JP4865176B2

JP4865176B2 - CVD source material recovery apparatus and recovery method

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Publication number: JP4865176B2
Application number: JP2001302576A
Authority: JP
Inventors: 義貴斉藤; 昊油谷; 和久小野沢; 俊哉神元; 晃日置
Original assignee: Adeka Corp
Current assignee: Adeka Corp
Priority date: 2001-09-28
Filing date: 2001-09-28
Publication date: 2012-02-01
Anticipated expiration: 2021-09-28
Also published as: JP2003105543A; KR20030027702A; KR100902526B1

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化学的気相成長（以下、「ＣＶＤ」と記載する）装置からの排ガス中に含まれるＣＶＤソース物質を回収するための装置、及びこれを用いたＣＶＤソース物質回収方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造プロセス等で用いられる薄膜の形成方法の１つに、ＣＶＤ法がある。ＣＶＤ法は、形成させようとする薄膜材料を構成する元素からなる１種または２種以上の化合物（ソース物質）のガスを基板上に供給し、気相または基板表面での化学反応(例えば高温中で熱分解、酸化、還元、重合、気相化合反応等)により所望の薄膜を基板上に沈着、形成させる方法である。
ＣＶＤ法は化学反応であるため、非常に広範囲かつ多様な物質の薄膜形成が可能であり、また、種々の気体反応材料の組み合わせにより、自由な組成の制御が可能となり、今までに知られていなかった全く新しい構造・組成の薄膜を合成することができ、しかも、それらの物質の融点よりも充分に低い温度で薄膜を形成できる方法である。
【０００３】
しかし、ＣＶＤ装置からの排ガスには、薄膜形成に寄与しなかった未反応のソース物質やその溶剤等のガス或いはそのミスト、形成薄膜からの粉塵、成膜過程において副生するアルコール、アルデヒド等が含まれ、排ガス中のこれらの成分は有害なものが多く、大気中にそのまま排出することは人体及び環境に悪影響を及ぼす恐れがあるために禁止されている。
このためＣＶＤ排ガスを処理するためＣＶＤ排ガスの排出装置にフィルター装置を設置することがおこなわれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＣＶＤ排ガスには上記のように形成薄膜からの粉塵や未反応のソース物質やその溶剤等のガス或いはそのミストが含まれており、特にソース物質が粘度の高い物質であると、単にフィルターでこれらを捕集しようとしたとき、粉塵とソース物質（ガス状のソース物質等はフィルタ中で液化する）等が複合して目詰まりを起こし、短時間のうちに圧力損失が増大して排気効率が著しく悪化するため頻繁なフィルターの交換が必要であり、実用的ではなかった。
また、フィルターの空隙率を増大させて目詰まりを抑制しようとすると、粉塵のなかの微粒子粉塵や、有害物質の一部がフィルターを通過してしまい実用的ではなかった。
従って、本発明の目的は、圧力損失の増大が無いか又は極軽微であるにもかかわらず、ＣＶＤ排ガス中の未反応のＣＶＤソース物質を効率的に捕集・回収することのできる、ＣＶＤソース物質回収装置、及びこれを用いたＣＶＤソース物質回収方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記に鑑み鋭意研究の結果、本発明に到達した。即ち、本発明は、ＣＶＤ装置と排気ポンプの間にフィルタ装置を設けた、ＣＶＤソース物質回収装置において、該フィルタ装置内のフィルタがアクリロニトリル単位を５０重量％以上含有しイオン性基を０．１〜６．０ｍｍｏｌ／ｇ含有するアクリロニトリル系重合体により形成された繊維の集合体からなるものであり、且つ、フィルタの空隙率が７０〜９９％であり、フィルタ孔径の異なる複数の層を積層したものであることを特徴とするＣＶＤソース物質回収装置を提供するものである。
好ましくは、本装置は、フィルタ装置内若しくはフィルタ装置下側に液溜器を設けた上記ＣＶＤソース物質回収装置を提供するものである。
【０００６】
また、本発明は、上記のＣＶＤソース物質回収装置を用いて、フィルタ或いは、フィルタ及び液溜器にＣＶＤソース物質を捕集し、ここからＣＶＤソース物質を回収する事を特徴とする、ＣＶＤソース物質回収方法である。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明に使用するフィルタは、アクリロニトリル単位を５０重量％以上含有しイオン性基を０．１〜６．０ｍｍｏｌ／ｇ含有するアクリロニトリル系重合体により形成された繊維の集合体からなるものである。
含有するイオン性基としては、カチオン性基単独でもアニオン性基単独でも、これらを組み合わせてもよいが、好ましくは、カチオン性基単独でないものが良く、より好ましくは、イオン性基中の割合としてカチオン性基０〜３０％、アニオン性基１００〜７０％がよい。
イオン性基を含有する繊維としては、イオン性基の含有量が０．１〜６．０ｍｍｏｌ／ｇである限りいかなる方法で製造しても差しつかえないが次の方法が好適に使いられる。
【０００８】
アニオン性基を含有する繊維としては特公昭６２−６２１８１号に記載されている方法が好適である。すなわち、出発アクリル系繊維としてはアクリロニトリル（以下、ＡＮという）を５０重量％以上含有するＡＮ系重合体により形成された繊維であり形態は短繊維、トウ、不織布等いずれでもかまわない。該ＡＮ系繊維にアニオン性基を付与する方法として、アルカリ加水分解によってニトリル基（以下、ＣＮ基という）をカルボキシル基に変成するものである。
【０００９】
ここで加水分解処理する時のアルカリ金属水酸化物水溶液濃度は６．０ｍｏｌ／１０００ｇ以上であって、使用する金属水酸化物としては、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ等のアルカリ金属類の水酸化物もしくはそれ等の混合物を挙げることができる。又、アルカリ金属水酸化物水溶液の処理量は該繊維１重量部に対し４重量部以上使用することが望ましい。なお、以上のアルカリ金属水酸化物水溶液を作用せしめる際の温度条件或いは処理時間等反応条件としては、該繊維の供試形態、結晶性等重合体の微細構造或いはアルカリ金属水酸化物水溶液濃度等により好適条件範囲が異なるため、一義的に規定することは不可能であるが、一般には高温下に作用させる程反応速度は増大し処理効果を有利に達成し得ることから、好ましくは８０℃以上の温度条件を使用することが望ましい。なお、ここで言うアニオン性基とは、水性媒体中において電離し陰イオンとなる性質を有するものでカルボキシル基の他に、例えばスルホン酸基、リン酸基などがある。
【００１０】
カチオン性基を含有する繊維としては文献 Stela Dragan,G.Grigoriu,Die Angewandte Makromolekulare Chemie 200 (1992)27-36 に記載されている方法が好適である。すなわち、ＡＮを５０重量％以上含有するＡＮ系繊維にアミノ基を含有する薬剤を処理することによってＣＮ基との反応でアミノ基を付与するものである。ここでのアミノ化処理の浴条件はｍｏｌ濃度比でＨ₂ Ｏ／ＣＮ基＝２／１、アミン／ＣＮ基＝５／１、処理温度＝１０８℃、処理時間＝２〜１５時間である。
【００１１】
薬剤としては、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１，２−ジアミノエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１，３−ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−１，３−ジアミノプロパンなどを挙げることができる。なお、ここで言うカチオン性基とは水性媒体中において電離し陽イオンとなる性質を有するもので、例えばアミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、４級アンモニウム基などがある。
【００１２】
該フィルターに使用される繊維のイオン性基含有量は一般に０．１〜６．０ｍｍｏｌ／ｇ、好ましくは１．０〜５．５ｍｍｏｌ／ｇが好適である。なお、イオン性基が０．１ｍｍｏｌ／ｇ未満の場合は本発明の効果が発現しにくい。６．０ｍｍｏｌ／ｇを超える場合は繊維としての引っ張り強度が弱くなりフィルター等の加工性が悪化することとなる。
【００１３】
本発明は、以上のようなイオン性基を含有する繊維を常法により集合体としたものであり、繊維を集合体とする方法は特に限定されないが、フィルタの空隙率が７０〜９９％、好ましくは８０〜９７％となるようにする必要がある。
空隙率が上記未満であると、フィルターにＣＶＤソース物質等を捕集しようとしたとき目詰まりを起こし、短時間のうちに圧力損失が増大して排気効率が著しく悪化する。一方、空隙率が上記を超えると、捕集機能が著しく低下し、上記したようなイオン性基を有する繊維をもってしてもＣＶＤソース物質等を効果的に捕集することができない。
【００１４】
なお、本発明においては単にフィルターの密度は重要ではなく、空隙率が上記の通りであればよいので、使用する繊維自体の密度を種々選択することによって、空隙率を上記の範囲としながら広範なフィルター密度の種々のフィルターを使用することができ、使用目的、使用環境に応じて種々選択することができる。
本発明に使用するフィルターは、空隙率が上記の通りでることに加えて、更にフィルタ孔径が不均一であることが好ましい。不均一であることの好ましい理由は定かではないが、捕集物質がフィルタ内の一定の層に集中しないため目詰まりを起こし難いと考えられる。
【００１５】
フィルタ孔径の不均一さは、少なくとも、ＣＶＤ排ガス流に平行方向に不均一であればよく、ＣＶＤ排ガス流に垂直方向には必ずしも不均一である必要はない。
ＣＶＤ排ガス流に対する平行方向、垂直方向いずれにも不均一である（等方的に不均一）構造は、例えば、公知の技術により製造される３次元不織布構造をとるフィルタ材料を使用することで得ることができる。
また、ＣＶＤ排ガス流に垂直方向には不均一でなく、平行方向に不均一なフィルタは、例えば、フィルタ孔径の異なる複数のフィルタを積層して得ることができる。勿論、積層する個々のフィルタが等方的に不均一であっても差し支えないが、個々のフィルタの不均一さが同様では、全体として等方的に不均一な上記の場合と何ら違いが無いので、この場合好ましくは、フィルタ孔径の分散が小さい範囲で等方的に不均一で、平均のフィルタ孔径の異なる複数のフィルタを積層することが好ましい。
【００１６】
また、フィルタ孔径の不均一さの程度は、上記等方的に不均一なフィルタ、或いは積層フィルタの何れの場合も、ＣＶＤ排ガス流に平行方向でのフィルタ孔径の平均が１００〜８００μｍであり、その標準偏差が１５０〜３５０μｍ、好ましくはフィルタ孔径の平均が１５０〜５００μｍであり、その標準偏差が１７０〜３１０μｍの範囲にあることが、より目詰まりを起こし難い点で好ましいものである。
【００１７】
本発明のＣＶＤソース物質回収装置は、ＣＶＤ装置と排気ポンプの間に、上記特定のフィルタを用いたフィルタ装置を設けることによりＣＶＤソース物質を効果的に捕集し回収することのできるものである。
本発明のＣＶＤソース物質回収装置は、好ましくは、ＣＶＤ装置とフィルタ装置の間の配管にヒーターが設置されていることがよい。
これは、ＣＶＤソース材料は通常加熱されてガス化されているので、ＣＶＤ装置からの排ガスが室温などの比較的低温の配管に排出された場合、フィルタ装置へ到達する以前に液化し効果的に回収することができない場合があるからである。
【００１８】
本発明のＣＶＤソース物質回収装置は、フィルタ装置内若しくはフィルタ装置下側に液溜器を設けることが好ましいものである。即ち、上記フィルタを使用した本発明の装置を用いてＣＶＤソース物質の捕集を続けると、液体のＣＶＤソース物質、若しくは溶剤に溶解したＣＶＤソース物質を含む液体がフィルタ上に包含しきれずに滴下する。該フィルタはこれら液体を包含しきれなくなっても捕集能力には変化ないので、捕集を続けるだけフィルタの下部に、液体のＣＶＤソース物質、若しくは溶剤に溶解したＣＶＤソース物質を含む液体が溜まることとなる。従って、フィルタ装置内のフィルタ下部位置に液溜器を設けることによりフィルタの含液能力以上のＣＶＤソース物質を、フィルタ交換なしに回収することを可能にするものである。フィルタ下部位置の液溜器としては、単に、フィルタ下部を空間部とするだけでも良い。
【００１９】
また、液溜器をフィルタ装置の下側に設け、フィルタから滴下したＣＶＤソース物質等を該液溜器に導入するように構成することもでき、このようにするとフィルタ交換を長期にわたり不要とするだけでなく、液溜器の容量を超える量のＣＶＤソース物質を捕集しても、ＣＶＤ装置の運転を停止することなく液溜器の交換のみを行うことによりＣＶＤソース物質の捕集を継続することができるので、より好ましいものである。
【００２０】
本発明のＣＶＤソース物質回収装置における、フィルタの形状、フィルタ装置の構造等は特に限定されるものではなく、公知のものを採用することができるが、一例としての具体例は、後述の本発明のＣＶＤソース物質回収方法の説明中に記載する。また、上記液溜器の構成についても、上記機能を有していればよく特に限定されるものではなく、任意の構成とすることができるが、一例としての具体例は、後述の本発明のＣＶＤソース物質回収方法の説明中に記載する。
【００２１】
以下、本発明のＣＶＤソース物質回収方法について説明する。
図１は、本発明のＣＶＤソース物質回収装置の模式図である。（１）はＣＶＤ装置であり、（２）はフィルター装置であり、（３）は排気ポンプである。フィルタ装置内のフィルタはアクリロニトリル単位を５０重量％以上含有しイオン性基を０．１〜６．０ｍｍｏｌ／ｇ含有するアクリロニトリル系重合体により形成された繊維の集合体からなるものであり、且つ、フィルタの空隙率が７０〜９９％となっている。
【００２２】
ＣＶＤ装置（１）のＣＶＤ排ガス排出口より排出されたＣＶＤ排ガスは、配管を通ってフィルタ装置（２）へ導かれる。フィルタ装置（２）内にはフィルタが設置してあり、ＣＶＤ排ガス中の未反応のソース物質、その溶剤、粉塵等がフィルターに捕集され、排気ポンプ（３）から系外に排出される。また、低沸点溶媒や、ソース物質の分解物（水、炭酸ガス、配位子成分等）などのガス状物質が含まれる場合など、任意に排気ポンプ（３）以降に除害設備を設けることもできる（ここでは図示を省略）。
【００２３】
図２は、図１に於けるフィルタ装置の構造を表す模式図である。フィルタ装置（２）内には円筒形のフィルタ（７）が設置されておりＣＶＤ装置（１）から排出された排ガスは円筒形のフィルタ（７）の中心部に向かって流れ、排気ポンプ（３）に導かれる構成となっている。
フィルタ（７）にはＣＶＤ排ガス中の未反応のソース物質、その溶剤、粉塵等が捕集されるので、適宜フィルター（７）をフィルタ装置（２）から取り出して常法により処理してＣＶＤソース物質を回収することができる。
【００２４】
図３は、図１に於ける他のフィルタ装置の構造を表す模式図である。図３は、フィルタ装置（２）において、フィルタ（７）の下部に空間部を設け、ここを液溜器としている点で図２と異なるものである。
フィルタ（７）に捕集されたＣＶＤソース物質等の量が、フィルタ（７）の保液能力を超えるとフィルタ（７）の下部に滴下するので、フィルタ装置（２）の下部空間、即ち液溜器に捕集物（８）が貯留されることとなる。
適宜、液溜器から捕集物（８）、及びフィルター（７）をフィルタ装置（２）から取り出して常法により処理してＣＶＤソース物質を回収することができる。
【００２５】
図４は、フィルタ装置（２）の下側（下部）に、別途液溜器（４）を設けた点で図１と異なる構成である。フィルタ装置（２）で捕集されたＣＶＤソース物質等は、フィルタ装置（２）下側（下部）の液溜器（４）に貯留される。
【００２６】
図５は、このようなフィルタ装置と液溜器の構成を示す模式図である。フィルタ装置（２）の下側（下部）にはバルブ（９）を介して液溜器（４）が接続されている。フィルタ（７）でＣＶＤソース物質等を捕集時にはバルブ（９）は開放にしておくと、フィルタ（７）の保液能力を超えるとフィルタ（７）の下部に滴下するので、バルブ（９）を通って捕集物（８）は液溜器（４）に貯留される。
捕集物（８）が液溜器（４）の容量に満ちてきたら、バルブ（９）を閉じ、液溜器（４）の交換、あるいは液溜器（４）を切り離して捕集物（８）を回収したのち該液溜器（４）を再装填し、再度バルブ（９）を開放することにより、ＣＶＤ装置を停止させずとも捕集物（８）を回収することができ、常法によりＣＶＤソース物質を効率的に回収することができる。
【００２７】
図６は、液溜器（４）をフィルタ装置（２）の下側ではあるが、ＣＶＤ装置（１）の下部に設けた例である。この場合のフィルタ装置及び液溜器の構成を示す模式図が図７である。
ＣＶＤ装置（１）からの排ガスをフィルタ装置（２）に導く配管は、一部、フィルタ装置（２）から液溜器（４）へ捕集物（８）を導く配管と共用している例である。
図８〜図１０は、ＣＶＤ装置（１）から２系統の回収装置を接続してある例である。ＣＶＤ装置（１）内にはソース材料の気化器（５）及び反応器(チャンバ）（６）が含まれている。気化器（５）でソース材料はガス化されて反応器（６）へ送られ、反応器（６）でＣＶＤ反応に供される。ＣＶＤ装置（１）からの排ガスは、反応器（６）から排出されるものと、反応器（６）内でのＣＶＤ反応の安定化のための調節として、気化器（５）から分流され反応器（６）を迂回して排出されるものとがある場合があり、図８〜１０の構成はこのような場合に使用される。
【００２８】
なお、これらの図では記載を省略したが、何れの図に表された装置においても、ＣＶＤ装置のＣＶＤ排ガス排出口とフィルタ装置の間の配管にヒーターが設置されていることが好ましいことは上記の通りである。
【００２９】
本発明のＣＶＤソース物質回収装置及びＣＶＤソース物質回収方法は、一般に高沸点タイプと言われるＣＶＤソース物質の回収に特に有用なものであり、例えば、トリス（２，４−オクタンジオナト）ルテニウム、トリス（６−メチルへプタン−２，４−ジオナト）ルテニウム、トリス（５−メチルヘプタン−２，４−ジオナト）ルテニウム、トリス（３−メチルデカン−４，６−ジオナト）ルテニウム、トリス（２，２，６−トリメチルオクタン−３，５−ジオナト）ルテニウム、トリス（２，６−ジメチルノナン−３，５−ジオナト）ルテニウム、トリス（３−メチルノナン−４，６−ジオナト）ルテニウム、トリス（６−メチルオクタン−３，５−ジオナト）ルテニウム、トリス（３，８−ジメチルノナン−４，６−ジオナト）ルテニウム、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ルテニウム、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウム、シクロペンタジエニル（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ルテニウム、シクロペンタジエニル（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム、ビス（２，４−オクタンジオナト）白金、トリメチル（メチルシクロペンタジエニル）白金、トリメチル（エチルシクロペンタジエニル）白金、ジメチル（１，５−シクロオクタジエン）白金、メチルシクロペンタジエニル（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム、エチルシクロペンタジエニル（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム、ビス（６−エチル−２，２−ジメチル−３，５−デカンジオナト）銅、ビス（１−（２−メトキシ−エトキシ）−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）バリウム、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）バリウム、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム、ビス（１−（２−メトキシ−エトキシ）−２，２，６，６，−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム、テトラキス（１−メトキシ−２−メチル−２−プロポキシ）ハフニウム、テトラキス（１−メトキシ−２−メチル−２−プロポキシ）ジルコニウム、テトラキス（１−（２−メトキシ−エトキシ）−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ジルコニウム、テトラキス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ジルコニウム、トリス（１−メトキシ−２−メチル−２−プロポキシ）ビスマス、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ビスマス、ビス（１−（２−メトキシ−エトキシ）−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）鉛、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）鉛、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）（２−メチル−２，４−ペンタンジオキシ）チタニウム等のＣＶＤソース物質の回収に有用なものである。
【００３０】
ＣＶＤソース物質が高沸点タイプの材料である場合、ソース物質を有機溶剤に溶解して使用される場合が多い。ここで用いられる有機溶剤は、特に限定されるものではないが、例えば、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール等のアルコール類、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシエチル等の酢酸エステル類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテルアルコール類、テトラヒドロフラン、グライム、ジグライム、トリグライム、ジブチルエーテル等のエーテル類、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、エチルブチルケトン、ジプロピルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン類、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、トルエン、キシレン等の炭化水素が挙げられ、溶質の溶解性、使用温度と沸点、引火点の関係などによって適宜選定されるが、特にテトラヒドロフラン、グライム、ジグライム等のエーテル類が錯体の安定化効果もあり好ましく用いられる。
【００３１】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって更に説明するが、これらに限定されるものではない。なお、実施例１は参考例である。
〔実施例１〕
アクリロニトリル単位を８５重量％含有し、イオン性基としてアニオン性基（カルボキシル基）を０．５ｍｍｏｌ／ｇ、カチオン性基（アミノ基）を４．５ｍｍｏｌ／ｇ含有する重合体により形成された繊維の集合体からなる円筒形フィルタ（外径１８０ｍｍ、内径５０ｍｍ、長さ１３０ｍｍ、空隙率が９１．５％、平均孔径３５０μｍ、標準偏差２５０μｍ）を使用して図７のようにフィルタ装置及び液溜器を構成し、２系統の回収装置共に同様のフィルタ装置及び液溜器を接続し、図１０と同様の構成のＣＶＤソース物質回収装置を構成し、ＣＶＤ装置を使用して以下の表１の条件でＣＶＤ法により、シリコンウェーハー基板上にメタル薄膜を形成させ、発生するＣＶＤ排ガスからＣＶＤソース物質を回収した。
【００３２】
【表１】

【００３３】
その結果、２系統の排ガス回収物の合計として、フィルタ中には２２．２ｇの、液溜器には１６４．２ｇのＣＶＤソース物質が回収された。但し、プロセス排ガス中に含まれるＲｕメタル量はソース物質重量に換算して上記回収量に含まれる。薄膜形成により消費されたＣＶＤソース材料は約１％と推定されるので、ＣＶＤソース材料の回収率は９５．２％であった。
【００３４】
〔実施例２〕
フィルタには、実施例１で使用した繊維を用い、同様の外径、内径、長さの円筒形フィルタとしたが、空隙率及び孔径分布の異なる２層からなるフィルタ（外側層は空隙率が９１．５％、平均孔径３５０μｍ、標準偏差２５０μｍ、厚さ３５ｍｍ、内側層は空隙率が８６．４％、平均孔径２００μｍ、標準偏差２３５μｍ、厚さ３０ｍｍ、２層フィルタ全体としては空隙率が８９．９％、平均孔径３００μｍ、標準偏差２５０μｍ）を使用して、実施例１と同様に実施した。
その結果、２系統の排ガス回収物の合計として、フィルタ中には２３．１ｇの、液溜器には１６４．５ｇのＣＶＤソース物質が回収された。但し、プロセス排ガス中に含まれるＲｕメタル量はソース物質重量に換算して上記回収量に含まれる。薄膜形成により消費されたＣＶＤソース材料は約１％と推定されるので、ＣＶＤソース材料の回収率は９５．８％であった。
【００３５】
【発明の効果】
本発明は上記のように構成したので、圧力損失の増大が無いか又は極軽微であるにもかかわらず、ＣＶＤ排ガス中の未反応のＣＶＤソース物質を効率的に捕集・回収することのできる、ＣＶＤソース物質回収装置、及びこれを用いたＣＶＤソース物質回収方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＣＶＤソース物質回収装置の模式図である。
【図２】図１に於けるフィルタ装置の構造を表す模式図である。
【図３】図１に於ける他のフィルタ装置の構造を表す模式図である。
【図４】フィルタ装置（２）の下側（下部）に、別途液溜器（４）を設けた点で図１と異なる構成である。
【図５】フィルタ装置と液溜器の構成を示す模式図である。
【図６】液溜器（４）をフィルタ装置（２）の下側ではあるが、ＣＶＤ装置（１）の下部に設けた例である。
【図７】液溜器（４）をフィルタ装置（２）の下側ではあるが、ＣＶＤ装置（１）の下部に設けた例を示す模式図である。
【図８】ＣＶＤ装置（１）から２系統の回収装置を接続してある例である。
【図９】ＣＶＤ装置（１）から２系統の回収装置を接続してある他の例である。
【図１０】ＣＶＤ装置（１）から２系統の回収装置を接続してある他の例である。
【符号の説明】
１ＣＶＤ装置
２フィルター装置
３排気ポンプ
４液溜器
５気化器
６反応器
７フィルター
８捕集物
９バルブ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an apparatus for recovering a CVD source material contained in exhaust gas from a chemical vapor deposition (hereinafter referred to as “CVD”) apparatus, and a CVD source material recovery method using the apparatus. is there.
[0002]
[Prior art]
One method for forming a thin film used in a semiconductor manufacturing process or the like is a CVD method. In the CVD method, a gas of one or more compounds (source materials) composed of elements constituting a thin film material to be formed is supplied onto a substrate, and a chemical reaction (for example, high temperature) on the gas phase or the substrate surface is performed. Among them, a desired thin film is deposited and formed on a substrate by thermal decomposition, oxidation, reduction, polymerization, gas phase compounding reaction, etc.).
Since the CVD method is a chemical reaction, it is possible to form a thin film of a very wide variety of substances, and the composition can be freely controlled by a combination of various gas reaction materials. In this method, a thin film having a completely new structure / composition can be synthesized, and the thin film can be formed at a temperature sufficiently lower than the melting point of these substances.
[0003]
However, the exhaust gas from the CVD apparatus includes unreacted source material that has not contributed to the formation of the thin film, gas such as its solvent, or its mist, dust from the formed thin film, alcohol, aldehyde, etc. by-produced during the film formation process. These components contained in the exhaust gas are often harmful and are not allowed to be discharged into the atmosphere as they may adversely affect the human body and the environment.
For this reason, in order to process CVD exhaust gas, installing a filter apparatus in the exhaust apparatus of CVD exhaust gas is performed.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, as described above, the CVD exhaust gas contains dust from the formed thin film, unreacted source material, gas such as a solvent thereof, or mist thereof, and if the source material is a substance having a high viscosity, it is simply filtered. When trying to collect them, dust and source material (gaseous source material liquefies in the filter, etc.) are combined to cause clogging, increasing pressure loss within a short time and exhausting. Since the efficiency significantly deteriorated, frequent filter replacement was necessary, which was not practical.
In addition, when trying to suppress clogging by increasing the porosity of the filter, fine particles in the dust and a part of harmful substances pass through the filter, which is not practical.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a CVD source capable of efficiently collecting and recovering unreacted CVD source material in a CVD exhaust gas even though there is no increase in pressure loss or is extremely slight. It is an object of the present invention to provide a material recovery apparatus and a CVD source material recovery method using the same.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have reached the present invention as a result of intensive studies in view of the above. That is, the present invention is a CVD source material recovery device in which a filter device is provided between a CVD device and an exhaust pump, wherein the filter in the filter device contains 50% by weight or more of acrylonitrile units and 0.1% of ionic groups. ~6.0mmol / g is made of a fiber aggregate formed by acrylonitrile polymer containing, and the porosity of the filter Ri 70% to 99% der, stacking a plurality of layers having different filter pore sizes The present invention provides a CVD source material recovery apparatus characterized by the above.
Preferably, the apparatus is to provide the CVD source material recovery device provided with a liquid reservoir unit into the filter device or filter device bottom.
[0006]
Further, the present invention is a CVD source characterized in that the CVD source material is collected in a filter or a filter and a reservoir using the above-mentioned CVD source material recovery apparatus, and the CVD source material is recovered therefrom. It is a substance recovery method.
[0007]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The filter used in the present invention is composed of an aggregate of fibers formed of an acrylonitrile-based polymer containing 50% by weight or more of acrylonitrile units and 0.1 to 6.0 mmol / g of ionic groups.
The ionic group to be contained may be a cationic group alone or an anionic group alone, or a combination thereof, but is preferably not a cationic group alone, more preferably as a proportion in the ionic group. The cationic group is preferably 0 to 30% and the anionic group is 100 to 70%.
As the fiber containing an ionic group, it can be produced by any method as long as the content of the ionic group is 0.1 to 6.0 mmol / g, but the following method is preferably used.
[0008]
As the fiber containing an anionic group, the method described in JP-B-62-62181 is suitable. That is, the starting acrylic fiber is a fiber formed of an AN polymer containing 50% by weight or more of acrylonitrile (hereinafter referred to as AN), and the form may be any of short fiber, tow, non-woven fabric, and the like. As a method for imparting an anionic group to the AN fiber, a nitrile group (hereinafter referred to as a CN group) is converted to a carboxyl group by alkaline hydrolysis.
[0009]
Here, the concentration of the aqueous alkali metal hydroxide solution during the hydrolysis treatment is 6.0 mol / 1000 g or more, and the metal hydroxide to be used is a hydroxide of an alkali metal such as Na, K, Li or the like. Mention may be made of mixtures thereof. Further, it is desirable that the amount of the alkali metal hydroxide aqueous solution be 4 parts by weight or more with respect to 1 part by weight of the fiber. The reaction conditions such as the temperature condition or the treatment time when the above alkali metal hydroxide aqueous solution is allowed to act are the test form of the fiber, the fine structure of the polymer such as crystallinity, the concentration of the alkali metal hydroxide aqueous solution, etc. However, since the reaction rate increases and the treatment effect can be advantageously achieved as it acts at a high temperature, it is preferably 80 ° C. or higher. It is desirable to use the following temperature conditions. The anionic group referred to here has a property of ionizing in an aqueous medium to become an anion, and includes, for example, a sulfonic acid group and a phosphoric acid group in addition to a carboxyl group.
[0010]
As the fiber containing a cationic group, the method described in the literature Stela Dragan, G. Grigoriu, Die Angewandte Makromolekulare Chemie 200 (1992) 27-36 is preferable. That is, an amino group is imparted by a reaction with a CN group by treating a chemical containing an amino group with an AN fiber containing 50% by weight or more of AN. The bath conditions for the amination treatment here are molar ratios of H ₂ O / CN group = 2/1, amine / CN group = 5/1, treatment temperature = 108 ° C., treatment time = 2-15 hours.
[0011]
Examples of the drug include N, N-dimethyl-1,2-diaminoethane, N, N-dimethyl-1,3-diaminopropane, N, N-diethyl-1,3-diaminopropane and the like. The cationic group mentioned here has a property of ionizing in an aqueous medium to become a cation, and examples thereof include an amino group, a secondary amino group, a tertiary amino group, and a quaternary ammonium group.
[0012]
The ionic group content of the fiber used for the filter is generally 0.1 to 6.0 mmol / g, preferably 1.0 to 5.5 mmol / g. In addition, when an ionic group is less than 0.1 mmol / g, the effect of this invention is hard to express. When it exceeds 6.0 mmol / g, the tensile strength as a fiber becomes weak and the processability of a filter or the like deteriorates.
[0013]
In the present invention, the fibers containing the ionic group as described above are aggregated by a conventional method, and the method of using the fibers as an aggregate is not particularly limited, but the porosity of the filter is 70 to 99%, Preferably, it needs to be 80 to 97%.
When the porosity is less than the above, clogging occurs when trying to collect the CVD source material or the like on the filter, pressure loss increases within a short time, and exhaust efficiency is remarkably deteriorated. On the other hand, when the porosity exceeds the above, the collection function is remarkably lowered, and even if the fibers having the ionic group as described above are used, the CVD source material or the like cannot be collected effectively.
[0014]
In the present invention, the density of the filter is not important, and the porosity may be as described above. Therefore, by selecting various densities of the fibers themselves to be used, a wide range of porosity can be achieved while keeping the porosity within the above range. Various filters having a filter density can be used, and various filters can be selected depending on the purpose of use and the environment of use.
The filter used in the present invention preferably has a non-uniform filter pore diameter in addition to the porosity described above. Although the reason why the non-uniformity is preferable is not clear, it is considered that clogging is unlikely to occur because the trapping substance does not concentrate in a certain layer in the filter.
[0015]
The non-uniformity of the filter hole diameter is only required to be at least non-uniform in the direction parallel to the CVD exhaust gas flow, and is not necessarily non-uniform in the direction perpendicular to the CVD exhaust gas flow.
A structure that is non-uniform (isotropically non-uniform) in both the parallel direction and the vertical direction with respect to the CVD exhaust gas flow is obtained, for example, by using a filter material having a three-dimensional non-woven structure manufactured by a known technique. be able to.
Further, a filter that is not non-uniform in the direction perpendicular to the CVD exhaust gas flow and non-uniform in the parallel direction can be obtained by, for example, stacking a plurality of filters having different filter hole diameters. Of course, the individual filters to be laminated may be isotropically non-uniform, but if the non-uniformity of the individual filters is the same, there is no difference from the above case where the entire isotropic is non-uniform. Therefore, in this case, it is preferable to stack a plurality of filters which are isotropically nonuniform within a range in which the dispersion of filter pore diameters is small and have different average filter pore diameters.
[0016]
The degree of non-uniformity of the filter hole diameter is 100 to 800 μm in average in the direction parallel to the CVD exhaust gas flow in any of the above isotropically non-uniform filter or laminated filter. The standard deviation is 150 to 350 [mu] m, preferably the average filter pore diameter is 150 to 500 [mu] m, and the standard deviation is within the range of 170 to 310 [mu] m, because clogging is less likely to occur.
[0017]
The CVD source material recovery device of the present invention can effectively collect and recover the CVD source material by providing a filter device using the above-mentioned specific filter between the CVD device and the exhaust pump. .
In the CVD source material recovery device of the present invention, preferably, a heater is installed in a pipe between the CVD device and the filter device.
This is because, since the CVD source material is usually heated and gasified, if the exhaust gas from the CVD apparatus is discharged into a relatively low temperature pipe such as room temperature, it is effectively liquefied before reaching the filter apparatus. This is because there are cases where it cannot be recovered.
[0018]
In the CVD source material recovery apparatus of the present invention, it is preferable to provide a reservoir in the filter apparatus or on the lower side of the filter apparatus. That is, when the collection of the CVD source material is continued using the apparatus of the present invention using the filter, the liquid CVD source material or the liquid containing the CVD source material dissolved in the solvent cannot be completely contained on the filter and dropped. To do. Even if the filter cannot completely contain these liquids, the collection ability does not change. Therefore, as long as the collection is continued, a liquid containing a CVD source material in a liquid or a CVD source material dissolved in a solvent accumulates in the lower part of the filter. It will be. Therefore, by providing a liquid reservoir at the lower position of the filter in the filter device, it is possible to recover the CVD source material exceeding the liquid content of the filter without replacing the filter. As a liquid reservoir at the lower position of the filter, the lower portion of the filter may be simply a space.
[0019]
Further, a liquid reservoir can be provided on the lower side of the filter device, and a CVD source material or the like dripped from the filter can be introduced into the liquid reservoir. In addition to collecting the amount of CVD source material that exceeds the capacity of the reservoir, collection of the CVD source material is continued by only replacing the reservoir without stopping the operation of the CVD device. This is more preferable.
[0020]
In the CVD source material recovery apparatus of the present invention, the shape of the filter, the structure of the filter apparatus, etc. are not particularly limited, and known ones can be adopted, but a specific example is an example described later. It is described in the explanation of the CVD source material recovery method. Further, the configuration of the liquid reservoir is not particularly limited as long as it has the above-described function, and can be arbitrarily configured. A specific example is an example of the present invention described later. Described in the description of the CVD source material recovery method.
[0021]
Hereinafter, the CVD source material recovery method of the present invention will be described.
FIG. 1 is a schematic diagram of a CVD source material recovery apparatus of the present invention. (1) is a CVD device, (2) is a filter device, and (3) is an exhaust pump. The filter in the filter device is composed of an aggregate of fibers formed of an acrylonitrile-based polymer containing 50% by weight or more of acrylonitrile units and 0.1 to 6.0 mmol / g of ionic groups, and The porosity of the filter is 70 to 99%.
[0022]
The CVD exhaust gas discharged from the CVD exhaust gas outlet of the CVD device (1) is guided to the filter device (2) through the piping. A filter is installed in the filter device (2), and unreacted source material, its solvent, dust and the like in the CVD exhaust gas are collected by the filter and discharged out of the system from the exhaust pump (3). In addition, a detoxification facility is optionally provided after the exhaust pump (3), such as when low-boiling solvents and gaseous substances such as decomposition products of source materials (water, carbon dioxide, ligand components, etc.) are included. (The illustration is omitted here).
[0023]
FIG. 2 is a schematic diagram showing the structure of the filter device in FIG. A cylindrical filter (7) is installed in the filter device (2), and the exhaust gas discharged from the CVD device (1) flows toward the center of the cylindrical filter (7), and the exhaust pump (3 ).
Since the filter (7) collects unreacted source material, its solvent, dust, etc. in the CVD exhaust gas, the filter (7) is appropriately removed from the filter device (2) and treated in a conventional manner to obtain a CVD source. The material can be recovered.
[0024]
FIG. 3 is a schematic diagram showing the structure of another filter device in FIG. FIG. 3 is different from FIG. 2 in that in the filter device (2), a space is provided in the lower part of the filter (7) and this is used as a liquid reservoir.
When the amount of the CVD source material collected in the filter (7) exceeds the liquid retention capacity of the filter (7), it drops to the lower part of the filter (7). The collected matter (8) is stored in the reservoir.
If appropriate, the collected material (8) and the filter (7) can be taken out of the filter device (2) from the liquid reservoir and processed in a conventional manner to recover the CVD source material.
[0025]
FIG. 4 is different from FIG. 1 in that a liquid reservoir (4) is separately provided on the lower side (lower part) of the filter device (2). The CVD source material and the like collected by the filter device (2) is stored in a liquid reservoir (4) on the lower side (lower portion) of the filter device (2).
[0026]
FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration of such a filter device and a liquid reservoir. A liquid reservoir (4) is connected to the lower side (lower part) of the filter device (2) via a valve (9). When the CVD source material or the like is collected by the filter (7), if the valve (9) is left open and drops over the liquid retention capacity of the filter (7), it drops to the lower part of the filter (7). The collected matter (8) passes through and is stored in the liquid reservoir (4).
When the collected product (8) fills the capacity of the reservoir (4), the valve (9) is closed and the reservoir (4) is replaced or the reservoir (4) is disconnected and the collected product ( 8) is recovered, the reservoir (4) is reloaded, and the valve (9) is opened again, so that the collected product (8) can be recovered without stopping the CVD apparatus. The CVD source material can be efficiently recovered by the method.
[0027]
FIG. 6 shows an example in which the liquid reservoir (4) is provided on the lower side of the CVD apparatus (1) although it is below the filter apparatus (2). FIG. 7 is a schematic diagram showing the configuration of the filter device and the liquid reservoir in this case.
An example in which the piping that leads the exhaust gas from the CVD device (1) to the filter device (2) is partly shared with the piping that guides the collected material (8) from the filter device (2) to the liquid reservoir (4). It is.
8 to 10 are examples in which two systems of recovery apparatuses are connected from the CVD apparatus (1). The CVD apparatus (1) includes a source material vaporizer (5) and a reactor (chamber) (6). The source material is gasified in the vaporizer (5), sent to the reactor (6), and is subjected to the CVD reaction in the reactor (6). The exhaust gas from the CVD apparatus (1) is separated from the vaporizer (5) and reacted as an adjustment for stabilizing the CVD reaction in the reactor (6) and the exhaust gas from the reactor (6). There is a case where there is a discharge by bypassing the vessel (6), and the configuration of FIGS. 8 to 10 is used in such a case.
[0028]
Although not shown in these figures, it is preferable that a heater is installed in the piping between the CVD exhaust gas exhaust port of the CVD apparatus and the filter apparatus in any of the apparatuses shown in any of the figures. It is as follows.
[0029]
The CVD source material recovery apparatus and the CVD source material recovery method of the present invention are particularly useful for recovering a CVD source material generally referred to as a high boiling point type. For example, tris (2,4-octanedionato) ruthenium, Tris (6-methylheptane-2,4-dionato) ruthenium, Tris (5-methylheptane-2,4-dionato) ruthenium, Tris (3-methyldecane-4,6-dionato) ruthenium, Tris (2,2 , 6-Trimethyloctane-3,5-dionato) ruthenium, tris (2,6-dimethylnonane-3,5-dionato) ruthenium, tris (3-methylnonane-4,6-dionato) ruthenium, tris (6-methyl) Octane-3,5-dionato) ruthenium, tris (3,8-dimethylnonane-4,6-dionato) ruteni Bis (ethylcyclopentadienyl) ruthenium, tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) ruthenium, bis (cyclopentadienyl) ruthenium, cyclopentadienyl (n-butyl) Cyclopentadienyl) ruthenium, cyclopentadienyl (ethylcyclopentadienyl) ruthenium, bis (2,4-octanedionate) platinum, trimethyl (methylcyclopentadienyl) platinum, trimethyl (ethylcyclopentadienyl) Platinum, dimethyl (1,5-cyclooctadiene) platinum, methylcyclopentadienyl (1,5-cyclooctadiene) iridium, ethylcyclopentadienyl (1,5-cyclooctadiene) iridium, bis (6- Ethyl-2,2-dimethyl-3,5-decanedionato) Bis (1- (2-methoxy-ethoxy) -2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) barium, bis (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptaneedionato ) Barium, bis (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) strontium, bis (1- (2-methoxy-ethoxy) -2,2,6,6, -tetramethyl-3, 5-heptanedionato) strontium, tetrakis (1-methoxy-2-methyl-2-propoxy) hafnium, tetrakis (1-methoxy-2-methyl-2-propoxy) zirconium, tetrakis (1- (2-methoxy-ethoxy)- 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) zirconium, tetrakis (2,2,6,6-tetramethyl-3,5- Heptanedionato) zirconium, tris (1-methoxy-2-methyl-2-propoxy) bismuth, tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) bismuth, bis (1- (2-methoxy- Ethoxy) -2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) lead, bis (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptaneedionato) lead, bis (2,2,6) , 6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) (2-methyl-2,4-pentanedioxy) titanium and the like are useful for the recovery of CVD source materials.
[0030]
When the CVD source material is a high boiling point type material, it is often used by dissolving the source material in an organic solvent. Although the organic solvent used here is not particularly limited, for example, alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol and n-butanol, acetates such as ethyl acetate, butyl acetate and methoxyethyl acetate, Ether alcohols such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, diethylene glycol monomethyl ether, ethers such as tetrahydrofuran, glyme, diglyme, triglyme, dibutyl ether, methyl butyl ketone, methyl isobutyl ketone, ethyl butyl ketone, dipropyl ketone, diisobutyl ketone , Ketones such as methyl amyl ketone, cyclohexanone and methylcyclohexanone, and hydrocarbons such as hexane, cyclohexane, heptane, octane, toluene and xylene Is the solubility of the solute, operating temperature and the boiling point, is suitably selected depending on the relationship between the flashpoint, in particular tetrahydrofuran, glyme, stabilizing effect ethers complexes such as diglyme There is also preferably used.
[0031]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be further described by way of examples, but is not limited thereto. Example 1 is a reference example.
[Example 1]
A fiber formed of a polymer containing 85% by weight of acrylonitrile units, containing 0.5 mmol / g of anionic group (carboxyl group) as an ionic group and 4.5 mmol / g of cationic group (amino group). A filter device and a reservoir as shown in FIG. 7 using an aggregated cylindrical filter (outer diameter 180 mm, inner diameter 50 mm, length 130 mm, porosity 91.5%, average pore diameter 350 μm, standard deviation 250 μm) configure, connected together collecting apparatus of two systems similar filter equipment and reservoir unit, constitute the CVD source material recovery device having the same configuration as FIG. 10, Table 1 below by using the CVD apparatus Under these conditions, a metal thin film was formed on a silicon wafer substrate by the CVD method, and the CVD source material was recovered from the generated CVD exhaust gas.
[0032]
[Table 1]

[0033]
As a result, 22.2 g of CVD source material was recovered in the filter and 164.2 g of CVD source material in the liquid reservoir as the total of the two exhaust gas recoveries. However, the amount of Ru metal contained in the process exhaust gas is included in the recovered amount in terms of the source material weight. Since the CVD source material consumed by thin film formation was estimated at about 1%, the recovery rate of the CVD source material was 95.2%.
[0034]
[Example 2]
The filter used was the fiber used in Example 1, and was a cylindrical filter having the same outer diameter, inner diameter, and length, but a filter composed of two layers with different porosity and pore size distribution (the outer layer has a porosity of 91.5%, average pore diameter 350 μm, standard deviation 250 μm, thickness 35 mm, inner layer has a porosity of 86.4%, average pore diameter 200 μm, standard deviation 235 μm, thickness 30 mm, and the overall porosity of the two-layer filter is 89 0.9%, average pore diameter 300 μm, standard deviation 250 μm).
As a result, 23.1 g of CVD source material was recovered in the filter and 164.5 g of CVD source material in the liquid reservoir as the sum of the two exhaust gas recoveries. However, the amount of Ru metal contained in the process exhaust gas is included in the recovered amount in terms of the source material weight. Since the CVD source material consumed by thin film formation was estimated at about 1%, the recovery rate of the CVD source material was 95.8%.
[0035]
【Effect of the invention】
Since the present invention is configured as described above, it is possible to efficiently collect and recover the unreacted CVD source material in the CVD exhaust gas even though the pressure loss does not increase or is very slight. Further, a CVD source material recovery apparatus and a CVD source material recovery method using the same can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view of a CVD source material recovery apparatus of the present invention.
2 is a schematic diagram showing the structure of the filter device in FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a schematic diagram showing the structure of another filter device in FIG. 1;
FIG. 4 is different from FIG. 1 in that a liquid reservoir (4) is separately provided on the lower side (lower part) of the filter device (2).
FIG. 5 is a schematic diagram showing a configuration of a filter device and a liquid reservoir.
FIG. 6 shows an example in which a liquid reservoir (4) is provided on the lower side of the CVD apparatus (1), but on the lower side of the filter apparatus (2).
FIG. 7 is a schematic view showing an example in which a liquid reservoir (4) is provided below the filter device (2) but below the CVD device (1).
FIG. 8 is an example in which two systems of recovery devices are connected from the CVD device (1).
FIG. 9 is another example in which two systems of recovery devices are connected from the CVD device (1).
FIG. 10 is another example in which two systems of recovery devices are connected from the CVD device (1).
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 CVD apparatus 2 Filter apparatus 3 Exhaust pump 4 Reservoir 5 Vaporizer 6 Reactor 7 Filter 8 Collected matter 9 Valve

Claims

In a CVD source material recovery apparatus in which a filter apparatus is provided between a CVD apparatus and an exhaust pump, the filter in the filter apparatus contains 50% by weight or more of acrylonitrile units and contains ionic groups in an amount of 0.1 to 6.0 mmol / g. and made of a fiber aggregate formed by acrylonitrile polymer containing, and, the porosity of the filter Ri 70% to 99% der is obtained by stacking a plurality of layers having different filter pore sizes Characteristic CVD source material recovery device.

The CVD source material recovery apparatus according to claim 1, wherein a heater is installed in a pipe between the CVD exhaust gas outlet of the CVD apparatus and the filter apparatus.

3. The CVD source material recovery apparatus according to claim 1, wherein a liquid reservoir is provided in the filter apparatus or on the lower side of the filter apparatus.

Using the CVD source material recovery device according to any one of claims 1 to 3 , the CVD source material is collected in a filter or a filter and a reservoir, and the CVD source material is recovered therefrom. , CVD source material recovery method.