JP3319439B2 - Peripheral resin-encapsulated semiconductor device - Google Patents
Peripheral resin-encapsulated semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JP3319439B2 JP3319439B2 JP17065199A JP17065199A JP3319439B2 JP 3319439 B2 JP3319439 B2 JP 3319439B2 JP 17065199 A JP17065199 A JP 17065199A JP 17065199 A JP17065199 A JP 17065199A JP 3319439 B2 JP3319439 B2 JP 3319439B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- grid array
- ball grid
- tab tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、側面部が樹脂により封止された周辺樹脂封止
型半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a peripheral resin-encapsulated semiconductor device having a side surface sealed with a resin.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のボールグリッドアレイについて、
図５を参照して説明する。図５は、全体の断面図であ
る。2. Description of the Related Art With respect to a conventional ball grid array,
This will be described with reference to FIG. FIG. 5 is an overall sectional view.
【０００３】従来、ＴＡＢテープを使用したボールグリ
ッドアレイは、図５に示すように、あらかじめ銅に金メ
ッキなどがされた配線６がパターニングされたカプトン
などのＴＡＢテープ８がベースとなっている。このＴＡ
Ｂテープ８は、ＩＣチップ１が搭載される中央部がくり
抜かれており、配線６のみがＩＣチップ１上の四角上の
ボンディングパッドと接続できる距離まで引き延ばしさ
れ、この配線６の先端部とＩＣチップ１とが超音波熱圧
着法などにより接続される。スティフナ９は、銅などが
ベースとなり、ＴＡＢテープ８同様ＩＣチップ１が搭載
される中央部がくり抜かれており、ＩＣチップ１を取り
囲むように、両面接着剤５によりＴＡＢテープ８と接着
される。スティフナ９の接着後は、ＩＣチップ搭載部を
樹脂４により封止する。樹脂封止後は、外部端子となる
半田ボール７を配線６上に搭載し、最後に銅などをベー
スとした放熱板３を接着剤２を介してＩＣチップ１の裏
面、ならびにスティフナ９と接着し完成となる。Conventionally, as shown in FIG. 5, a ball grid array using a TAB tape is based on a TAB tape 8 such as Kapton in which wirings 6 in which gold is plated in advance with copper are patterned. This TA
The central portion of the B tape 8 on which the IC chip 1 is mounted is hollowed out, and only the wiring 6 is extended to a distance that can be connected to the square bonding pad on the IC chip 1. The chip 1 is connected by an ultrasonic thermocompression bonding method or the like. The stiffener 9 is made of copper or the like and has a hollowed-out central portion on which the IC chip 1 is mounted like the TAB tape 8, and is adhered to the TAB tape 8 by the double-sided adhesive 5 so as to surround the IC chip 1. After bonding the stiffener 9, the IC chip mounting portion is sealed with the resin 4. After resin sealing, a solder ball 7 serving as an external terminal is mounted on the wiring 6, and finally a heat sink 3 based on copper or the like is bonded to the back surface of the IC chip 1 and the stiffener 9 via the adhesive 2. It is completed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のボール
グリッドアレイの構成においては、ＴＡＢテープとステ
ィフナは両面接着剤により接着され、スティフナおよび
放熱板は接着剤により接着されているだけであるため、
熱ストレスなどにより接着強度が低くなる恐れがあると
いう問題があった。In the above-described configuration of the conventional ball grid array, the TAB tape and the stiffener are adhered by a double-sided adhesive, and the stiffener and the heat radiating plate are adhered only by the adhesive.
There is a problem that the adhesive strength may be reduced due to thermal stress or the like.
【０００５】そこで、本発明の目的は、上記問題を解決
するために、接着強度を高くした半導体装置を提供する
ことにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor device having an increased bonding strength in order to solve the above-mentioned problem.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の周辺樹脂封止型半導体装置は、ＴＡＢテー
プをベースとしたボールグリッドアレイパッケージの側
面部を樹脂により封止し、且つ、ボールグリッドアレイ
のＴＡＢテープ，スティフナ，放熱板のそれぞれを貫通
する穴が設けられ、その穴に樹脂が注入されていること
を特徴とする。In order to achieve the above object, a peripheral resin-encapsulated semiconductor device of the present invention seals a side surface of a ball grid array package based on a TAB tape with a resin , and , Ball grid array
Through each of TAB tape, stiffener and heat sink
And a resin is injected into the hole .
【０００７】さらに、パッケージ側面部の四辺を全て封
止するのが好ましい。 Furthermore, it is preferable to seal all four sides of the package side.
【０００８】また、樹脂は、液状であり、高温の雰囲気
中で硬化するのが好ましい。The resin is preferably in a liquid state and is preferably cured in a high-temperature atmosphere.
【０００９】さらに、樹脂は、塗布によりパッケージ側
面部に充填されるのが好ましい。Further, it is preferable that the resin is filled in the side surface of the package by coating.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１１】図１は、本発明の周辺樹脂封止型半導体装
置の参考例の構成を示す断面図である。この図は、ボー
ルグリッドアレイの断面図を示している。本発明の参考
例のボールグリッドアレイにおいては、ＴＡＢテープ
８，スティフナ９，及び放熱板３の側面が樹脂４により
封止される。樹脂により封止された後の側面部は、図２
の通りである。FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a reference example of a peripheral resin-sealed semiconductor device according to the present invention. This figure shows the Bo
FIG. 2 shows a cross-sectional view of a grid grid array . Reference of the present invention
In the example ball grid array, the side surfaces of the TAB tape 8, the stiffener 9, and the heat sink 3 are sealed with the resin 4. The side part after sealing with resin is shown in FIG.
It is as follows.
【００１２】このように、本発明の周辺樹脂封止型半導
体装置の参考例は、ＴＡＢテープをベースとしたボール
グリッドアレイにおいて、パッケージ側面部が樹脂によ
り封止されたことを特徴とする。As described above, the reference example of the peripheral resin-encapsulated semiconductor device of the present invention is characterized in that, in a ball grid array based on a TAB tape, the package side surface is sealed with resin.
【００１３】本発明のボールグリッドアレイの実施の形
態では、前述した特徴に加え、ボールグリッドアレイの
ＴＡＢテープ，スティフナ，放熱板のそれぞれを貫通す
る穴を設け、その貫通穴に樹脂を注入する特徴を更に有
している。 An embodiment of the ball grid array of the present invention
The state, in addition to the features described above, TAB tape ball grid array, stiffener, the hole through the respective heat radiating plate is provided, further have the feature that the resin is injected into the through hole
Have .
【００１４】[0014]
【実施例】次に、図１〜図３を参照して、本発明の周辺
樹脂封止型半導体装置の参考例の動作について説明す
る。EXAMPLES Next, with reference to FIGS. 1 to 3, the operation of the reference example near the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention.
【００１５】本参考例では、図１，図２に示すＴＡＢテ
ープ８，スティフナ９，及び放熱板３で構成されたその
側面部を、図３に示すように、樹脂４によりパッケージ
の四辺全てを封止する。この時、樹脂４は液状であり、
塗布した後は、高温の雰囲気中でそれを硬化させる。ま
た、樹脂の塗布する箇所は、側面部のみであり、放熱板
の表面、及び半田ボールの搭載面に大きく樹脂がはみ出
すことはない。[0015] In this reference example, FIG. 1, TAB tape 8 shown in FIG. 2, the side surface portion composed of a stiffener 9, and the radiating plate 3, as shown in FIG. 3, all four sides of the package by the resin 4 Seal. At this time, the resin 4 is in a liquid state,
After application, it is cured in a high temperature atmosphere. Further, the resin is applied only to the side surface, and the resin does not protrude largely on the surface of the heat sink and the mounting surface of the solder ball.
【００１６】次に、図面を参照して、本発明の実施例に
ついて説明する。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１７】本発明の実施例としては、図４に示す側面
部の樹脂４の封止に加え、ＴＡＢテープ８，スティフナ
９，及び放熱板３のそれぞれに貫通穴を設け、その貫通
穴に樹脂を注入し、硬化させることでより接着強度を高
くすることが可能となる。As an embodiment of the present invention, in addition to sealing the resin 4 on the side surface shown in FIG. 4, through holes are provided in each of the TAB tape 8, the stiffener 9, and the heat sink 3, and the through holes are formed in the through holes. By injecting and curing, it is possible to further increase the adhesive strength.
【００１８】[0018]
【発明の効果】従来、ＴＡＢテープをベースとしたボー
ルグリッドアレイパッケージのＴＡＢテープおよびステ
ィフナは両面接着剤により接着され、スティフナと放熱
板は接着剤により接着されているだけであったが、これ
らの側面部が樹脂により封止され、さらにＴＡＢテー
プ，スティフナ，放熱板のそれぞれを貫通する穴が設け
られ、その穴に樹脂を注入し硬化させることで、接着強
度を高くすることが可能となるという効果を奏する。Conventionally, the TAB tape and the stiffener of the ball grid array package based on the TAB tape are adhered by a double-sided adhesive, and the stiffener and the radiator plate are merely adhered by the adhesive. The side is sealed with resin , and the TAB
Holes that penetrate the pump, stiffener, and heat sink
Thus, by injecting a resin into the hole and curing the resin, it is possible to increase the adhesive strength.
【００１９】よって、例えば、熱ストレスにより生じる
可能性がある個々の材料間のはがれなどを抑えることが
でき、また、水分の侵入も抑えられることから、信頼性
向上を図ることが可能となるという効果も奏する。Therefore, for example, peeling between individual materials which may be caused by thermal stress can be suppressed, and the penetration of moisture can be suppressed, so that reliability can be improved. It also has an effect.
【図１】本発明の参考例の構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a reference example of the present invention.
【図２】本発明の参考例の構成を示す拡大部分断面図で
ある。FIG. 2 is an enlarged partial sectional view showing a configuration of a reference example of the present invention.
【図３】本発明の参考例の側面部への液状樹脂塗布を示
す概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating application of a liquid resin to a side surface according to a reference example of the present invention.
【図４】本発明の実施例の構成を示す拡大部分断面図で
ある。FIG. 4 is an enlarged partial sectional view showing the configuration of the embodiment of the present invention.
【図５】従来例の全体を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing the entire conventional example.
１ ＩＣチップ ２ 接着剤 ３ 放熱板 ４ 樹脂 ５ 両面接着剤 ６ 配線 ７ 半田ボール ８ ＴＡＢテープ ９ スティフナ １０ ノズル DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 IC chip 2 Adhesive 3 Heat sink 4 Resin 5 Double-sided adhesive 6 Wiring 7 Solder ball 8 TAB tape 9 Stiffener 10 Nozzle
Claims (4)
ッドアレイパッケージの側面部を樹脂により封止し、且
つ、ボールグリッドアレイのＴＡＢテープ，スティフ
ナ，放熱板のそれぞれを貫通する穴が設けられ、その穴
に樹脂が注入されていることを特徴とする周辺樹脂封止
型半導体装置。1. A side surface of a ball grid array package based on a TAB tape is sealed with a resin, and a hole is provided through each of a TAB tape, a stiffener, and a heat sink of the ball grid array. A peripheral resin-encapsulated semiconductor device, wherein a resin is injected into the semiconductor device.
側面部の四辺を全て封止したことを特徴とする請求項１
に記載の周辺樹脂封止型半導体装置。2. A method according to claim 1, characterized in that sealing all four sides of the side surface portion of the ball grid array package
2. A peripheral resin-sealed semiconductor device according to claim 1.
中で硬化することを特徴とする請求項１〜２のいずれか
に記載の周辺樹脂封止型半導体装置。Wherein the resin is a liquid, the peripheral resin-encapsulated semiconductor device according to any one of claims 1 to 2, characterized in that curing in a high temperature atmosphere.
ッドアレイパッケージの側面部に充填されることを特徴
とする請求項１〜３のいずれかに記載の周辺樹脂封止型
半導体装置。Wherein said resin is near a resin encapsulated semiconductor device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that it is filled to the side surface portion of the ball grid array package by coating.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17065199A JP3319439B2 (en) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | Peripheral resin-encapsulated semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17065199A JP3319439B2 (en) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | Peripheral resin-encapsulated semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000357764A JP2000357764A (en) | 2000-12-26 |
| JP3319439B2 true JP3319439B2 (en) | 2002-09-03 |
Family
ID=15908841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17065199A Expired - Fee Related JP3319439B2 (en) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | Peripheral resin-encapsulated semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3319439B2 (en) |
-
1999
- 1999-06-17 JP JP17065199A patent/JP3319439B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000357764A (en) | 2000-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6326687B1 (en) | IC package with dual heat spreaders | |
| JP2000323623A (en) | Semiconductor device | |
| JPH1145956A (en) | Packaged integrated circuit element and production thereof | |
| US6589812B2 (en) | Pre-applied adhesion promoter | |
| JP2973792B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| JPH0831988A (en) | Sealing structure of tape carrier package | |
| JP3319439B2 (en) | Peripheral resin-encapsulated semiconductor device | |
| JPH098186A (en) | Semiconductor integrated circuit device and its manufacture | |
| JP3899755B2 (en) | Semiconductor device | |
| US6710434B1 (en) | Window-type semiconductor package and fabrication method thereof | |
| KR100487135B1 (en) | Ball Grid Array Package | |
| JPH10135249A (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| KR100197878B1 (en) | Bga semiconductor package | |
| JPH1197569A (en) | Semiconductor package | |
| JP3506029B2 (en) | Tape-shaped wiring board and semiconductor device using the same | |
| JPH06177280A (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| KR100218634B1 (en) | Bga package having a carrier frame | |
| JPH1117082A (en) | Resin sealed semiconductor device | |
| JP2002368030A (en) | Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH0779149B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| KR100379085B1 (en) | Sealing Method of Semiconductor Device | |
| JPH0629427A (en) | Semiconductor mounting substrate | |
| KR0125874Y1 (en) | Semiconductor package | |
| JP3145892B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| KR20060079996A (en) | Chip scale package and manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |