JP3287329B2 - Package for microwave integrated circuit - Google Patents
Package for microwave integrated circuitInfo
- Publication number
- JP3287329B2 JP3287329B2 JP10912399A JP10912399A JP3287329B2 JP 3287329 B2 JP3287329 B2 JP 3287329B2 JP 10912399 A JP10912399 A JP 10912399A JP 10912399 A JP10912399 A JP 10912399A JP 3287329 B2 JP3287329 B2 JP 3287329B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- resistor
- cap
- microwave integrated
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波集積回路
用パッケージに係り、特にＭＩＣモジュール用パッケー
ジと称されるマイクロ波集積回路用パッケージに関す
る。The present invention relates to a package for a microwave integrated circuit, and more particularly to a package for a microwave integrated circuit called a package for an MIC module.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のＭＩＣモジュール用パッケージ
は、その使用周波数帯域に対してパッケージ内の電磁波
が伝搬する導波管モードの遮断周波数が十分高くなるよ
うな大きさで設計されてきた。しかし、回路部分に用い
る材質の影響により遮断周波数は低下する。また、アン
プモジュールなどの電気部品の中には、使用周波数より
高い周波数まで利得を持つ部品を使用することもあるた
め、その分まで遮断周波数を高くして発振対策を行う必
要性がある。2. Description of the Related Art A conventional MIC module package has been designed in such a size that the cutoff frequency of a waveguide mode in which electromagnetic waves in the package propagates is sufficiently high with respect to the frequency band used. However, the cutoff frequency decreases due to the effect of the material used for the circuit portion. Further, some electric components such as an amplifier module have a gain up to a frequency higher than the operating frequency, so that it is necessary to take measures against oscillation by increasing the cutoff frequency to that extent.
【０００３】一方、遮断周波数を高くしようとすると、
パッケージのサイズは周波数に反比例して小さくなるた
めに、特にミリ波帯などでは、１〜２ｍｍ程度の大きさ
になってしまい、組立・調整等の実行上実現不可能なサ
イズとなってしまう。したがって、パッケージのサイズ
による遮断周波数以下で電磁波が伝搬しなくなること以
外の方法による、パッケージ内の電磁波伝搬の抑圧が必
要となる。On the other hand, when trying to increase the cutoff frequency,
Since the size of the package decreases in inverse proportion to the frequency, the size of the package is about 1 to 2 mm especially in a millimeter wave band or the like, which is a size that cannot be realized in execution of assembly and adjustment. Therefore, it is necessary to suppress the propagation of the electromagnetic wave in the package by a method other than that the electromagnetic wave does not propagate below the cutoff frequency depending on the size of the package.
【０００４】この方法として、従来のマイクロ波集積回
路用パッケージとして図４に示す構成のものが知られて
いる。この従来のマイクロ波集積回路用パッケージは、
金属製の土台であるヘッダ１上にマイクロ波集積回路
（ＭＩＣ）２が搭載されており、金属キャップ３により
封止されている。この金属キャップ３内の天井部分に抵
抗体をメタライズした誘電体基板４を貼り付けて、電波
吸収による伝搬の抑圧を図っている。As this method, a conventional package for a microwave integrated circuit having a configuration shown in FIG. 4 is known. This conventional package for microwave integrated circuits
A microwave integrated circuit (MIC) 2 is mounted on a header 1 which is a metal base, and is sealed by a metal cap 3. A dielectric substrate 4 in which a resistor is metallized is attached to a ceiling portion in the metal cap 3 to suppress propagation due to radio wave absorption.
【０００５】また、金属キャビティ内のマイクロ波用集
積回路ＩＣの上部近傍の天井の金属キャビティ内側面に
は電波吸収体を貼り付け、局部発振信号線路から飛び出
した局部発振信号を吸収し、局部発振信号がＩＦ信号出
力線路に飛び込むのを防ぎ、マイクロ波用ＩＣの本来の
利得、ＮＦを引き出せるようにしたパッケージも従来よ
り知られている（特開平６−１８８６５６号公報）。A radio wave absorber is attached to the inside surface of the metal cavity on the ceiling near the top of the microwave integrated circuit IC in the metal cavity to absorb the local oscillation signal jumping out of the local oscillation signal line, A package that prevents a signal from jumping into an IF signal output line and can extract the original gain and NF of a microwave IC has been conventionally known (Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-188656).
【０００６】更に、パッケージ内のブロック蓋に、少な
くとも片面に抵抗体を設けた誘電体基板を、マイクロ波
集積回路基板と垂直な平面に沿って固定したマイクロ波
集積回路用パッケージも知られている（実開昭６３−１
３６３４５号公報）。すなわち、この従来のマイクロ波
集積回路用パッケージでは、図５の断面図に示すよう
に、ブロックベース５上に搭載されているマイクロ波集
積回路７が、ブロックベース５とブロック蓋６とにより
封止されており、またマイクロ波集積回路７のピン端子
８がブロックベース５を貫通して一部が外部に露出して
いるパッケージにおいて、マイクロ波集積回路７上方の
ブロック蓋６の内部に、表面に抵抗体９ａが形成されて
いる誘電体基板９が、マイクロ波集積回路７に対して垂
直な平面に沿って固定された構造とされており、これに
より、抵抗体９ａにパッケージ内の電界による電流を流
し、伝搬損失を増加させることで、電波吸収による電磁
波のパッケージ内での伝搬を抑圧させる。Further, a microwave integrated circuit package in which a dielectric substrate having a resistor provided on at least one surface of a block lid in the package is fixed along a plane perpendicular to the microwave integrated circuit substrate is also known. (63-1
No. 36345). That is, in this conventional package for a microwave integrated circuit, the microwave integrated circuit 7 mounted on the block base 5 is sealed by the block base 5 and the block lid 6 as shown in the sectional view of FIG. In a package in which the pin terminals 8 of the microwave integrated circuit 7 penetrate the block base 5 and are partially exposed to the outside, the inside of the block lid 6 above the microwave integrated circuit 7 is The dielectric substrate 9 on which the resistor 9a is formed has a structure fixed along a plane perpendicular to the microwave integrated circuit 7, so that the resistor 9a receives a current due to an electric field in the package. To suppress propagation of electromagnetic waves in the package due to radio wave absorption.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかるに、図４に示し
た従来のマイクロ波集積回路用パッケージは、誘電体基
板２の抵抗面が電界方向に垂直となるために、電磁波吸
収の効果が少ないという問題がある。また、特開平６−
１８８６５６号公報記載の従来のマイクロ波集積回路用
パッケージは、金属キャビティ内の電波吸収体は金属突
起部として設けられており、また、実開昭６３−１３６
３４５号公報記載の従来のマイクロ波集積回路用パッケ
ージは、図５に示したように、抵抗体９ａを設けた誘電
体基板９を、マイクロ波集積回路基板７と垂直な平面に
沿って固定しているので、図４に示した従来のパッケー
ジに比べて電磁波吸収効果が大きいが、これらは誘電体
基板のキャビティへの取付位置が単に、マイクロ波集積
回路の上方のキャビティ内であり、取付位置についての
考察はなく、また図５に示した従来パッケージでは、誘
電体基板９を直接ブロック蓋６に固定しているので、誘
電体基板９の周辺においてマイクロ波集積回路７の垂直
方向だけでなく、抵抗体９ａの設置方向と異なる水平方
向にも電界が生じるため、電界吸収効果が不十分であ
る。However, in the conventional microwave integrated circuit package shown in FIG. 4, the effect of absorbing electromagnetic waves is small because the resistance surface of the dielectric substrate 2 is perpendicular to the direction of the electric field. There's a problem. In addition, Japanese Unexamined Patent Publication No.
In the conventional microwave integrated circuit package described in Japanese Patent Publication No. 188656, the radio wave absorber in the metal cavity is provided as a metal projection.
As shown in FIG. 5, the conventional microwave integrated circuit package described in Japanese Patent Publication No. 345 discloses fixing a dielectric substrate 9 provided with a resistor 9 a along a plane perpendicular to the microwave integrated circuit substrate 7. Therefore, the electromagnetic wave absorbing effect is larger than that of the conventional package shown in FIG. 4, but these are simply located in the cavity above the microwave integrated circuit in the cavity of the dielectric substrate. In the conventional package shown in FIG. 5, since the dielectric substrate 9 is directly fixed to the block lid 6, not only the vertical direction of the microwave integrated circuit 7 around the dielectric substrate 9 but also Since an electric field is also generated in a horizontal direction different from the installation direction of the resistor 9a, the electric field absorption effect is insufficient.
【０００８】本発明は以上の点に鑑みなされたもので、
効率的な電磁波吸収を行うことにより、パッケージ内の
電磁波伝搬をより高い周波数まで抑圧し得るマイクロ波
集積回路用パッケージを提供することを目的とする。[0008] The present invention has been made in view of the above points,
It is an object of the present invention to provide a microwave integrated circuit package capable of suppressing electromagnetic wave propagation in a package to a higher frequency by performing efficient electromagnetic wave absorption.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明はマイクロ波集積回路を搭載している平板状
の金属製土台であるヘッダと、ヘッダとの間で空間を有
してマイクロ波集積回路を気密に封止する、平面形状が
長方形の金属製キャップとからなるマイクロ波集積回路
用パッケージにおいて、誘電体基板上に抵抗体が形成さ
れた抵抗基板を、マイクロ波集積回路に離間対向するキ
ャップの内壁面の、キャップの平面形状の長手方向の長
さを２等分する位置に抵抗体が位置し、かつ、抵抗体の
長手方向が前記マイクロ波集積回路の平面に対して垂直
方向になるように、非導電性接着剤によりキャップの内
壁面に接着固定し、抵抗体を非導電性接着剤によりキャ
ップと電気的に絶縁したことを特徴とする。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a header, which is a flat metal base on which a microwave integrated circuit is mounted, and a space between the header and the header. In a microwave integrated circuit package consisting of a metal cap having a rectangular planar shape that hermetically seals the microwave integrated circuit, a resistance substrate in which a resistor is formed on a dielectric substrate is connected to the microwave integrated circuit. A resistor is located at a position on the inner wall surface of the cap facing away, at which the longitudinal length of the planar shape of the cap is divided into two equal parts , and the longitudinal direction of the resistor is set with respect to the plane of the microwave integrated circuit. Hold the cap inside the cap with a non-conductive adhesive so that it is vertical .
Adhesively fix it to the wall, and mount the resistor with a non-conductive adhesive.
It is characterized by being electrically insulated from the tip .
【００１０】また、本発明は、マイクロ波集積回路に離
間対向するキャップの内壁面の一部に、所定の長さで形
成された金属柱と、誘電体基板上に抵抗体が形成されて
おり、抵抗体がキャップの平面形状の長手方向の長さを
２等分する位置に配置されるように、誘電体基板の抵抗
体の形成面とは反対側の裏面が金属柱に固定され、抵抗
体の長手方向がマイクロ波集積回路の平面に対して垂直
方向になるように固定された抵抗基板とを有することを
特徴とする。Further, according to the present invention, a metal pillar having a predetermined length is formed on a part of an inner wall surface of a cap which faces and separates from a microwave integrated circuit, and a resistor is formed on a dielectric substrate. The rear surface of the dielectric substrate opposite to the surface on which the resistor is formed is fixed to the metal pillar so that the resistor is disposed at a position that divides the longitudinal length of the planar shape of the cap into two equal parts. A resistance substrate fixed such that a longitudinal direction of the body is perpendicular to a plane of the microwave integrated circuit.
【００１１】ここで、抵抗基板は、非導電性接着剤によ
りキャップの内壁面に接着されているか、抵抗基板の抵
抗体は、キャップの内壁面側となる一端がキャップに接
触しないように、パターンカットされており、キャップ
と抵抗体とは電気的に絶縁されている。Here, the resistance substrate is adhered to the inner wall surface of the cap with a non-conductive adhesive, or the resistor of the resistance substrate is patterned so that one end on the inner wall surface side of the cap does not contact the cap. It is cut and the cap and the resistor are electrically insulated.
【００１２】通常用いられるマイクロ波集積回路用パッ
ケージ内は、方形導波管の伝送モードを考えることによ
って理解できる。パッケージ設計の基本として、パッケ
ージ内に回路から放射等により発生する電磁波を伝搬し
ないようなサイズにする必要がある。一方、方形導波管
の伝送モードの中で遮断周波数が最も低い伝送モード
は、ＴＥ１０モードであり、このときの遮断周波数ｆｃ
は以下の式で与えられる。The inside of a commonly used microwave integrated circuit package can be understood by considering the transmission mode of a rectangular waveguide. As a basis of package design, it is necessary to make the size such that electromagnetic waves generated by radiation or the like from a circuit do not propagate in the package. On the other hand, the transmission mode with the lowest cutoff frequency among the transmission modes of the rectangular waveguide is the TE10 mode, and the cutoff frequency fc at this time is
Is given by the following equation.
【００１３】ｆｃ＝ｃ0／２ａ （１） ただし、（１）式中、ｃ0は光速、ａは方形導波管の横
方向長である。Fc = c 0 / 2a (1) where c 0 is the speed of light and a is the lateral length of the rectangular waveguide.
【００１４】ＴＥ１０モードでは電界は進行方向の成分
（ｚ成分）を持たず、偏波面内においてもマイクロ波集
積回路に対して垂直な方向であるｙ方向成分しかもた
ず、その電界分布は Ｅｙ＝Ａｓｉｎ（πｘ／ａ） （２） で表される。ただし、（２）式中、Ａは定数である。従
って、（２）式からｘ＝ａ／２のときに電界強度Ｅｙが
最大となる。電流は電界方向と同じ方向に生じるため、
上記の電界強度Ｅｙが最大となる部分に抵抗体を配置し
て電流を消費させることが、電界の吸収効果が最も高い
と考えられる。In the TE10 mode, the electric field has no component in the traveling direction (z component), has only a y-direction component perpendicular to the microwave integrated circuit even in the plane of polarization, and the electric field distribution is Ey = Asin (πx / a) (2) However, in the equation (2), A is a constant. Therefore, from the equation (2), the electric field strength Ey becomes maximum when x = a / 2. Since the current is generated in the same direction as the direction of the electric field,
It is considered that arranging the resistor in the portion where the electric field strength Ey is maximum and consuming the current has the highest electric field absorption effect.
【００１５】本発明は上記の点に着目し、パッケージ
内で電界強度が最大となる場所、すなわち、キャップの
平面形状の長手方向の長さを２等分する位置に抵抗基板
の抵抗体を配置し、抵抗基板の抵抗体の長手方向を電
界方向と同じ方向、すなわちマイクロ波集積回路の平面
に対して垂直方向に設置するようにしたものである。こ
れにより、パッケージ内の電界を最も効率良く吸収する
ことができる。The present invention focuses on the above points, and arranges the resistor of the resistive substrate at a position where the electric field strength is maximum in the package, that is, at a position where the longitudinal length of the planar shape of the cap is divided into two equal parts. The longitudinal direction of the resistor on the resistor substrate is set in the same direction as the direction of the electric field, that is, perpendicular to the plane of the microwave integrated circuit. Thereby, the electric field in the package can be absorbed most efficiently.
【００１６】また、本発明は、上記の抵抗基板の抵抗体
とパッケージの間は電気的に絶縁するようにしたもので
ある。抵抗基板をパッケージに図５に示したように直接
設置すると、抵抗基板周辺における電界分布が、マイク
ロ波集積回路に対して垂直なｙ方向だけでなく、ｘ方向
成分も生じ、電界方向と抵抗基板の方向とが異なるｘ方
向の電界成分の効率的な吸収ができず、電界吸収効果が
低下する。これに対し、本発明では、抵抗基板の抵抗体
とパッケージの間は電気的に絶縁しているので、上記ｘ
方向の電界分布の発生を防止できる。According to the present invention, the resistor and the package of the resistor substrate are electrically insulated from each other. When the resistive substrate is directly installed on the package as shown in FIG. 5, the electric field distribution around the resistive substrate generates not only the y direction perpendicular to the microwave integrated circuit but also the x direction component. , The electric field component in the x direction, which is different from the x direction, cannot be efficiently absorbed, and the electric field absorption effect decreases. On the other hand, in the present invention, since the resistance between the resistor of the resistance substrate and the package is electrically insulated, the above x
The generation of the electric field distribution in the direction can be prevented.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態につ
いて図面と共に説明する。図１は本発明になるマイクロ
波集積回路用パッケージの第１の実施の形態の断面図を
示す。同図において、パッケージは、マイクロ波集積回
路（ＭＩＣ）１１を搭載している平板状の金属製土台で
あるヘッダ１２と、ヘッダ１２との間で空間を有してＭ
ＩＣ１１を気密に封止し、かつ、ＭＩＣ１１と離間対向
する内壁面に誘電体基板１５が取り付けられた、平面形
状が長方形である金属製のキャップ１３とからなる。誘
電体基板１５はその基板上に抵抗体１４が形成されてお
り、全体として前記抵抗基板を構成している。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of a microwave integrated circuit package according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, the package includes a header 12 which is a flat metal base on which a microwave integrated circuit (MIC) 11 is mounted, and a package having a space between the header 12 and M.
It comprises a metal cap 13 which has a rectangular planar shape and in which the IC 11 is hermetically sealed and a dielectric substrate 15 is attached to the inner wall surface facing away from the MIC 11. The dielectric substrate 15 has the resistor 14 formed on the substrate, and constitutes the resistor substrate as a whole.
【００１８】上記の誘電体基板１５は、図１中、キャッ
プ１３の横方向の長さａを２等分するキャップ１３の内
壁面位置（キャップ１３の平面形状の長手方向の長さａ
を２等分する位置）に、抵抗体１４が丁度位置するよう
に、かつ、抵抗体１４の長手方向がＭＩＣ１１に対して
垂直となる方向に、非導電性の接着剤１６で取り付けら
れている。従って、抵抗体１４はキャップ１３と絶縁さ
れている。基板上に抵抗体１４が形成された誘電体基板
１５の材質は、なるべく比誘電率が低いもの（例えば１
０以下のもの）が望ましい。In FIG. 1, the dielectric substrate 15 is located at the position of the inner wall surface of the cap 13 that divides the horizontal length a of the cap 13 into two equal parts (the longitudinal length a of the planar shape of the cap 13).
At a position where the resistor 14 is divided into two equal parts), and the resistor 14 is attached with a non-conductive adhesive 16 in a direction in which the longitudinal direction of the resistor 14 is perpendicular to the MIC 11. . Therefore, the resistor 14 is insulated from the cap 13. The material of the dielectric substrate 15 in which the resistor 14 is formed on the substrate is as low as possible (for example, 1).
0 or less) is desirable.
【００１９】前述したように、通常用いられるマイクロ
波集積回路用パッケージ内は、方形導波管の伝送モード
を考えることによって理解でき、方形導波管の伝送モー
ドの中で遮断周波数が最も低いＴＥ１０モードでは、図
２に矢印の電気力線で示すように、電界はＭＩＣ１１に
対して垂直な方向であるｙ方向成分しか持たず、その電
界強度Ｅｙはキャップ１３の横方向の長さ（キャップ１
３の平面形状は長方形であり、その長手方向の長さ）ａ
を２等分する位置で最大となるため、この実施の形態の
ように、キャップ１３の内壁面の横方向の長さａを２等
分する位置に、かつ、電界の方向と平行な方向に、抵抗
体１４が配置されているため、導波管モードとして伝搬
する電界によって電流が抵抗体１４に効率良く流れ、伝
搬損失が増加する。As described above, the inside of a commonly used microwave integrated circuit package can be understood by considering the transmission mode of a rectangular waveguide, and TE10 having the lowest cutoff frequency among the transmission modes of a rectangular waveguide. In the mode, the electric field has only the y-direction component perpendicular to the MIC 11 as shown by the electric lines of force in FIG. 2, and the electric field strength Ey is the length of the cap 13 in the horizontal direction (cap 1
3 has a rectangular shape, and its length in the longitudinal direction) a
Is obtained at a position where the horizontal length a of the inner wall surface of the cap 13 is divided into two equal parts, and in a direction parallel to the direction of the electric field, as in this embodiment. Since the resistor 14 is disposed, the electric current efficiently flows through the resistor 14 due to the electric field propagating in the waveguide mode, and the propagation loss increases.
【００２０】この結果、この実施の形態では電界吸収効
果を最も高くでき、従来、パッケージの大きさによって
いた導波管モードの遮断周波数以上の周波数でも電磁波
のパッケージ内の伝搬を抑圧できる。すなわち、この実
施の形態によれば、パッケージのサイズが大きくても遮
断周波数を高くすることができるため、組み立て・調整
等の実装条件の容易な大型のパッケージを用いることが
できる。As a result, in this embodiment, the electric field absorption effect can be maximized, and the propagation of the electromagnetic wave in the package can be suppressed even at a frequency higher than the cut-off frequency of the waveguide mode, which has conventionally depended on the size of the package. That is, according to this embodiment, the cut-off frequency can be increased even if the size of the package is large, so that a large-sized package with easy mounting conditions such as assembly and adjustment can be used.
【００２１】しかも、この実施の形態では、抵抗体１４
は金属製のキャップ１３とは電気的に絶縁されているた
め、図２に矢印で示したｙ方向の電界に直交するｘ方向
の電界が殆ど生じないようにでき、このことから抵抗体
１４による電界吸収効果を最大限に上げることができ
る。Moreover, in this embodiment, the resistor 14
Is electrically insulated from the metal cap 13, so that an electric field in the x direction orthogonal to the electric field in the y direction indicated by the arrow in FIG. 2 can be substantially prevented from being generated. The electric field absorption effect can be maximized.
【００２２】図３は本発明になるマイクロ波集積回路用
パッケージの第２の実施の形態の断面図を示す。同図
中、図１と同一構成部分には同一符号を付してある。図
３において、金属製のキャップ１３内のＭＩＣ１１の上
方の一端から所定幅で所定長さの金属柱１８が形成され
ており、その側壁には誘電体基板１９のメタライズされ
た裏面がロウ付けされている。誘電体基板１９の表面に
は抵抗体２０が形成されているが、抵抗体２０はキャッ
プ１３と接触することがないように、２１で示すよう
に、片端が短くされている（パターンカットされてい
る）。従って、抵抗体２０とキャップ１３とは電気的に
絶縁されている。FIG. 3 is a sectional view of a microwave integrated circuit package according to a second embodiment of the present invention. In the figure, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In FIG. 3, a metal column 18 having a predetermined width and a predetermined length is formed from an upper end of the MIC 11 in a metal cap 13 and a metalized back surface of a dielectric substrate 19 is brazed to a side wall thereof. ing. A resistor 20 is formed on the surface of the dielectric substrate 19, and the resistor 20 has one end shortened (pattern cut as shown at 21) so as not to come into contact with the cap 13. There). Therefore, the resistor 20 and the cap 13 are electrically insulated.
【００２３】ここで、抵抗体２０は、キャップ１３の横
方向の長さａを２等分するキャップ１３の内壁面位置に
丁度位置するように、かつ、その長手方向がＭＩＣ１１
に対して垂直となる方向に形成されている点は第１の実
施の形態の抵抗体１４と同じである。従って、この実施
の形態も第１の実施の形態と同様に、抵抗体２０による
電界吸収効果を最大限に上げて、導波管モードの遮断周
波数以上の周波数でも電磁波のパッケージ内の伝搬を抑
圧できる。Here, the resistor 20 is positioned exactly at the inner wall surface of the cap 13 that divides the lateral length a of the cap 13 into two equal parts, and its longitudinal direction is the MIC 11.
The point formed in the direction perpendicular to the direction is the same as that of the resistor 14 of the first embodiment. Therefore, in this embodiment, similarly to the first embodiment, the electric field absorption effect of the resistor 20 is maximized, and the propagation of the electromagnetic wave in the package is suppressed even at a frequency higher than the cutoff frequency of the waveguide mode. it can.
【００２４】この実施の形態では、上記の効果に加え
て、金属柱１８により誘電体基板１９の設置位置の精度
並びに抵抗体２０の電界との方向に対する平行性を高く
できるため、抵抗体２０による電界吸収効果をより効果
的に得ることが期待できる。なお、誘電体基板１９の裏
面はロウ付け可能になるように金メッキ２２等のパター
ンが形成されている。また、金属柱１８はキャップ１３
に導電性の接着剤で接着してもよいし、キャップ１３と
一体的に構成するようにしてもよい。In this embodiment, in addition to the above effects, the accuracy of the installation position of the dielectric substrate 19 and the parallelism of the resistor 20 with respect to the direction of the electric field can be increased by the metal pillar 18. It can be expected that the electric field absorption effect can be obtained more effectively. Note that a pattern such as gold plating 22 is formed on the back surface of the dielectric substrate 19 so that it can be brazed. In addition, the metal column 18 is
May be bonded with a conductive adhesive, or may be configured integrally with the cap 13.
【００２５】なお、本発明は以上の実施の形態に限定さ
れるものではなく、例えば、図１の抵抗基板（抵抗体１
４及び誘電体基板１５）を、図３の抵抗基板（誘電体基
板１９及び抵抗体２０）に代えて用いてキャップ１３に
非導電性接着剤で接着してもよく、また、逆に図３の抵
抗基板を図１の抵抗基板の代わりに用いて、導電性ある
いは非導電性接着剤で接着するようにしてもよい。The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, the resistor substrate (the resistor 1) shown in FIG.
4 and the dielectric substrate 15) may be used in place of the resistance substrate (the dielectric substrate 19 and the resistor 20) of FIG. 3 and adhered to the cap 13 with a non-conductive adhesive. 1 may be used in place of the resistor substrate of FIG. 1 and bonded with a conductive or non-conductive adhesive.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
キャップの平面形状の長手方向の長さを２等分する位置
に抵抗基板の抵抗体を配置し、マイクロ波集積回路の平
面に対して垂直方向に抵抗体を設置するようにしたた
め、導波管モードとして伝搬する電界によって電流が抵
抗体に効率良く流れ、伝搬損失を増加させることがで
き、これにより、電界吸収効果を最も高くでき、アンプ
モジュールにおけるパッケージ内の帰還による異常発振
の抑圧を期待できる。As described above, according to the present invention,
Since the resistor of the resistor substrate is arranged at a position where the length in the longitudinal direction of the planar shape of the cap is bisected, and the resistor is arranged in a direction perpendicular to the plane of the microwave integrated circuit, the waveguide is formed. The current can efficiently flow through the resistor due to the electric field propagating as a mode, and the propagation loss can be increased. As a result, the electric field absorption effect can be maximized, and suppression of abnormal oscillation due to feedback in the package in the amplifier module can be expected. .
【００２７】また、使用周波数が高い際に、従来は遮断
周波数を十分高く取るためにパッケージのサイズが小さ
くなり、組立工程が複雑になっていたが、本発明によれ
ば、パッケージのサイズが大きくても遮断周波数を高く
することができるため、組み立て・調整等の実装条件の
容易な大型のパッケージを用いることができる。In addition, when the operating frequency is high, the size of the package has conventionally been reduced in order to obtain a sufficiently high cutoff frequency, and the assembly process has been complicated. However, according to the present invention, the size of the package is increased. However, since the cutoff frequency can be increased, a large-sized package with easy mounting conditions such as assembly and adjustment can be used.
【００２８】また、本発明によれば、抵抗体は金属製の
キャップとは電気的に絶縁されているため、マイクロ波
集積回路の平面に平行な方向の電界が殆ど生じないよう
にでき、このことから抵抗体による電界吸収効果を最大
限に上げることができる。According to the present invention, since the resistor is electrically insulated from the metal cap, an electric field in a direction parallel to the plane of the microwave integrated circuit can be substantially prevented from being generated. Therefore, the electric field absorption effect of the resistor can be maximized.
【００２９】更に、本発明によれば、キャップの内壁面
の一部に所定の長さで形成された金属柱の側面に、抵抗
基板を配置することにより、抵抗体の電界方向に対する
平行性を高くできるため、抵抗体による電界吸収効果を
より効率良く得ることができる。Further, according to the present invention, the parallelism of the resistor with respect to the direction of the electric field can be improved by disposing the resistor substrate on the side surface of the metal pillar formed with a predetermined length on a part of the inner wall surface of the cap. Since the resistance can be increased, the electric field absorption effect of the resistor can be more efficiently obtained.
【図１】本発明の第１の実施の形態の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a first embodiment of the present invention.
【図２】パッケージ内の電界分布の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of an electric field distribution in a package.
【図３】本発明の第２の実施の形態の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a second embodiment of the present invention.
【図４】従来の一例の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of an example of the related art.
【図５】実開昭６３−１３６３４５号公報記載の従来の
他の例の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of another conventional example described in Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 63-136345.
１１ マイクロ波集積回路（ＭＩＣ） １２ ヘッダ １３ キャップ １４、２０ 抵抗体 １５、１９ 誘電体基板 １６ 非導電性接着剤 １８ 金属柱 ２１ パターンカット部 Reference Signs List 11 Microwave integrated circuit (MIC) 12 Header 13 Cap 14, 20 Resistor 15, 19 Dielectric substrate 16 Non-conductive adhesive 18 Metal pillar 21 Pattern cut portion
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−236935（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−188656（ＪＰ，Ａ) 特開2000−165084（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−79255（ＪＰ，Ａ) 特開2000−114410（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−136345（ＪＰ，Ｕ) 実開 平１−107141（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/00 - 23/10 H01L 23/16 - 23/26 H03F 3/60 H05K 9/00 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) References JP-A-6-236935 (JP, A) JP-A-6-188656 (JP, A) JP-A-2000-165084 (JP, A) JP-A-4-79255 (JP, A) JP-A-2000-114410 (JP, A) JP-A-63-136345 (JP, U) JP-A-1-107141 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , (DB name) H01L 23/00-23/10 H01L 23/16-23/26 H03F 3/60 H05K 9/00
Claims (5)
状の金属製土台であるヘッダと、該ヘッダとの間で空間
を有して前記マイクロ波集積回路を気密に封止する、平
面形状が長方形の金属製キャップとからなるマイクロ波
集積回路用パッケージにおいて、 誘電体基板上に抵抗体が形成された抵抗基板を、前記マ
イクロ波集積回路に離間対向する前記キャップの内壁面
の、該キャップの平面形状の長手方向の長さを２等分す
る位置に前記抵抗体が位置し、かつ、該抵抗体の長手方
向が前記マイクロ波集積回路の平面に対して垂直方向に
なるように、非導電性接着剤により前記キャップの内壁
面に接着固定し、前記抵抗体を前記非導電性接着剤によ
り前記キャップと電気的に絶縁したことを特徴とするマ
イクロ波集積回路用パッケージ。A planar metal base on which a microwave integrated circuit is mounted, and a planar shape which has a space between the header and hermetically seals the microwave integrated circuit. A microwave integrated circuit package comprising a rectangular metal cap, wherein a resistance substrate having a resistor formed on a dielectric substrate is separated from the microwave integrated circuit by an inner wall surface of the cap. longitudinal length 2 and the resistor equally located position, and a planar shape, so that the longitudinal direction of the resistive element antibodies is perpendicular to the plane of the microwave integrated circuit, non The inner wall of the cap is made of a conductive adhesive.
The resistor is fixed to the surface with the non-conductive adhesive.
A microwave integrated circuit package electrically insulated from the cap .
状の金属製土台であるヘッダと、該ヘッダとの間で空間
を有して前記マイクロ波集積回路を気密に封止する、平
面形状が長方形の金属製キャップとからなるマイクロ波
集積回路用パッケージにおいて、 誘電体基板上に抵抗体が形成された抵抗基板を、前記マ
イクロ波集積回路に離間対向する前記キャップの内壁面
の、該キャップの平面形状の長手方向の長さを２等分す
る位置に前記抵抗体が位置するように固定し、かつ、該
抵抗体の長手方向が前記マイクロ波集積回路の平面に対
して垂直方向になるように固定すると共に、前記抵抗基
板の抵抗体は、前記キャップの内壁面側となる一端が該
キャップに接触しないように、パターンカットされてい
ることを特徴とする マイクロ波集積回路用パッケージ。2. A flat plate on which a microwave integrated circuit is mounted.
And a space between the header, which is a metal base
Having a hermetically sealed microwave integrated circuit,
Microwave consisting of a metal cap with a rectangular surface
In a package for an integrated circuit, a resistance substrate in which a resistor is formed on a dielectric substrate is attached to the substrate.
Inner wall surface of the cap facing away from the microwave integrated circuit
The length in the longitudinal direction of the planar shape of the cap
Fixed so that the resistor is located at a position
The longitudinal direction of the resistor corresponds to the plane of the microwave integrated circuit.
And fix it vertically.
The resistor of the plate has one end facing the inner wall surface of the cap.
The pattern is cut so that it does not touch the cap.
A package for a microwave integrated circuit.
状の金属製土台であるヘッダと、該ヘッダとの間で空間
を有して前記マイクロ波集積回路を気密に封止する、平
面形状が長方形の金属製キャップとからなるマイクロ波
集積回路用パッケージにおいて、 前記マイクロ波集積回路に離間対向する前記キャップの
内壁面の一部に、所定の長さで形成された金属柱と、 誘電体基板上に抵抗体が形成されており、該抵抗体が前
記キャップの平面形状の長手方向の長さを２等分する位
置に配置されるように、該誘電体基板の該抵抗体の形成
面とは反対側の裏面が前記金属柱に固定され、該抵抗体
の長手方向が前記マイクロ波集積回路の平面に対して垂
直方向になるように固定された抵抗基板とを有すること
を特徴とするマイクロ波集積回路用パッケージ。3. A planar shape which has a space between the header and a header which is a flat metal base on which a microwave integrated circuit is mounted, and hermetically seals the microwave integrated circuit. A microwave metal integrated circuit package comprising a rectangular metal cap, a metal column formed with a predetermined length on a part of an inner wall surface of the cap spaced apart from and facing the microwave integrated circuit; A surface on which the resistor is formed on the dielectric substrate such that the resistor is formed on the substrate, and the resistor is arranged at a position that divides the longitudinal length of the planar shape of the cap into two equal parts. And a resistance substrate fixed to the metal pillar on the opposite side to the metal pillar, and fixed such that the longitudinal direction of the resistor is perpendicular to the plane of the microwave integrated circuit. Package for microwave integrated circuit Di.
の内壁面側となる一端が該キャップに接触しないよう
に、パターンカットされていることを特徴とする請求項
３記載のマイクロ波集積回路用パッケージ。4. The resistor of the resistor substrate is pattern-cut so that one end on the inner wall surface side of the cap does not contact the cap.
4. The package for a microwave integrated circuit according to 3 .
接着剤により前記キャップと電気的に絶縁されるよう
に、該非導電性接着剤により前記キャップの内壁面に接
着されていることを特徴とする請求項３記載のマイクロ
波集積回路用パッケージ。5. The resistor substrate, wherein the resistor is non-conductive.
It is electrically insulated from the cap by an adhesive.
, The microwave integrated circuit package according to claim 3, characterized in that it is adhered to the inner wall surface of the cap by the nonconductive adhesive.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10912399A JP3287329B2 (en) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | Package for microwave integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10912399A JP3287329B2 (en) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | Package for microwave integrated circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000299397A JP2000299397A (en) | 2000-10-24 |
| JP3287329B2 true JP3287329B2 (en) | 2002-06-04 |
Family
ID=14502153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10912399A Expired - Fee Related JP3287329B2 (en) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | Package for microwave integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3287329B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4490832B2 (en) * | 2005-01-18 | 2010-06-30 | 株式会社日立国際電気 | Semiconductor package |
| CN109887904A (en) * | 2019-04-16 | 2019-06-14 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | A kind of encapsulating structure and printed circuit board of millimeter wave chip |
-
1999
- 1999-04-16 JP JP10912399A patent/JP3287329B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000299397A (en) | 2000-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3287329B2 (en) | Package for microwave integrated circuit | |
| JPH05167302A (en) | High frequency power amplifier circuit device and high frequency module including said circuit device | |
| KR100983855B1 (en) | High-frequency semiconductor device | |
| JPH08102607A (en) | Antenna element installation to radio equipment | |
| JP3110405B2 (en) | High frequency circuit package | |
| JP2003152286A (en) | Static sound structure of mounting board | |
| JP2001177312A (en) | High-frequency connection module | |
| JP3684271B2 (en) | Power module | |
| JP2002026656A (en) | Saw oscillator | |
| JP3892051B2 (en) | Device for suppressing frequency selectivity of high frequency signals | |
| JP3013845B1 (en) | High frequency integrated circuit package | |
| JP2000183488A (en) | Hybrid module | |
| JPH08274512A (en) | Microwave semiconductor integrated circuit device | |
| CN214959471U (en) | Resonator base | |
| JP2974195B2 (en) | Package for microwave IC | |
| JP2000133765A (en) | High-frequency integrated circuit device | |
| JPH11238823A (en) | Semiconductor package | |
| JPH11338361A (en) | Display device | |
| JP3327535B2 (en) | Crystal oscillator for surface mounting | |
| JP3277299B2 (en) | HIC module for high frequency | |
| JP2876579B2 (en) | Microwave integrated circuit | |
| JP2001284492A (en) | Device module and package | |
| JP3153413B2 (en) | Plug-in unit housing structure | |
| JP2002094260A (en) | Microwave module housing chassis | |
| JP2001053508A (en) | Mounting structure for high-frequency circuit component |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |