JP3332188B2

JP3332188B2 - マルチチャネル光信号発生器

Info

Publication number: JP3332188B2
Application number: JP31029294A
Authority: JP
Inventors: 祥雅片桐; 哲郎三日月; 圭一郎伊藤; 祐司上西; 新二長岡; 昭憲渡部
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1994-12-14
Filing date: 1994-12-14
Publication date: 2002-10-07
Anticipated expiration: 2017-10-07
Also published as: JPH08167755A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光通信等において、波
長が同一でかつ位相が同期した光信号を多数のチャネル
に分配送信するマルチチャネル光信号発生器に関する。

【０００２】

【従来の技術】マルチチャネル光信号発生器としては、
従来存在する部品を組み合わせた場合、図５に示すよう
に単一の高出力半導体レーザ１と、１×Ｎスターカプラ
２を光学的に接続する構成や、図６に示すように各半導
体レーザ制御装置５によって個別駆動可能な複数の半導
体レーザ７と、出力側光ファイバ４を光学的に接続する
構成が考えられる。

【０００３】図５に示される前者のマルチチャネル光信
号発生器においては、一組の信号発生器６と半導体レー
ザ制御装置５を組み合わせ、半導体レーザ制御装置５に
よって、数ＧＨｚで直接変調可能な数百ｍＷの高出力半
導体レーザ１を制御し、高出力半導体レーザ１から出射
された光出力（光信号）８をスターカプラ２の単一の入
力側光ファイバ３に送り込むとともに、スターカプラ２
の複数（Ｎ、ここではＮ＝４）の出力側光ファイバ４か
ら出力して多数のチャネルに分配する。直接変調に必要
な立上り数百psec, ピーク電流数百ｍＡ（ＤＣ換算）の
電流パルスは、高速の電圧パルスを受けて電流パルスに
変換する集積回路（ＩＣ）により供給される。分配され
た光出力（光信号８）は、高出力半導体レーザ１とスタ
ーカプラ２の結合効率，スターカプラの過剰損失と分岐
損失等で決定される。

【０００４】また、図６に示される後者のマルチチャネ
ル光信号発生器においては、信号発生器６からの電気的
信号を多数のチャネルに分割し、それら分割された信号
により各半導体レーザ７を個別の半導体レーザ制御装置
５で駆動し、各半導体レーザ７から各半導体レーザ７に
光学的に接続された出力側光ファイバ４に光信号８を送
り込む。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】高出力半導体レーザと
スターカプラ（多分岐型分岐結合器）を用いる前者の構
造では、分割前の信号光のピーク強度が非常に大きいの
で、吸収等によりスターカプラが破壊される恐れがあ
る。また、半導体レーザとスターカプラ間にゴミ等が付
着すると信号光によって酸化付着あるいは融着し、結合
効率を著しく劣化させる恐れがある。

【０００６】半導体レーザを複数並列する後者の構造で
は、半導体レーザ毎に駆動回路を必要とするため、小型
化，コスト低減化に限界がある。また、半導体レーザに
電流が注入されてから発振が開始されるまでの時間は、
素子や駆動条件により異なるため、光信号の等時性が重
要な場合には各チャネル毎に信号遅延の調整を行わなけ
ればならない。たとえば、図７はＣＳＰレーザによるレ
ーザ出力の実験的波形〔出典：IEEE JOURNAL OF QUANTU
M ELECTRONICS,VOL.QE-14,NO.8,AUGUST 1978、P625〕を
示すものである。この場合、ＣＳＰレーザは、Type-II
であり、Ｗ＝６μｍ、Ｊth＝１．８３kA/cm 2 である。
同波形図の（ａ）〜（ｄ）からわかるように、順方向電
流（１２ｍＡ，１４ｍＡ，１６ｍＡ，１９ｍＡ）が小さ
いほど信号遅延が大きいことが分かる。

【０００７】本発明の目的は、波長が同一でかつ位相が
同期した光信号を発振するマルチチャネル光信号発生器
を提供する。

【０００８】本発明の他の目的は、高出力光信号に起因
する破損が起きない信頼性の高いマルチチャネル光信号
発生器を提供することにある。

【０００９】本発明の他の目的は、小型でかつ製造コス
トの低減が可能なマルチチャネル光信号発生器を提供す
ることにある。

【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
にする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明のマルチチャネル
光信号発生器は、一方に複数の入出力端を有しかつ他方
に１つの入出力端を有する多分岐型分岐結合器（スター
カプラ）と、前記多分岐型分岐結合器の一方の各入出力
端に一方の光出力端面を介して光学的に接続される複数
の同一構造のファブリーペロー形の半導体レーザと、前
記多分岐型分岐結合器の他方の入出力端に光学的に対面
して配置される鏡（外部ミラー）とを有し、かつ前記半
導体レーザの一つは変調電流パルスが入れられて変調駆
動されるとともに、残りの半導体レーザは電流源によっ
て直流電流で発振しきい値以下にバイアスされる構成に
なっている。また、前記半導体レーザの多分岐型分岐結
合器に光学的に接続される面側の光出力端面の反射率は
反対側の光出力端面の反射率よりも低くなり、各半導体
レーザの反射率の高い光出力端面と前記鏡とによって複
合共振器レーザが構成されている。

【００１２】本発明の他のマルチチャネル光信号発生器
は、一方に複数の入出力端を有しかつ他方に１つの入出
力端を有する多分岐型分岐結合器（スターカプラ）と、
前記多分岐型分岐結合器の一方の入出力端の一つに光ア
イソレータを介して光学的に接続される駆動半導体レー
ザと、前記多分岐型分岐結合器の一方の残りの各入出力
端に一方の光出力端面を介して光学的に接続される複数
の同一構造のファブリーペロー形の半導体レーザと、前
記多分岐型分岐結合器の他方の入出力端に光学的に対面
して配置される鏡（外部ミラー）とを有し、かつ前記半
導体レーザは直流電流でバイアスされるとともに、前記
駆動半導体レーザは変調駆動される構成になっている。
すなわち、駆動半導体レーザは変調電流パルスが入れら
れて変調駆動されるとともに、残りの半導体レーザは電
流源によって直流電流で発振しきい値以下にバイアスさ
れる。また、前記半導体レーザの多分岐型分岐結合器に
光学的に接続される面側の光出力端面の反射率は反対側
の光出力端面の反射率よりも低くなり、各半導体レーザ
の反射率の高い光出力端面と前記鏡とによって複合共振
器レーザが構成されている。

【００１３】

【作用】上記した手段によれば、本発明のマルチチャネ
ル光信号発生器は、単一の半導体レーザを変調させるこ
とによって、各半導体レーザと外部ミラーで形成される
外部複合共振器を利用してレーザ発振させるので、各々
の半導体レーザから波長が同一でかつ位相が同期した光
信号を同時に発振させることができる。すなわち、一つ
の変調された半導体レーザの光信号がスターカプラを通
して他のしきい値以下にバイアスされた半導体レーザを
励起してレーザ発振させる。

【００１４】また、本発明のマルチチャネル光信号発生
器は、半導体レーザは数百ｍＷと言うような高出力の光
信号を発振せず、光信号が２０ｍＷにもならない低出力
の半導体レーザであることから、強大な信号光によるス
ターカプラの熱的破損が起きなくなるとともに、半導体
レーザとスターカプラ間のゴミ付着に起因する酸化付着
や融着が起きなくなり、結合効率の低下が防止でき信頼
性が高くなる。

【００１５】また、本発明のマルチチャネル光信号発生
器は、スターカプラに接続した複数の半導体レーザの一
つを変調用の半導体レーザ（駆動半導体レーザ）として
使用しているため、変調用に大出力のパルス駆動源や複
数の駆動源を用意しなくとも良くなる。

【００１６】本発明の他のマルチチャネル光信号発生
器、すなわち、スターカプラに光アイソレータを介して
駆動半導体レーザを接合した構造のマルチチャネル光信
号発生器は、駆動半導体レーザから発振された光信号を
複合共振器レーザに送り込むことから、複合共振器レー
ザを構成する各半導体レーザから波長が同一でかつ位相
が同期した光信号を同時に発振させることができる。す
なわち、変調された駆動半導体レーザの光信号がスター
カプラを通して他のしきい値以下にバイアスされた半導
体レーザを励起してレーザ発振させる。

【００１７】また、本発明の他のマルチチャネル光信号
発生器は、半導体レーザは数百ｍＷと言うような高出力
の光信号を発振せず、光信号が２０ｍＷにもならない低
出力の半導体レーザであることから、強大な信号光によ
るスターカプラの熱的破損が起きなくなるとともに、半
導体レーザとスターカプラ間のゴミ付着に起因する酸化
付着や融着が起きなくなり、結合効率の低下が防止でき
信頼性が高くなる。

【００１８】本発明の他のマルチチャネル光信号発生
器、すなわち、駆動半導体レーザ（マスタ半導体レー
ザ）の光出力を光アイソレータを介してスターカプラに
送り込む構造では、各半導体レーザからの光が駆動半導
体レーザに戻らないことから、正確な変調が行える。

【００１９】また、本発明の他のマルチチャネル光信号
発生器、すなわち、駆動半導体レーザ（マスタ半導体レ
ーザ）の光出力を光アイソレータを介してスターカプラ
に送り込む構造では、光の発振を光（レーザ光）のスタ
ーカプラへの送り込みによって行うため、マスタ半導体
レーザにおける電気回路の実装が不要となる。

【００２０】以下、本発明について、図面を参照して実
施例を詳細に説明する。なお、実施例を説明するための
全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。

【００２１】

【実施例】

（実施例１）図１は本発明による実施例１のマルチチャ
ネル光信号発生器の概略構成を示すブロック図、図２は
本実施例１のマルチチャネル光信号発生器における光信
号の発生検証を行う光信号発生検証装置の概略構成を示
す模式図、図３は光信号発生検証例によるスペクトラム
を示す波形図である。

【００２２】本実施例１のマルチチャネル光信号発生器
は、図１に示すように、入出力端が１×Ｎ（Ｎ＝４）と
なる多分岐型分岐結合器（スターカプラ）２と、Ｎ個
（４個）のファブリーペロー形の同一構造の半導体レー
ザ１０および鏡（外部ミラー）１１を有する。すなわ
ち、スターカプラ２の一方、すなわち、Ｎポート側に
は、ファブリーペロー形の半導体レーザ１０がＮ個並列
に配設され、これら半導体レーザ１０の一方の光出力端
面と、スターカプラ２の一方のＮ個の入出力端は、それ
ぞれ光ファイバ１２を介して光学的に接続されている。
また、前記各半導体レーザ１０の他方の光出力端面に
は、出力側光ファイバ４がそれぞれ光学的に接続されて
いる。この出力側光ファイバ４には、光信号（光出力）
８が半導体レーザ１０から送り出される。

【００２３】半導体レーザ１０は、たとえば、ＧａＡｓ
系ＤＨレーザで、発振波長帯は０．８μｍである。

【００２４】一方、前記スターカプラ２の他方の１本の
入出力端には、光ファイバ１３が光学的に接続されると
ともに、この光ファイバ１３の先端には鏡（外部ミラ
ー）１１が対面するように配設されている。

【００２５】各半導体レーザ１０の出力側光ファイバ４
に対面する他方の光出力端面Ａと、前記外部ミラー１１
の表面Ｂは、共振器端となり、複合共振器レーザが形成
される。すなわち、前記半導体レーザ１０のスターカプ
ラ２に光学的に接続される面側の光出力端面の反射率は
反対側の光出力端面Ａの反射率よりも低くなり、各半導
体レーザ１０の反射率の高い光出力端面と前記外部ミラ
ー１１とによって複合共振器レーザが構成されている。

【００２６】前記複合共振器レーザの形成のため、スタ
ーカプラ２に光学的に接続される半導体レーザ１０の一
方の光出力端面は、反射率が著しく低くなるような反射
防止膜１４が設けられている。反射防止膜１４は、たと
えば、ＳｉＯＮ膜によって形成され、反射率は０．０１
％以下となっている。また、半導体レーザ１０の出力側
光ファイバ４に対面する他方の光出力端面Ａは、レーザ
共振器のミラーを形成するために反射率は数十％と高く
形成されている。光出力端面Ａは、反射率が３２％とな
る劈開面で形成されている。また、前記光ファイバ１３
から半導体レーザ１０への帰還効率を大きくするため、
光ファイバ１３は５０μｍＲのマルチモード（５０Ｇ
Ｉ）先球ファイバとなっている。

【００２７】本構成ではスターカプラ２の存在によっ
て、各半導体レーザ１０の一方の光出力端面から出たレ
ーザ光は、スターカプラ２内で混合され、外部ミラー１
１の表面Ｂで反射して各半導体レーザ１０に帰還し、半
導体レーザ１０の他方の光出力端面と外部ミラー１１と
で一つの複合共振器レーザが形成されることになる。

【００２８】各半導体レーザ１０は、図示しない電流源
によって発振しきい値以下にＤＣバイアスされるととも
に、複数の半導体レーザ１０のうちの一つは駆動半導体
レーザ１５として変調用に使用される。駆動半導体レー
ザ１５は半導体レーザ制御装置５によって駆動制御さ
れ，変調電流パルスが入れられて変調駆動される。半導
体レーザ制御装置５における駆動制御は信号発生器６に
基づくようになっている。

【００２９】直流電流によるバイアスによって各半導体
レーザ１０は、自然放出光スペクトルを発光する状態と
なる。

【００３０】ファブリーペロー形の半導体レーザは、共
振器端の両端からレーザ光を出射することから、駆動半
導体レーザ１５もその両端からレーザ光を出射するよう
になる。このため、駆動半導体レーザ１５の変調時、駆
動半導体レーザ１５のスターカプラ２側の光出力端面か
ら出射されたレーザ光はスターカプラ２内に入る。スタ
ーカプラ２内では、駆動半導体レーザ１５から出射され
たレーザ光は他の半導体レーザ１０から出射されたレー
ザ光と一体となり、複合共振器レーザから新たな波長と
なって発振が行われるようになる。すなわち、各半導体
レーザ１０が完全に同期すれば、複合共振器全体で単一
モード発振が起き、単一モード発振となる。すなわち、
各半導体レーザ１０は、波長が同一でかつ位相が同期し
た光信号を発信するようになる。

【００３１】また、駆動半導体レーザ１５は他の半導体
レーザ１０と同様に他方の光出力端面Ａから光信号８を
出射して駆動半導体レーザ１５に光学的に接続された出
力側光ファイバ４に光信号８を送り込む構成となってい
る。

【００３２】本実施例１によるマルチチャネル光信号発
生器においては、前記駆動半導体レーザ１５を除く半導
体レーザ１０に対して、発振しないように発振しきい値
以下で直流電流をバイアスするとともに、前記駆動半導
体レーザ１５を変調（ＯＮ，ＯＦＦ）する。これによ
り、複合共振器レーザでの発振が起き、駆動半導体レー
ザ１５をも含む全ての半導体レーザ１０の他方の光出力
端面Ａから光出力８が出射され、各半導体レーザ１０に
対応して光学的に接続された出力側光ファイバ４に送り
込まれる。

【００３３】したがって、本実施例１のマルチチャネル
光信号発生器からは、一部を共通とする複合共振器レー
ザからレーザ光としての光信号８が発振されるため、複
数のチャネルに波長が同一でかつ位相が同期した光信号
（等時性光信号）を送ることができる。

【００３４】図２は本実施例１のマルチチャネル光信号
発生器が変調によって確実に光信号８を発生することを
検証する光信号発生検証装置の概要を示す模式図であ
る。

【００３５】光信号発生検証装置では、１×Ｎスターカ
プラ２（Ｎ＝４）のＮポート側に２つの半導体レーザ１
０を光ファイバ１２（５０μｍＲのマルチモード先球フ
ァイバ）を介して光学的に接続するとともに、残りの２
つのポートには、光ファイバ１２を介してそれぞれ光ス
ペクトラム・アナライザ２０または光パワーメータ２１
が接続される。

【００３６】また、一方の半導体レーザ１０は駆動半導
体レーザ（ＬＤ＃１）１５として使用し、残りの半導体
レーザ（ＬＤ＃２）１０は光通信用に使用される。半導
体レーザ（ＬＤ＃２）１０に光学的に接続される出力側
光ファイバ４は、前記光スペクトラム・アナライザ２０
に接続される。

【００３７】この光信号発生検証装置において、前記半
導体レーザ（ＬＤ＃２）１０に発振しきい値以下の直流
電流をバイアス（Ｉ2 ＝１１０ｍＡ）するとともに、駆
動半導体レーザ（ＬＤ＃１）１５をＯＮ／ＯＦＦ変調す
る。この結果、駆動半導体レーザ（ＬＤ＃１）１５のＯ
Ｎ／ＯＦＦ変調時、図３（ａ），（ｂ）で示すような波
形図が得られた。この波形図は、前記光スペクトラム・
アナライザ２０によるものである。

【００３８】駆動半導体レーザ（ＬＤ＃１）１５がＯＦ
Ｆのとき、光スペクトラム・アナライザ２０に現れる波
形図（自然放出光スペクトル）は、図３の（ａ）のよう
になり、スペクトラムは０．８０８００μｍとなり、そ
の光出力は７．２３７ｍＷとなる。これに対して、駆動
半導体レーザ（ＬＤ＃１）１５をＯＮすると、光スペク
トラム・アナライザ２０に現れる波形図は、図３の
（Ｂ）のようにレーザ発振スペクトルとなり、スペクト
ラムは０．８１２８００μｍとなり、その光出力は１
５．３２ｍＷとなる。このことから、駆動半導体レーザ
１５のスイッチングによる光信号と同じ信号が他の半導
体レーザ１０からも発生することが検証できる。並列す
る半導体レーザの数をさらに増大させても、各半導体レ
ーザから波長が同一でかつ位相が同期した光信号を同時
に発振させることができる。

【００３９】また、本実施例１のマルチチャネル光信号
発生器は、スターカプラの一方（Ｎポート側）に接続し
た複数の半導体レーザの一つを駆動半導体レーザとした
構造となっていることから、変調用に大出力のパルス駆
動源や複数の駆動源を用意しなくとも良くなる。

【００４０】本実施例１のマルチチャネル光信号発生器
は、高出力半導体レーザを使用しないことから、破損し
難い信頼性の高いマルチチャネル光信号発生器となる。
すなわち、高出力半導体レーザを使用しないため、強大
な信号光によるスターカプラの破損防止がなくなる。ま
た、強大な信号光による半導体レーザとスターカプラ間
のゴミ付着に起因する酸化付着や融着が起きず、結合効
率の低下がなく、信頼性が高くなる。

【００４１】本実施例１のマルチチャネル光信号発生器
は、複数の半導体レーザを使用するが、単一の半導体レ
ーザ（駆動半導体レーザ）を半導体レーザ制御装置で制
御するだけであり、全ての半導体レーザを個別に駆動製
造するマルチチャネル光信号発生器に比較して部品点数
の低減から装置の小型化が図れる。

【００４２】本実施例１のマルチチャネル光信号発生器
は、複数の半導体レーザを使用するが、単一の半導体レ
ーザ（駆動半導体レーザ）を半導体レーザ制御装置で制
御するだけであり、全ての半導体レーザを個別に駆動製
造するマルチチャネル光信号発生器に比較して部品点数
の低減から装置の製造コストの低減が図れる。

【００４３】（実施例２）図４は本発明による実施例２
のマルチチャネル光信号発生器の概略構成を示すブロッ
ク図である。

【００４４】本実施例２のマルチチャネル光信号発生器
は、外部から単独で直接変調した駆動半導体レーザ（マ
スタ半導体レーザ）の光信号を複合共振器レーザ内に入
力して、並列した半導体レーザの光出力制御を行うよう
にしたものである。すなわち、本実施例２のマルチチャ
ネル光信号発生器は、１×Ｎ（Ｎ＝５）スターカプラ２
と、前記スターカプラ２の一方（Ｎポート側）の入出力
端の一つに光アイソレータ２５を介して光学的に接続さ
れるとともに直接変調されて前記スターカプラ２に光出
力を送り込む駆動半導体レーザ（マスタ半導体レーザ）
１５と、前記スターカプラ２の一方（Ｎポート側）の残
りの入出力端に一方の光出力端面を光学的に接続する複
数の半導体レーザ１０と、前記スターカプラ２の他方
（１ポート側）の入出力端に光学的に対面する外部ミラ
ー（鏡）１１と、前記各々の半導体レーザ１０の他方の
光出力端面Ａに光学的に接続される図示しない光ファイ
バ（光信号出力ポート）とを有し、前記半導体レーザ１
０は直流電流で発振しきい値以下にバイアスされる構造
となっている。

【００４５】本実施例２の場合は、外部から単独で直接
変調した駆動半導体レーザ（マスタ半導体レーザ）１５
の光信号を複合共振器レーザ内に入力して、並列した半
導体レーザ１０の光出力制御を行うようにしたものであ
る。本実施例２は前記実施例１と同様に半導体レーザ１
０のスターカプラ２に光学的に接続される面側の光出力
端面の反射率は反対側の光出力端面Ａの反射率よりも低
く形成されている。

【００４６】本実施例２のマルチチャネル光信号発生器
は、前記光アイソレータ２５により、駆動半導体レーザ
（マスタ半導体レーザ）１５への複合共振器レーザから
の光の戻りを抑止できるため、正確な変調が可能とな
る。

【００４７】本実施例２のマルチチャネル光信号発生器
は、前記実施例１のマルチチャネル光信号発生器が有す
る効果に加えて、光で複合共振器レーザを駆動するた
め、駆動半導体レーザにおける駆動制御のための電気回
路の実装が不要となる効果を奏する。

【００４８】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。

【００４９】たとえば、前記実施例においては、外部ミ
ラーとスターカプラ間，スターカプラと半導体レーザ間
を光ファイバで光学的に接続したが、光ファイバを使用
しないで、空間結合としても前記実施例同様な効果が得
られる。

【００５０】また、本発明を利用すれば、小型で低価格
となる信号遅延がない発振波長が同一の多チャンネル光
送信器や光ブースタ等を提供することができる。

【００５１】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００５２】（１）本発明のマルチチャネル光信号発生
技術によれば、一つの半導体レーザを変調させることに
よって、残りの複数の半導体レーザと外部ミラーで形成
される外部複合共振器を利用してレーザ発振させること
ができるので、各々の半導体レーザから波長が同一でか
つ位相が同期した光信号を同時に発振させることができ
る。

【００５３】（２）本発明のマルチチャネル光信号発生
器は、高出力半導体レーザを使用しないので、強大な信
号光に起因するスターカプラの破損や半導体レーザとス
ターカプラ間のゴミ付着に起因する酸化付着や融着を防
止することができ、信頼性が高くなる。

【００５４】（３）本発明のマルチチャネル光信号発生
器は、複数の半導体レーザを使用するが、変調は単一の
半導体レーザのみで良く、多数の半導体レーザ制御装置
を必要としないことから、部品点数の低減から装置の小
型化や製造コストの低減が達成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による実施例１のマルチチャネル光信号
発生器の概略構成を示すブロック図である。

【図２】本実施例１のマルチチャネル光信号発生器にお
ける光信号の発生検証を行う光信号発生検証装置の概要
を示す模式図である。

【図３】本実施例１のマルチチャネル光信号発生器にお
ける光信号発生検証例によるスペクトラムを示す波形図
である。

【図４】本発明による実施例２のマルチチャネル光信号
発生器の概略構成を示すブロック図である。

【図５】従来のマルチチャネル光信号発生器の一例を示
すブロック図である。

【図６】従来のマルチチャネル光信号発生器の他の例を
示すブロック図である。

【図７】ＣＳＰレーザによるレーザ出力の実験的波形を
示す波形図である。

【符号の説明】

１…高出力半導体レーザ、２…多分岐型分岐結合器（ス
ターカプラ）、３…入力側光ファイバ、４…出力側光フ
ァイバ、５…半導体レーザ制御装置、６…信号発生器、
７…半導体レーザ、８…光信号（光出力）、１０…半導
体レーザ、１１…鏡（外部ミラー）、１２，１３…光フ
ァイバ、１４…反射防止膜、１５…駆動半導体レーザ
（マスタ半導体レーザ）、２０…光スペクトラム・アナ
ライザ、２１…光パワーメータ、２５…光アイソレー
タ。

フロントページの続き (72)発明者長岡新二東京都千代田区内幸町一丁目１番６号日本電信電話株式会社内 (72)発明者渡部昭憲東京都千代田区内幸町一丁目１番６号日本電信電話株式会社内審査官道祖土新吾 (56)参考文献特開昭61−78188（ＪＰ，Ａ) 特開平６−188519（ＪＰ，Ａ) 特表昭62−502228（ＪＰ，Ａ) 片桐祥雅他，高速光バスに用いる半導体レーザアレイの同期発振の検討，電子情報通信学会総合大会講演論文集，日本，1995年，Ｎｏ．ＳｏｇｏＰｔ. ３，ｐ．626 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 H04B 10/02 H04B 10/28

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】一方に複数の入出力端を有し、他方に１
つの入出力端を有する多分岐型分岐結合器と、前記多分
岐型分岐結合器の一方の各入出力端に一方の光出力端面
を介して光学的に接続される複数の同一構造のファブリ
ーペロー形の半導体レーザと、前記多分岐型分岐結合器
の他方の入出力端に光学的に対面して配置される鏡とを
有し、前記半導体レーザの一つは変調駆動されるととも
に、残りの半導体レーザは直流電流でバイアスされるこ
とを特徴とするマルチチャネル光信号発生器。
【請求項２】一方に複数の入出力端を有し、他方に１
つの入出力端を有する多分岐型分岐結合器と、前記多分
岐型分岐結合器の一方の入出力端の一つに光アイソレー
タを介して光学的に接続される駆動半導体レーザと、前
記多分岐型分岐結合器の一方の残りの各入出力端に一方
の光出力端面を介して光学的に接続される複数の同一構
造のファブリーペロー形の半導体レーザと、前記多分岐
型分岐結合器の他方の入出力端に光学的に対面して配置
される鏡とを有し、前記半導体レーザは直流電流でバイ
アスされるとともに、前記駆動半導体レーザは変調駆動
されることを特徴とするマルチチャネル光信号発生器。
【請求項３】前記半導体レーザの多分岐型分岐結合器
に光学的に接続される面側の光出力端面の反射率は反対
側の光出力端面の反射率よりも低くなっていることを特
徴とする請求項１または請求項２記載のマルチチャネル
光信号発生器。