JP3319522B2 - Laser deposition system - Google Patents

Laser deposition system

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明はたとえば半導体ウエハ
にレ−ザCVD法によって微細な配線を成膜するための
レ−ザ成膜装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser film forming apparatus for forming fine wiring on a semiconductor wafer by a laser CVD method, for example.

【0002】[0002]

【従来の技術】レ−ザCVD法による配線技術において
は、金属カルボニルをAr+ レ−ザ光で局所的に熱分解
する直描方式が一般によく用いられている。この方法は
高い膜質が得られ、ソ−スガスの安定性も高く、レ−ザ
光を導入するウインドの汚れも少ないという利点を有す
る。
2. Description of the Related Art In a wiring technique by a laser CVD method, a metal carbonyl is converted to Ar + A direct drawing method in which laser light is locally thermally decomposed is generally used. This method has the advantages that a high film quality is obtained, the stability of the source gas is high, and the window into which laser light is introduced is less contaminated.

【0003】レ−ザCVDの成膜結果は、ソ−スガスの
供給方法の影響を顕著に受ける。ソ−スガスの供給方法
には、真空雰囲気で成膜を行う減圧法と、大気圧環境下
での成膜が可能なキャリアガス法の2種類がある。上記
減圧法はリ−クタイトな真空容器が必要であるため、装
置コストの増大や真空排気時間によるスル−プットの低
下といった問題を有する。上記キャリアガス法は真空雰
囲気を必要としないため、作業性がよく、実用性が高
い。とくに、近年、レ−ザCVDの適用対象である電子
デバイスは基板の大型化が進み、スル−プットと作業性
の点からキャリアガス法が広く用いられるようになって
きている。
[0003] The result of laser CVD film formation is significantly affected by the source gas supply method. There are two types of source gas supply methods: a decompression method for forming a film in a vacuum atmosphere, and a carrier gas method for forming a film under an atmospheric pressure environment. Since the above-mentioned decompression method requires a leaktight vacuum vessel, there are problems such as an increase in equipment cost and a reduction in throughput due to evacuation time. Since the above carrier gas method does not require a vacuum atmosphere, workability is good and practicality is high. In particular, in recent years, the size of electronic devices to which laser CVD is applied has been increased in size, and the carrier gas method has been widely used in terms of throughput and workability.

【0004】キャリアガス法を用いて大気中で成膜を行
うための従来の装置として図2に示す構成が知られてい
る。すなわち、同図中1はXYテ−ブルである。このX
Yテ−ブル1上にはプレ−トヒ−タ2が載置され、この
プレ−トヒ−タ2上には成膜対象物である半導体ウエハ
の基板3が載置されている。
FIG. 2 shows a known apparatus for forming a film in the atmosphere using a carrier gas method. That is, 1 in the figure is an XY table. This X
A plate heater 2 is placed on the Y table 1, and a substrate 3 of a semiconductor wafer to be a film formation target is placed on the plate heater 2.

【0005】上記基板3の上方にはノズル体4が配設さ
れている。このノズル体4には上端開口がウインド5に
よって覆われた通孔6が軸方向に貫通して形成されてい
るとともに、径方向にはガス状の有機金属を含むソ−ス
ガスの供給孔6aが一端を上記通孔6に連通させて形成
されている。
A nozzle body 4 is disposed above the substrate 3. A through hole 6 whose upper end is covered by a window 5 is formed in the nozzle body 4 so as to penetrate in the axial direction. One end is formed to communicate with the through hole 6.

【0006】上記通孔6の他端は有機金属7が収容され
たリザ−バ8が供給管9を介して接続されている。この
リザ−バ8にはマスフロ−コントロ−ラ10が接続さ
れ、このマスフロ−コントロ−ラ10は図示しないキャ
リアガスの供給源に連通している。上記リザ−バ8の有
機金属7はヒ−タ11によって加熱気化される。それに
よって、キャリアガスにガス状の有機金属が混合したソ
−スガスが上記ノズル体4の供給孔6aに供給され、通
孔6の先端開口から流出する。
The other end of the through hole 6 is connected to a reservoir 8 containing an organic metal 7 through a supply pipe 9. A mass flow controller 10 is connected to the reservoir 8, and the mass flow controller 10 communicates with a supply source of a carrier gas (not shown). The organic metal 7 in the reservoir 8 is heated and vaporized by the heater 11. As a result, the source gas in which the gaseous organic metal is mixed with the carrier gas is supplied to the supply hole 6a of the nozzle body 4 and flows out from the front end opening of the through hole 6.

【0007】上記ノズル体4の上方には集光光学系12
が配設され、この集光光学系12には、たとえばアルゴ
ンレ−ザなどのレ−ザ発振器13から出力された可視域
の波長のレ−ザ光Lが入射する。集光光学系12に入射
したレ−ザ光Lは集束されて上記ウインド5から通孔6
を通り、プレ−トヒ−タ2上に載置された基板3を照射
する。その際、レ−ザ光Lの照射部位に存在するソ−ス
ガスが熱分解されるから、上記基板3に金属膜が局部的
に生成されることになる。
A condensing optical system 12 is provided above the nozzle body 4.
The laser light L having a wavelength in the visible range and output from a laser oscillator 13 such as an argon laser is incident on the condensing optical system 12. The laser light L incident on the condensing optical system 12 is focused and passes through the window 5 through the through hole 6.
The substrate 3 placed on the plate heater 2 is irradiated through the plate heater 2. At this time, the source gas present at the portion irradiated with the laser light L is thermally decomposed, so that a metal film is locally formed on the substrate 3.

【0008】しかしながら、このような構成によると、
基板3のレ−ザ光Lによって照射される部位の周囲には
室温の大気が存在するから、その大気によってソ−スガ
スが冷却され、そのソ−スガス中に含まれた有機金属が
凝固する。
However, according to such a configuration,
Since a room temperature atmosphere exists around the portion of the substrate 3 irradiated with the laser light L, the source gas is cooled by the atmosphere, and the organic metal contained in the source gas is solidified.

【0009】凝固した有機金属は塵埃となって基板3を
汚染し、後工程で新たな欠陥を発生させる原因となる。
上記塵埃は基板3への付着力が弱いから、洗浄プロセス
によって除去することは可能であるものの、成膜後に洗
浄を行うことができないプロセスでは問題となる。
The solidified organic metal becomes dust and contaminates the substrate 3 and causes new defects in a later process.
Since the dust has a weak adhesive force to the substrate 3, it can be removed by a cleaning process, but this poses a problem in a process in which cleaning cannot be performed after film formation.

【0010】そこで、未反応のソ−スガスを回収するた
めに図3に示すようにノズル体4にフ−ド21を一体的
に設け、このフ−ド21によって基板3の成膜される部
位を覆い、その部位が大気の影響を受けずらいようにす
るとともに、上記フ−ドに排気管22を接続すること
で、未反応のソ−スガスを回収するようにしている。
In order to recover the unreacted source gas, a hood 21 is integrally provided on the nozzle body 4 as shown in FIG. So that the portion is hardly affected by the atmosphere, and an unreacted source gas is recovered by connecting an exhaust pipe 22 to the hood.

【0011】このように、フ−ド21を設ければ、確か
に成膜部位が大気によって冷却されずらくなる。しかし
ながら、ノズル体4から流出する未反応のソ−スガス中
に含まれる有機金属を基板3に到達させない流量でフ−
ド21内を排気すると、成膜部でのソ−スガスの流れが
乱れ、成膜ができなくなるということがあり、逆にソ−
スガスの流れに乱れが生じない流量でフ−ド21内を排
気すると、凝固した有機金属が基板3に付着することに
なる。
As described above, if the hood 21 is provided, the film formation site is hardly cooled by the air. However, the flow rate is such that the organic metal contained in the unreacted source gas flowing out of the nozzle body 4 does not reach the substrate 3.
When the interior of the source 21 is evacuated, the flow of the source gas in the film forming unit may be disturbed, and the film may not be formed.
When the inside of the hood 21 is evacuated at a flow rate at which the flow of the gas does not disturb, solidified organic metal adheres to the substrate 3.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】このように、大気中で
成膜を行うことができるキャリアガス法では、有機金属
が凝固して成膜対象物に付着するということがあり、そ
れを確実に防止することができなかった。
As described above, in the carrier gas method capable of forming a film in the atmosphere, the organic metal may be solidified and adhere to the object to be formed. Could not be prevented.

【0013】この発明は上記事情に基づきなされたもの
で、その目的とするところは、ソ−スガスの流れを乱す
ことなく、ガス状の有機金属を成膜対象物上に凝固させ
ずに排出できるようにしたレ−ザ成膜装置を提供するこ
とにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to discharge a gaseous organic metal without solidifying it onto a film-forming object without disturbing the flow of a source gas. An object of the present invention is to provide a laser film forming apparatus as described above.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
にこの発明は、成膜対象物を覆うフ−ドと、このフ−ド
内部にガス状の有機金属を含むソ−スガスを供給する供
給手段と、上記フ−ド内部に供給されたソ−スガスを可
視レ−ザ光で局所的に熱分解して上記成膜対象物に金属
膜を形成するレ−ザ照射手段と、上記フ−ド内に供給さ
れ上記可視レ−ザ光と未反応のソ−スガスを排出する排
出手段と、上記フ−ドに設けられ上記排出手段によって
排出される未反応のソ−スガスに含まれる有機金属が凝
固するのを防止する加熱手段とを具備したことを特徴と
する。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a hood for covering an object to be formed and a source gas containing a gaseous organic metal inside the hood. Supply means; laser irradiation means for locally thermally decomposing the source gas supplied into the hood with visible laser light to form a metal film on the film-forming target; Discharge means for supplying the visible laser light and unreacted source gas which are supplied into the hood, and organic substances contained in the unreacted source gas provided on the hood and discharged by the discharge means. Heating means for preventing solidification of the metal.

【0015】[0015]

【作用】上記構成によれば、フ−ド内に流出した未反応
のソ−スガスは、上記フ−ドに設けられた加熱手段によ
って加熱されるから、そのソ−スガスに含まれる有機金
属が凝固されることなく排出される。
According to the above construction, the unreacted source gas flowing into the hood is heated by the heating means provided on the hood, so that the organic metal contained in the source gas is not heated. Excreted without coagulation.

【0016】[0016]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図1を参照して
説明する。なお、図2と図3に示す構成と同一部分には
同一記号を付して説明を省略する。すなわち、この発明
は、図3に示す構成と同様、基板3がフ−ド21によっ
て覆われている。このフ−ド21の外面、ソ−スガスを
ノズル体4に供給する供給管9および未反応のソ−スガ
スを回収する排気管22は、たとえばシ−ト状の樹脂に
発熱体を埋め込んだ加熱ヒ−タ21a、9a,22aに
よって被覆され、50〜200℃に加熱されるようにな
っている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. The same components as those shown in FIGS. 2 and 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. That is, in the present invention, the substrate 3 is covered with the hood 21, similarly to the configuration shown in FIG. The outer surface of the hood 21, the supply pipe 9 for supplying the source gas to the nozzle body 4 and the exhaust pipe 22 for collecting the unreacted source gas are heated, for example, by embedding a heating element in a sheet-like resin. It is covered with heaters 21a, 9a and 22a and is heated to 50 to 200 ° C.

【0017】一端をフ−ド21に接続した上記排気管2
2の他端は排気トラップ31に接続されている。この排
気トラップ31はフィルタ32によって内部が上下に仕
切られている。上記排気管22の他端は上記フィルタ3
2の下部空間に連通し、上部空間には一端を排気ポンプ
33に連通させた下流側排気管34の他端が接続されて
いる。
The exhaust pipe 2 having one end connected to the hood 21
The other end of 2 is connected to an exhaust trap 31. The inside of this exhaust trap 31 is vertically partitioned by a filter 32. The other end of the exhaust pipe 22 is connected to the filter 3
The lower space 2 is connected to the lower space, and the upper space is connected to the other end of the downstream exhaust pipe 34 having one end connected to the exhaust pump 33.

【0018】上記排気トラップ31は電子冷却素子35
によって室温以下に冷却される。それによって、排気ト
ラップ31内に流入した未反応のソ−スガスに含まれる
有機金属が凝固して回収される。ソ−スガスに含まれる
有機金属としては、多少毒性を有するNiカルボニルや
Coカルボニルがあり、これらのものは廃棄処理され、
Ptカルボニルなどの高価な有機金属は再利用される。
The exhaust trap 31 is provided with an electronic cooling element 35.
Is cooled below room temperature. Thereby, the organic metal contained in the unreacted source gas flowing into the exhaust trap 31 is solidified and recovered. As organic metals contained in the source gas, there are Ni carbonyl and Co carbonyl which are somewhat toxic, and these are discarded.
Expensive organometallics such as Pt carbonyl are recycled.

【0019】上記下流側排気管34の中途部には流量制
御弁36が設けられている。この流量制御弁36の開度
とレ−ザ発振器13の作動とは制御部37によって同期
して制御されるようになっている。
A flow control valve 36 is provided in the middle of the downstream exhaust pipe 34. The opening of the flow control valve 36 and the operation of the laser oscillator 13 are controlled by a control unit 37 in synchronization.

【0020】つまり、制御部37にスタ−ト信号を入力
すると、その入力信号が入力されてから所定時間経過し
た後、レ−ザ発振器13が作動するようになっている。
レ−ザ発振器13が作動するまでは流量制御弁36が全
開にされ、フ−ド21内がソ−スガスによってパ−ジさ
れる。レ−ザ発振器13が作動して成膜が行われるとき
には、流量制御弁36の開度が絞られ、排気によりソ−
スガスの流れが乱されるのが防止される。このときの排
気流量としては5〜20LM程度がよい。ついで、成膜
が終了してレ−ザ発振器13が停止すると、流量制御弁
36が全開となり、フ−ド21内に残留するソ−スガス
を一気に排気する。
That is, when a start signal is input to the control unit 37, the laser oscillator 13 is operated after a predetermined time has passed since the input signal was input.
Until the laser oscillator 13 is operated, the flow control valve 36 is fully opened, and the inside of the hood 21 is purged by the source gas. When the laser oscillator 13 operates to form a film, the opening of the flow rate control valve 36 is reduced, and the source is exhausted.
The gas flow is prevented from being disturbed. The exhaust flow rate at this time is preferably about 5 to 20 LM. Then, when the laser oscillator 13 stops after the film formation is completed, the flow control valve 36 is fully opened, and the source gas remaining in the hood 21 is exhausted at once.

【0021】上記構成のレ−ザ成膜装置によって金属膜
を成膜する手順を説明する。成膜開始のスタ−ト信号が
制御部37に入力されると、流量制御弁36が全開とな
ってソ−スガスによりフ−ド21内がパ−ジされる。つ
いで、流量制御弁37の開度が絞られ、ソ−スガスがノ
ズル体4から流れを乱されることなく流出するととも
に、レ−ザ発振器13が作動してレ−ザ光Lがソ−スガ
スを照射するから、局所的な熱分解が連続的に発生して
基板3に金属膜が形成される。
A procedure for forming a metal film by the laser film forming apparatus having the above configuration will be described. When a start signal for starting the film formation is input to the controller 37, the flow control valve 36 is fully opened and the hood 21 is purged by the source gas. Then, the opening degree of the flow control valve 37 is reduced, so that the source gas flows out of the nozzle body 4 without being disturbed, and the laser oscillator 13 operates to generate the laser light L. , Local thermal decomposition occurs continuously, and a metal film is formed on the substrate 3.

【0022】成膜が終了すると、流量制御弁36が全開
となってフ−ド21内に残留するソ−スガスを一気に排
気する。その際、フ−ド21、供給管9および排気管2
2はそれぞれ加熱ヒ−タ21a、9a、22aによって
加熱されているから、これらを通って排気トッラプ31
に流入するソ−スガス中に含まれるガス状の有機金属が
凝固して基板3に付着するのが防止される。つまり、ソ
−スガスに含まれる有機金属は排気トラップ31に確実
に回収されることになる。
When the film formation is completed, the flow control valve 36 is fully opened to exhaust the source gas remaining in the hood 21 at a stretch. At this time, the hood 21, the supply pipe 9, and the exhaust pipe 2
2 are heated by the heating heaters 21a, 9a and 22a, respectively, so that the exhaust trap 31 passes therethrough.
The gaseous organic metal contained in the source gas flowing into the substrate 3 is prevented from solidifying and adhering to the substrate 3. That is, the organic metal contained in the source gas is reliably collected in the exhaust trap 31.

【0023】なお、上記一実施例ではフ−ドだけでな
く、供給管と排気管とにも加熱ヒ−タを設けたが、これ
ら供給管と排気管とには加熱ヒ−タを設けなくとも、フ
−ド内において有機金属が凝固して基板に付着するのを
防止することができる。
In the above-described embodiment, the heating heater is provided not only for the hood but also for the supply pipe and the exhaust pipe. However, the heating heater is not provided for the supply pipe and the exhaust pipe. In both cases, it is possible to prevent the organic metal from solidifying in the hood and adhering to the substrate.

【0024】また、加熱手段としてはシ−ト状のヒ−タ
に限られず、フ−ド自体を通電することで発熱する金属
で形成するようにしてもよく、その加熱手段は限定され
るものでない。
The heating means is not limited to a sheet-shaped heater, and may be made of a metal which generates heat when the hood itself is energized, and the heating means is limited. Not.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上述べたようにこの発明は、成膜対象
物をフ−ドで覆い、このフ−ド内にソ−スガスを供給し
てレ−ザ光で局所的に熱分解し、上記成膜対象物に金属
膜を成膜する装置において、上記フ−ドに加熱手段を設
けるようにした。
As described above, according to the present invention, an object to be film-formed is covered with a hood, a source gas is supplied into the hood, and the material is locally thermally decomposed by laser light. In the apparatus for forming a metal film on the object to be formed, a heating means is provided on the hood.

【0026】そのため、フ−ド内に残留する未反応のソ
−スガスに含まれるガス状の有機金属が、フ−ド内から
排出される前に外気で冷やされて凝固するということが
なくなるから、有機金属が塵埃となって成膜対象物に付
着するのを防止できる。
Therefore, the gaseous organic metal contained in the unreacted source gas remaining in the hood will not be cooled by the outside air and solidified before being discharged from the hood. In addition, it is possible to prevent the organic metal from becoming dust and adhering to the film formation target.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施例のレ−ザ成膜装置を示す構
成図。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a laser film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来のレ−ザ成膜装置を示す構成図。FIG. 2 is a configuration diagram showing a conventional laser film forming apparatus.

【図3】同じく従来の他の構成のレ−ザ成膜装置を示す
構成図。
FIG. 3 is a structural view showing a laser film forming apparatus having another conventional structure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

8…リザ−バ(供給手段)、10…マスフロ−コントロ
−ラ(供給手段)、13…レ−ザ発振器(レ−ザ照射手
段)、21…フ−ド、21a…加熱ヒ−タ(加熱手
段)、22…排気管(排気手段)、33…排気ポンプ
(排気手段)、37…流量制御弁(排気手段)。
8 reservoir (supply means), 10 mass flow controller (supply means), 13 laser oscillator (laser irradiation means), 21 hood, 21a heating heater (heating) Means), 22: exhaust pipe (exhaust means), 33: exhaust pump (exhaust means), 37: flow control valve (exhaust means).

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 H01L 21/285 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) C23C 16/00-16/56 H01L 21/205 H01L 21/285

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 成膜対象物を覆うフ−ドと、このフ−ド
内部にガス状の有機金属を含むソ−スガスを供給する供
給手段と、上記フ−ド内部に供給されたソ−スガスを可
視レ−ザ光で局所的に熱分解して上記成膜対象物に金属
膜を形成するレ−ザ照射手段と、上記フ−ド内に供給さ
れ上記可視レ−ザ光と未反応のソ−スガスを排出する排
出手段と、上記フ−ドに設けられ上記排出手段によって
排出される未反応のソ−スガスに含まれる有機金属が凝
固するのを防止する加熱手段とを具備したことを特徴と
するレ−ザ成膜装置。
1. A hood for covering an object to be formed, a supply means for supplying a source gas containing a gaseous organic metal into the hood, and a source supplied to the inside of the hood. Laser irradiation means for locally thermally decomposing a laser gas with visible laser light to form a metal film on the object to be film-formed, and supplied to the hood and unreacted with the visible laser light And a heating means provided on the hood for preventing the organic metal contained in the unreacted source gas discharged by the discharge means from solidifying. A laser film forming apparatus.
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