JP3346744B2 - メッキ成長装置及びメッキ成長方法 - Google Patents
メッキ成長装置及びメッキ成長方法Info
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- JP3346744B2 JP3346744B2 JP00416099A JP416099A JP3346744B2 JP 3346744 B2 JP3346744 B2 JP 3346744B2 JP 00416099 A JP00416099 A JP 00416099A JP 416099 A JP416099 A JP 416099A JP 3346744 B2 JP3346744 B2 JP 3346744B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体素子の配線
形成に用いられるメッキ成長装置及びメッキ成長方法に
関する。
形成に用いられるメッキ成長装置及びメッキ成長方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】メッキ成長装置は，半導体基板上にレジ
ストでパターンを形成した後，レジスト開口部に配線金
属をメッキ成長させるために用いられる。一般にメッキ
成長装置は，メッキ層の厚みを直接検出できる機能を有
していない。そのため，メッキ層の厚みの制御は，成長
レートと成長時間の制御で代用している。成長レート
は，パターン開口率などによって異なるため，あらかじ
め同一条件でメッキ成長させたチェック用ウエハのメッ
キ層の厚みより求めておく。
ストでパターンを形成した後，レジスト開口部に配線金
属をメッキ成長させるために用いられる。一般にメッキ
成長装置は，メッキ層の厚みを直接検出できる機能を有
していない。そのため，メッキ層の厚みの制御は，成長
レートと成長時間の制御で代用している。成長レート
は，パターン開口率などによって異なるため，あらかじ
め同一条件でメッキ成長させたチェック用ウエハのメッ
キ層の厚みより求めておく。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記方
法では，チェック用ウエハの成長およびメッキ層の厚み
測定，計算という工程が必須なため，メッキ工程処理時
間が増大するという問題があった。また，同一処理を行
うウエハを複数回に分けて処理するといった場合，処理
ごとのメッキ成長レートのばらつきが，そのままメッキ
層の厚みのばらつきに反映されてしまうという問題があ
った。
法では，チェック用ウエハの成長およびメッキ層の厚み
測定，計算という工程が必須なため，メッキ工程処理時
間が増大するという問題があった。また，同一処理を行
うウエハを複数回に分けて処理するといった場合，処理
ごとのメッキ成長レートのばらつきが，そのままメッキ
層の厚みのばらつきに反映されてしまうという問題があ
った。
【０００４】本発明は，従来のメッキ成長装置が有する
上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的
は，メッキ層の厚みの測定，計算という工程を省略し，
容易にメッキ層の厚みを検知することの可能な，新規か
つ改良されたメッキ成長装置及びメッキ成長方法を提供
することである。
上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的
は，メッキ層の厚みの測定，計算という工程を省略し，
容易にメッキ層の厚みを検知することの可能な，新規か
つ改良されたメッキ成長装置及びメッキ成長方法を提供
することである。
【０００５】また，本発明の別の目的は，メッキ槽を複
数個有するメッキ成長装置の場合，メッキ槽間のメッキ
層の厚みのばらつきを低減することの可能な，新規かつ
改良されたメッキ成長装置及びメッキ成長方法を提供す
ることである。
数個有するメッキ成長装置の場合，メッキ槽間のメッキ
層の厚みのばらつきを低減することの可能な，新規かつ
改良されたメッキ成長装置及びメッキ成長方法を提供す
ることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め，請求項１によれば，メッキ成長装置において，ウエ
ハ上のレジストの開口部に形成されたメッキ層に光を照
射する光源と，前記メッキ層に照射された光のうち前記
メッキ層により反射された光を検出可能な位置に配され
た光検出器とを備え，前記光は，前記メッキ層が前記レ
ジストより十分薄い場合，前記レジストに遮断され，前
記メッキ層が十分厚くなり前記レジストとの差が十分小
さくなると，前記メッキ層の表面で反射し，前記光検出
器で検出されるように，前記ウエハに十分小さい入射角
をもって前記光源から照射されることを特徴とするメッ
キ成長装置が提供される。
め，請求項１によれば，メッキ成長装置において，ウエ
ハ上のレジストの開口部に形成されたメッキ層に光を照
射する光源と，前記メッキ層に照射された光のうち前記
メッキ層により反射された光を検出可能な位置に配され
た光検出器とを備え，前記光は，前記メッキ層が前記レ
ジストより十分薄い場合，前記レジストに遮断され，前
記メッキ層が十分厚くなり前記レジストとの差が十分小
さくなると，前記メッキ層の表面で反射し，前記光検出
器で検出されるように，前記ウエハに十分小さい入射角
をもって前記光源から照射されることを特徴とするメッ
キ成長装置が提供される。
【０００７】かかる構成によれば，メッキ層の厚みを反
射光の検出の有無でメッキ層の成長中に判定できるよう
にしたので，あらかじめ成長レートを求めるためのチェ
ック用ウエハのメッキ成長やメッキ層の厚み測定等の工
程を省略することが可能である。さらに，メッキ槽を複
数個有するメッキ成長装置の場合，個々のメッキ槽を同
様の構成にすれば，各メッキ槽ごとにメッキ層の厚みが
管理できるので，メッキ槽間のメッキ層の厚みのばらつ
きを低減することが可能である。
射光の検出の有無でメッキ層の成長中に判定できるよう
にしたので，あらかじめ成長レートを求めるためのチェ
ック用ウエハのメッキ成長やメッキ層の厚み測定等の工
程を省略することが可能である。さらに，メッキ槽を複
数個有するメッキ成長装置の場合，個々のメッキ槽を同
様の構成にすれば，各メッキ槽ごとにメッキ層の厚みが
管理できるので，メッキ槽間のメッキ層の厚みのばらつ
きを低減することが可能である。
【０００８】なお，請求項２に記載のように，前記光源
は，前記ウエハに１０度程度の入射角をもって前記光を
照射するように配してもよい。また，請求項３に記載の
ように，メッキ層の光の反射率がレジストの光の反射率
よりも高い場合に特に効果的である。
は，前記ウエハに１０度程度の入射角をもって前記光を
照射するように配してもよい。また，請求項３に記載の
ように，メッキ層の光の反射率がレジストの光の反射率
よりも高い場合に特に効果的である。
【０００９】さらに，光源は，請求項４に記載のよう
に，ウエハの位置に対応して位置が可変であるようにし
てもよく，光検出器も，請求項５に記載のように，ウエ
ハの位置に対応して位置が可変であるようにしてもよ
い。
に，ウエハの位置に対応して位置が可変であるようにし
てもよく，光検出器も，請求項５に記載のように，ウエ
ハの位置に対応して位置が可変であるようにしてもよ
い。
【００１０】かかる構成によれば，光源や光検出器を移
動できるようにしたので，ウエハが装置に対して傾いて
配置された場合にも，光源や光検出器を適宜移動するこ
とにより，メッキ層の厚みを判定することが可能であ
る。
動できるようにしたので，ウエハが装置に対して傾いて
配置された場合にも，光源や光検出器を適宜移動するこ
とにより，メッキ層の厚みを判定することが可能であ
る。
【００１１】さらに，光検出器は，請求項６に記載のよ
うに，マルチチャネル型の光検出器であることが好まし
い。
うに，マルチチャネル型の光検出器であることが好まし
い。
【００１２】かかる構成によれば，マルチチャネル型の
光検出器で一度に広範囲の光強度を検出できるため，光
強度の最も強い位置をもってメッキ層の厚みを判定する
ことが可能である。したがって，チェック用ウエハ工程
を省略でき，またメッキ層の厚みのばらつきもより一層
低減することが可能である。また，本発明によれば，メ
ッキ成長方法であって，ウエハ上のレジストの開口部に
形成されたメッキ層に，前記ウエハに十分小さい入射角
（例えば１０度程度）をもって光を照射し，前記メッキ
層に照射された光のうち前記メッキ層により反射された
光を検出し，前記メッキ層の厚みを前記メッキ層により
反射された光検出の有無でメッキ成長中に判定すること
を特徴とする，メッキ成長方法が提供される。
光検出器で一度に広範囲の光強度を検出できるため，光
強度の最も強い位置をもってメッキ層の厚みを判定する
ことが可能である。したがって，チェック用ウエハ工程
を省略でき，またメッキ層の厚みのばらつきもより一層
低減することが可能である。また，本発明によれば，メ
ッキ成長方法であって，ウエハ上のレジストの開口部に
形成されたメッキ層に，前記ウエハに十分小さい入射角
（例えば１０度程度）をもって光を照射し，前記メッキ
層に照射された光のうち前記メッキ層により反射された
光を検出し，前記メッキ層の厚みを前記メッキ層により
反射された光検出の有無でメッキ成長中に判定すること
を特徴とする，メッキ成長方法が提供される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら，
本発明にかかるメッキ成長装置及びメッキ成長方法の好
適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細
書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する
構成要素については，同一の符号を付することにより重
複説明を省略する。
本発明にかかるメッキ成長装置及びメッキ成長方法の好
適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細
書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する
構成要素については，同一の符号を付することにより重
複説明を省略する。
【００１４】（第１の実施の形態）第１の形態にかかる
メッキ成長装置１００を，図１を参照しながら説明す
る。メッキ成長装置１００は，ウエハ１１３のレジスト
１１１の開口部に形成されたメッキ層１１９に光１１７
を照射する光源１２１と，メッキ層１１９に照射された
光１１７のうちメッキ層１１９により反射された光１１
７を検出可能な位置に配された光検出器１２３とを備え
ている。
メッキ成長装置１００を，図１を参照しながら説明す
る。メッキ成長装置１００は，ウエハ１１３のレジスト
１１１の開口部に形成されたメッキ層１１９に光１１７
を照射する光源１２１と，メッキ層１１９に照射された
光１１７のうちメッキ層１１９により反射された光１１
７を検出可能な位置に配された光検出器１２３とを備え
ている。
【００１５】ウエハ１１３は，メッキ液を入れたメッキ
槽１１５の所定の位置に配されている。光源１２１は，
ウエハ１１３に十分小さい角度，例えば１０度程度の入
射角をもって光１１７が入射するよう配されている。
槽１１５の所定の位置に配されている。光源１２１は，
ウエハ１１３に十分小さい角度，例えば１０度程度の入
射角をもって光１１７が入射するよう配されている。
【００１６】上記構成から成るメッキ成長装置１００に
おけるメッキ層１１９の厚みの検知について，図１を参
照しながら説明する。
おけるメッキ層１１９の厚みの検知について，図１を参
照しながら説明する。
【００１７】光源１２１より光１１７が照射されると，
メッキ層１１９がレジスト１１１より十分薄い場合，光
１１７は，図１（Ａ）に示したように，レジスト１１１
に遮断される。従って，光１１７はメッキ層１１９によ
り反射されないため，光検出器１２３では光が検出され
ない。一方，メッキ層が十分厚くなり，レジスト１１１
との差が十分小さくなると，光１１７は，図１（Ｂ）に
示したように，メッキ層１１９’の表面で反射し，光検
出器１２３で反射光が検出される。
メッキ層１１９がレジスト１１１より十分薄い場合，光
１１７は，図１（Ａ）に示したように，レジスト１１１
に遮断される。従って，光１１７はメッキ層１１９によ
り反射されないため，光検出器１２３では光が検出され
ない。一方，メッキ層が十分厚くなり，レジスト１１１
との差が十分小さくなると，光１１７は，図１（Ｂ）に
示したように，メッキ層１１９’の表面で反射し，光検
出器１２３で反射光が検出される。
【００１８】上述のように構成され，動作するメッキ成
長装置１００によれば，以下のような優れた効果を奏す
る。すなわち，メッキ層の厚みを光検出器による反射光
検出の有無でメッキ成長中に判定できるようにしたの
で，あらかじめ成長レートを求めるためのチェック用ウ
エハのメッキ成長やメッキ層の厚み測定等の工程を省略
することが可能である。さらに，メッキ槽を複数個有す
るメッキ成長装置の場合，個々のメッキ槽を同様の構成
にすれば，各メッキ槽ごとにメッキ層の厚みが管理でき
るので，メッキ槽間のメッキ層の厚みのばらつきを低減
することが可能である。
長装置１００によれば，以下のような優れた効果を奏す
る。すなわち，メッキ層の厚みを光検出器による反射光
検出の有無でメッキ成長中に判定できるようにしたの
で，あらかじめ成長レートを求めるためのチェック用ウ
エハのメッキ成長やメッキ層の厚み測定等の工程を省略
することが可能である。さらに，メッキ槽を複数個有す
るメッキ成長装置の場合，個々のメッキ槽を同様の構成
にすれば，各メッキ槽ごとにメッキ層の厚みが管理でき
るので，メッキ槽間のメッキ層の厚みのばらつきを低減
することが可能である。
【００１９】なお，本実施の形態におけるメッキ層の厚
みの判定は，レジストや酸化シリコン，窒化シリコン，
ポリイシド等の光の反射率の低い物質でパターンが形成
されているウエハのパターン開口部に，金属のような光
の反射率が高い物質を選択的に成長させる装置の場合に
特に有効である。
みの判定は，レジストや酸化シリコン，窒化シリコン，
ポリイシド等の光の反射率の低い物質でパターンが形成
されているウエハのパターン開口部に，金属のような光
の反射率が高い物質を選択的に成長させる装置の場合に
特に有効である。
【００２０】（第２の実施の形態）第２の実施の形態に
かかるメッキ成長装置２００を，図２を参照しながら説
明する。第１の実施の形態にかかるメッキ成長装置１０
０においては，ウエハが傾いて配置されてしまった場
合，メッキ層の厚みが十分厚いにもかかわらず反射光が
検出されず，適正なメッキ層の厚みが検知できない場合
がある。本実施の形態にかかるメッキ成長装置２００は
かかる点を改良したものである。
かかるメッキ成長装置２００を，図２を参照しながら説
明する。第１の実施の形態にかかるメッキ成長装置１０
０においては，ウエハが傾いて配置されてしまった場
合，メッキ層の厚みが十分厚いにもかかわらず反射光が
検出されず，適正なメッキ層の厚みが検知できない場合
がある。本実施の形態にかかるメッキ成長装置２００は
かかる点を改良したものである。
【００２１】メッキ成長装置２００は，ウエハ２１３の
レジスト２１１の開口部に形成されたメッキ層２１９に
光２１７を照射する光源２２１と，メッキ層２１９に照
射された光２１７のうちメッキ層２１９により反射され
た光２１７を検出可能な位置に配された光検出器２２３
とを備えている点で第１の実施の形態にかかるメッキ成
長装置１００と共通する。
レジスト２１１の開口部に形成されたメッキ層２１９に
光２１７を照射する光源２２１と，メッキ層２１９に照
射された光２１７のうちメッキ層２１９により反射され
た光２１７を検出可能な位置に配された光検出器２２３
とを備えている点で第１の実施の形態にかかるメッキ成
長装置１００と共通する。
【００２２】光源２２１および光検出器２２３は，図２
に示したように，ウエハ２１３の位置に対応して位置が
可変であるように構成されている。光源２２１及び光検
出器２２３が可変であることにより，ウエハ２１３に対
する入射角を変更することができる。
に示したように，ウエハ２１３の位置に対応して位置が
可変であるように構成されている。光源２２１及び光検
出器２２３が可変であることにより，ウエハ２１３に対
する入射角を変更することができる。
【００２３】上記構成から成るメッキ成長装置２００に
おけるメッキ層の厚みの検知について，図２を参照しな
がら説明する。
おけるメッキ層の厚みの検知について，図２を参照しな
がら説明する。
【００２４】まず，メッキ成長開始の直前もしくは直後
に，光源２２１および光検出器２２３を移動し，光検出
器２２３で反射光２１７が検出される位置に調節する。
図示したように，光源２１７の位置を下方に移動するこ
とによって，メッキ層２１９への入射角度が大きくなる
ので，メッキ層２１９が薄くてもレジスト２１１に遮断
されることなく，光２１７は反射される。また，ウエハ
２１３が装置に対して傾いて配置されていても光検出器
２２３を移動することにより，反射光を検出することが
できる。
に，光源２２１および光検出器２２３を移動し，光検出
器２２３で反射光２１７が検出される位置に調節する。
図示したように，光源２１７の位置を下方に移動するこ
とによって，メッキ層２１９への入射角度が大きくなる
ので，メッキ層２１９が薄くてもレジスト２１１に遮断
されることなく，光２１７は反射される。また，ウエハ
２１３が装置に対して傾いて配置されていても光検出器
２２３を移動することにより，反射光を検出することが
できる。
【００２５】次いで，光源２２１および光検出器２２３
を少し上方に移動させると，入射角が小さくなって光２
１７はレジスト２１１に遮断されるが，メッキ成長が進
んでメッキ厚が厚くなると，光２１７は反射される。
を少し上方に移動させると，入射角が小さくなって光２
１７はレジスト２１１に遮断されるが，メッキ成長が進
んでメッキ厚が厚くなると，光２１７は反射される。
【００２６】以上説明のように，光源２２１及び光検出
器２２３の移動と光２１７の検出とを繰り返し，入射角
度が所定値まで小さくても光検出器２２３により反射光
２１７が検出できれば，メッキ厚が所定値まで厚くなっ
たと判断できる。
器２２３の移動と光２１７の検出とを繰り返し，入射角
度が所定値まで小さくても光検出器２２３により反射光
２１７が検出できれば，メッキ厚が所定値まで厚くなっ
たと判断できる。
【００２７】上述のように構成され，動作するメッキ成
長装置２００によれば，以下のような優れた効果を奏す
る。すなわち，光源や光検出器を移動できるようにした
ので，ウエハが装置に対して傾いて配置された場合に
も，光源や光検出器を適宜移動することにより，メッキ
層の厚みを判定することが可能である。
長装置２００によれば，以下のような優れた効果を奏す
る。すなわち，光源や光検出器を移動できるようにした
ので，ウエハが装置に対して傾いて配置された場合に
も，光源や光検出器を適宜移動することにより，メッキ
層の厚みを判定することが可能である。
【００２８】（第３の実施の形態）第３の実施の形態に
かかるメッキ成長装置３００を，図３を参照しながら説
明する。第１の実施の形態にかかるメッキ成長装置１０
０及び第２の実施の形態にかかるメッキ成長装置２００
においては，レジストのように光の反射率の低い物質で
パターンが形成されているウエハに，光の反射率の高い
金属等を選択的に成長させることが必須だった。本実施
の形態にかかるメッキ成長装置３００はかかる点を改良
したものである。
かかるメッキ成長装置３００を，図３を参照しながら説
明する。第１の実施の形態にかかるメッキ成長装置１０
０及び第２の実施の形態にかかるメッキ成長装置２００
においては，レジストのように光の反射率の低い物質で
パターンが形成されているウエハに，光の反射率の高い
金属等を選択的に成長させることが必須だった。本実施
の形態にかかるメッキ成長装置３００はかかる点を改良
したものである。
【００２９】メッキ成長装置３００は，ウエハ３１３の
レジスト３１１の開口部に形成されたメッキ層３１９に
光３１７を照射する光源３２１と，メッキ層３１９に照
射された光３１７のうちメッキ層３１９により反射され
た光３１７を検出可能な位置に配された光検出器３２３
とを備えている点で第１の実施の形態にかかるメッキ成
長装置１００と共通する。
レジスト３１１の開口部に形成されたメッキ層３１９に
光３１７を照射する光源３２１と，メッキ層３１９に照
射された光３１７のうちメッキ層３１９により反射され
た光３１７を検出可能な位置に配された光検出器３２３
とを備えている点で第１の実施の形態にかかるメッキ成
長装置１００と共通する。
【００３０】光検出器３２３は，パターンが形成されて
いないウエハについてもメッキ層の厚みを検知すること
ができるように，マルチチャネル型の光検出器を用いて
いる。マルチチャネル型の光検出器３２３を用いること
により，最も光強度の強い位置を検出することができ
る。
いないウエハについてもメッキ層の厚みを検知すること
ができるように，マルチチャネル型の光検出器を用いて
いる。マルチチャネル型の光検出器３２３を用いること
により，最も光強度の強い位置を検出することができ
る。
【００３１】上記構成から成るメッキ成長装置３００に
おけるメッキ層の厚みの検知について，図３を参照しな
がら説明する。
おけるメッキ層の厚みの検知について，図３を参照しな
がら説明する。
【００３２】図３（Ａ）に示したようにメッキ層３１９
の厚みがｄ０の場合と，図３（Ｂ）に示したようにメッ
キ層３１９’の厚みがｄ１の場合とでは，マルチチャネ
ル型の光検出器３２５で反射光の検出される位置が２
（ｄ１−ｄ０）だけ下方へ変化する。したがって，反射
光３１７の検出位置によって，メッキ層の厚みの変化を
検知することができる。
の厚みがｄ０の場合と，図３（Ｂ）に示したようにメッ
キ層３１９’の厚みがｄ１の場合とでは，マルチチャネ
ル型の光検出器３２５で反射光の検出される位置が２
（ｄ１−ｄ０）だけ下方へ変化する。したがって，反射
光３１７の検出位置によって，メッキ層の厚みの変化を
検知することができる。
【００３３】上述のように構成され，動作するメッキ成
長装置３００によれば，以下のような優れた効果を奏す
る。すなわち，マルチチャネル型光検出器で一度に広範
囲の光強度を検出できるため，光強度の最も強い位置を
もってメッキ層の厚みを判定することが可能である。し
たがって，チェック用ウエハ工程を省略でき，またメッ
キ層の厚みのばらつきもより一層低減することが可能で
ある。
長装置３００によれば，以下のような優れた効果を奏す
る。すなわち，マルチチャネル型光検出器で一度に広範
囲の光強度を検出できるため，光強度の最も強い位置を
もってメッキ層の厚みを判定することが可能である。し
たがって，チェック用ウエハ工程を省略でき，またメッ
キ層の厚みのばらつきもより一層低減することが可能で
ある。
【００３４】以上，添付図面を参照しながら本発明にか
かるメッキ成長装置及びメッキ成長方法の好適な実施形
態について説明したが，本発明はかかる例に限定されな
い。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術
的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想
到し得ることは明らかであり，それらについても当然に
本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
かるメッキ成長装置及びメッキ成長方法の好適な実施形
態について説明したが，本発明はかかる例に限定されな
い。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術
的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想
到し得ることは明らかであり，それらについても当然に
本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００３５】例えば，上記発明の実施の形態では，本発
明をメッキ成長装置に適用した場合の一例につき説明し
たが，本発明はこれに限定されない。化学気相成長装置
に基板とは異なる反射率を有する層を選択成長させる場
合にも，同様に本発明は適用可能である。
明をメッキ成長装置に適用した場合の一例につき説明し
たが，本発明はこれに限定されない。化学気相成長装置
に基板とは異なる反射率を有する層を選択成長させる場
合にも，同様に本発明は適用可能である。
【００３６】また，レジストや酸化シリコン，窒化シリ
コン，ポリイシドのような光の反射率の低い物質でパタ
ーンが形成されているウエハのパターン開口部に，金属
のような光の反射率の高い物質を選択的に成長させるよ
うな装置にも，本発明は適用可能である。
コン，ポリイシドのような光の反射率の低い物質でパタ
ーンが形成されているウエハのパターン開口部に，金属
のような光の反射率の高い物質を選択的に成長させるよ
うな装置にも，本発明は適用可能である。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように，本発明にかかるメ
ッキ成長装置及びメッキ成長方法によれば，以下のよう
な優れた効果を奏する。
ッキ成長装置及びメッキ成長方法によれば，以下のよう
な優れた効果を奏する。
【００３８】請求項１，２または３のいずれかに記載の
メッキ成長装置，請求項７または８に記載のメッキ成長
方法によれば，メッキ層の厚みを反射光の検出の有無で
メッキ層の成長中に判定できるようにしたので，あらか
じめ成長レートを求めるためのチェック用ウエハのメッ
キ成長やメッキ層の層さ測定等の工程を省略することが
可能である。さらに，メッキ槽を複数個有するメッキ成
長装置の場合，個々のメッキ槽を同様の構成にすれば，
各メッキ槽ごとにメッキ層の厚みが管理できるので，メ
ッキ槽間のメッキ層の厚みのばらつきを低減することが
可能である。
メッキ成長装置，請求項７または８に記載のメッキ成長
方法によれば，メッキ層の厚みを反射光の検出の有無で
メッキ層の成長中に判定できるようにしたので，あらか
じめ成長レートを求めるためのチェック用ウエハのメッ
キ成長やメッキ層の層さ測定等の工程を省略することが
可能である。さらに，メッキ槽を複数個有するメッキ成
長装置の場合，個々のメッキ槽を同様の構成にすれば，
各メッキ槽ごとにメッキ層の厚みが管理できるので，メ
ッキ槽間のメッキ層の厚みのばらつきを低減することが
可能である。
【００３９】請求項４または５に記載のメッキ成長装置
によれば，光源や光検出器を移動できるようにしたの
で，ウエハが装置に対して傾いて配置された場合にも，
光源や光検出器を適宜移動することにより，メッキ層の
厚みを判定することが可能である。
によれば，光源や光検出器を移動できるようにしたの
で，ウエハが装置に対して傾いて配置された場合にも，
光源や光検出器を適宜移動することにより，メッキ層の
厚みを判定することが可能である。
【００４０】請求項６に記載のメッキ成長装置によれ
ば，マルチチャネル型の光検出器で一度に広範囲の光強
度を検出できるため，光強度の最も強い位置をもってメ
ッキ層の厚みを判定することが可能である。したがっ
て，チェック用ウエハ工程を省略でき，またメッキ層の
厚みのばらつきもより一層低減することが可能である。
ば，マルチチャネル型の光検出器で一度に広範囲の光強
度を検出できるため，光強度の最も強い位置をもってメ
ッキ層の厚みを判定することが可能である。したがっ
て，チェック用ウエハ工程を省略でき，またメッキ層の
厚みのばらつきもより一層低減することが可能である。
【図１】第１の実施の形態にかかるメッキ成長装置の説
明図であり，図１（Ａ）は，メッキ層が薄い場合を示
し，図１（Ｂ）は，メッキ層が厚い場合を示している。
明図であり，図１（Ａ）は，メッキ層が薄い場合を示
し，図１（Ｂ）は，メッキ層が厚い場合を示している。
【図２】第２の実施の形態にかかるメッキ成長装置の説
明図である。
明図である。
【図３】第３の実施の形態にかかるメッキ成長装置の説
明図であり，図３（Ａ）は，メッキ層の厚みがｄ０の場
合を示し，図３（Ｂ）は，メッキ層の厚みがｄ１の場合
を示している。
明図であり，図３（Ａ）は，メッキ層の厚みがｄ０の場
合を示し，図３（Ｂ）は，メッキ層の厚みがｄ１の場合
を示している。
１００ メッキ成長装置 １１１ レジスト １１３ ウエハ １１５ メッキ槽 １１７ 光 １１９，１１９’ メッキ層 １２１ 光源 １２３ 光検出器 ３２５ マルチチャネル型光検出器
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 7/12 C23C 18/16 C25D 21/12 H01L 21/288
Claims (8)
- 【請求項１】 メッキ成長装置において：ウエハ上のレジストの開口部に 形成されたメッキ層に光
を照射する光源と， 前記メッキ層に照射された光のうち前記メッキ層により
反射された光を検出可能な位置に配された光検出器と， を備え， 前記光は， 前記メッキ層が前記レジストより十分薄い場合，前記レ
ジストに遮断され， 前記メッキ層が十分厚くなり前記レジストとの差が十分
小さくなると，前記メッキ層の表面で反射し，前記光検
出器で検出されるように，前記ウエハに十分小さい入射
角をもって前記光源から照射される ことを特徴とする，
メッキ成長装置。 - 【請求項２】 前記光源は，前記ウエハに１０度程度の
入射角をもって前記光を照射するように配されることを
特徴とする，請求項１に記載のメッキ成長装置。 - 【請求項３】 前記メッキ層の光の反射率は，前記レジ
ストの光の反射率よりも高いことを特徴とする，請求項
１または２に記載のメッキ成長装置。 - 【請求項４】 前記光源は，前記ウエハの位置に対応し
て位置が可変であることを特徴とする，請求項１，２ま
たは３のいずれかに記載のメッキ成長装置。 - 【請求項５】 前記光検出器は，前記ウエハの位置に対
応して位置が可変であることを特徴とする，請求項１，
２，３または４のいずれかに記載のメッキ成長装置。 - 【請求項６】 前記光検出器は，マルチチャネル型の光
検出器であることを特徴とする，請求項１，２，３，４
または５のいずれかに記載のメッキ成長装置。 - 【請求項７】 メッキ成長方法であって： ウエハ上のレジストの開口部に形成されたメッキ層に，
前記ウエハに十分小さい入射角をもって光を照射し， 前記メッキ層に照射された光のうち前記メッキ層により
反射された光を検出し ， 前記メッキ層の厚みを前記メッキ層により反射された光
検出の有無でメッキ成長中に判定することを特徴とす
る，メッキ成長方法。 - 【請求項８】 前記ウエハ上のレジストの開口部に形成
されたメッキ層に，前記ウエハに１０度程度の入射角を
もって光を照射することを特徴とする，請求項７に記載
のメッキ成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00416099A JP3346744B2 (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | メッキ成長装置及びメッキ成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00416099A JP3346744B2 (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | メッキ成長装置及びメッキ成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000204498A JP2000204498A (ja) | 2000-07-25 |
| JP3346744B2 true JP3346744B2 (ja) | 2002-11-18 |
Family
ID=11577001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00416099A Expired - Fee Related JP3346744B2 (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | メッキ成長装置及びメッキ成長方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3346744B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4988380B2 (ja) | 2007-02-26 | 2012-08-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
| JP6649097B2 (ja) * | 2016-02-01 | 2020-02-19 | 学校法人東京薬科大学 | 光ファイバー表面プラズモン共鳴センサーの製造方法および光ファイバー表面プラズモン共鳴センサーの製造装置 |
| CN114174562A (zh) * | 2019-05-24 | 2022-03-11 | 朗姆研究公司 | 包含光学探针的电化学沉积系统 |
| US20240218553A1 (en) * | 2021-06-04 | 2024-07-04 | Ebara Corporation | Plating apparatus |
-
1999
- 1999-01-11 JP JP00416099A patent/JP3346744B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2000204498A (ja) | 2000-07-25 |
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