JP3277175B2 - マスクｒｏｍのプログラム化製造方法 - Google Patents
マスクｒｏｍのプログラム化製造方法Info
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- JP3277175B2 JP3277175B2 JP25465799A JP25465799A JP3277175B2 JP 3277175 B2 JP3277175 B2 JP 3277175B2 JP 25465799 A JP25465799 A JP 25465799A JP 25465799 A JP25465799 A JP 25465799A JP 3277175 B2 JP3277175 B2 JP 3277175B2
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- Japan
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- mask
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- photomask
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造工程におけるイオン注入時のフォトマスクの設計方法
に係り、特にマスクＲＯＭ(Mask ROM)のプログラム化製
造方法に関するものである。
造工程におけるイオン注入時のフォトマスクの設計方法
に係り、特にマスクＲＯＭ(Mask ROM)のプログラム化製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光蝕刻法は半導体装置の製造工程全体に
おいて、極めて重要に位置付けされる製造工程の１つで
ある。各層の薄膜パターンもしくはドーピングエリアの
決定などは、いずれも光蝕刻法のステップによって行わ
れる。従って、光蝕刻法に係る製造工程上の能力は往々
にして、メーカーの製造能力を代表する。
おいて、極めて重要に位置付けされる製造工程の１つで
ある。各層の薄膜パターンもしくはドーピングエリアの
決定などは、いずれも光蝕刻法のステップによって行わ
れる。従って、光蝕刻法に係る製造工程上の能力は往々
にして、メーカーの製造能力を代表する。
【０００３】光蝕刻法の基本的原理は、パターンの転移
である。その工程は、まずウエハ上にフォトレジスト層
を形成する。フォトレジストは感光性の材料であって、
光量子線の露光によって、その化学的性質が変化する。
その後マスク合わせの工程において光源からの光線を平
行に照射し、ガラス材料などを主な材料とするフォトマ
スクを通じてフォトレジスト上にパターンを焼き付け
る。フォトマスクには不透明性のパターンが形成されて
いるので、光線がフォトマスクを通過してフォトマスク
と同様のパターンが発生する。フォトレジスト層は選択
的に感光が進行して、フォトマスク上のパターンがフォ
トレジスト上に転移し、フォトレジストに転移した潜在
的なパターンが焼き付けられて表示される。
である。その工程は、まずウエハ上にフォトレジスト層
を形成する。フォトレジストは感光性の材料であって、
光量子線の露光によって、その化学的性質が変化する。
その後マスク合わせの工程において光源からの光線を平
行に照射し、ガラス材料などを主な材料とするフォトマ
スクを通じてフォトレジスト上にパターンを焼き付け
る。フォトマスクには不透明性のパターンが形成されて
いるので、光線がフォトマスクを通過してフォトマスク
と同様のパターンが発生する。フォトレジスト層は選択
的に感光が進行して、フォトマスク上のパターンがフォ
トレジスト上に転移し、フォトレジストに転移した潜在
的なパターンが焼き付けられて表示される。
【０００４】光蝕刻法の工程によってフォトマスク上の
パターンをフォトレジスト上に転移する場合、フォトレ
ジストは一定の厚さを必要とする。パターンを完全かつ
正確にフォトレジスト上に転移させるためには、例えば
図４に示するように、ウエハ１１上をフォトレジスト１
３で覆い、光線１２によってフォトレジストの表面ａ及
び底部ｂのいずれも露光されるようにする必要がある。
理論上、１つのフォーカス深度及び露光パラメータを得
ることができれば、パターンをフォトレジスト上に転移
することができる。実際には光線自身の干渉、反射及び
屈折などの問題が存在し、異なるパターンについて異な
る露光パラメータを有する。
パターンをフォトレジスト上に転移する場合、フォトレ
ジストは一定の厚さを必要とする。パターンを完全かつ
正確にフォトレジスト上に転移させるためには、例えば
図４に示するように、ウエハ１１上をフォトレジスト１
３で覆い、光線１２によってフォトレジストの表面ａ及
び底部ｂのいずれも露光されるようにする必要がある。
理論上、１つのフォーカス深度及び露光パラメータを得
ることができれば、パターンをフォトレジスト上に転移
することができる。実際には光線自身の干渉、反射及び
屈折などの問題が存在し、異なるパターンについて異な
る露光パラメータを有する。
【０００５】図５（ａ）は、中央部のみにパターンを有
するフォトマスクを示している。その露光後のパターン
は、図５（ｃ）に示するような「島状（island）」パタ
ーンを形成する。この島状パターンを完全に露光するた
めの露光パラメータは、図６に示す島状パターン形成領
域３１（Island window）となる。即ち、島状パターン
を完全に露光してフォトレジスト上に焼き付けるために
は、露光パラメータを島状パターン形成領域３１内に入
るように調整しなければならない。
するフォトマスクを示している。その露光後のパターン
は、図５（ｃ）に示するような「島状（island）」パタ
ーンを形成する。この島状パターンを完全に露光するた
めの露光パラメータは、図６に示す島状パターン形成領
域３１（Island window）となる。即ち、島状パターン
を完全に露光してフォトレジスト上に焼き付けるために
は、露光パラメータを島状パターン形成領域３１内に入
るように調整しなければならない。
【０００６】図５（ｂ）は、周囲にパターンを有し、中
央部位置のみにパターンのないフォトマスクを示してい
る。これを露光すると、図５（ｄ）に示すパターンとな
る。即ち、「ホール状」のパターンであって、このホー
ル状のパターンを完全に露光しようとする場合、その露
光パラメータは図６におけるホール状パターン形成領域
３２（Hole window）となる。同様の理論でホール状パ
ターンを完全に露光してフォトレジスタに焼き付けるに
は、その露光パラメータはホール状パターン形成領域３
２内に入るように調整しなければならない。
央部位置のみにパターンのないフォトマスクを示してい
る。これを露光すると、図５（ｄ）に示すパターンとな
る。即ち、「ホール状」のパターンであって、このホー
ル状のパターンを完全に露光しようとする場合、その露
光パラメータは図６におけるホール状パターン形成領域
３２（Hole window）となる。同様の理論でホール状パ
ターンを完全に露光してフォトレジスタに焼き付けるに
は、その露光パラメータはホール状パターン形成領域３
２内に入るように調整しなければならない。
【０００７】仮にフォトマスクが図７に示すように、島
状パターンとホール状パターンを同時に有するフォトマ
スクＡ４０であった場合、フォトマスクＡ４０を完全に
露光できるパラメータ領域は、島状パターン形成領域３
１とホール状パターン形成領域３２の重複領域３３のみ
となる。
状パターンとホール状パターンを同時に有するフォトマ
スクＡ４０であった場合、フォトマスクＡ４０を完全に
露光できるパラメータ領域は、島状パターン形成領域３
１とホール状パターン形成領域３２の重複領域３３のみ
となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】理論上１つのパラメー
タ領域が存在すればパラメータをそのパラメータ領域内
に調整することにより、露光工程を完成することができ
る。ところが実際には、チップ自身の平坦性、フォトレ
ジストの底面層の性質あるいは露光機械自身の微妙なラ
ンダム性などによりパターン形成領域を例えば重複領域
３３のように縮小した場合、実に多くの注意力と時間を
かけなければパラメータを理想的な数値に調整できな
い。よって、このような島状パターンとホール状パター
ンを同時に有するフォトマスクについては、パターン形
成領域を増大させることが必要とされる。
タ領域が存在すればパラメータをそのパラメータ領域内
に調整することにより、露光工程を完成することができ
る。ところが実際には、チップ自身の平坦性、フォトレ
ジストの底面層の性質あるいは露光機械自身の微妙なラ
ンダム性などによりパターン形成領域を例えば重複領域
３３のように縮小した場合、実に多くの注意力と時間を
かけなければパラメータを理想的な数値に調整できな
い。よって、このような島状パターンとホール状パター
ンを同時に有するフォトマスクについては、パターン形
成領域を増大させることが必要とされる。
【０００９】この発明は、前述するパターン形成領域を
増大することができる方法及びマスクＲＯＭのプログラ
ム化製造方法を提供することを目的とする。
増大することができる方法及びマスクＲＯＭのプログラ
ム化製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、パターン形成
領域の増大方法であって、以下の１〜８のステップを含
み、 １．マスクＡを得るステップ ２．マスクＡのパターンをプログラムコードＡに転換す
るステップ ３．０と１が交錯するプログラムコードであるデコード
Ｂを設定するステップ ４．プログラムコードＡとデコードＢとを加算してプロ
グラムコードＣを得るステップ ５．プログラムコードＡとデコードＢのインバーション
コードＢ′とを加算してプログラムコードＤを得るステ
ップ ６．プログラムコードＣによってマスクＣを作成するス
テップ ７．プログラムコードＤによってマスクＤを作成するス
テップ ８．マスクＣとマスクＤとを重ね合わすことによって、
マスクＡを単独で使用して露光した場合と同様の結果を
得るステップ ２組のパターンが平均化したマスクＣ及びマスクＤを得
て、パターン形成領域を増大させることを特徴とする。
領域の増大方法であって、以下の１〜８のステップを含
み、 １．マスクＡを得るステップ ２．マスクＡのパターンをプログラムコードＡに転換す
るステップ ３．０と１が交錯するプログラムコードであるデコード
Ｂを設定するステップ ４．プログラムコードＡとデコードＢとを加算してプロ
グラムコードＣを得るステップ ５．プログラムコードＡとデコードＢのインバーション
コードＢ′とを加算してプログラムコードＤを得るステ
ップ ６．プログラムコードＣによってマスクＣを作成するス
テップ ７．プログラムコードＤによってマスクＤを作成するス
テップ ８．マスクＣとマスクＤとを重ね合わすことによって、
マスクＡを単独で使用して露光した場合と同様の結果を
得るステップ ２組のパターンが平均化したマスクＣ及びマスクＤを得
て、パターン形成領域を増大させることを特徴とする。
【００１１】また、本発明においてマスクＡが、島状パ
ターンとホール状パターンを同時に任意に有するマスク
であることを特徴とする。
ターンとホール状パターンを同時に任意に有するマスク
であることを特徴とする。
【００１２】また、本発明において転換されたデコード
Ｂが、 ０１０１０１０１．．．．、 １０１０１０１０．．．．、 ： 、 ： 、 であることを特徴とする。
Ｂが、 ０１０１０１０１．．．．、 １０１０１０１０．．．．、 ： 、 ： 、 であることを特徴とする。
【００１３】また、本発明において転換されたデコード
Ｂが、 １０１０１０１０．．．．、 ０１０１０１０１．．．．、 ： 、 ： 、 であることを特徴とする。
Ｂが、 １０１０１０１０．．．．、 ０１０１０１０１．．．．、 ： 、 ： 、 であることを特徴とする。
【００１４】また、本発明においてマスクＣが主にホー
ル状パターンとなるフォトマスクであることを特徴とす
る。
ル状パターンとなるフォトマスクであることを特徴とす
る。
【００１５】また、本発明においてマスクＤが主にホー
ル状パターンとなるフォトマスクであることを特徴とす
る。
ル状パターンとなるフォトマスクであることを特徴とす
る。
【００１６】また、本発明は、マスクＲＯＭのプログラ
ム化製造方法であって、 １．任意なプログラムコードＡを得るステップ ２．０と１が交錯するプログラムコードであるデコード
Ｂを設定するステップ ３．プログラムコードＡとデコードＢとを加算してプロ
グラムコードＣを得るステップ ４．プログラムコードＡとデコードＢのインバーション
コードＢ′とを加算してプログラムコードＤを得るステ
ップ ５．プログラムコードＣによってマスクＣを作成するス
テップ ６．プログラムコードＤによってマスクＤを作成するス
テップ ７．読み出す最初の初期データを保存させたマスクＲＯ
Ｍのメモリセルを設けたチップを用意するステップ ８．マスクＣとマスクＤによって露光、現像及びイオン
注入の工程をそれぞれ１回ずつ進行させて、任意なプロ
グラムコードＡをマスクＲＯＭに保存する作業を完成さ
せるステップを含むことを特徴とする。
ム化製造方法であって、 １．任意なプログラムコードＡを得るステップ ２．０と１が交錯するプログラムコードであるデコード
Ｂを設定するステップ ３．プログラムコードＡとデコードＢとを加算してプロ
グラムコードＣを得るステップ ４．プログラムコードＡとデコードＢのインバーション
コードＢ′とを加算してプログラムコードＤを得るステ
ップ ５．プログラムコードＣによってマスクＣを作成するス
テップ ６．プログラムコードＤによってマスクＤを作成するス
テップ ７．読み出す最初の初期データを保存させたマスクＲＯ
Ｍのメモリセルを設けたチップを用意するステップ ８．マスクＣとマスクＤによって露光、現像及びイオン
注入の工程をそれぞれ１回ずつ進行させて、任意なプロ
グラムコードＡをマスクＲＯＭに保存する作業を完成さ
せるステップを含むことを特徴とする。
【００１７】また、本発明においてマスクＡが、島状パ
ターンとホール状パターンを同時に任意に有するマスク
であることを特徴とする。
ターンとホール状パターンを同時に任意に有するマスク
であることを特徴とする。
【００１８】また、本発明において転換されたデコード
Ｂが、 ０１０１０１０１．．．．、 １０１０１０１０．．．．、 ： 、 ： 、 であることを特徴とする。
Ｂが、 ０１０１０１０１．．．．、 １０１０１０１０．．．．、 ： 、 ： 、 であることを特徴とする。
【００１９】また、本発明において転換されたデコード
Ｂが、 １０１０１０１０．．．．、 ０１０１０１０１．．．．、 ： 、 ： 、 であることを特徴とする。
Ｂが、 １０１０１０１０．．．．、 ０１０１０１０１．．．．、 ： 、 ： 、 であることを特徴とする。
【００２０】また、本発明においてマスクＣが主にホー
ル状パターンとなるフォトマスクであることを特徴とす
る。
ル状パターンとなるフォトマスクであることを特徴とす
る。
【００２１】また、本発明においてマスクＤが主にホー
ル状パターンとなるフォトマスクであることを特徴とす
る。
ル状パターンとなるフォトマスクであることを特徴とす
る。
【００２２】また、本発明においてステップ８が以下の
ａ〜ｅの製造工程、 ａ．チップにフォトレジスト層を塗布する工程 ｂ．フォトマスクＣによって第１回目の露光を行う工程 ｃ．フォトマスクＤによって第２回目の露光を行う工程 ｄ．チップ上のフォトレジストに対して現像工程を進行
させる工程 ｅ．イオン注入工程を進行させる工程 を含むことを特徴とする。
ａ〜ｅの製造工程、 ａ．チップにフォトレジスト層を塗布する工程 ｂ．フォトマスクＣによって第１回目の露光を行う工程 ｃ．フォトマスクＤによって第２回目の露光を行う工程 ｄ．チップ上のフォトレジストに対して現像工程を進行
させる工程 ｅ．イオン注入工程を進行させる工程 を含むことを特徴とする。
【００２３】また、本発明においてステップ８が、以下
のｆ〜ｌの製造工程、 ｆ．チップ上に第１フォトレジスト層を塗布する工程 ｇ．フォトマスクＣによって第１回目の露光を行う工程 ｈ．チップ上の第１フォトレジスト層に対して第１回目
の現像及び第１回目のイオン注入工程を進行させる工程 ｉ．第１フォトレジスト層を洗浄する工程 ｊ．チップ上に第２フォトレジスト層を塗布する工程 ｋ．フォトマスクＤによって第２回目の露光を行う工程 ｌ．チップ上の第２フォトレジスト層に対して第２回目
の現像及び第２回目のイオン注入工程を進行させる工程 を含むことを特徴とする。
のｆ〜ｌの製造工程、 ｆ．チップ上に第１フォトレジスト層を塗布する工程 ｇ．フォトマスクＣによって第１回目の露光を行う工程 ｈ．チップ上の第１フォトレジスト層に対して第１回目
の現像及び第１回目のイオン注入工程を進行させる工程 ｉ．第１フォトレジスト層を洗浄する工程 ｊ．チップ上に第２フォトレジスト層を塗布する工程 ｋ．フォトマスクＤによって第２回目の露光を行う工程 ｌ．チップ上の第２フォトレジスト層に対して第２回目
の現像及び第２回目のイオン注入工程を進行させる工程 を含むことを特徴とする。
【００２４】この発明は、（ＡｏｒＢ）ａｎｄ（Ａｏｒ
Ｂ′）＝Ａの原理（Ｂ′＝１−Ｂ）を利用して、先ずＢ
及びＢ′を０と１を交錯させて、十分に平坦なプログラ
ムコードとする。このようにプログラムコードＡのリン
ク（加算）グループとすることによって、２組の十分に
均一なプログラムコードが得られる。更にこの２組のプ
ログラムコードを得ることによって、プログラムコード
Ａに戻ることができる。
Ｂ′）＝Ａの原理（Ｂ′＝１−Ｂ）を利用して、先ずＢ
及びＢ′を０と１を交錯させて、十分に平坦なプログラ
ムコードとする。このようにプログラムコードＡのリン
ク（加算）グループとすることによって、２組の十分に
均一なプログラムコードが得られる。更にこの２組のプ
ログラムコードを得ることによって、プログラムコード
Ａに戻ることができる。
【００２５】よって、この発明においては先ず、マスク
ＡのプログラムコードＡとデコードＢのリンクグループ
を得て、プログラムコードＣを得る。更にこのプログラ
ムコードＡとデコードＢのインバーションコードＢ′
（inversion code）を加算してプログラムコードＤを得
る。そのデコードＢは、１と０が交錯するプログラムコ
−ドである。そして、このプログラムコードＣとプログ
ラムコードＤをそれぞれマスクＣとマスクＤとに分け、
マスクＣとマスクＤそれぞれ別に露光を２回行ない、マ
スクＡを単独で利用した場合と同等の結果を得る。
ＡのプログラムコードＡとデコードＢのリンクグループ
を得て、プログラムコードＣを得る。更にこのプログラ
ムコードＡとデコードＢのインバーションコードＢ′
（inversion code）を加算してプログラムコードＤを得
る。そのデコードＢは、１と０が交錯するプログラムコ
−ドである。そして、このプログラムコードＣとプログ
ラムコードＤをそれぞれマスクＣとマスクＤとに分け、
マスクＣとマスクＤそれぞれ別に露光を２回行ない、マ
スクＡを単独で利用した場合と同等の結果を得る。
【００２６】
【発明の実施の形態】この発明の目的、特徴及び効果な
どを更に明らかにするために、好ましい実施形態を以下
にあげ、かつ図面を参照して本発明を詳細に説明する。
フォトレジストには、ネガ及びポジの２タイプがある。
基本的な原理は同じである。ここではポジタイプを例と
して説明にする。
どを更に明らかにするために、好ましい実施形態を以下
にあげ、かつ図面を参照して本発明を詳細に説明する。
フォトレジストには、ネガ及びポジの２タイプがある。
基本的な原理は同じである。ここではポジタイプを例と
して説明にする。
【００２７】図１はＲＯＭの集積回路を示す。そのメモ
リの部分は基本的には、配列されたビットライン５１と
ワ−ドライン５２とによって組成される。デ−タをＲＯ
Ｍに保存する場合は極めて直接的にアドレスのメモリセ
ル毎に、即ちビットラインとワ−ドラインが交差する箇
所にＮ−ＭＯＳ５３が作成される。よって、その読み出
す最初の値は１である。アドレスのいずれかに０のメモ
リセルを設ける場合、ホウ素イオンを注入して、そのエ
リアが本来有する電気性を中和する。これにより導通し
ないようにすれば、アドレスのメモリセルの値は０にな
る。
リの部分は基本的には、配列されたビットライン５１と
ワ−ドライン５２とによって組成される。デ−タをＲＯ
Ｍに保存する場合は極めて直接的にアドレスのメモリセ
ル毎に、即ちビットラインとワ−ドラインが交差する箇
所にＮ−ＭＯＳ５３が作成される。よって、その読み出
す最初の値は１である。アドレスのいずれかに０のメモ
リセルを設ける場合、ホウ素イオンを注入して、そのエ
リアが本来有する電気性を中和する。これにより導通し
ないようにすれば、アドレスのメモリセルの値は０にな
る。
【００２８】図１に示すようにイオン注入するため、そ
の後アドレス（１，３）上の値は０となり、その他は１
となる。言い換えれば、ＲＯＭの保存値を入力する場合
は、アドレス（１，３）上に孔部を設け、その他の部位
が覆われたフォトマスクを作成して、ホウ素イオンが特
定のエリアに注入されるようにする。
の後アドレス（１，３）上の値は０となり、その他は１
となる。言い換えれば、ＲＯＭの保存値を入力する場合
は、アドレス（１，３）上に孔部を設け、その他の部位
が覆われたフォトマスクを作成して、ホウ素イオンが特
定のエリアに注入されるようにする。
【００２９】仮にプログラムコ−ドＡを、 ００００１１１１ ０１００１１０１ ００００１１１１ ００００１１１１ とした場合、そのマスクの形状は図７のようになる。
【００３０】そのプログラムコ−ドが０の箇所は、符号
４１の箇所のようにパタ−ンを有することなく、対応す
るフォトレジストは露光された後除去される。ホウ素イ
オンが注入されて電気性が中和されることによって、０
の信号が得られる。逆に、プログラムコ−ドが１の場合
は、フォトレジストを保留しなければならず、このため
フォトマスクは図７の符号４２の箇所のようにパタ−ン
を有する。
４１の箇所のようにパタ−ンを有することなく、対応す
るフォトレジストは露光された後除去される。ホウ素イ
オンが注入されて電気性が中和されることによって、０
の信号が得られる。逆に、プログラムコ−ドが１の場合
は、フォトレジストを保留しなければならず、このため
フォトマスクは図７の符号４２の箇所のようにパタ−ン
を有する。
【００３１】仮にデコードＢを、 １０１０１０１０ ０１０１０１０１ １０１０１０１０ ０１０１０１０１ とし、また、そのインバ−ションコ−ドＢ′を、 ０１０１０１０１ １０１０１０１０ ０１０１０１０１ １０１０１０１０ とする。
【００３２】プログラムコ−ドＣ＝（ＡｏｒＢ）とした
場合、Ｃは、 １０１０１１１１ ０１０１１１０１ １０１０１１１１ ０１０１１１１１ となる。
場合、Ｃは、 １０１０１１１１ ０１０１１１０１ １０１０１１１１ ０１０１１１１１ となる。
【００３３】プログラムコ−ドＣによって得られるフォ
トマスクＣ６０は、図２に示す通りである。
トマスクＣ６０は、図２に示す通りである。
【００３４】更にＤ＝（ＡｏｒＢ′）とした場合、Ｄ
は、 ０１０１１１１１ １１１０１１１１ ０１０１１１１１ １０１０１１１１ となる。
は、 ０１０１１１１１ １１１０１１１１ ０１０１１１１１ １０１０１１１１ となる。
【００３５】プログラムコ−ドＤによって得られるフォ
トマスクＤ７０は、図３に示す通りである。
トマスクＤ７０は、図３に示す通りである。
【００３６】図２及び図３から分かるように、本来図７
に示すフォトマスクＡ４０は、２組のパターンを十分に
平均化したフォトマスクＣ６０とフォトマスクＤ７０と
に転換される。フォトマスクＣ６０及びＤ７０において
は、いずれもホール状パターンのみである。このため露
光パラメータについては、図６のホール状パターン形成
領域３２を得ることができる。本来のフォトマスクＡ４
０に適用される重複領域３３は、ホール状パターン形成
領域３２と島状パターン形成領域３１との重複によって
得られる。従って、ホール状パターン形成領域３２は、
重複領域３３に比して必然的に大きくなる。よって、こ
の発明の目的は達せられたことになる。
に示すフォトマスクＡ４０は、２組のパターンを十分に
平均化したフォトマスクＣ６０とフォトマスクＤ７０と
に転換される。フォトマスクＣ６０及びＤ７０において
は、いずれもホール状パターンのみである。このため露
光パラメータについては、図６のホール状パターン形成
領域３２を得ることができる。本来のフォトマスクＡ４
０に適用される重複領域３３は、ホール状パターン形成
領域３２と島状パターン形成領域３１との重複によって
得られる。従って、ホール状パターン形成領域３２は、
重複領域３３に比して必然的に大きくなる。よって、こ
の発明の目的は達せられたことになる。
【００３７】ここで更に、フォトマスクＣ６０とフォト
マスクＤ７０によって本来の値、即ちフォトマスクＡ４
０が得られることを証明する。その証明の過程は次ぎの
通りである。
マスクＤ７０によって本来の値、即ちフォトマスクＡ４
０が得られることを証明する。その証明の過程は次ぎの
通りである。
【００３８】 Ｆｏｒ Ｃ＝（ＡｏｒＢ） Ｄ＝（ＡｏｒＢ） Ｂ′＝１−Ｂ ＣａｎｄＤ＝（ＡｏｒＢ）ａｎｄ（ＡｏｒＢ′） ＝〔Ａａｎｄ（ＡｏｒＢ′）〕ｏｒ〔Ｂａｎｄ（ＡｏｒＢ′）〕 ＝ＡＡｏｒＡＢ′ｏｒＡＢｏｒＢＢ′ ＝ＡｏｒＡＢ′ｏｒＡＢ ＝Ａ（１ｏｒＢ′ｏｒＢ） ＝Ａ（１） ＝Ａ
【００３９】よって、フォトマスクＣ６０と、フォトマ
スクＤ７０とを重ね合わすことによって、フォトマスク
４０と同様の結果を得ることができる。仮にフォトマス
クＣ６０とＤ７０とを直接観察した場合、これら２つの
フォトマスクを別々に分けて２回露光を進行させると、
光線に照射される部分が総合的にフォトマスクＡ４０と
同様であることが分かる。従って、フォトマスクＣ６０
とＤ７０とを重ね合わせると、フォトマスクＡ４０と同
等の効果が得られる。
スクＤ７０とを重ね合わすことによって、フォトマスク
４０と同様の結果を得ることができる。仮にフォトマス
クＣ６０とＤ７０とを直接観察した場合、これら２つの
フォトマスクを別々に分けて２回露光を進行させると、
光線に照射される部分が総合的にフォトマスクＡ４０と
同様であることが分かる。従って、フォトマスクＣ６０
とＤ７０とを重ね合わせると、フォトマスクＡ４０と同
等の効果が得られる。
【００４０】即ち、マスクＲＯＭのプログラム化した製
造方法とは、任意なプログラムコードＡをデコードＢと
Ｂ′とにそれぞれ転換し、プログラムコードＣ及びプロ
グラムコードＤとにする。デコードＢの特徴は、０と１
が交錯したプログラムコードである。次いでプログラム
コードＣとＤとを利用してフォトマスクＣとフォトマス
クＤとを作成する。更に、フォトレジストをチップに塗
布してチップ上に予めデータの保存を完成させたマスク
ＲＯＭを設ける。フォトレジストを焼き付けるステップ
によってチップ上に固定し、フォトマスクＣによって第
１回目の露光を行う。再度フォトマスクＤによって第２
回目の露光を行い、更に現象とイオン注入の製造工程を
進行させて、任意なプロラムコードＡをマスクＲＯＭに
保存する作業を完成させる。
造方法とは、任意なプログラムコードＡをデコードＢと
Ｂ′とにそれぞれ転換し、プログラムコードＣ及びプロ
グラムコードＤとにする。デコードＢの特徴は、０と１
が交錯したプログラムコードである。次いでプログラム
コードＣとＤとを利用してフォトマスクＣとフォトマス
クＤとを作成する。更に、フォトレジストをチップに塗
布してチップ上に予めデータの保存を完成させたマスク
ＲＯＭを設ける。フォトレジストを焼き付けるステップ
によってチップ上に固定し、フォトマスクＣによって第
１回目の露光を行う。再度フォトマスクＤによって第２
回目の露光を行い、更に現象とイオン注入の製造工程を
進行させて、任意なプロラムコードＡをマスクＲＯＭに
保存する作業を完成させる。
【００４１】本発明の第２の実施形態を説明する。この
発明のもう１つの実施形態は、任意なプログラムコード
ＡをデコードＢとＢ′とに転換し、更にそれぞれをプロ
グラムコードＣ及びプログラムコードＤに転換する。デ
コードＢの特徴は、０と１が交錯したプログラムコード
となることにある。次いでプログラムコードＣとプログ
ラムコードＤを利用してフォトマスクＣ及びフォトマス
クＤを作成する。更にフォトレジストをチップ上に塗布
し、このチップに予めデータの保存を完成させたマスク
ＲＯＭを設ける。焼き付けの工程を経ってフォトレジス
トをチップ上に固定し、フォトマスクＣによって第１回
目の露光を行い、さらに現象とイオン注入の製造工程と
を進行させる。
発明のもう１つの実施形態は、任意なプログラムコード
ＡをデコードＢとＢ′とに転換し、更にそれぞれをプロ
グラムコードＣ及びプログラムコードＤに転換する。デ
コードＢの特徴は、０と１が交錯したプログラムコード
となることにある。次いでプログラムコードＣとプログ
ラムコードＤを利用してフォトマスクＣ及びフォトマス
クＤを作成する。更にフォトレジストをチップ上に塗布
し、このチップに予めデータの保存を完成させたマスク
ＲＯＭを設ける。焼き付けの工程を経ってフォトレジス
トをチップ上に固定し、フォトマスクＣによって第１回
目の露光を行い、さらに現象とイオン注入の製造工程と
を進行させる。
【００４２】次いで、フォトマスクＤによって第２回目
の露光工程を進行させ、また第２回目のイオン注入工程
を進行させる。そして、任意なプログラムコードＡをマ
スクＲＯＭに保存する作業を完成させる。
の露光工程を進行させ、また第２回目のイオン注入工程
を進行させる。そして、任意なプログラムコードＡをマ
スクＲＯＭに保存する作業を完成させる。
【００４３】なお、上述した発明の実施形態は、最も好
ましい例をあげたものであって、この発明を限定するも
のではない。即ち、当業者のなし得る修正や変更で、こ
の発明の精神と範囲内に在るものは、いずれもこの発明
の特許請求の範囲に属するものとする。
ましい例をあげたものであって、この発明を限定するも
のではない。即ち、当業者のなし得る修正や変更で、こ
の発明の精神と範囲内に在るものは、いずれもこの発明
の特許請求の範囲に属するものとする。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、
（ＡｏｒＢ）ａｎｄ（ＡｏｒＢ′）＝Ａの原理（Ｂ′＝
１−Ｂ）を利用して、先ずＢ及びＢ′を０と１と交錯さ
せて、十分に平坦なプログラムコードとする。このよう
にプログラムコードＡのリンクグループとすることによ
って、２組の十分に均一なプログラムコードが得られ
る。さらにこの２組のプログラムコード得ることによっ
て、プログラムコードＡに戻ることができる。
（ＡｏｒＢ）ａｎｄ（ＡｏｒＢ′）＝Ａの原理（Ｂ′＝
１−Ｂ）を利用して、先ずＢ及びＢ′を０と１と交錯さ
せて、十分に平坦なプログラムコードとする。このよう
にプログラムコードＡのリンクグループとすることによ
って、２組の十分に均一なプログラムコードが得られ
る。さらにこの２組のプログラムコード得ることによっ
て、プログラムコードＡに戻ることができる。
【００４５】よって、この発明においては先ず、マスク
ＡのＡプログラムコードとデコードＢのリンクグループ
を得て、プログラムコ−ドＣを得る。更にこのプログラ
ムコードＡとデコードＢのインバーションコードＢ′を
加算してプログラムコードＤを得る。そのデコードＢ
は、１と０とが交錯するプログラムコードである。そし
て、このプログラムコードＣとプログラムコードＤをそ
れぞれマスクＣとマスクＤとに分け、マスクＣとマスク
Ｄそれぞれ別に露光を２回行ない、マスクＡを単独で利
用した場合と同等の結果を得る。
ＡのＡプログラムコードとデコードＢのリンクグループ
を得て、プログラムコ−ドＣを得る。更にこのプログラ
ムコードＡとデコードＢのインバーションコードＢ′を
加算してプログラムコードＤを得る。そのデコードＢ
は、１と０とが交錯するプログラムコードである。そし
て、このプログラムコードＣとプログラムコードＤをそ
れぞれマスクＣとマスクＤとに分け、マスクＣとマスク
Ｄそれぞれ別に露光を２回行ない、マスクＡを単独で利
用した場合と同等の結果を得る。
【００４６】このため、特に同時に島状パターンとホー
ル状パターンとを有するフォトマスクについて、パター
ン形成領域を増大させることによりパラメータの調整を
容易にし、製造工程の成功率を高めることができる。
ル状パターンとを有するフォトマスクについて、パター
ン形成領域を増大させることによりパラメータの調整を
容易にし、製造工程の成功率を高めることができる。
【図１】本発明に係るＲＯＭ集積回路を示す図である。
【図２】プログラムコードＣによって得られるフォトマ
スクを示す図である。
スクを示す図である。
【図３】プログラムコードＤによって得られるフォトマ
スクを示す図である。
スクを示す図である。
【図４】光蝕刻法の原理を説明するための図である。
【図５】フォトマスクとフォトレジストパターンの関係
を示す図である。
を示す図である。
【図６】露光時のパターン形成領域の例を示す図であ
る。
る。
【図７】島状パターンとホール状パターンを有するフォ
トマスクを示す図である。
トマスクを示す図である。
１１ ウエハ １２ 光線 １３ フォトレジスト ３１ 島状パターン形成領域 ３２ ホール状パターン形成領域 ３３ 重複領域 ５１ ビットライン ５２ ワードライン ５３ Ｎ−ＭＯＳ ６０ フォトマスクＣ ７０ フォトマスクＤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開2001−68566（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−223751（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−51095（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/8246 G03F 1/08 G11C 17/08 H01L 21/027 H01L 27/112 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (14)
- 【請求項１】 以下の１〜８のステップを含み、 １．マスクＡを得るステップ ２．マスクＡのパターンをプログラムコードＡに転換す
るステップ ３．０と１が交錯するプログラムコードであるデコード
Ｂを設定するステップ ４．プログラムコードＡとデコードＢとを加算してプロ
グラムコードＣを得るステップ ５．プログラムコードＡとデコードＢのインバーション
コードＢ′とを加算してプログラムコードＤを得るステ
ップ ６．プログラムコードＣによってマスクＣを作成するス
テップ ７．プログラムコードＤによってマスクＤを作成するス
テップ ８．マスクＣとマスクＤとを重ね合わすことによって、
マスクＡを単独で使用して露光した場合と同様の結果を
得るステップ ２組のパターンが平均化したマスクＣ及びマスクＤを得
て、パターン形成領域を増大させることを特徴とするパ
ターン形成領域の増大方法。 - 【請求項２】 マスクＡが、島状パターンとホール状パ
ターンを同時に任意に有するマスクであることを特徴と
する請求項１に記載のパターン形成領域の増大方法。 - 【請求項３】 転換されたデコードＢが、 であることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成
領域の増大方法。 - 【請求項４】 転換されたデコードＢが、 であることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成
領域の増大方法。 - 【請求項５】 マスクＣが主にホール状パターンとなる
フォトマスクであることを特徴とする請求項１に記載の
パターン形成領域の増大方法。 - 【請求項６】 マスクＤが主にホール状パターンとなる
フォトマスクであることを特徴とする請求項１に記載の
パターン形成領域の増大方法。 - 【請求項７】 マスクＲＯＭのプログラム化製造方法で
あって、 １．任意なプログラムコードＡを得るステップ ２．０と１が交錯するプログラムコードであるデコード
Ｂを設定するステップ ３．プログラムコードＡとデコードＢとを加算してプロ
グラムコードＣを得るステップ ４．プログラムコードＡとデコードＢのインバーション
コードＢ′とを加算してプログラムコードＤを得るステ
ップ ５．プログラムコードＣによってマスクＣを作成するス
テップ ６．プログラムコードＤによってマスクＤを作成するス
テップ ７．読み出す最初の初期データを保存させたマスクＲＯ
Ｍのメモリセルを設けたチップを用意するステップ ８．マスクＣとマスクＤによって露光、現像及びイオン
注入の工程をそれぞれ１回ずつ進行させて、任意なプロ
グラムコードＡをマスクＲＯＭに保存する作業を完成さ
せるステップを含むことを特徴とするマスクＲＯＭのプ
ログラム化製造方法。 - 【請求項８】 マスクＡが、島状パターンとホール状パ
ターンを同時に任意に有するマスクであることを特徴と
する請求項７に記載のマスクＲＯＭのプログラム化製造
方法。 - 【請求項９】 転換されたデコードＢが、 であることを特徴とする請求項７に記載のマスクＲＯＭ
のプログラム化製造方法。 - 【請求項１０】 転換されたデコードＢが、 であることを特徴とする請求項７に記載のマスクＲＯＭ
のプログラム化製造方法。 - 【請求項１１】 マスクＣが主にホール状パターンとな
るフォトマスクであることを特徴とする請求項７に記載
のマスクＲＯＭのプログラム化製造方法。 - 【請求項１２】 マスクＤが主にホール状パターンとな
るフォトマスクであることを特徴とする請求項７に記載
のマスクＲＯＭのプログラム化製造方法。 - 【請求項１３】 ステップ８が以下のａ〜ｅの製造工
程、 ａ．チップにフォトレジスト層を塗布する工程 ｂ．フォトマスクＣによって第１回目の露光を行う工程 ｃ．フォトマスクＤによって第２回目の露光を行う工程 ｄ．チップ上のフォトレジストに対して現像工程を進行
させる工程 ｅ．イオン注入工程を進行させる工程 を含むことを特徴とする請求項７に記載のマスクＲＯＭ
のプログラム化した製造方法。 - 【請求項１４】 ステップ８が、以下のｆ〜ｌの製造工
程、 ｆ．チップ上に第１フォトレジスト層を塗布する工程 ｇ．フォトマスクＣによって第１回目の露光を行う工程 ｈ．チップ上の第１フォトレジスト層に対して第１回目
の現像及び第１回目のイオン注入工程を進行させる工程 ｉ．第１フォトレジスト層を洗浄する工程 ｊ．チップ上に第２フォトレジスト層を塗布する工程 ｋ．フォトマスクＤによって第２回目の露光を行う工程 ｌ．チップ上の第２フォトレジスト層に対して第２回目
の現像及び第２回目のイオン注入工程を進行させる工程
を含むことを特徴とする請求項７に記載のマスクＲＯＭ
のプログラム化製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25465799A JP3277175B2 (ja) | 1999-09-08 | 1999-09-08 | マスクｒｏｍのプログラム化製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25465799A JP3277175B2 (ja) | 1999-09-08 | 1999-09-08 | マスクｒｏｍのプログラム化製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085537A JP2001085537A (ja) | 2001-03-30 |
| JP3277175B2 true JP3277175B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=17268062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25465799A Expired - Lifetime JP3277175B2 (ja) | 1999-09-08 | 1999-09-08 | マスクｒｏｍのプログラム化製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3277175B2 (ja) |
-
1999
- 1999-09-08 JP JP25465799A patent/JP3277175B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001085537A (ja) | 2001-03-30 |
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