JP3281980B2 - 磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ディスク装置Info
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- JP3281980B2 JP3281980B2 JP12422591A JP12422591A JP3281980B2 JP 3281980 B2 JP3281980 B2 JP 3281980B2 JP 12422591 A JP12422591 A JP 12422591A JP 12422591 A JP12422591 A JP 12422591A JP 3281980 B2 JP3281980 B2 JP 3281980B2
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- Japan
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- magnetic disk
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- processing device
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固定データ長の磁気ディ
スク装置に関する。
スク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の磁気ディスク装置を用い
るシステムでは、データの信頼性を高める為にエラー訂
正コードをデータの後に付加し、データエラーが発生し
た場合にはエラー訂正コードによってデータエラーを訂
正してホストシステムに送っていた。最近では、さらに
データの信頼性を高める為に、同一のデータを異なる磁
気ディスク装置に書込む二重書き方式やパリティ用磁気
ディスク装置をデータ用磁気ディスク装置とは別に設け
るパリティディスク方式等が採用されている。
るシステムでは、データの信頼性を高める為にエラー訂
正コードをデータの後に付加し、データエラーが発生し
た場合にはエラー訂正コードによってデータエラーを訂
正してホストシステムに送っていた。最近では、さらに
データの信頼性を高める為に、同一のデータを異なる磁
気ディスク装置に書込む二重書き方式やパリティ用磁気
ディスク装置をデータ用磁気ディスク装置とは別に設け
るパリティディスク方式等が採用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の二重書き方式は全ディスク容量に対する有効ディスク
容量が半分しかなくコスト高になるという欠点があっ
た。また、従来のパリティディスク方式もパリティディ
スクを磁気ディスク装置により実現していた為、クロス
コール接続であったとしてもパリティディスクでの競合
が発生し、同時処理ができないという欠点があった。さ
らに、従来のパリティディスク方式では、パリティデー
タの書込み時、パリティディスク装置からデータを一旦
読出し、書込みデータと排他的論理和を実行後パリティ
ディスク装置に書込まなければならない為に、書込み処
理時間が約２倍かかるという欠点があった。
の二重書き方式は全ディスク容量に対する有効ディスク
容量が半分しかなくコスト高になるという欠点があっ
た。また、従来のパリティディスク方式もパリティディ
スクを磁気ディスク装置により実現していた為、クロス
コール接続であったとしてもパリティディスクでの競合
が発生し、同時処理ができないという欠点があった。さ
らに、従来のパリティディスク方式では、パリティデー
タの書込み時、パリティディスク装置からデータを一旦
読出し、書込みデータと排他的論理和を実行後パリティ
ディスク装置に書込まなければならない為に、書込み処
理時間が約２倍かかるという欠点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ディスク装
置は、データを磁気記憶するデータ記憶媒体と、磁気デ
ィスク処理装置との間の命令、実行結果及びデータの受
け渡しを行う磁気ディスク処理装置インタフェース手段
と、この磁気ディスク処理装置インタフェース手段を通
じて受取った命令を解読し実行結果を前記磁気ディスク
処理装置に対して送るマイクロプロセッサと、このマイ
クロプロセッサの指示により前記データ記憶媒体との間
のデータの受け渡しを行うデータ書込読出制御手段と、
前記マイクロプロセッサの指示により前記磁気ディスク
処理装置インタフェース手段と前記データ書込読出制御
手段との間のデータ転送制御を行うデータ転送制御手段
とを備えた磁気ディスク装置において、不揮発性の記憶
手段と、前記マイクロプロセッサの指示により前記記憶
手段の書込読出制御及びアドレス制御を行うメモリ制御
手段と、前記記憶手段からの読出データと前記データ転
送制御手段からの前記データ記憶媒体への書込データと
を前記マイクロプロセッサの指示により演算して演算結
果を前記記憶手段への書込データとする演算手段とを含
んでいる。
置は、データを磁気記憶するデータ記憶媒体と、磁気デ
ィスク処理装置との間の命令、実行結果及びデータの受
け渡しを行う磁気ディスク処理装置インタフェース手段
と、この磁気ディスク処理装置インタフェース手段を通
じて受取った命令を解読し実行結果を前記磁気ディスク
処理装置に対して送るマイクロプロセッサと、このマイ
クロプロセッサの指示により前記データ記憶媒体との間
のデータの受け渡しを行うデータ書込読出制御手段と、
前記マイクロプロセッサの指示により前記磁気ディスク
処理装置インタフェース手段と前記データ書込読出制御
手段との間のデータ転送制御を行うデータ転送制御手段
とを備えた磁気ディスク装置において、不揮発性の記憶
手段と、前記マイクロプロセッサの指示により前記記憶
手段の書込読出制御及びアドレス制御を行うメモリ制御
手段と、前記記憶手段からの読出データと前記データ転
送制御手段からの前記データ記憶媒体への書込データと
を前記マイクロプロセッサの指示により演算して演算結
果を前記記憶手段への書込データとする演算手段とを含
んでいる。
【０００５】前記記憶手段はバッテリバックアップ付の
揮発性メモリであってもよい。
揮発性メモリであってもよい。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１は本発明の一実施例を示すブロック図
である。
である。
【０００８】本発明の一実施例である磁気のディスク装
置２００は、磁気ディスク処理装置１００との間の命
令、実行結果及びデータの受け渡しを行う磁気ディスク
処理装置インタフェース部２１０と、磁気ディスク処理
装置インタフェース部２１０を通じて受取った命令を解
読し、実行結果を磁気ディスク処理装置１００に対して
送るマイクロプロセッサ２４０と、マイクロプロセッサ
２４０の指示によりデータ記憶部２８０との間のデータ
の受け渡しを行うデータ書込読出制御部２３０と、マイ
クロセプロセッサ２４０の指示により磁気ディスク処理
装置インタフェース制御部２１０とデータ書込読出制御
部２３０との間のデータ転送制御を行うデータ転送制御
部２２０とを備えた磁気ディスク装置に対して、マイク
ロプロセッサ２４０の指示によりメモリの書込読出制御
及びアドレス制御を行うメモリ制御部２６０と、メモリ
制御部２６０の制御にもとづいてデータの読出書込を行
う不揮発性メモリ２７０と、不揮発性メモリ２７０から
の読出データとデータ転送制御部２２０からのデータ記
憶部２８０への書込データとをマイクロプロセッサ２４
０の指示により演算し、その演算結果を不揮発性メモリ
２７０への書込データとする演算回路２５０とを付け加
えて構成されている。
置２００は、磁気ディスク処理装置１００との間の命
令、実行結果及びデータの受け渡しを行う磁気ディスク
処理装置インタフェース部２１０と、磁気ディスク処理
装置インタフェース部２１０を通じて受取った命令を解
読し、実行結果を磁気ディスク処理装置１００に対して
送るマイクロプロセッサ２４０と、マイクロプロセッサ
２４０の指示によりデータ記憶部２８０との間のデータ
の受け渡しを行うデータ書込読出制御部２３０と、マイ
クロセプロセッサ２４０の指示により磁気ディスク処理
装置インタフェース制御部２１０とデータ書込読出制御
部２３０との間のデータ転送制御を行うデータ転送制御
部２２０とを備えた磁気ディスク装置に対して、マイク
ロプロセッサ２４０の指示によりメモリの書込読出制御
及びアドレス制御を行うメモリ制御部２６０と、メモリ
制御部２６０の制御にもとづいてデータの読出書込を行
う不揮発性メモリ２７０と、不揮発性メモリ２７０から
の読出データとデータ転送制御部２２０からのデータ記
憶部２８０への書込データとをマイクロプロセッサ２４
０の指示により演算し、その演算結果を不揮発性メモリ
２７０への書込データとする演算回路２５０とを付け加
えて構成されている。
【０００９】次に本実施例の動作について、図２に示し
た演算回路２５０及び不揮発性メモリ２７０のブロック
図、図３に示した演算回路２５０及び不揮発性メモリ２
７０のタイミングチャート、図４に示したデータ記憶部
２８０及び不揮発性メモリ２７０におけるデータ及びパ
リティの配置図を参照して、説明する。尚、本実施例の
におけるパリティＰｊ（ｊは０〜ｎの整数、ｎ＋１＝セ
クタ数）は同一シリンダ内の各ヘッドの同一セクタ同一
バイトのデータｄij（ｉはヘッド番号、ｊはセクタ番
号）の排他的論理和をとったものとする。ただし、メモ
リ容量によって、排他的論理和を実施するデータの組合
せを変えることも可能である。
た演算回路２５０及び不揮発性メモリ２７０のブロック
図、図３に示した演算回路２５０及び不揮発性メモリ２
７０のタイミングチャート、図４に示したデータ記憶部
２８０及び不揮発性メモリ２７０におけるデータ及びパ
リティの配置図を参照して、説明する。尚、本実施例の
におけるパリティＰｊ（ｊは０〜ｎの整数、ｎ＋１＝セ
クタ数）は同一シリンダ内の各ヘッドの同一セクタ同一
バイトのデータｄij（ｉはヘッド番号、ｊはセクタ番
号）の排他的論理和をとったものとする。ただし、メモ
リ容量によって、排他的論理和を実施するデータの組合
せを変えることも可能である。
【００１０】まず、本実施例の初期設定時の動作につい
て説明する。
て説明する。
【００１１】磁気ディスク処理装置インタフェース部２
１０を通じてマイクロプロセッサ２４０は初期設定指示
を受取る。マイクロプロセッサ２４０では、この初期設
定指示により演算回路２５０に対する初期化イネーブル
信号１（図２番参照）を有効とした後、メモリ制御部２
６０に対して不揮発性メモリ２７０の初期化指示（オー
ル０データの全アドレスへの書込み指示）を出す。これ
と前後して、データ記憶部２８０の記憶媒体のフォーマ
ット（全データ領域をオール０データで書込むこと）が
実施される為、全データ領域にわたって
１０を通じてマイクロプロセッサ２４０は初期設定指示
を受取る。マイクロプロセッサ２４０では、この初期設
定指示により演算回路２５０に対する初期化イネーブル
信号１（図２番参照）を有効とした後、メモリ制御部２
６０に対して不揮発性メモリ２７０の初期化指示（オー
ル０データの全アドレスへの書込み指示）を出す。これ
と前後して、データ記憶部２８０の記憶媒体のフォーマ
ット（全データ領域をオール０データで書込むこと）が
実施される為、全データ領域にわたって
【００１２】
【００１３】が成立することがわかる。
【００１４】次にデータ記憶部２８０への書込み時の動
作について説明する。
作について説明する。
【００１５】マイクロプロセッサ２４０では上述した初
期設定が終了した時点で演算回路２５０に対する初期化
イネーブル信号１を無効とした後、データの書込み命令
が磁気ディスク処理装置１００から送られてきた場合、
演算回路２５０でのデータ記憶部２８０への書込みデー
タ２と不揮発性メモリ２７０からの読出しメモリデータ
５との排他的論理和結果を再度不揮発性メモリ２７０に
貯蔵する様に、メモリ制御部２６０に対して指示を出
す。メモリ制御部２６０では、図３に示すとおり、不揮
発性メモリ２７０に対するチップイネーブル信号７を有
効にした後、アドレスの送出、ライトイネーブル信号６
の有効→無効化を実施し、データ記憶部２８０への全書
込みデータに対するこれら動作が終了した時点でチップ
イネーブル信号７の無効化を行う。以上の動作により、
前述した式（１）が保たれることが容易に理解できる。
期設定が終了した時点で演算回路２５０に対する初期化
イネーブル信号１を無効とした後、データの書込み命令
が磁気ディスク処理装置１００から送られてきた場合、
演算回路２５０でのデータ記憶部２８０への書込みデー
タ２と不揮発性メモリ２７０からの読出しメモリデータ
５との排他的論理和結果を再度不揮発性メモリ２７０に
貯蔵する様に、メモリ制御部２６０に対して指示を出
す。メモリ制御部２６０では、図３に示すとおり、不揮
発性メモリ２７０に対するチップイネーブル信号７を有
効にした後、アドレスの送出、ライトイネーブル信号６
の有効→無効化を実施し、データ記憶部２８０への全書
込みデータに対するこれら動作が終了した時点でチップ
イネーブル信号７の無効化を行う。以上の動作により、
前述した式（１）が保たれることが容易に理解できる。
【００１６】データ記憶部２８０からのデータ読取り時
には、式（１）が常に保たれる為、従来の磁気ディスク
装置におけると同様に読出しを実行すればよい。訂正不
可能な読出しエラーが発生した場合、データｄｋｌにお
いて訂正不可能な読出しエラーが発生したとして、デー
タｄklを除くすべてのデータｄilを不揮発性メモリ２７
０に順次読出し、
には、式（１）が常に保たれる為、従来の磁気ディスク
装置におけると同様に読出しを実行すればよい。訂正不
可能な読出しエラーが発生した場合、データｄｋｌにお
いて訂正不可能な読出しエラーが発生したとして、デー
タｄklを除くすべてのデータｄilを不揮発性メモリ２７
０に順次読出し、
【００１７】
【００１８】を順次計算後、求められたｄklをデータ記
憶部２８０に書込み、処理を終了する。
憶部２８０に書込み、処理を終了する。
【００１９】なお、本実施例における不揮発性メモリ２
７０のかわりにバッテリバックアップ付の不揮発性メモ
リを用いても同じ効果を得ることができる。
７０のかわりにバッテリバックアップ付の不揮発性メモ
リを用いても同じ効果を得ることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、従来の磁
気ディスク装置に対して、不揮発性の記憶手段と、この
記憶手段の読出書込制御及びアドレス制御を行うメモリ
制御手段と、記憶手段出力と磁気記憶媒体への書込みデ
ータとの演算を実施する演算手段とを追加することによ
り、信頼性及び処理性能がすぐれた磁気ディスク装置を
安価に提供できる効果がある。
気ディスク装置に対して、不揮発性の記憶手段と、この
記憶手段の読出書込制御及びアドレス制御を行うメモリ
制御手段と、記憶手段出力と磁気記憶媒体への書込みデ
ータとの演算を実施する演算手段とを追加することによ
り、信頼性及び処理性能がすぐれた磁気ディスク装置を
安価に提供できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例である磁気ディスク装置２０
０のブロック図である。
０のブロック図である。
【図２】図１における演算回路２５０及び不揮発性メモ
リ２７０のブロック図である。
リ２７０のブロック図である。
【図３】図２に示す部分のタイミングチャートである。
【図４】図１のデータ記憶部２８０及び不揮発性メモリ
２７０におけるデータ及びパリティの配置を説明するた
めの図である。
２７０におけるデータ及びパリティの配置を説明するた
めの図である。
１００ 磁気ディスク処理装置 ２００ 磁気ディスク装置 ２１０ 磁気ディスク処理装置インタフェース部 ２２０ データ転送制御部 ２３０ データ書込読出制御部 ２４０ マイクロプロセッサ ２５０ 演算回路 ２６０ メモリ制御部 ２７０ 不揮発性メモリ ２８０ データ記憶部 ２５１ ＡＮＤＯＲ回路 ２５２ 排他的論理和回路。
Claims (2)
- 【請求項１】 データを磁気記憶するデータ記憶媒体
と、磁気ディスク処理装置のと間の命令、実行結果及び
データの受け渡しを行う磁気ディスク処理装置インタフ
ェース手段と、この磁気ディスク処理装置インタフェー
ス手段を通じて受取った命令を解読し実行結果を前記磁
気ディスク処理装置に対して送るマイクロプロセッサ
と、このマイクロプロセッサの指示により前記データ記
憶媒体との間のデータの受け渡しを行うデータ書込読出
制御手段と、前記マイクロプロセッサの指示により前記
磁気ディスク処理装置インタフェース手段と前記データ
書込読出制御手段との間のデータ転送制御を行うデータ
転送制御手段とを備えた磁気ディスク装置において、不
揮発性の記憶手段と、前記マイクロプロセッサの指示に
より前記記憶手段の書込読出制御及びアドレス制御を行
うメモリ制御手段と、前記データ転送制御手段からの前
記データ記憶媒体へ書き込む各ヘッドのシリンダー方向
における同一領域の書込データと前記記憶手段から読み
出す前記書込データの領域に対応する読出データとを前
記マイクロプロセッサの指示により演算して演算結果を
前記記憶手段への書込データとする演算手段とを含むこ
とを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項２】 前記記憶手段はバッテリバックアップ付
の揮発性メモリであることを特徴とする請求項１記載の
磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12422591A JP3281980B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12422591A JP3281980B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 磁気ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04351764A JPH04351764A (ja) | 1992-12-07 |
| JP3281980B2 true JP3281980B2 (ja) | 2002-05-13 |
Family
ID=14880094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12422591A Expired - Lifetime JP3281980B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3281980B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006302315A (ja) * | 2003-07-07 | 2006-11-02 | Hitachi Ulsi Systems Co Ltd | 記憶装置および記憶システム |
| CN100409164C (zh) * | 2003-07-07 | 2008-08-06 | 日立超大规模集成电路系统株式会社 | 存储系统 |
| KR101049617B1 (ko) | 2003-07-07 | 2011-07-14 | 가부시키가이샤 히타치초엘에스아이시스템즈 | 기억 장치 및 기억 시스템 |
-
1991
- 1991-05-29 JP JP12422591A patent/JP3281980B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04351764A (ja) | 1992-12-07 |
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