JP3331532B2 - プラスチックパッケージ用リードフレームおよびその製造法ならびに該リードフレームを用いたプラスチックパッケージ - Google Patents

プラスチックパッケージ用リードフレームおよびその製造法ならびに該リードフレームを用いたプラスチックパッケージ

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、熱放散性に優れ、しか
もSiチップとの熱膨張差の小さい、プラスチックパッ
ケージ用リードフレームおよびその製造法ならびに該リ
ードフレームを用いたプラスチックパッケージに関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置用のリードフレームには、従
来、42%Niあるいは36%NiのFe−Ni合金や
Cuが主として使用されていた。前者は熱膨張率が小さ
いため、実装工程等において、熱膨張により発生する諸
問題が少なく、かつ適度の強度を有している等の利点が
あるが、熱伝導性が劣るため、高集積度の回路を搭載す
るパッケージにおいては、別途ヒートスプレッダーを設
けて熱放散を図ることが必要であった。後者は熱伝導性
は優れているが熱膨張率が大きいので、Siチップに接
合した場合、後述のような剥離等の問題があり、また、
樹脂とのなじみが劣るので、プラスチックパッケージに
あっては、樹脂との間の剥離や樹脂のクラック発生等の
問題があった。両者の長所を併せ持つ材料として、Fe
−Ni合金の両面にCuを接合したクラッド材からなる
リードフレームの提案もあるが、表面のCuと樹脂のな
じみの問題で、実用化されるに至っていない。
【0003】集積回路の高集積化に伴い、チップの配線
側の面に絶縁フィルムを介してインナリードが接着され
たLOC(lead on chip)構造のプラスチックパッケージ
が採用されるようになった。LOC構造は、パッケージ
内のチップ占有率を高めることができるので、大チップ
化あるいは小パッケージ化が可能なこと、チップ上のイ
ンナリードの一部をバスバーリード(電源線あるいは接
地線)として使用できるので、チップ上のAl配線短縮
化による高速アクセスが可能である等、多くの利点を有
している。また、メモリー用のプラスチックパッケージ
もチップ上にインナリードを接着するものである。
【0004】このような、チップ上にリードを接着した
LOCやメモリー用のプラスチックパッケージは、その
利点を生かして回路の高集積化が要望されている。高集
積化に伴う発熱対策として、リードフレームに放熱性の
よいCuを採用すると、Siチップとリードフレームの
熱膨張差により、実装工程でのリフロー処理等の熱履歴
において、チップやリードフレームに熱歪が生じ、大型
チップにあっては歪量が大きいので、変形や剥離が生じ
やすい。特にバスバー直下のSiチップは応力破壊を起
してメモリが動作不良となるおそれがあった。またリー
ドフレームの変形により機器組立て上のトラブル発生の
おそれもあった。熱膨張率の小さい前記Fe−Ni合金
をリードフレームに採用する場合は、熱放散性が劣ると
いう問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、熱放散性に
優れ、しかもSiチップとの熱膨張差が小さくて、チッ
プクラック、チップおよび自身の変形や接着剥離を生じ
るおそれのない、さらに樹脂とのなじみが良くて、樹脂
の剥離やクラック発生を生じるおそれのない、特にLO
Cやメモリー用に適したプラスチックパッケージ用リー
ドフレームおよびその製造法ならびに該リードフレーム
を用いたプラスチックパッケージを提供することを目的
とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の第1発明は、Fe−Ni系合金とCu系金属が交互
に積層され板面内で一方向の縞状に配置されてなり、
の間隔が0.1mm〜2.0mmで、かつFe−Ni系合金
の幅が0.05〜1.0mm、Cu系金属の幅が0.05
〜1.0mmである縞状薄金属板から切出されたプラスチ
ックパッケージ用リードフレームである。そして、さら
に、縞状薄金属板が、縞の方向を互いに直角にして2枚
以上重ねられ接合された複層縞状薄金属板であることが
好ましい。
【0007】また、上記目的を達成する本発明の第2発
明は、Fe−Ni系合金のシートおよびCu系金属のシ
ートを交互に重ね合せ、熱間静水圧プレスにより接合し
てスラブとし、該スラブを、前記各シートの面がロール
の軸と直交するようにして圧延を行い縞状薄金属板と
し、該薄金属板から所定形状に切出すことを特徴とする
プラスチックパッケージ用リードフレームの製造法であ
る。そして、熱間静水圧プレスにより接合したスラブか
ら、各シートの面と直角に切出して縞状金属板とし、該
縞状金属板の縞の方向をたがいに直角にして2枚以上重
ね合せ、再度、熱間静水圧プレスにより接合して複層ス
ラブとし、該複層スラブを構成するいずれかの前記縞状
金属板の、前記各シートの面がロールの軸と直交するよ
うにして圧延を行い複層縞状薄金属板とし、該薄金属板
から所定形状に切出すことが好ましい。また、圧延後の
縞状薄金属板を、縞の方向を互いに直角にして2枚以上
重ね合せ、ホットプレスにより接合して複層縞状薄金属
板とし、該薄金属板から所定形状に切出すことが好まし
い。さらに、上記目的を達成する本発明の第3発明は、
上記第1発明のリードフレームを用いたプラスチックパ
ッケージである。
【0008】
【作用】第1発明のリードフレームを図1および図2の
例により説明する。本発明のリードフレームは、Fe−
Ni系合金2とCu系金属3が交互に積層され板面内で
一方向の縞状に配置された縞状薄金属板1から切出され
てなる。Fe−Ni系合金2としては、42%Niある
いはアンバーと呼ばれる35〜37%Niのような熱膨
張率の小さい合金、Cu系金属3としては、Cuあるい
はCuの熱伝導率393W/mK±10%程度の良好な
熱伝導性を有する、Cu−P合金やCu−Sn合金など
のCu合金を採用するすることができる。切出し手段と
しては、エッチングやプレス等の慣用手段を採用するこ
とができる。図1の例と図2の例はLOC構造のプラス
チックパッケージ用であり、図1はインナリード5を縞
と平行に切出し、図2はバスバー7を縞と平行に切出し
ている。
【0009】このような本発明リードフレームを使用し
たLOC構造のプラスチックパッケージの例を図4およ
び図5に示す。図4は、図1のリードフレームをSiチ
ップ8に接続した状態を示し、インナリード5およびバ
スバー7が絶縁フィルム9を介してSiチップ8に接着
され、Siチップ8上の回路(図示せず)がボンディン
グワイヤ10でインナリード5およびバスバー7に施さ
れた部分的なAgメッキ11上に接続されている。図5
は、樹脂12で封止したプラスチックパッケージのアウ
タリード6を、半田13で回路基板14に接続した状態
の断面を示し、図4のA−A視に相当する。
【0010】本発明のリードフレームは、Fe−Ni系
合金2とCu系金属3の複合体からなるので、両者の割
合を調整することにより、熱伝導率を所要の値以上にす
るとともに、熱膨張率をSiチップの値に近付けること
ができる。したがって、LOCやメモリ用のプラスチッ
クパッケージにおいて、Siチップ8上の回路を高集積
化し、発熱量が増しても、インナリード5およびバスバ
ー7を経て回路基板14に所要の放熱を行うとともに、
熱膨張差によるSiチップ8の変形や破壊、剥離といっ
たトラブル発生のおそれが解消される。またFe−Ni
系合金2と樹脂12のなじみがよいので、樹脂との間の
剥離や樹脂12のクラック発生のおそれも解消される。
【0011】本発明リードフレームにおいて、対象とす
るチップ8の発熱量、インナリード5およびバスバー7
の寸法、使用条件等に応じた、所要の放熱性に基づい
て、熱伝導率の下限を定め、さらにSiチップ8の寸法
や使用環境などを考慮して熱膨張率の上限を定め、両者
を総合して、Fe−Ni系合金2とCu系金属3の割
合、および縞の方向を図1のようなインナリード5と平
行にするか、図2のようにバスバー7と平行にするかを
決めることができる。なお、縞の方向は図1および図2
の例に限らず、用途に応じて斜め方向とすることもでき
る。
【0012】本発明のリードフレームは縞の間隔dが
0.1mm〜2.0mm、Fe−Ni系合金2の幅aが0.
05mm〜1.0mm、Cu系金属3の幅bが0.05mm〜
1.0mmであるのが好ましい。以下に、その理由を説明
する。Siチップ8からの熱放散は主にCu系金属3に
より行うので、各インナリード5およびバスバー7にC
u系金属3が含まれている必要がある。集積回路の高集
積化に伴い、インナリード5の幅および間隔を狭くして
も、各インナリード5およびバスバー7にCu系金属3
が含まれるようにするには、上記間隔d、幅aおよびb
はともに狭い方がよい。しかし、上記下限より狭くする
のは製造上困難であり、また、リードフレームの切出し
を、最も効果的なエッチングで行う場合、インナリード
5の間隔に限界があるので、縞の間隔d、Fe−Ni系
合金2の幅aおよびCu系金属3の幅bは、それぞれ上
記下限以上とすれば十分である。
【0013】現在使用されているLOC構造およびメモ
リ用のプラスチックパッケージにおいて、インナリード
5、アウタリード6およびバスバー7の幅やピッチは、
パッケージのタイプにより種々のものがある。例えばア
ウタリード6の幅は、狭いものではSOP(small out-l
ine package)の0.2〜0.3mm、広いものではDIP
(dual in-line package)の1.0〜2.0mmである。ま
たアウタリード6のピッチは、SOPでは0.5mm程
度、DIPでは2.54mm程度である。したがって、縞
の間隔d、幅aおよびbが上記下限以上であれば、各種
タイプのパッケージ用に採用することができる。
【0014】各種タイプのパッケージにおいて、インナ
リード5、アウタリード6およびバスバー7には、Cu
系金属3が少なくとも1本は存在することが好ましい。
さらに、図4のインナリード5のように、Cu系金属3
を両側からFe−Ni系合金2で挟むか、あるいは逆に
Fe−Ni系合金2の両側をCu系金属3で挟むのがよ
り好ましい。縞の間隔dが2.0mmを超え、Fe−Ni
系合金2の幅aが1.0mmを超え、またCu系金属3の
幅bが1.0mmを超えると、リード幅の広いDIPなど
において、各インナリード5やバスバー7にCu系金属
3が含まれない場合が生じ、含まれたとしても、Fe−
Ni系合金2とCu系金属3の割合が不均一となり放熱
性および熱膨張が不均一になるおそれがある。さらに、
両金属2および3がバイメタル状に接合され、熱履歴に
より湾曲するリードが出現するおそれがある。
【0015】そして縞状薄金属板から、エッチングやプ
レスによりリードフレームを切出すとき、上記のように
Cu系金属3を分布させるための、位置決めの選択性が
悪くなることがある。また、パッケージの実装工程や使
用時の熱履歴において、Fe−Ni系合金2とCu系金
属3の熱膨張差により両者の界面の熱応力が不均一とな
り、界面破壊のおそれが生じる。さらに、Siチップ8
および樹脂12との接合が不均一になったり、リードフ
レームの切出し加工性、特にエッチングによる場合の加
工性が劣化するといった問題も生じるおそれがある。し
たがって、縞の間隔d、Fe−Ni系合金2の幅aおよ
びCu系金属3の幅bを上記上限以下とするのが好まし
い。
【0016】さらに、本発明のリードフレームは、縞状
薄金属板1が、縞の方向を互いに直角にして2枚以上重
ねられ接合された、図3(2枚重ねの例)に示すような
複層縞状薄金属板4から切出されたものであるのが好ま
しい。このような複層縞状薄金属板4から切出されたリ
ードフレームは、熱伝導および熱膨張の方向性が面内で
均一化されるので、より信頼性の高いものとなる。
【0017】つぎに、第2発明の製造法について図6の
例により説明する。まず(a)のように、Fe−Ni系
合金2のシートおよびCu系金属3のシートを交互に重
ね合せて缶15に入れ、(b)のように蓋をして真空ポ
ンプ16により缶内を排気し封止する。これを(c)の
ように熱間静水圧プレス(HIP)17により接合して
スラブとする。条件としては、Cu系金属3の溶融点以
下の例えば900℃、1200気圧程度でよい。ついで
(d)のように、得られたスラブ18を、各シートの面
がロールの軸と直交するようにして圧延ロール19に噛
み込ませ、圧延して縞状薄金属板1とする。このとき、
スラブ18を必要に応じて適宜寸法に切出した後圧延す
ることもできる。そして、縞状薄金属板1から(e)の
ように所定形状に切出してリードフレームを製造する。
切出しはエッチングやプレスのような慣用手段で行うこ
とができる。
【0018】第2発明の好ましい方法を図7に示す。
(g)のようなHIPで接合したスラブ18から、各シ
ートの面と直交する面で切出した、(h)のような2枚
の縞状金属板20を、縞の方向をたがいに直角にして重
ね合せ、再度HIPにより接合して複層スラブとする。
HIPの条件は上記と同様900℃、1200気圧程度
でよい。重ね合せる縞状金属板20は2枚に限らず、複
数枚とすることができる。そして(i)のように複層ス
ラブ21を構成するいずれかの縞状金属板20(図では
上側)の、各シートの面がロール19の軸と直交するよ
うにして圧延を行い複層縞状薄金属板4とし、該薄金属
板4からエッチングやプレスにより所定形状に切出して
リードフレームを製造する。
【0019】また、別の好ましい方法は図6(f)のよ
うに、圧延後の縞状薄金属板1を、縞の方向を互いに直
角にして2枚重ね合せ、ホットプレスにより接合して複
層縞状薄金属板とし、該薄金属板から所定形状に切出す
ことが好ましい。重ね合せる縞状薄金属板1は2枚に限
らず、複数枚とすることができる。ホットプレスの条件
としては、2枚以上の縞状薄金属板1が互いに接合し、
特にCu系金属3同士が確実に接合するような条件、例
えば、温度800〜900℃、圧力20〜50kgf/c
m2 、時間0.1〜1hrとするのがよい。
【0020】このような第2発明の方法によれば、図6
(a)の工程において、Fe−Ni系合金2のシートお
よびCu系金属3のシートの厚さまたは枚数を適宜選定
することにより、両者の割合、縞の間隔d、Fe−Ni
系合金2の幅aおよびCu系金属3の幅bを所望の値に
調整したリードフレームを製造でき、全工程にわたり、
工業的規模で精度よく安定して製造することができる。
枚数による調整は、たとえば0.15mm厚さのFe−N
i合金シート1枚と、0.1mm厚さのCuシート2枚と
を交互に重ね合せる等により行うことができる。
【0021】つぎに、第3発明プラスチックパッケージ
を、図4および図5に示すLOCの例により説明する。
図4のように、第1発明リードフレームのインナリード
5およびバスバー7が絶縁フィルム9を介してSiチッ
プ8に接着され、Siチップ8上の回路(図示せず)が
ボンディングワイヤ10でインナリード5およびバスバ
ー7に施された部分的なAgメッキ11上に接続されて
いる。そして、図4のA−A視断面を示す図5のよう
に、樹脂12で封止され、アウタリード6が半田13で
回路基板14に接続して使用される。
【0022】このような第3発明のプラスチックパッケ
ージは、リードフレームの熱伝導率が高いので、チップ
の回路を高集積化し、発熱量が増しても、インナリード
5およびバスバー7を経て回路基板14に所要の放熱を
行うことができる。そして、リードフレームの熱膨張率
がSiの値に近いので、実装工程等の各種熱履歴におい
て、Siチップ8の変形や破壊、インナリード5および
バスバー7の変形や剥離といったトラブル発生のおそれ
が解消される。さらにリードフレームと樹脂12のなじ
みがよいので、樹脂12の剥離やクラック発生のおそれ
も解消される。したがって、回路の高集積化が可能で、
欠陥発生頻度が低く、信頼性の高いプラスチックパッケ
ージである。
【0023】なお本発明は、図1〜図3に示したような
LOC構造のリードフレームに限らず、各種タイプのプ
ラスチックパッケージ用リードフレームおよびそれを用
いたパッケージにも適用することができる。
【0024】
【実施例】図6に示す本発明法により、板厚0.15mm
の36%NiからなるFe−Ni系合金2および板厚
0.2mmの純CuからなるCu系金属3のシートを交互
に重ね、缶15に入れて真空排気した後、HIP17に
より900℃1200気圧2時間の処理を行い、切断し
厚さ10mm、幅300mmのスラブ18とし、(d)に示
すように、各シートの面がロールの軸と直交するように
して圧延ロール19に噛み込ませ、圧延して板厚0.1
5mmの縞状薄金属板1とした。縞状薄金属板1におけ
る、縞の間隔d、36%Ni系合金の幅aおよびCuの
幅bは、圧延前の状態とほぼ等しいものであった。
【0025】この縞状薄金属板1から、エッチング法に
より図1のような形の、LOC構造のプラスチックパッ
ケージ用リードフレームを切出した。切出し時の位置決
め選択性は良好であった。インナリード5は幅が0.5
mmで片側16本、バスバー7の幅は0.5mmであり、切
出し後の各リードの形状はいずれも良好であった。そし
て、熱膨張率および熱伝導率を測定した結果、表1のと
おり放熱性に優れ、かつ熱膨張の少ないものであった。
これを使用して製造した図5のようなパッケージについ
て、−55℃〜+150℃のTサイクル熱履歴テストを
行った結果、Siチップ、樹脂、リードフレームともに
変形や損傷が見られず、接合部の剥離も認められなかっ
た。
【0026】
【表1】
【0027】つぎに、Fe−Ni系合金のNi量、Cu
系金属の成分、Cu系金属の割合、縞の間隔d、Fe−
Ni系合金の幅a、Cu系金属の幅bを変化させたとき
の、熱熱伝導率および熱膨張率の測定結果、および均一
性と加工性の評価を表2に示す。dが0.1mm〜2.0
mm、aが0.05mm〜1.0mm、bが0.05mm〜1.
0mmの範囲の本発明は良好な結果を示した。特に、複層
縞状薄金属板としたNo.7は、熱伝導率および熱膨張
率が、板面内での方向性がなく、ばらつきが非常に少な
く、かつ切出すときの加工性が非常に良好であった。な
お表2において、均一性は熱膨張率および熱伝導率の場
所によるばらつきを評価し、◎は非常に少ない、○は良
好を示す。加工性は、リードフレームをエッチングによ
り切出すときの、位置決め選択性および切出し後の形状
を評価し、◎は非常に良好、○は良好を示す。
【0028】
【表2】
【0029】
【発明の効果】本発明のプラスチックパッケージ用リー
ドフレームは、42%Niあるいは36%Ni等のFe
−Ni系合金とCu系金属とが交互に積層され、板面内
で一方向の縞状に配置された縞状薄金属板から切出され
ているので、Cu系金属による放熱性が優れているとと
もに、低熱膨張率のFe−Ni系合金により熱膨張が抑
えられ、Siチップとの熱膨張差が小さく、チップクラ
ックやチップ変形、リードの変形、接着剥離を生じるお
それがなく、さらに樹脂とのなじみが良く、樹脂の剥離
や樹脂クラックの発生を生じるおそれがない。したがっ
て、LOCやメモリー用の高集積度チップに適用して信
頼性の高いパッケージを得ることができる。
【0030】また本発明のプラスチックパッケージ用リ
ードフレームの製造法は、Fe−Ni系合金のシートお
よびCu系金属のシートを交互に重ね合せ、HIPによ
り接合したのち圧延し、プレスまたはエッチングによっ
てリードフレームを製作するので、両シートの厚さまた
は枚数を適宜選定することにより、両者の割合、縞の間
隔d、Fe−Ni系合金の幅aおよびCu系金属の幅b
を所望の値にしたリードフレームを製造でき、全工程に
わたり、工業的規模で精度よく安定して製造することが
できる。さらに本発明のプラスチックパッケージは、上
記本発明のリードフレームを使用しているので、回路の
高集積化が可能で、欠陥発生頻度が低く、信頼性の高い
ものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明リードフレームの例を示す斜視図であ
る。
【図2】本発明リードフレームの別の例を示す斜視図で
ある。
【図3】本発明リードフレームの別の例を示す斜視図で
ある。
【図4】本発明リードフレームをSiチップに接続した
例を示す斜視図である。
【図5】本発明プラスチックパッケージの例を示す断面
図である。
【図6】本発明のリードフレーム製造法の例を示す説明
図である。
【図7】本発明のリードフレーム製造法の別の例を示す
説明図である。
【符号の説明】
1…縞状薄金属板 2…Fe−Ni系合金 3…Cu系金属 4…複層縞状薄金属板 5…インナリード 6…アウタリード 7…バスバー 8…Siチップ 9…絶縁フィルム 10…ボンディングワイヤ 11…銀メッキ 12…樹脂 13…半田 14…回路基板 15…缶 16…真空ポンプ 17…熱間静水圧プレス(HIP) 18…スラブ 19…圧延ロール 20…縞状金属板 21…複層スラブ

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 幅が0.05〜1.0mmのFe−Ni系
    合金と幅が0.05〜1.0mmのCu系金属が縞状に
    0.1mm〜2.0mmの間隔で交互に積層され板面内で
    一方向の縞状に配置されてなる縞状薄金属板から切出さ
    れたプラスチックパッケージ用リードフレーム。
  2. 【請求項2】 縞状薄金属板が、縞の方向を互いに直角
    にして2枚以上重ねられ接合された複層縞状薄金属板で
    あることを特徴とする請求項1記載のプラスチックパッ
    ケージ用リードフレーム。
  3. 【請求項3】 Fe−Ni系合金のシートおよびCu系
    金属のシートを交互に重ね合せ、熱間静水圧プレスによ
    り接合してスラブとし、該スラブを、前記各シートの面
    がロールの軸と直交するようにして圧延を行い縞状薄金
    属板とし、該薄金属板から所定形状に切出すことを特徴
    とするプラスチックパッケージ用リードフレームの製造
    法。
  4. 【請求項4】 熱間静水圧プレスにより接合したスラブ
    から、各シートの面と直角に切出して縞状金属板とし、
    該縞状金属板の縞の方向をたがいに直角にして2枚以上
    重ね合せ、再度、熱間静水圧プレスにより接合して複層
    スラブとし、該複層スラブを構成するいずれかの前記縞
    状金属板の、前記各シートの面がロールの軸と直交する
    ようにして圧延を行い複層縞状薄金属板とし、該薄金属
    板から所定形状に切出すことを特徴とする請求項3記載
    のプラスチックパッケージ用リードフレームの製造法。
  5. 【請求項5】 圧延後の縞状薄金属板を、縞の方向を互
    いに直角にして2枚以上重ね合せ、ホットプレスにより
    接合して複層縞状薄金属板とし、該薄金属板から所定形
    状に切出すことを特徴とする請求項3記載のプラスチッ
    クパッケージ用リードフレームの製造法。
  6. 【請求項6】 請求項1または請求項2記載のリードフ
    レームを用いたプラスチックパッケージ。
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