JP3290820B2 - オゾン発生装置 - Google Patents
オゾン発生装置Info
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- JP3290820B2 JP3290820B2 JP18032294A JP18032294A JP3290820B2 JP 3290820 B2 JP3290820 B2 JP 3290820B2 JP 18032294 A JP18032294 A JP 18032294A JP 18032294 A JP18032294 A JP 18032294A JP 3290820 B2 JP3290820 B2 JP 3290820B2
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- gap
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、上下水道の殺菌・消臭
・脱色、工業排水処理の脱臭・脱色・パルプの脱色、ま
たは医療機器の殺菌を行うため、空気または酸素ガス等
から無声放電によりオゾンまたは過酸化水素を発生させ
るオゾン発生装置に関する。
・脱色、工業排水処理の脱臭・脱色・パルプの脱色、ま
たは医療機器の殺菌を行うため、空気または酸素ガス等
から無声放電によりオゾンまたは過酸化水素を発生させ
るオゾン発生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３により、従来の無声放電式オゾン発
生装置について説明する。図３に示すように、誘電体１
を有する高圧電極２と接地電極３との間の放電ギャップ
に、大気圧近くで交流高圧電源４から交流高電圧を印加
すると、高圧電極２と接地電極３との間の放電ギャップ
間で無声放電（微小なパルス放電の集合）が起こり、こ
の放電ギャップに酸素を含むガスを通過させることによ
り、放電作用によりオゾンが得られる。
生装置について説明する。図３に示すように、誘電体１
を有する高圧電極２と接地電極３との間の放電ギャップ
に、大気圧近くで交流高圧電源４から交流高電圧を印加
すると、高圧電極２と接地電極３との間の放電ギャップ
間で無声放電（微小なパルス放電の集合）が起こり、こ
の放電ギャップに酸素を含むガスを通過させることによ
り、放電作用によりオゾンが得られる。
【０００３】図３において、誘電体１としては、ガラ
ス、セラミック、またはセラミック表面にガラスコート
を施したものが用いられる。
ス、セラミック、またはセラミック表面にガラスコート
を施したものが用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図４（ａ）（ｂ）に、
無声放電式オゾン発生装置の誘電体として、セラミック
板５を用いた場合を示す。一般にセラミック板の表面
は、図４（ｂ）に示すように平均表面荒さＲａ＞０．７
μｍとなっており、また最大表面荒さＲmax ＞２μｍと
なっている。すなわち、図４（ａ）（ｂ）に示すよう
に、無声放電式オゾン発生装置の誘電体としてセラミッ
ク板５を用いた場合、セラミック板５表面の尖端部５ａ
で放電集中が起こる。この放電集中は局所的な熱の集中
および電子の集中を招き、生成したオゾンを破壊する。
このため放電集中によりオゾン生成効率が低下する。従
って、オゾン生成には微小な放電が放電ギャップに均一
に分布する状態が望ましい。
無声放電式オゾン発生装置の誘電体として、セラミック
板５を用いた場合を示す。一般にセラミック板の表面
は、図４（ｂ）に示すように平均表面荒さＲａ＞０．７
μｍとなっており、また最大表面荒さＲmax ＞２μｍと
なっている。すなわち、図４（ａ）（ｂ）に示すよう
に、無声放電式オゾン発生装置の誘電体としてセラミッ
ク板５を用いた場合、セラミック板５表面の尖端部５ａ
で放電集中が起こる。この放電集中は局所的な熱の集中
および電子の集中を招き、生成したオゾンを破壊する。
このため放電集中によりオゾン生成効率が低下する。従
って、オゾン生成には微小な放電が放電ギャップに均一
に分布する状態が望ましい。
【０００５】本発明は、このような点を考慮してなされ
たものであり、放電ギャップに微小な放電を均一に分布
させて無声放電によるオゾン生成を高効率で行うことが
できるオゾン生成装置を提供することを目的とする。
たものであり、放電ギャップに微小な放電を均一に分布
させて無声放電によるオゾン生成を高効率で行うことが
できるオゾン生成装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
一対の電極と、この一対の電極に高電圧を印加する電源
と、前記一対の電極の少なくとも一方の内面に設けられ
たセラミック板と、前記一対の電極間の間隙に酸素を含
む原料ガスを送り込み、この間隙に生じるプラズマ化学
反応により原料ガスからオゾンを発生させて排出するガ
ス送風装置とを備え、前記セラミック板の内側面の平均
表面荒さを０．５μｍ以下としたことを特徴とするオゾ
ン発生装置である。
一対の電極と、この一対の電極に高電圧を印加する電源
と、前記一対の電極の少なくとも一方の内面に設けられ
たセラミック板と、前記一対の電極間の間隙に酸素を含
む原料ガスを送り込み、この間隙に生じるプラズマ化学
反応により原料ガスからオゾンを発生させて排出するガ
ス送風装置とを備え、前記セラミック板の内側面の平均
表面荒さを０．５μｍ以下としたことを特徴とするオゾ
ン発生装置である。
【０００７】請求項２記載の発明は一対の電極と、この
一対の電極に高電圧を印加する電源と、前記一対の電極
の少なくとも一方の内面に設けられたセラミック板と、
前記一対の電極間の間隙に酸素を含む原料ガスを送り込
み、この間隙に生じるプラズマ化学反応により原料ガス
からオゾンを発生させて排出するガス送風装置とを備
え、前記セラミック板の内側面に誘電膜をコーティング
し、この誘電膜の平均表面荒さを０．５μｍ以下とした
ことを特徴とするオゾン発生装置である。
一対の電極に高電圧を印加する電源と、前記一対の電極
の少なくとも一方の内面に設けられたセラミック板と、
前記一対の電極間の間隙に酸素を含む原料ガスを送り込
み、この間隙に生じるプラズマ化学反応により原料ガス
からオゾンを発生させて排出するガス送風装置とを備
え、前記セラミック板の内側面に誘電膜をコーティング
し、この誘電膜の平均表面荒さを０．５μｍ以下とした
ことを特徴とするオゾン発生装置である。
【０００８】請求項３記載の発明は一対の電極と、この
一対の電極に高電圧を印加する電源と、前記一対の電極
の少なくとも一方の内面に設けられたセラミック板と、
前記一対の電極間の間隙に酸素を含む原料ガスを送り込
み、この間隙に生じるプラズマ化学反応により原料ガス
からオゾンを発生させて排出するガス送風装置とを備
え、前記セラミック板の内側面の平均表面荒さを０．５
μｍ以下とし、平均表面荒さが０．５μｍ以下のセラミ
ック板の内側面に誘電膜をコーティングし、この誘電膜
の平均表面荒さを０．５μｍ以下としたたことを特徴と
するオゾン発生装置である。
一対の電極に高電圧を印加する電源と、前記一対の電極
の少なくとも一方の内面に設けられたセラミック板と、
前記一対の電極間の間隙に酸素を含む原料ガスを送り込
み、この間隙に生じるプラズマ化学反応により原料ガス
からオゾンを発生させて排出するガス送風装置とを備
え、前記セラミック板の内側面の平均表面荒さを０．５
μｍ以下とし、平均表面荒さが０．５μｍ以下のセラミ
ック板の内側面に誘電膜をコーティングし、この誘電膜
の平均表面荒さを０．５μｍ以下としたたことを特徴と
するオゾン発生装置である。
【０００９】
【作用】請求項１記載の発明によれば、セラミック板の
内側面の平均表面荒さを０．５μｍ以下としたことによ
り、セラミック板から尖端部をなくすことができ、これ
により一対の電極間の間隙において尖端部による放電集
中を減少させることができる。
内側面の平均表面荒さを０．５μｍ以下としたことによ
り、セラミック板から尖端部をなくすことができ、これ
により一対の電極間の間隙において尖端部による放電集
中を減少させることができる。
【００１０】請求項２記載の発明によれば、セラミック
板の内側面に誘電膜をコーティングし、この誘電膜の平
均表面荒さを０．５μｍ以下としたことにより、セラミ
ック板側からの突出部分をなくすことができ、これによ
り一対の電極間の間隙において突出部分による放電集中
を減少させることができる。
板の内側面に誘電膜をコーティングし、この誘電膜の平
均表面荒さを０．５μｍ以下としたことにより、セラミ
ック板側からの突出部分をなくすことができ、これによ
り一対の電極間の間隙において突出部分による放電集中
を減少させることができる。
【００１１】請求項３記載の発明によれば、セラミック
板の内側面に誘電膜をコーティングし、セラミック板か
ら尖端部をなくすとともに、誘電膜の平均表面荒さを
０．５μｍ以下とすることにより、一対の電極間の間隙
において、放電集中をより減少させることができる。
板の内側面に誘電膜をコーティングし、セラミック板か
ら尖端部をなくすとともに、誘電膜の平均表面荒さを
０．５μｍ以下とすることにより、一対の電極間の間隙
において、放電集中をより減少させることができる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１および図２は、本発明によるオゾン発
生装置の実施例を示す図である。
て説明する。図１および図２は、本発明によるオゾン発
生装置の実施例を示す図である。
【００１３】図１（ａ）に示すように、オゾン発生装置
は対向して配置された高電圧電極２と、接地電極３とを
備え、高電圧電極２は交流高圧電源４に接続され、接地
電極３は接地されている。
は対向して配置された高電圧電極２と、接地電極３とを
備え、高電圧電極２は交流高圧電源４に接続され、接地
電極３は接地されている。
【００１４】また高電圧電極２の内面に、セラミック板
５が設けられ、さらに高電圧電極２および接地電極３の
側方には、これらの電極２，３間の間隙（放電ギャッ
プ）に原料ガスを送り込むガス送風装置７が設けられて
いる。また、高電圧電極２と接地電極３との間の間隙に
生じるプラズマ反応により原料ガスが処理され、この処
理ガスは高電圧電極２と接地電極３から外方へ排出され
るようになっている。
５が設けられ、さらに高電圧電極２および接地電極３の
側方には、これらの電極２，３間の間隙（放電ギャッ
プ）に原料ガスを送り込むガス送風装置７が設けられて
いる。また、高電圧電極２と接地電極３との間の間隙に
生じるプラズマ反応により原料ガスが処理され、この処
理ガスは高電圧電極２と接地電極３から外方へ排出され
るようになっている。
【００１５】次に、図１（ｂ）により、セラミック板５
の表面形状について述べる。ここで図１（ｂ）は、図１
（ａ）のＡ部拡大図である。図１（ｂ）に示すように、
セラミック板５の内側面の平均表面荒さは０．５μｍ以
下となっている。
の表面形状について述べる。ここで図１（ｂ）は、図１
（ａ）のＡ部拡大図である。図１（ｂ）に示すように、
セラミック板５の内側面の平均表面荒さは０．５μｍ以
下となっている。
【００１６】次にこのような構成からなる本実施例の作
用について説明する。まず、交流高圧電源４から高電圧
電極２へ高電圧が印加され、内面にセラミック板５を有
する高電圧電極２と接地電極３との間の間隙に無声放電
が生じる。同時に、ガス送風装置７によりこの間隙内に
酸素を含む原料ガスを送り込むと、間隙内の無声放電作
用によりオゾンが生成し、このように生成したオゾンは
高電圧電極２と接地電極３との間の間隙から外方へ排出
される。
用について説明する。まず、交流高圧電源４から高電圧
電極２へ高電圧が印加され、内面にセラミック板５を有
する高電圧電極２と接地電極３との間の間隙に無声放電
が生じる。同時に、ガス送風装置７によりこの間隙内に
酸素を含む原料ガスを送り込むと、間隙内の無声放電作
用によりオゾンが生成し、このように生成したオゾンは
高電圧電極２と接地電極３との間の間隙から外方へ排出
される。
【００１７】次に、セラミック板５の平均表面荒さを種
々変化させてオゾン生成効率を測定した場合における測
定結果を図２に示す。
々変化させてオゾン生成効率を測定した場合における測
定結果を図２に示す。
【００１８】図２に示すように、オゾン生成効率はセラ
ミック板の平均表面荒さが小さくなるにつれて上昇し、
平均表面荒さが０．５μｍ以下となるとオゾン生成効率
は高い水準で略一定となることがわかる。このためセラ
ミック板５の平均平面表面荒さを０．５μｍ以下とする
ことにより、オゾン生成効率を向上させることができ
る。
ミック板の平均表面荒さが小さくなるにつれて上昇し、
平均表面荒さが０．５μｍ以下となるとオゾン生成効率
は高い水準で略一定となることがわかる。このためセラ
ミック板５の平均平面表面荒さを０．５μｍ以下とする
ことにより、オゾン生成効率を向上させることができ
る。
【００１９】セラミック板５の平均表面荒さを０．５μ
ｍ以下とした場合にオゾン生成効率が向上するのは、お
よそ次のような理由が考えられる。
ｍ以下とした場合にオゾン生成効率が向上するのは、お
よそ次のような理由が考えられる。
【００２０】すなわち、セラミック板５の平均表面荒さ
を０．５μｍ以下とした場合、セラミック板５表面の尖
端部５ａ（図４（ｂ）参照）における放電集中が減少す
る。このため、高電圧電極２と接地電極３との間の間隙
に、微小な放電が均一に分布するようになり、局所的な
熱および電子の集中がなくなる。このため生成したオゾ
ンの破壊を減少させることができ、オゾン生成効率が向
上する。
を０．５μｍ以下とした場合、セラミック板５表面の尖
端部５ａ（図４（ｂ）参照）における放電集中が減少す
る。このため、高電圧電極２と接地電極３との間の間隙
に、微小な放電が均一に分布するようになり、局所的な
熱および電子の集中がなくなる。このため生成したオゾ
ンの破壊を減少させることができ、オゾン生成効率が向
上する。
【００２１】なお、図１（ｂ）においてセラミック板５
の内側面の平均表面荒さを０．５μｍ以下とする例を示
したが、これに限らず図１（ｃ）に示すようにセラミッ
ク板５の内側面の平均表面荒さを一般のセラミック板と
略同様の値（＞０．７μｍ）としたまま、セラミック板
５の内側面に誘電膜６をコーティングしてもよい。この
場合、誘電膜６の平均表面荒さは、０．５μｍ以下とな
っている。
の内側面の平均表面荒さを０．５μｍ以下とする例を示
したが、これに限らず図１（ｃ）に示すようにセラミッ
ク板５の内側面の平均表面荒さを一般のセラミック板と
略同様の値（＞０．７μｍ）としたまま、セラミック板
５の内側面に誘電膜６をコーティングしてもよい。この
場合、誘電膜６の平均表面荒さは、０．５μｍ以下とな
っている。
【００２２】なお、誘電体６は、重量％で全体の９８％
が誘電体ガラスとなっており、この誘電体ガラスはＳｉ
Ｏ2 ：７０〜８５％と、Ｂ2 Ｏ3 ：８〜１８％と、Ａｌ
2 Ｏ2 ：０．５〜８％と、Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜８％
と含んでいる。
が誘電体ガラスとなっており、この誘電体ガラスはＳｉ
Ｏ2 ：７０〜８５％と、Ｂ2 Ｏ3 ：８〜１８％と、Ａｌ
2 Ｏ2 ：０．５〜８％と、Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜８％
と含んでいる。
【００２３】また、図１（ｄ）に示すように、セラミッ
ク板５の内側面の平均表面荒さを０．５μｍ以下とし、
このセラミック板５の内側面に誘電膜６をコーティング
してもよい。この場合、誘電膜６の平均表面荒さは、
０．５μｍ以下となっている。
ク板５の内側面の平均表面荒さを０．５μｍ以下とし、
このセラミック板５の内側面に誘電膜６をコーティング
してもよい。この場合、誘電膜６の平均表面荒さは、
０．５μｍ以下となっている。
【００２４】図１（ｃ）に示すように、セラミック板５
の内側面に誘電膜６をコーティングし、この誘電膜６の
平均表面荒さを０．５μｍ以下とすることにより、セラ
ミック板５側から電極２，３間の間隙側へ突出する部分
をなくすことができ、これによりオゾン生成効率を向上
させることができる。さらに図１（ｄ）に示す場合は、
セラミック板５側から電極２，３間の間隙側へ突出する
部分がなくなるとともに、セラミック板５自体にも尖端
部５ａがなくなるため、放電集中をより減少させてオゾ
ン生成効率を向上させることができる。
の内側面に誘電膜６をコーティングし、この誘電膜６の
平均表面荒さを０．５μｍ以下とすることにより、セラ
ミック板５側から電極２，３間の間隙側へ突出する部分
をなくすことができ、これによりオゾン生成効率を向上
させることができる。さらに図１（ｄ）に示す場合は、
セラミック板５側から電極２，３間の間隙側へ突出する
部分がなくなるとともに、セラミック板５自体にも尖端
部５ａがなくなるため、放電集中をより減少させてオゾ
ン生成効率を向上させることができる。
【００２５】また、図１（ｃ）（ｄ）に示す実施例にお
いて、誘電層６の表面荒さを種々変化させた場合におけ
るオゾン生成効率を測定した。この測定結果は、図２に
示す結果と略同一となった。
いて、誘電層６の表面荒さを種々変化させた場合におけ
るオゾン生成効率を測定した。この測定結果は、図２に
示す結果と略同一となった。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
一対の電極間の間隙において、放電集中を減少させるこ
とができる。このため、一対の電極間の間隙において、
微小な放電が均一に分布するようになり、局所的な熱お
よび電子の集中がなくなる。このため一対の電極間で生
成したオゾンを破壊することなく、オゾン生成効率を向
上させることができる。
一対の電極間の間隙において、放電集中を減少させるこ
とができる。このため、一対の電極間の間隙において、
微小な放電が均一に分布するようになり、局所的な熱お
よび電子の集中がなくなる。このため一対の電極間で生
成したオゾンを破壊することなく、オゾン生成効率を向
上させることができる。
【図１】本発明によるオゾン発生装置の実施例を示す概
略図。
略図。
【図２】本発明によるオゾン発生装置の作用効果を示す
図。
図。
【図３】従来のオゾン発生装置を示す概略図。
【図４】従来のオゾン発生装置においてセラミックを用
いた状態を示す図。
いた状態を示す図。
２ 高電圧電極 ３ 接地電極 ４ 交流高圧電源 ５ セラミック板 ６ 誘電膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−67106（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−237904（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−291803（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01B 13/11 H01T 23/00
Claims (3)
- 【請求項１】一対の電極と、 この一対の電極に高電圧を印加する電源と、 前記一対の電極の少なくとも一方の内面に設けられたセ
ラミック板と、 前記一対の電極間の間隙に酸素を含む原料ガスを送り込
み、この間隙に生じるプラズマ化学反応により原料ガス
からオゾンを発生させて排出するガス送風装置とを備
え、 前記セラミック板の内側面の平均表面荒さを０．５μｍ
以下としたことを特徴とするオゾン発生装置。 - 【請求項２】一対の電極と、 この一対の電極に高電圧を印加する電源と、 前記一対の電極の少なくとも一方の内面に設けられたセ
ラミック板と、 前記一対の電極間の間隙に酸素を含む原料ガスを送り込
み、この間隙に生じるプラズマ化学反応により原料ガス
からオゾンを発生させて排出するガス送風装置とを備
え、 前記セラミック板の内側面に誘電膜をコーティングし、
この誘電膜の平均表面荒さを０．５μｍ以下としたこと
を特徴とするオゾン発生装置。 - 【請求項３】一対の電極と、 この一対の電極に高電圧を印加する電源と、 前記一対の電極の少なくとも一方の内面に設けられたセ
ラミック板と、 前記一対の電極間の間隙に酸素を含む原料ガスを送り込
み、この間隙に生じるプラズマ化学反応により原料ガス
からオゾンを発生させて排出するガス送風装置とを備
え、 前記セラミック板の内側面の平均表面荒さを０．５μｍ
以下とし、平均表面荒さが０．５μｍ以下のセラミック
板の内側面に誘電膜をコーティングし、この誘電膜の平
均表面荒さを０．５μｍ以下としたたことを特徴とする
オゾン発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18032294A JP3290820B2 (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | オゾン発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18032294A JP3290820B2 (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | オゾン発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0840706A JPH0840706A (ja) | 1996-02-13 |
| JP3290820B2 true JP3290820B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=16081191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18032294A Expired - Lifetime JP3290820B2 (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | オゾン発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3290820B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007176723A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | オゾン発生装置用放電セル |
-
1994
- 1994-08-01 JP JP18032294A patent/JP3290820B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0840706A (ja) | 1996-02-13 |
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Legal Events
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