JPS6135586A - レーザダイオード、入力伝送フアイバおよび出力伝送フアイバを有する電気光学装置 - Google Patents

レーザダイオード、入力伝送フアイバおよび出力伝送フアイバを有する電気光学装置

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JPS6135586A
JPS6135586A JP14767785A JP14767785A JPS6135586A JP S6135586 A JPS6135586 A JP S6135586A JP 14767785 A JP14767785 A JP 14767785A JP 14767785 A JP14767785 A JP 14767785A JP S6135586 A JPS6135586 A JP S6135586A
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fiber
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体レーザ、この半導体レーザで終わる、
レーデ光線のパラメータに影響を与えることのできる光
信号を加える第１光線路、および、やはり前記の半導体
レーザで終わる、レ−ザ光線を移送する第２光線路を有
する電算光学袋装置に関するものである。
影響されるパラメータというのは、半導体レーザ光線の
強さ、波長、または位相等である。
このような装置は例えば［アイ・イー・イー・イー　ジ
ャーナル　オブ　クワンタム　エレクトロニクス（Ｉ　
Ｅ　Ｅ　Ｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｑｕａｎｔｕｍ　
Ｂｌｅｃｔｒｏ−ｎｉｃｓ）　Ｊ第ＱＢ−１８巻、第１
θ号、１６６２−１６６９頁の記事「オプチカル　フェ
ーズ　モジュレーションイン　アン　インジェクション
　ロックド　ＡｌＧａｌＧａ八ツセミコンダクタザ（Ｏ
ｐｔｉｃａｌ　Ｆ’ｈａｓｅ　Ｍｏｄｕｌａ−ｔｉｏｎ
　ｉｎ　ａｎ　Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　Ｌｏｃｋｅｄ　Ａ
ＩＧＦｉＡｓ　Ｓｅｍ１−ｃｏｎｄｕｃｔａｒ　Ｌａ５
ｅｒ）　Ｊより知られている。これに記載されている電
気光学装置は所謂コヒーレントな光通信システムで、こ
の光通信システムは、そのデータ処理容量が大きくまた
中継局間の距離が大きいために将来大いに有望なもので
ある。公知の電気光学装置は１、例えば第１ダイオード
レーザよりのコヒーレントな光線ビームを直接周波数変
調される第２ダイオードレーザに導入することによって
光学位相変調を行う。このことは、実際上、−出力伝送
ファイバの外に、第しダイオードから第２ダイオードレ
ーザに光線を送る人力伝送ファイバをこの装置の第２ダ
イオードレーザに結合せねばならないことを意味する。
導入されたビームによって影響される光線源（インジェ
クション　ロックド　ソース（Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎしｏ
ｃｋｅｄ　５ｏｕｒｃｅ））　　として使用されること
は別にしても、半導体レーザは、ここで考えているコヒ
ーレントな光通信システムおよび例えば光増幅器、外部
変調暮、半導体し一ザスイッチ、能動的な光学星状網点
や外部フィードバックを有する光線源のようなその他の
種々の目的に用いることができる。これ等の用途に対し
てはダイオードレーザを人力伝送ファイバと少なくとも
１つの出力伝送ファイバに結合しなければならない。こ
れ等の伝送ファイバを、以下レーザの前面および後面と
称することにする半導体レーザの２つの対向する発光面
に結合することが提案されている。実際上これ等のファ
イバは単一モードガラスファイバでなければならないで
あろう。
公知のように、単一モー、ド伝送ファイバを半導体レー
ザに所要の結合効率をもって結合することはと極めて困
難である。別の単一モード伝送ファイバを半導体レーザ
に結合するのは次の理由によって更に大きな実際上の問
題がある、即ちこのためにレーザに対し特別な冷却ブロ
ックを必要とする、 ２回も臨界的なアライメント工程を行わねばならない、 半導体レーザに対して新たな設計のパッケージが必要で
ある、および このパッケージは１つの代わりに２つのファイバシール
または２つの窓／レンズ組合せを有せねばならない。
更に、レーザ光を監視する検出器をパッケージ内に配設
す名ことは殆ど不可能で、２つの単一モード伝送ファイ
バを半導体レーザに結合することができるだけである。
本発明はこれ等のすべての問題を、軽減した電気光学装
置を得ることを目的としたもので、光線路は単一モード
伝送ファイバを有し、単一モード入力伝送ファイバと少
なくとも１つの単一モード出力伝送ファイバとは半導体
レーザの同じ光線放射面に接合され、この光線放射面に
面する伝送ファイバ端は、テーバのついた端部分を有す
る１つの合成伝送ファイバを形成し、この合成伝送ファ
イバの端面には、球面を有する透明材料が設けられたこ
とを特徴とするものである。
本発明の一実施例では、伝送ファイバの端面の球状体の
材料は伝送ファイバ心材料よりも十分大きな屈折率を有
する。このようにすると、ファイバ端と球状体即ち゛レ
ンズとの組合せは大きな開口数を有し、したがって大き
な結合効率を有するようにすることができる。
本発明の別の実施例では、伝送ファ・イバの端面の球状
体の材料は伝送ファイバ心材料よりも低い融解温度を有
し、前記の心材材と略々同じ屈折率を有する。この実施
例では、レンズ−ファイバ境界面よりの反射の結果光線
がダイオード−レーザにフィードバックされる恐れは殆
どなく、レンズの小さな屈折率に拘らず十分に大きな結
合効率が得られる。
本発明は、従来光通信ファイバの分野で利用されなかっ
たことであるが、半導体レーザは対称的なもので実際上
前面または後面というものを有しないという事実に基づ
いたものである。これ等の面の一方即ち前面を光駆動信
号を受ける人力面およびレーザ光線を放射する出力面と
して用いることができる。半導体レーザの前面に結合さ
れる複数の伝送ファイバの端を、該半導体に結合される
べきであった１つの単一モード伝送ファイバの端の寸法
と同じ程度の断面寸法の合成ファイバを形成するように
組合わせると、現在の結合技術を利用することができ、
半導体レーザパッケージを従来のパッケージと略々同じ
にすることができる。
米国特許明細書第４．４３１．２６１号には、複数の伝
送ファイバが１つの合成ファイバとして終端し、発光ダ
イオード（ＬＥＤ）のような光線源に結合された電気光
学装置が記載されていることは注目に値する。けれども
、この装置面は、すべての伝送ファイバが出力ファイバ
であって、これ等ファイバのうち光線源を駆動または制
御するのに用いられるものは１つもない。更に、これ等
の伝送ファイバは単一モードファイバではなく、光線源
は半導体レーザではない。
前記の米国特許明細書および欧州特許出願第０、０８１
．３４９号から、複数の伝送ファイバの共通端にテーパ
をつけること自体は知られている。けれども、今までこ
の工程は単一モード伝送ファイバと少なくとも１つの単
一モード伝送ファイバのアセンブリに用いられたことは
なかった。更に、前記の２つの刊行物に記載された電気
光学装置では、合成伝送ファイバの端面には球状の透明
体が設けられていない。本発明の装置では、この透明体
は、合成伝送ファイバの結合効率を改良し、半導体レー
ザに対して大きなずれを許容する。
結合効率というのは、伝送ファイバが受ける半導体レー
ザの光線の強さとこのレーザの全光線の強さとの比を意
味する。
１つの共通な端部を有する複数のファイバを形成するこ
とは、すべてのファイバを１回の動作で一線にそろえる
ことができ、また種々のファイバ間の光エネルギの分配
を簡単に調節することができるという付加的な利点をを
する。
本発明の電気光学装置の別の特性は種々の用途と結び付
けて考えられる。以下に本発明を添付の図面を参照して
実施例によって更に詳しく説明する。
第１ａ図はコヒーレントな光伝送システムの可能な実際
的な形を示す。コヒーレントな光伝送システムの詳細に
ついては［アイ・イー・イー・イートランザクションズ
　オン　マイクロウェーブセオリー　アンド　テクニー
ク（ＩＢＢＥＴｒａｎｓａｃＬｉｏ−ｎｓ　ｏｎ　Ｍｉ
ｃｒｉｗａｖｅ　５ｈｅｏｒｙ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｉ
ｑｕｅ）　　Ｊ第ＦＡＴＴ−３０巻、第８号、１１３８
−１１４９頁の記事［ヘテロゲイン　アンド　コヒーレ
ント　オプティカル　ファイバ　コミュニケーションズ
（ｌｌｅｔｅｒｏｄｙｎｅ　ａｎｄＣｏｈｅｒｅｎｔ　
０ｐｔｉｃａｌ　Ｆｉｂｅｒ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉ
ｏｎｓ川が参考になる。第１ａ図においてＬＤ、　　と
曲、は夫々第１および第２半導体レーザ例えばダイオー
ドレーザを示すもので、これ等はまた夫々マスターレー
ザおよびスレーブレーザとも呼ばれる。ダイオードレー
ザＬＤ、で放射されたビームは、単一モード伝送ファイ
バＳＭＦ　、を経て第２ダイオードレーデＬ［１２に送
られる。ダイオードレーザＬＤ２で放射されるビームお
よび単一モード伝送ファイバ５ＭＦ２の出力の位相は、
ダイオードレーザＬＤ、より出てダイオードレーザＬＤ
２に導入されるビームによって決まる。前記の２つのダ
イオードレーザ間に配設されたアイソレータＩｓは、ダ
イオードレーザＬＤ、の後面より放射されたビームがダ
イオードレーザＬＤ。
に入ってこのダイ−オードレーザＬＤ＋　で放射された
ビームに影響を与えることがないようにする。
第１ｂ図はダイオードレーザＬＤ２の周囲の部分を更に
詳細に示す。ダイオードレーザＬＤ２はパッケージＰＡ
内のヒートシンクＩＩｓ上に配設される。ファイバ心Ｆ
Ｃを有する出力伝送ファイバ５ＭＦ２はシールＳ２を経
てパッケージＰＡ内に延在している。ダイオードレーザ
ＬＤ、よりのビームはダイオードレーザＬＤ２に結合さ
れねばならない。若し第１ａ図に示したように、ビーム
を伝送するファイトイ心Ｆｇ１　を有する伝送ファイバ
ＳＭＦ　、の端がグイオニドレーザＬＤ２、の後面に対
して位置すると、次のような問題が生じる。第１に、ダ
イオードレーザの長さと等しい長さの特別なヒートシン
クを用いることが必要である。というのは、、さもなけ
れど伝送ファイバＳＭＦ　。
をダイオードレーザの後面に十分近づけて配設すること
ができず、ダイオードレーザＬＤ、に対して正しく一線
にならべることができないからである。
更に、伝送ファイバＳＭＦ、とダイオードレーザし０２
間の結合はヒートシンクの表面よりの反射によって妨害
されることがある。効率のよい安定した結合はこの場合
はとんど不可能であろう。第２に、装置の組立の間２回
もの臨界的なアライメント工程が必要である。°各車−
モード伝送ファイバはダイオードー−ザしＤ２　に対し
て別々に一線にならべねばならない。第３に、新たなパ
ッケージを用いることが必要である。このパッケージは
、ダイオードレーザＬＤ２の両側に一線にならべられた
２つの伝送ファイバに対して安定した固定装置を有せね
ばならない。第４に、１個のシールまたは１個の窓／レ
ンズ組合せの代わりに２個のこのようなシール（Ｓ＋４
Ｓ２）または２個の窓／レンズ組合せが必要である。窓
／レンズ組合せは、端がパッケージの外部に位置する伝
送ファイバをダイオードレーザと光学的に結合させる。
第５に、多くの場合ダイオードレーザより放射された光
線の強さを測定する必要がある。この測定は、パッケー
ジ内でダイオードレーザの後面に位置する光線検出ダイ
オードによって行われることが多い。若し伝送ファイバ
ＳＭＦ　、がダイオードレーザの後面と結合されていれ
ば、これは最早不可能である。最後に、ダイオードレー
ザに２個以上の堆−モード伝送ファイバを結合すること
は不可能である。
以上述べたすべての問題は、第２図に示した本発明のよ
うに、２つまたはそれ以上の単一モード伝送ファイバの
端を融着し、単一の伝送ファイバの直径の程度の直径が
得られる迄溶融部分を引張り、この合成伝送ファイバを
ダイオードレーザの前面に結合すれば避けられる。この
場合はａ準または僅かに変更したダイオードレーザパッ
ケージを用いることができる。合成伝送フーイバの端面
には、屈折率がファイバ心の屈折率よりも大きくてもよ
いレンズが設けられる。第２図にして示したこのような
レンズは、結合効率を増し、アライメントの正確さにそ
れ程厳しい要求を課さないですむようにできる。
合成伝送ファイバ端は第３ａ−３ｆ図に示した方法を用
いて得ることができる。この方法では、２つの伝送ファ
イバはクランプＣＬで互いに締められ、たとえばアーク
放電ＡＲＣによって第３ａ図に示すように加熱される。
この結果、伝送ファイバは融着し、１つの合成ファイバ
を形成する。第３ｂ図に示すように、アーク放電の位置
に細い構造部ＣＯＮを形成するために、アーク放電が維
持されている間ファイバが引張られる。アーク放電が切
られた後、第３Ｃ図に示すように合成ファイバが破断さ
れる。
この目的で、引掻き工具で一番細い構造部に傷ＳＣを形
成し、しかる後、伝送ファイツメに該伝送ファイバが平
らな破断面に沿って離れる迄引張力を加えてもよい。第
３ｄ図に示すように、このようにして得られたテーパー
のついた伝送ファイバＣＦはるつぼＣＲＵ内の液体また
は粘性材科目Ｍに浸される。
この材料は、例えばファイバ心材料よりも大きな屈折率
を有する。ファイバ端がるつぼより引上げられると材科
目Ｍの一部が表面張力によってファイバに付着する。こ
の材料は、粘性をもつ場合に露滴状の形をとる。この露
滴の寸法と形は、浸漬の深さとるつぼ内の材料の温度と
によって調節することができる。更に、ファイバ端の形
も前記の露滴の形を決める。露滴を有するファイバ端が
るつぼから引上げられた後、若しそれがガラス製ならば
、冷却させておく。このよう−にして、第３８図に示す
ようにファイバ端にレンズＬが形成される。
第３ｆ図はレンズＬを有するファイバ端の拡大図を示す
。クラツディング下ＣＬとファイバ心ＦＣ，およびＰＣ
２との両方共テーパを有する。
代わりに、第４ａおよび第４ｂ図に示すように、２個の
単一モード伝送ファイバの端を融着し、次いでもう１つ
の伝送ファイバＳＭＦ、をこの合成伝送ファイバに融着
してもよい。次いでこの合成ファイバは、第４Ｃ図に示
すように細い構造部ＣＯＮが形成される迄引張られる。
第３ｃ図に示したように破断された後、合成ファイバの
上方部分を第３ｄおよび第３ｅ図で説明したのと同様の
方法で処理することができる。
第５ａ−５ｃ図は所望の合成伝送ファイバを得る別の方
法を示′す。この方法は、既にテーパ端部分を有する２
つの単一モード伝送ファイバより出発する。これ等のテ
ーパ端部分は第５ａ図に示すように融着される。次いで
、第５ｂ図に示すように、もう１つの伝送ファイバが前
記の融着体に融着され、出来上った合成伝送ファイバは
、細い構造部ＣＯＮが形成される迄引張られる。かくて
ファイバは第５Ｃ図に示すように略々最も細い構造部で
破断され、その後上方め合成ファイバ部分に第３ｄ図ふ
よび第３ｅ図で説明したと同様にしてレンズが設けられ
る。
レンズ材料はファイバ心材料よりも大きな屈折率を有し
てもよく、このためファイバ心とレンズの組合せはファ
イバ端単独の場合よりも大きな開口数を有し、結合効率
がより良くなる。
レンズは、ファイバパラメータが浸漬の結果変わること
のないようにその融解温度がファイバ心またはファイバ
クラツディングの融解温度よりも低くまたその屈折率が
心材料と実質的に等しい材料内にファイバ端を浸すこと
によって形成することもできる。この実施例では、レン
ズ−ファイバ境界面よりの反射およびその結果のダイオ
ードレーザへの光線のフィードバックが避けられ、この
ため、レンズ材料の低い屈折率に拘らず結合効率が高い
。
第６図は本発明の第１の利用例を示す。ダイオードレー
ザＬＤｚのような半導体レーザの人力伝送ファイバが第
２ダイオードレーザＬＤ、に接続される。前記の２つの
ダイオードレーザの聞にはアイソレータＩＳが配設され
る。第６図に示した基本的な配置によって種々の機能を
果たすことができる。
１、　前述の「アイ・イー・イー・イー　ジャーナル　
オフ　クワンタム　エレクトロニクス」第Ｑε−１８巻
、第１０号の１６６２−１６６９頁の記事にのべられて
いるように、グイ、オードレーザＬＤ２で放射されたビ
ームの位相は第６図の基本的な配置によって変調するこ
とができる。この方法はコヒーレントな光通信システム
に用いることができる。
２、　代わりに、第６図に示した配置はダイオードレー
ザスイッチとして用いることもできる。この場合、ダイ
オードレーザＬＤ、で発生されたビームの波長は、ダイ
オードレーザしＤ２内でレーザ作用を得ることのできる
波長に略々等しい。
ダイオードレーデＬＤ、の“オン″および″オフ”状態
においてこのダイオードレーザにより放射されるビーム
の強さの大きな差は、ダイオードレーザＬＤ２に導入さ
れた光信号がこのダイオードレーザし口、のオフ状態に
おいて吸収され、オン状態においては増幅されることに
よって得られる。このダイオードレザスイッチの詳細に
ついては［アイ・イー・イー・−イー　ジャーナルオフ
　クワンタム　エレクト′口、ニクス」第Ｑε−１９巻
、第２号、１５７−１６４頁の記事「スイッチング　キ
ャラクトリスティック　オフ　ア　レーザ　ダイオード
　スイッチ（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　Ｃｈａｒａ−ｃｔｅ
ｒｉｓｔｉｃ　ｏｆ　ａ　Ｌａ５ｅｒ　Ｄｉｏｄｅ　５
ｗ１ｔｃｈ）　Ｊが参考になる。
３、　更に、例えば光通信ネットワークの中継局におい
てダイオードレーザＬＤ、により放射されて変調されそ
して相当な通路長を伝搬されたビームを増幅するのに用
いるためのダイオードレーザ増幅器は、第６図に示すよ
うに構成することができる。ダイオードレ−ザ増幅器の
挙動は「アイ・イー・イー・イー　ジャーナル　オフ　
　″クワンクム　エレクトロニクス」第ＱＢ−１８巻、
第１０号、１５６０−１５６８頁の記事［′：ｌ−ス／
エヌ　アント　　エラー　パフォマンス　インＡｌＧａ
八ｓセミコンダクク　レーザ　ブリーアンブリファイア
　アンド　リニア　リピータ　システムズ（Ｓ／Ｎ　ａ
ｎｄ　Ｅｒｒｏｒ　Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｉｎ＾ｌ
ＧａＡｓ　Ｓｅｍ１−ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｌａ５ｅｒ
　Ｐｒｅ−ａｍｐｌｉｆｉｅｒ　ａｎｄ　　Ｌｉｎｅａ
ｒＲｅｐｅａｔｅｒ　Ｓｙｓｔｅｍｓ）　Ｊに説明され
ている。
４．１ジヤーナル　オブ　クワンタム　エレクトロニク
ス（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｑｕａｎｔｕｍ　１Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ）　Ｊ第ＱＢ−１９巻、第７号、１１
８４−１１８６頁の記事「アナリシス　オブ　ア　マル
チステーブル　セミコンダクタ　ライト　アンブリファ
イア（Ａｎａｌｙｓｉｓｏｆ　ａ　Ｍｕｌｔｉｓｔａｂ
ｌｅ　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｌｉｇｈｔ　Ａｍ
ｐｌｙｆｉ−ｅｒ）　Ｊには、ノーザ動作のしきい電流
よりも小さな直流電流で作動され且つレーザビームが導
入されるダイオードレーザが、記憶素子または光論理回
路に使用される光学双安定素子としてこのように用いら
れるかが記載されている。このような光学双安定素子は
第６図に示したように構成することができる。
５、　高周波例えば１００メガピツト／秒で動作される
ダイオードレーザの場合のモード分散により生じる雑音
は、直流電流で作動されるもう１つのダイオードレーザ
で発生されたビームをこのダイオードレーザに導入する
ことによって抑止することができる。この技術は「ジャ
ーナルオズ　クワンタム　エレクトロニクス」第ＱＥ−
１８巻、第１０号、１６６９−１７６４頁の記事「サプ
レッション　オブ　モード　バーチジョン　ノイズ　バ
イ　レーザ　ダイオード　ライト　インジェクション（
Ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ　ｏｆ　Ｍｏｄｅ　Ｐａｒｔｉ
ｔｉｏｎＮｏｉｓｅ　ｂｙ　Ｌａ５ｅｒ　Ｄｉｏｄｅ　
Ｌｉｇｈｔ　Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ）　Ｊに記載されてい
る。導入される光線ビームは、第６図に示すようにダイ
オードレーザの前面に結合された単一モード伝送ファイ
バＳＭＦ　、を経てダイオードレーザに加えることがで
きる。
第６図および以下の図面はダイオードレーザだけを示し
たものであることに留意され度い。
各ダイオードレーザはパッケージ内に収容されることは
云うまでもなり。原理的には、パッケージは、ダイオー
ドレーザＬＤ２のノ妥ツヶージも含めて普通のタイプの
ものでもよく、例えば米国特許明細書第４．３５５．３
２３号に記載されたように構成してもよい。
第７図に示した配置では、入力伝送ファイバＳＭＦ、は
波長検出装置ＷＳＤに結合されている。この装置は、到
来ビームを゛平行にするレンズＬ１と反射格子ＧＲを有
する一体の光学装置でよい。格子は特定波長の反射光線
を人力伝送ファイバＳＭＦ１のアパーチャに反射するだ
けである。この波長はダイオードレーザＬ口２に導かれ
る。このことは、波長検出素子と結合されていない場合
のダイオードレーザで放射されるスペクトルに対し、ダ
イオードレーザで放射される光線スペクトルの帯域幅を
著しく減少する。この帯域幅減少の原理は「アイ・イー
・イー・イー　ジャーナル　オブ　クワンクム　エレク
トロニクス」第０１１８巻、第１０号、９６１−９７０
頁の記事［オシレーション　センクー　フリーケンシー
　チューニング畢畳・（Ｏｓｉｌｌａｔｉｏｎ　Ｃｅｎ
ｔｅｒ　Ｆｒｅ、ｑｕｅｎｃｙＴｕｎ　ｉｎｇ・・・）
」に記載され゛ている。
第８図に示すように、２つ以上の単一モード伝送ファイ
、バをダイオードレーザＬＤ２の前面に結合しぞもよい
。これ等のファイバの１つであるＳＭＦ　、は送信機Ｔ
に結合され。この伝送ファイバを経て転送される信号は
ダイオードレーザＬＤ２内で増幅され、増幅された信袴
は、受信機Ｒ１＋Ｒ２，Ｒ５に結合された出力伝送ファ
イバＳＭＦ、、　ＳＭＦ、。
ＳＭＦ、に分配される。前記の送信機Ｔおよび受信機Ｒ
１１Ｒ２およびＲ３の代わりに送信機と受信機の両方の
働きをする装置を設け、すべての伝送ファイバが入力伝
送ファイバと出力伝送ファイバの両方の作用をすること
ができるようにしてもよい。この時点にふいても伝送フ
ァイバの１つは常に入力ファイバで、残りの伝送ファイ
バは出力ファイバである。このようにして、局地光通信
ネットワークに用いるのに適した星状網点が得られる。
ダイオードレーザで放射さた光線を監視するために、第
７図に示した装置の出力伝送ファイバの１つまたは第６
図或いは第７図に示した装置に附加した出力伝送ファイ
バを用いることも可能である。この目的で、この伝送フ
ァイバはホトダイオードの形の光線検出器Ｄεに結合さ
れる。このホトダイオードの出力信号はとりわけダイオ
ードレーザと伝送マアイバ間の結合の変化に左右される
。レーザダイオードの前面より分岐された測定信号によ
って、ダイオードレーザパッケージの温度の影響を極め
て確実に除くことができる。
【図面の簡単な説明】
第１ａ図はコヒーレントな光通信システムを示す線図、 第１ｂ図はその一部の詳細線図、 第２図は本発明の装置を用いたシステムの第１ｂ図と同
様の詳細線図、 第３ａ−３Ｆ図は合成テーパ伝送ファイバ端部の製法の
各工程図、 第４ａ−４ｃ図は別の製法の工程図、 第５ａ−５ｃ図は更に別の製法の工程図、第６図は本発
明の装置の用い方の一実施例を示す線図、 第７図体刑の実施例を示す線図、 第８図は更に別の実施例を示す線図である。 ＣＬ、、　ＣＬ２．ＣＬ３・・・クランプＣＲＵ・・・
るつぼ　　　　　ＯＢ・・・光線検出器ＯＬ、、　ＣＬ
２・・・ダイオードレーザＦＣ，，Ｆｅ２・・・ファイ
バ心 ＧＲ・・・格子Ｈ８・・・ヒートシンクＬ、、　Ｌ２・
・・レンズ　　　　ＰＡ・・・パッケージＳ、、　Ｓ２
・・・シール ＳＭＦ、　５ＭＦ２．　ＳＭＦ３．　ＳＭＰ、・・・伝
送ファイバＲ，，Ｒ，、Ｒ，・・・受信機 Ｔ・・・送信機 ＷＳＤ・・・波長検出装置 一部 冨 ◎◎ Ｌ−二一一一一」 ｑフ Ｃフ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、半導体レーザ、この半導体レーザで終わる、レーザ
    光線のパラメータに影響を与えることのできる光信号を
    加える第１光線路、および、やはり前記の半導体レーザ
    で終わる、レーザ光線を移送する第２光線路を有する電
    気光学装置において、光線路は単一モード伝送ファイバ
    を有し、単一モード入力伝送ファイバと少なくとも１つ
    の単一モード出力伝送ファイバとは半導体レーザの同じ
    光線放射面に結合され、この光線放射面に面する伝送フ
    ァイバ端は、テーパのついた端部分を有する１つの合成
    伝送ファイバを形成し、この合成伝送ファイバの端面に
    は、球面を有する透明材料が設けられたことを特徴とす
    る電気光学装置。 ２、伝送ファイバの端面の球状体の材料は伝送ファイバ
    心材料よりも十分大きな屈折率を有する特許請求の範囲
    第１項記載の電気光学装置。 ３、伝送ファイバの端面の球状体の材料は伝送ファイバ
    心材料よりも低い融解温度を有し、前記の心材料と略々
    同じ屈折率を有する特許請求の範囲第１項記載の電気光
    学装置。 ４、単一モード入力伝送ファイバは第２半導体レーザに
    結合された特許請求の範囲第１項、第２項または第３項
    記載の電気光学装置。 ５、単一モード入力伝送ファイバは波長検出反射素子に
    結合された特許請求の範囲第１項、第２項または第３項
    記載の電気光学装置。 ６、少なくとも２つの単一モード伝送ファイバが半導体
    レーザの同じ光線放射面に結合され、前記のファイバは
    光学送信機または受信機に結合された特許請求の範囲第
    １項、第２項または第３項記載の電気光学装置。 ７、出力伝送ファイバの１つは光線検出器に結合された
    特許請求の範囲第１項から第６項の何れか１項記載の電
    気光学装置。
JP14767785A 1984-07-09 1985-07-06 レーザダイオード、入力伝送フアイバおよび出力伝送フアイバを有する電気光学装置 Granted JPS6135586A (ja)

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NL8402168 1984-07-09
NL8403931A NL8403931A (nl) 1984-12-24 1984-12-24 Monomode optische transmissievezel met een taps eindgedeelte voorzien van een lens en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL8403931 1984-12-24

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