JP3309835B2 - プロセスシミュレーション方法 - Google Patents
プロセスシミュレーション方法Info
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- Evolutionary Computation (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プロセスシミュレ
ーション方法に係り、特に、LSIなどの半導体デバイス
の製造工程における酸化プロセスに関する高速化酸化計
算方法の改良に関する。
ーション方法に係り、特に、LSIなどの半導体デバイス
の製造工程における酸化プロセスに関する高速化酸化計
算方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ＬＳＩなどの製造工程におけ
る酸化プロセスや、拡散プロセス、イオン注入プロセス
等についてコンピュータを用いて計算する事により半導
体素子の不純物プロファイルなどの内部物理量や形状を
予測するものとしてプロセスシミュレータが用いられて
きている。
る酸化プロセスや、拡散プロセス、イオン注入プロセス
等についてコンピュータを用いて計算する事により半導
体素子の不純物プロファイルなどの内部物理量や形状を
予測するものとしてプロセスシミュレータが用いられて
きている。
【０００３】ここで、プロセスシミュレータとは、酸化
プロセス、拡散プロセス、イオン注入プロセス等の半導
体トランジスタ製造工程をコンピュータを用いて計算
し、トランジスタの不純物プロファイルなどの内部物理
量や形状を予測するものと定義して、説明を進めること
にする。
プロセス、拡散プロセス、イオン注入プロセス等の半導
体トランジスタ製造工程をコンピュータを用いて計算
し、トランジスタの不純物プロファイルなどの内部物理
量や形状を予測するものと定義して、説明を進めること
にする。
【０００４】このプロセスシミュレータを用いて半導体
デバイスが最高の電気特性を発揮するようにトランジス
タなどの最適化を行えば、実際にＬＳＩを試作するのに
比べて大幅な費用の削減と期間の短縮が期待されてい
る。
デバイスが最高の電気特性を発揮するようにトランジス
タなどの最適化を行えば、実際にＬＳＩを試作するのに
比べて大幅な費用の削減と期間の短縮が期待されてい
る。
【０００５】プロセスシミュレータでは、各種半導体ト
ランジスタ製造工程をコンピュータを用いて計算するた
め、 それぞれのプロセス毎にモデル式が組み込まれて
いる。ＬＳＩ中では デバイス同士が電気的に影響を及
ばさぬ様、ＬＯＣＯＳ、トレンチ等によって素子分離を
行なう。 近年のデバイスの微細化に伴い、ＬＯＣＯ
Ｓ、トレンチ等の素子分離シミュレーションも必要とな
り、 プロセスシミュレーションの２次元化が進められ
ている。
ランジスタ製造工程をコンピュータを用いて計算するた
め、 それぞれのプロセス毎にモデル式が組み込まれて
いる。ＬＳＩ中では デバイス同士が電気的に影響を及
ばさぬ様、ＬＯＣＯＳ、トレンチ等によって素子分離を
行なう。 近年のデバイスの微細化に伴い、ＬＯＣＯ
Ｓ、トレンチ等の素子分離シミュレーションも必要とな
り、 プロセスシミュレーションの２次元化が進められ
ている。
【０００６】２次元ＬＯＣＯＳ酸化の計算方法として
は、磯前誠一編“半導体プロセスデバイスシミュレーシ
ョン技術”(リアライズ社刊)pp.79〜89［第1編プロセス
第2章プロセスシミュレーション 第3節2次元酸化の
シミュレーション］が知られている。
は、磯前誠一編“半導体プロセスデバイスシミュレーシ
ョン技術”(リアライズ社刊)pp.79〜89［第1編プロセス
第2章プロセスシミュレーション 第3節2次元酸化の
シミュレーション］が知られている。
【０００７】本方法では、酸化速度はオキシダント濃度
から計算しある時間間隔でSi/SiO2界面がどの位移動す
るかを算出し、その変移量から形状の変化を計算するも
のである。LOCOSでは、LOCOS中央部の酸化膜厚で、酸化
時間を制御する。そこで、プロセスシミュレータでも、
LOCOS酸化膜厚をユーザが指定し、その膜厚になるよう
な酸化計算を行う必要がある。
から計算しある時間間隔でSi/SiO2界面がどの位移動す
るかを算出し、その変移量から形状の変化を計算するも
のである。LOCOSでは、LOCOS中央部の酸化膜厚で、酸化
時間を制御する。そこで、プロセスシミュレータでも、
LOCOS酸化膜厚をユーザが指定し、その膜厚になるよう
な酸化計算を行う必要がある。
【０００８】図面を用いて、従来の方法を説明する。
【０００９】従来の方法では、第４図に示すようなLOCO
S計算において、所望のLOCOS酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇ
ｅｔをユーザが指定し、酸化計算の結果抽出されたLOCO
S酸化膜厚Ｔｏｘが 所望の酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅ
ｔになるように酸化計算時間を調整していた。
S計算において、所望のLOCOS酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇ
ｅｔをユーザが指定し、酸化計算の結果抽出されたLOCO
S酸化膜厚Ｔｏｘが 所望の酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅ
ｔになるように酸化計算時間を調整していた。
【００１０】第５図は従来例の酸化膜厚の処理の流れを
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【００１１】まず、ユーザは所望のLOCOS酸化膜厚Ｔｏ
ｘ＿ｔａｒｇｅｔを設定する（００１）。 酸化計算を
行うときの時間刻みΔtを設定する（００２）。初期時
刻t_save=0にし（００３）、ｔ＝ｔ＿ｓａｖｅにおける
内部データを保存する（００４）。この内部データの保
存は、酸化計算後のLOCOS膜厚が、所望の酸化膜厚より
も厚い場合に、計算結果を捨てΔtを調整して再度計算
し直すために必要である。
ｘ＿ｔａｒｇｅｔを設定する（００１）。 酸化計算を
行うときの時間刻みΔtを設定する（００２）。初期時
刻t_save=0にし（００３）、ｔ＝ｔ＿ｓａｖｅにおける
内部データを保存する（００４）。この内部データの保
存は、酸化計算後のLOCOS膜厚が、所望の酸化膜厚より
も厚い場合に、計算結果を捨てΔtを調整して再度計算
し直すために必要である。
【００１２】次に、時刻ｔ＿ｎｏｗ＝ｔ＿ｓａｖｅ＋Δ
tと時刻を進める（００５）。オキシダント拡散方程式
を解き、 被酸化界面における表面オキシダント濃度Cox
を算出する（００６）。表面オキシダント濃度から酸化
反応速度Ｖｏｘ＝ｄＴｏｘ／ｄｔ＝Ｋ＊Ｃｏｘを 計算
する（００７）。
tと時刻を進める（００５）。オキシダント拡散方程式
を解き、 被酸化界面における表面オキシダント濃度Cox
を算出する（００６）。表面オキシダント濃度から酸化
反応速度Ｖｏｘ＝ｄＴｏｘ／ｄｔ＝Ｋ＊Ｃｏｘを 計算
する（００７）。
【００１３】酸化前の界面は、酸化反応速度Ｖｏｘで移
動するので、酸化時間刻みΔtを掛けて酸化後の新界面
を作成する（００８）。
動するので、酸化時間刻みΔtを掛けて酸化後の新界面
を作成する（００８）。
【００１４】シリコンと酸化膜の体積比mによって生ず
る応力から変形計算を行い（００９）、指定場所におけ
る酸化膜厚を抽出する（０１０）。
る応力から変形計算を行い（００９）、指定場所におけ
る酸化膜厚を抽出する（０１０）。
【００１５】抽出酸化膜厚Ｔｏｘが指定膜厚Ｔｏｘ＿ｔ
ａｒｇｅｔと同じであるかどうかを判断し（０１１）、
同じである場合には酸化計算を終了する。
ａｒｇｅｔと同じであるかどうかを判断し（０１１）、
同じである場合には酸化計算を終了する。
【００１６】抽出酸化膜厚Ｔｏｘが指定膜厚Ｔｏｘ＿ｔ
ａｒｇｅｔより厚い場合には、時間刻みΔtを1/2に小さ
くし（０１３）、保存しておいた内部データをロードし
（０１４）、（００５）に戻って以上の手順を繰り返
す。
ａｒｇｅｔより厚い場合には、時間刻みΔtを1/2に小さ
くし（０１３）、保存しておいた内部データをロードし
（０１４）、（００５）に戻って以上の手順を繰り返
す。
【００１７】一方、抽出酸化膜厚Ｔｏｘが指定膜厚Ｔｏ
ｘ＿ｔａｒｇｅｔより薄い場合には、現時刻ｔ＿ｎｏｗ
を前時刻ｔ＿ｓａｖｅに設定し（０１５）、酸化計算に
必要な内部データを保存し（０１６）、次に（００５）
に戻って以上の手順を繰り返す。
ｘ＿ｔａｒｇｅｔより薄い場合には、現時刻ｔ＿ｎｏｗ
を前時刻ｔ＿ｓａｖｅに設定し（０１５）、酸化計算に
必要な内部データを保存し（０１６）、次に（００５）
に戻って以上の手順を繰り返す。
【００１８】上記従来の方法によれば、指定場所におけ
る酸化膜を抽出するため常に変形計算を行う必要があっ
た。その為に、抽出酸化膜厚が指定膜厚より厚い場合
に、余計な変形計算を行うため、計算時間がかかるとい
う欠点があり、また、指定酸化膜厚よりも厚くなる場合
には、 その時間刻みで計算した変形計算を捨てるた
め、 前時刻における内部データを保持しておく必要が
あった。
る酸化膜を抽出するため常に変形計算を行う必要があっ
た。その為に、抽出酸化膜厚が指定膜厚より厚い場合
に、余計な変形計算を行うため、計算時間がかかるとい
う欠点があり、また、指定酸化膜厚よりも厚くなる場合
には、 その時間刻みで計算した変形計算を捨てるた
め、 前時刻における内部データを保持しておく必要が
あった。
【００１９】又、他の従来技術について簡単に説明する
ならば、特開平８―５５１４５号公報は、デバイス構造
データをできるだけ現実のデバイス構造に近い形で提供
するためのシリコン酸化膜厚シミュレーションアルゴリ
ズムを提供するものである。これは、プロセス条件に従
って実際のシリコン酸化膜を形成するプロセス実行手段
と、形成されたシリコン酸化膜厚を検出する膜厚検出手
段と、プロセス条件に従って酸化計算アルゴリズムを実
行するプロセスシミュレーション手段と、シリコン酸化
膜厚の実測値と計算値を比較する比較手段と、比較結果
に従って計算したシリコン酸化膜厚が検出したシリコン
酸化膜厚に一致するようにプロセスシミュレーション手
段の酸化膜成長速度を変更する酸化膜成長速度変更手段
とを備え、シリコン酸化膜厚の計算値が検出値に一致す
るまで酸化膜成長速度を変更するものである。
ならば、特開平８―５５１４５号公報は、デバイス構造
データをできるだけ現実のデバイス構造に近い形で提供
するためのシリコン酸化膜厚シミュレーションアルゴリ
ズムを提供するものである。これは、プロセス条件に従
って実際のシリコン酸化膜を形成するプロセス実行手段
と、形成されたシリコン酸化膜厚を検出する膜厚検出手
段と、プロセス条件に従って酸化計算アルゴリズムを実
行するプロセスシミュレーション手段と、シリコン酸化
膜厚の実測値と計算値を比較する比較手段と、比較結果
に従って計算したシリコン酸化膜厚が検出したシリコン
酸化膜厚に一致するようにプロセスシミュレーション手
段の酸化膜成長速度を変更する酸化膜成長速度変更手段
とを備え、シリコン酸化膜厚の計算値が検出値に一致す
るまで酸化膜成長速度を変更するものである。
【００２０】特開平８―２３６５１６号公報は、シリコ
ンを酸化した後に形成される酸化膜の形状をシミュレー
ションする、半導体製造プロセスにおける半導体素子に
おける酸化形状のシミュレーション方法に関する。シリ
コンを酸化した後に形成される酸化膜の形状を、Ｄｅａ
ｌ−Ｇｒｏｖｅの酸化モデルを基礎とし、酸化に伴う素
子の変形をＣｈｉｎの粘性流体モデルを用いたシミュレ
ーション方法である。酸化膜、窒化膜の粘性係数、更に
酸化種の拡散係数を決めるパラメータＶｄ，酸化膜／シ
リコン界面での酸化種の反応率を決めるパラメータＶ
ｒ、粘性係数を決めるパラメータＶｃとして所定の値を
用いるようにしたものである。
ンを酸化した後に形成される酸化膜の形状をシミュレー
ションする、半導体製造プロセスにおける半導体素子に
おける酸化形状のシミュレーション方法に関する。シリ
コンを酸化した後に形成される酸化膜の形状を、Ｄｅａ
ｌ−Ｇｒｏｖｅの酸化モデルを基礎とし、酸化に伴う素
子の変形をＣｈｉｎの粘性流体モデルを用いたシミュレ
ーション方法である。酸化膜、窒化膜の粘性係数、更に
酸化種の拡散係数を決めるパラメータＶｄ，酸化膜／シ
リコン界面での酸化種の反応率を決めるパラメータＶ
ｒ、粘性係数を決めるパラメータＶｃとして所定の値を
用いるようにしたものである。
【００２１】特開平１０―３０３１９２号公報は、シリ
コンの被酸化表面が酸化雰囲気と接している領域に関し
て、被酸化表面が大気に触れた際に不可避的に形成され
る自然酸化膜を考慮して、実効的な表面オキシダント濃
度を算出するようにして、酸化シミュレータの操作性と
使い勝手を改善したものである。
コンの被酸化表面が酸化雰囲気と接している領域に関し
て、被酸化表面が大気に触れた際に不可避的に形成され
る自然酸化膜を考慮して、実効的な表面オキシダント濃
度を算出するようにして、酸化シミュレータの操作性と
使い勝手を改善したものである。
【００２２】特開平１１―４０５６１号公報は、半導体
デバイスの各素子が任意形状である場合でも、酸化プロ
セスにおける酸化膜中での酸化剤拡散のタイムステップ
を適切に求めるものである。この方法は、酸化膜中での
酸化剤拡散に関する２次元ラプラス方程式を解いて得ら
れる酸化膜／シリコン基板界面における酸化剤濃度Ｃ Ｓ
ＯＸを（１）式に代入して、実効的な酸化膜の膜厚ＴＥ
ＯＸを酸化膜／シリコン基板界面上にあらかじめ設定さ
れた複数の節点すべてについて求めた後、得られた膜厚
ＴＥｏｘの最小値ＴＭ ＯＸと，タイムステップΔｔあた
りの酸化膜の所望膜厚増加量ΔＴＯＸとからタイムステ
ップΔｔを求めるものである。
デバイスの各素子が任意形状である場合でも、酸化プロ
セスにおける酸化膜中での酸化剤拡散のタイムステップ
を適切に求めるものである。この方法は、酸化膜中での
酸化剤拡散に関する２次元ラプラス方程式を解いて得ら
れる酸化膜／シリコン基板界面における酸化剤濃度Ｃ Ｓ
ＯＸを（１）式に代入して、実効的な酸化膜の膜厚ＴＥ
ＯＸを酸化膜／シリコン基板界面上にあらかじめ設定さ
れた複数の節点すべてについて求めた後、得られた膜厚
ＴＥｏｘの最小値ＴＭ ＯＸと，タイムステップΔｔあた
りの酸化膜の所望膜厚増加量ΔＴＯＸとからタイムステ
ップΔｔを求めるものである。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に新規なプロセスシミ
ュレーションを提供するものである。
した従来技術の欠点を改良し、特に新規なプロセスシミ
ュレーションを提供するものである。
【００２４】この新規なプロセスシミュレーションは、
２次元酸化を膜厚指定で行う際に表面オキシダント濃度
から実効酸化膜厚を抽出することにより、無駄な変形計
算を省略し、酸化計算の高速化を図ることを特徴とする
ものである。
２次元酸化を膜厚指定で行う際に表面オキシダント濃度
から実効酸化膜厚を抽出することにより、無駄な変形計
算を省略し、酸化計算の高速化を図ることを特徴とする
ものである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には以下に記載の技術構成を採用
するものである。
達成するため、基本的には以下に記載の技術構成を採用
するものである。
【００２６】即ち、本発明に係るプロセスシミュレーシ
ョン方法の第１の態様は、半導体材料の表面に酸化膜を
形成する工程を所定の時間刻みで模擬実験するプロセス
シミュレーション方法において、指定酸化膜厚を設定す
るステップ、酸化計算を行う時の時間刻み△ｔを設定す
るステップ、初期時刻ｔ＿ｓａｖｅ＝０を規定するステ
ップよりなる第１の工程と、、現時刻ｔ＿ｎｏｗ＝ｔ＿
ｓａｖｅ＋△ｔ により、時間刻み△ｔを用いて現時刻
を進める第２の工程と、オキシダント拡散方程式を解い
て、被酸化界面における表面オキシダント濃度Ｃｏｘを
算出する第３の工程と、表面オキシダント濃度から、指
定場所における実効酸化膜厚を計算する第４の工程と、
実効酸化膜厚と指定酸化膜厚とを比較し、実効酸化膜厚
が指定酸化膜厚より厚い場合には、時間刻み△ｔを減少
させ、このときは変形計算を行わず、前記第２の工程に
戻って以上の手順を繰り返す第５の工程を具備すること
を特徴とするプロセスシミュレーション方法に関する。
ョン方法の第１の態様は、半導体材料の表面に酸化膜を
形成する工程を所定の時間刻みで模擬実験するプロセス
シミュレーション方法において、指定酸化膜厚を設定す
るステップ、酸化計算を行う時の時間刻み△ｔを設定す
るステップ、初期時刻ｔ＿ｓａｖｅ＝０を規定するステ
ップよりなる第１の工程と、、現時刻ｔ＿ｎｏｗ＝ｔ＿
ｓａｖｅ＋△ｔ により、時間刻み△ｔを用いて現時刻
を進める第２の工程と、オキシダント拡散方程式を解い
て、被酸化界面における表面オキシダント濃度Ｃｏｘを
算出する第３の工程と、表面オキシダント濃度から、指
定場所における実効酸化膜厚を計算する第４の工程と、
実効酸化膜厚と指定酸化膜厚とを比較し、実効酸化膜厚
が指定酸化膜厚より厚い場合には、時間刻み△ｔを減少
させ、このときは変形計算を行わず、前記第２の工程に
戻って以上の手順を繰り返す第５の工程を具備すること
を特徴とするプロセスシミュレーション方法に関する。
【００２７】又、第２の態様は、所望の酸化膜厚Ｔｏｘ
＿ｔａｒｇｅｔを設定するステップ、酸化計算を行うと
きの時間刻み△ｔを設定するステップ、初期時刻ｔ＿ｓ
ａｖｅ=０を規定するステップよりなる新第１の工程
と、ｔ=ｔ＿ｓａｖｅにおける内部データを保存する新
第２の工程と、大凡の指定酸化膜厚となる酸化時間を求
めるモード(mode=0)に設定する新第３の工程と、次に時
刻ｔ＿ｎｏｗ=ｔ＿ｓａｖｅ＋△ｔと時刻を進める新第
４の工程と、オキシダント拡散方程式を解いて、被酸化
界面における表面オキシダント濃度Ｃｏｘを算出する新
第５の工程と、モードを判定するステップを介して、ｍ
ｏｄｅ=０の場合には、表面オキシダント濃度Ｃｏｘか
ら指定場所における実効酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆを計算
する新第６の工程と、上記モードを判定するステップを
介して、、実効酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆが指定膜厚Ｔｏ
ｘ＿ｔａｒｇｅｔと比較して指定膜厚より厚い場合に
は、時間刻みを１／２に小さくする新第７の工程とを具
備し、このときには変形計算をおこなわず、上記新第４
の工程に戻って以上の手順を繰り返すことを特徴とする
プロセスシミュレーション方法に関する。
＿ｔａｒｇｅｔを設定するステップ、酸化計算を行うと
きの時間刻み△ｔを設定するステップ、初期時刻ｔ＿ｓ
ａｖｅ=０を規定するステップよりなる新第１の工程
と、ｔ=ｔ＿ｓａｖｅにおける内部データを保存する新
第２の工程と、大凡の指定酸化膜厚となる酸化時間を求
めるモード(mode=0)に設定する新第３の工程と、次に時
刻ｔ＿ｎｏｗ=ｔ＿ｓａｖｅ＋△ｔと時刻を進める新第
４の工程と、オキシダント拡散方程式を解いて、被酸化
界面における表面オキシダント濃度Ｃｏｘを算出する新
第５の工程と、モードを判定するステップを介して、ｍ
ｏｄｅ=０の場合には、表面オキシダント濃度Ｃｏｘか
ら指定場所における実効酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆを計算
する新第６の工程と、上記モードを判定するステップを
介して、、実効酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆが指定膜厚Ｔｏ
ｘ＿ｔａｒｇｅｔと比較して指定膜厚より厚い場合に
は、時間刻みを１／２に小さくする新第７の工程とを具
備し、このときには変形計算をおこなわず、上記新第４
の工程に戻って以上の手順を繰り返すことを特徴とする
プロセスシミュレーション方法に関する。
【００２８】
【発明の実施の形態】本発明におけるプロセスシミュレ
ーション方法においては、時刻ｔ＿ｓａｖｅの変形前の
形状において、 オキシダント拡散方程式を解くと、Ｓ
ｉＯ２／Ｓｉ界面における オキシダント濃度が計算で
きる。
ーション方法においては、時刻ｔ＿ｓａｖｅの変形前の
形状において、 オキシダント拡散方程式を解くと、Ｓ
ｉＯ２／Ｓｉ界面における オキシダント濃度が計算で
きる。
【００２９】ＬＯＣＯＳ端では、1次元のＤｅａｌ−Ｇ
ｒｏｖｅの式より、 オキシダント濃度から時刻ｔ＿ｓ
ａｖｅにおける酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｏｌｄが Tox_old=A/2*(h/(ｈ＋ｋ)*C~-Cox)/Cox から算出できる。(ここにＡ，Ｋ，ｈ，ｋは比例定数、C
~はオキシダントの平衡濃度)。また、Δtによる酸化膜
厚の増分は、酸化によってＳｉがＳｉＯ２に変化する厚
さ:Ｔｏｘ＿ｖとＳｉとＳｉＯ２の体積密度比で増分す
る酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｉの和であり、Ｔｏｘ＿ｖ＋Ｔｏｘ
＿ｉ=Ｋ＊Ｃｏｘ＊Δt／ｍで計算できる(ｍはＳｉとＳ
ｉＯ２の体積密度の比である)。
ｒｏｖｅの式より、 オキシダント濃度から時刻ｔ＿ｓ
ａｖｅにおける酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｏｌｄが Tox_old=A/2*(h/(ｈ＋ｋ)*C~-Cox)/Cox から算出できる。(ここにＡ，Ｋ，ｈ，ｋは比例定数、C
~はオキシダントの平衡濃度)。また、Δtによる酸化膜
厚の増分は、酸化によってＳｉがＳｉＯ２に変化する厚
さ:Ｔｏｘ＿ｖとＳｉとＳｉＯ２の体積密度比で増分す
る酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｉの和であり、Ｔｏｘ＿ｖ＋Ｔｏｘ
＿ｉ=Ｋ＊Ｃｏｘ＊Δt／ｍで計算できる(ｍはＳｉとＳ
ｉＯ２の体積密度の比である)。
【００３０】よって、時刻ｔ＿ｎｅｗにおける実効酸化
膜厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆは、 Tox_eff=A/2*(h/(ｈ＋ｋ)*C~
-Cox)/Ｃｏｘ＋ Ｋ＊Ｃｏｘ＊Δt/ｍとなる。このよう
に、表面オキシダント濃度から実効酸化膜厚を抽出する
ことで、無駄な変形計算を省き、酸化計算の高速化を図
ることが可能となる。
膜厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆは、 Tox_eff=A/2*(h/(ｈ＋ｋ)*C~
-Cox)/Ｃｏｘ＋ Ｋ＊Ｃｏｘ＊Δt/ｍとなる。このよう
に、表面オキシダント濃度から実効酸化膜厚を抽出する
ことで、無駄な変形計算を省き、酸化計算の高速化を図
ることが可能となる。
【００３１】上記実施例の効果は、実効酸化膜厚が指定
膜厚より厚い場合に、余計な変形計算を省くことにより
高速化が可能となる事である。そして上記効果が得られ
る理由は、実効酸化膜厚が指定膜厚より厚い場合に、余
計な変形計算を省略することができるからである。
膜厚より厚い場合に、余計な変形計算を省くことにより
高速化が可能となる事である。そして上記効果が得られ
る理由は、実効酸化膜厚が指定膜厚より厚い場合に、余
計な変形計算を省略することができるからである。
【００３２】
【実施例】以下に、本発明に係るプロセスシミュレーシ
ョン方法の具体例を図面を参照しながら詳細に説明す
る。
ョン方法の具体例を図面を参照しながら詳細に説明す
る。
【００３３】本発明の実施例を第１図に示す。
【００３４】まず、ステップ（１０１）にて所望の指定
酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅｔを設定する。 酸化計算
を行うときの時間刻みΔtを設定し（１０２）、初期時
刻t_save=0とする（１０３）。
酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅｔを設定する。 酸化計算
を行うときの時間刻みΔtを設定し（１０２）、初期時
刻t_save=0とする（１０３）。
【００３５】次に、時刻ｔ＿ｎｏｗ＝ｔ＿ｓａｖｅ＋Δ
tと時刻を進める（１０４）。オキシダント拡散方程式
を解き、被酸化界面における表面オキシダント濃度Cox
を算出する（１０５）。
tと時刻を進める（１０４）。オキシダント拡散方程式
を解き、被酸化界面における表面オキシダント濃度Cox
を算出する（１０５）。
【００３６】次に、表面オキシダント濃度Coxから、指
定場所における実効酸化膜厚を計算する（１０６）。実
効酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆは、オキシダント濃度から計
算可能な時刻ｔ＿ｓａｖｅにおける酸化膜厚：A/2*(h/
(ｈ＋ｋ)*C~-Cox)/Coxと、Δtによる酸化膜厚の増分：
Ｋ＊Ｃｏｘ＊Δt/ｍの和となる。 但し、Ａ，Ｋ，ｈ，
ｋは比例定数、C~はオキシダントの平衡濃度、ｍはシリ
コンと酸化膜の体積密度の比である。
定場所における実効酸化膜厚を計算する（１０６）。実
効酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆは、オキシダント濃度から計
算可能な時刻ｔ＿ｓａｖｅにおける酸化膜厚：A/2*(h/
(ｈ＋ｋ)*C~-Cox)/Coxと、Δtによる酸化膜厚の増分：
Ｋ＊Ｃｏｘ＊Δt/ｍの和となる。 但し、Ａ，Ｋ，ｈ，
ｋは比例定数、C~はオキシダントの平衡濃度、ｍはシリ
コンと酸化膜の体積密度の比である。
【００３７】実効酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆが指定膜厚Ｔ
ｏｘ＿ｔａｒｇｅｔと比較し（１０７）、両者が一致し
た場合には、 酸化反応速度計算（１１３）、新界面作
成（１１４）、変形計算（１１５）を行い終了する。
ｏｘ＿ｔａｒｇｅｔと比較し（１０７）、両者が一致し
た場合には、 酸化反応速度計算（１１３）、新界面作
成（１１４）、変形計算（１１５）を行い終了する。
【００３８】実効酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆが指定膜厚Ｔ
ｏｘ＿ｔａｒｇｅｔより厚い場合には、時間刻みを1/2
に小さくする（１０９）。このときは、変形計算を行な
わず、（１０４）に戻って以上の手順を繰り返す。
ｏｘ＿ｔａｒｇｅｔより厚い場合には、時間刻みを1/2
に小さくする（１０９）。このときは、変形計算を行な
わず、（１０４）に戻って以上の手順を繰り返す。
【００３９】実効酸化膜厚が指定膜厚より薄い場合に
は、酸化反応速度計算（１１０）、新界面作成（１１
１）、変形計算（１１２）を行い、（１０４）に戻って
以上の手順を繰り返す。次に実施例における動作を説明
する。
は、酸化反応速度計算（１１０）、新界面作成（１１
１）、変形計算（１１２）を行い、（１０４）に戻って
以上の手順を繰り返す。次に実施例における動作を説明
する。
【００４０】第２図は、本実施例における動作を説明し
たものである。
たものである。
【００４１】変形前の形状(時刻ｔ＿ｓａｖｅにおける
形状:実線)において、オキシダント拡散方程式を解く
と、ＳｉＯ２／Ｓｉ界面における オキシダント濃度が
計算できる。ＬＯＣＯＳ端では、1次元のＤｅａｌ−Ｇ
ｒｏｖｅの式より、オキシダント濃度から時刻ｔ＿ｓａ
ｖｅにおける酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｏｌｄが Tox_old=A/2*
(h/(ｈ＋ｋ)*C~-Cox)/Coxから算出できる。(ここにＡ，
Ｋ，ｈ，ｋは比例定数、C~はオキシダントの平衡濃
度)。
形状:実線)において、オキシダント拡散方程式を解く
と、ＳｉＯ２／Ｓｉ界面における オキシダント濃度が
計算できる。ＬＯＣＯＳ端では、1次元のＤｅａｌ−Ｇ
ｒｏｖｅの式より、オキシダント濃度から時刻ｔ＿ｓａ
ｖｅにおける酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｏｌｄが Tox_old=A/2*
(h/(ｈ＋ｋ)*C~-Cox)/Coxから算出できる。(ここにＡ，
Ｋ，ｈ，ｋは比例定数、C~はオキシダントの平衡濃
度)。
【００４２】また、Δtによる酸化膜厚の増分は、酸化
によってＳｉがＳｉＯ２に変化する厚さ:Ｔｏｘ＿ｖと
ＳｉとＳｉＯ２の体積密度比で増分する酸化膜厚Ｔｏｘ
＿ｉの和であり、Ｔｏｘ＿ｖ＋Ｔｏｘ＿ｉ=Ｋ＊Ｃｏｘ
＊Δt／ｍで計算できる(ｍはＳｉとＳｉＯ２の体積密度
の比である)。
によってＳｉがＳｉＯ２に変化する厚さ:Ｔｏｘ＿ｖと
ＳｉとＳｉＯ２の体積密度比で増分する酸化膜厚Ｔｏｘ
＿ｉの和であり、Ｔｏｘ＿ｖ＋Ｔｏｘ＿ｉ=Ｋ＊Ｃｏｘ
＊Δt／ｍで計算できる(ｍはＳｉとＳｉＯ２の体積密度
の比である)。
【００４３】よって、時刻ｔ＿ｎｅｗにおける実効酸化
膜厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆは、Tox_eff=A/2*(h/(ｈ＋ｋ)*C~-C
ox)/Ｃｏｘ＋ Ｋ＊Ｃｏｘ＊Δt/ｍとなる。表面オキシ
ダント濃度から実効酸化膜厚を抽出することで、無駄な
変形計算を省き、酸化計算の高速化を図ることが可能と
なる。
膜厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆは、Tox_eff=A/2*(h/(ｈ＋ｋ)*C~-C
ox)/Ｃｏｘ＋ Ｋ＊Ｃｏｘ＊Δt/ｍとなる。表面オキシ
ダント濃度から実効酸化膜厚を抽出することで、無駄な
変形計算を省き、酸化計算の高速化を図ることが可能と
なる。
【００４４】上記実施例の効果は、実効酸化膜厚が指定
膜厚より厚い場合に、余計な変形計算を省くことにより
高速化が可能となる事である。そして上記効果が得られ
る理由は、実効酸化膜厚が指定膜厚より厚い場合に、余
計な変形計算を省略することができるからである。
膜厚より厚い場合に、余計な変形計算を省くことにより
高速化が可能となる事である。そして上記効果が得られ
る理由は、実効酸化膜厚が指定膜厚より厚い場合に、余
計な変形計算を省略することができるからである。
【００４５】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。
る。
【００４６】上述の実施例は、ＬＯＣＯＳのフィールド
部が十分広く、ＬＯＣＯＳ端が1次元形状としてみなせ
る場合には有効である。しかしながら、フィールド部分
が狭い場合には、ＬＯＣＯＳ膜厚をオキシダント濃度か
ら正確に算出することができない場合がある。
部が十分広く、ＬＯＣＯＳ端が1次元形状としてみなせ
る場合には有効である。しかしながら、フィールド部分
が狭い場合には、ＬＯＣＯＳ膜厚をオキシダント濃度か
ら正確に算出することができない場合がある。
【００４７】本発明の第２の実施例では、 オキシダン
ト濃度から求めた実効酸化膜厚を使っておおよその指定
酸化膜厚となる酸化計算を行うモード(ｍｏｄｅ＝０)
と、その後、変形計算によって指定場所における酸化膜
厚を抽出するモード(ｍｏｄｅ＝１)を切替え、ＬＯＣＯ
Ｓ端が1次元形状としてみなせない場合でも、余計な変
形計算を省くことにより高速化が可能となる方法を示
す。
ト濃度から求めた実効酸化膜厚を使っておおよその指定
酸化膜厚となる酸化計算を行うモード(ｍｏｄｅ＝０)
と、その後、変形計算によって指定場所における酸化膜
厚を抽出するモード(ｍｏｄｅ＝１)を切替え、ＬＯＣＯ
Ｓ端が1次元形状としてみなせない場合でも、余計な変
形計算を省くことにより高速化が可能となる方法を示
す。
【００４８】本発明の第２の実施例を第３図に示す。
【００４９】まず、（２０１）にて所望の酸化膜厚Ｔｏ
ｘ＿ｔａｒｇｅｔを設定し、酸化計算を行うときの時間
刻みΔtを設定する（２０２）。初期時刻ｔ＿ｓａｖｅ
＝０にし（２０３）、ｔ＝ｔ＿ｓａｖｅにおける内部デ
ータを保存する（２０４）。おおよその指定酸化膜厚と
なる酸化時間を求めるモード(ｍｏｄｅ＝０)に 設定す
る（２０５）。
ｘ＿ｔａｒｇｅｔを設定し、酸化計算を行うときの時間
刻みΔtを設定する（２０２）。初期時刻ｔ＿ｓａｖｅ
＝０にし（２０３）、ｔ＝ｔ＿ｓａｖｅにおける内部デ
ータを保存する（２０４）。おおよその指定酸化膜厚と
なる酸化時間を求めるモード(ｍｏｄｅ＝０)に 設定す
る（２０５）。
【００５０】次に、時刻ｔ＿ｎｏｗ＝ｔ＿ｓａｖｅ＋Δ
tと時刻を進める(２０６)。オキシダント拡散方程式を
解き、被酸化界面における表面オキシダント濃度Coxを
算出する（２０７）。
tと時刻を進める(２０６)。オキシダント拡散方程式を
解き、被酸化界面における表面オキシダント濃度Coxを
算出する（２０７）。
【００５１】モードを判定し（２０８）、ｍｏｄｅ＝０
の場合には、上記第１の実施例と同様、表面オキシダン
ト濃度Coxから、指定場所における実効酸化膜厚を計算
する（２０９）。ｍｏｄｅ＝１の場合には、酸化反応速
度計算（２１２）を行う。
の場合には、上記第１の実施例と同様、表面オキシダン
ト濃度Coxから、指定場所における実効酸化膜厚を計算
する（２０９）。ｍｏｄｅ＝１の場合には、酸化反応速
度計算（２１２）を行う。
【００５２】次に、実効酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆが指定
膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅｔと比較し（２１０）、実効酸
化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆが指定膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅｔ
より厚い場合には、 時間刻みを1/2に小さくする（２１
１）。このときは、変形計算を行なわず、（２０６）に
戻って以上の手順を繰り返す。
膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅｔと比較し（２１０）、実効酸
化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆが指定膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅｔ
より厚い場合には、 時間刻みを1/2に小さくする（２１
１）。このときは、変形計算を行なわず、（２０６）に
戻って以上の手順を繰り返す。
【００５３】実効酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆが指定膜厚よ
り薄い場合には、酸化反応速度計算（２１２）、新界面
作成（２１３）、変形計算（２１４）を行い、指定場所
における酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｘｔｒａｃｔを抽出する
（２１５）。
り薄い場合には、酸化反応速度計算（２１２）、新界面
作成（２１３）、変形計算（２１４）を行い、指定場所
における酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｘｔｒａｃｔを抽出する
（２１５）。
【００５４】また、抽出酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｘｔｒａｃ
ｔと指定膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅｔを比較し（２１
６）、両者が一致した場合には終了する。
ｔと指定膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅｔを比較し（２１
６）、両者が一致した場合には終了する。
【００５５】抽出酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｘｔｒａｃｔが指
定膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅｔより厚い場合には、ｍｏｄ
ｅ＝１とし（２１８）、 変形計算によって指定場所に
おける酸化膜厚を抽出するように 動作を切替える。 時
間刻みΔtを1/2に小さくし（２１９），保存しておいた
内部データをロードし（２２０）、それから（２０６）
に戻って以上の手順を繰り返す。
定膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅｔより厚い場合には、ｍｏｄ
ｅ＝１とし（２１８）、 変形計算によって指定場所に
おける酸化膜厚を抽出するように 動作を切替える。 時
間刻みΔtを1/2に小さくし（２１９），保存しておいた
内部データをロードし（２２０）、それから（２０６）
に戻って以上の手順を繰り返す。
【００５６】一方（２１７）の判定で、抽出酸化膜厚Ｔ
ｏｘ＿ｅｘｔｒａｃｔが 指定膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅ
ｔより薄いと判定された場合には、 現時刻ｔ＿ｎｏｗ
を前時刻ｔ＿ｓａｖｅに設定し（２２１）、酸化計算に
必要な内部データを保存し（２２２）、 それから（２
０６）に戻って以上の手順を繰り返す。
ｏｘ＿ｅｘｔｒａｃｔが 指定膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅ
ｔより薄いと判定された場合には、 現時刻ｔ＿ｎｏｗ
を前時刻ｔ＿ｓａｖｅに設定し（２２１）、酸化計算に
必要な内部データを保存し（２２２）、 それから（２
０６）に戻って以上の手順を繰り返す。
【００５７】
【発明の効果】本実施例では、指定の酸化膜厚となる酸
化計算を行う際、おおよその指定酸化膜厚となる酸化計
算を行うモード(ｍｏｄｅ＝０)と、変形計算によって指
定場所における酸化膜厚を正確に抽出する モード(ｍｏ
ｄｅ＝１)を切りかえる。おおよその指定酸化膜厚とな
る酸化計算を行うモード(ｍｏｄｅ＝０)により、 余計
な変形計算を省くことにより高速化が可能となる利点が
ある。
化計算を行う際、おおよその指定酸化膜厚となる酸化計
算を行うモード(ｍｏｄｅ＝０)と、変形計算によって指
定場所における酸化膜厚を正確に抽出する モード(ｍｏ
ｄｅ＝１)を切りかえる。おおよその指定酸化膜厚とな
る酸化計算を行うモード(ｍｏｄｅ＝０)により、 余計
な変形計算を省くことにより高速化が可能となる利点が
ある。
【図１】図１は、本発明の第１の実施例を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図２】図２は、第１の実施例における動作の説明図で
ある。
ある。
【図３】図３は、本発明の第２の実施例を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図４】図４は、ＬＯＣＯＳ計算における酸化計算時間
の調整の説明図である。
の調整の説明図である。
【図５】図５は、従来の方法を示すフローチャートであ
る。
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/00 H01L 21/316 G06F 19/00
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体材料の表面に酸化膜を形成する工
程を所定の時間刻みで模擬実験するプロセスシミュレー
ション方法において、指定酸化膜厚を設定するステッ
プ、酸化計算を行う時の時間刻み△ｔを設定するステッ
プ、初期時刻ｔ＿ｓａｖｅ＝０を規定するステップより
なる第１の工程と、、現時刻ｔ＿ｎｏｗ＝ｔ＿ｓａｖｅ
＋△ｔ により、時間刻み△ｔを用いて現時刻を進める
第２の工程と、オキシダント拡散方程式を解いて、被酸
化界面における表面オキシダント濃度Ｃｏｘを算出する
第３の工程と、表面オキシダント濃度から、指定場所に
おける実効酸化膜厚を計算する第４の工程と、実効酸化
膜厚と指定酸化膜厚とを比較し、実効酸化膜厚が指定酸
化膜厚より厚い場合には、時間刻み△ｔを減少させ、こ
のときは変形計算を行わず、前記第２の工程に戻って以
上の手順を繰り返す第５の工程を具備することを特徴と
するプロセスシミュレーション方法。 - 【請求項２】 前記プロセスシミュレーション方法は、
更に実効酸化膜厚と指定酸化膜厚とを比較し、実効酸化
膜厚が指定酸化膜厚より薄い場合には、酸化反応速度計
算、新界面作成および変形計算をそれぞれ行い、前記第
２の工程に戻って以上の手順を繰り返す第６の工程を具
備することを特徴とする請求項１記載のプロセスシミュ
レーション方法。 - 【請求項３】 前記プロセスシミュレーション方法は、
更に実効酸化膜厚と指定酸化膜厚とを比較し、両者が一
致した場合には、酸化反応速度計算、新界面作成および
変形計算をそれぞれ行って終了する第７の工程を具備す
ることを特徴とする請求項１記載のプロセスシミュレー
ション方法。 - 【請求項４】 前記第４の工程において、実効酸化膜厚
Ｔｏｘ＿ｅｆｆは、オキシダント濃度から計算可能な時
刻ｔ＿ｓａｖｅにおける酸化膜厚： Ａ／２＊（ｈ／（ｈ＋ｋ）＊Ｃ〜−Ｃｏｘ）／Ｃｏｘ と、△ｔによる酸化膜厚の増分：Ｋ＊Ｃｏｘ＊△ｔ／ｍ との和であることを特徴とする、請求項１記載のプロセ
スシミュレーション方法。（ここに、Ａ，Ｋ，ｈ，ｋは
比例定数、Ｃ〜はオキシダントの平衡濃度、ｍはシリコ
ンと酸化膜の体積密度の比である。） - 【請求項５】 所望の酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅｔを
設定するステップ、酸化計算を行うときの時間刻み△ｔ
を設定するステップ、初期時刻ｔ＿ｓａｖｅ=０を規定
するステップよりなる第１の工程と、ｔ=ｔ＿ｓａｖｅ
における内部データを保存する第２の工程と、大凡の指
定酸化膜厚となる酸化時間を求めるモード(mode=0)に設
定する第３の工程と、次に時刻ｔ＿ｎｏｗ＝ｔ＿ｓａｖ
ｅ+△ｔと時刻を進める第４の工程と、オキシダント拡
散方程式をといて、被酸化界面における表面オキシダン
ト濃度Ｃｏｘを算出する第５の工程と、モードを判定す
るステップを介して、ｍｏｄｅ=０の場合には、表面オ
キシダント濃度Ｃｏｘから指定場所における実効酸化膜
厚Ｔｏｘ＿ｅｆｆを計算する第６の工程と、上記モード
を判定するステップを介して、実効酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅ
ｆｆが指定膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅｔと比較して指定膜
厚より厚い場合には、時間刻みを１／２に小さくすると
共に、このときには変形計算をおこなわず、上記第４の
工程に戻って以上の手順を繰り返す第７の工程とを具備
したことを特徴とするプロセスシミュレーション方法。 - 【請求項６】 前記プロセスシミュレーション方法は、
更に実効酸化膜厚が指定膜厚より薄い場合には、酸化反
応速度計算、新界面作成、変形計算を行って指定場所に
おける抽出用酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｘｔｒａｃｔを抽出す
る第８の工程と、抽出用酸化膜厚Ｔｏｘ＿ｅｘｔｒａｃ
ｔと指定膜厚Ｔｏｘ＿ｔａｒｇｅｔを比較して両者が一
致した場合には終了する第９の工程とを具備する、請求
項５記載のプロセスシミュレーション方法。 - 【請求項７】 前記プロセスシミュレーション方法は、
更に抽出用酸化膜厚と指定膜厚とを比較して、抽出用酸
化膜厚が指定膜厚より厚い場合には、ｍｏｄｅ=１と
し、変形計算によって指定場所における酸化膜厚を抽出
するように動作を切替える第１０の工程と、時間刻み、
△ｔを１／２に減少させる第１１の工程と、保存してお
いた時刻ｔ＿ｓａｖｅにおける内部データをロードする
第１２の工程と、前記第４の工程に戻って以上の手順を
繰り返す第１３の工程とを具備していることを特徴とす
る、請求項６記載のプロセスシミュレーション方法。 - 【請求項８】 前記プロセスシミュレーション方法は、
更に抽出用酸化膜厚と指定膜厚とを比較して、抽出用酸
化膜厚が指定膜厚より薄いと判定された場合には、現時
刻ｔ＿ｎｏｗを前時刻ｔ＿ｓａｖｅに設定する第１４の
工程と、酸化計算に必要な時刻ｔ＿ｓａｖｅにおける内
部データを保存する第１５の工程と、前記第４の工程に
戻って以上の手順を繰り返す第１６の工程とを具備する
ことを特徴とする請求項６記載のプロセスシミュレーシ
ョン方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20652599A JP3309835B2 (ja) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | プロセスシミュレーション方法 |
| EP00115658A EP1071127A2 (en) | 1999-07-21 | 2000-07-20 | High speed simulation method of an oxidation process in a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20652599A JP3309835B2 (ja) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | プロセスシミュレーション方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001035847A JP2001035847A (ja) | 2001-02-09 |
| JP3309835B2 true JP3309835B2 (ja) | 2002-07-29 |
Family
ID=16524818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20652599A Expired - Fee Related JP3309835B2 (ja) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | プロセスシミュレーション方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1071127A2 (ja) |
| JP (1) | JP3309835B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6986810B2 (ja) * | 2020-04-23 | 2021-12-22 | 信 伊藤 | 半導体材料の熱酸化プロセスにおける酸化時間の計算方法 |
-
1999
- 1999-07-21 JP JP20652599A patent/JP3309835B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-20 EP EP00115658A patent/EP1071127A2/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001035847A (ja) | 2001-02-09 |
| EP1071127A2 (en) | 2001-01-24 |
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