KR100902526B1 - A method for recovering cvd source materials and a method therefor - Google Patents

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다이세이 기켄 가부시키가이샤
가부시키가이샤 아데카
아데카 소고 세쯔비 가부시키가이샤
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Abstract

(과제) CVD 배기가스 중의 미반응 CVD 소스물질을 막힘없이 효율적으로 포집ㆍ회수할 수 있는, 회수장치, 회수방법을 제공한다.The present invention provides a recovery apparatus and a recovery method capable of efficiently collecting and recovering unreacted CVD source materials in CVD exhaust gas without clogging.

(해결수단) CVD 장치와 배기펌프 사이에 필터 장치를 설치하고, 이 필터 장치내의 필터가 아크릴로니트릴 단위를 50 중량% 이상 함유하고 이온성 기 (基) 를 0.1∼6.0m ㏖/g 함유하는 아크릴로니트릴계 중합체에 의해 형성된 섬유의 집합체로 이루어지는 것이며, 또한 필터의 공극율이 70∼99% 인 것을 특징으로 하는 CVD 소스물질 회수장치.(Solution) A filter device is provided between the CVD device and the exhaust pump, and the filter in the filter device contains 50% by weight or more of acrylonitrile units and 0.1 to 6.0 mmol / g of ionic groups. A CVD source material recovery apparatus comprising an aggregate of fibers formed of an acrylonitrile-based polymer and having a porosity of 70 to 99% of the filter.

CVD 소스물질CVD source material

Description

CVD 소스물질 회수장치 및 회수방법{A METHOD FOR RECOVERING CVD SOURCE MATERIALS AND A METHOD THEREFOR}CD source material recovery system and recovery method {A METHOD FOR RECOVERING CVD SOURCE MATERIALS AND A METHOD THEREFOR}

도 1 은 본 발명의 CVD 소스물질 회수장치의 모식도.1 is a schematic diagram of a CVD source material recovery apparatus of the present invention.

도 2 는 도 1 에서의 필터 장치의 구조를 나타낸 모식도.FIG. 2 is a schematic view showing the structure of the filter device in FIG. 1. FIG.

도 3 은 도 1 에서의 다른 필터 장치의 구조를 나타낸 모식도.3 is a schematic view showing the structure of another filter device in FIG.

도 4 는 필터 장치 (2) 의 하측 (하부) 에, 별도 액류기 (4) 를 설치한 점에서 도 1 과 다른 구성을 나타낸 도면.FIG. 4 is a diagram showing a configuration different from that of FIG. 1 in that a separate liquidator 4 is provided on the lower side (lower side) of the filter device 2.

도 5 는 필터 장치와 액류기의 구성을 나타낸 모식도.5 is a schematic view showing the configuration of a filter device and a liquid flow machine.

도 6 은 액류기 (4) 를 필터 장치 (2) 의 하측인, CVD 장치 (1) 의 하부에 설치한 예를 나타낸 도면.FIG. 6 is a view showing an example in which the liquid flow apparatus 4 is provided below the CVD apparatus 1 which is the lower side of the filter apparatus 2.

도 7 은 액류기 (4) 를 필터 장치 (2) 의 하측인, CVD 장치 (1) 의 하부에 설치한 예를 나타낸 모식도.FIG. 7: is a schematic diagram which showed the example in which the liquid flow machine 4 was installed in the lower part of the CVD apparatus 1 which is the lower side of the filter apparatus 2. FIG.

도 8 은 CVD 장치 (1) 로부터 2 계통의 회수장치를 접속하고 있는 예를 나타낸 도면.FIG. 8 is a diagram showing an example in which two systems of recovery devices are connected from the CVD apparatus 1. FIG.

도 9 는 CVD 장치 (1) 로부터 2 계통의 회수장치를 접속하고 있는 다른 예를 나타낸 도면.FIG. 9 is a diagram showing another example in which two systems of recovery devices are connected from the CVD apparatus 1. FIG.

도 10 은 CVD 장치 (1) 로부터 2 계통의 회수장치를 접속하고 있는 다른 예 를 나타낸 도면.FIG. 10 is a diagram showing another example in which two systems of recovery devices are connected from the CVD apparatus 1. FIG.

도 11 은 2 층 구조로 이루어진 필터의 예를 나타낸 모식도.11 is a schematic diagram showing an example of a filter composed of a two-layer structure.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of code for main part of drawing

1 : CVD 장치 2 : 필터 장치1: CVD apparatus 2: filter apparatus

3 : 배기펌프 4 : 액류기3: exhaust pump 4: liquidator

5 : 기화기 6 : 반응기5: vaporizer 6: reactor

7 : 필터 8 : 포집물7: filter 8: collection

9 : 밸브9: valve

본 발명은 화학적 기상성장 (이하 「CVD」라고 함) 장치로부터의 배기가스 중에 함유되는 CVD 소스물질을 회수하기 위한 장치 및 이를 사용한 CVD 소스물질 회수방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for recovering a CVD source material contained in exhaust gas from a chemical vapor deposition (hereinafter referred to as "CVD") apparatus and a method for recovering a CVD source material using the same.

반도체 제조 프로세스 등에서 사용되는 박막 형성방법의 하나로 CVD 법이 있다. CVD 법은 형성시키고자 하는 박막재료를 구성하는 원소로 이루어지는 1 종 또는 2 종 이상의 화합물 (소스물질) 의 가스를 기판 상에 공급하고, 기상 또는 기판표면에서의 화학반응 (예컨대 고온중에서 열분해, 산화, 환원, 중합, 기상화합반응 등) 에 의해 원하는 박막을 기판 상에 침착, 형성시키는 방법이다.One of the thin film forming methods used in semiconductor manufacturing processes and the like is the CVD method. In the CVD method, a gas of one or two or more compounds (source materials) consisting of elements constituting the thin film material to be formed is supplied onto a substrate, and a chemical reaction (e.g., pyrolysis and oxidation at a high temperature or a surface of the substrate) is performed. , Reduction, polymerization, vapor phase chemical reaction, etc.) is a method of depositing and forming a desired thin film on a substrate.

CVD 법은 화학반응이기 때문에 매우 광범위하고 다양한 물질의 박막형성이 가능하고, 또 각종 기체반응재료의 조합에 의해 자유로운 조성의 제어가 가능해지고 지금까지 알려지지 않았던 전혀 새로운 구조ㆍ조성의 박막을 합성할 수 있으며, 또한 이들 물질의 융점보다 충분히 낮은 온도에서 박막을 형성할 수 있는 방법이다.Since CVD is a chemical reaction, it is possible to form a thin film of a wide variety of materials, and to control free composition by combining various gas-reactive materials, and to synthesize thin films of a completely new structure and composition that have not been known until now. It is also a method of forming a thin film at a temperature sufficiently lower than the melting point of these materials.

그러나 CVD 장치로부터의 배기가스에는, 박막형성에 기여하지 않았던 미반응 소스물질이나 그 용제 등의 가스 또는 그 미스트 (mist), 형성박막으로부터의 분진, 막형성과정에서 부생되는 알코올, 알데히드 등이 함유되고, 배기가스 중의 이들 성분은 유해한 것이 많아, 대기중에 그대로 배출하는 것은 인체 및 환경에 악영향을 줄 우려가 있기 때문에 금지되고 있다.However, the exhaust gas from the CVD apparatus contains an unreacted source material or a solvent, such as an unreacted source material or a solvent thereof, which does not contribute to thin film formation, a mist thereof, dust from the formed thin film, alcohols, aldehydes, etc. produced by the film formation process. Many of these components in the exhaust gas are harmful, and they are prohibited from being discharged as they are in the atmosphere because they may adversely affect the human body and the environment.

따라서 CVD 배기가스를 처리하기 위해 CVD 배기가스의 배출장치에 필터 장치를 설치하는 것이 실시되고 있다.Therefore, in order to process CVD exhaust gas, providing a filter apparatus in the exhaust apparatus of CVD exhaust gas is implemented.

그러나 CVD 배기가스에는 상기와 같이 형성박막으로부터의 분진이나 미반응 소스물질이나 그 용제 등의 가스 또는 그 미스트가 함유되어 있고, 특히 소스물질이 점도가 높은 물질이면, 단순히 필터로 이들을 포집하려고 했을 때, 분진과 소스물질 (가스형상 소스물질 등은 필터중에서 액화됨) 등이 복합되어 막힘을 일으켜, 단시간내에 압력손실이 증대되고 배기효율이 현저하게 악화되기 때문에 빈번한 필터교환이 필요하여 비실용적이었다.However, when the CVD exhaust gas contains dust or unreacted source material or a solvent thereof or a mist thereof, as described above, especially when the source material is a high viscosity material, it is simply to be collected by a filter. In addition, dust and source materials (gas-like source materials, etc. are liquefied in the filter) are combined to cause clogging, which increases the pressure loss in a short time and significantly reduces the exhaust efficiency.

또 필터의 공극율을 증대시켜 막힘을 억제하려고 하면, 분진중의 미립자 분진이나, 유해물질의 일부가 필터를 통과해버려 실용적이지 않았다.Moreover, when trying to suppress clogging by increasing the porosity of a filter, it was not practical because some particulate dust in a dust and some harmful substances passed through a filter.

따라서 본 발명의 목적은, 압력손실의 증대가 없거나 또는 매우 경미하더라 도, CVD 배기가스 중의 미반응 CVD 소스물질을 효율적으로 포집ㆍ회수할 수 있는, CVD 소스물질 회수장치, 및 이를 사용한 CVD 소스물질 회수방법을 제공하는 것에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an apparatus for recovering a CVD source material, and a CVD source material using the same, which can efficiently collect and recover unreacted CVD source material in CVD exhaust gas, even if the pressure loss is not increased or is very slight. It is to provide a recovery method.

본 발명자들은 상기의 사정을 감안하여 예의연구한 결과, 본 발명에 도달하였다. 즉, 본 발명은 CVD 장치와 배기펌프 사이에 필터 장치를 설치한, CVD 소스물질 회수장치에 있어서, 이 필터 장치내의 필터가 아크릴로니트릴 단위를 50 중량% 이상 함유하고 이온성 기 (基) 를 0.1∼6.0m ㏖/g 함유하는 아크릴로니트릴계 중합체에 의해 형성된 섬유의 집합체로 이루어진 것으로, 또한 필터의 공극율이 70∼99% 인 것을 특징으로 하는 CVD 소스물질 회수장치를 제공하는 것이다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors reached | attained this invention as a result of earnestly researching in view of said situation. That is, the present invention relates to a CVD source material recovery device in which a filter device is provided between a CVD device and an exhaust pump, wherein the filter in the filter device contains 50% by weight or more of acrylonitrile units and contains ionic groups. The present invention provides a CVD source material recovery apparatus, comprising an aggregate of fibers formed of acrylonitrile-based polymer containing 0.1 to 6.0 mmol / g, and having a porosity of 70 to 99%.

바람직하게는, 본 장치는, 필터 장치내의 필터가, 필터 공경 (孔徑) 이 불균일한 것 (예컨대 필터 공경이 다른 복수의 층으로 이루어진 것) 으로, 또 필터 장치내 또는 필터 장치 하측에 액류기를 설치한 상기 CVD 소스물질 회수장치를 제공하는 것이다.Preferably, the apparatus is characterized in that the filter in the filter apparatus has a nonuniform filter pore size (for example, a plurality of layers having different filter pore sizes), and installs a fluidizer in the filter apparatus or under the filter apparatus. It is to provide an apparatus for recovering the CVD source material.

또 본 발명은 상기의 CVD 소스물질 회수장치를 사용하여, 필터 또는, 필터 및 액류기에 CVD 소스물질을 포집하고, 여기에서 CVD 소스물질을 회수하는 것을 특징으로 하는 CVD 소스물질 회수방법이다. The present invention also provides a method for recovering a CVD source material, wherein the CVD source material is collected using a CVD source material recovery apparatus, and the CVD source material is collected in a filter or a liquid filter.

발명의 실시형태Embodiment of the invention

본 발명에 사용하는 필터는, 아크릴로니트릴 단위를 50 중량% 이상 함유하고 이온성 기를 0.1∼6.0m ㏖/g 함유하는 아크릴로니트릴계 중합체에 의해 형성된 섬 유의 집합체로 이루어지는 것이다.The filter used in the present invention is composed of an aggregate of islands formed of an acrylonitrile-based polymer containing 50% by weight or more of acrylonitrile units and containing 0.1 to 6.0 mmol / g of ionic groups.

함유하는 이온성 기로는 양이온성 기 단독이거나 음이온성 기 단독이거나 이들을 조합해도 되지만, 바람직하게는 양이온성 기 단독이 아닌 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 이온성 기중의 비율로서 양이온성 기 0∼30%, 음이온성 기 100∼70% 가 바람직하다.The ionic group to be contained may be a cationic group alone or an anionic group alone or a combination thereof. Preferably, the ionic group is not a cationic group alone, and more preferably cationic groups 0 to 30 as a ratio in the ionic group. %, Anionic groups 100-70% are preferred.

이온성 기를 함유하는 섬유로는, 이온성 기의 함유량이 0.1∼6.0m ㏖/g 인 한 어떠한 방법으로 제조해도 지장이 없지만 다음의 방법이 바람직하게 사용된다. The fiber containing the ionic group may be produced by any method as long as the content of the ionic group is 0.1 to 6.0 mmol / g, but the following method is preferably used.

음이온성 기를 함유하는 섬유로는 일본 특허공보 소62-62181호에 기재되어 있는 방법이 바람직하다. 즉, 출발 아크릴계 섬유로는 아크릴로니트릴 (이하, AN 이라고 함) 을 50 중량% 이상 함유하는 AN 계 중합체에 의해 형성된 섬유로 형태는 단섬유, 토우, 부직포 등 어느 것이어도 상관없다. 이 AN 계 섬유에 음이온성 기를 부여하는 방법으로, 알칼리가수분해에 의해 니트릴기 (이하, CN 기라고 함) 를 카르복실기로 변성하는 것이다.As a fiber containing an anionic group, the method of Unexamined-Japanese-Patent No. 62-62181 is preferable. That is, the starting acrylic fiber may be a fiber formed from an AN polymer containing 50% by weight or more of acrylonitrile (hereinafter referred to as AN), and may be any of short fiber, tow, and nonwoven fabric. As a method of imparting an anionic group to this AN fiber, the nitrile group (hereinafter referred to as CN group) is modified by a carboxyl group by alkali hydrolysis.

여기에서 가수분해처리할 때의 알칼리금속 수산화물 수용액농도는 6.0㏖/1000g 이상이고, 사용하는 금속수산화물로는 Na, K, Li 등의 알칼리금속류의 수산화물 또는 이들의 혼합물을 들 수 있다. 또 알칼리금속 수산화물 수용액의 처리량은 이 섬유 1 중량부에 대해 4 중량부 이상 사용하는 것이 바람직하다. 또한 이상의 알칼리금속 수산화물 수용액을 작용시킬 때의 온도조건 또는 처리시간 등 반응조건으로는, 이 섬유의 공시형태, 결정성 등 중합체의 미세구조 또는 알칼리금속 수산화물 수용액 농도 등에 따라 바람직한 조건 범위가 다르기 때문에, 일의적으로 규정하는 것은 불가능하지만, 일반적으로는 고온하에 작용시킬수록 반응속도는 증대되어 처리효과를 유리하게 달성할 수 있기 때문에, 바람직하게는 80℃ 이상의 온도조건을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 여기에서 말하는 음이온성 기란, 수성매체중에서 전리되어 음이온이 되는 성질을 갖는 것으로 카르복실기 외에, 예컨대 술폰산기, 인산기 등이 있다.Here, the alkali metal hydroxide aqueous solution concentration at the time of hydrolysis treatment is 6.0 mol / 1000g or more, The hydroxide of alkali metals, such as Na, K, Li, or a mixture thereof is mentioned as a metal hydroxide to be used. The amount of the alkali metal hydroxide aqueous solution is preferably used in an amount of 4 parts by weight or more based on 1 part by weight of the fiber. Moreover, as reaction conditions, such as temperature conditions or processing time when the above alkali metal hydroxide aqueous solution is made to act, since the preferable conditions range differs according to the microstructure of a polymer, such as a published form of this fiber, crystallinity, or an alkali metal hydroxide aqueous solution concentration, etc., Although it is impossible to define uniquely, in general, it is preferable to use a temperature condition of 80 ° C. or higher because the reaction rate is increased and the treatment effect can be advantageously achieved as it is operated under high temperature. In addition, the anionic group referred to here has the property of being ionized in an aqueous medium to become an anion. In addition to the carboxyl group, there are, for example, sulfonic acid groups and phosphoric acid groups.

양이온성 기를 함유하는 섬유로는 문헌 Stela Dragan, G. Grigoriu, Die Angewandte Makromolekulare Chemie 200 (1992) 27-36 에 기재되어 있는 방법이 바람직하다. 즉 AN 을 50 중량% 이상 함유하는 AN 계 섬유에 아미노기를 함유하는 약제를 처리함으로써 CN 기와의 반응에서 아미노기를 부여하는 것이다. 여기에서의 아미노화처리의 욕 (浴) 조건은 ㏖ 농도비로 H2O/CN 기=2/1, 아민/CN 기=5/1, 처리온도=108℃, 처리시간=2∼15 시간이다.Preferred fibers containing cationic groups are the methods described in Stela Dragan, G. Grigoriu, Die Angewandte Makromolekulare Chemie 200 (1992) 27-36. That is, an amino group is given in reaction with CN group by processing the chemical | medical agent containing an amino group to AN system fiber containing AN 50 weight% or more. Bath conditions of the amination treatment here are H 2 O / CN group = 2/1, amine / CN group = 5/1, treatment temperature = 108 DEG C, treatment time = 2 to 15 hours in mol concentration ratio. .

약제로는, N, N-디메틸-1, 2-디아미노에탄, N, N-디메틸-1, 3-디아미노프로판, N, N-디에틸-1, 3-디아미노프로판 등을 들 수 있다. 또한 여기에서 말하는 양이온성 기란 수성매체중에서 전리되어 양이온이 되는 성질을 갖는 것으로, 예컨대 아미노기, 2 급 아미노기, 3 급 아미노기, 4 급 암모늄기 등이 있다.Examples of the drug include N, N-dimethyl-1, 2-diaminoethane, N, N-dimethyl-1, 3-diaminopropane, N, N-diethyl-1, 3-diaminopropane, and the like. have. In addition, the cationic group referred to herein has the property of being ionized in an aqueous medium to become a cation. Examples thereof include an amino group, a secondary amino group, a tertiary amino group, and a quaternary ammonium group.

이 필터에 사용되는 섬유의 이온성 기 함유량은 일반적으로 0.1∼6.0m ㏖/g, 바람직하게는 1.0∼5.5m ㏖/g이 바람직하다. 또한 이온성 기가 0.1m ㏖/g 미만인 경우는 본 발명의 효과가 발현되기 어렵다. 6.0m ㏖/g을 초과하는 경우는 섬유로서의 인장강도가 약해져 필터 등의 가공성이 악화되게 된다. The ionic group content of the fiber used for this filter is generally 0.1 to 6.0 mmol / g, preferably 1.0 to 5.5 mmol / g. Moreover, when an ionic group is less than 0.1 mmol / g, the effect of this invention is hard to express. When it exceeds 6.0 mmol / g, the tensile strength as a fiber becomes weak and workability of a filter etc. deteriorates.                     

본 발명은 이상과 같은 이온성 기를 함유하는 섬유를 통상적인 방법에 의해 집합체로 한 것으로, 섬유를 집합체로 하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 필터의 공극율이 70∼99%, 바람직하게는 80∼97% 가 되도록 할 필요가 있다.In the present invention, the fibers containing the above ionic groups are aggregated by a conventional method, and the method of forming the fibers is not particularly limited, but the porosity of the filter is 70 to 99%, preferably 80 to 97 Need to be%.

공극율이 상기 미만이면, 필터에 CVD 소스물질 등을 포집하려고 했을 때 막힘을 일으켜, 단시간내에 압력손실이 증대되어 배기효율이 현저하게 악화된다. 한편, 공극율이 상기를 초과하면, 포집기능이 현저하게 저하되고, 전술한 바와 같은 이온성 기를 갖는 섬유를 갖고 있다고 해도 CVD 소스물질 등을 효과적으로 포집할 수 없다.If the porosity is less than the above, clogging occurs when the CVD source material or the like is attempted to be collected in the filter, and the pressure loss increases in a short time, and the exhaust efficiency is significantly deteriorated. On the other hand, if the porosity exceeds the above, the collection function is remarkably lowered, and even if the fiber has an ionic group as described above, the CVD source material or the like cannot be effectively collected.

또한 본 발명에서는 단순히 필터의 밀도는 중요하지 않고, 공극율이 전술한 바와 같으면 되므로, 사용하는 섬유 자체의 밀도를 다양하게 선택함으로써, 공극율을 상기의 범위로 하면서 광범한 필터 밀도의 각종 필터를 사용할 수 있고, 사용목적, 사용환경에 따라 다양하게 선택할 수 있다. In addition, in the present invention, the density of the filter is not important, and the porosity should be as described above. Therefore, various filters having a wide range of filter densities can be used while the porosity is in the above range by variously selecting the density of the fiber itself to be used. There are various choices depending on the purpose of use and the environment of use.

본 발명에 사용하는 필터는, 공극율이 전술한 바와 같은 것에 추가하여, 또한 필터 공경이 불균일한 것이 바람직하다. 불균일한 것이 바람직한 이유는 정확하지는 않지만, 포집물질이 필터내의 일정한 층에 집중되지 않기 때문에 막힘을 일으키기 어려운 것으로 추정된다.It is preferable that the filter used for this invention has a pore ratio of non-uniformity, in addition to having the porosity mentioned above. The reason why the non-uniformity is preferable is not accurate, but it is assumed that it is difficult to cause clogging because the trapping material is not concentrated in a certain layer in the filter.

또한 여기에서 필터 밀도란 필터 중량을 필터의 외관체적으로 나눈 값, 필터 공극율이란 필터의 외관체적에서 차지하는 공극공간용적의 비율, 또 필터 공경이란 필터 중의 공극의 단경을 말한다.Here, the filter density is a value obtained by dividing the filter weight by the apparent volume of the filter, the filter porosity is the ratio of the void space volume occupied by the apparent volume of the filter, and the filter pore is the short diameter of the voids in the filter.

필터 공경의 불균일함은, 적어도 CVD 배기가스흐름에 평행방향으로 불균일하 면 되고, CVD 배기가스흐름에 수직방향으로는 반드시 불균일할 필요는 없다.The nonuniformity of the filter pore may be nonuniform at least in parallel with the CVD exhaust gas flow, and does not necessarily have to be nonuniform in the direction perpendicular to the CVD exhaust gas flow.

CVD 배기가스흐름에 대한 평행방향, 수직방향 어느 것에나 불균일한 (등방적으로 불균일) 구조는, 예컨대 공지된 기술에 의해 제조되는 3 차원 부직포 구조를 취하는 필터재료를 사용함으로써 얻을 수 있다.Non-uniform (isotropically nonuniform) structures in both the parallel and vertical directions with respect to the CVD exhaust gas flow can be obtained, for example, by using a filter material having a three-dimensional nonwoven structure produced by known techniques.

또 CVD 배기가스흐름에 수직방향으로는 불균일하지 않고, 평행방향으로 불균일한 필터는, 예컨대 필터 공경이 다른 복수의 필터를 적층하여 얻을 수 있다. 물론, 적층하는 개개의 필터가 등방적으로 불균일하여도 지장없지만, 개개의 필터의 불균일함이 동일하면, 전체적으로 등방적으로 불균일한 상기의 경우와 조금도 차이가 없으므로, 이 경우 바람직하게는, 필터 공경의 분산이 작은 범위에서 등방적으로 불균일하고, 평균 필터 공경이 다른 복수의 필터를 적층하는 것이 바람직하다.In addition, a filter which is not nonuniform in the vertical direction to the CVD exhaust gas flow and is nonuniform in the parallel direction can be obtained by stacking a plurality of filters having different filter pore sizes, for example. Of course, even if the individual filters to be laminated is isotropically nonuniform, it does not interfere, but if the nonuniformity of the individual filters is the same, there is no difference from the above-mentioned case that is isotropically uniform as a whole as a whole, and in this case, It is preferable to stack a plurality of filters that are isotropically nonuniform in a range where the dispersion of s is small and have different average filter pore sizes.

또 필터 공경의 불균일함의 정도는, 상기 등방적으로 불균일한 필터, 또는 적층필터 중 어느 경우나, CVD 배기가스흐름에 평행방향에서의 필터 공경의 평균이 100∼800㎛ 이고, 그 표준편차가 150∼350㎛, 바람직하게는 필터 공경의 평균이 150∼500㎛ 이고, 그 표준편차가 170∼310㎛ 범위에 있는 것이, 보다 막힘을 일으키기 어려운 점에서 바람직하다.In addition, the degree of nonuniformity of the filter pore size is the average of the filter pore diameter in the direction parallel to the CVD exhaust gas flow in any of the above isotropically nonuniform or laminated filters, and the standard deviation is 150. 350 micrometers, Preferably the average of filter pore diameters is 150-500 micrometers, and it is preferable that the standard deviation exists in the range of 170-310 micrometers in the point which is hard to produce clogging more.

본 발명의 CVD 소스물질 회수장치는, CVD 장치와 배기펌프 사이에, 상기 특정의 필터를 사용한 필터 장치를 설치함으로써 CVD 소스물질을 효과적으로 포집하여 회수할 수 있는 것이다.The CVD source material recovery apparatus of the present invention can effectively collect and recover the CVD source material by providing a filter device using the specific filter between the CVD device and the exhaust pump.

본 발명의 CVD 소스물질 회수장치는, 바람직하게는 CVD 장치와 필터 장치 사 이의 배관에 히터가 설치되어 있는 것이 바람직하다.In the CVD source material recovery apparatus of the present invention, preferably, a heater is provided in a pipe between the CVD apparatus and the filter apparatus.

이것은 CVD 소스 재료는 통상 가열되어 가스화되어 있으므로, CVD 장치로부터의 배기가스가 실온 등의 비교적 저온의 배관에 배출된 경우, 필터 장치로 도달하기 이전에 액화되어 효과적으로 회수할 수 없는 경우가 있기 때문이다.This is because since the CVD source material is usually heated and gasified, when the exhaust gas from the CVD apparatus is discharged to a relatively low temperature pipe such as a room temperature, it may be liquefied and cannot be effectively recovered before reaching the filter apparatus. .

본 발명의 CVD 소스물질 회수장치는, 필터 장치내 또는 필터 장치 하측에 액류기를 설치하는 것이 바람직한 것이다. 즉, 상기 필터를 사용한 본 발명의 장치를 사용하여 CVD 소스물질의 포집을 계속하면, 액체의 CVD 소스물질, 또는 용제에 용해된 CVD 소스물질을 함유하는 액체가 필터 상에 완전히 포함되지 않고 적하된다. 이 필터는 이들 액체를 완전히 포함할 수 없어도 포집능력에는 변화없으므로, 포집을 계속하는 만큼 필터의 하부에, 액체의 CVD 소스물질, 또는 용제에 용해된 CVD 소스물질을 함유하는 액체가 고이게 된다. 따라서 필터 장치내의 필터 하부위치에 액류기를 설치함으로써 필터의 액체함유능력 이상의 CVD 소스물질을, 필터교환없이 회수하는 것을 가능하게 하는 것이다. 필터 하부 위치의 액류기로는, 간단히 필터 하부를 공간부로 하는 것만으로도 된다.In the CVD source material recovery apparatus of the present invention, it is preferable to install a liquid flowr in the filter apparatus or below the filter apparatus. In other words, if the collection of CVD source material is continued using the apparatus of the present invention using the filter, the liquid containing the CVD source material or the CVD source material dissolved in the solvent is dropped completely without being included on the filter. . Since the filter does not change the capturing ability even if it cannot completely contain these liquids, the liquid containing the CVD source material of the liquid or the CVD source material dissolved in the solvent is accumulated in the lower part of the filter as the collection continues. Therefore, by installing a liquid flowr in the lower part of the filter in the filter device, it is possible to recover the CVD source material more than the liquid content of the filter without filter replacement. As the liquid flow device in the lower filter position, the filter lower portion may simply be a space part.

또 액류기를 필터 장치의 하측에 설치하고, 필터로부터 적하된 CVD 소스물질 등을 이 액류기에 도입하도록 구성할 수도 있고, 이와 같이 하면 필터교환을 장기에 걸쳐 불필요하게 할뿐만 아니라, 액류기의 용량을 초과하는 양의 CVD 소스물질을 포집해도, CVD 장치의 운전을 정지하지 않고 액류기의 교환만을 실행함으로써 CVD 소스물질의 포집을 계속할 수 있으므로, 보다 바람직하다.It is also possible to provide a liquid flow device under the filter device and to introduce CVD source material or the like dropped from the filter into the liquid flow liquid. This will not only make filter replacement unnecessary for a long time, but also increase the capacity of the liquid flow device. Even if an excessive amount of CVD source material is collected, the collection of the CVD source material can be continued by performing only the exchange of the liquidizer without stopping the operation of the CVD apparatus, which is more preferable.

본 발명의 CVD 소스물질 회수장치에서의, 필터의 형상, 필터 장치의 구조 등은 특별히 한정되지 않고, 공지된 것을 채용할 수 있지만, 일례로서의 구체예는, 후술하는 본 발명의 CVD 소스물질 회수방법의 설명중에 기재한다. 또 상기 액류기의 구성에 대해서도, 상기 기능을 갖고 있으면 되며 특별히 한정되지 않고, 임의의 구성으로 할 수 있지만, 일례로서의 구체예는, 후술하는 본 발명의 CVD 소스물질 회수방법의 설명중에 기재한다.In the CVD source material recovery device of the present invention, the shape of the filter, the structure of the filter device, and the like are not particularly limited, and a known one can be employed, but a specific example as an example is the CVD source material recovery method of the present invention described later. It describes in description of. Moreover, the structure of the said liquid flow machine should just have the said function, It is not specifically limited, It can be set as arbitrary structures, The specific example as an example is described in description of the CVD source material collection method of this invention mentioned later.

이하 본 발명의 CVD 소스물질 회수방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, the CVD source material recovery method of the present invention will be described.

도 1 은 본 발명의 CVD 소스물질 회수장치의 모식도이다. (1) 은 CVD 장치이고, (2) 는 필터 장치이며, (3) 은 배기펌프이다. 필터 장치내의 필터는 아크릴로니트릴 단위를 50 중량% 이상 함유하고 이온성 기를 0.1∼6.0m ㏖/g 함유하는 아크릴로니트릴계 중합체에 의해 형성된 섬유의 집합체로 이루어지는 것으로, 또한 필터의 공극율이 70∼99%가 되고 있다.1 is a schematic diagram of a CVD source material recovery apparatus of the present invention. (1) is a CVD apparatus, (2) is a filter apparatus, and (3) is an exhaust pump. The filter in the filter device is composed of an aggregate of fibers formed by an acrylonitrile polymer containing 50% by weight or more of acrylonitrile units and containing 0.1 to 6.0 mmol / g of ionic groups, and the porosity of the filter is 70 to It becomes 99%.

CVD 장치 (1) 의 CVD 배기가스 배출구에서 배출된 CVD 배기가스는, 배관을 통하여 필터 장치 (2) 로 유도된다. 필터 장치 (2) 내에는 필터가 설치되어 있고, CVD 배기가스 중의 미반응 소스물질, 그 용제, 분진 등이 필터에 포집되고, 배기펌프 (3) 로부터 계외 (系外) 로 배출된다. 또 저비점 용매나 소스물질의 분해물 (물, 탄산가스, 배위자 성분 등) 등의 가스형상 물질이 함유되는 경우 등, 임의로 배기펌프 (3) 이후에 제해설비를 설치할 수도 있다 (여기에서는 도시 생략함).The CVD exhaust gas discharged from the CVD exhaust gas discharge port of the CVD apparatus 1 is guided to the filter device 2 through the pipe. A filter is provided in the filter apparatus 2, and unreacted source material in CVD exhaust gas, its solvent, dust, etc. are collected by a filter, and are discharged out of the system from the exhaust pump 3 outside. In addition, a decontamination facility may be optionally provided after the exhaust pump 3, such as a gaseous substance such as a low boiling point solvent or a decomposition product of a source material (water, carbon dioxide, ligand component, etc.) (not shown here). .

도 2 는 도 1 에서의 필터 장치의 구조를 나타내는 모식도이다. 필터 장치 (2) 내에는 원통형 필터 (7) 가 설치되어 있고 CVD 장치 (1) 로부터 배출된 배기가스는 원통형 필터 (7) 의 중심부 쪽으로 흐르고, 배기펌프 (3) 로 유도되는 구 성으로 되어 있다.It is a schematic diagram which shows the structure of the filter apparatus in FIG. The cylindrical filter 7 is provided in the filter apparatus 2, and the exhaust gas discharged | emitted from the CVD apparatus 1 flows toward the center part of the cylindrical filter 7, and consists of the structure guide | induced to the exhaust pump 3. .

필터 (7) 에는 CVD 배기가스 중의 미반응 소스물질, 그 용제, 분진 등이 포집되므로, 적절히 필터 (7) 를 필터 장치 (2) 로부터 꺼내 통상적인 방법으로 처리하여 CVD 소스물질을 회수할 수 있다.Since the filter 7 collects unreacted source material in the CVD exhaust gas, its solvent, dust and the like, the CVD source material can be recovered by appropriately removing the filter 7 from the filter device 2 and treating it in a conventional manner. .

도 3 은 도 1 에서의 다른 필터 장치의 구조를 나타내는 모식도이다. 도 3 은 필터 장치 (2) 에 있어서, 필터 (7) 의 하부에 공간부를 형성하고, 여기를 액류기로 하고 있는 점에서 도 2 와 다른 것이다.FIG. 3 is a schematic diagram showing the structure of another filter device in FIG. 1. FIG. FIG. 3 differs from FIG. 2 in that a space portion is formed in the lower part of the filter 7 in the filter device 2, and the excitation is a liquid flow.

필터 (7) 에 포집된 CVD 소스물질 등의 양이, 필터 (7) 의 보액능력을 초과하면 필터 (7) 의 하부에 적하되므로, 필터 장치 (2) 의 하부공간, 즉 액류기에 포집물 (8) 이 저류 (貯留) 되게 된다.If the amount of CVD source material or the like collected in the filter 7 exceeds the holding capacity of the filter 7, it is dropped in the lower part of the filter 7, and thus, the collector ( 8) This becomes a reservoir.

적절히 액류기로부터 포집물 (8) 및 필터 (7) 를 필터 장치 (2) 에서 꺼내 통상적인 방법으로 처리하여 CVD 소스물질을 회수할 수 있다.The CVD source material can be recovered by taking the collection 8 and the filter 7 out of the filter apparatus 2 and treating it in a conventional manner as appropriate.

도 4 는 필터 장치 (2) 의 하측 (하부) 에, 별도 액류기 (4) 를 설치한 점에서 도 1 과 다른 구성이다. 필터 장치 (2) 로 포집된 CVD 소스물질 등은, 필터 장치 (2) 하측 (하부) 의 액류기 (4) 에 저류된다.FIG. 4 is a configuration different from that in FIG. 1 in that a liquid flower 4 is separately provided on the lower side (lower portion) of the filter device 2. The CVD source material and the like collected by the filter device 2 are stored in the fluidizer 4 below the filter device 2 (lower part).

도 5 는 이와 같은 필터 장치와 액류기의 구성을 나타낸 모식도이다. 필터 장치 (2) 의 하측 (하부) 에는 밸브 (9) 를 통하여 액류기 (4) 가 접속되어 있다. 필터 (7) 로 CVD 소스물질 등을 포집시에는 밸브 (9) 는 개방으로 해 두면, 필터 (7) 의 보액능력을 초과하면 필터 (7) 의 하부에 적하되므로, 밸브 (9) 를 통해 포집물 (8) 은 액류기 (4) 에 저류된다.5 is a schematic view showing the configuration of such a filter device and a liquid flow machine. The fluidizer 4 is connected to the lower side (lower part) of the filter apparatus 2 via the valve 9. When the CVD source material or the like is collected by the filter 7, the valve 9 is opened, and when the retention capacity of the filter 7 is exceeded, the valve 9 is dropped into the lower part of the filter 7, so that the valve 9 is collected through the valve 9. Water 8 is stored in liquidator 4.

포집물 (8) 이 액류기 (4) 의 용량에 채워지면, 밸브 (9) 를 닫고, 액류기 (4) 의 교환, 또는 액류기 (4) 를 떼어내 포집물 (8) 을 회수한 후 이 액류기 (4) 를 다시 장전하고, 다시 밸브 (9) 를 개방함으로써 CVD 장치를 정지시키지 않고도 포집물 (8) 을 회수할 수 있어, 통상적인 방법으로 CVD 소스물질을 효율적으로 회수할 수 있다.When the collection 8 is filled to the capacity of the liquid dispenser 4, the valve 9 is closed and the liquid exchanger 4 is replaced or the liquid dispenser 4 is removed to recover the collection 8. By reloading the liquidator 4 and opening the valve 9 again, the collection 8 can be recovered without stopping the CVD apparatus, and the CVD source material can be efficiently recovered in a conventional manner. .

도 6 은 액류기 (4) 를 필터 장치 (2) 의 하측이기는 하지만, CVD 장치 (1) 의 하부에 설치한 예이다. 이 경우의 필터 장치 및 액류기의 구성을 나타낸 모식도가 도 7 이다.FIG. 6 shows an example in which the liquidator 4 is provided below the CVD apparatus 1 although it is the lower side of the filter apparatus 2. The schematic diagram which showed the structure of a filter apparatus and a liquid flow machine in this case is FIG.

CVD 장치 (1) 로부터의 배기가스를 필터 장치 (2) 로 유도하는 배관은, 일부가 필터 장치 (2) 로부터 액류기 (4) 로 포집물 (8) 을 유도하는 배관과 공용되어 있는 예이다.The piping for guiding the exhaust gas from the CVD apparatus 1 to the filter apparatus 2 is an example in which part of the piping is shared with the piping for guiding the collection 8 from the filter apparatus 2 to the liquidator 4. .

도 8∼도 10 은, CVD 장치 (1) 로부터 2 계통의 회수장치를 접속하고 있는 예이다. CVD 장치 (1) 내에는 소스재료의 기화기 (5) 및 반응기 (챔버 ; 6) 가 포함되어 있다. 기화기 (5) 에서 소스재료는 가스화되어 반응기 (6) 로 보내지고, 반응기 (6) 에서 CVD 반응에 이용된다. CVD 장치 (1) 로부터의 배기가스는, 반응기 (6) 로부터 배출되는 것과, 반응기 (6) 내에서의 CVD 반응의 안정화를 위한 조절로서, 기화기 (5) 로부터 분류되어 반응기 (6) 를 우회하여 배출되는 것이 있는 경우가 있고, 도 8∼도 10 의 구성은 이와 같은 경우에 사용된다.8 to 10 show an example in which two systems of recovery devices are connected from the CVD apparatus 1. In the CVD apparatus 1, a vaporizer 5 and a reactor (chamber) 6 of the source material are included. The source material in the vaporizer 5 is gasified and sent to the reactor 6, which is used for the CVD reaction in the reactor 6. The exhaust gas from the CVD apparatus 1 is discharged from the reactor 6 and is regulated for stabilization of the CVD reaction in the reactor 6, which is classified from the vaporizer 5 to bypass the reactor 6. There may be a case where it discharges, and the structure of FIGS. 8-10 is used in such a case.

또한 이들 도면에서는 기재를 생략했지만, 어느 도면에 나타된 장치에서도, CVD 장치의 CVD 배기가스 배출구와 필터 장치 사이의 배관에 히터가 설치되어 있는 것이 바람직한 것은 상기한 바와 같다.In addition, although description is abbreviate | omitted in these figures, it is as above-mentioned that in the apparatus shown in any figure, it is preferable that the heater is provided in the piping between the CVD exhaust gas discharge port of a CVD apparatus, and a filter apparatus.

본 발명의 CVD 소스물질 회수장치 및 CVD 소스물질 회수방법은, 일반적으로 고비점 타입으로 불리는 CVD 소스물질의 회수에 특별히 유용한 것으로, 예컨대 트리스 (2, 4-옥탄디오나트) 루테늄), 트리스 (6-메틸헵탄-2, 4-디오나트) 루테늄, 트리스 (5-메틸헵탄-2, 4-디오나트) 루테늄, 트리스 (3-메틸데칸-4, 6-디오나트) 루테늄, 트리스 (2, 2, 6-트리메틸옥탄-3, 5-디오나트) 루테늄, 트리스 (2, 6-디메틸노난-3, 5-디오나트) 루테늄, 트리스 (3-메틸노난-4, 6-디오나트) 루테늄, 트리스 (6-메틸옥탄-3, 5-디오나트) 루테늄, 트리스 (3, 8-디메틸노난-4, 6-디오나트) 루테늄, 비스 (에틸시클로펜타디에닐) 루테늄, 트리스 (2, 2, 6, 6-테트라메틸-3, 5-헵탄디오나트) 루테늄, 비스 (시클로펜타디에닐) 루테늄, 시클로펜타디에닐 (n-부틸시클로펜타디에닐) 루테늄, 시클로펜타디에닐 (에틸시클로펜타디에닐) 루테늄, 비스 (2,4-옥탄디오나트) 백금, 트리메틸 (메틸시클로펜타디에닐) 백금, 트리메틸 (에틸시클로펜타디에닐) 백금, 디메틸 (1, 5-시클로옥타디엔) 백금, 메틸시클로펜타디에닐 (1, 5-시클로옥타디엔) 이리듐, 에틸시클로펜타디에닐 (1, 5-시클로옥타디엔) 이리듐, 비스 (6-에틸-2, 2-디메틸-3, 5-데칸디오나트) 구리, 비스 (1-(2-메톡시-에톡시)-2, 2, 6, 6-테트라메틸-3, 5-헵탄디오나트) 바륨, 비스 (2, 2, 6, 6-테트라메틸-3, 5-헵탄디오나트) 바륨, 비스 (2, 2, 6, 6-테트라메틸-3, 5-헵탄디오나트) 스트론튬, 비스 (1-(2-메톡시-에톡시)-2, 2, 6, 6-테트라메틸-3, 5-헵탄디오나트) 스트론튬, 테트라키스 (1-메톡시-2-메틸-2-프로폭시) 하프늄, 테트라키스 (1-메톡시-2-메틸-2-프로폭시) 지르코늄, 테트라키스 (1-(2-메톡시-에톡시)-2, 2, 6, 6-테트라메틸-3, 5-헵탄디오나트) 지르코늄, 테트라키스 (2, 2, 6, 6-테트라메틸-3, 5-헵탄디오나트) 지르코늄, 트리스 (1-메톡시-2-메틸-2-프로폭시) 비스무스, 트리스 (2, 2, 6, 6-테트라메틸-3, 5-헵탄디오나트) 비스무스, 비스 (1-(2-메톡시-에톡시)-2, 2, 6, 6-테트라메틸-3, 5-헵탄디오나트) 납, 비스 (2, 2, 6, 6-테트라메틸-3, 5-헵탄디오나트) 납, 비스 (2, 2, 6, 6-테트라메틸-3, 5-헵탄디오나트) (2-메틸-2, 4-펜탄디옥시) 티타늄 등의 CVD 소스물질의 회수에 유용한 것이다.The CVD source material recovery apparatus and the CVD source material recovery method of the present invention are particularly useful for the recovery of CVD source materials generally referred to as high boiling point types, for example, tris (2,4-octanedionate) ruthenium), tris (6 -Methylheptan-2, 4-dionat) ruthenium, tris (5-methylheptan-2, 4-dionat) ruthenium, tris (3-methyldecane-4, 6-dionate) ruthenium, tris (2, 2 , 6-trimethyloctane-3, 5-dionat) ruthenium, tris (2, 6-dimethylnonan-3, 5-dionat) ruthenium, tris (3-methylnonan-4, 6-dionate) ruthenium, tris (6-Methyloctane-3, 5-dionat) ruthenium, tris (3, 8-dimethylnonan-4, 6-dionat) ruthenium, bis (ethylcyclopentadienyl) ruthenium, tris (2, 2, 6 , 6-tetramethyl-3, 5-heptanedionate) ruthenium, bis (cyclopentadienyl) ruthenium, cyclopentadienyl (n-butylcyclopentadienyl) ruthenium, cyclopentadienyl (ethyloxy Lopentadienyl) ruthenium, bis (2,4-octanedionate) platinum, trimethyl (methylcyclopentadienyl) platinum, trimethyl (ethylcyclopentadienyl) platinum, dimethyl (1, 5-cyclooctadiene) platinum , Methylcyclopentadienyl (1,5-cyclooctadiene) iridium, ethylcyclopentadienyl (1,5-cyclooctadiene) iridium, bis (6-ethyl-2, 2-dimethyl-3, 5-decane Dionat) copper, bis (1- (2-methoxy-ethoxy) -2, 2, 6, 6-tetramethyl-3, 5-heptanedionate) barium, bis (2, 2, 6, 6- Tetramethyl-3, 5-heptanedionate) barium, bis (2, 2, 6, 6-tetramethyl-3, 5-heptanedionate) strontium, bis (1- (2-methoxy-ethoxy)- 2, 2, 6, 6-tetramethyl-3, 5-heptanedionate) strontium, tetrakis (1-methoxy-2-methyl-2-propoxy) hafnium, tetrakis (1-methoxy-2- Methyl-2-propoxy) zirconium, tetrakis (1- (2-methoxy-ethoxy) -2, 2, 6, 6-tetramethyl-3, 5-heptanedionate) Leconium, Tetrakis (2, 2, 6, 6-tetramethyl-3, 5-heptanedionate) Zirconium, Tris (1-methoxy-2-methyl-2-propoxy) Bismuth, Tris (2, 2 , 6, 6-tetramethyl-3, 5-heptanedionate) bismuth, bis (1- (2-methoxy-ethoxy) -2, 2, 6, 6-tetramethyl-3, 5-heptanedionate ) Lead, bis (2, 2, 6, 6-tetramethyl-3, 5-heptanedionate) lead, bis (2, 2, 6, 6-tetramethyl-3, 5-heptanedionate) (2- It is useful for the recovery of CVD source materials such as methyl-2, 4-pentanedioxy) titanium.

CVD 소스물질이 고비점 타입의 재료인 경우, 소스물질을 유기용제에 용해하여 사용하는 경우가 많다. 여기에서 사용되는 유기용제는, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, n-부탄올 등의 알코올류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산메톡시에틸 등의 아세트산에스테르류, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르 등의 에테르알코올류, 테트라히드로푸란, 그라임, 디그라임, 트리그라임, 디부틸에테르 등의 에테르류, 메틸부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 에틸부틸케톤, 디프로필케톤, 디이소부틸케톤, 메틸아밀케톤, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논 등의 케톤류, 헥산, 시클로헥산, 헵탄, 옥탄, 톨루엔, 크실렌 등의 탄화수소를 들 수 있고, 용질의 용해성, 사용온도와 비점, 인화점의 관계 등에 의해 적절히 선정되지만, 특히 테트라히드로푸란, 그라임, 디그라임 등의 에테르류가 착체 (錯體) 의 안정화 효과도 있어 바람직하게 사용된다.When the CVD source material is a high boiling point type material, the source material is often dissolved in an organic solvent and used. Although the organic solvent used here is not specifically limited, For example, alcohols, such as methanol, ethanol, 2-propanol, n-butanol, acetate esters, such as ethyl acetate, butyl acetate, and methoxyethyl acetate, methyl cellosolve Ether alcohols such as ethyl cellosolve, butyl cellosolve, diethylene glycol monomethyl ether, ethers such as tetrahydrofuran, lime, diglyme, trilime and dibutyl ether, methyl butyl ketone and methyl Ketones such as isobutyl ketone, ethyl butyl ketone, dipropyl ketone, diisobutyl ketone, methyl amyl ketone, cyclohexanone and methylcyclohexanone, and hydrocarbons such as hexane, cyclohexane, heptane, octane, toluene and xylene Although appropriately selected depending on the solubility of the solute, the relationship between the use temperature and the boiling point, the flash point, and the like, ethers such as tetrahydrofuran, lime, and digim are particularly complex. It is preferably used here also stabilizing effect.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 설명하는데, 이들에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, although an Example further demonstrates this invention, it is not limited to these.                     

[참고예][Reference Example]

아크릴로니트릴 단위를 85 중량% 함유하고, 이온성 기로서 음이온성 기 (카르복실기) 를 0.5m ㏖/g, 양이온성 기 (아미노기) 를 4.5m ㏖/g 함유하는 중합체에 의해 형성된 섬유의 집합체로 이루어지는 원통형 필터 (외경 180㎜, 내경 50㎜, 길이 130㎜, 공극율이 91.5%, 평균 공경 350㎛, 표준편차 250㎛) 를 사용하여 도 7 과 같이 필터 장치 및 액류기를 구성하고, 2 계통의 회수장치 모두 동일한 필터 장치 및 액류기를 접속하고, 도 10 과 동일한 구성의 CVD 소스물질 회수장치를 구성하고, CVD 장치를 사용하여 이하의 표 1 의 조건에서 CVD 법에 의해, 실리콘 웨이퍼 기판 상에 메탈박막을 형성시키고, 발생하는 CVD 배기가스로부터 CVD 소스물질을 회수하였다. An aggregate of fibers formed by a polymer containing 85% by weight of acrylonitrile units and containing 0.5 mmol / g of anionic groups (carboxyl groups) and 4.5 mmol / g of cationic groups (amino groups) as ionic groups. A cylindrical filter (outer diameter of 180 mm, inner diameter of 50 mm, length of 130 mm, porosity of 91.5%, average pore diameter of 350 µm, standard deviation of 250 µm) was used to constitute a filter device and a liquid flow as shown in FIG. The devices were all connected to the same filter device and the liquid flowr, to constitute a CVD source material recovery device having the same configuration as in FIG. 10, and to the metal thin film on the silicon wafer substrate by the CVD method under the conditions of Table 1 below using the CVD device. Was formed and the CVD source material was recovered from the generated CVD exhaust gas.

또한 여기에서 필터의 외경, 내경은 도 11 에 나타낸 바와 같다.In addition, the outer diameter and inner diameter of a filter are as showing in FIG.

CVD 소스물질CVD source material 트리스 (2, 4-옥탄디오나트) 루테늄Tris (2, 4-octanedionate) Ruthenium CVD 소스물질의 용제Solvent of CVD source material 아세트산부틸Butyl acetate CVD 소스물질의 농도CVD source concentration 0.5 몰/리터0.5 mol / liter CVD 소스재료 (소스물질+용제) 공급량CVD source material (source material + solvent) supply 0.17g/min0.17 g / min 캐리어 가스Carrier gas ArAr 캐리어 가스 유량Carrier gas flow rate 300sccm300sccm 반응가스Reaction gas O2 O 2 반응가스유량Reaction Gas Flow 30sccm30sccm 기판온도Substrate temperature 350℃350 ℃ 기화온도Vaporization temperature 200℃200 ℃ 챔버압력Chamber pressure 600㎩600㎩ CVD 장치로부터의 배출시의 배기가스 온도Exhaust Gas Temperature at Emission from CVD Equipment 100℃100 ℃ 배기가스 배관 온도Exhaust piping temperature 100℃100 ℃ CVD 소스물질 공급총량Total CVD Source Material Supply 197.8g197.8 g

그 결과, 2 계통의 배기가스 회수물의 합계로서, 필터중에는 22.2g 의, 액류기에는 164.2g 의 CVD 소스물질이 회수되었다. 단, 프로세스 배기가스 중에 함 유되는 Ru 메탈량은 소스물질량으로 환산하여 상기 회수량에 포함된다. 박막형성에 의해 소비된 CVD 소스재료는 약 1% 로 추정되므로, CVD 소스재료의 회수율은 95.2% 이었다.As a result, 22.2 g of CVD source material was recovered in the filter and 164.2 g of the CVD source material as the sum of the two types of exhaust gas recovered products. However, the Ru metal amount contained in the process exhaust gas is included in the recovery amount in terms of the source material amount. Since the CVD source material consumed by thin film formation was estimated to be about 1%, the recovery rate of the CVD source material was 95.2%.

[실시예]EXAMPLE

필터에는, 참고예에서 사용한 섬유를 사용하고, 동일한 외경, 내경, 길이의 원통형 필터로 했지만, 도 11 에 나타낸 바와 같은 공극율 및 공경 분포가 다른 2 층으로 이루어지는 필터 (외측층은 공극율이 91.5%, 평균공경 350㎛, 표준편차 250㎛, 두께 35㎜, 내측층은 공극율이 86.4%, 평균 공경 200㎛, 표준편차 235㎛, 두께 30㎜, 2층 필터 전체적으로 공극율이 89.9%, 평균 공경 300㎛, 표준편차 250㎛) 를 사용하여 참고예와 동일하게 실시하였다.As a filter, the fiber used in the reference example was used and it was set as the cylindrical filter of the same outer diameter, inner diameter, and length, but the filter which consists of two layers from which the porosity and pore distribution shown in FIG. 11 differs (the outer layer has a porosity of 91.5%, Average pore 350㎛, standard deviation 250㎛, thickness 35mm, inner layer porosity 86.4%, average pore 200㎛, standard deviation 235㎛, thickness 30mm, porosity 89.9%, average pore 300㎛, It carried out similarly to the reference example using the standard deviation of 250 micrometers).

그 결과, 2 계통의 배기가스 회수물의 합계로서, 필터중에는 23.1g 의, 액류기에는 164.5g 의 CVD 소스물질이 회수되었다. 단, 프로세스 배기가스 중에 함유되는 Ru 메탈량은 소스물질 중량으로 환산하여 상기 회수량에 포함된다. 박막형성에 의해 소비된 CVD 소스재료는 약 1% 로 추정되므로, CVD 소스재료의 회수율은 95.8% 이었다.As a result, 23.1 g of the CVD source material was recovered in the filter and 164.5 g of the CVD source material as the sum of the two types of exhaust gas recovered products. However, the amount of Ru metal contained in the process exhaust gas is included in the recovery amount in terms of the weight of the source material. Since the CVD source material consumed by thin film formation was estimated to be about 1%, the recovery rate of the CVD source material was 95.8%.

본 발명은 상기와 같이 구성했으므로, 압력손실의 증대가 없거나 또는 매우 경미하더라도, CVD 배기가스 중의 미반응 CVD 소스물질을 효율적으로 포집ㆍ회수할 수 있는, CVD 소스물질 회수장치, 및 이를 사용한 CVD 소스물질 회수방법을 제공할 수 있다.Since the present invention is configured as described above, a CVD source material recovery apparatus capable of efficiently collecting and recovering unreacted CVD source materials in CVD exhaust gas, even if there is no increase or a slight increase in pressure loss, and a CVD source using the same A material recovery method can be provided.

Claims (6)

CVD 장치와 배기펌프 사이에 필터 장치를 설치한, CVD 소스물질 회수장치에 있어서, 이 필터 장치내의 필터가 아크릴로니트릴 단위를 50 중량% 이상 함유하고 이온성 기 (基) 를 0.1∼6.0m ㏖/g 함유하는 아크릴로니트릴계 중합체에 의해 형성된 섬유의 집합체로 이루어진 것이며, 또한 필터의 공극율이 70∼99% 이고, 필터 공경이 다른 복수의 층으로 이루어지는 것인 것을 특징으로 하는 CVD 소스물질 회수장치.In the CVD source material recovery apparatus provided with a filter apparatus between a CVD apparatus and an exhaust pump, the filter in this filter apparatus contains 50 weight% or more of acrylonitrile units, and 0.1-6.0 mmol of an ionic group. CVD source material recovery apparatus, comprising a plurality of layers having a porosity of 70 to 99% and different filter porosities of the fibers formed by the acrylonitrile-based polymer containing / g. . 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, CVD 장치의 CVD 배기가스 배출구와 필터 장치 사이의 배관에 히터가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 CVD 소스물질 회수장치.CVD source material recovery apparatus, characterized in that the heater is installed in the pipe between the CVD exhaust gas outlet and the filter device of the CVD apparatus. 삭제delete 삭제delete 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 필터 장치내 또는 필터 장치 하측에 액류기를 설치한 것을 특징으로 하는 CVD 소스물질 회수장치.CVD source material recovery apparatus, characterized in that the liquidator is installed in the filter device or below the filter device. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 CVD 소스물질 회수장치를 사용하여, 필터 또는, 필터 및 액류기에 CVD 소스물질을 포집하고, 여기에서 CVD 소스물질을 회수하는 것을 특징으로 하는 CVD 소스물질 회수방법. A method of recovering a CVD source material, wherein the CVD source material is collected in a filter or a filter and a liquid discharger using the CVD source material recovery device according to claim 1 or 2, and the CVD source material is recovered therefrom.
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