JP3302703B2 - 有機薄膜素子 - Google Patents
有機薄膜素子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機薄膜素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、有機分子の多彩な物性を利用し
て、従来の半導体デバイスにはない新規な機能を有する
デバイスを実現しようとする分子エレクトロニクスへの
関心が高まっている。これまでに、有機分子を非線形光
学素子、スイッチング素子、電界発光素子などへ応用し
ようとする研究が活発に行われている。これらの素子へ
の応用という観点からは、有機分子間の電荷移動現象が
特に注目される。
て、従来の半導体デバイスにはない新規な機能を有する
デバイスを実現しようとする分子エレクトロニクスへの
関心が高まっている。これまでに、有機分子を非線形光
学素子、スイッチング素子、電界発光素子などへ応用し
ようとする研究が活発に行われている。これらの素子へ
の応用という観点からは、有機分子間の電荷移動現象が
特に注目される。
【０００３】有機材料のうちには、イオン化ポテンシャ
ルが小さく、他の分子に電子を供給して自らは正のイオ
ンになりやすいドナー性分子と、電子親和力が大きく、
他の分子から電子を受け取って自らは負のイオン状態に
なりやすいアクセプタ性分子とがある。これら２種の分
子間には、電荷移動錯体と称される化合物が形成される
ことはよく知られている。例えば、ペリレンとテトラシ
アノキノジメタン（ＴＣＮＱ）との化合物は、中性分子
からなる化合物である。一方、テトラメチルフェニレン
ジアミン（ＴＭＰＤ）とＴＣＮＱとの化合物は、それぞ
れの分子が正、負となったイオン性の化合物である。ま
た、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）とクロラニル（Ｃ
Ａ）との化合物は、温度や圧力の変化によって中性−イ
オン性転移が観測されることも知られている（Ｊ．Ｂ．
Ｔｏｒｒａｎｃｅ ｅｔ ａｌ．：Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．
Ｌｅｔｔ．，４６，２５３（１９８１））。
ルが小さく、他の分子に電子を供給して自らは正のイオ
ンになりやすいドナー性分子と、電子親和力が大きく、
他の分子から電子を受け取って自らは負のイオン状態に
なりやすいアクセプタ性分子とがある。これら２種の分
子間には、電荷移動錯体と称される化合物が形成される
ことはよく知られている。例えば、ペリレンとテトラシ
アノキノジメタン（ＴＣＮＱ）との化合物は、中性分子
からなる化合物である。一方、テトラメチルフェニレン
ジアミン（ＴＭＰＤ）とＴＣＮＱとの化合物は、それぞ
れの分子が正、負となったイオン性の化合物である。ま
た、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）とクロラニル（Ｃ
Ａ）との化合物は、温度や圧力の変化によって中性−イ
オン性転移が観測されることも知られている（Ｊ．Ｂ．
Ｔｏｒｒａｎｃｅ ｅｔ ａｌ．：Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．
Ｌｅｔｔ．，４６，２５３（１９８１））。
【０００４】このような有機分子における電荷移動現象
を、電気素子、光学素子の動作原理として応用する場合
に重要な点は、電界や光により、いかに効率よく、しか
も制御性よく電荷移動を起こさせるかということであ
る。最近、電荷移動錯体の電気的特性に関して、興味あ
る結果が報告されている（十倉好紀ら：１９８８年秋、
物理学会予稿集、３ａ−Ｓ４−１，３ａ−Ｓ４−２，３
ａ−Ｓ４−３他、Ｙ．Ｔｏｋｕｒａ ｅｔ ａｌ．：Ｐ
ｈｙｓｉｃａ １４３Ｂ，５２７（１９８６））。すな
わち、ドナー性分子とアクセプタ性分子とが、互いに分
子面を向かい合わせて積層されている交互積層型錯体結
晶では、比誘電率の異方性が高く、積層方向の比誘電率
が１００〜１０００と極めて高いこと、１０3 〜１０4
Ｖ／ｃｍオーダーの電界下で非線形な電気伝導やスイッ
チング特性が観察されることが報告されている。その原
因として、中性結晶内に熱的又は電気的に生成されたイ
オン性ドメイン又はイオン性結晶内の中性ドメインが、
電界により動力学的に動くことが考えられている。
を、電気素子、光学素子の動作原理として応用する場合
に重要な点は、電界や光により、いかに効率よく、しか
も制御性よく電荷移動を起こさせるかということであ
る。最近、電荷移動錯体の電気的特性に関して、興味あ
る結果が報告されている（十倉好紀ら：１９８８年秋、
物理学会予稿集、３ａ−Ｓ４−１，３ａ−Ｓ４−２，３
ａ−Ｓ４−３他、Ｙ．Ｔｏｋｕｒａ ｅｔ ａｌ．：Ｐ
ｈｙｓｉｃａ １４３Ｂ，５２７（１９８６））。すな
わち、ドナー性分子とアクセプタ性分子とが、互いに分
子面を向かい合わせて積層されている交互積層型錯体結
晶では、比誘電率の異方性が高く、積層方向の比誘電率
が１００〜１０００と極めて高いこと、１０3 〜１０4
Ｖ／ｃｍオーダーの電界下で非線形な電気伝導やスイッ
チング特性が観察されることが報告されている。その原
因として、中性結晶内に熱的又は電気的に生成されたイ
オン性ドメイン又はイオン性結晶内の中性ドメインが、
電界により動力学的に動くことが考えられている。
【０００５】この現象は、中性−イオン性転移と関連性
があるものの、極めて局所的な変化であって、結晶全体
が巨視的に変化しているわけではない。現状では、電界
や光による巨視的な中性−イオン性転移は実現していな
い。
があるものの、極めて局所的な変化であって、結晶全体
が巨視的に変化しているわけではない。現状では、電界
や光による巨視的な中性−イオン性転移は実現していな
い。
【０００６】電荷移動錯体において、電界により巨視的
な中性−イオン性転移を起こすためには、素子内の電界
の方向と、ドナー性分子及びアクセプタ性分子の積層軸
の方向が一致していることが極めて重要である。このよ
うに有機分子の特性を活かしたデバイスを実現するため
には、膜厚などのサイズや膜内の構造的均一性はもちろ
んのこと、膜内の１分子オーダーでの分子配列、隣接す
る分子間の相互配置及び分子配向を制御することが非常
に重要となる。
な中性−イオン性転移を起こすためには、素子内の電界
の方向と、ドナー性分子及びアクセプタ性分子の積層軸
の方向が一致していることが極めて重要である。このよ
うに有機分子の特性を活かしたデバイスを実現するため
には、膜厚などのサイズや膜内の構造的均一性はもちろ
んのこと、膜内の１分子オーダーでの分子配列、隣接す
る分子間の相互配置及び分子配向を制御することが非常
に重要となる。
【０００７】近年、分子配向、配列が制御された超薄膜
を作製する方法の一つとして、Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌ
ｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）法が注目を集めている。これは、
水面上に形成された単分子膜を一層ずつ基板上に累積し
て、同種又は異種の超格子膜を作製する方法である。し
かし、実際には、水面上に展開された膜中の分子のパッ
キング状態や均一性が悪く、基板に累積する際に単分子
膜構造が乱れるという問題がある。このため、膜全体又
は累積層間の分子配向が制御された超格子薄膜を形成で
きるレベルには至っていない。ＬＢ法による成膜技術を
向上させるためには、ＬＢ法に適した分子の設計と、そ
の合成技術の確立が必要となっている。
を作製する方法の一つとして、Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌ
ｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）法が注目を集めている。これは、
水面上に形成された単分子膜を一層ずつ基板上に累積し
て、同種又は異種の超格子膜を作製する方法である。し
かし、実際には、水面上に展開された膜中の分子のパッ
キング状態や均一性が悪く、基板に累積する際に単分子
膜構造が乱れるという問題がある。このため、膜全体又
は累積層間の分子配向が制御された超格子薄膜を形成で
きるレベルには至っていない。ＬＢ法による成膜技術を
向上させるためには、ＬＢ法に適した分子の設計と、そ
の合成技術の確立が必要となっている。
【０００８】一方、特別な分子設計を必要とせず、ほと
んどの有機分子に容易に適用できる技術として、真空蒸
着法に関する研究も盛んに行われている。しかし、真空
蒸着法では、分子蒸発源をいったんガス化して再び凝集
させるため、ガス化分子の供給速度、基板表面に付着し
た分子の表面拡散や結晶化などの速度のバランス、吸着
分子と基板表面との相互作用に依存して、膜構造や分子
配向が種々変化することが予想される。
んどの有機分子に容易に適用できる技術として、真空蒸
着法に関する研究も盛んに行われている。しかし、真空
蒸着法では、分子蒸発源をいったんガス化して再び凝集
させるため、ガス化分子の供給速度、基板表面に付着し
た分子の表面拡散や結晶化などの速度のバランス、吸着
分子と基板表面との相互作用に依存して、膜構造や分子
配向が種々変化することが予想される。
【０００９】従来の有機蒸着膜に関する研究では、主と
して長鎖炭化水素系直線状分子やフタロシアニンなどの
平板状分子について、種々の基板上での薄膜成長過程と
分子配向に関する検討がなされてきた。基板としては、
電子顕微鏡、電子線回折による評価を目的とする場合に
は単結晶アルカリハライド、単結晶金属；光学的評価を
目的とする場合には石英；電気的評価を目的とする場合
にはＳｉ単結晶；などが主に用いられている。蒸着条件
については、基板温度及び蒸着速の影響を調べた例が多
い。アメリカのＶｉｎｃｅｔｔらは、蒸着材料、基板の
種類によらず、絶対温度で基板温度を蒸着材料の沸点の
１／３に設定することにより、均一な連続膜が形成でき
ると報告している。しかし、蒸着条件を適正化しただけ
では、任意の基板上に蒸着される有機薄膜の配向を制御
することは極めて困難である。
して長鎖炭化水素系直線状分子やフタロシアニンなどの
平板状分子について、種々の基板上での薄膜成長過程と
分子配向に関する検討がなされてきた。基板としては、
電子顕微鏡、電子線回折による評価を目的とする場合に
は単結晶アルカリハライド、単結晶金属；光学的評価を
目的とする場合には石英；電気的評価を目的とする場合
にはＳｉ単結晶；などが主に用いられている。蒸着条件
については、基板温度及び蒸着速の影響を調べた例が多
い。アメリカのＶｉｎｃｅｔｔらは、蒸着材料、基板の
種類によらず、絶対温度で基板温度を蒸着材料の沸点の
１／３に設定することにより、均一な連続膜が形成でき
ると報告している。しかし、蒸着条件を適正化しただけ
では、任意の基板上に蒸着される有機薄膜の配向を制御
することは極めて困難である。
【００１０】基板がその上に蒸着される有機薄膜の分子
配向に及ぼす影響については、以下のような研究が知ら
れている。（１）西ドイツのＫａｒｌらは、清浄なＳｉ
単結晶表面に形成された数分子層のペリレンテトラカル
ボキシジアンヒドライド蒸着膜では、分子面が基板表面
に平行に配向していることを報告している。（２）原
は、分子線蒸着法を用いたフタロシアニン蒸着膜の研究
において、通常の高真空蒸着では不連続膜しか形成でき
ない条件でも、超高真空下で蒸着速度を０．１ｎｍ／ｍ
ｉｎ程度の非常に遅い条件にすることにより、均一な連
続膜で、しかも分子面が基板表面に平行配向した膜を形
成できると報告している。この研究では無機基板と蒸着
された有機結晶との格子不整合を回避する目的で、ファ
ンデアワールス・エピタキシーの考え方に基づき、基板
として層状化合物であるＭｏＳ2が用いられている。
（３）原田らは、グラファイト基板上に形成された数分
子層のペンタセン蒸着膜では、分子面が基板表面に平行
配向していることを報告している。
配向に及ぼす影響については、以下のような研究が知ら
れている。（１）西ドイツのＫａｒｌらは、清浄なＳｉ
単結晶表面に形成された数分子層のペリレンテトラカル
ボキシジアンヒドライド蒸着膜では、分子面が基板表面
に平行に配向していることを報告している。（２）原
は、分子線蒸着法を用いたフタロシアニン蒸着膜の研究
において、通常の高真空蒸着では不連続膜しか形成でき
ない条件でも、超高真空下で蒸着速度を０．１ｎｍ／ｍ
ｉｎ程度の非常に遅い条件にすることにより、均一な連
続膜で、しかも分子面が基板表面に平行配向した膜を形
成できると報告している。この研究では無機基板と蒸着
された有機結晶との格子不整合を回避する目的で、ファ
ンデアワールス・エピタキシーの考え方に基づき、基板
として層状化合物であるＭｏＳ2が用いられている。
（３）原田らは、グラファイト基板上に形成された数分
子層のペンタセン蒸着膜では、分子面が基板表面に平行
配向していることを報告している。
【００１１】ただし、このように真空蒸着法による薄膜
形成に関して多種多様な研究がなされているにもかかわ
らず、膜構造、分子配向の制御因子が統一的に理解され
ている状況ではない。
形成に関して多種多様な研究がなされているにもかかわ
らず、膜構造、分子配向の制御因子が統一的に理解され
ている状況ではない。
【００１２】本発明者らは、基板と蒸着分子との間に生
じる相互作用に着目して、鋭意検討した。その結果、芳
香族系分子の蒸着膜を成膜する場合、蒸着膜と化学構造
及び電子構造の点で類似性の高い高配向グラファイト基
板を用い、蒸着条件を適正化すれば、均一な連続膜が容
易に形成できることを見出した。また、高配向グラファ
イト基板上に蒸着される芳香族系分子の配向を決定づけ
る因子は、グラファイト基板表面のπ電子と芳香族分子
のπ電子との間に生じるファンデアワールス相互作用で
あると推定される。この相互作用により、分子はその主
たる分子面が基板と平行になるように配向された状態で
エネルギー的に最も安定となると考えられる。しかし、
グラファイト基板を用いた場合には、電子デバイス又は
光学デバイスとしての素子構成が困難である。
じる相互作用に着目して、鋭意検討した。その結果、芳
香族系分子の蒸着膜を成膜する場合、蒸着膜と化学構造
及び電子構造の点で類似性の高い高配向グラファイト基
板を用い、蒸着条件を適正化すれば、均一な連続膜が容
易に形成できることを見出した。また、高配向グラファ
イト基板上に蒸着される芳香族系分子の配向を決定づけ
る因子は、グラファイト基板表面のπ電子と芳香族分子
のπ電子との間に生じるファンデアワールス相互作用で
あると推定される。この相互作用により、分子はその主
たる分子面が基板と平行になるように配向された状態で
エネルギー的に最も安定となると考えられる。しかし、
グラファイト基板を用いた場合には、電子デバイス又は
光学デバイスとしての素子構成が困難である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、ドナ
ー性分子とアクセプタ性分子との電荷移動錯体におい
て、電界による中性−イオン性転移を起こさせるために
は、錯体の積層軸の方向と、電界の印加される方向とを
一致させることが重要である。しかし、薄膜形成条件を
適正化するだけでは、任意の基板上で有機薄膜の配向を
制御することは極めて困難である。また、グラファイト
基板を用い、有機薄膜の形成条件を適性化すれば、有機
薄膜の配向を制御することが容易となるが、グラファイ
ト基板を用いた場合には、電子デバイス又は光学デバイ
スとしての素子構成が困難である。
ー性分子とアクセプタ性分子との電荷移動錯体におい
て、電界による中性−イオン性転移を起こさせるために
は、錯体の積層軸の方向と、電界の印加される方向とを
一致させることが重要である。しかし、薄膜形成条件を
適正化するだけでは、任意の基板上で有機薄膜の配向を
制御することは極めて困難である。また、グラファイト
基板を用い、有機薄膜の形成条件を適性化すれば、有機
薄膜の配向を制御することが容易となるが、グラファイ
ト基板を用いた場合には、電子デバイス又は光学デバイ
スとしての素子構成が困難である。
【００１４】本発明の目的は、基板の材質及び各層の積
層構造にかかわらず、有機薄膜の構造及び配向性を制御
することができ、表示素子などとして実用化できる有機
薄膜素子を提供することにある。
層構造にかかわらず、有機薄膜の構造及び配向性を制御
することができ、表示素子などとして実用化できる有機
薄膜素子を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段と作用】本発明の有機薄膜
素子は、基板上に、ドナー性分子とアクセプタ性分子と
を含む有機薄膜層を形成した有機薄膜素子において、前
記基板が、基板本体と、基板本体上に積層された多環芳
香族分子もしくはその誘導体からなる層又はグラファイ
ト構造を有する炭素層を具備することを特徴とするもの
である。以下、本発明をより詳細に説明する。
素子は、基板上に、ドナー性分子とアクセプタ性分子と
を含む有機薄膜層を形成した有機薄膜素子において、前
記基板が、基板本体と、基板本体上に積層された多環芳
香族分子もしくはその誘導体からなる層又はグラファイ
ト構造を有する炭素層を具備することを特徴とするもの
である。以下、本発明をより詳細に説明する。
【００１６】本発明の有機薄膜素子は、基本的には、基
板（その表面に多環芳香族分子もしくはその誘導体から
なる層又はグラファイト構造を有する炭素層が形成され
ている）上に、ドナー性分子とアクセプタ性分子とをと
もに含む有機薄膜層が形成された構造を有している。た
だし、実用的な素子においては、一般的に、基板とし
て、基板本体上に電極、絶縁層及び多環芳香族分子もし
くはその誘導体からなる層又はグラファイト構造を有す
る炭素層が順次形成されたものが用いられ、その上に有
機薄膜層、絶縁層及び背面電極が順次形成された構造が
採用される。有機薄膜層は超格子構造をなしていてもよ
い。
板（その表面に多環芳香族分子もしくはその誘導体から
なる層又はグラファイト構造を有する炭素層が形成され
ている）上に、ドナー性分子とアクセプタ性分子とをと
もに含む有機薄膜層が形成された構造を有している。た
だし、実用的な素子においては、一般的に、基板とし
て、基板本体上に電極、絶縁層及び多環芳香族分子もし
くはその誘導体からなる層又はグラファイト構造を有す
る炭素層が順次形成されたものが用いられ、その上に有
機薄膜層、絶縁層及び背面電極が順次形成された構造が
採用される。有機薄膜層は超格子構造をなしていてもよ
い。
【００１７】本発明において、基板本体の材質は特に限
定されず、金属、半導体（回路や接合などを形成したも
のを含む）、誘電体、石英などが挙げられる。その表面
に形成される電極としては、金属薄膜、ＩＴＯ（ｉｎｄ
ｉｕｍ ｔｉｎｏｘｉｄｅ）膜などが挙げられる。前述
したようにその表面に絶縁層を形成する場合、この絶縁
層は有機薄膜層に実効的に強電界を印加できるようにす
る作用を有する。すなわち、一般に有機薄膜層に印加さ
れる電界が強くなると、有機薄膜層を流れる電流が大幅
に増加するため、ある程度以上の電界を実現することが
できない。これに対して、電極と有機薄膜層との間に絶
縁層を設けておけば、強電界を印加しても有機薄膜層を
流れる電流が増加することがなく、有機薄膜層に実効的
に強電界を印加でき、電荷移動を有効に起こさせること
ができる。絶縁層としては、ＳｉＯ2 、ＳｒＴｉＯ3 、
有機高分子などが用いられる。特に、有機薄膜層により
高い電界を印加するためには、比誘電率が１０以上の絶
縁材料、例えばＳｒＴｉＯ3 などの強誘電体を用いるこ
とが好ましい。
定されず、金属、半導体（回路や接合などを形成したも
のを含む）、誘電体、石英などが挙げられる。その表面
に形成される電極としては、金属薄膜、ＩＴＯ（ｉｎｄ
ｉｕｍ ｔｉｎｏｘｉｄｅ）膜などが挙げられる。前述
したようにその表面に絶縁層を形成する場合、この絶縁
層は有機薄膜層に実効的に強電界を印加できるようにす
る作用を有する。すなわち、一般に有機薄膜層に印加さ
れる電界が強くなると、有機薄膜層を流れる電流が大幅
に増加するため、ある程度以上の電界を実現することが
できない。これに対して、電極と有機薄膜層との間に絶
縁層を設けておけば、強電界を印加しても有機薄膜層を
流れる電流が増加することがなく、有機薄膜層に実効的
に強電界を印加でき、電荷移動を有効に起こさせること
ができる。絶縁層としては、ＳｉＯ2 、ＳｒＴｉＯ3 、
有機高分子などが用いられる。特に、有機薄膜層により
高い電界を印加するためには、比誘電率が１０以上の絶
縁材料、例えばＳｒＴｉＯ3 などの強誘電体を用いるこ
とが好ましい。
【００１８】また、基板本体上にグラファイト構造を有
する炭素層を形成する場合、基板本体の表面にＰｔ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｆｅ、Ｒ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｙｂなどのｄ電子、ｆ電子を有する遷移金属、又は
ＷＣ、ＴｉＣ、ＴａＣ、ＨｆＣなどの遷移金属炭化物の
薄膜を形成しておくことが好ましい。
する炭素層を形成する場合、基板本体の表面にＰｔ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｆｅ、Ｒ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｙｂなどのｄ電子、ｆ電子を有する遷移金属、又は
ＷＣ、ＴｉＣ、ＴａＣ、ＨｆＣなどの遷移金属炭化物の
薄膜を形成しておくことが好ましい。
【００１９】本発明において、基板の表面層を構成する
多環芳香族分子及びその誘導体としては、ベンゼノイド
系の縮合芳香族、二環系又は多環系の環集合、非ベンゼ
ノイド系の芳香族、複素環芳香族、縮合芳香族誘導体、
大環状芳香族、芳香族系高分子などが挙げられる。
多環芳香族分子及びその誘導体としては、ベンゼノイド
系の縮合芳香族、二環系又は多環系の環集合、非ベンゼ
ノイド系の芳香族、複素環芳香族、縮合芳香族誘導体、
大環状芳香族、芳香族系高分子などが挙げられる。
【００２０】ベンゼノイド系の縮合芳香族の具体例を例
示すると、ナフタレン、アントラセン、ペンタセン、ヘ
キサセン、ヘプタフェン、トリフェニレン、ベンズ
［ａ］アントラセン、クリセン、ベンゾ［ｃ］フェナン
スレン、ピセン、ジベンズ［ａ，ｊ］アントラセン、ジ
ベンズ［ａ，ｃ］アントラセン、ジベンズ［ａ，ｈ］ア
ントラセン、ナフト［２，３−ａ］アントラセン、ナフ
ト［２，１−ａ］アントラセン、ベンズ［ａ］ナフタセ
ン、ナフト［２，３−ａ］ナフタセン、ジベンゾ［ａ，
ｌ］ナフタセン、ジベンゾ［ａ，ｊ］ナフタセン、ジベ
ンゾ［ｃ，ｇ］フェナントレン、ピレン、ペリレン、
１，１２−ベンズピレン、ナフト［２，１−ａ］ピレ
ン、ジナフトアントラセン、テリレン、クォーテリレ
ン、ベンゾ［ａ］ピレン、ベンゾ［ｅ］ピレン、［１
８］アヌレン、２，３；８，９−ジベンゾペリレン、ア
ントラセノ［２，１−ａ］アントラセン、フェナントレ
ノ［２，３−ａ］アントラセン、トリベンゾ［ａ，ｃ，
ｈ］アントラセン、ナフト［２，３−ａ］ピレン、ジベ
ンゾ［ａ，ｉ］ピレン、ジベンゾ［ａ，ｌ］ピレン、ゼ
トレン、アントアントレン、テトラベンゾナフタリン、
コロネン、テトラベンゾ［ａ，ｃ，ｈ，ｊ］アントラセ
ン、ピラントレン、ビスアンスレン、ベンゾビスアンス
レン、１，２；７，８−ジベンゾコロネン、２，３；
８，９−ジベンゾコロネン、オバレン、ヘキサベンゾコ
ロネン、トリベンゾ［ａ，ｉ，ｌ］ピレン、ビオランス
レン、テトラベンゾ［ａ，ｃｄ，ｊ，ｌｍ］ペリレン、
ジフェナンスロペリレン、アントラベンゾナフトペンタ
セン、１、９、５、１０−ジペリナフチレンアントラセ
ン、ジナフト［７´，１´；１，１３；１”，７”；
６，８］ペロピレン、デカベンゾアンスラセン、ジフェ
ニレンナフタセンなどが挙げられる。環集合の具体例を
例示すると、ビフェニル、ターフェニル、クォーターフ
ェニルなどが挙げられる。非ベンゼノイド系の芳香族の
具体例を例示すると、フルオレン、フルオランテン、デ
カサイクレン、ジインデノ［１，２，３−ｃｄ；１´，
２´，３´−ｌｍ］ペリレン、アズレンなどが挙げられ
る。複素環芳香族の具体例を例示すると、カルバゾー
ル、アクリジン、フェナジン、チアントレンなどが挙げ
られる。縮合芳香族誘導体の具体例を例示すると、ペリ
レンキノン、ビオランスロン、イソビオランスロン、ナ
フタリックアンヒドライド、ナフタレンテトラカルボキ
シリックジアンヒドライド、ペリレンテトラカルボキシ
リックジアンヒドライドなどが挙げられる。大環状芳香
族の具体例を例示すると、ケクレン、フタロシアニン、
ポルフィリンなどが挙げられる。芳香族系高分子の具体
例を例示すると、ポリパラフェニレンビニレン、ポリイ
ミド、ポリアミド、ポリオキサジアゾール、ポリベンゾ
イミダゾールなどが挙げられる。なお、これらの多環芳
香族分子及びその誘導体は、ドナー性又はアクセプタ性
を個々に有している場合、ドナー性又はアクセプタ性が
弱く、実用性に乏しい。
示すると、ナフタレン、アントラセン、ペンタセン、ヘ
キサセン、ヘプタフェン、トリフェニレン、ベンズ
［ａ］アントラセン、クリセン、ベンゾ［ｃ］フェナン
スレン、ピセン、ジベンズ［ａ，ｊ］アントラセン、ジ
ベンズ［ａ，ｃ］アントラセン、ジベンズ［ａ，ｈ］ア
ントラセン、ナフト［２，３−ａ］アントラセン、ナフ
ト［２，１−ａ］アントラセン、ベンズ［ａ］ナフタセ
ン、ナフト［２，３−ａ］ナフタセン、ジベンゾ［ａ，
ｌ］ナフタセン、ジベンゾ［ａ，ｊ］ナフタセン、ジベ
ンゾ［ｃ，ｇ］フェナントレン、ピレン、ペリレン、
１，１２−ベンズピレン、ナフト［２，１−ａ］ピレ
ン、ジナフトアントラセン、テリレン、クォーテリレ
ン、ベンゾ［ａ］ピレン、ベンゾ［ｅ］ピレン、［１
８］アヌレン、２，３；８，９−ジベンゾペリレン、ア
ントラセノ［２，１−ａ］アントラセン、フェナントレ
ノ［２，３−ａ］アントラセン、トリベンゾ［ａ，ｃ，
ｈ］アントラセン、ナフト［２，３−ａ］ピレン、ジベ
ンゾ［ａ，ｉ］ピレン、ジベンゾ［ａ，ｌ］ピレン、ゼ
トレン、アントアントレン、テトラベンゾナフタリン、
コロネン、テトラベンゾ［ａ，ｃ，ｈ，ｊ］アントラセ
ン、ピラントレン、ビスアンスレン、ベンゾビスアンス
レン、１，２；７，８−ジベンゾコロネン、２，３；
８，９−ジベンゾコロネン、オバレン、ヘキサベンゾコ
ロネン、トリベンゾ［ａ，ｉ，ｌ］ピレン、ビオランス
レン、テトラベンゾ［ａ，ｃｄ，ｊ，ｌｍ］ペリレン、
ジフェナンスロペリレン、アントラベンゾナフトペンタ
セン、１、９、５、１０−ジペリナフチレンアントラセ
ン、ジナフト［７´，１´；１，１３；１”，７”；
６，８］ペロピレン、デカベンゾアンスラセン、ジフェ
ニレンナフタセンなどが挙げられる。環集合の具体例を
例示すると、ビフェニル、ターフェニル、クォーターフ
ェニルなどが挙げられる。非ベンゼノイド系の芳香族の
具体例を例示すると、フルオレン、フルオランテン、デ
カサイクレン、ジインデノ［１，２，３−ｃｄ；１´，
２´，３´−ｌｍ］ペリレン、アズレンなどが挙げられ
る。複素環芳香族の具体例を例示すると、カルバゾー
ル、アクリジン、フェナジン、チアントレンなどが挙げ
られる。縮合芳香族誘導体の具体例を例示すると、ペリ
レンキノン、ビオランスロン、イソビオランスロン、ナ
フタリックアンヒドライド、ナフタレンテトラカルボキ
シリックジアンヒドライド、ペリレンテトラカルボキシ
リックジアンヒドライドなどが挙げられる。大環状芳香
族の具体例を例示すると、ケクレン、フタロシアニン、
ポルフィリンなどが挙げられる。芳香族系高分子の具体
例を例示すると、ポリパラフェニレンビニレン、ポリイ
ミド、ポリアミド、ポリオキサジアゾール、ポリベンゾ
イミダゾールなどが挙げられる。なお、これらの多環芳
香族分子及びその誘導体は、ドナー性又はアクセプタ性
を個々に有している場合、ドナー性又はアクセプタ性が
弱く、実用性に乏しい。
【００２１】多環芳香族分子及びその誘導体からなる基
板の表面層は、真空蒸着法、吸着法、ＬＢ法、化学結合
を介して成膜する方法、加熱重合などの方法によって形
成することができる。また、これらの方法で形成された
膜に荷電粒子を照射してもよい。
板の表面層は、真空蒸着法、吸着法、ＬＢ法、化学結合
を介して成膜する方法、加熱重合などの方法によって形
成することができる。また、これらの方法で形成された
膜に荷電粒子を照射してもよい。
【００２２】吸着法をより具体的に説明すると、多環芳
香族分子又はその誘導体の溶液に基板本体を浸漬した
後、溶媒を蒸発させる方法；多環芳香族分子又はその誘
導体の蒸気中に基板本体を放置する方法；などが挙げら
れる。
香族分子又はその誘導体の溶液に基板本体を浸漬した
後、溶媒を蒸発させる方法；多環芳香族分子又はその誘
導体の蒸気中に基板本体を放置する方法；などが挙げら
れる。
【００２３】ＬＢ法を用いる場合には、多環芳香族分子
に少なくとも１本の疎水基を導入した誘導体を合成して
おく。一方、基板本体には疎水化処理を施しておく。そ
して、水面上に多環芳香族分子の誘導体の溶液を滴下
し、単分子膜を展開して圧縮した後、水平付着法又は垂
直浸漬法により、基板本体上に単分子膜を累積する。こ
の場合、疎水基の本数及び単分子膜の表面圧を適正化す
ることにより、多環芳香族分子の主たる分子面が基板本
体表面に平行に配向した層を形成することができる。
に少なくとも１本の疎水基を導入した誘導体を合成して
おく。一方、基板本体には疎水化処理を施しておく。そ
して、水面上に多環芳香族分子の誘導体の溶液を滴下
し、単分子膜を展開して圧縮した後、水平付着法又は垂
直浸漬法により、基板本体上に単分子膜を累積する。こ
の場合、疎水基の本数及び単分子膜の表面圧を適正化す
ることにより、多環芳香族分子の主たる分子面が基板本
体表面に平行に配向した層を形成することができる。
【００２４】化学結合を介して成膜する方法としては、
例えば多環芳香族分子のシラン誘導体を用い、基板本体
上の絶縁層（例えばＳｉＯ2 ）表面の水酸基と縮合反応
させることにより、多環芳香族分子の誘導体の膜を形成
する方法が挙げられる。特に、多環芳香族分子に縮合反
応を起こす官能基を複数個導入しておくことにより、多
環芳香族分子の分子面を基板本体に平行に配向させるこ
とが容易となる。この方法で用いられる多環芳香族分子
誘導体の具体例を例示すると、クロロシラン誘導体、例
えばジクロロジメチルシリル誘導体、ジクロロジフェニ
ルシリル誘導体、トリクロロシリル誘導体、ビストリク
ロロシリル誘導体、トリストリクロロシリル誘導体、テ
トラキストリクロロシリル誘導体などが挙げられる。ま
た、多環芳香族分子にチタネートカップリング剤又は金
属表面処理に用いられる金属錯体表面改質剤を導入した
誘導体を用いることもできる。以上の方法とは逆に、基
板本体の表面を、エポキシ基やアミノ基を導入したＹＲ
ＳｉＸ3 型のシランカップリング剤で修飾した後、多環
芳香族分子又はその誘導体と縮合反応させる方法を用い
ることもできる。
例えば多環芳香族分子のシラン誘導体を用い、基板本体
上の絶縁層（例えばＳｉＯ2 ）表面の水酸基と縮合反応
させることにより、多環芳香族分子の誘導体の膜を形成
する方法が挙げられる。特に、多環芳香族分子に縮合反
応を起こす官能基を複数個導入しておくことにより、多
環芳香族分子の分子面を基板本体に平行に配向させるこ
とが容易となる。この方法で用いられる多環芳香族分子
誘導体の具体例を例示すると、クロロシラン誘導体、例
えばジクロロジメチルシリル誘導体、ジクロロジフェニ
ルシリル誘導体、トリクロロシリル誘導体、ビストリク
ロロシリル誘導体、トリストリクロロシリル誘導体、テ
トラキストリクロロシリル誘導体などが挙げられる。ま
た、多環芳香族分子にチタネートカップリング剤又は金
属表面処理に用いられる金属錯体表面改質剤を導入した
誘導体を用いることもできる。以上の方法とは逆に、基
板本体の表面を、エポキシ基やアミノ基を導入したＹＲ
ＳｉＸ3 型のシランカップリング剤で修飾した後、多環
芳香族分子又はその誘導体と縮合反応させる方法を用い
ることもできる。
【００２５】加熱重合による方法は、基板本体上に、架
橋性の多環芳香族分子誘導体の膜、多環芳香族分子又は
その誘導体と架橋剤との混合膜、芳香族高分子の膜を形
成した後、加熱処理することにより、膜中の分子を重合
又は縮合させて、より大きな多環芳香族分子骨格を形成
するものである。
橋性の多環芳香族分子誘導体の膜、多環芳香族分子又は
その誘導体と架橋剤との混合膜、芳香族高分子の膜を形
成した後、加熱処理することにより、膜中の分子を重合
又は縮合させて、より大きな多環芳香族分子骨格を形成
するものである。
【００２６】また、加熱重合以外の方法で成膜された膜
に、荷電粒子を照射すると、分子間の重縮合が促進さ
れ、より大きな多環芳香族分子の骨格を形成することが
できる。荷電粒子としては、電子線、イオンビーム、プ
ラズマなどが挙げられる。荷電粒子を用いれば、加熱重
合の場合のように高温を必要とせず、効率よく分子を重
縮合させることができる。また、荷電粒子のビームをパ
ターン化して照射することにより、大きな多環芳香族分
子の骨格を有する膜を所定のパターンで形成することが
でき、その上に有機薄膜層のパターンをセルフアライン
で形成することができる。
に、荷電粒子を照射すると、分子間の重縮合が促進さ
れ、より大きな多環芳香族分子の骨格を形成することが
できる。荷電粒子としては、電子線、イオンビーム、プ
ラズマなどが挙げられる。荷電粒子を用いれば、加熱重
合の場合のように高温を必要とせず、効率よく分子を重
縮合させることができる。また、荷電粒子のビームをパ
ターン化して照射することにより、大きな多環芳香族分
子の骨格を有する膜を所定のパターンで形成することが
でき、その上に有機薄膜層のパターンをセルフアライン
で形成することができる。
【００２７】グラファイト構造を有する炭素層は、基板
本体表面に炭化水素を吸着させ、この炭化水素を熱分解
することにより形成される。このような表面吸着種の熱
的構造変化は、Ｌａｎｇらによって報告されている（Ｓ
ｕｒｆａｃｅ Ｓｃｉｅｎ−ｃｅ，５３，（１９７５）
３１７）。この際、前述したように基板本体の表面に遷
移金属又は遷移金属炭化物の薄膜を形成しておけば、吸
着された炭化水素の熱的構造変化を促進することができ
る。具体的には、基板温度５００〜１５００Ｋで、エチ
レン、アセチレンなどの炭化水素ガスを数十〜数百ラン
グミュア吸着させると、脱水素反応が進行して、グラフ
ァイト構造を有する炭素層が形成される。
本体表面に炭化水素を吸着させ、この炭化水素を熱分解
することにより形成される。このような表面吸着種の熱
的構造変化は、Ｌａｎｇらによって報告されている（Ｓ
ｕｒｆａｃｅ Ｓｃｉｅｎ−ｃｅ，５３，（１９７５）
３１７）。この際、前述したように基板本体の表面に遷
移金属又は遷移金属炭化物の薄膜を形成しておけば、吸
着された炭化水素の熱的構造変化を促進することができ
る。具体的には、基板温度５００〜１５００Ｋで、エチ
レン、アセチレンなどの炭化水素ガスを数十〜数百ラン
グミュア吸着させると、脱水素反応が進行して、グラフ
ァイト構造を有する炭素層が形成される。
【００２８】これらの方法により、基板表面で多環芳香
族分子又はグラファイト構造を有する炭素をその分子面
を基板本体表面に平行に配向させて形成することがで
き、グラファイト単結晶のへき開面と類似の表面構造を
得ることができる。
族分子又はグラファイト構造を有する炭素をその分子面
を基板本体表面に平行に配向させて形成することがで
き、グラファイト単結晶のへき開面と類似の表面構造を
得ることができる。
【００２９】本発明において、ドナー性分子とアクセプ
タ性分子をともに含む有機薄膜層としては、互いに分子
面を向かい合わせて積層されている交互積層型電荷移動
錯体結晶を用いることが好ましい。交互積層型電荷移動
錯体を用いた場合、膜が成長する段階で自動的にドナー
分子、アクセプタ分子が交互に積層された構造が構築さ
れるため、電荷移動の効率を高めることができる。
タ性分子をともに含む有機薄膜層としては、互いに分子
面を向かい合わせて積層されている交互積層型電荷移動
錯体結晶を用いることが好ましい。交互積層型電荷移動
錯体を用いた場合、膜が成長する段階で自動的にドナー
分子、アクセプタ分子が交互に積層された構造が構築さ
れるため、電荷移動の効率を高めることができる。
【００３０】交互積層型電荷移動錯体の具体例を例示す
ると、フェノチアジン−ＴＣＮＱ、テトラジアミノピレ
ン−ＴＣＮＱ、ＴＴＦ−クロラニル、ＴＴＦ−フルオラ
ニル、ジベンゼンＴＴＦ−ＴＣＮＱ、ジエチルジメチル
テトラセレナフルバレン−ジエチルＴＣＮＱ、テトラジ
アミノピレン−フルオラニル、ＴＴＦ−ジクロロジシア
ノベンゾキノン、ペリレン−テトラシアノエチレン、ペ
リレン−ＴＣＮＱ、ＴＴＦ−ジニトロベンゼン、ペリレ
ン−クロラニル、ピレン−テトラシアノエチレン、ピレ
ン−クロラニル、アントラセン−クロラニル、ヘキサメ
チルベンゼン−クロラニル、ナフタレン−テトラシアノ
エチレン、アントラセン−パイロメリチックジアンヒド
ライド、アントラセン−テトラシアノベンゼン、フェナ
ントレン−パイロメリチックジアンヒドライドなどをは
じめとする数多くの錯体が挙げられる。
ると、フェノチアジン−ＴＣＮＱ、テトラジアミノピレ
ン−ＴＣＮＱ、ＴＴＦ−クロラニル、ＴＴＦ−フルオラ
ニル、ジベンゼンＴＴＦ−ＴＣＮＱ、ジエチルジメチル
テトラセレナフルバレン−ジエチルＴＣＮＱ、テトラジ
アミノピレン−フルオラニル、ＴＴＦ−ジクロロジシア
ノベンゾキノン、ペリレン−テトラシアノエチレン、ペ
リレン−ＴＣＮＱ、ＴＴＦ−ジニトロベンゼン、ペリレ
ン−クロラニル、ピレン−テトラシアノエチレン、ピレ
ン−クロラニル、アントラセン−クロラニル、ヘキサメ
チルベンゼン−クロラニル、ナフタレン−テトラシアノ
エチレン、アントラセン−パイロメリチックジアンヒド
ライド、アントラセン−テトラシアノベンゼン、フェナ
ントレン−パイロメリチックジアンヒドライドなどをは
じめとする数多くの錯体が挙げられる。
【００３１】なお、ドナー性分子とアクセプタ性分子と
をともに含む有機薄膜層の厚さが厚いと、膜内で発生し
たキャリアが作る電界によって、膜に印加される実効電
界が減少する。しかし、膜厚がそのデバイ長（約３０ｎ
ｍ）以下であれば、キャリアによって作られる電界をス
クリーニングすることができるようになる。しかも、錯
体がイオン性である場合には、膜厚を薄くすることによ
って、錯体安定化エネルギーのうち、マーデルングエネ
ルギー項の寄与が低減されて中性に転移する。このた
め、錯体の電荷移動状態を、転移の境界条件付近に設定
することができる。
をともに含む有機薄膜層の厚さが厚いと、膜内で発生し
たキャリアが作る電界によって、膜に印加される実効電
界が減少する。しかし、膜厚がそのデバイ長（約３０ｎ
ｍ）以下であれば、キャリアによって作られる電界をス
クリーニングすることができるようになる。しかも、錯
体がイオン性である場合には、膜厚を薄くすることによ
って、錯体安定化エネルギーのうち、マーデルングエネ
ルギー項の寄与が低減されて中性に転移する。このた
め、錯体の電荷移動状態を、転移の境界条件付近に設定
することができる。
【００３２】また、有機薄膜層は、複数の錯体層と、多
環芳香族分子又はその誘導体からなる層とを交互に積層
した超格子構造としてもよい。このような構造を採用す
れば、電圧変化により、複数の錯体の中性−イオン性状
態の変化を制御することができる。
環芳香族分子又はその誘導体からなる層とを交互に積層
した超格子構造としてもよい。このような構造を採用す
れば、電圧変化により、複数の錯体の中性−イオン性状
態の変化を制御することができる。
【００３３】本発明において、有機薄膜層上に絶縁層を
設ける場合、有機薄膜層へ悪影響が及ばないように、有
機高分子膜を真空蒸着法により形成することが好まし
い。また、背面電極としては金属薄膜などを用いること
ができる。
設ける場合、有機薄膜層へ悪影響が及ばないように、有
機高分子膜を真空蒸着法により形成することが好まし
い。また、背面電極としては金属薄膜などを用いること
ができる。
【００３４】本発明の有機薄膜素子では、基板の表面
に、分子平面にπ電子が広がった多環芳香族分子の主た
る分子面を基板本体と平行に配向させた層、又はグラフ
ァイト構造を有する炭素層を形成しているので、任意の
基板においてグラファイト単結晶のへき開面に類似した
表面電子構造が得られる。そして、基板表面とその上の
有機薄膜層を構成する分子との化学構造が類似している
ので、有機薄膜層の配向を制御する効果が強くなる。し
たがって、電界により、錯体の中性−イオン性転移を有
効に起こさせることができ、例えば表示素子などとして
実用化できる有機薄膜素子を提供することができる。同
様に、基板本体側の電気的特性、又は光学的特性を適宜
設定することにより、所望の機能を有する有機薄膜素子
を作製することができる。以下、本発明に係る有機薄膜
素子の構造及び動作原理を簡単に説明する。 （ａ）表示素子
に、分子平面にπ電子が広がった多環芳香族分子の主た
る分子面を基板本体と平行に配向させた層、又はグラフ
ァイト構造を有する炭素層を形成しているので、任意の
基板においてグラファイト単結晶のへき開面に類似した
表面電子構造が得られる。そして、基板表面とその上の
有機薄膜層を構成する分子との化学構造が類似している
ので、有機薄膜層の配向を制御する効果が強くなる。し
たがって、電界により、錯体の中性−イオン性転移を有
効に起こさせることができ、例えば表示素子などとして
実用化できる有機薄膜素子を提供することができる。同
様に、基板本体側の電気的特性、又は光学的特性を適宜
設定することにより、所望の機能を有する有機薄膜素子
を作製することができる。以下、本発明に係る有機薄膜
素子の構造及び動作原理を簡単に説明する。 （ａ）表示素子
【００３５】基板本体としての透明基板、透明電極、絶
縁層、及び多環芳香族分子もしくはその誘導体からなる
層又はグラファイト構造を有する炭素層からなる基板上
に、有機薄膜層、絶縁層及び背面電極が順次形成された
構造を有する。この表示素子では、電極から有機薄膜に
電界を印加することにより、有機薄膜層を構成する交互
積層型電荷移動錯体が中性からイオン性へと転移し、光
の吸収波長が変化するので、表示機能を得ることができ
る。 （ｂ）電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
縁層、及び多環芳香族分子もしくはその誘導体からなる
層又はグラファイト構造を有する炭素層からなる基板上
に、有機薄膜層、絶縁層及び背面電極が順次形成された
構造を有する。この表示素子では、電極から有機薄膜に
電界を印加することにより、有機薄膜層を構成する交互
積層型電荷移動錯体が中性からイオン性へと転移し、光
の吸収波長が変化するので、表示機能を得ることができ
る。 （ｂ）電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
【００３６】基板本体としての半導体基板表面に形成さ
れたソース、ドレイン領域間のチャネル領域上に、ゲー
ト絶縁膜、多環芳香族分子もしくはその誘導体からなる
層又はグラファイト構造を有する炭素層、有機薄膜層、
ゲート電極を順次形成した基本構造を有する。このＦＥ
Ｔでは、ゲート電圧を徐々に増加させると、ある電圧値
で有機薄膜層を構成する交互積層型電荷移動錯体が中性
からイオン性へと転移してドレイン電流が急激に増加す
るので、スイッチング機能を示す。また、いずれの素子
でも、有機薄膜層を超格子構造にすれば、多値の表示機
能又はスイッチング機能を得ることができる。
れたソース、ドレイン領域間のチャネル領域上に、ゲー
ト絶縁膜、多環芳香族分子もしくはその誘導体からなる
層又はグラファイト構造を有する炭素層、有機薄膜層、
ゲート電極を順次形成した基本構造を有する。このＦＥ
Ｔでは、ゲート電圧を徐々に増加させると、ある電圧値
で有機薄膜層を構成する交互積層型電荷移動錯体が中性
からイオン性へと転移してドレイン電流が急激に増加す
るので、スイッチング機能を示す。また、いずれの素子
でも、有機薄膜層を超格子構造にすれば、多値の表示機
能又はスイッチング機能を得ることができる。
【００３７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。以下の実
施例では、図１〜図３に示す構造の有機薄膜素子を形成
した。
施例では、図１〜図３に示す構造の有機薄膜素子を形成
した。
【００３８】図１の有機薄膜素子は、基板本体１表面に
多環芳香族分子もしくはその誘導体からなる層、又はグ
ラファイト構造を有する炭素層５を形成した基板１１上
に、有機薄膜層１２を形成したものである。
多環芳香族分子もしくはその誘導体からなる層、又はグ
ラファイト構造を有する炭素層５を形成した基板１１上
に、有機薄膜層１２を形成したものである。
【００３９】図２の有機薄膜素子は、基板本体１表面に
多環芳香族分子又はその誘導体からなる層５を形成した
基板１１上に、第１の有機薄膜層１２、多環芳香族分子
又はその誘導体からなる層５、及び第２の有機薄膜層１
３を順次形成した超格子構造を有するものである。
多環芳香族分子又はその誘導体からなる層５を形成した
基板１１上に、第１の有機薄膜層１２、多環芳香族分子
又はその誘導体からなる層５、及び第２の有機薄膜層１
３を順次形成した超格子構造を有するものである。
【００４０】図３の有機薄膜素子は、基板本体１表面に
電極２、絶縁層３、及び多環芳香族分子もしくはその誘
導体からなる層、又はグラファイト構造を有する炭素層
５を形成した基板１１上に、有機薄膜層１２、絶縁層１
４、及び背面電極１５を順次形成したものである。 実施例１
電極２、絶縁層３、及び多環芳香族分子もしくはその誘
導体からなる層、又はグラファイト構造を有する炭素層
５を形成した基板１１上に、有機薄膜層１２、絶縁層１
４、及び背面電極１５を順次形成したものである。 実施例１
【００４１】Ｓｉ基板本体上に、真空蒸着法により、基
板温度５０℃の条件で膜厚約１０ｎｍのデカサイクリン
膜を形成した。この基板上に、真空蒸着法により、膜厚
約１００ｎｍのＴＣＮＱ膜を形成した。
板温度５０℃の条件で膜厚約１０ｎｍのデカサイクリン
膜を形成した。この基板上に、真空蒸着法により、膜厚
約１００ｎｍのＴＣＮＱ膜を形成した。
【００４２】電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、膜を観察し
た結果、１ドメインの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な
連続膜が形成されていることがわかった。また、Ｘ線回
折法により、膜の配向を調べた結果、ヘリンボーン構造
を有するＴＣＮＱ結晶単位格子の片方の分子面が、基板
表面と平行に配向していることがわかった。 実施例２
た結果、１ドメインの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な
連続膜が形成されていることがわかった。また、Ｘ線回
折法により、膜の配向を調べた結果、ヘリンボーン構造
を有するＴＣＮＱ結晶単位格子の片方の分子面が、基板
表面と平行に配向していることがわかった。 実施例２
【００４３】Ｓｉ基板本体上に、真空蒸着法により、基
板温度５５℃の条件で膜厚約５ｎｍのビオランスレン膜
を形成した。この基板上に、真空蒸着法により膜厚約５
００ｎｍのフタロシアニン膜を形成した。
板温度５５℃の条件で膜厚約５ｎｍのビオランスレン膜
を形成した。この基板上に、真空蒸着法により膜厚約５
００ｎｍのフタロシアニン膜を形成した。
【００４４】ＳＥＭにより、膜を観察した結果、１ドメ
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、ヘリンボーン構造を有するフタロ
シアニン結晶単位格子の片方の分子面が、基板表面と平
行に配向していることがわかった。 実施例３
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、ヘリンボーン構造を有するフタロ
シアニン結晶単位格子の片方の分子面が、基板表面と平
行に配向していることがわかった。 実施例３
【００４５】Ｓｉ基板本体上に、真空蒸着法により、基
板温度５５℃の条件で膜厚約５ｎｍのビオランスレン膜
を形成した。この基板上に、真空蒸着法により、膜厚約
１０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。
板温度５５℃の条件で膜厚約５ｎｍのビオランスレン膜
を形成した。この基板上に、真空蒸着法により、膜厚約
１０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。
【００４６】ＳＥＭにより、膜を観察した結果、１ドメ
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、錯体結晶単位格子中の分子面が、
基板表面とほぼ平行に配向していることがわかった。 実施例４
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、錯体結晶単位格子中の分子面が、
基板表面とほぼ平行に配向していることがわかった。 実施例４
【００４７】Ｓｉ基板本体上に、真空蒸着法により、基
板温度５５℃の条件で膜厚約５ｎｍのビオランスレン膜
を形成した。この基板上に、真空蒸着法により膜厚約１
００ｎｍのＴＣＮＱ膜、膜厚約５ｎｍのビオランスレン
膜、及び膜厚約１０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜
を形成した。
板温度５５℃の条件で膜厚約５ｎｍのビオランスレン膜
を形成した。この基板上に、真空蒸着法により膜厚約１
００ｎｍのＴＣＮＱ膜、膜厚約５ｎｍのビオランスレン
膜、及び膜厚約１０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜
を形成した。
【００４８】ＳＥＭにより、膜を観察した結果、数μｍ
にわたって均一な連続膜が形成されていることがわかっ
た。また、Ｘ線回折法により、膜の配向を調べた結果、
錯体結晶単位格子中の分子面が、基板表面とほぼ平行に
配向していることがわかった。 実施例５
にわたって均一な連続膜が形成されていることがわかっ
た。また、Ｘ線回折法により、膜の配向を調べた結果、
錯体結晶単位格子中の分子面が、基板表面とほぼ平行に
配向していることがわかった。 実施例５
【００４９】Ｓｉ基板本体を、コロネンのトルエン溶液
中に浸漬した後、８０℃で加熱して溶媒を蒸発させ、コ
ロネン膜を形成した。この基板上に、真空蒸着法によ
り、基板温度５０℃の条件で膜厚約３０ｎｍのフェノチ
アジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。
中に浸漬した後、８０℃で加熱して溶媒を蒸発させ、コ
ロネン膜を形成した。この基板上に、真空蒸着法によ
り、基板温度５０℃の条件で膜厚約３０ｎｍのフェノチ
アジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。
【００５０】ＳＥＭにより、膜を観察した結果、１ドメ
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体の
いずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向している
ことがわかった。 実施例６
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体の
いずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向している
ことがわかった。 実施例６
【００５１】Ｓｉ基板本体を、コロネンのトルエン溶液
中に浸漬した後、８０℃で加熱して溶媒を蒸発させ、コ
ロネン膜を形成した。この基板上に、真空蒸着法によ
り、基板温度５０℃の条件で膜厚２ｎｍのビオランスレ
ン膜、及び膜厚約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ
膜を形成した。
中に浸漬した後、８０℃で加熱して溶媒を蒸発させ、コ
ロネン膜を形成した。この基板上に、真空蒸着法によ
り、基板温度５０℃の条件で膜厚２ｎｍのビオランスレ
ン膜、及び膜厚約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ
膜を形成した。
【００５２】ＳＥＭにより、膜を観察した結果、１ドメ
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体の
いずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向している
ことがわかった。 実施例７
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体の
いずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向している
ことがわかった。 実施例７
【００５３】石英基板本体上に、膜厚４００ｎｍのＩＴ
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。これを、コロネンのトルエン溶液中に浸
漬した後、８０℃で加熱して溶媒を蒸発させ、コロネン
膜を形成した。この基板上に、真空蒸着法により、基板
温度５０℃の条件で膜厚２ｎｍのビオランスレン膜、及
び膜厚約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形成
した。更に、フェノチアジン−ＴＣＮＱ膜上に、絶縁層
として膜厚２０ｎｍのポリイソブチルメタクリレート
膜、及び膜厚２５ｎｍのＡｕ半透明電極を形成し、有機
薄膜素子を作製した。
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。これを、コロネンのトルエン溶液中に浸
漬した後、８０℃で加熱して溶媒を蒸発させ、コロネン
膜を形成した。この基板上に、真空蒸着法により、基板
温度５０℃の条件で膜厚２ｎｍのビオランスレン膜、及
び膜厚約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形成
した。更に、フェノチアジン−ＴＣＮＱ膜上に、絶縁層
として膜厚２０ｎｍのポリイソブチルメタクリレート
膜、及び膜厚２５ｎｍのＡｕ半透明電極を形成し、有機
薄膜素子を作製した。
【００５４】この有機薄膜素子は、電圧を印加しないと
きには、有機薄膜層が橙色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約３０Ｖで有機薄膜層が赤黒色
に変化した。 実施例８
きには、有機薄膜層が橙色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約３０Ｖで有機薄膜層が赤黒色
に変化した。 実施例８
【００５５】Ｓｉ基板本体を、ヘキサメチルジシラザン
気相中に放置して疎水化処理を施した。水面上にテトラ
ｔ−ブチルフタロシアニンとオクタデカンの１：４混合
単分子膜を展開し、基板本体上にこの単分子膜を３層累
積した。この基板上に、真空蒸着法により、基板温度５
０℃の条件で膜厚約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮ
Ｑ膜を形成した。
気相中に放置して疎水化処理を施した。水面上にテトラ
ｔ−ブチルフタロシアニンとオクタデカンの１：４混合
単分子膜を展開し、基板本体上にこの単分子膜を３層累
積した。この基板上に、真空蒸着法により、基板温度５
０℃の条件で膜厚約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮ
Ｑ膜を形成した。
【００５６】ＳＥＭにより、膜を観察した結果、１ドメ
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体の
いずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向している
ことがわかった。 実施例９
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体の
いずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向している
ことがわかった。 実施例９
【００５７】Ｓｉ基板本体を、ヘキサメチルジシラザン
気相中に放置して疎水化処理を施した。水面上にテトラ
ｔ−ブチルフタロシアニンとオクタデカンの１：４混合
単分子膜を展開し、基板本体上にこの単分子膜を３層累
積した。この基板上に、真空蒸着法により、基板温度５
５℃の条件で膜厚３ｎｍのビオランスレン膜、及び膜厚
約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。
気相中に放置して疎水化処理を施した。水面上にテトラ
ｔ−ブチルフタロシアニンとオクタデカンの１：４混合
単分子膜を展開し、基板本体上にこの単分子膜を３層累
積した。この基板上に、真空蒸着法により、基板温度５
５℃の条件で膜厚３ｎｍのビオランスレン膜、及び膜厚
約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。
【００５８】ＳＥＭにより、膜を観察した結果、１ドメ
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体の
いずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向している
ことがわかった。 実施例１０
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体の
いずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向している
ことがわかった。 実施例１０
【００５９】石英基板本体上に、膜厚４００ｎｍのＩＴ
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。水面上にテトラｔ−ブチルフタロシアニ
ンとオクタデカンの１：４混合単分子膜を展開し、基板
本体上にこの単分子膜を３層累積した。この基板上に、
真空蒸着法により、基板温度５５℃の条件で膜厚３ｎｍ
のビオランスレン膜、及び膜厚約３０ｎｍのフェノチア
ジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。更に、フェノチアジン−
ＴＣＮＱ膜上に、絶縁層として膜厚２０ｎｍのポリイソ
ブチルメタクリレート膜、及び膜厚２５ｎｍのＡｕ半透
明電極を形成し、有機薄膜素子を作製した。
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。水面上にテトラｔ−ブチルフタロシアニ
ンとオクタデカンの１：４混合単分子膜を展開し、基板
本体上にこの単分子膜を３層累積した。この基板上に、
真空蒸着法により、基板温度５５℃の条件で膜厚３ｎｍ
のビオランスレン膜、及び膜厚約３０ｎｍのフェノチア
ジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。更に、フェノチアジン−
ＴＣＮＱ膜上に、絶縁層として膜厚２０ｎｍのポリイソ
ブチルメタクリレート膜、及び膜厚２５ｎｍのＡｕ半透
明電極を形成し、有機薄膜素子を作製した。
【００６０】この有機薄膜素子は、電圧を印加しないと
きには、有機薄膜層が橙色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約３０Ｖで有機薄膜層が赤黒色
に変化した。 実施例１１ Ｓｉ基板本体をビストリクロロシリルピレン気相中で表
面処理した。この基板上に、真空蒸着法により、膜厚約
３０ｎｍのＴＴＦ−クロラニル膜を形成した。
きには、有機薄膜層が橙色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約３０Ｖで有機薄膜層が赤黒色
に変化した。 実施例１１ Ｓｉ基板本体をビストリクロロシリルピレン気相中で表
面処理した。この基板上に、真空蒸着法により、膜厚約
３０ｎｍのＴＴＦ−クロラニル膜を形成した。
【００６１】ＳＥＭにより、膜を観察した結果、１ドメ
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、ＴＴＦ分子、クロラニル分子とも
に、分子面が基板表面とほぼ平行に配向していることが
わかった。 実施例１２
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、ＴＴＦ分子、クロラニル分子とも
に、分子面が基板表面とほぼ平行に配向していることが
わかった。 実施例１２
【００６２】石英基板本体上に、膜厚４００ｎｍのＩＴ
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚１５０ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。これをビストリクロロシリルピレン気相
中で表面処理した。この基板上に、真空蒸着法により、
膜厚約３０ｎｍのＴＴＦ−クロラニル膜を形成した。更
に、ＴＴＦ−クロラニル膜上に、絶縁層として膜厚２０
ｎｍのポリイソブチルメタクリレート膜、及び膜厚２０
ｎｍのＡｕ半透明電極を形成し、有機薄膜素子を作製し
た。
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚１５０ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。これをビストリクロロシリルピレン気相
中で表面処理した。この基板上に、真空蒸着法により、
膜厚約３０ｎｍのＴＴＦ−クロラニル膜を形成した。更
に、ＴＴＦ−クロラニル膜上に、絶縁層として膜厚２０
ｎｍのポリイソブチルメタクリレート膜、及び膜厚２０
ｎｍのＡｕ半透明電極を形成し、有機薄膜素子を作製し
た。
【００６３】この有機薄膜素子は、電圧を印加しないと
きには、有機薄膜層が黄色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約５０Ｖで有機薄膜層が赤色に
変化した。 実施例１３
きには、有機薄膜層が黄色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約５０Ｖで有機薄膜層が赤色に
変化した。 実施例１３
【００６４】石英基板本体上に、膜厚４００ｎｍのＩＴ
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｒＴｉ
Ｏ3 膜を形成した。これをビストリクロロシリルピレン
気相中で表面処理した。この基板上に、真空蒸着法によ
り膜厚約３０ｎｍのＴＴＦ−クロラニル膜を形成した。
更に、ＴＴＦ−クロラニル膜上に、絶縁層として膜厚２
０ｎｍのポリイソブチルメタクリレート膜、及び膜厚２
０ｎｍのＡｕ半透明電極を形成し、有機薄膜素子を作製
した。
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｒＴｉ
Ｏ3 膜を形成した。これをビストリクロロシリルピレン
気相中で表面処理した。この基板上に、真空蒸着法によ
り膜厚約３０ｎｍのＴＴＦ−クロラニル膜を形成した。
更に、ＴＴＦ−クロラニル膜上に、絶縁層として膜厚２
０ｎｍのポリイソブチルメタクリレート膜、及び膜厚２
０ｎｍのＡｕ半透明電極を形成し、有機薄膜素子を作製
した。
【００６５】この有機薄膜素子は、電圧を印加しないと
きには、有機薄膜層が黄色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約２５Ｖで有機薄膜層が赤色に
変化した。 実施例１４
きには、有機薄膜層が黄色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約２５Ｖで有機薄膜層が赤色に
変化した。 実施例１４
【００６６】Ｓｉ基板本体をγ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン気相中で表面処理した。この基板本体上
に、真空蒸着法により、ペリレンテトラカルボキシリッ
クジアンヒドライドを蒸着し、約７０℃に加熱して、縮
合反応及び未縮合分子の再脱離を行わせた後、膜厚約３
０ｎｍのＴＴＦ−クロラニル膜を形成した。
トキシシラン気相中で表面処理した。この基板本体上
に、真空蒸着法により、ペリレンテトラカルボキシリッ
クジアンヒドライドを蒸着し、約７０℃に加熱して、縮
合反応及び未縮合分子の再脱離を行わせた後、膜厚約３
０ｎｍのＴＴＦ−クロラニル膜を形成した。
【００６７】ＳＥＭにより、膜を観察した結果、１ドメ
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、ＴＴＦ分子、クロラニル分子とも
に、分子面が基板表面とほぼ平行に配向していることが
わかった。 実施例１５
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、ＴＴＦ分子、クロラニル分子とも
に、分子面が基板表面とほぼ平行に配向していることが
わかった。 実施例１５
【００６８】石英基板本体上に、膜厚４００ｎｍのＩＴ
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚１５０ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。これをγ−アミノプロピルトリエトキシ
シラン気相中で表面処理した。この基板本体上に、真空
蒸着法により、ペリレンテトラカルボキシリックジアン
ヒドライドを蒸着し、約７０℃に加熱して、縮合反応及
び未縮合分子の再脱離を行わせた後、膜厚約３０ｎｍの
ＴＴＦ−クロラニル膜を形成した。更に、ＴＴＦ−クロ
ラニル膜上に、絶縁層として膜厚２０ｎｍのポリイソブ
チルメタクリレート膜、及び膜厚２０ｎｍのＡｕ半透明
電極を形成し、有機薄膜素子を作製した。
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚１５０ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。これをγ−アミノプロピルトリエトキシ
シラン気相中で表面処理した。この基板本体上に、真空
蒸着法により、ペリレンテトラカルボキシリックジアン
ヒドライドを蒸着し、約７０℃に加熱して、縮合反応及
び未縮合分子の再脱離を行わせた後、膜厚約３０ｎｍの
ＴＴＦ−クロラニル膜を形成した。更に、ＴＴＦ−クロ
ラニル膜上に、絶縁層として膜厚２０ｎｍのポリイソブ
チルメタクリレート膜、及び膜厚２０ｎｍのＡｕ半透明
電極を形成し、有機薄膜素子を作製した。
【００６９】この有機薄膜素子は、電圧を印加しないと
きには、有機薄膜層が黄色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約５０Ｖで有機薄膜層が赤色に
変化した。 実施例１６
きには、有機薄膜層が黄色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約５０Ｖで有機薄膜層が赤色に
変化した。 実施例１６
【００７０】石英基板本体上に、膜厚４００ｎｍのＩＴ
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｒＴｉ
Ｏ3 膜を形成した。これをγ−アミノプロピルトリエト
キシシラン気相中で表面処理した。この基板本体上に、
真空蒸着法により、ペリレンテトラカルボキシリックジ
アンヒドライドを蒸着し、約７０℃に加熱して、縮合反
応及び未縮合分子の再脱離を行わせた後、膜厚約３０ｎ
ｍのＴＴＦ−クロラニル膜を形成した。更に、ＴＴＦ−
クロラニル膜上に、絶縁層として膜厚２０ｎｍのポリイ
ソブチルメタクリレート膜、及び膜厚２０ｎｍのＡｕ半
透明電極を形成し、有機薄膜素子を作製した。
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｒＴｉ
Ｏ3 膜を形成した。これをγ−アミノプロピルトリエト
キシシラン気相中で表面処理した。この基板本体上に、
真空蒸着法により、ペリレンテトラカルボキシリックジ
アンヒドライドを蒸着し、約７０℃に加熱して、縮合反
応及び未縮合分子の再脱離を行わせた後、膜厚約３０ｎ
ｍのＴＴＦ−クロラニル膜を形成した。更に、ＴＴＦ−
クロラニル膜上に、絶縁層として膜厚２０ｎｍのポリイ
ソブチルメタクリレート膜、及び膜厚２０ｎｍのＡｕ半
透明電極を形成し、有機薄膜素子を作製した。
【００７１】この有機薄膜素子は、電圧を印加しないと
きには、有機薄膜層が黄色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約２５Ｖで有機薄膜層が赤色に
変化した。 実施例１７
きには、有機薄膜層が黄色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約２５Ｖで有機薄膜層が赤色に
変化した。 実施例１７
【００７２】Ｓｉ基板本体上に、膜厚２０ｎｍのペリレ
ンテトラカルボキシリックジアンヒドライド膜を形成
し、アルゴン雰囲気下で５５０℃に加熱すると、膜の大
部分はポリペリナフタレンに変化した。この基板上に、
真空蒸着法により、基板温度５０℃の条件で膜厚約３０
ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。
ンテトラカルボキシリックジアンヒドライド膜を形成
し、アルゴン雰囲気下で５５０℃に加熱すると、膜の大
部分はポリペリナフタレンに変化した。この基板上に、
真空蒸着法により、基板温度５０℃の条件で膜厚約３０
ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。
【００７３】ＳＥＭにより、膜を観察した結果、１ドメ
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体の
いずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向している
ことがわかった。 実施例１８
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体の
いずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向している
ことがわかった。 実施例１８
【００７４】Ｓｉ基板本体上に、膜厚２０ｎｍのペリレ
ンテトラカルボキシリックジアンヒドライド膜を形成
し、アルゴン雰囲気下で５５０℃に加熱すると、膜の大
部分はポリペリナフタレンに変化した。この基板上に、
真空蒸着法により、基板温度５０℃の条件で膜厚約２ｎ
ｍのビオランスレン膜、及び膜厚約３０ｎｍのフェノチ
アジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。
ンテトラカルボキシリックジアンヒドライド膜を形成
し、アルゴン雰囲気下で５５０℃に加熱すると、膜の大
部分はポリペリナフタレンに変化した。この基板上に、
真空蒸着法により、基板温度５０℃の条件で膜厚約２ｎ
ｍのビオランスレン膜、及び膜厚約３０ｎｍのフェノチ
アジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。
【００７５】ＳＥＭにより、膜を観察した結果、１ドメ
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体の
いずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向している
ことがわかった。 実施例１９
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体の
いずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向している
ことがわかった。 実施例１９
【００７６】石英基板本体上に、膜厚４００ｎｍのＩＴ
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。この基板本体上に、膜厚２０ｎｍのペリ
レンテトラカルボキシリックジアンヒドライド膜を形成
し、アルゴン雰囲気下で５５０℃に加熱すると、膜の大
部分はポリペリナフタレンに変化した。この基板上に、
真空蒸着法により、基板温度５０℃の条件で膜厚３ｎｍ
のビオランスレン膜、及び膜厚約３０ｎｍのフェノチア
ジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。更に、フェノチアジン−
ＴＣＮＱ膜上に、絶縁層として膜厚２０ｎｍのポリイソ
ブチルメタクリレート膜、及び膜厚２５ｎｍのＡｕ半透
明電極を形成し、有機薄膜素子を作製した。
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。この基板本体上に、膜厚２０ｎｍのペリ
レンテトラカルボキシリックジアンヒドライド膜を形成
し、アルゴン雰囲気下で５５０℃に加熱すると、膜の大
部分はポリペリナフタレンに変化した。この基板上に、
真空蒸着法により、基板温度５０℃の条件で膜厚３ｎｍ
のビオランスレン膜、及び膜厚約３０ｎｍのフェノチア
ジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。更に、フェノチアジン−
ＴＣＮＱ膜上に、絶縁層として膜厚２０ｎｍのポリイソ
ブチルメタクリレート膜、及び膜厚２５ｎｍのＡｕ半透
明電極を形成し、有機薄膜素子を作製した。
【００７７】この有機薄膜素子は、電圧を印加しないと
きには、有機薄膜層が橙色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約３０Ｖで有機薄膜層が赤黒色
に変化した。 実施例２０
きには、有機薄膜層が橙色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約３０Ｖで有機薄膜層が赤黒色
に変化した。 実施例２０
【００７８】石英基板本体上に、膜厚４００ｎｍのＩＴ
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。この基板本体上に、オバレンと１，４−
ベンゼンジメチルクロライドの共蒸着膜を形成し、基板
温度１５０℃の条件でＰＣｌ5 を含むアルゴン雰囲気下
で重縮合膜を形成した。この基板上に、真空蒸着法によ
り、基板温度５０℃の条件で膜厚２ｎｍのビオランスレ
ン膜、及び膜厚約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ
膜を形成した。更に、フェノチアジン−ＴＣＮＱ膜上
に、絶縁層として膜厚２０ｎｍのポリイソブチルメタク
リレート膜、及び膜厚２５ｎｍのＡｕ半透明電極を形成
し、有機薄膜素子を作製した。
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。この基板本体上に、オバレンと１，４−
ベンゼンジメチルクロライドの共蒸着膜を形成し、基板
温度１５０℃の条件でＰＣｌ5 を含むアルゴン雰囲気下
で重縮合膜を形成した。この基板上に、真空蒸着法によ
り、基板温度５０℃の条件で膜厚２ｎｍのビオランスレ
ン膜、及び膜厚約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ
膜を形成した。更に、フェノチアジン−ＴＣＮＱ膜上
に、絶縁層として膜厚２０ｎｍのポリイソブチルメタク
リレート膜、及び膜厚２５ｎｍのＡｕ半透明電極を形成
し、有機薄膜素子を作製した。
【００７９】この有機薄膜素子は、電圧を印加しないと
きには、有機薄膜層が橙色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約３０Ｖで有機薄膜層が赤黒色
に変化した。 実施例２１
きには、有機薄膜層が橙色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約３０Ｖで有機薄膜層が赤黒色
に変化した。 実施例２１
【００８０】石英基板本体上に、膜厚４００ｎｍのＩＴ
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。この基板本体上に、キャスト法によりポ
リオキサジアゾール膜を形成した後、真空中、９００℃
で加熱処理した。この基板上に、真空蒸着法により、基
板温度５０℃の条件で膜厚２ｎｍのビオランスレン膜、
及び膜厚約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形
成した。更に、フェノチアジン−ＴＣＮＱ膜上に、絶縁
層として膜厚２０ｎｍのポリイソブチルメタクリレート
膜、及び膜厚２５ｎｍのＡｕ半透明電極を形成し、有機
薄膜素子を作製した。
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。この基板本体上に、キャスト法によりポ
リオキサジアゾール膜を形成した後、真空中、９００℃
で加熱処理した。この基板上に、真空蒸着法により、基
板温度５０℃の条件で膜厚２ｎｍのビオランスレン膜、
及び膜厚約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形
成した。更に、フェノチアジン−ＴＣＮＱ膜上に、絶縁
層として膜厚２０ｎｍのポリイソブチルメタクリレート
膜、及び膜厚２５ｎｍのＡｕ半透明電極を形成し、有機
薄膜素子を作製した。
【００８１】この有機薄膜素子は、電圧を印加しないと
きには、有機薄膜層が橙色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約３０Ｖで有機薄膜層が赤黒色
に変化した。 実施例２２
きには、有機薄膜層が橙色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約３０Ｖで有機薄膜層が赤黒色
に変化した。 実施例２２
【００８２】Ｓｉ基板本体上に膜厚５０ｎｍのペリレン
テトラカルボキシリックジアンヒドライド膜を形成した
後、真空下でアルゴンイオンビームを加速エネルギー３
ＭｅＶ、ドーズ量１０16ｃｍ-2の条件で照射した。この
基板上に、真空蒸着法により、基板温度５０℃の条件で
膜厚約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形成し
た。
テトラカルボキシリックジアンヒドライド膜を形成した
後、真空下でアルゴンイオンビームを加速エネルギー３
ＭｅＶ、ドーズ量１０16ｃｍ-2の条件で照射した。この
基板上に、真空蒸着法により、基板温度５０℃の条件で
膜厚約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形成し
た。
【００８３】ＳＥＭにより、膜を観察した結果、１ドメ
インの大きさが５μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成され
ていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜の
配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体のい
ずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向しているこ
とがわかった。 実施例２３
インの大きさが５μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成され
ていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜の
配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体のい
ずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向しているこ
とがわかった。 実施例２３
【００８４】Ｓｉ基板本体上に膜厚５０ｎｍのペリレン
テトラカルボキシリックジアンヒドライド膜を形成した
後、真空下でアルゴンイオンビームを加速エネルギー３
ＭｅＶ、ドーズ量１０16ｃｍ-2の条件で照射した。この
基板上に、真空蒸着法により、基板温度５０℃の条件で
膜厚２ｎｍのビオランスレン膜、及び膜厚約３０ｎｍの
フェノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。
テトラカルボキシリックジアンヒドライド膜を形成した
後、真空下でアルゴンイオンビームを加速エネルギー３
ＭｅＶ、ドーズ量１０16ｃｍ-2の条件で照射した。この
基板上に、真空蒸着法により、基板温度５０℃の条件で
膜厚２ｎｍのビオランスレン膜、及び膜厚約３０ｎｍの
フェノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。
【００８５】ＳＥＭにより、膜を観察した結果、１ドメ
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体の
いずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向している
ことがわかった。 実施例２４
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体の
いずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向している
ことがわかった。 実施例２４
【００８６】石英基板本体上に、膜厚４００ｎｍのＩＴ
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。この基板本体上に、膜厚５０ｎｍのペリ
レンテトラカルボキシリックジアンヒドライド膜を形成
した後、真空下でアルゴンイオンビームを加速エネルギ
ー３ＭｅＶ、ドーズ量１０16ｃｍ-2の条件で照射した。
この基板上に、真空蒸着法により基板温度５０℃の条件
で膜厚２ｎｍのビオランスレン膜、及び膜厚約３０ｎｍ
のフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。更に、フェ
ノチアジン−ＴＣＮＱ膜上に、絶縁層として膜厚２０ｎ
ｍのポリイソブチルメタクリレート膜、及び膜厚２５ｎ
ｍのＡｕ半透明電極を形成し、有機薄膜素子を作製し
た。
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。この基板本体上に、膜厚５０ｎｍのペリ
レンテトラカルボキシリックジアンヒドライド膜を形成
した後、真空下でアルゴンイオンビームを加速エネルギ
ー３ＭｅＶ、ドーズ量１０16ｃｍ-2の条件で照射した。
この基板上に、真空蒸着法により基板温度５０℃の条件
で膜厚２ｎｍのビオランスレン膜、及び膜厚約３０ｎｍ
のフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。更に、フェ
ノチアジン−ＴＣＮＱ膜上に、絶縁層として膜厚２０ｎ
ｍのポリイソブチルメタクリレート膜、及び膜厚２５ｎ
ｍのＡｕ半透明電極を形成し、有機薄膜素子を作製し
た。
【００８７】この有機薄膜素子は、電圧を印加しないと
きには、有機薄膜層が橙色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約３０Ｖで有機薄膜層が赤黒色
に変化した。 実施例２５
きには、有機薄膜層が橙色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約３０Ｖで有機薄膜層が赤黒色
に変化した。 実施例２５
【００８８】Ｓｉ基板本体上に、膜厚５０ｎｍのジイン
デノペリレン膜を形成した後、電子線を加速電圧２０ｋ
Ｖの条件で照射した。この基板上に、真空蒸着法によ
り、基板温度５０℃の条件で膜厚２ｎｍのビオランスレ
ン膜、及び膜厚約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ
膜を形成した。
デノペリレン膜を形成した後、電子線を加速電圧２０ｋ
Ｖの条件で照射した。この基板上に、真空蒸着法によ
り、基板温度５０℃の条件で膜厚２ｎｍのビオランスレ
ン膜、及び膜厚約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ
膜を形成した。
【００８９】ＳＥＭにより、膜を観察した結果、１ドメ
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体の
いずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向している
ことがわかった。 実施例２６
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、フェノチアジン−ＴＣＮＱ錯体の
いずれの分子面も、基板表面とほぼ平行に配向している
ことがわかった。 実施例２６
【００９０】石英基板本体上に、膜厚４００ｎｍのＩＴ
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。この基板本体上に、膜厚５０ｎｍのジイ
ンデノペリレン膜を形成した後、電子線を加速電圧２０
ｋＶの条件で照射した。この基板上に、真空蒸着法によ
り、基板温度５０℃の条件で膜厚２ｎｍのビオランスレ
ン膜及び膜厚約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜
を形成した。更に、フェノチアジン−ＴＣＮＱ膜上に、
絶縁層として膜厚２０ｎｍのポリイソブチルメタクリレ
ート膜、及び膜厚２５ｎｍのＡｕ半透明電極を形成し、
有機薄膜素子を作製した。
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。この基板本体上に、膜厚５０ｎｍのジイ
ンデノペリレン膜を形成した後、電子線を加速電圧２０
ｋＶの条件で照射した。この基板上に、真空蒸着法によ
り、基板温度５０℃の条件で膜厚２ｎｍのビオランスレ
ン膜及び膜厚約３０ｎｍのフェノチアジン−ＴＣＮＱ膜
を形成した。更に、フェノチアジン−ＴＣＮＱ膜上に、
絶縁層として膜厚２０ｎｍのポリイソブチルメタクリレ
ート膜、及び膜厚２５ｎｍのＡｕ半透明電極を形成し、
有機薄膜素子を作製した。
【００９１】この有機薄膜素子は、電圧を印加しないと
きには、有機薄膜層が橙色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約３０Ｖで有機薄膜層が赤黒色
に変化した。 実施例２７
きには、有機薄膜層が橙色を呈していた。この有機薄膜
層に電圧を印加すると、約３０Ｖで有機薄膜層が赤黒色
に変化した。 実施例２７
【００９２】石英基板本体上に、膜厚４００ｎｍのＩＴ
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。この基板本体上に、膜厚５０ｎｍのペリ
レンテトラカルボキシリックジアンヒドライド膜を形成
した後、電子線を加速電圧２０ｋＶの条件で矩形状に照
射してパターンを形成した。この基板をテトラヒドロフ
ラン中に浸漬し、未照射部の膜を溶解させた。この基板
上に、真空蒸着法により、基板温度５０℃の条件で膜厚
２ｎｍのビオランスレン膜、及び膜厚約３０ｎｍのフェ
ノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。更に、フェノチア
ジン−ＴＣＮＱ膜上に、絶縁層として膜厚２０ｎｍのポ
リイソブチルメタクリレート膜、及び膜厚２５ｎｍのＡ
ｕ半透明電極を形成し、有機薄膜素子を作製した。
Ｏ透明電極及び絶縁層として膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成した。この基板本体上に、膜厚５０ｎｍのペリ
レンテトラカルボキシリックジアンヒドライド膜を形成
した後、電子線を加速電圧２０ｋＶの条件で矩形状に照
射してパターンを形成した。この基板をテトラヒドロフ
ラン中に浸漬し、未照射部の膜を溶解させた。この基板
上に、真空蒸着法により、基板温度５０℃の条件で膜厚
２ｎｍのビオランスレン膜、及び膜厚約３０ｎｍのフェ
ノチアジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。更に、フェノチア
ジン−ＴＣＮＱ膜上に、絶縁層として膜厚２０ｎｍのポ
リイソブチルメタクリレート膜、及び膜厚２５ｎｍのＡ
ｕ半透明電極を形成し、有機薄膜素子を作製した。
【００９３】この有機薄膜素子は、電圧を印加しないと
きには、ペリレンテトラカルボキシリックジアンヒドラ
イド膜がパターン化された領域上の有機薄膜層が橙色を
呈していた。この有機薄膜層に電圧を印加すると、約３
０Ｖで前記と同一の領域上の有機薄膜層が赤黒色に変化
した。 実施例２８
きには、ペリレンテトラカルボキシリックジアンヒドラ
イド膜がパターン化された領域上の有機薄膜層が橙色を
呈していた。この有機薄膜層に電圧を印加すると、約３
０Ｖで前記と同一の領域上の有機薄膜層が赤黒色に変化
した。 実施例２８
【００９４】Ｓｉ基板本体上に、電子ビーム蒸着法によ
り、膜厚５０ｎｍのＮｉ膜を形成した。この基板本体を
８５０℃に加熱しながら、エチレンガスに１５０〜３０
０ラングミュア（以下、Ｌと略す）以上さらすことによ
って、表面にグラファイトに類似した炭素層を形成し
た。この基板上に、真空蒸着法により、膜厚約１００ｎ
ｍのＴＣＮＱ膜を形成した。
り、膜厚５０ｎｍのＮｉ膜を形成した。この基板本体を
８５０℃に加熱しながら、エチレンガスに１５０〜３０
０ラングミュア（以下、Ｌと略す）以上さらすことによ
って、表面にグラファイトに類似した炭素層を形成し
た。この基板上に、真空蒸着法により、膜厚約１００ｎ
ｍのＴＣＮＱ膜を形成した。
【００９５】ＳＥＭにより、膜を観察した結果、１ドメ
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、ヘリンボーン構造を有するＴＣＮ
Ｑ結晶単位格子の片方の分子面が、基板表面と平行に配
向していることがわかった。 実施例２９
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、ヘリンボーン構造を有するＴＣＮ
Ｑ結晶単位格子の片方の分子面が、基板表面と平行に配
向していることがわかった。 実施例２９
【００９６】Ｓｉ基板本体上に、ＣＶＤ法により、膜厚
２０ｎｍのＴｉＣ膜を形成した。この基板本体を８５０
℃に加熱しながら、エチレンガスに１５０〜３００Ｌ以
上さらすことによって、表面にグラファイトに類似した
炭素層を形成した。この基板上に、真空蒸着法により、
膜厚約１００ｎｍのＴＣＮＱ膜を形成した。
２０ｎｍのＴｉＣ膜を形成した。この基板本体を８５０
℃に加熱しながら、エチレンガスに１５０〜３００Ｌ以
上さらすことによって、表面にグラファイトに類似した
炭素層を形成した。この基板上に、真空蒸着法により、
膜厚約１００ｎｍのＴＣＮＱ膜を形成した。
【００９７】ＳＥＭにより、膜を観察した結果、１ドメ
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、ヘリンボーン構造を有するＴＣＮ
Ｑ結晶単位格子の片方の分子面が、基板表面と平行に配
向していることがわかった。 実施例３０
インの大きさが１０μｍにも及ぶ均一な連続膜が形成さ
れていることがわかった。また、Ｘ線回折法により、膜
の配向を調べた結果、ヘリンボーン構造を有するＴＣＮ
Ｑ結晶単位格子の片方の分子面が、基板表面と平行に配
向していることがわかった。 実施例３０
【００９８】Ｓｉ基板本体の表面に、熱酸化法により膜
厚２０ｎｍのＳｉＯ2 膜を形成した。この基板本体の片
面上に、ＣＶＤ法により、膜厚２０ｎｍのＴｉＣ膜を形
成した。更に基板本体を８５０℃に加熱しながら、エチ
レンガスに１５０〜３００Ｌ以上さらすことによって、
ＴｉＣ膜上にグラファイトに類似した炭素層を形成し
た。この基板上に、真空蒸着法により、膜厚３０ｎｍの
メチルフェナジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。更に、メチ
ルフェナジン−ＴＣＮＱ膜上に、絶縁層として膜厚２０
ｎｍのポリイソブチルメタクリレート膜、及び膜厚２５
ｎｍのＡｌ電極を形成し、有機薄膜素子を作製した。
厚２０ｎｍのＳｉＯ2 膜を形成した。この基板本体の片
面上に、ＣＶＤ法により、膜厚２０ｎｍのＴｉＣ膜を形
成した。更に基板本体を８５０℃に加熱しながら、エチ
レンガスに１５０〜３００Ｌ以上さらすことによって、
ＴｉＣ膜上にグラファイトに類似した炭素層を形成し
た。この基板上に、真空蒸着法により、膜厚３０ｎｍの
メチルフェナジン−ＴＣＮＱ膜を形成した。更に、メチ
ルフェナジン−ＴＣＮＱ膜上に、絶縁層として膜厚２０
ｎｍのポリイソブチルメタクリレート膜、及び膜厚２５
ｎｍのＡｌ電極を形成し、有機薄膜素子を作製した。
【００９９】この有機薄膜素子は、電圧を印加しないと
きには、反射赤外分光法によるＴＣＮＱのＣＮ三重結合
の伸縮振動吸収ピークが２２００ｃｍ-1に現われた。こ
の有機薄膜層に電圧を印加すると、約３５Ｖで吸収ピー
クが２１８５ｃｍ-1までシフトした。これは、電圧印加
により錯体がイオン性−中性転移をしたことによるもの
である。
きには、反射赤外分光法によるＴＣＮＱのＣＮ三重結合
の伸縮振動吸収ピークが２２００ｃｍ-1に現われた。こ
の有機薄膜層に電圧を印加すると、約３５Ｖで吸収ピー
クが２１８５ｃｍ-1までシフトした。これは、電圧印加
により錯体がイオン性−中性転移をしたことによるもの
である。
【０１００】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の有機薄膜素
子は、基板の表面が配向の制御された多環芳香族分子も
しくはその誘導体又はグラファイト構造を有する炭素層
からなっており、その上に形成される有機薄膜層の配向
性が良好となる。この結果、有機薄膜層中の電荷移動錯
体の中性−イオン性転移を電界によって実効的に制御す
ることができる。このような有機薄膜層の分子配向の制
御効果は、電荷移動錯体だけでなく、非線形光学素子、
スイッチング素子、電界発光素子、光情報記録媒体な
ど、有機薄膜を用いた全てのデバイスに適用可能である
ことはいうまでもない。したがって、有機薄膜表示素子
などの実用化が期待でき、その工業的価値は極めて大き
い。
子は、基板の表面が配向の制御された多環芳香族分子も
しくはその誘導体又はグラファイト構造を有する炭素層
からなっており、その上に形成される有機薄膜層の配向
性が良好となる。この結果、有機薄膜層中の電荷移動錯
体の中性−イオン性転移を電界によって実効的に制御す
ることができる。このような有機薄膜層の分子配向の制
御効果は、電荷移動錯体だけでなく、非線形光学素子、
スイッチング素子、電界発光素子、光情報記録媒体な
ど、有機薄膜を用いた全てのデバイスに適用可能である
ことはいうまでもない。したがって、有機薄膜表示素子
などの実用化が期待でき、その工業的価値は極めて大き
い。
【図１】本発明に係る有機薄膜素子の断面図。
【図２】本発明に係る他の有機薄膜素子の断面図。
【図３】本発明に係る更に他の有機薄膜素子の断面図。
１…基板本体、２…電極、３…絶縁層、５…多環芳香族
分子層又は炭素層、１１…基板、１２、１３…有機薄膜
層、１４…絶縁層、１５…背面電極。
分子層又は炭素層、１１…基板、１２、１３…有機薄膜
層、１４…絶縁層、１５…背面電極。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 51/00 Ｈ０１Ｌ 29/28 (72)発明者 三浦 明 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 内藤 勝之 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 江草 俊 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝総合研究所内 (56)参考文献 特開 平１−166528（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−1168（ＪＰ，Ａ) 化学工業 Ｖｏｌ．40，Ｎｏ．11，ｐ ｐ．959−964（1989）戸嶋直樹
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、ドナー性分子とアクセプタ性
分子とを含む有機薄膜層を形成した有機薄膜素子におい
て、 前記基板が、基板本体と、基板本体上に積層された多環
芳香族分子もしくはその誘導体からなる層又はグラファ
イト構造を有する炭素層を具備し、基板本体上に積層さ
れた多環芳香族分子もしくはその誘導体からなる層又は
グラファイト構造を有する炭素層の主たる分子面が基板
本体と平行に配向しており、 前記有機薄膜層が、ドナー性分子とアクセプタ性分子と
が互いに分子面を向かい合わせて積層された交互積層型
電荷移動錯体結晶からなり、有機薄膜層を構成する分子
の分子面が基板本体とほぼ平行に配向している ことを特
徴とする有機薄膜素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05135991A JP3302703B2 (ja) | 1990-03-27 | 1991-03-15 | 有機薄膜素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-75413 | 1990-03-27 | ||
| JP7541390 | 1990-03-27 | ||
| JP05135991A JP3302703B2 (ja) | 1990-03-27 | 1991-03-15 | 有機薄膜素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04211229A JPH04211229A (ja) | 1992-08-03 |
| JP3302703B2 true JP3302703B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=26391893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05135991A Expired - Fee Related JP3302703B2 (ja) | 1990-03-27 | 1991-03-15 | 有機薄膜素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3302703B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3763649B2 (ja) * | 1997-09-17 | 2006-04-05 | ケミプロ化成株式会社 | 電子輸送性積層膜またはホール輸送性積層膜、それを用いたエレクトロクロミック素子および有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JP5013571B2 (ja) * | 2005-08-22 | 2012-08-29 | 国立大学法人 筑波大学 | 有機半導体分子の配向制御方法及び有機薄膜太陽電池 |
| JP2017519351A (ja) * | 2014-04-09 | 2017-07-13 | 南京大学Ｎａｎｊｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ | 極薄有機結晶層を表面にエピタキシャル成長させる方法、及びその応用 |
| CN109164658B (zh) * | 2018-09-30 | 2021-03-16 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电致变色器件及其制备方法、电子设备壳体和电子设备 |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP05135991A patent/JP3302703B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 化学工業 Ｖｏｌ．４０，Ｎｏ．１１，ｐｐ．９５９−９６４（１９８９）戸嶋直樹 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04211229A (ja) | 1992-08-03 |
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