JP3339989B2 - Low dielectric loss material - Google Patents

Low dielectric loss material

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JP3339989B2
JP3339989B2 JP13355795A JP13355795A JP3339989B2 JP 3339989 B2 JP3339989 B2 JP 3339989B2 JP 13355795 A JP13355795 A JP 13355795A JP 13355795 A JP13355795 A JP 13355795A JP 3339989 B2 JP3339989 B2 JP 3339989B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、高周波で使用される回
路基板やマイクロ波用誘電体等として使用される低誘電
損失体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low dielectric loss material used as a circuit board used at a high frequency or a dielectric material for a microwave.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、例えば自動車電話、コードレステ
レホン、パーソナル無線、衛星放送受信機の実用化に伴
い、マイクロ波領域での回路素子として誘電体磁器が広
く使用されている。
2. Description of the Related Art In recent years, dielectric porcelain has been widely used as a circuit element in the microwave region with the practical use of, for example, automobile telephones, cordless telephones, personal radios, and satellite broadcast receivers.

【0003】このようなマイクロ波用誘電体磁器は主に
共振器に用いられるが、そこに要求される特性として、
小型化の要求に対して比誘電率が大きいこと、高周波で
の誘電損失(tanδ)が小さいこと、言い換えればQ
値が大きいことが主として挙げられる。しかし、より高
周波数域(周波数1GHz以上)で使用する場合、用い
られる電波の波長が短波長(ミリ波)であるため、加工
精度等の点からむしろ誘電率10〜20程度の低い誘電
率の材料が必要となることが知られている。
[0003] Such a microwave dielectric porcelain is mainly used for a resonator.
In order to meet the demand for miniaturization, the dielectric constant is large, and the dielectric loss (tan δ) at high frequencies is small, in other words, Q
The main reason is that the value is large. However, when used in a higher frequency range (frequency of 1 GHz or more), since the wavelength of the radio wave used is a short wavelength (millimeter wave), a dielectric constant of a low dielectric constant of about 10 to 20 is rather used in terms of processing accuracy and the like. It is known that a material is required.

【0004】そこで、このような低誘電率の誘電体磁器
のうち、高周波電子回路の導波体としてアルミナ磁器が
注目されている。
[0004] Among such dielectric ceramics having a low dielectric constant, alumina ceramics have attracted attention as waveguides for high-frequency electronic circuits.

【0005】しかしながら、従来のアルミナ磁器はAl
23の含有率99.9%以上の焼結体であり、誘電率
(ε)が約10の優れた特性を有するが、このようなA
23含有率の高いアルミナ磁器は1800℃以上で焼
成する必要があり、量産性に乏しいという問題点があっ
た(特公昭63−66795号、特公平2−1110号
公報等参照)。
However, the conventional alumina porcelain is Al
A sintered body containing 99.9% or more of the 2 O 3, a dielectric constant (epsilon) is has excellent properties of about 10, such A
Alumina porcelain having a high l 2 O 3 content had to be fired at 1800 ° C. or higher, and had a problem of poor mass productivity (see Japanese Patent Publication No. 63-66795 and Japanese Patent Publication No. 2-1110).

【0006】そこで、焼成温度を下げるために、アルミ
ナに種々の添加物を加えることが行われているが、焼成
温度を満足できる程度に低下させるためには添加量が多
くなり、誘電損失(tanδ)が高くなるという問題が
あった。
Therefore, various additives have been added to alumina in order to lower the firing temperature. However, in order to lower the firing temperature to a satisfactory level, the amount of addition is increased and the dielectric loss (tan δ) is increased. ) Increased.

【0007】一方、上述のアルミナ磁器においても、高
周波における誘電損失(tanδ)を低くすることが求
められているが、満足なものは得られていなかった。
On the other hand, the above-mentioned alumina porcelain is also required to reduce the dielectric loss (tan δ) at high frequencies, but has not been able to obtain a satisfactory one.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の問題
について検討を重ねた結果、Al 2 3 とY 2 3 を含有す
る焼結体であって、Al 2 3 結晶相の粒界にY 2 3 もし
くはAl 2 3 とY 2 3 の化合物が存在し、7〜9GHz
における誘電損失(tanδ)が1.0×10 -4 以下と
することで、焼成温度を1500〜1700℃として容
易に製造できる低誘電損失体を見出し、本発明に至っ
た。
The inventor of the present invention has studied the above problems and found that Al 2 O 3 and Y 2 O 3 are contained.
That a sintered body, the grain boundary of Al 2 O 3 crystalline phase Y 2 O 3 if
Ku is present compounds of Al 2 O 3 and Y 2 O 3, 7~9GHz
Has a dielectric loss (tan δ) of 1.0 × 10 −4 or less.
As a result, a low dielectric loss body that can be easily manufactured at a firing temperature of 1500 to 1700 ° C. has been found, and the present invention has been achieved.

【0009】即ち、本発明の低誘電損失体はAl23
15.0〜99.5重量%とし、230.5〜8
5.0重量%含有するアルミナ焼結体であり、特に、A
23結晶相の粒界中にY23もしくはAl23とY2
3の化合物、即ちY23・Al23、2Y23・Al2
3、3Y23・5Al23が存在することを特徴とす
る。
That is, the low dielectric loss material of the present invention contains Al 2 O 3
And 15.0 to 99.5 wt%, a Y 2 O 3 0.5 to 8
An alumina sintered body containing 5.0% by weight.
Y 2 O 3 or Al 2 O 3 and Y 2 O 3 are present in the grain boundary of the l 2 O 3 crystal phase.
O 3 compounds, ie, Y 2 O 3 .Al 2 O 3 , 2Y 2 O 3 .Al 2
O 3 and 3Y 2 O 3 .5Al 2 O 3 are present.

【0010】ここで、Y23を0.5重量%以上含有さ
せたのは、Y23を添加することによって、不可避不純
物、特にMgO等の周期律表2a族元素のアルミナへの
固溶を抑制し、格子欠陥の生成を防止し、誘電損失を低
下させるためであり、また1500〜1700℃にて焼
成可能とするためである。ただし、Y23の含有量が多
くなると比誘電率が高くなりすぎるため、Y23含有量
は90重量%以下とする。特に、Y23含有量を1〜8
0重量%の範囲とすれば比誘電率を20以下に抑制する
ことができ好適である。
Here, the reason why Y 2 O 3 is contained in an amount of 0.5% by weight or more is that, by adding Y 2 O 3 , unavoidable impurities, particularly elements of Group 2a of the periodic table such as MgO are added to alumina. This is for suppressing solid solution, preventing generation of lattice defects, reducing dielectric loss, and enabling firing at 1500 to 1700 ° C. However, when the content of Y 2 O 3 increases, the relative dielectric constant becomes too high, so the Y 2 O 3 content is set to 90% by weight or less. In particular, when the Y 2 O 3 content is 1 to 8
When the content is in the range of 0% by weight, the relative dielectric constant can be suppressed to 20 or less, which is preferable.

【0011】また、Al23結晶の粒界中にY23もし
くはY23とAl23の化合物、即ちY23・Al
23、2Y23・Al23、3Y23・5Al23を存
在させたのは、焼結体全体の誘電損失を低くするためで
ある。
Further, Al 2 O 3 compound of in the grain boundaries of crystal Y 2 O 3 or Y 2 O 3 and Al 2 O 3, i.e. Y 2 O 3 · Al
2 O 3, 2Y 2 O 3 · Al 2 O 3, 3Y 2 O 3 · 5Al 2 O 3 of the was present is to reduce the dielectric loss of the entire sintered body.

【0012】本発明のアルミナ質焼結体には、上記以外
の成分として、SiO2を1×10-6〜0.2重量%、
好適には1×10-6〜0.04重量%、Fe2O3を1
×10-6〜0.1重量%、好適には1×10-6〜0.0
3重量%、Na2Oを1×10-6〜0.2重量%、好適
には1×10-6〜0.08重量%の範囲で含有すること
が好ましい。これらの成分を上記範囲で含有することに
よって、誘電損失を低くすることができる。
The alumina-based sintered body of the present invention contains SiO 2 as a component other than those described above in an amount of 1 × 10 −6 to 0.2% by weight,
Preferably, 1 × 10 −6 to 0.04% by weight, and Fe 2 O 3
× 10 -6 to 0.1% by weight, preferably 1 × 10 -6 to 0.0
It is preferable to contain 3% by weight and Na 2 O in a range of 1 × 10 −6 to 0.2% by weight, preferably 1 × 10 −6 to 0.08% by weight. By including these components in the above range, dielectric loss can be reduced.

【0013】また、本発明のアルミナ質焼結体の平均結
晶粒子径は2〜80μmの範囲内とすることが好まし
い。
The average crystal grain size of the alumina sintered body of the present invention is preferably in the range of 2 to 80 μm.

【0014】本発明の低誘電損失体をなすアルミナ質焼
結体の製造方法は、まず純度99.8%以上、平均粒子
径2μm以下のAl23粉末に、純度99.8%以上、
平均粒子径0.5〜5μmのY23粉末を0.5重量%
以上添加し、これに例えばイソプロピルアルコール等の
有機溶媒を加え、ボールミル等で混合粉砕する。得られ
たスラリーを所定温度で加熱し乾燥した後、パラフィン
ワックス等のバインダーを添加し、加熱混合して混合粉
末を得る。
According to the method for producing an alumina-based sintered body constituting a low dielectric loss body of the present invention, first, an Al 2 O 3 powder having a purity of 99.8% or more and an average particle diameter of 2 μm or less, a purity of 99.8% or more,
0.5% by weight of Y 2 O 3 powder having an average particle size of 0.5 to 5 μm
Then, an organic solvent such as isopropyl alcohol is added, and the mixture is pulverized by a ball mill or the like. After heating and drying the obtained slurry at a predetermined temperature, a binder such as paraffin wax is added and mixed by heating to obtain a mixed powder.

【0015】得られた粉末を公知の成形方法、例えばプ
レス成形により成形し、これを例えば大気中において1
500〜1700℃の範囲内の焼成温度で0.5〜5時
間焼成し、アルミナ質焼結体を得ることができる。得ら
れたアルミナ質焼結体にはAl23結晶相あるいはAl
23結晶相とY23結晶相もしくは3Y23・5Al2
3結晶相が存在し、その粒界中にY23もしくはY2
3とAl23の化合物、即ちY23・Al23、2Y2
3・Al23、3Y23・5Al23が存在する。
The obtained powder is molded by a known molding method, for example, press molding.
By baking at a baking temperature in the range of 500 to 1700 ° C. for 0.5 to 5 hours, an alumina-based sintered body can be obtained. The obtained alumina sintered body has an Al 2 O 3 crystal phase or Al
2 O 3 crystal phase and Y 2 O 3 crystal phase or 3Y 2 O 3 .5Al 2
O 3 crystal phase exists, and Y 2 O 3 or Y 2 O
3 and Al 2 O 3 , that is, Y 2 O 3 .Al 2 O 3 , 2Y 2 O
There are 3 · Al 2 O 3 and 3Y 2 O 3 · 5Al 2 O 3 .

【0016】次に、イットリア・アルミニウム・ガーネ
ット(YAG)を主成分とする焼結体であって、その粒
界中にAl23、Y23、もしくはY23とAl23
化合物、即ちY23・Al23、2Y23・Al23
存在させ、7〜9GHzでの誘電損失(tanδ)が1
×10-4以下とした低誘電損失体を得られることを見出
した。
Next, a sintered body containing yttria aluminum garnet (YAG) as a main component, wherein Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , or Y 2 O 3 and Al 2 O 3 3 compounds, i.e. Y 2 O 3 · Al 2 O 3, 2Y 2 O 3 · Al 2 O 3 in the presence of a dielectric loss at 7~9GHz (tanδ) is 1
It has been found that a low dielectric loss material having a density of 10-4 or less can be obtained.

【0017】さらには、上記YAGを主成分とする焼結
体に透光性を持たせ、7〜9GHzでの誘電損失(ta
nδ)が1×10-4以下である低誘電損失体を得ること
ができる。
Further, the sintered body containing YAG as a main component has a light transmitting property, and a dielectric loss (ta) at 7 to 9 GHz is provided.
It is possible to obtain a low dielectric loss material having nδ) of 1 × 10 −4 or less.

【0018】このような焼結体は、Al2342.9%
とY2357.1%とした原料粉末を成形し、1750
〜1900℃の真空中または還元性雰囲気中で焼成する
ことにより透光性を有するYAG焼結体が得られる。透
光性を有するほどであるから、その表面や内部にボイド
は極めて少なく、格子欠陥が少ないために誘電損失の低
い焼結体とできるのである。
Such a sintered body is made of Al 2 O 3 42.9%
And Y 2 O 3 of 57.1% to form a raw material powder,
By firing in a vacuum or a reducing atmosphere at 11900 ° C., a transparent YAG sintered body can be obtained. Since it has such a light-transmitting property, voids are extremely small on the surface and inside thereof, and since there are few lattice defects, a sintered body having low dielectric loss can be obtained.

【0019】また、Y23とAl23からなるガーネッ
ト構造の焼結体は、ほとんどが立方晶のYAG結晶であ
り、わずかに存在する粒界成分は過剰のAl23、Y2
3またはこれらの化合物であるため、前述の不可避不
純物、特にMgO等の周期律表第2a族元素のアルミナ
への固溶を抑制し、格子欠陥の生成を防止して誘電損失
の低下を可能としているのである。
Most of the sintered body having a garnet structure composed of Y 2 O 3 and Al 2 O 3 is a cubic YAG crystal, and a slightly present grain boundary component contains excess Al 2 O 3 and Y 2 O 3 . Two
Since it is O 3 or a compound thereof, the above-mentioned unavoidable impurities, in particular, the solid solution of the Group 2a element of the periodic table such as MgO to solid solution in alumina can be suppressed, and the generation of lattice defects can be prevented to reduce the dielectric loss. That is.

【0020】さらに、本発明のYAG焼結体は、上述し
たアルミナ質焼結体の場合と同量のSiO2、Fe
23、Na2Oを含有することが好ましく、これらの成
分を含有することによって、誘電損失を低くすることが
できる。
Further, the YAG sintered body of the present invention has the same amount of SiO 2 , Fe
It is preferable to contain 2 O 3 and Na 2 O, and by including these components, the dielectric loss can be reduced.

【0021】以上のような本発明の低誘電損失体は、高
周波で使用される回路基板やマイクロ波用誘電体等とし
て使用することができる。
The low dielectric loss body of the present invention as described above can be used as a circuit board used at a high frequency or a microwave dielectric.

【0022】[0022]

【実施例】以下本発明の実施例を詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail.

【0023】実施例1 純度99.8%、平均粒子径0.5μmのAl23粉末
と、純度99.9%、平均粒子径1μmのY23粉末を
表1に示す割合で添加し、これをイソプロピルアルコー
ルからなる有機溶媒と、アルミナボール100gととも
にポリエチレン製ポットに入れ、48時間混合粉砕し
た。得られたスラリーを80℃で加熱し乾燥した後80
メッシュの篩いを通し、パラフィンワックスからなるバ
インダーを添加し、加熱混合した後40メッシュの篩い
を通して原料粉末を得た。
Example 1 An Al 2 O 3 powder having a purity of 99.8% and an average particle diameter of 0.5 μm and a Y 2 O 3 powder having a purity of 99.9% and an average particle diameter of 1 μm were added in the proportions shown in Table 1. This was put into a polyethylene pot together with an organic solvent composed of isopropyl alcohol and 100 g of alumina balls, and mixed and pulverized for 48 hours. After heating and drying the obtained slurry at 80 ° C.,
After passing through a mesh sieve, a binder made of paraffin wax was added and mixed by heating, and then a raw material powder was obtained through a 40 mesh sieve.

【0024】得られた粉末を圧力1000kg/cm2
で成形し、直径60mm、厚さ2mmに成形し、これを
表1に示す温度で焼成した。このようにして得られた焼
結体をアセトンにて10分間超音波洗浄した後、自然乾
燥させて試料とした。
The obtained powder was subjected to a pressure of 1000 kg / cm 2
, And formed into a diameter of 60 mm and a thickness of 2 mm, and fired at the temperature shown in Table 1. The sintered body thus obtained was subjected to ultrasonic cleaning with acetone for 10 minutes and then naturally dried to obtain a sample.

【0025】得られた試料を空洞共振器法により、ネッ
トワクアナライザー(HP−8757C)、シンセサイ
ズドスイーパー(HP−8757C)で測定周波数8〜
9GHzにおいて誘電率および誘電損失(tanδ)を
測定した。
The obtained sample was measured by a cavity resonator method using a network analyzer (HP-8775C) and a synthesized sweeper (HP-8775C) at a measurement frequency of 8 to 8.
The dielectric constant and the dielectric loss (tan δ) were measured at 9 GHz.

【0026】結果を表1に示すように、Y23含有量が
0.5重量%未満の場合(No.1,2)は誘電損失が
非常に高いことが判る。これに対し、0.5重量%以上
のY23を含有させた本発明の実施例(No.3〜9)
では、焼成温度が1550〜1700℃と低く、誘電率
が10〜22で、GHz帯における誘電損失も1.0×
10-4以下と低いことがわかる。
As shown in Table 1, when the Y 2 O 3 content is less than 0.5% by weight (Nos. 1 and 2), the dielectric loss is very high. Example of contrast, the present invention containing Y 2 O 3 more than 0.5 wt% (No.3~9)
Then, the firing temperature is as low as 1550-1700 ° C., the dielectric constant is 10-22, and the dielectric loss in the GHz band is 1.0 ×
It turns out that it is as low as 10 -4 or less.

【0027】また、本発明実施例の試料をX線回折によ
り確認し、熱リン酸でケミカルエッチングした後、波長
分散型マイクロアナライザーを用いて局所分析を行った
ところ、Al23結晶相が存在し、粒界中にY23もし
くはAl23とY23の化合物、即ちY23・Al
23、2Y23・Al23、3Y23・5Al23が存
在することを確認した。
Further, the samples of the present invention examples was confirmed by X-ray diffraction, after chemical etching with hot phosphoric acid, was subjected to local analysis using wavelength dispersive microanalyzer, Al 2 O 3 crystalline phase Y 2 O 3 or a compound of Al 2 O 3 and Y 2 O 3 in the grain boundary, ie, Y 2 O 3 .Al
2 O 3, 2Y 2 O 3 · Al 2 O 3, 3Y 2 O 3 · 5Al 2 O 3 was confirmed to be present.

【0028】[0028]

【表1】 [Table 1]

【0029】実施例2 純度99.8%、平均粒子径0.5μmのAl23粉末
を42.9重量%と純度99.9%、平均粒子径1μm
のY23粉末を57.1重量%を混合し、これにイソプ
ロピルアルコールからなる溶媒とアルミナボールを加え
てポリエチレン製ポットに入れ、48時間混合粉砕し
た。得られたスラリーを80℃に乾燥し、1000〜1
400℃で仮焼してYAGを生成した。この粉末をメッ
シュパス後、イソプロピルアルコールからなる溶媒とア
ルミナボールを加えてポリエチレン製ポットに入れ24
時間粉砕した。得られたスラリーを80℃で乾燥しメッ
シュパス後、バインダーを加えて圧力1000kg/c
2で成形し、表2のNo.10に示す温度で焼成して
試料を得た。
Example 2 42.9% by weight of Al 2 O 3 powder having a purity of 99.8% and an average particle diameter of 0.5 μm, a purity of 99.9%, and an average particle diameter of 1 μm
Of Y 2 O 3 powder were mixed 57.1% by weight, which put in a polyethylene pot by adding the solvent and alumina balls consisting of isopropyl alcohol, was mixed and ground for 48 hours. The obtained slurry is dried at 80 ° C.
Calcination at 400 ° C. yielded YAG. After this powder is passed through a mesh, a solvent composed of isopropyl alcohol and alumina balls are added, and the mixture is put into a polyethylene pot.
Crushed for hours. The obtained slurry was dried at 80 ° C. and passed through a mesh.
molded m 2, and the table 2 No. A sample was obtained by firing at the temperature shown in FIG.

【0030】この試料に対し、実施例1と同様にして誘
電率、誘電損失(tanδ)を測定した結果を表2に示
すように、7〜9GHzにおける誘電損失(tanδ)
が1.0×10-4以下であることがわかる。
The dielectric constant and dielectric loss (tan δ) of this sample were measured in the same manner as in Example 1. As shown in Table 2, the dielectric loss (tan δ) at 7 to 9 GHz was obtained.
Is 1.0 × 10 −4 or less.

【0031】また、この試料をX線回折により確認し、
実施例1と同様の局所分析を行ったところ、YAG結晶
相が存在し、粒界中にY23、Al23、Y23・Al
23、2Y23・Al23が存在することを確認した。
したがって、YAG結晶を主成分とし、その粒界中にY
23、Al23、もしくはY23とAl23の化合物が
存在することによって誘電損失を低くできることがわか
る。
This sample was confirmed by X-ray diffraction.
When the same local analysis as in Example 1 was performed, a YAG crystal phase was present, and Y 2 O 3 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 .Al
It was confirmed that 2 O 3 and 2Y 2 O 3 .Al 2 O 3 were present.
Therefore, YAG crystal is the main component, and Y
It can be seen that the presence of 2 O 3 , Al 2 O 3 , or a compound of Y 2 O 3 and Al 2 O 3 can reduce the dielectric loss.

【0032】[0032]

【表2】 [Table 2]

【0033】実施例3 それぞれ純度99.8%、BET比表面積5m2/g、
平均粒子径1.0μmのAl23粉末を42.9重量%
とY23粉末を57.1重量%を混合し、これにイソプ
ロピルアルコールからなる溶媒とアルミナボールを加え
てポリエチレン製ポットに入れ、回転ミルで24時間混
合粉砕した。得られたスラリーを乾燥しメッシュパスし
た後、1000〜1400℃で仮焼し、その後再びイソ
プロピルアルコールを加えて回転ミルで24時間粉砕し
た。得られたスラリーを乾燥しメッシュパス後、バイン
ダーを加えて金型プレス及び冷間静水圧プレスを用い、
生密度2.5g/cm3以上の25.4×25.4×2
mmの成形体を作り、真空炉にて1750〜1900℃
で真空焼成し、上記表2中のNo.11〜13の試料を
得た。
Example 3 Purity 99.8%, BET specific surface area 5 m 2 / g,
42.9% by weight of Al 2 O 3 powder having an average particle diameter of 1.0 μm
And Y 2 O 3 powder were mixed in an amount of 57.1% by weight, and a solvent composed of isopropyl alcohol and alumina balls were added thereto. The mixture was placed in a polyethylene pot, and mixed and ground by a rotary mill for 24 hours. After the obtained slurry was dried and passed through a mesh, it was calcined at 1000 to 1400 ° C., and then isopropyl alcohol was added again and pulverized by a rotary mill for 24 hours. After drying the obtained slurry and passing the mesh, using a mold press and a cold isostatic press by adding a binder,
25.4 × 25.4 × 2 with a green density of 2.5 g / cm 3 or more
mm molded body, 1750-1900 ℃ in vacuum furnace
And baked in a vacuum. Samples 11 to 13 were obtained.

【0034】これらの試料のうち、No.13は焼成温
度が高すぎて溶融してしまった。残りのNo.11,1
2の試料を実施例1と同様の方法で誘電率、誘電損失を
測定したところ、いずれも誘電損失が0.5×10-4
下と極めて低くすることができた。
Of these samples, No. In No. 13, the firing temperature was too high and was melted. The remaining No. 11,1
When the dielectric constant and the dielectric loss of the sample No. 2 were measured in the same manner as in Example 1, the dielectric loss was extremely low at 0.5 × 10 −4 or less in each case.

【0035】また、この試料を実施例1と同様にして局
所分析したところ、YAG結晶相が存在し、粒界中にY
23、Al23、Y23・Al23、2Y23・Al2
3が存在することを確認した。
When this sample was locally analyzed in the same manner as in Example 1, it was found that a YAG crystal phase was present and Y
2 O 3 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 .Al 2 O 3 , 2Y 2 O 3 .Al 2
It was confirmed that O 3 was present.

【0036】さらに、これらの焼結体は透光性を有して
おり、光透過性を求められるような用途に使用すること
ができる。
Furthermore, these sintered bodies have a light-transmitting property, and can be used for applications requiring light-transmitting properties.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、15.0
〜99.5重量%のAl23 と0.5〜85.0重量%
のY23を含有する焼結体であって、Al23結晶相の
粒界にY23もしくはAl23とY23の化合物が存在
し、7〜9GHzにおける誘電損失(tanδ)が1.
0×10-4以下の低誘電損失体であるために低温で容易
に焼成することができるとともに高周波で使用される回
路基板やマイクロ波用誘電体等として好適に用いること
ができる。
As described above, according to the present invention, 15.0 is obtained.
9999.5% by weight of Al 2 O 3 and 0.5-85.0% by weight
A sintered body containing a Y 2 O 3, Al 2 O 3 compound of the grain boundary of the crystalline phase Y 2 O 3 or Al 2 O 3 and Y 2 O 3 is present, the dielectric in 7~9GHz The loss (tan δ) is 1.
Easy at low temperature due to low dielectric loss of 0 × 10 -4 or less
Times that can be fired and used at high frequencies
Suitable for use as circuit boards and microwave dielectrics
Can be.

【0038】また本発明によれば、イットリア・アルミ
ニウム・ガーネット(YAG)を主成分とする焼結体で
あって、該YAG結晶相の粒界中にAl23、Y23
もしくはAl23とY23の化合物が存在し、7〜9G
Hzにおける誘電損失(tanδ)が1.0×10-4
下の低誘電損失体であるために高周波で使用される回路
基板やマイクロ波用誘電体等として好適に用いることが
できる。
Further, according to the present invention, there is provided a sintered body containing yttria aluminum garnet (YAG) as a main component, wherein Al 2 O 3 , Y 2 O 3 ,
Alternatively, a compound of Al 2 O 3 and Y 2 O 3 exists,
Circuit used at high frequency because it is a low dielectric loss material having a dielectric loss (tan δ) of 1.0 × 10 −4 or less at Hz.
Suitable for use as a substrate, dielectric for microwave, etc.
it can.

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C04B 35/117,35/505 H01B 3/12 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) C04B 35 / 117,35 / 505 H01B 3/12

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】15.0〜99.5重量%のAl23
0.5〜85.0重量%のY23を含有する焼結体であ
って、Al23結晶相の粒界にY23もしくはAl23
とY23の化合物が存在し、7〜9GHzにおける誘電
損失(tanδ)が1.0×10-4以下であることを特
徴とする低誘電損失体。
And 1. A 15.0 to 99.5% by weight of Al 2 O 3
A sintered body containing 0.5 to 85.0% by weight of Y 2 O 3 , wherein Y 2 O 3 or Al 2 O 3 is formed at a grain boundary of an Al 2 O 3 crystal phase.
And a compound of Y 2 O 3 and having a dielectric loss (tan δ) of 1.0 × 10 −4 or less at 7 to 9 GHz.
【請求項2】イットリア・アルミニウム・ガーネット
(YAG)を主成分とする焼結体であって、YAG結晶
相の粒界にAl23、Y23、もしくはAl23とY2
3の化合物が存在し、7〜9GHzにおける誘電損失
(tanδ)が1.0×10-4以下であることを特徴と
する低誘電損失体。
2. A sintered body containing yttria aluminum garnet (YAG) as a main component, wherein Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , or Al 2 O 3 and Y 2
A low dielectric loss body comprising a compound of O 3 and having a dielectric loss (tan δ) at 7 to 9 GHz of 1.0 × 10 −4 or less.
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