JP3283918B2 - 高透磁性組成物 - Google Patents
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Description
−レンスルフィド組成物に関するものである。
た耐熱性、耐薬品性、電気絶縁性を持ったエンジニアリ
ングプラスチックであり、その本来持った特徴を活かし
て電気電子分野、自動車分野等の産業分野に広く用いら
れるようになってきた。
バインダ−とし、軟磁性材料を分散させた透磁性組成物
は、ポリアリ−レンスルフィド樹脂が持つ耐熱性、耐薬
品性、電気絶縁性に加え、小さい成形収縮率を生かして
各種コイル、インダクタ、フィルターに利用することが
検討されつつある。特に、軟磁性材料のうちNi−Zn
系フェライトは電気絶縁性に優れる特徴を生かし中間周
波数、高周波周波数向け回路部品に適する。
は、組成物中の軟磁性粉含有量を増す方法が採られてき
た。しかしながら、ポリアリ−レンスルフィド樹脂をバ
インダ−とし、Ni−Zn系フェライトを磁性体とする
組成物において、Ni−Zn系フェライトの含有量を増
しても成形品の透磁率を向上させる事は困難であった。
アリ−レンスルフィド樹脂とNi−Zn系フェライトか
らなる組成物では得られなかった透磁率の高い樹脂組成
物を提供することである。
よりも透磁率の大きい焼成された磁性体を選んだからと
いって、これを分散させた樹脂組成物において透磁率の
大きいものが得られるわけではない。そのため本発明の
発明者は、透磁性に優れた樹脂組成物を得るべく種々検
討を重ねたところ、次のような特定の組成の焼成された
Ni−Zn−Cu系フェライトを用いるとポリアリーレ
ンスルフィド樹脂との組み合わせにおいて透磁率の高い
組成物が得られることを見出し、本発明に至った。
リ−レンスルフィド樹脂5〜30重量%と、Ni−Zn
−Cu系フェライト粉70〜95重量%からなり、該フ
ェライトの化学式をFeを基準にして NiaZnbCucFe2Od (式1) とするとき、上記a、b、c、dが(式2)〜(式5)
を満たす事を特徴とする高透磁性組成物である。 0.10≦ a ≦0.70 (式2) 0.10≦ b ≦0.80 (式3) 0.10≦ c ≦0.35 (式4) 3.97≦ d ≦4.20 (式5) 以下、本発明を詳細に説明する。
i,Znともに多すぎても少なくても透磁率を上げるこ
とができないことはよく知られていることであるが、N
i−Zn−Cu系フェライトにおいても、ニッケルの含
有量aは0.10〜0.70であり、好ましくは0.1
5〜0.50、より好ましくは0.17〜0.30であ
る。また亜鉛の含有量bは0.10〜0.80であり、
好ましくは0.40〜0.75、より好ましくは0.5
0〜0.70である。
ぎても少なくても透磁率を上げることができないが、そ
の範囲はa,bとは較べ狭い範囲であり、0.10〜
0.35、好ましくは0.15〜0.30、より好まし
くは0.17〜0.25である。0.10未満、及び
0.35を超えると、射出成形或いは圧縮成形等で得ら
れた成形品の透磁率を上げることが困難である。
3.97〜4.20、好ましくは3.98〜4.15、
より好ましくは3.99〜4.10である。3.97未
満、及び4.20を超える場合、射出成形或いは圧縮成
形等で得られた成形品の電気絶縁性が損なわれ、高い周
波数において高透磁性を保つことが困難となるため好ま
しくない。本発明で用いるNi−Zn−Cu系フェライ
ト粉は、所望の透磁率(好ましくは飽和透磁率の80%
以上)を得るべく既に焼成されたものである。ここで、
飽和透磁率とは、特定の組成の磁性体を異なる温度で焼
成した際に得られる最高の透磁率をいう。本発明で用い
るNi−Zn−Cu系フェライトは、一般に1300〜
1350℃の焼成温度で飽和透磁率が得られ、それ以上
の焼成温度では組成変化により却って透磁率が低下する
傾向がある。なお、本発明で用いるNi−Z n−Cu系
フェライト粉は、1100℃というような比較的低い焼
成温度でも飽和透磁率に近い透磁率が得られる特徴を有
する(後記表1の実施例2に関する註参照)。
イト粉の平均粒径は、光散乱法(堀場製作所製LAー5
00を使用)により求めた値が好適には3ミクロン〜2
00ミクロン、より一層好ましくは5〜200ミクロン
であるものが用いられる。平均粒径が3ミクロン未満で
は、組成物の溶融粘度が極端に高くなり、満足な外観の
成形品を得るのが困難となり、且つ粒子径が細かいほど
相対的に透磁率も低下するためである。また、該フェラ
イト粉の平均粒径が200ミクロンを超えると、微小形
状の成形品を得ることが困難となったり、金型表面の摩
耗が促進される問題が生じるからである。
その表面をシランカップリング剤、チタネ−トカップリ
ング剤、アルミニウムカップリング剤、燐系カップリン
グ剤等、公知の表面処理剤で表面処理するのは何等差し
支えが無い。
ンスルフィド樹脂とは、主構成単位として−(−Ar−
S−)−(ここで“−Ar−”はアリーレン基を意味す
る)を50重量%以上、好ましくは70重量%以上、よ
り好ましくは90重量%以上含むポリマーである。
モノマーから得られた実質的に線状構造を有するポリア
リーレンスルフィドは、靱性に優れるため好ましい。但
し、部分的に架橋構造を含むもの、或いは酸化架橋によ
り溶融粘度の増大処理(キュアー)を行ったものであっ
ても機械的物性が損なわれない限り用いることは何等差
し支えない。
下記化1に示すp−フェニレンスルフィド単位である。
モポリマーであってもよいし、ランダム共重合体であっ
ても良いし、ブロック共重合体であっても良い。共重合
体の場合は化1に示すアリーレンスルフィドを50重量
%以上、特に60重量%以上とし、下記
フェニレンスルフィド単位、三官能フェニルスルフィド
単位、ナフタレンスルフィド単位、フェニルケトンフェ
ニルスルフィド単位、フェニルスルフォン単位、フェニ
ルエ−テルフェニルスルフィド単位、フェニルスルホン
フェニルスルフィド単位、フェニルケトンフェニルケト
ンフェニルスルフィド単位のいずれか1種以上を50重
量%以下、特に40重量%以下とするものが好ましく用
いられる。
10℃とし、剪断速度を103/秒とする条件下におけ
る溶融粘度が1〜200Pa・s(10〜2000ポイ
ズ)、より好ましくは2〜120Pa・s(20〜12
00ポイズ)、更に好ましくは2.5〜100Pa・s
(25〜1000ポイズ)であるものが用いられる。
ェライト粉70〜95重量%、好ましくは75〜93重
量%と、ポリアリーレンスルフィド樹脂5〜30重量
%、好ましくは7〜25重量%からなる。上記フェライ
ト粉が70重量%より少ないと透磁率が小さく、95重
量%より大きいと組成物が脆くなるためである。
ニレンエ−テル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン、ポ
リエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリスチレン等
のポリアリーレンスルフィド樹脂以外の熱可塑性樹脂、
エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂或いはその硬化物等を0
〜25重量%まで含めても良い。
酸カリウム、炭化珪素、セラミックス繊維、窒化珪素、
アスベスト等の繊維状無機強化材、アラミド繊維等の繊
維状有機強化材を0〜15重量%含有しても何等差し支
えない。
上させるために本発明組成物にエポキシ変性シリコーン
オイルを添加し、混合することが好ましい。かかる添加
により半田リフロー等の熱衝撃後もコイル若しくは端子
電極と組成物との剥離或いは成形品の割れが抑えられ
る。本発明で用いられるエポキシ変性シリコーンオイル
は末端をエポキシ変性したシリコーンオイルであって、
エポキシ当量が350〜1000g/当量、より好まし
くは400〜700g/当量のものが用いられる、エポ
キシ変性シリコーンオイルは組成物中、0.1〜5重量
%、より一層好ましくは0.2〜2重量%用いられる。
尚、エポキシ当量の測定は試料にテトラヒドロフランと
塩酸を加え、エポキシ基と塩酸を反応させ、未反応の塩
酸をアルカリで滴定する方法による。
ものではないが、射出成形、圧縮成形等、高い圧力を印
加する成形方法が好適に用いられる。
磁性部品は、コイルコア、インダクタ、ロ−タリ−トラ
ンス、EMIフィルタ、バラン等、高透磁性と電気絶縁
性が求められる用途に好適に用いられる。
は、下記の方法で評価を行った。 [試験片の作成方法] 射出成形機(日精樹脂製PS−10Eを使用)にペレッ
ト状の各実施例に示す構成からなる組成物を供給し、シ
リンダ温度340℃、ノズル温度340℃、射出圧力1
500kgf/cm2、金型温度160℃にて外径36
mm、内径24mm、厚さ10mmのトロイダル状コア
を射出成形した。
φ)を165回巻き、横河ヒュ−レットパッカ−ド製イ
ンピ−ダンスアナライザ−HP4192Aによって10
0KHzにおけるインダクタンスを測定し次式から透磁
率μを求めた。μ=(L×l1×107)/(4πn
2S)但し、ここでLはインダクタンス、l1は磁路長、
nは巻き数、Sはコア断面積である。また、l1は次式
で表される。 l1=(ld−ls)/log(ld/ls)×π 但し、ここでldはコア外周直径、lsはコア内周直径で
ある。
るNi−Zn−Cu系フェライト粉(焼成温度1100
℃、平均粒径:11μm)13.5kgと直鎖状フェニ
レンスルフィドホモポリマー(溶融粘度は前記条件下で
約20Pa・s(200ポイズ)である)1.5kgと
を20ltrヘンシェルミキサ−にて混合し、二軸混練
押出機へ供給して溶融混練を行いペレット状の組成物を
得た。得られた組成物を上記方法によりトロイダル状コ
アに成形し、その透磁率を測定したところ、14.8H
/mの値が得られた。
透磁率を後記実施例及び比較例の結果と共にまとめて下
表1に示す。
るNi−Zn−Cu系フェライト粉(焼成温度:110
0℃)13.5kgと直鎖状フェニレンスルフィドホモ
ポリマー1.5kgから、実施例1と同様に組成物を
得、さらに成形品を得て表1に示す結果を得た。
るNi−Zn−Cu系フェライト粉(焼成温度:110
0℃)13.5kgとポリフェニレンスルフィド樹脂
1.5kgから実施例1と同様に組成物と成形品を得て
表1に示す結果を得た。
るNi−Zn−Cu系フェライト粉(焼成温度:110
0℃)13.5kgとポリフェニレンスルフィド樹脂
1.5kgから実施例1と同様に組成物と成形品を得て
表1に示す結果を得た。
直径1.8mm、厚さ3mmの円柱とする形状のフェラ
イトのみからなるインダクタ用チップ形磁芯を用意し
た。その円柱の周りにコイルを巻き、両円板内を通して
円板の外側に端子を取り出した。実施例1で作成された
組成物を用いて射出成形によって、大きさを7mm×4
mm×4mmとする直方体にこの磁芯を封止成形した。
射出成形機は日本製鋼所製JT−40型を使用した。得
られた物品を260℃の半田浴に10秒間浸漬した後、
取り出し、外観を観察したところ、リード部の割れ、表
面の異常は認められなく、またインダクタンスも半田浴
への浸漬前後において変化が認められなかった。
るNi−Zn−Cu系フェライト粉(焼成温度:110
0℃)12.75kgとポリフェニレンスルフィド樹脂
2.25kgとを20ltrヘンシェルミキサ−にて混
合し、さらにエポキシ変性シリコーンオイル112.5
gを添加混合した。得られた混合物を二軸混練押出機へ
供給して溶融混練し、ペレット状組成物と成形品を得て
表1に示す結果を得た。
製JT−40型を使用)へ供給し、コイルを実施例5と
同様に封止成形した。成形物を、260℃に保持した半
田浴に10秒間浸漬した後、取り出し、外観を観察した
ところ、リード部の割れ、表面の異常は認められなく、
またインダクタンスも半田浴への浸漬前後において変化
が認められなかった。
Zn系フェライト粉(焼成温度:1300℃)13.5
kgとポリフェニレンスルフィド樹脂1.5kgとか
ら、実施例1と同様に組成物と成形品を得て表1に示す
結果を得た。
Zn系フェライト粉(焼成温度:1300℃)13.5
kgとポリフェニレンスルフィド樹脂1.5kgとから
実施例1と同様に組成物と成形品を得て表1に示す結果
を得た。
Ni−Zn−Cu系フェライト粉(焼成温度:1050
℃)13.5kgとポリフェニレンスルフィド樹脂1.
5kgとから実施例1と同様に組成物と成形品を得て表
1に示す結果を得た。
1〜3に用いている磁性粉そのものについての焼成条件
及び磁気特性を、組成物の特性と併記する。この表に示
す磁性粉の透磁率は表に示す温度で焼成した磁性粉を、
更に表記の温度で焼結してトロイダル状コアとした磁性
粉焼結体について、上記実施例5に記載の組成物成形体
についての測定方法に従い、求めたものである。組成物
の透磁率と、磁性粉(焼結体)の透磁率とを対比する
と、前述したように、透磁率の高い磁性体を選んだから
といって、これを分散させた樹脂組成物が相対的に高い
透磁率を有する傾向はないことが分る。すなわち、本発
明で用いる焼成されたNi−Zn−Cu系フェライト粉
(実施例)は、それ自体の透磁率は、Ni−Zn系フェ
ライト粉( 比較例1、2)に比べて、必ずしも高くない
が、ポリアリーレンスルフィド樹脂と加熱、混練、成形
した後に、高い透磁率を示す組成物を与えることが特徴
的である。
ンスルフィド組成物を得ることができる。さらに、本発
明で開示された組成物から高透磁性を示すコイルコア、
インダクタ、ロ−タリ−トランス、EMIフィルタ、バ
ラン等を得ることができる。これら物品は耐熱性、耐薬
品性が要求される分野に特に好適である。
Claims (2)
- 【請求項1】ポリアリ−レンスルフィド樹脂5〜30重
量%とNi−Zn−Cu系フェライト粉70〜95重量
%からなり、かつ該フェライト粉の化学式を、Feを基
準にして NiaZnbCucFe2Od (式1) とするとき、上記a、b、c、dが(式2)〜(式5)
を満たす事を特徴とする高透磁性組成物。 0.10≦ a ≦0.70 (式2) 0.10≦ b ≦0.80 (式3) 0.10≦ c ≦0.35 (式4) 3.97≦ d ≦4.20 (式5) - 【請求項2】エポキシ変性シリコーンオイルが組成物中
に、0.1〜5重量%含有されることを特徴とする請求
項1の高透磁性組成物。
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- 1993-01-20 DE DE1993609135 patent/DE69309135T2/de not_active Expired - Fee Related
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DE69309135T2 (de) | 1997-07-31 |
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