JP3298618B2

JP3298618B2 - チップサイズパッケージの製造方法

Info

Publication number: JP3298618B2
Application number: JP11397798A
Authority: JP
Inventors: 太郎福井; 裕久日野; 賢次北村
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1998-04-23
Filing date: 1998-04-23
Publication date: 2002-07-02
Anticipated expiration: 2018-04-23
Also published as: JPH11307587A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子とほぼ
同サイズの面積を持つパッケージ、すなわちチップサイ
ズパッケージ（ＣＳＰ）の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】フリップチップによる半導体装置の実装
は通常、図７に示すように、予めバンプ形成された個別
のフリップチップ素子１のバンプ１１を配線基板２の電
極２１に位置合わせするようにして、フリップチップ素
子１をプリント基板２上にマウントし、リフローにより
ハンダを溶融してフリップチップ接続を完成させるよう
にしている。このとき、ハンダは、バンプそのものであ
る場合もあるし、基板側にプリコートされたハンダであ
る場合もある。このようにして基板２上に搭載された素
子１は、バンプ１１にかかる微小応力を低減させ、外部
の湿度や衝撃から素子１を保護し、十分な信頼性を確保
する目的で、アンダーフィル材と呼ばれる液状材料５ａ
を素子１と基板２との間に注入するようにしている。図
中５ｂは液状材料の注入器具である。

【０００３】アンダーフィル材は、毛細管現象を利用し
てチップと基板との間隙に充填されるため、以下のよう
な問題を有している。間隙が小さいため充填に長時間を必要とし、生産性
が低い。バンプパターンによっては空気を巻き込んでボイド
５１（図７参照）を内部に閉じ込めてしまい、信頼性が
低下する。

【０００４】大チップでは充填しきれず封止できな
い場合がある。短時間に充填させるためには粘度の低い樹脂を用い
る必要があり、充填材含有量が少なく、信頼性に重要な
影響を持つ耐熱性等の物性が十分に得られないような樹
脂を用いざるを得ない。結果的に封止信頼性は不満足な
ものになっている。

【０００５】トータルの実装工程が複雑でワイヤボ
ンディング法と比較してコスト高である。これらの問題
に対して改善が強く要望されていた。すなわち、高生産
性でボイド等を含まず高い信頼性が発揮できる封止材、
封止工法の出現が望まれているのである。

【０００６】この課題を解決するために、アンダーフィ
ル材となる液状樹脂を基板側に予め塗布しておき、半導
体素子を上から位置合わせする、いわゆる「ノンフロ
ー」タイプのアンダーフィル方法が提案されている。こ
の方法によれば、上記欠点に対してある程度の改良効果
が得られるが、上記位置合わせと樹脂塗布量を厳密に管
理しないと、半導体素子の下から樹脂がはみ出る等の不
都合が生じ、工程の簡易化というの点ではまだまだ不
満足なものであった。

【０００７】実装技術上のこのような問題は、モジュー
ル基板へのベアチップ実装だけでなく、ＣＳＰへのパッ
ケージ化における実装でも同様に解決が望まれている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ＣＳ
Ｐを大量かつより安価に提供できる、チップサイズパッ
ケージの製造方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明にかかるチップサイズパッケージの製造方法
は、複数の集積回路が形成され、かつ、外部接続用パッ
ド上に外部接続用バンプが形成された半導体基板からな
るワークを準備する工程(i) と、前記ワークのバンプ形
成面に液状封止材を塗布する工程(ii)と、前記ワークの
樹脂塗布面にフレキシブル配線基板をラミネートする工
程(iii)と、ラミネート後の前記ワークに対し、加熱・
加圧によってフリップチップ接続を行うとともに前記液
状封止材をゲル化させる工程(iv)と、フリップチップ接
続後の前記ワークから個別の集積回路単位でチップサイ
ズパッケージを切り出す工程(v) と、を含む。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明にかかるチップサイズパッ
ケージの製造方法は、図１に見るように、バンプ形成面
を有する半導体基板からなるワーク３を準備する工程
(i) と、ワーク３のバンプ形成面に封止材として液状の
熱硬化性樹脂３２を塗布する工程(ii)と、ワーク３の樹
脂塗布面にフレキシブル配線基板２をラミネートする工
程(iii)と、ラミネート後のワーク３に対し加熱・加圧
によってフリップチップ接続を行う工程(iv)と、フリッ
プチップ接続後のワーク３から個別の集積回路単位でチ
ップサイズパッケージＢを切り出す工程(v) とを含む。
この場合、ワーク３は、そのまま使用しても良いし、図
の一点鎖線円内に示すような、予め個別素子単位に切り
込みを途中まで入れるダイシング（ハーフカット）を行
ったワークであってもよい。

【００１１】以下にこれを、詳しく説明する。〔半導体基板ワーク準備工程(i) 〕本発明の方法に用い
られるワークは、複数の集積回路が形成され、かつ、外
部接続用パッド上に外部接続用バンプが形成された半導
体基板からなる。このようなワークとしては、限定する
訳ではないが、集積回路形成工程後に得られたシリコン
ウェハー（回路形成済みウェハー）が生産性上最も好ま
しい。しかし、フレキシブル配線基板２のサイズ等との
関係で、このウェハーをいくつかに切断したものであっ
てもよい。要は、従来法のような個別の集積回路素子単
位でなく、複数の集積回路単位でチップサイズパッケー
ジを製造していくことが重要であり、必要なのである。
以下では、ワークは基本的にはウェハーで代表して説明
するが、ウェハーそのものでないワークでも実質的には
同様に説明できる。

【００１２】ワークにおけるバンプの形成方法および材
質について制限はなく、たとえば既知のバンプの材質と
してハンダか金が使用される。ハンダバンプとしては、
たとえば、バリアメタルを介して形成する、いわゆるＣ
４バンプ、ハンダワイヤーを用いてスタッドバンプ法で
形成したもの、メッキ法で形成したものなどが用いられ
る。金バンプとしては、同じくスタッドバンプ法やメッ
キ法で形成したものが用いられる。〔液状封止材塗布工程(ii)〕ここで使用される液状封止
材としては、たとえば従来のアンダーフィル材に使用さ
れる液状の熱硬化性樹脂が挙げられ、実装後の半導体素
子の信頼性を確保するための樹脂である。この熱硬化性
樹脂などの液状封止材は、常温で液状の樹脂で、その溶
融粘度が常温で１０から１０００ポイズのものが、塗布
する際の流動特性が良く、バンプの周りに空気を巻き込
むことがなくボイドも発生しないという点で好ましい。

【００１３】熱硬化性樹脂３２の層は、たとえば塗布に
より形成される。塗布は室温で行ってもよいし、加温下
で行ってもよい。その厚みは、特に制限されないが、バ
ンプ高さ（通常、３０〜１２０μｍであるが、バンプの
形状や材質、さらには、接合する電極の材質によりその
高さは任意に選択される）に対して−３０μｍ〜＋２０
μｍの範囲でできる限り均一に形成されていることが好
ましい。塗布厚みが薄すぎると、バンプ接続時にバンプ
周辺部を中心にボイドを含む原因となり、封止信頼性を
低下させる。塗布厚みが厚すぎると、バンプ接続時の加
圧によってバンプと基板電極の接続が不十分となり、接
続信頼性に劣るものとなる。

【００１４】熱硬化性樹脂３２の塗布は通常の手段によ
り行われる。具体的に例示すれば、スクリーン印刷法、
ローラーコーティング法、カーテンコーティング法、ド
クターブレード法、ディスペンサ法、スピンコート法等
で液状樹脂を塗布する方法である。〔ラミネート工程(iii) 〕この場合に用いるフレキシブ
ル配線基板２の構造についての制限はないが、低コスト
でチップサイズパッケージを作るという本発明の目的に
照らすと、ハンダボール搭載部が予め穴明け加工されて
おり（図２において番号２９で示すものが穴明け加工に
よりあけられた貫通穴である）、素子側に回路部を有す
る片面板が好ましい。フリップチップ接続工程での温度
に耐えるため、フレキシブル配線基板のフィルム基材は
ポリイミドフィルムであることが好ましい。素子と回路
の絶縁のために、フリップチップ接続しない箇所の回路
はカバーレイ層で保護されていることが好ましい。

【００１５】フリップチップ接続のためのハンダ溶融を
フレキシブル配線基板２側のハンダで行うために、ま
た、ハンダ接続の信頼性をより向上させるために、表面
回路部のうちの少なくともフリップチップ接続部分がハ
ンダプリコートされていることが好ましい。ハンダプリ
コートは、たとえば、ハンダメッキ法やハンダディップ
法のほか、スーパーソルダ法やスーパージャフィット法
などのＳＳＤ法により行うことができる。

【００１６】フレキシブル配線基板２は、巻き取りリー
ルから連続的に供給され、連続的に以後の工程に移され
るようにすると、チップサイズパッケージ製造の連続化
（リール・ツー・リール化）が可能になり、一層の低コ
スト化が実現出来る。この場合、一貫的連続化も良い
が、一度巻き取ってから、アフターキュア、ボールマウ
ント、パンチングに入っても良い。

【００１７】フレキシブル配線基板２は、その接続部を
半導体素子のバンプに位置合わせしてラミネートされ
る。ラミネートは、気泡を巻き込むことを防止するため
に減圧下で行うことが好ましい。減圧条件としては、た
とえば５００Torr以下、好ましくは１００Torr以下であ
る。減圧度が不十分であると、接続時にボイドを巻き込
む可能性があり封止信頼性が低下するおそれがある。〔フリップチップ接続工程(iv)〕ラミネート終了後に
は、フリップチップ接続によって半導体回路と配線基板
回路の電気的接続を行う。フリップチップ接続は、たと
えば、ハンダバンプの溶融による方法、金バンプとハン
ダプリコートをハンダプリコートを溶融させて接続する
方法、金バンプを加圧によりメカニカルに接続する方
法、銀ペーストにより接続する方法等により行う。本発
明では、接続信頼性の点から、ハンダの溶融過程を経て
達成されることが好ましい。ハンダ溶融方法としては、
ハンダリフローを用いてハンダ溶融させる方法もある
が、本発明では、ラミネート状態ですでに封止材が充填
された形になっており、ハンダリフロー法では接続信頼
性が低下してしまうので、加圧・加熱によってフリップ
チップ接続を行うことが必要である。この加圧・加熱は
ボンダーを用いる等の方法で行われる。

【００１８】この工程を、図２に基づいて詳しく説明す
る。この工程（フリップチップボンディング）は、加圧
しながら加熱することによってバンプによるフリップチ
ップ接続を特徴としている。これを順を追って説明する
と、まず、上記工程でワーク３のバンプ１１とフレキシ
ブル配線基板２上の接続電極２１とが対向するように位
置合わせされたものを、例えば、台４上で図２に太い矢
印で示すように加圧しつつ、加熱を行う。加圧条件は、
特に限定しないが、１バンプ当たり０．１〜１００ｇ程
度が好ましい。バンプ１１と基板電極２１の接触が完了
した後、さらに温度を上げる等して、ハンダを溶融させ
ることにより、電気的接続を完了させる。ハンダ溶融状
態では、実質的には加圧は不要でクリアランスを一定に
保つことが好ましいが、必要に応じて加圧を継続しても
よい。

【００１９】本発明では、上記一連のフリップチップ接
続時の加熱により、熱硬化性樹脂層がゲル化状態に達し
ている。ゲル化状態に達していないと、必要な信頼性が
得られなかったり、後の工程での不具合が生じたりす
る。ゲル化状態に達する要件は、樹脂組成、加熱温度、
加熱時間等に依存するため、最適条件は一義的ではな
い。

【００２０】本発明のフリップチップ接続工程は減圧下
で行うことが好ましい。バンプ被覆樹脂層と基板表面の
接触に起因するボイドを減少させることができるからで
ある。減圧条件は５００Torr以下、好ましくは１００To
rr以下である。減圧が不十分であると、接続時にボイド
を巻き込む可能性があり、封止信頼性が低下する場合が
ある。

【００２１】フリップチップ接続時の加圧・加熱だけで
は熱硬化性樹脂がゲル化状態に至っていない場合には、
フリップチップ接続工程に続いて封止材樹脂のアフター
キュアを行うが、ゲル化状態に至っている場合であって
も、封止樹脂によるバンプの固定効果をより高めるため
に、アフターキュアを行うことが好ましい。硬化条件や
アフターキュア条件は、制限されるわけではないが、通
常、１００〜１６０℃で３０分〜３時間である。〔チップサイズパッケージ切出工程(v) その他の工程〕
以上の工程で、複数個の集積回路が一括してフレキシブ
ル配線基板に接続されたワークが得られる。このワーク
を個々の素子単位のパッケージに切り出す工程と、外部
接続のためのハンダボール形成工程とを引き続き行う。
これら２つの工程の順序については、制限がなく、いず
れか一方を先に他方を後に行ってもよく、可能であれば
両工程を同時に行ってもよい。

【００２２】チップサイズパッケージとしては、通常、
実装時の信頼性を考慮してハンダボールを付けている。
ハンダボールのマウント工程は公知の方法で行うことが
できる。個々のパッケージ単位への切断工程は、タイシ
ングソー、ダイヤモンドカッター等のいわゆる機械的切
断機を用いる方法と、レーザーによる切断法とをそれぞ
れ単独で行うか、組み合わせて行う。

【００２３】図３は、本発明のチップサイズパッケージ
の製造方法で得られるＣＳＰの断面図である。本発明の
チップサイズパッケージの製造方法は、複数の集積回路
が形成された半導体基板の外部接続用パッド上に外部接
続用バンプを形成し、このバンプ形成面に液状封止材を
塗布し、フレキシブル配線基板をラミネートするので、
複数の集積回路を有する半導体基板を使用して、一度に
複数のチップサイズパッケージを形成することができ
る。そして、上記基板を切り出すことにより個々のパッ
ケージを形成することができるのて、大幅な工程の簡易
化を図ることができると共に、実装時のアンダーフィル
材の充填が不要になり、信頼性の高いフリップチップ接
続を可能とする。

【００２４】図３に示すごとく、上記工程で得られたチ
ップサイズパッケージＢは、複数の集積回路が形成され
た半導体基板の外部接続用パッド上に外部接続用バンプ
が形成され、このバンプ成形面には熱硬化性樹脂層が形
成されている。この半導体素子のバンプは、配線基板２
の表面に形成された半導体接続用電極パターン２１にフ
リップチップ接続されている。配線基板２の裏面にはハ
ンダボール接続用パッドを有し、これらがフレキシブル
配線基板２の貫通穴（図２に番号２９で示す）を介して
半導体接続用パターン２１と電気的に接続されてなる。

【００２５】図中の番号１２は封止用熱硬化性樹脂の層
を表す。本発明者の開発したチップサイズパッケージの
製造方法を使用することにより、ＣＳＰの製造工程全体
の簡略化と低コスト化を図ることができる。 −チップサイズパッケージ製造工程の具体例− 図４、５は連続式の製造例を示している。図４はその全
体を、図５（ａ）はコータでの断面の一部を、図５
（ｂ）はコータからラミネートまでの部分を拡大して示
す。右端の準備台上に置かれたバンプ付きウエハー３
を、吸着式ホイスト８１が定速コンベア８２上に次々と
移す。定速コンベア８２は案内溝６１内に設置されてい
る。この案内溝６１内で、バンプ付きウエハー３が定速
コンベア８２上を次々と流れて行く。コータ６２がま
ず、ホッパＨから供給される液状の熱硬化性樹脂３２
を、ウエハー３のバンプ形成面に塗布する。その下流
で、ラミネートロール６３がリールＲから連続的に供給
されるフレキシブル配線基板２を、ウエハー３の熱硬化
性樹脂塗布層上にラミネートする。さらにその下流で、
カッタ８５がフレキシブル配線基板２を切り出す。さら
に加熱加圧した後、カッタ６４が個別のチップサイズパ
ッケージＢを切り出し、最終製品とする。

【００２６】図６はバッチ式の製造例を示している。右
端の準備台上に置かれたバンプ付きウエハー３を、吸着
式ホイスト７１が塗装準備台に次々と移す。コータ７２
が、ホッパＨから供給される熱硬化性樹脂３２を、ウエ
ハー３のバンプ形成面に塗布する。塗布を終えたウエハ
ー３を、吸着式ホイスト７３がラミネート準備台に次々
と移す。そして、ラミネートロール７４がリールＲから
供給されるフレキシブル配線基板２を、ウエハー３の熱
硬化性樹脂塗布層上にラミネートする。最後に、カッタ
７５がフレキシブル配線基板２を切り出す。さらに加熱
加圧した後、個別のチップサイズパッケージＢを切り出
し、最終製品とする。

【００２７】

【実施例】以下に実施例により、本発明をさらに詳細に
説明する。 −実施例１− 表層にアルミ配線パターンを有し、１素子単位が８×９
mmの素子が全面に多数個形成されている、４インチ（４
inch）シリコンウェハーを準備した。このウェハー上の
各素子は、その４周辺部の外部接続用パッドに、外部接
続用共晶ハンダバンプを１６０個有し、ハンダバンプ高
さが７０μｍであった。ハンダバンプは３０μｍφハン
ダワイヤを用いて、８０μｍφでハンダスタッドバンプ
を形成し、高さ７０μｍとなるように平坦化処理を施し
て作ったものである。このウェハーをダイシングして、
上記素子単位を３列×１０列で３０個有する、２４mm×
９０mm寸法のワークを切り出した。

【００２８】一方、ポリイミド材をベースにして、最終
パッケージのハンダボール搭載部に予め０．３mmφの穴
明けを行い、通常のＴＡＢ工程を通して３５mm幅で、フ
レキシブル配線基板を作製した。このフレキシブル配線
基板の回路表面に対して、フリップチップ接続される部
分以外の回路部分はポリイミド系レジストによるカバー
レイ層で被覆保護すると同時に、フリップチップ接続す
る回路部分はハンダプリコート（スーパージャフィット
法、厚み２０μｍ）を施した。

【００２９】ワークのバンプ形成面に市販のアンダーフ
ィル材ＣＶ５１８３Ｆ（常温で液状の熱硬化性樹脂、松
下電工社製）をローラーコーティングした。コーティン
グ厚みを測定したところ、７０〜１２０μｍの範囲であ
り、その平均値は８０μｍであった。アンダーフィル材
コーティングされたワークとフレキシブル配線基板をＴ
ＡＢスプロケットガイドにより位置合わせしつつラミネ
ートした。この間、クリアランスロールを通して余分な
樹脂を後方に押し出し処理した。

【００３０】得られたラミネート品を平行板加圧できる
ボンディング装置で５ｇ／バンプの圧力で１４０℃、３
０秒間、加熱、加圧してハンダバンプを基板側電極に押
し付けるようにして接触させた。この接触状態でのクリ
アランスを維持したまま２２０℃、３０秒間、加熱し
た。この操作により、熱硬化性封止樹脂層がゲル化状態
となった。全体を１５０℃／２ｈｒ乾燥機内に入れてア
フターキュアを行った。得られた製品表面にボールマウ
ンタを用いて０．３mmφハンダボールを形成させた後、
ダイヤモンドカッターを用いて個別のチップサイズパッ
ケージに切断することにより、ＣＳＰを得た。各ＣＳＰ
を電気的に検査したところ、すべてのフリップチップ接
続は正常であった。

【００３１】−実施例２− 実施例１において、ボールマウンタでハンダボールを形
成する工程をダイヤモンドカッターによる個別切断の後
に行ったこと以外は実施例１と同様にして、ＣＳＰを得
た。 −実施例３− 実施例１において、ワークとしてダイシングした２４mm
×９０mmのものに代えて４インチ・ウェハーそのままを
用いるとともに、ポリイミド基材のフレキシブル配線基
板に代えてスルホールタイプの両面フレキシブル回路基
板を使用し、アンダーフィル塗布し、フレキシブル回路
板を重ね合わせてから、ローラーを用いて厚さ制御とラ
ミネートを同時に行ったこと以外は実施例１と同様にし
て、ＣＳＰを得た。

【００３２】−実施例４− 実施例１のバンプ形成方法に代えて２５μｍＡｕワイヤ
ーを用い、バンプ径６０μｍφ、平坦化処理後のバンプ
高さを６０μｍとしたこと以外は実施例１と同様にし
て、ＣＳＰを得た。 −実施例５− 実施例１において、基板側のハンダプリコートされてい
ないものを使用し、接続温度を２２０℃から２８０℃に
代えたこと以外は実施例１と同様にして、ＣＳＰを得
た。

【００３３】−実施例６− 実施例１において、ローラーコーティング条件の変更に
より樹脂コーティング厚みを４０μｍ〜９０μｍ、平均
値５０μｍとしたこと以外は実施例１と同様にしてＣＳ
Ｐを得た。このコーティング厚みの平均値５０μｍは、
ハンダバンプ高さ（７０μｍ）に対して−２０μｍであ
る。

【００３４】−実施例７− 実施例１において、ローラーコーティング条件の変更に
より樹脂コーティング厚みを８０μｍ〜１３０μｍ、平
均値９０μｍとしたこと以外は実施例１と同様にして、
ＣＳＰを得た。このコーティング厚みの平均値９０μｍ
は、ハンダバンプ高さ（７０μｍ）に対して＋２０μｍ
であった。

【００３５】−実施例８− 実施例３において、ローラーによるラミネートを１００
Torrの減圧下で行ったこと以外は実施例３と同様にし
て、ＣＳＰを得た。以上、実施例１〜８で得られた有効
ＣＳＰ（初期のウェハー段階でバッドマークを施されて
いなかった部分ＣＳＰ）に対して電気的接続チェックを
行った結果を表１に示す。この電気的接続チェックは、
バンプの導通接続確認で、形成された全てのバンプが設
計どおり導通しているという基準で良品と判断した。

【００３６】

【表１】

【００３７】表１において、有効ＣＳＰに対して、良品
数が有効ＣＳＰ数に近いほど良いパッケージであり、有
効ＣＳＰと同じであるのが最も良いパッケージである。

【００３８】

【発明の効果】請求項１〜１１の発明によれば、チップ
サイズパッケージの製造するにあたり、複数の集積回路
を一括して処理するので、個別チップの切断後にパッケ
ージ化を行う従来法に対して、生産性高く、且つ、歩留
りが高くパッケージを製造することができる。

【００３９】請求項３の発明によれば、上記効果に加
え、より一層、生産コストを低減できると言う効果も得
られる。請求項５〜８の発明によれば、上記効果に加
え、より一層、信頼性が高く、品質の良いチップサイズ
パッケージを得ることが出来ると言う効果も得られる。
請求項８の発明によれば、特に、半導体基板とフレキシ
ブル配線板との間の隙間がより確実に封止され、しか
も、バンプと基板電極との電気的接続不良を起こしにく
いと言う効果も得られる。

【００４０】請求項１１の発明によれば、上記効果に加
え、効率良く、チップサイズパッケージを製造できると
言う効果も得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかるチップサイズパッケージの製造
方法の一実施形態を表す工程図。

【図２】本発明におけるフリップチップ工程を表す側断
面図。

【図３】本発明により得られたチップサイズパッケージ
の具体例を示す断面図。

【図４】本発明の具体例を表す工程図。

【図５】その具体例の正面断面図（ａ）と側断面図
（ｂ）。

【図６】本発明の別の具体例を表す工程図。

【図７】従来の半導体装置の実装方法を表す側断面図。

【符号の説明】

１半導体素子１１バンプ１２熱硬化性樹脂層２フレキシブル配線基板２１電極３半導体基板からなるワーク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平10−32224（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−95638（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 23/12 H01L 21/56

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の集積回路が形成され、かつ、外部接
続用パッド上に外部接続用バンプが形成された半導体基
板からなるワークを準備する工程(i) と、前記ワークのバンプ形成面に液状封止材を塗布する工程
(ii)と、前記ワークの樹脂塗布面にフレキシブル配線基板をラミ
ネートする工程(iii)と、ラミネート後の前記ワークに対し、加熱・加圧によって
フリップチップ接続を行うとともに前記液状封止材をゲ
ル化させる工程(iv)と、フリップチップ接続後の前記ワークから個別の集積回路
単位でチップサイズパッケージを切り出す工程(v) と、
を含む、チップサイズパッケージの製造方法。
【請求項２】工程(iv)以降、工程(v) の前に、ハンダボ
ールをマウントする工程をも含む、請求項１に記載のチ
ップサイズパッケージの製造方法。
【請求項３】前記ワークが、集積回路形成工程後に得ら
れたシリコンウェハーそのものである、請求項１または
２に記載のチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項４】前記フレキシブル配線基板として、ハンダ
ボール搭載部が予め穴明け加工されている片面板を用い
る、請求項１から３までのいずれかに記載のチップサイ
ズパッケージの製造方法。
【請求項５】フレキシブル配線基板の表面回路部におけ
る、フリップチップ接続が行われる部分以外の回路がカ
バーレイ層で保護されている、請求項１から４までのい
ずれかに記載のチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項６】フレキシブル配線基板の表面回路部のうち
の少なくともフリップチップ接続が行われる部分が予
め、ハンダプリコートされている、請求項１から５まで
のいずれかに記載のチップサイズパッケージの製造方
法。
【請求項７】液状封止材の平均塗布厚みがバンプ高さに
対し−３０μｍ〜＋２０μｍの範囲内にある、請求項１
から６までのいずれかに記載のチップサイズパッケージ
の製造方法。
【請求項８】フレキシブル配線基板のラミネートが減圧
下で行われる、請求項１から７までのいずれかに記載の
チップサイズパッケージの製造方法。
【請求項９】フリップチップ接続がハンダの溶融により
達成される、請求項１から８までのいずれかに記載のチ
ップサイズパッケージの製造方法。
【請求項１０】フリップチップ接続工程の加熱・加圧に
より、塗布された液状封止材がゲル化される、請求項１
から９までのいずれかに記載のチップサイズパッケージ
の製造方法。
【請求項１１】ラミネート工程(iii) において、前記フ
レキシブル配線基板が巻き取りリールから連続的に供給
され、連続的に以後の工程に移される、請求項１から１
０までのいずれかに記載のチップサイズパッケージの製
造方法。