JP3343362B2 - ラピッドスタ−ト形けい光ランプ - Google Patents
ラピッドスタ−ト形けい光ランプInfo
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- JP3343362B2 JP3343362B2 JP19146691A JP19146691A JP3343362B2 JP 3343362 B2 JP3343362 B2 JP 3343362B2 JP 19146691 A JP19146691 A JP 19146691A JP 19146691 A JP19146691 A JP 19146691A JP 3343362 B2 JP3343362 B2 JP 3343362B2
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- Japan
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- phosphor
- film
- fluorescent lamp
- mercury
- rapid
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- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ラピッドスタート形け
い光ランプにおいて、けい光体層やＥＣ膜の黒化防止手
段に関する。
い光ランプにおいて、けい光体層やＥＣ膜の黒化防止手
段に関する。
【０００２】
【従来の技術】ラピッドスタート形けい光ランプは、発
光管バルブの内面に、例えば酸化錫ＳｎＯなどからなる
透明性導電膜（ＥＣ膜＝ネサ膜）を形成するとともに、
このＥＣ膜の内面にけい光体被膜を形成してあり、ＥＣ
膜が管壁抵抗を引下げる役割を果たすので始動性に優れ
たけい光ランプとして知られている。
光管バルブの内面に、例えば酸化錫ＳｎＯなどからなる
透明性導電膜（ＥＣ膜＝ネサ膜）を形成するとともに、
このＥＣ膜の内面にけい光体被膜を形成してあり、ＥＣ
膜が管壁抵抗を引下げる役割を果たすので始動性に優れ
たけい光ランプとして知られている。
【０００３】そして、最近においては、高効率および高
演色性を得るため、狭い波長範囲で線状の発光スペクト
ルを有する赤、青、緑の３色のけい光体を組合わせた、
いわゆる３波長発光形けい光体を用いたラピッドスター
ト形けい光ランプが開発されている。
演色性を得るため、狭い波長範囲で線状の発光スペクト
ルを有する赤、青、緑の３色のけい光体を組合わせた、
いわゆる３波長発光形けい光体を用いたラピッドスター
ト形けい光ランプが開発されている。
【０００４】このようなラピッドスタート形けい光ラン
プは、バルブ内に水銀および１種または２種以上の希ガ
スを含む混合ガスが充填され、２つの電極を経て電極エ
ネルギ−を混合ガスに供給することによってこの混合ガ
ス中で陽光柱放電を生じるように構成されている。この
放電によって、主に紫外線が発生し、その大半は１８５
nmと２５４nmの波長を有しており、この紫外線はバルブ
内面に形成されている３波長発光形けい光体により、
赤、青、緑の３色の発光スペクトルに変換され、これら
３色の混合色の光が得られている。
プは、バルブ内に水銀および１種または２種以上の希ガ
スを含む混合ガスが充填され、２つの電極を経て電極エ
ネルギ−を混合ガスに供給することによってこの混合ガ
ス中で陽光柱放電を生じるように構成されている。この
放電によって、主に紫外線が発生し、その大半は１８５
nmと２５４nmの波長を有しており、この紫外線はバルブ
内面に形成されている３波長発光形けい光体により、
赤、青、緑の３色の発光スペクトルに変換され、これら
３色の混合色の光が得られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな３波長発光形けい光体を用いたラピッドスタート形
けい光ランプにおいては、長時間の使用にともなってけ
い光体被膜が黄変して光束が低下したり、またはＥＣ膜
に暗褐色の帯状斑点による黒化現象が発生する場合があ
る。このような変色や黒化は、特に青色系けい光体およ
び緑色けい光体において著しい。
うな３波長発光形けい光体を用いたラピッドスタート形
けい光ランプにおいては、長時間の使用にともなってけ
い光体被膜が黄変して光束が低下したり、またはＥＣ膜
に暗褐色の帯状斑点による黒化現象が発生する場合があ
る。このような変色や黒化は、特に青色系けい光体およ
び緑色けい光体において著しい。
【０００６】この原因について検討、究明したところ、
上記のけい光体はランプ点灯中に水銀および炭素や水素
などの不純物と反応した水銀化合物を吸着し易く、これ
ら吸着した水銀および水銀化合物はけい光体被膜の表面
からなかなか離れず、水銀はさらに不純物を取り込んで
水銀化合物を形成し、このような水銀化合物が黄色の変
色すること、およびこのような水銀化合物がＥＣ膜の近
くまで到達してこれら水銀化合物とＥＣ膜が電位差によ
り微放電を発生し、この放電により水銀化合物が黒く変
色してＥＣ膜の黒化に至ると推察される。
上記のけい光体はランプ点灯中に水銀および炭素や水素
などの不純物と反応した水銀化合物を吸着し易く、これ
ら吸着した水銀および水銀化合物はけい光体被膜の表面
からなかなか離れず、水銀はさらに不純物を取り込んで
水銀化合物を形成し、このような水銀化合物が黄色の変
色すること、およびこのような水銀化合物がＥＣ膜の近
くまで到達してこれら水銀化合物とＥＣ膜が電位差によ
り微放電を発生し、この放電により水銀化合物が黒く変
色してＥＣ膜の黒化に至ると推察される。
【０００７】このような黄変や黒化現象を防止する手段
として、ＥＣ膜の電気抵抗を高くすることにより電位差
を低くすることが考えられるが、このようにすると、管
壁抵抗が増大するので始動電圧が高くなり、始動が困難
になり、特に０℃以下の低温雰囲気で始動させようとす
ると、容易に始動しなくなり、このため、ランプの用途
が限られるなどの欠点を生じる。
として、ＥＣ膜の電気抵抗を高くすることにより電位差
を低くすることが考えられるが、このようにすると、管
壁抵抗が増大するので始動電圧が高くなり、始動が困難
になり、特に０℃以下の低温雰囲気で始動させようとす
ると、容易に始動しなくなり、このため、ランプの用途
が限られるなどの欠点を生じる。
【０００８】本発明はこのような事情にもとづきなされ
たもので、その目的とするところは、けい光体の黄変や
ＥＣ膜の黒化を防止することができるラピッドスタ−ト
形傾けい光ランプを提供しようとするものである。
たもので、その目的とするところは、けい光体の黄変や
ＥＣ膜の黒化を防止することができるラピッドスタ−ト
形傾けい光ランプを提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、バルブの内面
に透明性導電膜およびけい光体層を形成し、このバルブ
内に水銀および希ガスを封入したラピッドスタ−ト形け
い光ランプにおいて、前記けい光体層を構成するけい光
体は、３波長発光形希土類けい光体からなり、このけい
光体にＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎの中から選ばれた
一種の金属酸化物の粒子を付着させて粒子径４４〜７４
μｍの還元鉄粉との接触時にけい光体１ｇ当り−０．５
〜＋１．５マイクロク−ロンの電荷を帯電することを特
徴とする。
に透明性導電膜およびけい光体層を形成し、このバルブ
内に水銀および希ガスを封入したラピッドスタ−ト形け
い光ランプにおいて、前記けい光体層を構成するけい光
体は、３波長発光形希土類けい光体からなり、このけい
光体にＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎの中から選ばれた
一種の金属酸化物の粒子を付着させて粒子径４４〜７４
μｍの還元鉄粉との接触時にけい光体１ｇ当り−０．５
〜＋１．５マイクロク−ロンの電荷を帯電することを特
徴とする。
【００１０】
【作用】本発明者等は調査、実験および解析したとこ
ろ、ラピッドスタ−ト形けい光ランプにおいては、けい
光体の帯電傾向がけい光体の黄変やＥＣ膜の黒化に密接
に関与していることを尽きとめた。
ろ、ラピッドスタ−ト形けい光ランプにおいては、けい
光体の帯電傾向がけい光体の黄変やＥＣ膜の黒化に密接
に関与していることを尽きとめた。
【００１１】すなわち、ラピッドスタ−ト形けい光ラン
プの３波長発光形けい光体としては、赤色系けい光体と
してＹ2 Ｏ3 ：Ｅｕ、青色系けい光体としてＢａＭｇ2
Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ、緑色系けい光体として（Ｒａ，Ｔ
ｂ，Ｃｅ）・（Ｐ，Ｓｉ）Ｏ4が多用されている。
プの３波長発光形けい光体としては、赤色系けい光体と
してＹ2 Ｏ3 ：Ｅｕ、青色系けい光体としてＢａＭｇ2
Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ、緑色系けい光体として（Ｒａ，Ｔ
ｂ，Ｃｅ）・（Ｐ，Ｓｉ）Ｏ4が多用されている。
【００１２】このようなけい光体について帯電傾向と黒
化の発生具合を調べてみた。帯電傾向は通常知られてい
るように、粒子径４４〜７４μｍの還元鉄粉との接触時
にけい光体１ｇ当りの帯電電荷量で示される。図２にお
いては、けい光体の帯電傾向と、点灯５００時間後にお
けるけい光体への水銀および水銀化合物の吸着量を示
す。この実験では、けい光体としては赤色けい光体Ｙ2
Ｏ3：Ｅｕを用い、けい光体粒子の表面に金属酸化物の
粉末を付着させる方法で帯電傾向を変化させた。
化の発生具合を調べてみた。帯電傾向は通常知られてい
るように、粒子径４４〜７４μｍの還元鉄粉との接触時
にけい光体１ｇ当りの帯電電荷量で示される。図２にお
いては、けい光体の帯電傾向と、点灯５００時間後にお
けるけい光体への水銀および水銀化合物の吸着量を示
す。この実験では、けい光体としては赤色けい光体Ｙ2
Ｏ3：Ｅｕを用い、けい光体粒子の表面に金属酸化物の
粉末を付着させる方法で帯電傾向を変化させた。
【００１３】上記図２の特性から、水銀および水銀化合
物のけい光体に対する吸着性は、けい光体の帯電傾向に
依存していることが判明した。そして、けい光体の帯電
傾向が０〜＋１μＣ／ｇの範囲で水銀および水銀化合物
のけい光体に対する吸着量が最小となり、これ以下およ
び以上のいづれに変化しても水銀および水銀化合物の吸
着量は増加する。
物のけい光体に対する吸着性は、けい光体の帯電傾向に
依存していることが判明した。そして、けい光体の帯電
傾向が０〜＋１μＣ／ｇの範囲で水銀および水銀化合物
のけい光体に対する吸着量が最小となり、これ以下およ
び以上のいづれに変化しても水銀および水銀化合物の吸
着量は増加する。
【００１４】なお、けい光体の帯電傾向は金属酸化物の
種類により正の方向に帯電したり、負の方向に帯電する
ことが判り、ＭｇＯはけい光体を正の方向に帯電させる
とともに、ＳｉＯ2 はけい光体を負の方向に帯電させる
傾向がある。
種類により正の方向に帯電したり、負の方向に帯電する
ことが判り、ＭｇＯはけい光体を正の方向に帯電させる
とともに、ＳｉＯ2 はけい光体を負の方向に帯電させる
傾向がある。
【００１５】そして、Ｍｇに代わって、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
ａ、Ｚｎの各酸化物の中から選ばれた１種の金属酸化物
を用いてもけい光体の帯電傾向を正の方向に変化させる
ことができる。
ａ、Ｚｎの各酸化物の中から選ばれた１種の金属酸化物
を用いてもけい光体の帯電傾向を正の方向に変化させる
ことができる。
【００１６】また、ＳｉＯ2 に代わって、Ｓｎ、Ｔｉ、
Ｇｅ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏの各酸化物の中から選ばれ
た少なくとも一種を用いてもけい光体の帯電傾向を負の
方向に変化させることができる。
Ｇｅ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏの各酸化物の中から選ばれ
た少なくとも一種を用いてもけい光体の帯電傾向を負の
方向に変化させることができる。
【００１７】さらに、これら酸化物は、けい光体に対し
て０．０１〜３．０重量％の範囲で付着させれば有効で
ある。つまり、けい光体における帯電傾向の制御は金属
酸化物の量が非常に重要な因子となっており、付着量が
３．０重量％より多くなると、各けい光体の発光出力が
著しく低下する。一方、付着量が０．０１重量％よりす
くなくなると、金属酸化物を付着させる効果、つまり帯
電傾向を変える作用が顕著でなくなる。
て０．０１〜３．０重量％の範囲で付着させれば有効で
ある。つまり、けい光体における帯電傾向の制御は金属
酸化物の量が非常に重要な因子となっており、付着量が
３．０重量％より多くなると、各けい光体の発光出力が
著しく低下する。一方、付着量が０．０１重量％よりす
くなくなると、金属酸化物を付着させる効果、つまり帯
電傾向を変える作用が顕著でなくなる。
【００１８】一方、図３は、各種の帯電傾向をもつけい
光体を２０Ｗ直管形ラピッドスタート形けい光ランプの
ＥＣ膜の上に塗布して３０００時間点灯後のＥＣ膜黒化
発生率を測定したものである。図３の特性Ａは、ＥＣ膜
の抵抗値が０．５０ＫΩ／cmの場合である。
光体を２０Ｗ直管形ラピッドスタート形けい光ランプの
ＥＣ膜の上に塗布して３０００時間点灯後のＥＣ膜黒化
発生率を測定したものである。図３の特性Ａは、ＥＣ膜
の抵抗値が０．５０ＫΩ／cmの場合である。
【００１９】図３の特性から、ＥＣ膜黒化発生率をはけ
い光体の帯電傾向に左右されることが判り、図２に示し
た水銀および水銀化合物のけい光体に対する吸着性と対
応していることが明らかになった。
い光体の帯電傾向に左右されることが判り、図２に示し
た水銀および水銀化合物のけい光体に対する吸着性と対
応していることが明らかになった。
【００２０】そして、けい光体の帯電電荷量が−１μＣ
／ｇ以下の領域では、帯電傾向の負の値が増す程ＥＣ膜
黒化の発生率が高くなる。また、けい光体の帯電電荷量
が＋２μＣ／ｇ以上の領域でもＥＣ膜黒化が発生してい
る。けい光体の帯電電荷量が−０．５〜＋１．５μＣ／
ｇの範囲では、点灯３０００時間後でもＥＣ膜黒化の発
生は皆無であった。そして、この場合周囲温度が０℃の
低温始動試験を行ったが、格別な始動電圧の上昇がな
く、始動特性に異常は認められなかった。
／ｇ以下の領域では、帯電傾向の負の値が増す程ＥＣ膜
黒化の発生率が高くなる。また、けい光体の帯電電荷量
が＋２μＣ／ｇ以上の領域でもＥＣ膜黒化が発生してい
る。けい光体の帯電電荷量が−０．５〜＋１．５μＣ／
ｇの範囲では、点灯３０００時間後でもＥＣ膜黒化の発
生は皆無であった。そして、この場合周囲温度が０℃の
低温始動試験を行ったが、格別な始動電圧の上昇がな
く、始動特性に異常は認められなかった。
【００２１】図３における特性Ｂは、ＥＣ膜の抵抗値を
１．０ＫΩ／cmとした場合のＥＣ膜黒化発生率を測定し
たものである。この場合はＥＣ膜の抵抗値が大きいので
けい光体被膜を挟んでＥＣ膜と水銀との電位差が小さ
く、けい光体被膜の絶縁破壊が少なくなるため、ＥＣ膜
の黒化発生はかなり改善されることが認められるが、始
動電圧が高くなり、０℃の低温始動の場合に確実な始動
が不可能となり、始動特性に異常が生じる。このため、
ＥＣ膜の抵抗値は０．９ＫΩ／cm以下で、０．１ＫΩ／
cm以上がよい。
１．０ＫΩ／cmとした場合のＥＣ膜黒化発生率を測定し
たものである。この場合はＥＣ膜の抵抗値が大きいので
けい光体被膜を挟んでＥＣ膜と水銀との電位差が小さ
く、けい光体被膜の絶縁破壊が少なくなるため、ＥＣ膜
の黒化発生はかなり改善されることが認められるが、始
動電圧が高くなり、０℃の低温始動の場合に確実な始動
が不可能となり、始動特性に異常が生じる。このため、
ＥＣ膜の抵抗値は０．９ＫΩ／cm以下で、０．１ＫΩ／
cm以上がよい。
【００２２】
【実施例】以下本発明について、図１に示す一実施例に
もとづき説明する。
もとづき説明する。
【００２３】図面は２０Ｗの直管形ラピッドスタート形
けい光ランプを示し、１はガラスバルブである。バルブ
１の両端はフレアステム２、２により気密に閉塞されて
おり、これらステム２、２にはそれぞれ一対のリード線
３…が気密に貫通されている。
けい光ランプを示し、１はガラスバルブである。バルブ
１の両端はフレアステム２、２により気密に閉塞されて
おり、これらステム２、２にはそれぞれ一対のリード線
３…が気密に貫通されている。
【００２４】両ステム２、２の各リード線３、３間には
タングステン等からなる熱陰極、すなわちフィラメント
４、４が掛け渡されている。なお、フィラメント４、４
には図示しないが酸化バリウムなどの電子放射物質が塗
布されている。
タングステン等からなる熱陰極、すなわちフィラメント
４、４が掛け渡されている。なお、フィラメント４、４
には図示しないが酸化バリウムなどの電子放射物質が塗
布されている。
【００２５】上記バルブ１の内面には、酸化錫などのよ
うな透明性導電膜（ＥＣ膜＝ネサ膜）５が形成されてお
り、この透明性導電膜５の表面にはけい光体被膜６が形
成されている。このけい光体被膜６は３波長発光形希土
類けい光体を用いており、赤色系けい光体にはＹ
2 Ｏ3 ：Ｅｕ（赤色）、青色系けい光体にはＢａＭｇ2
Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ、および緑色けい光体には（Ｒｅ，Ｔ
ｂ，Ｃｅ）・（Ｐ，Ｓｉ）Ｏ4 が用いられ、これら３種
のけい光体粉末を混合して構成されている。これらけい
光体は、図１の（Ｂ）図に示すように、けい光体粉末１
０の表面に金属酸化物粉末を付着させることにより帯電
傾向を変化させてある。
うな透明性導電膜（ＥＣ膜＝ネサ膜）５が形成されてお
り、この透明性導電膜５の表面にはけい光体被膜６が形
成されている。このけい光体被膜６は３波長発光形希土
類けい光体を用いており、赤色系けい光体にはＹ
2 Ｏ3 ：Ｅｕ（赤色）、青色系けい光体にはＢａＭｇ2
Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ、および緑色けい光体には（Ｒｅ，Ｔ
ｂ，Ｃｅ）・（Ｐ，Ｓｉ）Ｏ4 が用いられ、これら３種
のけい光体粉末を混合して構成されている。これらけい
光体は、図１の（Ｂ）図に示すように、けい光体粉末１
０の表面に金属酸化物粉末を付着させることにより帯電
傾向を変化させてある。
【００２６】つまり、これらけい光体は、金属酸化物の
種類および付着量を適宜に選択して、けい光体全体の帯
電電荷量が、−０．５〜＋１．５μＣ／ｇの範囲に制御
されている。また、ＥＣ膜５は電気抵抗値が０．１〜
０．９ＫΩ／cmに設定されている。そして、バルブ１内
には、所定量の水銀と、アルゴン等の希ガスが封入され
ている。このような構成のけい光ランプは、点灯３００
０時間を経過しても、けい光体の黄変および黒化の発生
は認められない。
種類および付着量を適宜に選択して、けい光体全体の帯
電電荷量が、−０．５〜＋１．５μＣ／ｇの範囲に制御
されている。また、ＥＣ膜５は電気抵抗値が０．１〜
０．９ＫΩ／cmに設定されている。そして、バルブ１内
には、所定量の水銀と、アルゴン等の希ガスが封入され
ている。このような構成のけい光ランプは、点灯３００
０時間を経過しても、けい光体の黄変および黒化の発生
は認められない。
【００２７】これは、けい光体の帯電電荷量を−０．５
〜＋１．５μＣ／ｇの範囲に規制したので、けい光体が
水銀原子や不純物との反応による水銀化合物の吸着性が
弱めれれ、これら水銀原子や水銀化合物がけい光体から
離れ易くなったために、けい光体の黄変やＥＣ膜の黒化
を防止するものと推測される。
〜＋１．５μＣ／ｇの範囲に規制したので、けい光体が
水銀原子や不純物との反応による水銀化合物の吸着性が
弱めれれ、これら水銀原子や水銀化合物がけい光体から
離れ易くなったために、けい光体の黄変やＥＣ膜の黒化
を防止するものと推測される。
【００２８】なお、始動電圧を下げるために、けい光体
にα−アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を混合させると、α−ア
ルミナは外部から格別な刺激を付与しなくても電子放射
性がよいので、始動電圧を引き下げることができる。な
お、本発明は３波長発光形けい光体を用いることに限ら
ず、従来のさらに、本発明は直管形けい光ランプに限ら
ず、環形、コンパクト屈曲形などのランプに適用可能で
ある。
にα−アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を混合させると、α−ア
ルミナは外部から格別な刺激を付与しなくても電子放射
性がよいので、始動電圧を引き下げることができる。な
お、本発明は３波長発光形けい光体を用いることに限ら
ず、従来のさらに、本発明は直管形けい光ランプに限ら
ず、環形、コンパクト屈曲形などのランプに適用可能で
ある。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、け
い光体の帯電傾向を制御することにより、けい光体と水
銀および水銀化合物の吸着性を規制することができ、け
い光体の黄変やＥＣ膜の黒化を防止することができる。
い光体の帯電傾向を制御することにより、けい光体と水
銀および水銀化合物の吸着性を規制することができ、け
い光体の黄変やＥＣ膜の黒化を防止することができる。
【図１】本発明の一実施例を示し、（Ａ）図はラピッド
スタ−ト形けい光ランプの断面図、（Ｂ）図はけい光体
粉末の表面にＭｇＯ粉末を付着した状態を示す模式図。
スタ−ト形けい光ランプの断面図、（Ｂ）図はけい光体
粉末の表面にＭｇＯ粉末を付着した状態を示す模式図。
【図２】けい光体の帯電傾向と水銀および水銀化合物の
吸着量との関係を示す図。
吸着量との関係を示す図。
【図３】けい光体の帯電傾向とＥＣ膜黒化発生率との関
係を示す図。
係を示す図。
１…バルブ、２…ステム、３…リード線、４…電極、５
…ＥＣ膜、６…けい光体被膜、１０…けい光体、２０…
金属酸化物粉末。
…ＥＣ膜、６…けい光体被膜、１０…けい光体、２０…
金属酸化物粉末。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長澤 公義 東京都港区三田一丁目４番28号 東芝ラ イテック株式会社内 (72)発明者 玉谷 正昭 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 寺島 賢二 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株式会社東芝横浜事業所内 (56)参考文献 特開 昭54−124578（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−161347（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−266188（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 61/42 H01J 61/35 H01J 61/54
Claims (3)
- 【請求項１】 バルブの内面に透明性導電膜およびけい
光体層を形成し、このバルブ内に水銀および希ガスを封
入したラピッドスタ−ト形けい光ランプにおいて、 前記けい光体層を構成するけい光体は、３波長発光形希
土類けい光体からなり、このけい光体にＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎの中から
選ばれた一種の金属酸化物の粒子を付着させて 粒子径４
４〜７４μｍの還元鉄粉との接触時にけい光体１ｇ当り
−０．５〜＋１．５マイクロク−ロンの電荷を帯電する
ことを特徴とするラピッドスタ−ト形けい光ランプ。 - 【請求項２】 上記けい光体は、金属酸化物の粒子を
０．０１〜３．０重量％の割合で付着させることによ
り、けい光体１ｇ当り−０．５〜＋１．５マイクロク−
ロンの電荷を帯電したことを特徴とする請求項１に記載
のラピッドスタ−ト形けい光ランプ。 - 【請求項３】 上記透明性導電膜は、電気抵抗値が０．
１〜０．９ＫΩ／cmであることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２に記載のラピッドスタ−ト形けい光ラン
プ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19146691A JP3343362B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ラピッドスタ−ト形けい光ランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19146691A JP3343362B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ラピッドスタ−ト形けい光ランプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536381A JPH0536381A (ja) | 1993-02-12 |
| JP3343362B2 true JP3343362B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=16275124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19146691A Expired - Lifetime JP3343362B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ラピッドスタ−ト形けい光ランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3343362B2 (ja) |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP19146691A patent/JP3343362B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0536381A (ja) | 1993-02-12 |
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