JP3301692B2 - 除錆剤組成物 - Google Patents

除錆剤組成物

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は金属に発生する錆
を、常温においても効果的にかつ安全に除去することが
でき、素材金属に対する腐食の少ない除錆剤組成物に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来から金属の脱スケールや除錆剤とし
て塩酸、硫酸や硝酸等の鉱酸を用いる方法が知られてい
る。しかし、これら鉱酸は、劇物として取扱いが困難で
あり、さらに金属素材そのものへの腐食が大きいという
欠点がある。また、リン酸に増粘剤を加えたものや硫酸
にアルミナを加えたクリーム状のもの(米国特許327556
0)などが知られているが効果が少なく、金属素材その
ものへの腐食があり、満足すべきものではなかった。ま
た、金属に対する腐食性を改善するため、穏和な有機酸
やキレート剤が使用されている。シュウ酸、クエン酸、
グルコン酸、EDTA、等を併用した除錆剤が提案されてい
る(例えば特公昭45-37360号、特公昭62-156281号)
が、効果が小さく実質的に除錆剤としては使用できなか
った。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、素材金属を犯す塩酸、硫酸、硝酸、燐酸等の鉱酸を
使用せず、錆取り効果が高く、人体に対して安全な除錆
剤組成物を提供することを課題とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上に述べた
問題点を解決するために鋭意検討を行った結果、塩酸、
硫酸、硝酸、リン酸を使用せず、キレート剤と半導体光
触媒を組み合わせることにより上記課題を解決すること
ができることを見いだし本発明を完成した。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明の組成物の必須成分の1つ
であるキレート剤は、キレート効果を有する化合物であ
れば特に限定されない。例えばシュウ酸、クエン酸、マ
レイン酸、マロン酸、グルコン酸、イタコン酸、リンゴ
酸、酒石酸、チオグリコール酸、アクリル酸、ニトリロ
トリ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、乳酸等のオキ
シ酸ないしポリカルボン酸、アスパラギン酸、アラニ
ン、アルギニン、グアノシン、グリシン、システイン、
セリン、トリプトファン、スレオニン、ニコチン酸、ヒ
スチジン、フェニルアラニン、プロリン、メチオニン、
リジン、ロイシン等のアミノ酸類、ポリアクリル酸、ポ
リマレイン酸等のポリマー酸、エチレンジアミン、トリ
エタノール等のアミン類、サリチルアルデヒド等のアル
デヒド類、アセチルアセトン等のケトン類等が挙げら
れ、これらは塩の形態であってもよく、単独で、または
2種以上を混合して用いてもよい。好ましいのはシュウ
酸、クエン酸、エチレンジアミンテトラ酢酸(EDT
A)またはこれらの塩である。
【0006】本発明の組成物の必須成分である半導体光
触媒としては、例えばTiO2、SrTiO3、KTaO
3、SnO2、Nb25、WO3、Fe23、Bi23
FeTiO8、ZnO、CdO、MoS2、Si、及びS
iO2などの光の照射により酸化力を発生する半導体が
挙げられ、好ましくは、TiO2、Fe23、SnO2
WO3、およびSiO2が挙げられる。より好ましくは、
TiO2およびFe23である。TiO2等の半導体光触
媒の粒子径は、特に限定されないが、例えば、1nm〜1
mm程度、好ましくは、1〜50nm程度である。TiO2
等の半導体光触媒の比表面積は、特に限定されないが、
例えば、0.0001〜1000m2/g程度が好ましく、
200〜400m2/g程度がより好ましい。TiO2の結
晶形は、いずれのタイプでもよいが、好ましくは、アナ
ターゼ型である。半導体光触媒は、電荷分離が良好に行
えるように、適宜処理をすることができる。例えば、P
t、Au、Pd、Ir、Ag、Rh、Ru、Zn、Cu、Ni、Co、Feおよ
びVからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属また
は金属化合物を該半導体光触媒に担持させてもよい。ま
た、電荷分離した電子のアクセプターとして、メチルビ
オローゲンや、酸化還元色素等を系中に添加してもよ
い。更に、電子のドナーとして、Sn、Cuなどを系中に添
加してもよい。
【0007】本発明の好ましい除錆剤組成物としては、
キレート剤としてクエン酸、シュウ酸、エチレンジアミ
ンテトラ酢酸、及びそれらの塩からなる群から選ばれる
少なくとも一種であり、半導体光触媒が、TiO2であ
る組成物が挙げられる。
【0008】本発明の組成物は、水に溶解あるいは分散
させて使用する。使用する水は、イオン交換水が好まし
い。
【0009】本除錆剤組成物におけるキレート剤の使用
量は、組成物全体に対する重量比で0.1重量%〜50重量
%、好ましくは5重量%〜20重量%である。半導体光触媒の
使用量は、全体量に対して0.1重量%〜40重量%、好まし
くは1重量%〜10重量%である。半導体光触媒は水に溶解
しないため静置して置くと沈澱するが、使用時には攪拌
し分散状態で使用するとよい。
【0010】なお錆への浸透性を促進するためにアニオ
ン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、非イオン系界
面活性剤を併用できる。その使用量は、組成物全体に対
して0.01〜10重量%程度である。
【0011】水溶液のpHは、特に限定するものではない
が、キレート剤を溶かすためにNaOH、KOH、アンモニア
水等でpHを調整してもよい。
【0012】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例を用いて
より詳細に説明する。
【0013】実施例1〜5および比較例1〜4 冷間圧延鋼板(JIS G3141 SPCC-SD)を1N塩酸に5秒
間浸漬後1カ月大気暴露をおこない強制的に錆を発生さ
せたテストピースを、表1に示す本発明の組成物1〜5
および比較組成物1〜4中に10分間の浸漬(室温、静
置)を行い、浸漬後における錆の除去の程度を観察し、
錆の除去の程度をパーセントで評価した。結果を表1に
示した。
【0014】
【表1】
【0015】なお、表1中、各成分の数値の単位は、重
量%であり、錆の除去率の単位は%である。
【0016】実施例6〜9及び比較例5〜8 表1に示した実施例1及び比較例1の成分組成を実施例
6〜9および比較例5〜8に用い、テストピースとして
表2に記載した材質を、上記実施例と同様に錆を発生さ
せたものを用い、同様の錆取り試験を行った。結果を表
2に示した。評価方法は、上記と同様である。
【0017】
【表2】
【0018】なお、表2中の数値は、錆の除去率であ
り、単位は%である。
【0019】表1および表2の結果から本発明の組成物
は、錆を効果的に除去することが明かである。
【0020】
【発明の効果】本発明は、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等
の強力な酸を使用しないので、金属素材を侵すことな
く、錆取り効果が高く、人体に対しても安全な除錆剤組
成物である。

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 キレート剤と半導体光触媒を必須成分と
    する除錆剤組成物。
  2. 【請求項2】 キレート剤が、シュウ酸、クエン酸およ
    びエチレンジアミンテトラ酢酸、およびそれらの塩から
    なる群から選ばれる少なくとも1種である請求項1に記
    載の除錆剤組成物。
  3. 【請求項3】 半導体光触媒が、TiO2、SnO2、W
    3、SiO2およびFe23からなる群から選ばれる少
    なくとも1種である請求項1および2に記載の除錆剤組
    成物。
  4. 【請求項4】 半導体光触媒が、TiO2、及びFe2
    3である請求項1及び2に記載の除錆剤組成物。
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