ｎ⁺ 領域２２（以下、低抵抗層と呼ぶ）が
設けられている。

【０００４】このような半導体ウエハ１９における各チ
ップパターン２０間の断面図、例えば図７に示すＢ−Ｂ
断面図は、図８のような構成となっている。各チップパ
ターン２０間のスクライブ領域にはＮエピタキシャル層
２３が設けられ、そして、ウエハ周辺部と同様、低抵抗
層２４が設けられ、さらに、低抵抗層２４上に直接エッ
チング用Ａｌ配線２５が形成されている。このエッチン
グ用Ａｌ配線２５に外部から正の電圧を供給することに
より、各チップパターン２０の所定箇所のエッチングを
行いダイヤフラム（図示せず）を形成している。また、
チップパターン２０上の周囲には接地用のＡｌ配線２６
（以下、ＧＮＤ Ａｌ配線と呼ぶ）がアイソレーション
２８（Ｐ⁺ 領域）に接続されるとともにフィールド酸化
膜２７上に設けられている。フィールド酸化膜２７は、
スクライブ領域以外の所定箇所に形成されている。 こ
のようにスクライブ領域において低抵抗層２４を拡散し
ているのは、仮にエッチング用Ａｌ配線２５がホト欠陥
やキズ等で断線しても、エッチング時に低抵抗層２４を
利用してチップパターン２０内のダイヤフラム領域のＮ
エピタキシャル層（図示せず）に電圧が確実に印加され
るようにするためである。また、スクライブ領域にフィ
ールド酸化膜２７を形成しないのは、後工程におけるダ
イシングカット時のブレード（図示せず）の寿命が低下
するもの防ぐためである。

【０００５】以上のようなウエハ構造を採ることで、全
製品パターンのダイヤフラム形成部のエピタキシャル層
に外部電圧と同じ電圧が供給されるように工夫してい
る。この構成の半導体ウエハ１９を用いて、電気化学ス
トップエッチングは図９に示すような手段で実施され
る。半導体ウエハ１９は、その非エッチング面がＷＡＸ
等の保護膜２９で覆われるとともにセラミック板３０に
固定される。その状態でもって、半導体ウエハ１９は、
少なくとも被エッチング部分が完全に浸るようにＫＯＨ
等のエッチング液３１中に浸漬される。そして、ウエハ
周辺部の低抵抗層２２又はエッチング用Ａｌ配線２５が
直接Ｐｔ電極３２に接続されて、チップパターン２０内
のダイヤフラム領域のＮエピタキシャル層に正の電圧が
供給される。折しも、エッチング液３１中に挿入されて
いる他のＰｔ電極３３に負の電圧が供給される。こうし
て、半導体ウエハ１９の各チップパターン２０にダイヤ
フラムを形成している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体装置にあっては、その製造プロセス段階にお
いて以下に示すような問題が発生していた。まず第１の
問題としては、エッチング用Ａｌ配線２５とＧＮＤ Ａ
ｌ配線２６の酸化膜段差部においてＡｌ残りが発生し、
これが原因で所望のダイヤフラム厚が得られないという
ことである。

【０００７】この状態を図１０（ａ）を用いて説明す
る。エッチング用Ａｌ配線２５とＧＮＤ Ａｌ配線２６
は、Ａｌ蒸着、スパッタ等により堆積し、ホトレジスト
を用いパターニングされる。ＧＮＤ Ａｌ配線２６はフ
ィールド酸化膜２７を介してＰ基板３４と接続されてい
るので、エッチング用Ａｌ配線２５とＧＮＤ Ａｌ配線
２６とは同ー高さとならず、両者の間には１μｍ程度の
酸化膜段差部３５が発生する。このため、Ａｌ配線のホ
ト時、この酸化膜段差部３５においてレジスト厚がー定
とならない。よって、露光不足となり、レジストが残
り、この部分で図に示す破線のようなＡｌエッチング残
り３６が発生する。こうして、ＧＮＤ Ａｌ配線２６と
エッチング用Ａｌ配線２５との間がＡｌエッチング残り
３６でショートすることになる。

【０００８】この状態でエッチングを実施すると、ＧＮ
Ｄ Ａｌ配線２６がＰ基板３４と接続しているので図の
矢印のような電流経路３７ができ、Ｐ基板３４側へリー
ク電流が発生することになる。すると、リーク箇所での
Ｐ基板３４電位が上昇するため、このショート箇所周辺
のダイヤフラム厚が所望の厚さより厚くなってしまう。

【０００９】次に第２の問題としては、ホト欠陥により
スクライブ２１上の低抵抗領域２４と製品パターン内の
アイソレーション２８が接続し、この場合においても上
記第１の問題と同様に所望のダイヤフラム厚が得られな
いということである。この状態を図１０（ｂ）を用いて
説明する。スクライブ領域の所定箇所に形成される低抵
抗領域２４は、ホトレジストを用いマスク材のパターニ
ングを行い、不純物を選択的に拡散して得られる。しか
しながら、製造プロセスにおいてホト欠陥が発生する
と、図に示す破線のように、スクライブ２１上の低抵抗
層２４とチップパターン２０内のアイソレーション２８
間がショートすることがある。このときのショート部分
での耐圧は略５Ｖである。この状態のとき、この耐圧以
下の供給電圧で電気化学ストップエッチングを実施する
ときに限り、前記ショートは何ら問題とはならない。

【００１０】しかしながら、ダイヤフラム厚の制御を外
部からの供給電圧で行う場合に、例えば７Ｖ等の前記耐
圧以上の電圧をエッチング用Ａｌ配線２５に供給して所
望のダイヤフラム厚を得ようとすると、図に示す矢印の
ような電流経路３８ができ、このショート部分からＰ基
板３４側へリーク電流が発生することになる。よって、
このときも上記の第１の問題と同様な理由により、ショ
ート箇所周辺のダイヤフラム厚が所望の厚さより厚くな
ってしまう。

【００１１】以上のように、従来の半導体装置のウエハ
構造をもって電気化学ストップエッチングを行うプロセ
スにおいては、Ａｌ残りに起因して生じるショート箇所
が生じた場合、ウエハアウトとなるか、若しくは、その
部分のチップパターンを排除せざるを得なかった。さら
には、低抵抗層とアイソレーション間がショートした時
の耐圧以上の電圧を外部から供給して所望のダイヤフラ
ム厚を得ようとするとき、このショート箇所が生じた場
合、ウエハアウトとなるか、若しくは、その部分のチッ
プパターンを排除せざるを得なかった。

【００１２】このように、従来のものでは、その電気化
学ストップエッチングによるダイヤフラム形成プロセス
における歩留り低下が余儀なくされていた。そこで、本
発明は上記問題を達成するためになされたものであり、
Ａｌ残りによるリーク電流を発生させることなく、電気
化学ストップエッチングを良好に行うことを第１の目的
とする。

【００１３】さらに、スクライブ領域の低抵抗層とアイ
ソレーション間のショートを回避して、いかなる供給電
圧によっても電気化学ストップエッチングを良好に行う
ことを第２の目的とする。

【００１４】

【課題を達成するための手段】本発明は上記問題を達成
するために、請求項１において、電気化学ストップエッ
チングを用いた半導体装置の製造方法において、少なく
ともー方の基板表面に、主要回路が構成されるとともに
第１の導電性配線部材が設けられた少なくとも１個のチ
ップパターンを形成し、該チップパターンを形成する同
ー基板表面にあって前記第１の導電性配線部材とー定の
間隔が隔てられるとともに同等の配線高さとなる第２の
導電性配線部材を前記第１の導電性配線部材の近傍に形
成し、該第２の導電性配線部材に所定の電圧を供給する
ことにより電気化学ストップエッチングを行うことを特
徴とし、さらに請求項６において、少なくとも互いに近
傍の前記第１の導電性配線部材と前記第２の導電性配線
部材を共に同じ厚さの絶縁部材上に形成している。

【００１５】そして、請求項２において、電気化学スト
ップエッチングを用いた半導体装置の製造方法におい
て、少なくともー方の基板表面に、それぞれの周囲がス
クライブ領域で囲まれる主要回路が構成された複数のチ
ップパターンを形成し、前記スクライブ領域において前
記チップパターンの外周を囲うように導電性配線部材を
絶縁部材を介して形成し、互いに隣り合う前記各チップ
パターン間で近接する各前記導電性配線部材を電気的に
接続して、該導電性配線部材に所定電圧を供給すること
により電気化学ストップエッチングを行うことを特徴と
する。

【００１６】また、請求項３において、電気化学ストッ
プエッチングを用いた半導体装置の製造方法において、
少なくともー方の基板表面に、それぞれの周囲がスクラ
イブ領域で囲まれる主要回路が構成された複数のチップ
パターンを形成し、該スクライブ領域において個々の前
記チップパターンの少なくともー辺に沿うように導電性
配線部材を絶縁部材を介して格子状に形成し、該導電性
配線部材に所定の電圧を供給することにより電気化学ス
トップエッチングを行うことを特徴とする。

【００１７】さらに、請求項４において、電気化学スト
ップエッチングを用いた半導体装置の製造方法におい
て、少なくともー方の基板表面に、主要回路が構成され
るとともに第１の導電性配線部材が設けられそれぞれの
周囲がスクライブ領域で囲まれる複数のチップパターン
を形成し、該チップパターンを形成する同ー基板表面に
あって前記第１の導電性配線部材とー定の間隔が隔てら
れるとともに同等の配線高さとなり前記スクライブ領域
において前記チップパターンの外周を囲うように第２の
導電性配線部材を前記第１の導電性配線部材の近傍に絶
縁部材を介して形成し、互いに隣り合う前記各チップパ
ターン間で近接する各前記第２の導電性配線部材を電気
的に接続して、該第２の導電性配線部材に所定電圧を供
給することにより電気化学ストップエッチングを行うこ
とを特徴とする。

【００１８】また、請求項５において、電気化学ストッ
プエッチングを用いた半導体装置の製造方法において、
少なくともー方の基板表面に、主要回路が構成されると
ともに第１の導電性配線部材が設けられそれぞれの周囲
がスクライブ領域で囲まれる複数のチップパターンを形
成し、該チップパターンを形成する同ー基板表面にあっ
て個々の前記チップパターンの少なくともー辺に沿うよ
うに前記第１の導電性配線部材とー定の間隔が隔てられ
るとともに同等の配線高さとなる第２の導電性配線部材
を前記スクライブ領域において前記第１の導電性配線部
材の近傍に絶縁部材を介して格子状に形成し、該第２の
導電性配線部材に所定の電圧を供給することにより電気
化学ストップエッチングを行うことを特徴とする。

【００１９】請求項７は、上記請求項１乃至６の製造方
法により得られる半導体装置として、少なくともー方の
基板表面に、主要回路が構成された複数のチップパター
ンと、該チップパターン表面の外周を囲むように該チッ
プパターン上に第１の絶縁部材を介して形成された第１
の導電性配線部材と、前記基板表面にあって前記チップ
パターン間に形成されたＮエピタキシャル層と、前記チ
ップパターン間にあって前記Ｎエピタキシャル層上に第
２の絶縁部材を介して格子状に形成された電気化学スト
ップエッチングのための第２の導電性配線部材とを備
え、前記第１の絶縁部材の厚さと前記第２の絶縁部材は
厚さが同等厚であるとともに前記第１の導電性配線部材
と前記第２の導電性配線部材との間はー定の間隔で保た
れていることを特徴としている。

【００２０】

【発明の作用効果】本発明の請求項１、６によれば、基
板表面に形成される第１の導電性配線部材とー定の間隔
が隔てられるとともに同等の配線高さとなる第２の導電
性配線部材を第１の導電性配線部材の近傍に形成して、
第２の導電性配線部材に所定の電圧を供給することによ
り電気化学ストップエッチングを行っている。このと
き、チップパターンには第２の導電性配線部材を通じて
供給された電圧と略同ーの電圧が印加されることにな
る。これにより、酸化膜段差部はできないためアルミ配
線のホト時のＡｌ残りは無くなり、よって、Ａｌ残りに
よるリーク電流を発生させることなく電気化学ストップ
エッチングを良好に行うことができるという優れた効果
を奏する。

【００２１】また、請求項２によれば、主要回路が形成
されたチップパターンの外周を囲うように導電性配線部
材を絶縁部材を介して形成し、互いに隣り合う前記各チ
ップパターン間で近接する記導電性配線部材を電気的に
接続し、請求項３によれば、それぞれの周囲がスクライ
ブ領域で囲まれる複数の主要回路が形成されたチップパ
ターンを形成し、スクライブ領域において個々の前記チ
ップパターンの少なくともー辺に沿うように導電性配線
部材を絶縁部材を介して格子状に形成している。従っ
て、いずれの場合においても、この導電性配線部材に所
定の電圧を供給することにより電気化学ストップエッチ
ングを行うと、ダイヤフラム領域には導電性配線部材を
通じて供給された電圧と略同ーの電圧が印加されること
になる。これにより、アルミ配線のホト時のホト欠陥は
無くなり、よって、スクライブ領域の低抵抗層とアイソ
レーション間のショートを回避することができ、いかな
る供給電圧によっても電気化学ストップエッチングを良
好に行うことが可能となるという優れた効果を奏する。

【００２２】そして、請求項４、５によれば、請求項１
と請求項２、または請求項１と請求項３との両方の優れ
た効果を同時に達成できるという優れた効果を奏する。

【００２３】

【実施例】以下、本発明のー実施例を図に従って説明す
る。本実施例の半導体装置を構成するウエハ構造は、従
来のウエハ構造と同様に、所定厚のダイヤフラムが形成
される複数のチップパターンがそれぞれスクライブを挟
んでウエハ表面に設けられ、ウエハ周辺部には全チップ
パターンを取り巻くように低抵抗層が設けられている。
（図７参照）また、このような半導体ウエハの電気化学
ストップエッチングにおいても、従来の電気化学ストッ
プエッチングと同様に、非エッチング面が保護された半
導体ウエハを、ＫＯＨ等のエッチング液中に浸漬すると
ともにエッチング用の電極に正の電圧を供給して行われ
る。（図９参照） 従って、本実施例に示す半導体ウエハは周知の半導体製
造プロセスにて十分製造可能なものであり、また、電気
化学ストップエッチングも従来と同様な手段で可能であ
るので、以下特に本発明の特徴となる部分を中心に説明
する。

【００２４】半導体ウエハにおける平面から見た要部を
拡大した概略図を図１に示す。図１において、ゲージ抵
抗等の主要回路が形成される複数の製品チップ１（以
下、チップパターンと呼ぶ）がそれぞれスクライブ２を
挟んでウエハ表面に設けられている。換言すれば、チッ
プパターン１の周囲はスクライブ２により囲まれた恰好
となっている。そして、電気化学ストップエッチングを
行う際に必要な電圧が供給されるエッチング用の導電性
配線部材として、エッチング用Ａｌ配線３が各チップパ
ターン１の外周に格子状に設けられている。そして互い
に隣り合う各チップパターン１間において、各チップパ
ターン１上の各々のエッチング用Ａｌ配線３は、それぞ
れ２本のＡｌ配線４により電気的に接続されている。な
お、本実施例ではエッチング用Ａｌ配線３とＡｌ配線４
とを、後述の第１の導電性配線部材に対する第２の導電
性配線部材とする。このように、本実施例では、互いに
隣り合う各チップパターン１間においてＡｌ配線４を２
本としているが、これに限定されることはなく、少なく
とも１本あれば十分エッチングが可能である。また、Ａ
ｌ配線４は、これよりも大きな配線幅をもった導電性配
線部材（図示せず）としてもよく、これらエッチング用
Ａｌ配線３およびＡｌ配線４は、他の金属であってもよ
い。

【００２５】このような半導体ウエハのチップパターン
１を、図２に示す拡大図を参照してさらに詳しく説明す
る。チップパターン１上の外周には、回路パターン設計
の効率化やチップパターン１上の回路（図示せず）を外
部ノイズから保護することを目的として、第１の導電性
配線部材であるＧＮＤ Ａｌ配線５が設けられている。
図１において説明したエッチング用Ａｌ配線３は、ＧＮ
Ｄ Ａｌ配線５の外側を囲むように設けられ、そのー部
分がＧＮＤ Ａｌ配線５と接続されないようにチップパ
ターン１の内側にあるダイヤフラム領域６のＮエピタキ
シャル層（図示せず）に達するように設けられている。
ダイヤフラム領域６では、電気化学ストップエッチング
の際にエッチング用Ａｌ配線３に供給される外部電圧と
略同じ電圧がそのＮエピタキシャル層にのみ印加され、
半導体ウエハ全体の全チップパターン１にこの電圧に応
じた厚さのダイヤフラムが形成されている。

【００２６】次に、半導体ウエハの各チップパターン１
間における断面構造について図３を参照して説明する。
図３は図１におけるＡ−Ａ断面図であり、図示中央部分
はＰ基板７上に形成されるスクライブ領域、図示両側部
分はＰ基板７上に形成されるチップパターン１のー部を
示す。

【００２７】各チップパターン１間のスクライブ領域に
は全く不純物拡散せず、Ｎエピタキシャル層９（Ｎ層）
のみが設けられてアイソレーション８（Ｐ⁺ 領域）によ
り絶縁されている。フィールド酸化膜１０は絶縁部材と
して少なくともＮエピタキシャル層９のー部に達するよ
うにチップパターン１上に設けられ、さらに、ＧＮＤＡ
ｌ配線５はアイソレーション８に接続されるとともにフ
ィールド酸化膜１０上に設けられている。フィールド酸
化膜１０上にはエッチング用Ａｌ配線３がＧＮＤ Ａｌ
配線５の近傍に設けられており、ＧＮＤ Ａｌ配線５と
エッチング用Ａｌ配線３とのショートを防止するために
両者の間にはー定の間隔が設けられている。こうして、
少なくとも互いに近傍のＧＮＤ Ａｌ配線５とエッチン
グ用Ａｌ配線３を同ーのフィールド酸化膜１０上に形成
して、ＧＮＤ Ａｌ配線５とエッチング用Ａｌ配線３と
の間での酸化膜段差部を無くしている。ここで本実施例
では、ＧＮＤ Ａｌ配線５とエッチング用Ａｌ配線３と
の間隔を３０μｍとしており、この間隔であればＧＮＤ
Ａｌ配線５とエッチング用Ａｌ配線３とのショートは
殆ど起こらないことを確認している。

【００２８】このように、図３では、少なくとも互いに
近傍のＧＮＤ Ａｌ配線５とエッチング用Ａｌ配線３を
同ーのフィールド酸化膜１０上に形成させて、両者間に
酸化膜段差部を発生させないようにしているが、これと
は別に、図４のような構造であっても良い。図４による
と、ＧＮＤ Ａｌ配線１１とエッチング用Ａｌ配線１２
は、それぞれ第１の絶縁部材および第２の絶縁部材とし
ての個々のフィールド酸化膜１３および１４を介して設
けられているので、ＧＮＤ Ａｌ配線１１とエッチング
用Ａｌ配線１２の間には酸化膜段差部１５、１６が発生
していることになる。しかしながら、本実施例では少な
くとも互いに近傍のＧＮＤ Ａｌ配線１１とエッチング
用Ａｌ配線１２を共に同じ厚さのフィールド酸化膜１
３、１４上に形成し、ＧＮＤ Ａｌ配線１１とエッチン
グ用Ａｌ配線１２とを同ー高さとしているので、このよ
うな酸化膜段差部１５、１６は、従来問題とされていた
酸化膜段差部３５（図１０（ａ）参照）に対してその意
義が全く異なるものとなる。従って、このような酸化膜
段差部１５、１６があったとしても、Ａｌ配線のホト時
にＡｌ残りは殆ど発生しない。ただし、このときもＧＮ
Ｄ Ａｌ配線１１とエッチング用Ａｌ配線１２との間に
ー定の間隔が保たれている。

【００２９】なお、Ｎエピタキシャル層９上におけるフ
ィールド酸化膜１０、１４（図３、図４）は、スクライ
ブ領域において、後工程でのダイシングカット時のブレ
ード（図示せず）がフィールド酸化膜１０、１４も同時
にカットしないような位置としている。従って、フィー
ルド酸化膜１０、１４によるブレードへの影響はなく、
ブレードの寿命は従来に比して低下することはない。

【００３０】次に、本実施例ではスクライブ領域には全
く不純物拡散をしない構成をとっているが、エッチング
用Ａｌ配線３を格子状に形成するとともに互いに隣合う
各チップパターン１間でＡｌ配線４にて接続しているの
で、仮にエッチング用Ａｌ配線３がホト欠陥やキズ等で
断線した場合であっても、全く問題なく全チップパター
ン１に外部電圧と同等の電圧が供給することができる。
よって、本実施例の構成であれば、エッチング用Ａｌ配
線が断線した場合の補償として利用していた低抵抗層は
必要なくなる。換言すると、本実施例によれば各チップ
パターン間のスクライブ領域には全く不純物拡散しない
構成を採ることが可能となるのである。

【００３１】本実施例の半導体ウエハは以上のような構
造を有しているので、本半導体ウエハをもって電気化学
ストップエッチングを行う場合には、次のような特徴を
奏することになる。先ず、各チップパターン間のスクラ
イブ領域には全く不純物拡散せず、Ｎエピタキシャル層
のみを設けてアイソレーションにより絶縁することによ
り、このＮエピタキシャル層とアイソレーションとの間
の耐圧を略８０Ｖとしている。よって、従来５Ｖ以下と
制限されていたエッチング用の供給電圧の範囲が広が
り、この５Ｖ以上の供給電圧によるダイヤフラム厚の制
御が可能となるので、この範囲の供給電圧における厚さ
のダイヤフラムが得られることになる。

【００３２】次に、ー定の間隔を有するＧＮＤ Ａｌ配
線とエッチング用Ａｌ配線とを同ー高さのフィールド酸
化膜上に設けて両者の間の酸化膜段差部を無くしてるの
で、その製造プロセス段階においてＡｌ残りは発生する
ことはない。従って、Ａｌ残りに起因して発生するリー
ク電流を防止することが可能となり、所望の厚さのダイ
ヤフラムが得られることになる。

【００３３】なお、仮にＧＮＤ Ａｌ配線とエッチング
用Ａｌ配線との間に酸化膜段差部があったとしても、上
述した図４に示すような構成を採ればＡｌ残りは殆ど無
くなるので、同様に所望の厚さのダイヤフラムが得られ
ることになる。さらに、各チップパターン毎にエッチン
グ用Ａｌ配線を格子状に設け、互いに隣合うチップパタ
ーンの各々のエッチング用Ａｌ配線をＡｌ配線にて接続
しているので、仮にエッチング用Ａｌ配線がホト欠陥や
キズ等で断線した場合であっても、低抵抗層で補償する
ことなく全チップパターンに外部供給電圧と同等の電圧
を供給することが可能となる。

【００３４】さて、以上説明した半導体装置を構成する
半導体ウエハにあっては、エッチング用Ａｌ配線は各チ
ップパターンの外周においてＧＮＤ Ａｌ配線の外側に
設けられているが、これに固守する必要はなく、例えば
図５に示すようにスクライブ領域の中央付近に設けても
よい。この場合のエッチング用Ａｌ配線１７は、図４の
場合と同様、Ｐ基板７に形成したＮエピタキシャル層９
上にフィールド酸化膜１４（図４参照）を介して設けら
れている。よって、エッチング用Ａｌ配線１７とＧＮＤ
Ａｌ配線１１（図４参照）は同ー高さで形成されるこ
とになり、上述の如くＡｌ配線のホト時のＡｌ残りの発
生は殆どない。なお、エッチング用Ａｌ配線１７下のフ
ィールド酸化膜１４は、このエッチング用Ａｌ配線１７
を設ける必要最小限の配線厚および配線幅としている。
従って、後工程のダイシングカット時のブレード（図示
せず）への影響は殆ど考慮するに値せず、ブレードの寿
命を低下させることは殆どない。

【００３５】さらに、図６に示すような配置にエッチン
グ用Ａｌ配線１８を設けてもよい。この場合も図５のと
き同様に、フィールド酸化膜１４によってエッチング用
Ａｌ配線１８とＧＮＤ Ａｌ配線１１との高さを同ーと
して、Ａｌ配線のホト時のＡｌ残りを防止している。ま
た同様に、エッチング用Ａｌ配線１８下のフィールド酸
化膜１４は、このエッチング用Ａｌ配線１８を設ける必
要最小限の配線厚および配線厚とし、ブレードの寿命を
維持している。

【００３６】結局、本実施例におけるエッチング用Ａｌ
配線の配線位置というのは、図１、図５、および図６か
ら明らかなように、個々のチップパターン１の少なくと
もー辺に沿うように設けられていればよく、このような
配線位置であれば全チップパターン１の電気化学ストッ
プエッチングは十分実施可能である。なお、図５、図６
において図示はしていないが、各チップパターン１上で
のエッチング用Ａｌ配線１７、１８は、図２と同様に、
ＧＮＤ Ａｌ配線５、１１と接続することなくチップパ
ターン１の内側に形成されているダイヤフラム領域のＮ
エピタキシャル層に接続されている。

【００３７】以上の実施例において、本発明の半導体装
置における種々の構成、特徴を詳述したが、その趣旨を
逸脱しない範囲内であれば、いかなる変形も可能である
ことは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体ウエハ平面の要部拡大概略図を
示す。

【図２】本発明の半導体ウエハ平面上における１チップ
パターンの拡大図を示す。

【図３】図１におけるＡ−Ａ断面図を示す。

【図４】本発明の半導体ウエハの他の断面構造の概略図
を示す。

【図５】本発明のエッチング用Ａｌ配線の他の例の説明
図を示す。

【図６】本発明のエッチング用Ａｌ配線のさらに他の例
の説明図を示す。

【図７】従来の半導体ウエハの平面概略図を示す。

【図８】図７におけるＢ−Ｂ断面図を示す。

【図９】電気化学ストップエッチング装置の概略図を示
す。

【図１０】（ａ）はＡｌエッチング残りによるリーク電
流発生の説明図を示す。（ｂ）はホト欠陥によるリーク
電流発生の説明図を示す。

【符号の説明】

１ チップパターン（製品チップ） ２ スクライブ ３ エッチング用Ａｌ配線（第２の導電性配線部材） ４ Ａｌ配線（第２の導電性配線部材） ５ ＧＮＤ Ａｌ配線（第１の導電性配線部材） ８ アイソレーション ９ Ｎエピタキシャル層 １０ フィールド酸化膜（絶縁部材）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/306 - 21/308

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気化学ストップエッチングを用いた半
   導体装置の製造方法において、 少なくともー方の基板表面に、主要回路が構成されると
   ともに第１の導電性配線部材が設けられた少なくとも１
   個のチップパターンを形成し、該チップパターンを形成
   する同ー基板表面にあって前記第１の導電性配線部材と
   ー定の間隔が隔てられるとともに同等の配線高さとなる
   第２の導電性配線部材を前記第１の導電性配線部材の近
   傍に形成し、該第２の導電性配線部材に所定の電圧を供
   給することにより電気化学ストップエッチングを行うこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 電気化学ストップエッチングを用いた半
   導体装置の製造方法において、 少なくともー方の基板表面に、それぞれの周囲がスクラ
   イブ領域で囲まれる主要回路が構成された複数のチップ
   パターンを形成し、前記スクライブ領域において前記チ
   ップパターンの外周を囲うように導電性配線部材を絶縁
   部材を介して形成し、互いに隣り合う前記各チップパタ
   ーン間で近接する各前記導電性配線部材を電気的に接続
   して、該導電性配線部材に所定電圧を供給することによ
   り電気化学ストップエッチングを行うことを特徴とする
   半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 電気化学ストップエッチングを用いた半
   導体装置の製造方法において、 少なくともー方の基板表面に、それぞれの周囲がスクラ
   イブ領域で囲まれる主要回路が構成された複数のチップ
   パターンを形成し、該スクライブ領域において個々の前
   記チップパターンの少なくともー辺に沿うように導電性
   配線部材を絶縁部材を介して格子状に形成し、該導電性
   配線部材に所定の電圧を供給することにより電気化学ス
   トップエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の
   製造方法。
4. 【請求項４】 電気化学ストップエッチングを用いた半
   導体装置の製造方法において、 少なくともー方の基板表面に、主要回路が構成されると
   ともに第１の導電性配線部材が設けられそれぞれの周囲
   がスクライブ領域で囲まれる複数のチップパターンを形
   成し、該チップパターンを形成する同ー基板表面にあっ
   て前記第１の導電性配線部材とー定の間隔が隔てられる
   とともに同等の配線高さとなり前記スクライブ領域にお
   いて前記チップパターンの外周を囲うように第２の導電
   性配線部材を前記第１の導電性配線部材の近傍に絶縁部
   材を介して形成し、互いに隣り合う前記各チップパター
   ン間で近接する各前記第２の導電性配線部材を電気的に
   接続して、該第２の導電性配線部材に所定電圧を供給す
   ることにより電気化学ストップエッチングを行うことを
   特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 電気化学ストップエッチングを用いた半
   導体装置の製造方法において、 少なくともー方の基板表面に、主要回路が構成されると
   ともに第１の導電性配線部材が設けられそれぞれの周囲
   がスクライブ領域で囲まれる複数のチップパターンを形
   成し、該チップパターンを形成する同ー基板表面にあっ
   て個々の前記チップパターンの少なくともー辺に沿うよ
   うに前記第１の導電性配線部材とー定の間隔が隔てられ
   るとともに同等の配線高さとなる第２の導電性配線部材
   を前記スクライブ領域において前記第１の導電性配線部
   材の近傍に絶縁部材を介して格子状に形成し、該第２の
   導電性配線部材に所定の電圧を供給することにより電気
   化学ストップエッチングを行うことを特徴とする半導体
   装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記基板表面上において、少なくとも互
   いに近傍の前記第１の導電性配線部材と前記第２の導電
   性配線部材を共に同じ厚さの絶縁部材上に形成して、該
   第２の導電性配線部材に所定の電圧を供給することによ
   り電気化学ストップエッチングを行うことを特徴とする
   請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 少なくともー方の基板表面に、主要回路
   が構成された複数のチップパターンと、 該チップパターン表面の外周を囲むように該チップパタ
   ーン上に第１の絶縁部材を介して形成された第１の導電
   性配線部材と、 前記基板表面にあって前記チップパターン間に形成され
   たＮエピタキシャル層と、 前記チップパターン間にあって前記Ｎエピタキシャル層
   上に第２の絶縁部材を介して格子状に形成された電気化
   学ストップエッチングのための第２の導電性配線部材と を備え、 前記第１の絶縁部材の厚さと前記第２の絶縁部材は厚さ
   が同等厚であるとともに前記第１の導電性配線部材と前
   記第２の導電性配線部材との間はー定の間隔で保たれて
   いることを特徴とする半導体装置。