JP3313673B2 - 縦型熱処理炉の設置構造 - Google Patents
縦型熱処理炉の設置構造Info
- Publication number
- JP3313673B2 JP3313673B2 JP25910099A JP25910099A JP3313673B2 JP 3313673 B2 JP3313673 B2 JP 3313673B2 JP 25910099 A JP25910099 A JP 25910099A JP 25910099 A JP25910099 A JP 25910099A JP 3313673 B2 JP3313673 B2 JP 3313673B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust
- furnace
- heat treatment
- tube
- vertical heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は縦型熱処理炉の設置
構造に係り、特に排気系により炉心管内の反応ガスの流
れを均一化させる縦型熱処理炉の設置構造に関する。
構造に係り、特に排気系により炉心管内の反応ガスの流
れを均一化させる縦型熱処理炉の設置構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術の縦型熱処理炉の一例を図６に
示す。
示す。
【０００３】炉心管７１内はヒーター７７により所定の
温度（８００℃〜１２００℃）に高温加熱されている。
複数枚（５０枚〜２００枚）の半導体基板７２を互いに
所定の間隔を維持して搭載した石英ボート７３を上下動
可能なステージである保温筒ベース７５上の保温筒７６
の上面上に載置し、保温筒ベース７５を上昇させること
により半導体基板７２が石英ボート７３と共に炉心管７
１内に挿入される。
温度（８００℃〜１２００℃）に高温加熱されている。
複数枚（５０枚〜２００枚）の半導体基板７２を互いに
所定の間隔を維持して搭載した石英ボート７３を上下動
可能なステージである保温筒ベース７５上の保温筒７６
の上面上に載置し、保温筒ベース７５を上昇させること
により半導体基板７２が石英ボート７３と共に炉心管７
１内に挿入される。
【０００４】次に炉心管７１内にＭＦＣ（マス・フロー
・コントローラ）７９を介し、所定流量（１０Ｌ／ｍｉ
ｎ〜５０Ｌ／ｍｉｎ）の反応ガス（水素・酸素・窒素・
シラン等のガスを一種類あるいは複数種類）７８Ａがガ
ス供給管７４から供給される。供給された反応ガス７８
Ａにより、半導体基板上に薄膜を形成する。そして、供
給された反応ガスは、排気ガス７８Ｂとして炉心管排気
口８１経て、工場排気口へ排出される。
・コントローラ）７９を介し、所定流量（１０Ｌ／ｍｉ
ｎ〜５０Ｌ／ｍｉｎ）の反応ガス（水素・酸素・窒素・
シラン等のガスを一種類あるいは複数種類）７８Ａがガ
ス供給管７４から供給される。供給された反応ガス７８
Ａにより、半導体基板上に薄膜を形成する。そして、供
給された反応ガスは、排気ガス７８Ｂとして炉心管排気
口８１経て、工場排気口へ排出される。
【０００５】ところが、従来技術による縦型熱処理炉で
は、炉心管排気口８１が１箇所しか無いため、ガス排気
口８１から遠い方の反応ガスは排気口に近づくにつれて
斜流７８Ｃとなる。
は、炉心管排気口８１が１箇所しか無いため、ガス排気
口８１から遠い方の反応ガスは排気口に近づくにつれて
斜流７８Ｃとなる。
【０００６】従って、半導体基板上に形成される薄膜
は、その影響を受け、半導体基板（ウェハー）に対し不
均一に供給され、排気口に遠い方で厚くなり、近い方で
薄くなる。従って、薄膜形成時のウェハー面内均一性を
悪化させる。
は、その影響を受け、半導体基板（ウェハー）に対し不
均一に供給され、排気口に遠い方で厚くなり、近い方で
薄くなる。従って、薄膜形成時のウェハー面内均一性を
悪化させる。
【０００７】このために、特開平７−１４７８２号公報
には、半導体基板（ウェハー）の面内均一性向上を図る
ために、保温筒ベース側に排気口を設けた縦型熱処理炉
が開示されている。
には、半導体基板（ウェハー）の面内均一性向上を図る
ために、保温筒ベース側に排気口を設けた縦型熱処理炉
が開示されている。
【０００８】しかしながらこの場合、ウェハーを載せた
ボートを炉心管内に入出炉させるために保温筒ベースは
上下動するので、保温筒ベース下に設けられた排気管を
可動にしなければならず、構造が複雑になり、また可動
することによるゴミの発塵の可能性を持つという問題点
を有している。
ボートを炉心管内に入出炉させるために保温筒ベースは
上下動するので、保温筒ベース下に設けられた排気管を
可動にしなければならず、構造が複雑になり、また可動
することによるゴミの発塵の可能性を持つという問題点
を有している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように図６に示す
従来技術では、薄膜形成等においてウェハー面内均一性
が悪化してしまう。
従来技術では、薄膜形成等においてウェハー面内均一性
が悪化してしまう。
【００１０】また、保温筒ベース側に排気口を設けた縦
型熱処理炉では、構造が複雑になり、またゴミの発塵の
懸念も生じる。
型熱処理炉では、構造が複雑になり、またゴミの発塵の
懸念も生じる。
【００１１】したがって本発明の目的は、半導体基板
（ウェハー）面内の均一な処理を可能にし、簡素化され
た構造で且つ発塵の恐れがない、有効な縦型熱処理炉お
よびその設置構造を提供することである。
（ウェハー）面内の均一な処理を可能にし、簡素化され
た構造で且つ発塵の恐れがない、有効な縦型熱処理炉お
よびその設置構造を提供することである。
【００１２】
【００１３】
【課題を解決するための手段】 本発明の特徴は、筒状の
炉心管内に複数の半導体基板を搭載したボートを載置
し、前記炉心管内に反応ガスを流して前記半導体基板に
熱処理を施す縦型熱処理炉の炉心管排気口と工場排気口
とを排気ダクトで接続する縦型熱処理炉の設置構造にお
いて、前記炉心管に複数の炉心管排気口を設け、前記工
場排気口から一番遠い前記炉心管排気口に接続する前記
排気ダクトの距離に合わせるように、それよりも近い前
記炉心管排気口に接続する前記排気ダクトの道程を迂回
させることによって、それぞれの前記炉心管排気口から
工場排気口までの距離がたがいに等しくなるように同じ
内面積の排気ダクトで接続した縦型熱処理炉の設置構造
にある。
炉心管内に複数の半導体基板を搭載したボートを載置
し、前記炉心管内に反応ガスを流して前記半導体基板に
熱処理を施す縦型熱処理炉の炉心管排気口と工場排気口
とを排気ダクトで接続する縦型熱処理炉の設置構造にお
いて、前記炉心管に複数の炉心管排気口を設け、前記工
場排気口から一番遠い前記炉心管排気口に接続する前記
排気ダクトの距離に合わせるように、それよりも近い前
記炉心管排気口に接続する前記排気ダクトの道程を迂回
させることによって、それぞれの前記炉心管排気口から
工場排気口までの距離がたがいに等しくなるように同じ
内面積の排気ダクトで接続した縦型熱処理炉の設置構造
にある。
【００１４】ここで、前記工場排気口に対して前記排気
ダクトはその道程がたがいに対象になるように設けられ
ていることができる。
ダクトはその道程がたがいに対象になるように設けられ
ていることができる。
【００１５】
【００１６】もしくは本発明の特徴は、筒状の炉心管内
に複数の半導体基板を搭載したボートを載置し、前記炉
心管内に反応ガスを流して前記半導体基板に熱処理を施
す縦型熱処理炉の炉心管排気口と工場排気口とを排気ダ
クトで接続する縦型熱処理炉の設置構造において、前記
炉心管排気口は４個以上であり、隣り合う炉心管排気口
どうしを第１の排気ダクトで接続し、さらに隣り合う前
記第１の排気ダクトのそれぞれの中央部どうしを前記第
２の排気ダクトで接続し、この第２の排気ダクトの中央
部に接続した他の排気ダクトを経由して前記工場排気口
に接続することによってそれぞれの前記炉心管排気口か
ら工場排気口までの距離が等しくなるように接続した縦
型熱処理炉の設置構造にある。
に複数の半導体基板を搭載したボートを載置し、前記炉
心管内に反応ガスを流して前記半導体基板に熱処理を施
す縦型熱処理炉の炉心管排気口と工場排気口とを排気ダ
クトで接続する縦型熱処理炉の設置構造において、前記
炉心管排気口は４個以上であり、隣り合う炉心管排気口
どうしを第１の排気ダクトで接続し、さらに隣り合う前
記第１の排気ダクトのそれぞれの中央部どうしを前記第
２の排気ダクトで接続し、この第２の排気ダクトの中央
部に接続した他の排気ダクトを経由して前記工場排気口
に接続することによってそれぞれの前記炉心管排気口か
ら工場排気口までの距離が等しくなるように接続した縦
型熱処理炉の設置構造にある。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明を説明
する。図１は本発明の実施の形態の縦型熱処理炉を示す
概略図である。
する。図１は本発明の実施の形態の縦型熱処理炉を示す
概略図である。
【００１８】本発明の縦型熱処理炉は、薄膜の形成を行
う円筒状の炉心管１，多数の半導体基板２を互いに所定
の間隔を維持して支持する石英ボート３，水素，酸素，
窒素等の反応ガスを炉心管１内に供給するためのガス供
給管４，供給された反応ガスを排気する炉心管排気口１
１，１２，供給する反応ガスの流量を制御するマス・フ
ロー・コントローラ（ＭＦＣ）９及び炉心管内を所定の
温度に加熱する為のヒーター７を有し、さらにエレベー
タ機構（図示省略）の駆動により上昇、下降動作を行う
ステージである保温筒ベース５、保温筒ベース５上に設
けれその上面上に石英ボート３を載置する保温筒６を有
して構成されている。
う円筒状の炉心管１，多数の半導体基板２を互いに所定
の間隔を維持して支持する石英ボート３，水素，酸素，
窒素等の反応ガスを炉心管１内に供給するためのガス供
給管４，供給された反応ガスを排気する炉心管排気口１
１，１２，供給する反応ガスの流量を制御するマス・フ
ロー・コントローラ（ＭＦＣ）９及び炉心管内を所定の
温度に加熱する為のヒーター７を有し、さらにエレベー
タ機構（図示省略）の駆動により上昇、下降動作を行う
ステージである保温筒ベース５、保温筒ベース５上に設
けれその上面上に石英ボート３を載置する保温筒６を有
して構成されている。
【００１９】反応ガス８Ａは炉心管１の上部より供給さ
れ、炉心管１の下部、すなわち保温筒６の上面より下方
向の炉心管１の側壁に設けられた互いに等間隔の複数の
炉心管排気口１１，１２から排気ガス８Ｂとして排気さ
れる構造になっている。複数個（ｎ≧２）の炉心管排気
口１１，１２は互いに同じ開口面積であり、さらにそこ
から工場の排気ラインまでの距離（道程）が同じになる
ように設置されている。
れ、炉心管１の下部、すなわち保温筒６の上面より下方
向の炉心管１の側壁に設けられた互いに等間隔の複数の
炉心管排気口１１，１２から排気ガス８Ｂとして排気さ
れる構造になっている。複数個（ｎ≧２）の炉心管排気
口１１，１２は互いに同じ開口面積であり、さらにそこ
から工場の排気ラインまでの距離（道程）が同じになる
ように設置されている。
【００２０】このように排気口は炉心管に設けられてい
るため、排気の構造が簡単であり、また不動の為ゴミ発
塵がない。
るため、排気の構造が簡単であり、また不動の為ゴミ発
塵がない。
【００２１】次ぎに動作について説明する。ヒーター７
により所定の温度（８００℃〜１２００℃）に高温加熱
された炉心管１内に、複数枚（５０枚〜２００枚）の半
導体基板２を搭載した石英ボート３をエレベータの上昇
駆動により下方向から挿入する。
により所定の温度（８００℃〜１２００℃）に高温加熱
された炉心管１内に、複数枚（５０枚〜２００枚）の半
導体基板２を搭載した石英ボート３をエレベータの上昇
駆動により下方向から挿入する。
【００２２】次に炉心管１内にＭＦＣ６を介し、所定流
量（１０Ｌ／ｍｉｎ〜５０Ｌ／ｍｉｎ）の反応ガス（水
素・酸素・窒素・シラン等のガスを一種類あるいは複数
種類）をガス供給管４から供給する。
量（１０Ｌ／ｍｉｎ〜５０Ｌ／ｍｉｎ）の反応ガス（水
素・酸素・窒素・シラン等のガスを一種類あるいは複数
種類）をガス供給管４から供給する。
【００２３】供給された反応ガス８Ａは所定の反応を行
った後、排気される反応ガス８Ｂとしてそれぞれの炉心
管排気口１１，１２を経て、工場排気へ排出される。
った後、排気される反応ガス８Ｂとしてそれぞれの炉心
管排気口１１，１２を経て、工場排気へ排出される。
【００２４】このとき、本発明に関する炉心管排気口
は、複数個（ｎ≧２）設けられており、また、次ぎに図
２〜図５を参照して説明するように工場排気までの道程
が同じになっている為、供給された反応ガスは最も近い
炉心管排気口から排気され、ガスは炉心管内で斜流とな
らない。したがって、半導体基板（ウェハー）面内の均
一な薄膜形成等の均一な熱処理を可能にする。
は、複数個（ｎ≧２）設けられており、また、次ぎに図
２〜図５を参照して説明するように工場排気までの道程
が同じになっている為、供給された反応ガスは最も近い
炉心管排気口から排気され、ガスは炉心管内で斜流とな
らない。したがって、半導体基板（ウェハー）面内の均
一な薄膜形成等の均一な熱処理を可能にする。
【００２５】図２は本発明の第１の実施の形態による縦
型熱処理炉の設置構造を示す概略図であり、縦型熱処理
炉の近傍は図１のＡ−Ａ部の平面断面図であるが、図面
が煩雑になるのを避けるために、保温筒等の図示は省略
している。
型熱処理炉の設置構造を示す概略図であり、縦型熱処理
炉の近傍は図１のＡ−Ａ部の平面断面図であるが、図面
が煩雑になるのを避けるために、保温筒等の図示は省略
している。
【００２６】工場には工場全体の熱処理装置からの排気
ガスの流路となる排気通路９１が設けられ、その先には
排気ガスを処理する排気ガス処理システム９０が設けら
れている。
ガスの流路となる排気通路９１が設けられ、その先には
排気ガスを処理する排気ガス処理システム９０が設けら
れている。
【００２７】そして図１の縦型熱処理炉からの排気ガス
を受け取るための工場排気口５１，５２が排気通路９１
に設けられているが、他の熱処理装置からの排気ガスを
排気ダクト３１Ａを通して受け取る工場排気口５１Ａも
同じ排気通路９１に設けられている。
を受け取るための工場排気口５１，５２が排気通路９１
に設けられているが、他の熱処理装置からの排気ガスを
排気ダクト３１Ａを通して受け取る工場排気口５１Ａも
同じ排気通路９１に設けられている。
【００２８】上述したように、炉心管１に同じ開口面積
を有して対称の位置に炉心管排気口１１，１２が設けら
れており、それぞれの炉心管排気口は排気ダクト３１，
３２により工場排気口５１，５２と接続連結している。
を有して対称の位置に炉心管排気口１１，１２が設けら
れており、それぞれの炉心管排気口は排気ダクト３１，
３２により工場排気口５１，５２と接続連結している。
【００２９】この排気ダクト３１，３２は互いに同じ内
断面積を有し、炉心管に対して対称の道程（延在形状）
となっている。すなわち炉心管排気口１１から工場排気
口５１までの距離と炉心管排気口１２から工場排気口５
２までの距離とが等しくなっている。
断面積を有し、炉心管に対して対称の道程（延在形状）
となっている。すなわち炉心管排気口１１から工場排気
口５１までの距離と炉心管排気口１２から工場排気口５
２までの距離とが等しくなっている。
【００３０】したがってそれぞれの炉心管排気口より外
部の排気ガス抵抗は等しくなり、こらにより炉心管１の
内部の反応ガスの流れ状態も均一なり、半導体基板の均
一な面内処理を行うことができる。
部の排気ガス抵抗は等しくなり、こらにより炉心管１の
内部の反応ガスの流れ状態も均一なり、半導体基板の均
一な面内処理を行うことができる。
【００３１】図３は本発明の第２の実施の形態による縦
型熱処理炉の設置構造を示す概略図であり、図２と同じ
箇所を示している。
型熱処理炉の設置構造を示す概略図であり、図２と同じ
箇所を示している。
【００３２】炉心管１に同じ開口面積を有して互いに同
じ間隔、すなわち９０度の間隔で、に炉心管排気口１
３，１４，１５，１６が設けられており、それぞれの炉
心管排気口は排気ダクト３３，３４，３５，３６により
工場排気口５３，５４，５５，５６と接続連結してい
る。
じ間隔、すなわち９０度の間隔で、に炉心管排気口１
３，１４，１５，１６が設けられており、それぞれの炉
心管排気口は排気ダクト３３，３４，３５，３６により
工場排気口５３，５４，５５，５６と接続連結してい
る。
【００３３】この排気ダクト３３，３４，３５，３６は
互いに同じ内断面積を有しており、工場排気口から一番
遠い炉心管排気口に接続する排気ダクトの距離に合わせ
るように、それよりも近い炉心管排気口に接続する前記
排気ダクトの道程（延在形状）を迂回させている。
互いに同じ内断面積を有しており、工場排気口から一番
遠い炉心管排気口に接続する排気ダクトの距離に合わせ
るように、それよりも近い炉心管排気口に接続する前記
排気ダクトの道程（延在形状）を迂回させている。
【００３４】すなわち、炉心管排気口１５から工場排気
口５５までの距離と炉心管排気口１６から工場排気口５
６までの距離とが等しく、且つ長くなっている。したが
って、炉心管排気口１３から工場排気口５３まで排気ダ
クト３３及び炉心管排気口１４から工場排気口５４まで
排気ダクト３４を迂回形状にして、排気ダクト３３，３
４，３５，３６の長さが互いに等しくなるようにしてい
る。
口５５までの距離と炉心管排気口１６から工場排気口５
６までの距離とが等しく、且つ長くなっている。したが
って、炉心管排気口１３から工場排気口５３まで排気ダ
クト３３及び炉心管排気口１４から工場排気口５４まで
排気ダクト３４を迂回形状にして、排気ダクト３３，３
４，３５，３６の長さが互いに等しくなるようにしてい
る。
【００３５】このような設置構造を用いることにより、
排気ダクトにバンパー等の排気抵抗調整用の手段を別途
設けることなく、それぞれの炉心管排気口より外部の排
気ガス抵抗を等しくすることができる。
排気ダクトにバンパー等の排気抵抗調整用の手段を別途
設けることなく、それぞれの炉心管排気口より外部の排
気ガス抵抗を等しくすることができる。
【００３６】図４は本発明の第３の実施の形態による縦
型熱処理炉の設置構造を示す概略図であり、図２と同じ
箇所を示している。
型熱処理炉の設置構造を示す概略図であり、図２と同じ
箇所を示している。
【００３７】炉心管１に同じ開口面積を有して対称の位
置に炉心管排気口１７，１８が設けられており、この炉
心管排気口１７，１８どうしを排気ダクト３７で接続
し、この排気ダクト３７の中央部分３７Ｃと工場排気口
５８とを排気ダクト３８で接続することにより、炉心管
排気口１７，１８の排気抵抗を等しくしている。
置に炉心管排気口１７，１８が設けられており、この炉
心管排気口１７，１８どうしを排気ダクト３７で接続
し、この排気ダクト３７の中央部分３７Ｃと工場排気口
５８とを排気ダクト３８で接続することにより、炉心管
排気口１７，１８の排気抵抗を等しくしている。
【００３８】図２と図４とを比較すると、図２では排気
ダクトどうしを接続する必要がないというメリットがあ
り、一方、図４では排気ダクトの全長が短くなり、また
工場排気口の数が少なくなるというメリットがある。
ダクトどうしを接続する必要がないというメリットがあ
り、一方、図４では排気ダクトの全長が短くなり、また
工場排気口の数が少なくなるというメリットがある。
【００３９】図５は本発明の第４の実施の形態による縦
型熱処理炉の設置構造を示す概略図であり、図２と同じ
箇所を示している。
型熱処理炉の設置構造を示す概略図であり、図２と同じ
箇所を示している。
【００４０】炉心管１に同じ開口面積を有して互いに同
じ間隔、すなわち９０度の間隔で、に炉心管排気口１
９，２０，２１，２２が設けられている。
じ間隔、すなわち９０度の間隔で、に炉心管排気口１
９，２０，２１，２２が設けられている。
【００４１】炉心管排気口１９，２１どうしを排気ダク
ト３９で接続し、炉心管排気口２０，２２どうしを排気
ダクト４０で接続している。排気ダクト３９と排気ダク
ト４０とは同じ内断面積を有し、かつ、炉心管１に対し
て互いに対称の形状になっている。
ト３９で接続し、炉心管排気口２０，２２どうしを排気
ダクト４０で接続している。排気ダクト３９と排気ダク
ト４０とは同じ内断面積を有し、かつ、炉心管１に対し
て互いに対称の形状になっている。
【００４２】そして、排気ダクト３９の中央部分３９Ｃ
と排気ダクト４０の中央部分４０Ｃを排気ダクト４１で
接続し、この排気ダクト４１の中央部分４１Ｃと工場排
気口６２とを排気ダクト４２で接続することにより、炉
心管排気口１９，２０，２１，２２より外側の排気ガス
抵抗を互いに等しくしている。
と排気ダクト４０の中央部分４０Ｃを排気ダクト４１で
接続し、この排気ダクト４１の中央部分４１Ｃと工場排
気口６２とを排気ダクト４２で接続することにより、炉
心管排気口１９，２０，２１，２２より外側の排気ガス
抵抗を互いに等しくしている。
【００４３】図３と図５とを比較すると、図３では排気
ダクトどうしを接続する必要がないというメリットがあ
り、一方、図５では排気ダクトの全長が短くなり、また
工場排気口の数が少なくなるというメリットがある。
ダクトどうしを接続する必要がないというメリットがあ
り、一方、図５では排気ダクトの全長が短くなり、また
工場排気口の数が少なくなるというメリットがある。
【００４４】上記した実施の形態では炉心管排気口が２
個の場合と４個の場合を例示した。しかし、炉心管排気
口が３個の場合や４個よりも多い場合も適宜これらの実
地の形態を選択或いは組み合わせて同様もしくは類似の
排気ダクト設置を行うことができる。
個の場合と４個の場合を例示した。しかし、炉心管排気
口が３個の場合や４個よりも多い場合も適宜これらの実
地の形態を選択或いは組み合わせて同様もしくは類似の
排気ダクト設置を行うことができる。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、炉
心管内に供給された反応ガスが斜流とならない為、半導
体基板（ウェハー）に対し均一に供給され、半導体基板
表面に形成される薄膜や熱処理層抵抗の半導体基板（ウ
ェハー）面内均一性を向上させることができる。
心管内に供給された反応ガスが斜流とならない為、半導
体基板（ウェハー）に対し均一に供給され、半導体基板
表面に形成される薄膜や熱処理層抵抗の半導体基板（ウ
ェハー）面内均一性を向上させることができる。
【００４６】このため、本発明による薄膜形成を施して
作成された半導体基板上のトランジスタ等の特性のウェ
ハー面内均一性が向上し、その結果、半導体装置の歩留
が向上する。
作成された半導体基板上のトランジスタ等の特性のウェ
ハー面内均一性が向上し、その結果、半導体装置の歩留
が向上する。
【００４７】また本発明の排気口は不動の炉心管に設け
てあるから、構造が簡素化され、且つ駆動による問題も
発生しない。
てあるから、構造が簡素化され、且つ駆動による問題も
発生しない。
【図１】本発明の実施の形態の縦型熱処理炉を示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第１の実施の形態による縦型熱処理炉
の設置構造を示す図である。
の設置構造を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態による縦型熱処理炉
の設置構造を示す図である。
の設置構造を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態による縦型熱処理炉
の設置構造を示す図である。
の設置構造を示す図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態による縦型熱処理炉
の設置構造を示す図である。
の設置構造を示す図である。
【図６】従来技術の縦型熱処理炉を示す図である。
１ 炉心管 ２ 半導体基板 ３ 石英ボート ４ ガス供給管 ５ 保温筒ベース ６ 保温筒 ７ ヒーター ８Ａ 供給される反応ガス ８Ｂ 排気される反応ガス ９ ＭＦＣ １１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，１
９，２０，２１，２２炉心管排気口 ３１，３１Ａ，３２，３３，３４，３５，３６，３７，
３８，３９，４０，４１，４２ 排気ダクト ３７Ｃ，３９Ｃ，４０Ｃ，４１Ｃ 排気ダクトの中心
部分 ５１，５１Ａ，５２，５３，５４，５５，５６，６２
工場排気口 ７１ 炉心管 ７２ 半導体基板 ７３ 石英ボート ７４ ガス供給管 ７５ 保温筒ベース ７６ 保温筒 ７７ ヒーター ７８Ａ 供給される反応ガス ７８Ｂ 排気される反応ガス ７８Ｃ 斜流になる反応ガス ７９ ＭＦＣ ８１ 炉心管排気口 ９０ 排気ガス処理システム ９１ 排気通路
９，２０，２１，２２炉心管排気口 ３１，３１Ａ，３２，３３，３４，３５，３６，３７，
３８，３９，４０，４１，４２ 排気ダクト ３７Ｃ，３９Ｃ，４０Ｃ，４１Ｃ 排気ダクトの中心
部分 ５１，５１Ａ，５２，５３，５４，５５，５６，６２
工場排気口 ７１ 炉心管 ７２ 半導体基板 ７３ 石英ボート ７４ ガス供給管 ７５ 保温筒ベース ７６ 保温筒 ７７ ヒーター ７８Ａ 供給される反応ガス ７８Ｂ 排気される反応ガス ７８Ｃ 斜流になる反応ガス ７９ ＭＦＣ ８１ 炉心管排気口 ９０ 排気ガス処理システム ９１ 排気通路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/22 511
Claims (4)
- 【請求項１】 筒状の炉心管内に複数の半導体基板を搭
載したボートを載置し、前記炉心管内に反応ガスを流し
て前記半導体基板に熱処理を施す縦型熱処理炉の炉心管
排気口と工場排気口とを排気ダクトで接続する縦型熱処
理炉の設置構造において、前記工場排気口から一番遠い
前記炉心管排気口に接続する前記排気ダクトの距離に合
わせるように、それよりも近い前記炉心管排気口に接続
する前記排気ダクトの道程を迂回させることによってそ
れぞれの前記炉心管排気口から工場排気口までの距離が
等しくなるように接続したことを特徴とする縦型熱処理
炉の設置構造。 - 【請求項２】 前記工場排気口に対して前記排気ダクト
はその道程がたがいに対称になるように設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の縦型熱処理炉の設置構
造。 - 【請求項３】 筒状の炉心管内に複数の半導体基板を搭
載したボートを載置し、前記炉心管内に反応ガスを流し
て前記半導体基板に熱処理を施す縦型熱処理炉の炉心管
排気口と工場排気口とを排気ダクトで接続する縦型熱処
理炉の設置構造において、前記炉心管排気口は４個以上
であり、隣り合う炉心管排気口どうしを第１の排気ダク
トで接続し、さらに隣り合う前記第１の排気ダクトのそ
れぞれの中央部どうしを前記第２の排気ダクトで接続
し、この第２の排気ダクトの中央部に接続した他の排気
ダクトを経由して前記工場排気口に接続したことによっ
てそれぞれの前記炉心管排気口から工場排気口までの距
離が等しくなるように接続したことを特徴とする縦型熱
処理炉の設置構造。 - 【請求項４】 前記工場排気口に対して前記排気ダクト
はその道程がたがいに対称になるように設けられている
ことを特徴とする請求項３記載の縦型熱処理炉の設置構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25910099A JP3313673B2 (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 縦型熱処理炉の設置構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25910099A JP3313673B2 (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 縦型熱処理炉の設置構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085337A JP2001085337A (ja) | 2001-03-30 |
| JP3313673B2 true JP3313673B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=17329332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25910099A Expired - Fee Related JP3313673B2 (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 縦型熱処理炉の設置構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3313673B2 (ja) |
-
1999
- 1999-09-13 JP JP25910099A patent/JP3313673B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001085337A (ja) | 2001-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3252960B2 (ja) | 原子層エピタキシー工程のための半導体薄膜蒸着装置 | |
| JP3373990B2 (ja) | 成膜装置及びその方法 | |
| JP2714577B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| KR100797929B1 (ko) | 반도체 웨이퍼에 실리콘 질화물층을 형성하는 방법 | |
| US6540509B2 (en) | Heat treatment system and method | |
| US6204194B1 (en) | Method and apparatus for producing a semiconductor device | |
| WO2000070662A1 (fr) | Dispositif pour former un depot d'un film | |
| JP2003531489A (ja) | ウェハーを熱処理する方法および装置 | |
| JP2000294511A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| CN111725108A (zh) | 半导体加工设备 | |
| JP4355441B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP3313673B2 (ja) | 縦型熱処理炉の設置構造 | |
| JPH11288893A (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2005286051A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2002261028A (ja) | 半導体装置の製造用基板載置治具と縦型炉の組合わせ、基板載置治具、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2806315B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP4083331B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP2004055880A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3083415B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3450033B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS61290713A (ja) | 処理装置 | |
| JP3037287B1 (ja) | 半導体製造装置および半導体の製造方法 | |
| WO2024069721A1 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
| JPH0997768A (ja) | 縦型拡散炉 | |
| JPH111775A (ja) | 成膜処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020507 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090531 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |