JP3278838B2 - 樹脂硬化方法及び装置 - Google Patents
樹脂硬化方法及び装置Info
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- JP3278838B2 JP3278838B2 JP10425593A JP10425593A JP3278838B2 JP 3278838 B2 JP3278838 B2 JP 3278838B2 JP 10425593 A JP10425593 A JP 10425593A JP 10425593 A JP10425593 A JP 10425593A JP 3278838 B2 JP3278838 B2 JP 3278838B2
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- semiconductor pellet
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂硬化方法及び装置に
関するものであり、更に詳細にはＴＡＢ式半導体装置の
構成部材である半導体ペレットの電極パターン形成面に
保護被膜として塗布された樹脂液の硬化方法と装置に関
するものである。
関するものであり、更に詳細にはＴＡＢ式半導体装置の
構成部材である半導体ペレットの電極パターン形成面に
保護被膜として塗布された樹脂液の硬化方法と装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢ式半導体装置（10）は、図２に示
すように、長尺絶縁性フイルム（１）の長手方向に沿っ
て所定間隔で透孔（２）を穿設し、この透孔（２）内に
上面にバンプ電極（３）と電極パターン（図示せず）を
形成した半導体ペレット（４）を配置し、上記絶縁性フ
イルム（１）の上面で透孔（２）の内側に向って延びる
インナーリード（５）の先端部分をバンプ電極（３）に
熱圧着することによって製作されている。
すように、長尺絶縁性フイルム（１）の長手方向に沿っ
て所定間隔で透孔（２）を穿設し、この透孔（２）内に
上面にバンプ電極（３）と電極パターン（図示せず）を
形成した半導体ペレット（４）を配置し、上記絶縁性フ
イルム（１）の上面で透孔（２）の内側に向って延びる
インナーリード（５）の先端部分をバンプ電極（３）に
熱圧着することによって製作されている。
【０００３】インナーリード（５）とバンプ電極（３）
との熱圧着部位を含む上記半導体ペレット（４）の上面
に、図３に示すように、シリンジ（７）のニードルから
適量の熱硬化性樹脂、例えばエポキシ樹脂の溶液（６）
を滴下させ薄膜状に拡散させた後、ベーク炉（８）内に
導いて所定時間加熱することによって、樹脂（６）が硬
化し、半導体ペレット（４）の上面に熱硬化性樹脂の保
護被膜が形成される。
との熱圧着部位を含む上記半導体ペレット（４）の上面
に、図３に示すように、シリンジ（７）のニードルから
適量の熱硬化性樹脂、例えばエポキシ樹脂の溶液（６）
を滴下させ薄膜状に拡散させた後、ベーク炉（８）内に
導いて所定時間加熱することによって、樹脂（６）が硬
化し、半導体ペレット（４）の上面に熱硬化性樹脂の保
護被膜が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】シリンジ（７）のニー
ドル（７Ａ）から滴下供給される熱硬化性樹脂液（６）
の粘度と１回当り滴下量は、硬化終了後、半導体ペレッ
ト（４）の上面に所定厚みの保護被膜が被着形成される
ように調整されている。しかしながら、ニードル（７
Ａ）から半導体ペレット（４）の上面に滴下する熱硬化
性樹脂液（６）の粘度は、温度や溶剤の含有量によって
経時的に変化する。このため、ベーク炉（８）に向って
移動途上にあるＴＡＢ式半導体装置（10）で、熱硬化性
樹脂液（６）の展延性が半導体ペレット（４）の１個毎
に変動する。この結果、ベーク炉（８）の炉内温度が一
定の場合、保護被膜の厚さが一様にならず、最終製品に
絶縁不良や強度不足等の品質欠陥が発生する。
ドル（７Ａ）から滴下供給される熱硬化性樹脂液（６）
の粘度と１回当り滴下量は、硬化終了後、半導体ペレッ
ト（４）の上面に所定厚みの保護被膜が被着形成される
ように調整されている。しかしながら、ニードル（７
Ａ）から半導体ペレット（４）の上面に滴下する熱硬化
性樹脂液（６）の粘度は、温度や溶剤の含有量によって
経時的に変化する。このため、ベーク炉（８）に向って
移動途上にあるＴＡＢ式半導体装置（10）で、熱硬化性
樹脂液（６）の展延性が半導体ペレット（４）の１個毎
に変動する。この結果、ベーク炉（８）の炉内温度が一
定の場合、保護被膜の厚さが一様にならず、最終製品に
絶縁不良や強度不足等の品質欠陥が発生する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決手段とし
て本発明は、ベーク炉に向って延びるＴＡＢ式半導体装
置の恒速移動経路に、保護被膜形成用樹脂液の滴下供給
用シリンジと樹脂被膜の厚み検知センサを順次配設し、
この厚み検出センサの出力端を上記ベーク炉の炉内温度
のフィードバック制御構体に接続して温度補正手段を形
成した樹脂硬化装置を提供するものである。
て本発明は、ベーク炉に向って延びるＴＡＢ式半導体装
置の恒速移動経路に、保護被膜形成用樹脂液の滴下供給
用シリンジと樹脂被膜の厚み検知センサを順次配設し、
この厚み検出センサの出力端を上記ベーク炉の炉内温度
のフィードバック制御構体に接続して温度補正手段を形
成した樹脂硬化装置を提供するものである。
【０００６】
【作用】シリンジから恒速移動する半導体ペレットの上
面に所定量の熱硬化性樹脂液を滴下供給し、この熱硬化
性樹脂液をインナーリードとバンプ電極との熱圧着部位
を含む半導体ペレットの上面に薄膜状に拡散させながら
ＴＡＢ式半導体装置をベーク炉内に導入する。この際、
ベーク炉内への導入に先立って、恒速移動経路の上方に
配設された厚み検知センサで熱硬化性樹脂の膜厚を測定
し、この測定値をベーク炉の温度設定用制御構体にフィ
ードバックしてベーク炉の炉内温度を調整する。
面に所定量の熱硬化性樹脂液を滴下供給し、この熱硬化
性樹脂液をインナーリードとバンプ電極との熱圧着部位
を含む半導体ペレットの上面に薄膜状に拡散させながら
ＴＡＢ式半導体装置をベーク炉内に導入する。この際、
ベーク炉内への導入に先立って、恒速移動経路の上方に
配設された厚み検知センサで熱硬化性樹脂の膜厚を測定
し、この測定値をベーク炉の温度設定用制御構体にフィ
ードバックしてベーク炉の炉内温度を調整する。
【０００７】
【実施例】以下、図１を参照して本発明の実施例を説明
する。尚、以下の記述において、従来技術を示す図２及
び図３と同一の構成部材は同一参照番号で表示し、重複
事項に関しては説明を省略する。
する。尚、以下の記述において、従来技術を示す図２及
び図３と同一の構成部材は同一参照番号で表示し、重複
事項に関しては説明を省略する。
【０００８】樹脂硬化装置（20）は、ベーク炉（８）に
向って延びるＴＡＢ式半導体装置（10）の恒速移動経路
（Ｆ）に、保護被膜形成用樹脂液（６）の滴下供給用シ
リンジ（７）と、樹脂被膜（６）の厚み検知センサ
（９）を順次配設し、この厚み検知センサ（９）の出力
端と上記ベーク炉（８）に付設された温度制御構体（９
Ａ）との間を電気的に接続することによって炉内温度の
補正手段を形成している。
向って延びるＴＡＢ式半導体装置（10）の恒速移動経路
（Ｆ）に、保護被膜形成用樹脂液（６）の滴下供給用シ
リンジ（７）と、樹脂被膜（６）の厚み検知センサ
（９）を順次配設し、この厚み検知センサ（９）の出力
端と上記ベーク炉（８）に付設された温度制御構体（９
Ａ）との間を電気的に接続することによって炉内温度の
補正手段を形成している。
【０００９】樹脂被膜（６）の形成に際しては、シリン
ジ（７）のニードル（７Ａ）から半導体ペレット（４）
の上面に滴下供給された樹脂液（６）の粘度が経時的に
変化することに留意し、樹脂液（６）の滴下供給後、恒
速送りされるＴＡＢ式半導体装置（10）について所定の
時間的間隔で検知センサ（９）による樹脂被膜（６）の
厚み測定動作を繰返し、これらの測定値を温度制御構体
（９Ａ）にフィードバックすることによって、ベーク炉
（８）の炉内温度を調整する。雰囲気温度が一定の場
合、樹脂液（６）の粘度は溶剤の揮発によって時間の経
過と共に増大し、展延性が小さくなるため、検知センサ
（９）で測定される樹脂被膜（６）の厚みは時間の経過
と共に大きくなる。従って、検知センサ（９）及び温度
制御構体（９Ａ）による炉内温度の調整は、時間の経過
と共に設定温度が高温側にシフトするように温度制御プ
ログラムが設定されている。
ジ（７）のニードル（７Ａ）から半導体ペレット（４）
の上面に滴下供給された樹脂液（６）の粘度が経時的に
変化することに留意し、樹脂液（６）の滴下供給後、恒
速送りされるＴＡＢ式半導体装置（10）について所定の
時間的間隔で検知センサ（９）による樹脂被膜（６）の
厚み測定動作を繰返し、これらの測定値を温度制御構体
（９Ａ）にフィードバックすることによって、ベーク炉
（８）の炉内温度を調整する。雰囲気温度が一定の場
合、樹脂液（６）の粘度は溶剤の揮発によって時間の経
過と共に増大し、展延性が小さくなるため、検知センサ
（９）で測定される樹脂被膜（６）の厚みは時間の経過
と共に大きくなる。従って、検知センサ（９）及び温度
制御構体（９Ａ）による炉内温度の調整は、時間の経過
と共に設定温度が高温側にシフトするように温度制御プ
ログラムが設定されている。
【００１０】一方、シリンジ（７）が空になり、その内
部に所定量の樹脂液（６）が補充された初期段階では、
樹脂液（６）中に比較的多量の溶剤が配合されているた
め、樹脂液（６）は補充直前よりも低粘度状態に維持さ
れている。この粘度差による樹脂被膜厚みの経時変化に
対応するため、シリンジ（７）内に新たな樹脂液（６）
を補充した時点では、通常の時間的間隔と無関係に検知
センサ（９）で樹脂被膜（６）の厚みを測定し、得られ
た測定値を温度制御構体（９Ａ）にフィードバックする
ことによってベーク炉（８）の炉内温度を上記初期段階
に適合し得るように設定し直す。
部に所定量の樹脂液（６）が補充された初期段階では、
樹脂液（６）中に比較的多量の溶剤が配合されているた
め、樹脂液（６）は補充直前よりも低粘度状態に維持さ
れている。この粘度差による樹脂被膜厚みの経時変化に
対応するため、シリンジ（７）内に新たな樹脂液（６）
を補充した時点では、通常の時間的間隔と無関係に検知
センサ（９）で樹脂被膜（６）の厚みを測定し、得られ
た測定値を温度制御構体（９Ａ）にフィードバックする
ことによってベーク炉（８）の炉内温度を上記初期段階
に適合し得るように設定し直す。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、ベーク炉（８）内への
導入に先立って厚み検知センサ（９）で樹脂被膜（６）
の厚みを測定し、この測定値に基いて炉内温度を、上記
樹脂被膜（６）の厚みの経時変化に適合するように設定
することが可能になる。この結果、樹脂被膜（６）の厚
みが大きい場合にも樹脂液（６）の内部迄硬化が進行
し、耐久性と耐剥離強度の高い表面保護被膜が形成され
る。
導入に先立って厚み検知センサ（９）で樹脂被膜（６）
の厚みを測定し、この測定値に基いて炉内温度を、上記
樹脂被膜（６）の厚みの経時変化に適合するように設定
することが可能になる。この結果、樹脂被膜（６）の厚
みが大きい場合にも樹脂液（６）の内部迄硬化が進行
し、耐久性と耐剥離強度の高い表面保護被膜が形成され
る。
【図１】本発明に係る樹脂硬化装置の概略正面図。
【図２】ＴＡＢ式半導体装置の部分拡大縦断面図。
【図３】従来の樹脂硬化装置の概略正面図。
６ 樹脂液 ７ シリンジ ８ ベーク炉 ９ 厚み検出センサ ９Ａ 温度制御構体 10 ＴＡＢ式半導体装置 20 樹脂硬化装置
Claims (3)
- 【請求項１】 長尺の絶縁性フイルムに所定間隔で設け
られた透孔内に、上面にバンプ電極を形成した半導体ペ
レットを配置し、上記絶縁性フイルムの上面で透孔の内
側に向って延びるインナーリードの先端部分をバンプ電
極に熱圧着してなるＴＡＢ式半導体装置の半導体ペレッ
ト上を被覆する保護被膜形成用樹脂の供給位置から樹脂
を硬化させるベーク炉に向って延びる上記ＴＡＢ式半導
体装置の移動経路に樹脂の厚みを検知するセンサを設
け、上記半導体ペレット上に拡がった上記樹脂の厚みを
測定し、この測定値をベーク炉にフィードバックしてそ
の内部温度を調整することを特徴とする樹脂硬化方法。 - 【請求項２】 長尺の絶縁性フイルムに所定間隔で設け
られた透孔内に、上面にバンプ電極を形成した半導体ペ
レットを配置し、上記絶縁性フイルムの上面で透孔の内
側に向って延びるインナーリードの先端部分をバンプ電
極に熱圧着してなるＴＡＢ式半導体装置の半導体ペレッ
ト上を被覆する樹脂の滴下供給位置から樹脂を硬化させ
るベーク炉に向って延びる上記ＴＡＢ式半導体装置の移
動経路に樹脂の厚みを検知するセンサを設け、上記半導
体ペレット上に拡がった樹脂の厚みを、樹脂滴下用シリ
ンジ内に新たな樹脂液が充填される度に測定し、この測
定値を上記ベーク炉にフィードバックしてその内部温度
を調整することを特徴とする樹脂硬化方法。 - 【請求項３】 長尺の絶縁性フイルムに所定間隔で設け
られた透孔内に、上面にバンプ電極を形成した半導体ペ
レットを配置し、上記絶縁性フイルムの上面で透孔の内
側に向って延びるインナーリードの先端部分をバンプ電
極に熱圧着してなるＴＡＢ式半導体装置の移動経路に、
半導体ペレット上に保護用樹脂を滴下供給するシリンジ
と、樹脂の厚みを検知するセンサと、樹脂を硬化させる
ベーク炉とを順次配設し、厚み検出センサの出力に基づ
いてベーク炉の炉内温度を制御することを特徴とする樹
脂硬化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10425593A JP3278838B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 樹脂硬化方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10425593A JP3278838B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 樹脂硬化方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314714A JPH06314714A (ja) | 1994-11-08 |
| JP3278838B2 true JP3278838B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=14375828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10425593A Expired - Fee Related JP3278838B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 樹脂硬化方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3278838B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101850265B (zh) * | 2010-06-11 | 2011-12-28 | 中国海洋石油总公司 | 一种润滑油加氢精制催化剂的制备方法及用途 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000082661A (ja) | 1998-07-02 | 2000-03-21 | Toshiba Corp | 加熱装置，加熱装置の評価法及びパタ―ン形成方法 |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP10425593A patent/JP3278838B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101850265B (zh) * | 2010-06-11 | 2011-12-28 | 中国海洋石油总公司 | 一种润滑油加氢精制催化剂的制备方法及用途 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06314714A (ja) | 1994-11-08 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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