JP3292550B2 - Ｍｒｉ装置 - Google Patents
Ｍｒｉ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＭＲＩ装置に係り、特に
各コイル間でのクロストークを防止する技術に関する。
各コイル間でのクロストークを防止する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＭＲＩ装置（磁気共鳴イメージ
ング装置）では、傾斜磁場電源からｘ，ｙ，ｚの各方向
の傾斜磁場コイルに電流を供給して各方向の傾斜磁場を
発生させ、これによって所定のパルスシーケンスを実行
している。このようなＭＲＩ装置では、通常各傾斜磁場
コイルに供給される電流は１５０〜２００［Ａ］にも及
ぶので各方向の傾斜磁場コイルの間でストローク（干
渉）が発生する。以下、これを詳しく説明する。
ング装置）では、傾斜磁場電源からｘ，ｙ，ｚの各方向
の傾斜磁場コイルに電流を供給して各方向の傾斜磁場を
発生させ、これによって所定のパルスシーケンスを実行
している。このようなＭＲＩ装置では、通常各傾斜磁場
コイルに供給される電流は１５０〜２００［Ａ］にも及
ぶので各方向の傾斜磁場コイルの間でストローク（干
渉）が発生する。以下、これを詳しく説明する。
【０００３】図１０では従来より使用されている傾斜磁
場発生装置の構成を示す図である。図示のように、傾斜
磁場電源１０１はＸ軸方向の傾斜磁場コイル１０７に電
流を出力するＸアンプ１０２と、Ｙ軸方向の傾斜磁場コ
イル１０８に電流を出力するＹアンプ１０３と、Ｚ軸方
向の傾斜磁場コイル１０９に電流を供給するＺアンプ１
０４と、各アンプ１０２，１０３，１０４に電力を供給
する電力供給部１０５から構成されいる。
場発生装置の構成を示す図である。図示のように、傾斜
磁場電源１０１はＸ軸方向の傾斜磁場コイル１０７に電
流を出力するＸアンプ１０２と、Ｙ軸方向の傾斜磁場コ
イル１０８に電流を出力するＹアンプ１０３と、Ｚ軸方
向の傾斜磁場コイル１０９に電流を供給するＺアンプ１
０４と、各アンプ１０２，１０３，１０４に電力を供給
する電力供給部１０５から構成されいる。
【０００４】そして、パルスシーケンスを決めるコント
ローラ１０６からの指令により各アンプ１０２〜１０４
は所定の電流を出力し、各傾斜磁場コイル１０７〜１０
９は傾斜磁場を発生する。この際、例えば図１０に示す
点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３にて各コイル１０７〜１０９に電流
を供給するケーブルが接近するので各コイル１０７〜１
０９間でクロストークが発生してしまう。
ローラ１０６からの指令により各アンプ１０２〜１０４
は所定の電流を出力し、各傾斜磁場コイル１０７〜１０
９は傾斜磁場を発生する。この際、例えば図１０に示す
点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３にて各コイル１０７〜１０９に電流
を供給するケーブルが接近するので各コイル１０７〜１
０９間でクロストークが発生してしまう。
【０００５】即ち、Ｘチャンネルに図１１に示すＧx の
波形の電流を供給し、Ｙ，Ｚチャンネルには電流を供給
しなかった場合、このＸチャンネルに供給された電流の
影響でＹ，Ｚチャンネルには図１１に示すＧy ，Ｇz の
様な波形の電流が流れる。この現象はクロストークと呼
ばれる。尚、図には示さないが、同様のクロストーク
が、Ｙ又はＺチャンネルのみに供給した電流についても
発生する。
波形の電流を供給し、Ｙ，Ｚチャンネルには電流を供給
しなかった場合、このＸチャンネルに供給された電流の
影響でＹ，Ｚチャンネルには図１１に示すＧy ，Ｇz の
様な波形の電流が流れる。この現象はクロストークと呼
ばれる。尚、図には示さないが、同様のクロストーク
が、Ｙ又はＺチャンネルのみに供給した電流についても
発生する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来にお
ける傾斜磁場電源においては各傾斜磁場コイル間でクロ
ストークが発生してしまい。特にＭＲアンギオ等精密さ
が要求されるシーケンスについてはエンコード制御や位
相制御に大きな影響を及ぼしてしまう。
ける傾斜磁場電源においては各傾斜磁場コイル間でクロ
ストークが発生してしまい。特にＭＲアンギオ等精密さ
が要求されるシーケンスについてはエンコード制御や位
相制御に大きな影響を及ぼしてしまう。
【０００７】尚、クロストークの発生原因としてはケー
ブル間のカップリングやコイル間のカップリングがあげ
られる。この内、ケーブル間のカップリングによるクロ
ストークについては、ケーブルをシールドしたり、ケー
ブル間の距離を大きくしたりしてある程度抑制すること
も可能であるが、このような措置はコイル間のカップリ
ングによるクロストークの抑制には適用出来ない。
ブル間のカップリングやコイル間のカップリングがあげ
られる。この内、ケーブル間のカップリングによるクロ
ストークについては、ケーブルをシールドしたり、ケー
ブル間の距離を大きくしたりしてある程度抑制すること
も可能であるが、このような措置はコイル間のカップリ
ングによるクロストークの抑制には適用出来ない。
【０００８】又、このようなクロストークの問題は上述
した傾斜磁場コイルについてのみでなく、シムコイルや
静磁場コイル、或いは、これら各種コイル間相互におい
ても同様に存在するものである。
した傾斜磁場コイルについてのみでなく、シムコイルや
静磁場コイル、或いは、これら各種コイル間相互におい
ても同様に存在するものである。
【０００９】この発明はこのような従来の課題を解決す
るためになされたもので、その目的とするところは、容
易に各コイル間のクロストークを防止し得るＭＲＩ装置
を提供することにある。
るためになされたもので、その目的とするところは、容
易に各コイル間のクロストークを防止し得るＭＲＩ装置
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、複数のチャンネルからなり、磁場を発生する磁場発
生手段と、前記磁場発生手段を駆動するための電流を供
給する電流供給手段と、前記複数チャンネル間のクロス
トークの特性に基いてクロストーク補償成分を求める手
段と、前記クロストーク補償成分を前記磁場発生手段に
供給する電流に加える手段と、を有することを特徴とす
るＭＲＩ装置を提供する。
め、複数のチャンネルからなり、磁場を発生する磁場発
生手段と、前記磁場発生手段を駆動するための電流を供
給する電流供給手段と、前記複数チャンネル間のクロス
トークの特性に基いてクロストーク補償成分を求める手
段と、前記クロストーク補償成分を前記磁場発生手段に
供給する電流に加える手段と、を有することを特徴とす
るＭＲＩ装置を提供する。
【００１１】
【作用】このようなＭＲＩ装置においては、予め実測さ
れた複数チャンネル間のクロストーク特性に基づいてク
ロストーク補償成分を求め、磁場発生手段に供給される
電流にその求めたクロストーク補償成分を加えるように
したので、磁場発生手段の複数チャンネル間のクロスト
ークを完全に、容易に除去することができる。
れた複数チャンネル間のクロストーク特性に基づいてク
ロストーク補償成分を求め、磁場発生手段に供給される
電流にその求めたクロストーク補償成分を加えるように
したので、磁場発生手段の複数チャンネル間のクロスト
ークを完全に、容易に除去することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明によるＭＲＩ装置の第１実施例
を、図１〜図７を参照しながら、傾斜磁場発生の場合を
例にとって説明する。
を、図１〜図７を参照しながら、傾斜磁場発生の場合を
例にとって説明する。
【００１３】この第１実施例は、図１に示すように、装
置はＸ，Ｙ，Ｚ方向の傾斜磁場コイル７，８，９を含む
傾斜磁場コイル系６と、これらに電流を供給するＸ，
Ｙ，Ｚチャンネル・アンプ４Ｘ，４Ｙ，４Ｚとこれらア
ンプに電力供給する電力供給部５を含む電源部３と、傾
斜磁場コイル７，８，９間にクロストークが不在の時に
電源部３から傾斜磁場コイル系６に供給すべき所望の電
流を示す制御信号ＧX CO NT，ＧY CONT，ＧZ CONTを発生
するコントローラ１と、電源部３とコントローラ１の間
に設けられＸチャンネル・アンプ４ＸにＸチャンネル・
クロストーク補償入力信号ＧX INを供給するＸチャンネ
ル・クロストーク補償部２ＸとＹチャンネルアンプ４Ｙ
にＹチャンネル・クロストーク補償入力信号ＧY INを供
給するＹチャンネル・クロストーク補償部２ＹとＺチャ
ンネル・アンプ４ＺにＺチャンネル・クロストーク補償
入力信号ＧZ INを供給するＺチャンネル・クロストーク
補償部２Ｚとを含んだクロストーク補償部２と、から構
成されている。
置はＸ，Ｙ，Ｚ方向の傾斜磁場コイル７，８，９を含む
傾斜磁場コイル系６と、これらに電流を供給するＸ，
Ｙ，Ｚチャンネル・アンプ４Ｘ，４Ｙ，４Ｚとこれらア
ンプに電力供給する電力供給部５を含む電源部３と、傾
斜磁場コイル７，８，９間にクロストークが不在の時に
電源部３から傾斜磁場コイル系６に供給すべき所望の電
流を示す制御信号ＧX CO NT，ＧY CONT，ＧZ CONTを発生
するコントローラ１と、電源部３とコントローラ１の間
に設けられＸチャンネル・アンプ４ＸにＸチャンネル・
クロストーク補償入力信号ＧX INを供給するＸチャンネ
ル・クロストーク補償部２ＸとＹチャンネルアンプ４Ｙ
にＹチャンネル・クロストーク補償入力信号ＧY INを供
給するＹチャンネル・クロストーク補償部２ＹとＺチャ
ンネル・アンプ４ＺにＺチャンネル・クロストーク補償
入力信号ＧZ INを供給するＺチャンネル・クロストーク
補償部２Ｚとを含んだクロストーク補償部２と、から構
成されている。
【００１４】図１に示す通り、Ｘチャンネル・クロスト
ーク補償部２ＸはＹチャンネル制御信号ＧY CONTに基づ
いてＹチャンネルによるＸチャンネルのクロストークを
キャンセルするＹチャンネル分補償成分を発生するＹ−
Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｙ）と、Ｚチャンネル制御信号ＧZ
CONTに基づいてＺチャンネルによるＸチャンネルのクロ
ストークをキャンセルするＺチャンネル分補償成分を発
生するＺ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｚ）と、Ｙチャンネル分
補償成分、Ｚチャンネル分補償成分、及びＸチャンネル
制御信号ＧX CONTを加算してＸチャンネル・アンプ４Ｘ
に供給するＸチャンネル・クロストーク補償入力信号Ｇ
X INを求める加算回路２０Ｘと、から構成されている。
ーク補償部２ＸはＹチャンネル制御信号ＧY CONTに基づ
いてＹチャンネルによるＸチャンネルのクロストークを
キャンセルするＹチャンネル分補償成分を発生するＹ−
Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｙ）と、Ｚチャンネル制御信号ＧZ
CONTに基づいてＺチャンネルによるＸチャンネルのクロ
ストークをキャンセルするＺチャンネル分補償成分を発
生するＺ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｚ）と、Ｙチャンネル分
補償成分、Ｚチャンネル分補償成分、及びＸチャンネル
制御信号ＧX CONTを加算してＸチャンネル・アンプ４Ｘ
に供給するＸチャンネル・クロストーク補償入力信号Ｇ
X INを求める加算回路２０Ｘと、から構成されている。
【００１５】同様に、Ｙチャンネル・クロストーク補償
部２ＹはＸチャンネル制御信号ＧX CONTに基づいてＸチ
ャンネルによるＹチャンネルのクロストークをキャンセ
ルするＸチャンネル分補償成分を発生するＸ−Ｙ補償回
路１０Ｙ（Ｘ）と、Ｚチャンネル制御信号ＧZ CONTに基
づいてＺチャンネルによるＹチャンネルのクロストーク
をキャンセルするＺチャンネル分補償成分を発生するＺ
−Ｙ補償回路１０Ｙ（Ｚ）と、Ｘチャンネル分補償成
分、Ｚチャンネル分補償成分、及びＹチャンネル制御信
号ＧY CONTを加算してＹチャンネル・アンプ４Ｙに供給
するＹチャンネル・クロストーク補償入力信号ＧY INを
求める加算回路２０Ｙと、から構成されている。
部２ＹはＸチャンネル制御信号ＧX CONTに基づいてＸチ
ャンネルによるＹチャンネルのクロストークをキャンセ
ルするＸチャンネル分補償成分を発生するＸ−Ｙ補償回
路１０Ｙ（Ｘ）と、Ｚチャンネル制御信号ＧZ CONTに基
づいてＺチャンネルによるＹチャンネルのクロストーク
をキャンセルするＺチャンネル分補償成分を発生するＺ
−Ｙ補償回路１０Ｙ（Ｚ）と、Ｘチャンネル分補償成
分、Ｚチャンネル分補償成分、及びＹチャンネル制御信
号ＧY CONTを加算してＹチャンネル・アンプ４Ｙに供給
するＹチャンネル・クロストーク補償入力信号ＧY INを
求める加算回路２０Ｙと、から構成されている。
【００１６】又、同様に、Ｚチャンネル・クロストーク
補償部２ＺはＸチャンネル制御信号ＧX CONTに基づいて
ＸチャンネルによるＺチャンネルのクロストークをキャ
ンセルするＸチャンネル分補償成分を発生するＸ−Ｚ補
償回路１０Ｚ（Ｘ）と、Ｙチャンネル制御信号ＧY CONT
に基づいてＹチャンネルによるＺチャンネルのクロスト
ークをキャンセルするＹチャンネル分補償成分を発生す
るＹ−Ｚ補償回路１０Ｚ（Ｙ）と、Ｘチャンネル分補償
成分、Ｙチャンネル分補償成分、及びＺチャンネル制御
信号ＧZ CONTを加算してＺチャンネル・アンプ４Ｚに供
給するＺチャンネル・クロストーク補償入力信号ＧZ IN
を求める加算回路２０Ｚと、から構成されている。
補償部２ＺはＸチャンネル制御信号ＧX CONTに基づいて
ＸチャンネルによるＺチャンネルのクロストークをキャ
ンセルするＸチャンネル分補償成分を発生するＸ−Ｚ補
償回路１０Ｚ（Ｘ）と、Ｙチャンネル制御信号ＧY CONT
に基づいてＹチャンネルによるＺチャンネルのクロスト
ークをキャンセルするＹチャンネル分補償成分を発生す
るＹ−Ｚ補償回路１０Ｚ（Ｙ）と、Ｘチャンネル分補償
成分、Ｙチャンネル分補償成分、及びＺチャンネル制御
信号ＧZ CONTを加算してＺチャンネル・アンプ４Ｚに供
給するＺチャンネル・クロストーク補償入力信号ＧZ IN
を求める加算回路２０Ｚと、から構成されている。
【００１７】より詳細には図２に示す通り、Ｘチャンネ
ル・クロストーク補償部２ＸのＹ−Ｘ補償回路１０Ｘ
（Ｙ）は、Ｙチャンネル制御信号ＧY CONTにゲイン調整
処理を施す第１ゲイン回路１１と、この第１ゲイン回路
１１の出力に指数演算を施す指数回路１２と、この指数
回路１２の出力を微分する微分回路１３と、この微分回
路１３の出力に減衰演算を施すディケイ回路１４と、こ
のディケイ回路１４の出力を反転する反転回路１５と、
第１ゲイン回路１１の出力にゲイン調整処理を施す第２
ゲイン回路１６と、から構成されている。
ル・クロストーク補償部２ＸのＹ−Ｘ補償回路１０Ｘ
（Ｙ）は、Ｙチャンネル制御信号ＧY CONTにゲイン調整
処理を施す第１ゲイン回路１１と、この第１ゲイン回路
１１の出力に指数演算を施す指数回路１２と、この指数
回路１２の出力を微分する微分回路１３と、この微分回
路１３の出力に減衰演算を施すディケイ回路１４と、こ
のディケイ回路１４の出力を反転する反転回路１５と、
第１ゲイン回路１１の出力にゲイン調整処理を施す第２
ゲイン回路１６と、から構成されている。
【００１８】又、図２に示すように、Ｘチャンネル・ク
ロストーク補償部２ＸのＺ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｚ）
は、上述のＹ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｙ）と同様の構成を
持ち（図中、対応する回路と同じ符号に傍点を付けたも
ので表す）、加算回路２０ＸはＹチャンネル分補償成分
を成すＹ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｙ）の反転回路１５と第
２ゲイン回路１６の出力と、Ｚチャンネル分補償成分を
成すＺ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｚ）の反転回路１５′と第
２ゲイン回路１６′の出力と、Ｘチャンネル制御信号Ｇ
X CONTとを加算して、Ｘチャンネル・クロストーク補償
入力信号ＧX INを求める。
ロストーク補償部２ＸのＺ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｚ）
は、上述のＹ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｙ）と同様の構成を
持ち（図中、対応する回路と同じ符号に傍点を付けたも
ので表す）、加算回路２０ＸはＹチャンネル分補償成分
を成すＹ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｙ）の反転回路１５と第
２ゲイン回路１６の出力と、Ｚチャンネル分補償成分を
成すＺ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｚ）の反転回路１５′と第
２ゲイン回路１６′の出力と、Ｘチャンネル制御信号Ｇ
X CONTとを加算して、Ｘチャンネル・クロストーク補償
入力信号ＧX INを求める。
【００１９】又、図示しないが、Ｙチャンネル・クロス
トーク補償回路２ＹのＸ−Ｙ補償回路１０Ｙ（Ｘ）と、
Ｚ−Ｙ補償過回路１０Ｙ（Ｚ）と、Ｚチャンネル・クロ
ストーク補償回路２ＺのＸ−Ｚ補償回路１０Ｚ（Ｘ）と
Ｙ−Ｚ補償回路１０Ｚ（Ｙ）は、上述のＹ−Ｘ補償回路
１０Ｘ（Ｙ）と同様の構成を持っている。
トーク補償回路２ＹのＸ−Ｙ補償回路１０Ｙ（Ｘ）と、
Ｚ−Ｙ補償過回路１０Ｙ（Ｚ）と、Ｚチャンネル・クロ
ストーク補償回路２ＺのＸ−Ｚ補償回路１０Ｚ（Ｘ）と
Ｙ−Ｚ補償回路１０Ｚ（Ｙ）は、上述のＹ−Ｘ補償回路
１０Ｘ（Ｙ）と同様の構成を持っている。
【００２０】次に、この第１実施例の動作について説明
する。
する。
【００２１】まず、コントローラ１によりＸチャンネル
制御信号ＧX CONTを図１１のＧX の波形に設定し、Ｙチ
ャンネル制御信号ＧY CONTとＺチャンネル制御信号ＧZ
CONTは零に設定し、これら制御信号をそのままＸ，Ｙ，
Ｚチャンネル・アンプ４Ｘ，４Ｙ，４Ｚにクロストーク
補償部２によるクロストーク補償処理を併わずに供給し
て、図１１のＧY ，ＧZ の波形のＸチャンネルによる
Ｙ，Ｚチャンネルのクロストークを実測する。
制御信号ＧX CONTを図１１のＧX の波形に設定し、Ｙチ
ャンネル制御信号ＧY CONTとＺチャンネル制御信号ＧZ
CONTは零に設定し、これら制御信号をそのままＸ，Ｙ，
Ｚチャンネル・アンプ４Ｘ，４Ｙ，４Ｚにクロストーク
補償部２によるクロストーク補償処理を併わずに供給し
て、図１１のＧY ，ＧZ の波形のＸチャンネルによる
Ｙ，Ｚチャンネルのクロストークを実測する。
【００２２】次に、Ｙ，Ｚチャンネルの各々について、
実測された波形を図３に示すように解析して、初期ピー
ク振幅Ａ，クロストークの大きさを表す係数である他チ
ャンネル依存度Ｂ，減衰時定数Ｃ，オフセットＤを補償
回路パラメータとして得る。
実測された波形を図３に示すように解析して、初期ピー
ク振幅Ａ，クロストークの大きさを表す係数である他チ
ャンネル依存度Ｂ，減衰時定数Ｃ，オフセットＤを補償
回路パラメータとして得る。
【００２３】次にＹチャンネル・クロストーク補償部２
Ｙ内のＸ−Ｙ補償回路１０Ｙ（Ｘ）の各回路のパラメー
タ設定を、実測したＹチャンネル波形から求めた補償回
路パラメータに基づいて以下の様に調整する。即ち、第
１ゲイン回路１１によるゲイン調整のゲインを初期ピー
ク振幅Ａに基づいて設定し、第２ゲイン回路１６による
ゲイン調整のゲインをオフセットＤに基づいて設定す
る。又、指数回路１２による指数演算の指数係数を他チ
ャンネル依存度Ｂに基づいて設定し、ディケイ回路１４
による減衰演算の減衰係数を減衰時定数Ｃに基づいて設
定する。
Ｙ内のＸ−Ｙ補償回路１０Ｙ（Ｘ）の各回路のパラメー
タ設定を、実測したＹチャンネル波形から求めた補償回
路パラメータに基づいて以下の様に調整する。即ち、第
１ゲイン回路１１によるゲイン調整のゲインを初期ピー
ク振幅Ａに基づいて設定し、第２ゲイン回路１６による
ゲイン調整のゲインをオフセットＤに基づいて設定す
る。又、指数回路１２による指数演算の指数係数を他チ
ャンネル依存度Ｂに基づいて設定し、ディケイ回路１４
による減衰演算の減衰係数を減衰時定数Ｃに基づいて設
定する。
【００２４】更に、反転回路１５による反転を行うかど
うかを測定波形に基づいて決定する。即ち、ポジティブ
なクロストークを示す図１１のＧy のような波形の場合
には反転回路１５による反転を行い、ネガティブなクロ
ストークを示す図１１のＧzのような波形の場合には反
転回路１５による反転を行わないようにする。今の例に
おいては、Ｙチャンネル・クロストーク補償部２ＹのＸ
−Ｙ補償回路１０Ｙ（Ｘ）では反転を行うことになる。
うかを測定波形に基づいて決定する。即ち、ポジティブ
なクロストークを示す図１１のＧy のような波形の場合
には反転回路１５による反転を行い、ネガティブなクロ
ストークを示す図１１のＧzのような波形の場合には反
転回路１５による反転を行わないようにする。今の例に
おいては、Ｙチャンネル・クロストーク補償部２ＹのＸ
−Ｙ補償回路１０Ｙ（Ｘ）では反転を行うことになる。
【００２５】同様に、Ｚチャンネル・クロストーク補償
部２Ｚ内のＸ−Ｙ補償回路１０Ｚ（Ｘ）の各回路のパラ
メータ設定を、実測したＺチャンネル３波形から求めた
補償回路パラメータに基づいて調整する。今の例におい
ては、Ｚチャンネル・クロストーク補償部２ＺのＸ−Ｚ
補償回路１０Ｚ（Ｘ）では反転は行わないことになる。
部２Ｚ内のＸ−Ｙ補償回路１０Ｚ（Ｘ）の各回路のパラ
メータ設定を、実測したＺチャンネル３波形から求めた
補償回路パラメータに基づいて調整する。今の例におい
ては、Ｚチャンネル・クロストーク補償部２ＺのＸ−Ｚ
補償回路１０Ｚ（Ｘ）では反転は行わないことになる。
【００２６】以上と同じ要領で、コントローラ１により
Ｙチャンネル制御信号ＧY CONTを図１１のＧX の波形に
設定し、Ｘチャンネル制御信号ＧX CONTとＺチャンネル
制御信号ＧZ CONTは零に設定し、これら制御信号をその
ままＸ，Ｙ，Ｚチャンネル・アンプ４Ｘ，４Ｙ，４Ｚに
クロストーク補償部２によクロストーク補償処理を併わ
ずに供給して、図１１のＧY ，ＧZ と同様な波形のＹチ
ャンネルによるＸ，Ｚチャンネルのクロストークを実測
する。
Ｙチャンネル制御信号ＧY CONTを図１１のＧX の波形に
設定し、Ｘチャンネル制御信号ＧX CONTとＺチャンネル
制御信号ＧZ CONTは零に設定し、これら制御信号をその
ままＸ，Ｙ，Ｚチャンネル・アンプ４Ｘ，４Ｙ，４Ｚに
クロストーク補償部２によクロストーク補償処理を併わ
ずに供給して、図１１のＧY ，ＧZ と同様な波形のＹチ
ャンネルによるＸ，Ｚチャンネルのクロストークを実測
する。
【００２７】そして、Ｘ，Ｚチャンネルの各々につい
て、実測された波形を図３に示すように解析して、初期
ピーク振幅Ａ，他チャンネル依存度Ｂ，減衰時定数Ｃ，
オフセットＤを補償回路パラメータとして得る。
て、実測された波形を図３に示すように解析して、初期
ピーク振幅Ａ，他チャンネル依存度Ｂ，減衰時定数Ｃ，
オフセットＤを補償回路パラメータとして得る。
【００２８】その後、Ｘチャンネル・クロストーク補償
部２Ｘ内のＹ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｙ）の各回路のパラ
メータ設定を、実測したＸチャンネル波形から求めた補
償回路パラメータに基づいて調整し、Ｚチャンネル・ク
ロストーク補償部２Ｚ内のＹ−Ｚ補償回路１０Ｚ（Ｙ）
の各回路パラメータ設定を、実測したＺチャンネル波形
から求めた補償回路パラメータに基づいて調整する。
部２Ｘ内のＹ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｙ）の各回路のパラ
メータ設定を、実測したＸチャンネル波形から求めた補
償回路パラメータに基づいて調整し、Ｚチャンネル・ク
ロストーク補償部２Ｚ内のＹ−Ｚ補償回路１０Ｚ（Ｙ）
の各回路パラメータ設定を、実測したＺチャンネル波形
から求めた補償回路パラメータに基づいて調整する。
【００２９】又、以上と同じ要領で、コントローラ１に
よりＺチャンネル制御信号ＧZ CONTを図１１のＧX の波
形に設定し、Ｘチャンネル制御信号ＧX CONTとＹチャン
ネル制御信号ＧY CONTは零に設定し、これら制御信号を
そのままＸ，Ｙ，Ｚチャンネル・アンプ４Ｘ，４Ｙ，４
Ｚに、クロストーク補償部２によクロストーク補償処を
併わずに供給して、図１１のＧY ，ＧZ と同様な波形の
ＺチャンネルによるＸ，Ｙチャンネルのクロストークを
実測する。
よりＺチャンネル制御信号ＧZ CONTを図１１のＧX の波
形に設定し、Ｘチャンネル制御信号ＧX CONTとＹチャン
ネル制御信号ＧY CONTは零に設定し、これら制御信号を
そのままＸ，Ｙ，Ｚチャンネル・アンプ４Ｘ，４Ｙ，４
Ｚに、クロストーク補償部２によクロストーク補償処を
併わずに供給して、図１１のＧY ，ＧZ と同様な波形の
ＺチャンネルによるＸ，Ｙチャンネルのクロストークを
実測する。
【００３０】そして、Ｘ，Ｙチャンネルの各々につい
て、実測された波形を図３に示すように解析して、初期
ピーク振幅Ａ，他チャンネル依存度Ｂ，減衰時定数Ｃ，
オフセットＤを補償回路パラメータとして得る。
て、実測された波形を図３に示すように解析して、初期
ピーク振幅Ａ，他チャンネル依存度Ｂ，減衰時定数Ｃ，
オフセットＤを補償回路パラメータとして得る。
【００３１】その後、Ｘチャンネル・クロストーク補償
部２Ｘ内のＺ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｚ）の各回路のパラ
メータ設定を、実測したＸチャンネル波形から求めた補
償回路パラメータに基づいて調整し、Ｙチャンネル・ク
ロストーク補償部２Ｙ内のＺ−Ｙ補償回路１０Ｙ（Ｚ）
の各回路のパラメータ設定を、実測したＹチャンネル波
形から求めた補償回路パラメータに基づいて調整する。
部２Ｘ内のＺ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｚ）の各回路のパラ
メータ設定を、実測したＸチャンネル波形から求めた補
償回路パラメータに基づいて調整し、Ｙチャンネル・ク
ロストーク補償部２Ｙ内のＺ−Ｙ補償回路１０Ｙ（Ｚ）
の各回路のパラメータ設定を、実測したＹチャンネル波
形から求めた補償回路パラメータに基づいて調整する。
【００３２】以上のクロストーク補償部調整処理によ
り、Ｘチャンネル・クロストーク補償部２ＸはＸチャン
ネル・アンプ４ＸにＸチャンネル・クロストーク補償入
力信号ＧX INを供給し、Ｙチャンネル・クロストーク補
償部２ＹはＹチャンネル・アンプ４ＹにＹチャンネル・
クロストーク補償入力信号ＧY INを供給し、Ｚチャンネ
ル・クロストーク補償部２ＺはＺチャンネル・アンプ４
ＺにＺチャンネル・クロストーク補償入力信号ＧZ INを
供給するように、Ｘ，Ｙ，Ｚチャンネル・クロストーク
補償部２Ｘ，２Ｙ，２Ｚが以下の動作を行う。
り、Ｘチャンネル・クロストーク補償部２ＸはＸチャン
ネル・アンプ４ＸにＸチャンネル・クロストーク補償入
力信号ＧX INを供給し、Ｙチャンネル・クロストーク補
償部２ＹはＹチャンネル・アンプ４ＹにＹチャンネル・
クロストーク補償入力信号ＧY INを供給し、Ｚチャンネ
ル・クロストーク補償部２ＺはＺチャンネル・アンプ４
ＺにＺチャンネル・クロストーク補償入力信号ＧZ INを
供給するように、Ｘ，Ｙ，Ｚチャンネル・クロストーク
補償部２Ｘ，２Ｙ，２Ｚが以下の動作を行う。
【００３３】即ち、例えばＹチャンネル・クロストーク
補償部２ＹのＸ−Ｙ補償回路１０Ｙ（Ｘ）では、図４の
（ＧX CONT）に示す波形の制御信号が入力されると、第
１ゲイン回路１１において実測初期ピーク振幅Ａに等し
いゲインでゲイン調整が入力された制御信号に施され図
４の（１１）に示す波形の出力信号を得る。次に指数回
路１２において実測他チャンネル依存度Ｂに等しい指数
係数で指数演算が第１ゲイン回路１１の出力信号に施さ
れ図４の（１２）の波形の出力信号を得る。そして、微
分回路１３により指数回路１２の出力信号を微分して図
４の（１３）の波形の出力信号を得て、ディケイ回路１
４において実測減衰時定数Ｃに等しい減衰係数で減衰演
算が微分回路１３の出力信号に施され、図４の（１４）
の波形の出力信号を得る。次いで、反転回路１５により
ディケイ回路１４の出力信号を反転して図４の（１５）
の波形の出力信号を得る。一方、第２ゲイン回路１２に
おいて実測オフセットＤに等しいゲインでゲイン調整が
第１ゲイン回路１１の出力信号に施され図４の（１６）
の波形の出力信号を得る。
補償部２ＹのＸ−Ｙ補償回路１０Ｙ（Ｘ）では、図４の
（ＧX CONT）に示す波形の制御信号が入力されると、第
１ゲイン回路１１において実測初期ピーク振幅Ａに等し
いゲインでゲイン調整が入力された制御信号に施され図
４の（１１）に示す波形の出力信号を得る。次に指数回
路１２において実測他チャンネル依存度Ｂに等しい指数
係数で指数演算が第１ゲイン回路１１の出力信号に施さ
れ図４の（１２）の波形の出力信号を得る。そして、微
分回路１３により指数回路１２の出力信号を微分して図
４の（１３）の波形の出力信号を得て、ディケイ回路１
４において実測減衰時定数Ｃに等しい減衰係数で減衰演
算が微分回路１３の出力信号に施され、図４の（１４）
の波形の出力信号を得る。次いで、反転回路１５により
ディケイ回路１４の出力信号を反転して図４の（１５）
の波形の出力信号を得る。一方、第２ゲイン回路１２に
おいて実測オフセットＤに等しいゲインでゲイン調整が
第１ゲイン回路１１の出力信号に施され図４の（１６）
の波形の出力信号を得る。
【００３４】この結果、反転回路１５と第２ゲイン回路
１６の出力信号が加算回路２０Ｙで加算されることによ
り、図３に示す波形のＹチャンネル・クロストーク成分
を完全にキャンセル可能な図４の（Ｙチャンネル分補償
成分）に示す波形のＹチャンネル分補償成分が得られ
る。
１６の出力信号が加算回路２０Ｙで加算されることによ
り、図３に示す波形のＹチャンネル・クロストーク成分
を完全にキャンセル可能な図４の（Ｙチャンネル分補償
成分）に示す波形のＹチャンネル分補償成分が得られ
る。
【００３５】Ｘ，Ｙ，Ｚチャンネル・クロストーク補償
部２Ｘ，２Ｙ，２Ｚの他の補償回路も同様に動作して、
適当な補償成分を得る。
部２Ｘ，２Ｙ，２Ｚの他の補償回路も同様に動作して、
適当な補償成分を得る。
【００３６】従って、図２のＸチャンネル・クロストー
ク補償部２Ｘ内の加算回路２０ＸがＹチャンネル分補償
成分となるＹ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｙ）の反転回路１５
と第２ゲイン回路１６の出力と、Ｚチャンネル分補償成
分となるＺ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｚ）の反転回路１５′
と第２ゲイン回路１６′の出力と、Ｘチャンネル制御信
号ＧＸ ＣＯＮＴを加算すると、Ｙ，Ｚチャンネルのク
ロストーク成分が除去されたＸチャンネル・クロストー
ク補償入力信号ＧＸ ＩＮがＸチャンネル・アンプ４Ｘ
にＸチャンネル・クロストーク補償部２Ｘの加算回路２
０Ｘから供給されて、Ｘチャンネル・アンプ４Ｘは元の
Ｘチャンネル制御信号ＧＸ ＣＯＮＴに基づき且つクロ
ストークの無い所望の増幅出力信号ＧＸ ＯＵＴをＸ軸
傾斜磁場コイル７に供給出来るようになる。
ク補償部２Ｘ内の加算回路２０ＸがＹチャンネル分補償
成分となるＹ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｙ）の反転回路１５
と第２ゲイン回路１６の出力と、Ｚチャンネル分補償成
分となるＺ−Ｘ補償回路１０Ｘ（Ｚ）の反転回路１５′
と第２ゲイン回路１６′の出力と、Ｘチャンネル制御信
号ＧＸ ＣＯＮＴを加算すると、Ｙ，Ｚチャンネルのク
ロストーク成分が除去されたＸチャンネル・クロストー
ク補償入力信号ＧＸ ＩＮがＸチャンネル・アンプ４Ｘ
にＸチャンネル・クロストーク補償部２Ｘの加算回路２
０Ｘから供給されて、Ｘチャンネル・アンプ４Ｘは元の
Ｘチャンネル制御信号ＧＸ ＣＯＮＴに基づき且つクロ
ストークの無い所望の増幅出力信号ＧＸ ＯＵＴをＸ軸
傾斜磁場コイル７に供給出来るようになる。
【００３７】Ｙ，Ｚチャンネル・クロストーク補償部２
Ｙ，２Ｚも同様に動作し、Ｙ，Ｚチャンネル・アンプ４
Ｙ，４Ｚは元のＹ，Ｚチャンネル制御信号ＧY CONT，Ｇ
Z CO NTに基づき且つクロストークの無い所望の増幅出力
信号ＧY OUT ，ＧZ OUT をＸ，Ｚ軸傾斜磁場コイル８，
９に供給出来るようになる。
Ｙ，２Ｚも同様に動作し、Ｙ，Ｚチャンネル・アンプ４
Ｙ，４Ｚは元のＹ，Ｚチャンネル制御信号ＧY CONT，Ｇ
Z CO NTに基づき且つクロストークの無い所望の増幅出力
信号ＧY OUT ，ＧZ OUT をＸ，Ｚ軸傾斜磁場コイル８，
９に供給出来るようになる。
【００３８】この後、実際のＭＲＩ装置の動作中には、
コントローラ１は所望のパルス・シーケンスに応じた所
望のＸ，Ｙ，Ｚチャンネル制御信号ＧX CONT，
ＧY CONT，ＧZ CONTを発生し、上記クロストーク補償部
２の動作によりＸ，Ｙ，Ｚチャンネル・アンプ４Ｘ，４
Ｙ，４Ｚはこれら所望の制御信号に基づき且つクロスト
ークの無い所望の増幅出力信号ＧX OUT ，ＧY OUT ，Ｇ
Z OUT をＸ，Ｙ，Ｚ軸傾斜磁場コイル７，８，９に各々
供給するようになる。
コントローラ１は所望のパルス・シーケンスに応じた所
望のＸ，Ｙ，Ｚチャンネル制御信号ＧX CONT，
ＧY CONT，ＧZ CONTを発生し、上記クロストーク補償部
２の動作によりＸ，Ｙ，Ｚチャンネル・アンプ４Ｘ，４
Ｙ，４Ｚはこれら所望の制御信号に基づき且つクロスト
ークの無い所望の増幅出力信号ＧX OUT ，ＧY OUT ，Ｇ
Z OUT をＸ，Ｙ，Ｚ軸傾斜磁場コイル７，８，９に各々
供給するようになる。
【００３９】尚、各補償回路における指数回路１２は具
体的には図５に示す構成の公知の指数演算回路で実現可
能であり、これにより次の（１）式の指数演算を実施出
来る。
体的には図５に示す構成の公知の指数演算回路で実現可
能であり、これにより次の（１）式の指数演算を実施出
来る。
【００４０】 ｅOUT ＝１０ｅｘｐ（−ｅIN） …… （１） 又、各補償回路における微分回路１３は具体的には図６
に示す構成の公知の微分演算回路で実現可能であり、更
に、これに抵抗Ｒ１を設けることにより、微分回路１３
とディケイ回路１４を組合わせた回路１７として実現可
能である。
に示す構成の公知の微分演算回路で実現可能であり、更
に、これに抵抗Ｒ１を設けることにより、微分回路１３
とディケイ回路１４を組合わせた回路１７として実現可
能である。
【００４１】更に、各補償回路における第２ゲイン回路
１６は図４に示した様に第１ゲイン回路１１の出力側に
接続するのに代えて図９に示す様に第１ゲイン回路１１
の入力側に接続しても良い。
１６は図４に示した様に第１ゲイン回路１１の出力側に
接続するのに代えて図９に示す様に第１ゲイン回路１１
の入力側に接続しても良い。
【００４２】また、この第１実施例において、クロスト
ーク補償の効果をクロストーク補償部調整処理後に確認
するようにし、この調整処理と確認の動作を繰返し行う
ようにして、所望のクロストーク補償結果が得られるま
で微調整するようにしても良い。
ーク補償の効果をクロストーク補償部調整処理後に確認
するようにし、この調整処理と確認の動作を繰返し行う
ようにして、所望のクロストーク補償結果が得られるま
で微調整するようにしても良い。
【００４３】更に、クロストーク補償部２の補償回路は
Ｘ，Ｙ，Ｚチャンネル・アンプ４Ｘ，４Ｙ，４Ｚの各出
力が、制御信号ＧX CONT，ＧY CONT，ＧZ CONTの代わり
に入力されるものとしても良い。この場合各アンプ４
Ｘ，４Ｙ，４Ｚによる増幅ゲインは各補償回路の第１ゲ
イン回路１１でのゲイン調整によって適宜吸収すれば良
い。
Ｘ，Ｙ，Ｚチャンネル・アンプ４Ｘ，４Ｙ，４Ｚの各出
力が、制御信号ＧX CONT，ＧY CONT，ＧZ CONTの代わり
に入力されるものとしても良い。この場合各アンプ４
Ｘ，４Ｙ，４Ｚによる増幅ゲインは各補償回路の第１ゲ
イン回路１１でのゲイン調整によって適宜吸収すれば良
い。
【００４４】以上のように、この第１実施例によると、
容易に各コイル間のクロストークを防止し得るＭＲＩ装
置が提供可能となり、クロストークの影響を受けない高
精度なエンコード制御、位相制御が高い精度を要求され
るＭＲアンギオ等のパルス・シーケンスにおいて行える
ようになる。
容易に各コイル間のクロストークを防止し得るＭＲＩ装
置が提供可能となり、クロストークの影響を受けない高
精度なエンコード制御、位相制御が高い精度を要求され
るＭＲアンギオ等のパルス・シーケンスにおいて行える
ようになる。
【００４５】次に、本発明によるＭＲＩ装置の第２実施
例を図８を参照しながら説明する。
例を図８を参照しながら説明する。
【００４６】この第２実施例では、上記第１実施例の各
補償回路１０を図８に示す補償回路１０′に置き換え
る。この補償回路１０′は入力された制御信号ＧCONTに
ゲイン調整処理を施す第１ゲイン回路２１と、入力され
た制御信号ＧCONTを微分してトリガー信号を得る微分回
路２２と、予め実測され、サンプリング後Ａ／Ｄ変換さ
れたクロストーク成分波形を格納するメモリ２３と、メ
モリ２３からトリガー信号のタイミングで読出されたク
ロストーク成分波形をＤ／Ａ変換するＤ／Ａコンバータ
２４と、第１ゲイン回路２１の出力とＤ／Ａ変換された
クロストーク成分波形を乗算する乗算回路２５と、乗算
回路２５の出力を反転する反転回路２６と、入力された
制御信号ＧCONTにゲイン調整処理を施す第２ゲイン回路
２７と、反転回路２６と第２ゲイン回路２７の出力を加
算する加算器２８とから構成されている。
補償回路１０を図８に示す補償回路１０′に置き換え
る。この補償回路１０′は入力された制御信号ＧCONTに
ゲイン調整処理を施す第１ゲイン回路２１と、入力され
た制御信号ＧCONTを微分してトリガー信号を得る微分回
路２２と、予め実測され、サンプリング後Ａ／Ｄ変換さ
れたクロストーク成分波形を格納するメモリ２３と、メ
モリ２３からトリガー信号のタイミングで読出されたク
ロストーク成分波形をＤ／Ａ変換するＤ／Ａコンバータ
２４と、第１ゲイン回路２１の出力とＤ／Ａ変換された
クロストーク成分波形を乗算する乗算回路２５と、乗算
回路２５の出力を反転する反転回路２６と、入力された
制御信号ＧCONTにゲイン調整処理を施す第２ゲイン回路
２７と、反転回路２６と第２ゲイン回路２７の出力を加
算する加算器２８とから構成されている。
【００４７】この第２実施例では、上記第１実施例の様
に実際のクロストークの測定から補償回路パラメータを
求める代わりに、実際のクロストークの測定波形を予め
サンプリングし、Ａ／Ｄ変換して、ディジタル信号とし
てメモリ２３に格納する。この段階で、第１ゲイン回路
２１と第２ゲイン回路２７でのゲイン調整のゲインも測
定波形に基づいて求め、これに応じて第１ゲイン回路２
１と第２ゲイン回路２７のキャリブレーションを行う。
に実際のクロストークの測定から補償回路パラメータを
求める代わりに、実際のクロストークの測定波形を予め
サンプリングし、Ａ／Ｄ変換して、ディジタル信号とし
てメモリ２３に格納する。この段階で、第１ゲイン回路
２１と第２ゲイン回路２７でのゲイン調整のゲインも測
定波形に基づいて求め、これに応じて第１ゲイン回路２
１と第２ゲイン回路２７のキャリブレーションを行う。
【００４８】そして、例えばＹチャンネル・クロストー
ク補償回路２ＹのＸ−Ｙ補償回路１０Ｙ（Ｘ）では、図
４の（ＧX CONT）に示す波形の制御信号が入力される
と、第１ゲイン回路においてキャリブレーションで設定
された第１のゲインでゲイン調整が入力された制御信号
に施され図４の（１１）同様の波形の出力信号を得て、
一方微分回路２２により入力された制御信号を微分して
図４の（１３）同様の波形の出力信号を得て、この初期
ピークをメモリ２３からのクロストーク成分波形の読出
し用のトリガー信号として用いる。次にメモリ２３から
トリガー信号のタイミングでクロストーク成分波形を読
出して、Ｄ／Ａコンバータ２４でＤ／Ａ変換して図３同
様のアナログ波形を復元し、乗算回路２５において第１
ゲイン回路２１の出力と乗算して、図４の（１４）同様
の波形の出力信号を得る。そして、反転回路２６により
乗算回路２５の出力信号を反転して図４の（１５）同様
の波形の出力信号を得る。一方、第２ゲイン回路２７に
おいてキャリブレーションで設定された第２のゲインで
ゲイン調整が入力された制御信号に施され図４の（１
６）同様の波形の出力信号を得て、加算器２８により反
転回路２６と第２ゲイン回路２７の出力を加算して、図
３の示す波形のＹチャンネル・クロストーク成分を完全
にキャンセル可能な図４の（Ｙチャンネル分補償成分）
に示す波形のＹチャンネル分補償成分が得られる。
ク補償回路２ＹのＸ−Ｙ補償回路１０Ｙ（Ｘ）では、図
４の（ＧX CONT）に示す波形の制御信号が入力される
と、第１ゲイン回路においてキャリブレーションで設定
された第１のゲインでゲイン調整が入力された制御信号
に施され図４の（１１）同様の波形の出力信号を得て、
一方微分回路２２により入力された制御信号を微分して
図４の（１３）同様の波形の出力信号を得て、この初期
ピークをメモリ２３からのクロストーク成分波形の読出
し用のトリガー信号として用いる。次にメモリ２３から
トリガー信号のタイミングでクロストーク成分波形を読
出して、Ｄ／Ａコンバータ２４でＤ／Ａ変換して図３同
様のアナログ波形を復元し、乗算回路２５において第１
ゲイン回路２１の出力と乗算して、図４の（１４）同様
の波形の出力信号を得る。そして、反転回路２６により
乗算回路２５の出力信号を反転して図４の（１５）同様
の波形の出力信号を得る。一方、第２ゲイン回路２７に
おいてキャリブレーションで設定された第２のゲインで
ゲイン調整が入力された制御信号に施され図４の（１
６）同様の波形の出力信号を得て、加算器２８により反
転回路２６と第２ゲイン回路２７の出力を加算して、図
３の示す波形のＹチャンネル・クロストーク成分を完全
にキャンセル可能な図４の（Ｙチャンネル分補償成分）
に示す波形のＹチャンネル分補償成分が得られる。
【００４９】Ｘ，Ｙ，Ｚチャンネル・クロストーク補償
部２Ｘ，２Ｙ，２Ｚの他の補償回路も同様に動作して、
適当な補償成分を得る。
部２Ｘ，２Ｙ，２Ｚの他の補償回路も同様に動作して、
適当な補償成分を得る。
【００５０】この後、実際のＭＲＩ装置の動作中には、
コントローラ１は所望のパルス・シーケンスに応じた所
望のＸ，Ｙ，Ｚチャンネル制御信号ＧX CONT，
ＧY CONT，ＧZ CONTを発生し、図８の補償回路を使った
上記クロストーク補償部２の動作によりＸ，Ｙ，Ｚチャ
ンネル・アンプ４Ｘ，４Ｙ，４Ｚはこれら所望の制御信
号に基づき且つクロストークの無い所望の増幅出力信号
ＧX OUT ，ＧY OUT ，ＧZ OUTをＸ，Ｙ，Ｚ軸傾斜磁場
コイル７，８，９に各々供給するようになる。
コントローラ１は所望のパルス・シーケンスに応じた所
望のＸ，Ｙ，Ｚチャンネル制御信号ＧX CONT，
ＧY CONT，ＧZ CONTを発生し、図８の補償回路を使った
上記クロストーク補償部２の動作によりＸ，Ｙ，Ｚチャ
ンネル・アンプ４Ｘ，４Ｙ，４Ｚはこれら所望の制御信
号に基づき且つクロストークの無い所望の増幅出力信号
ＧX OUT ，ＧY OUT ，ＧZ OUTをＸ，Ｙ，Ｚ軸傾斜磁場
コイル７，８，９に各々供給するようになる。
【００５１】尚、この第２実施例において、図８に示す
ように第１ゲイン回路２１と乗算回路１５を一体構成の
回路２９としても良い。
ように第１ゲイン回路２１と乗算回路１５を一体構成の
回路２９としても良い。
【００５２】又、この第２実施例において図８に示すよ
うにメモリ２３にクロストーク成分波形の反転形を予め
格納することにより、反転回路２６での反転を不要とし
このことを示す信号をメモリ２３から反転回路２６に出
力するようにしても良い。
うにメモリ２３にクロストーク成分波形の反転形を予め
格納することにより、反転回路２６での反転を不要とし
このことを示す信号をメモリ２３から反転回路２６に出
力するようにしても良い。
【００５３】以上のように、この第２実施例において
も、容易に各コイル間のクロストークを防止し得るＭＲ
Ｉ装置が提供可能となり、クロストークの影響を受けな
い高精度なエンコード制御、位相制御が高い精度を要求
されるＭＲアンギオ等のパルス・シーケンスにおいて行
えるようになる。
も、容易に各コイル間のクロストークを防止し得るＭＲ
Ｉ装置が提供可能となり、クロストークの影響を受けな
い高精度なエンコード制御、位相制御が高い精度を要求
されるＭＲアンギオ等のパルス・シーケンスにおいて行
えるようになる。
【００５４】次に、本発明によるＭＲＩ装置の第３実施
例を図９を参照しながら説明する。
例を図９を参照しながら説明する。
【００５５】この第３実施例では、上記第２実施例の各
補償回路１０′を図９に示すメモリ３０に置き換える。
このメモリ３０は第２実施例の補償回路１０′によって
得られるようなクロストーク補償成分をディジタル信号
として格納するものである。
補償回路１０′を図９に示すメモリ３０に置き換える。
このメモリ３０は第２実施例の補償回路１０′によって
得られるようなクロストーク補償成分をディジタル信号
として格納するものである。
【００５６】この第３実施例では、実際のＭＲＩ装置の
動作中には、コントローラ１″は所望のパルス・シーケ
ンスに応じた所望のＸ，Ｙ，Ｚチャンネル制御信号ＧX
CONT，ＧY CONT，ＧZ CONTをディジタル信号として発生
し、クロストーク補償部２″のメモリ３０に格納された
各チャンネル毎のクロストーク補償成分を入力された制
御信号を加算してから、このクロストーク補償部２″の
Ｘ，Ｙ，Ｚチャンネル出力をＤ／Ａコンバータ４０Ｘ，
４０Ｙ，４０Ｚで各々Ｄ／Ａ変換して電源部に供給する
ことにより、Ｘ，Ｙ，Ｚチャンネル・アンプ４Ｘ，４
Ｙ，４Ｚはこれら所望の制御信号に基づき且つクロスト
ークの無い所望の増幅出力信号ＧX OUT ，ＧY OUT ，Ｇ
Z OUT をＸ，Ｙ，Ｚ軸傾斜磁場コイル７，８，９に各々
供給するようになる。
動作中には、コントローラ１″は所望のパルス・シーケ
ンスに応じた所望のＸ，Ｙ，Ｚチャンネル制御信号ＧX
CONT，ＧY CONT，ＧZ CONTをディジタル信号として発生
し、クロストーク補償部２″のメモリ３０に格納された
各チャンネル毎のクロストーク補償成分を入力された制
御信号を加算してから、このクロストーク補償部２″の
Ｘ，Ｙ，Ｚチャンネル出力をＤ／Ａコンバータ４０Ｘ，
４０Ｙ，４０Ｚで各々Ｄ／Ａ変換して電源部に供給する
ことにより、Ｘ，Ｙ，Ｚチャンネル・アンプ４Ｘ，４
Ｙ，４Ｚはこれら所望の制御信号に基づき且つクロスト
ークの無い所望の増幅出力信号ＧX OUT ，ＧY OUT ，Ｇ
Z OUT をＸ，Ｙ，Ｚ軸傾斜磁場コイル７，８，９に各々
供給するようになる。
【００５７】尚、この第３実施例において、クロストー
ク補償回路２″全体をメモリ機能を有するマイクロプロ
セッサとして実現可能である。
ク補償回路２″全体をメモリ機能を有するマイクロプロ
セッサとして実現可能である。
【００５８】以上のように、この第３実施例において
も、容易に各コイル間のクロストークを防止し得るＭＲ
Ｉ装置が提供可能となり、クロストークの影響を受けな
い高精度なエンコード制御、位相制御が高い精度を要求
されるＭＲアンギオ等のパルス・シーケンスにおいて行
えるようになる。
も、容易に各コイル間のクロストークを防止し得るＭＲ
Ｉ装置が提供可能となり、クロストークの影響を受けな
い高精度なエンコード制御、位相制御が高い精度を要求
されるＭＲアンギオ等のパルス・シーケンスにおいて行
えるようになる。
【００５９】尚、上記各実施例では傾斜磁場コイル系に
ついて説明したが、同様の構成をシムコイル系や静磁場
コイル系、或いはこれら相互間にも適用可能である。
ついて説明したが、同様の構成をシムコイル系や静磁場
コイル系、或いはこれら相互間にも適用可能である。
【００６０】更に、上記各実施例では、第１実施例に関
する図２や図７のものや第２実施例に関する図８に示す
もの等の各補償回路の詳細構成は、図１１のＧy やＧz
の様な典型的なカップリング波形のクロストーク成分波
形に対応したものとなっているが、クロストーク成分波
形がこの様な典型的なカップリング波形とは大きく異な
るような場合には、各補償回路の詳細構成をこれに合わ
せて変形して、クロストーク成分をキャンセル可能な補
償成分が得られるようにすることも可能である。
する図２や図７のものや第２実施例に関する図８に示す
もの等の各補償回路の詳細構成は、図１１のＧy やＧz
の様な典型的なカップリング波形のクロストーク成分波
形に対応したものとなっているが、クロストーク成分波
形がこの様な典型的なカップリング波形とは大きく異な
るような場合には、各補償回路の詳細構成をこれに合わ
せて変形して、クロストーク成分をキャンセル可能な補
償成分が得られるようにすることも可能である。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
容易に各コイル間のクロストークを防止し得るＭＲＩ装
置が提供可能となる。
容易に各コイル間のクロストークを防止し得るＭＲＩ装
置が提供可能となる。
【図１】本発明のＭＲＩ装置の第１実施例の構成を示す
ブロック図。
ブロック図。
【図２】図１における各チャンネルのクロストーク補償
部の詳細構成を示すブロック図。
部の詳細構成を示すブロック図。
【図３】上記第１実施例における実測クロストーク成分
波形と補償回路パラメータを示す波形図。
波形と補償回路パラメータを示す波形図。
【図４】上記第１実施例における各補償回路内での処理
結果を示す一連の波形図。
結果を示す一連の波形図。
【図５】図２における各補償回路の指数回路の具体的構
成の一例を示す回路図。
成の一例を示す回路図。
【図６】図２における各補償回路の微分回路とディケイ
回路の具体的構成の一例を示す回路図。
回路の具体的構成の一例を示す回路図。
【図７】図２における各補償回路の内部構成の変形例を
示すブロック図。
示すブロック図。
【図８】本発明のＭＲＩ装置の第２実施例の構成を示す
ブロック図。
ブロック図。
【図９】本発明のＭＲＩ装置の第３実施例の構成を示す
ブロック図。
ブロック図。
【図１０】従来のＭＲＩ装置用傾斜磁場発生装置の構成
を示すブロック図。
を示すブロック図。
【図１１】クロストークを説明する波形図。
１ コントローラ ２ クロストーク補償部 ２Ｘ，２Ｙ，２Ｚ Ｘ，Ｙ，Ｚチャンネル・クロストー
ク補償部 ３ 電源部 ４Ｘ，４Ｙ，４Ｚ Ｘ，Ｙ，Ｚチャンネル・アンプ ５ 電力供給部 ６ コイル系
ク補償部 ３ 電源部 ４Ｘ，４Ｙ，４Ｚ Ｘ，Ｙ，Ｚチャンネル・アンプ ５ 電力供給部 ６ コイル系
Claims (1)
- 【請求項１】 複数のチャンネルからなり、磁場を発生
する磁場発生手段と、前記磁場発生手段を駆動するため
の電流を供給する電流供給手段と、 前記複数チャンネル間のクロストークの特性に基いてク
ロストーク補償成分を求める手段と、 前記クロストーク補償成分を前記磁場発生手段に供給す
る電流に加える手段と、を有することを特徴とするＭＲ
Ｉ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17834893A JP3292550B2 (ja) | 1992-07-20 | 1993-07-19 | Ｍｒｉ装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| JPH0686766A JPH0686766A (ja) | 1994-03-29 |
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Family
ID=26498542
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1993
- 1993-07-19 JP JP17834893A patent/JP3292550B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| JPH0686766A (ja) | 1994-03-29 |
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