JP3273528B2

JP3273528B2 - 出力選択制御回路

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Publication number: JP3273528B2
Application number: JP12129194A
Authority: JP
Inventors: 正剛行武; 將弘岩村; 隆志秋岡; 欽哉光本
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-06-02
Filing date: 1994-06-02
Publication date: 2002-04-08
Anticipated expiration: 2017-04-08
Also published as: JPH07326960A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、出力選択制御回路に係
わり、特に、トランジスタＥＣＬゲート（カレントスイ
ッチ）の出力側にエミッタフォロワトランジスタを接続
した構成の単位選択回路（半導体集積回路装置）を設
け、これら複数の単位選択回路（半導体集積回路装置）
のエミッタフォロワトランジスタのエミッタ出力をワイ
ヤードＯＲによって出力選択する出力選択制御回路に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体記憶装置は、取り扱う情報
量の増大によって大きな記憶容量のものが使われるよう
になり、半導体記憶装置の記憶容量の増大化に伴って、
半導体記憶装置から読み出された複数の論理信号の中の
１つの論理信号を選択的に共通のデータバスに供給する
出力選択制御回路においても、コレクタノードから取り
出した論理信号を共通のデータバスに選択供給する従前
の出力手段に代わって、コレクタノードよりも寄生容量
の小さいエミッタノードから出力を取り出す最新の出力
手段が採用されるようになってきた。

【０００３】ところで、かかる最新の出力手段を備えた
出力選択制御回路は、カレントスイッチを構成するトラ
ンジスタＥＣＬゲートとトランジスタＥＣＬゲートの出
力に接続されたエミッタフォロワトランジスタとからな
る単位選択回路（半導体集積回路装置で構成される）を
備え、これら複数の単位選択回路のエミッタフォロワト
ランジスタのエミッタが共通のデータバスに接続され、
選択された単位選択回路からの論理信号だけがワイヤー
ドＯＲによって共通のデータバスに選択的に出力される
ものである。この出力選択制御回路において、選択され
た単位選択回路の出力論理信号だけを共通のデータバス
に出力させるためには、選択されていない単位選択回路
のエミッタフォロワトランジスタのベース電圧を、選択
された単位選択回路のエミッタフォロワトランジスタの
ベース電圧に比べて十分に低くなるように制御する必要
がある。

【０００４】図６は、前記既知の出力選択制御回路にお
ける１つの単位選択回路の構成の一例を示す回路図であ
って、この回路は、信学技報Ｖｏｌ．９１Ｎｏ．６４
（ＳＤＭ９１−１１）ｐ７に記載のものである。

【０００５】図６において、５１はカレントスイッチを
構成するトランジスタＥＣＬゲート、５２はエミッタフ
ォロワトランジスタ、５３は第１のＰＭＯＳＦＥＴ、５
４は第２のＰＭＯＳＦＥＴ、５５は第３のＰＭＯＳＦＥ
Ｔ、５６はＮＭＯＳＦＥＴ、５７は基準電圧端子、５８
は高電圧端子、５９は反転選択信号端子、６０はプルア
ップノードである。

【０００６】そして、トランジスタＥＣＬゲート５１
は、エミッタが共通結合された２つのトランジスタ５１
ａ、５１ｂと、電流源用ＮＭＯＳＦＥＴ５１ｃと、２つ
のコレクタ負荷抵抗５１ｄ、５１ｅとからなり、コレク
タ負荷抵抗５１ｄ、５１ｅの他端はプルアップノード６
０に接続される。エミッタフォロワトランジスタ５２
は、２つの並列トランジスタ５２ａ、５２ｂからなって
おり、トランジスタ５２ａ、５２ｂのベースはそれぞれ
トランジスタ５１ａ、５１ｂのコレクタに接続される。
第１のＰＭＯＳＦＥＴ５３は高電圧端子５８とプルアッ
プノード６０間に接続され、第２のＰＭＯＳＦＥＴ５４
はプルアップノード６０と基準電圧端子５７間に接続さ
れる。第３のＰＭＯＳＦＥＴ５５とＮＭＯＳＦＥＴ５６
は、直列接続されて基準電圧端子５７と接地電位点間に
接続される。

【０００７】いま、この単位選択回路を選択する場合、
トランジスタＥＣＬゲート（カレントスイッチ）５１に
反転選択信号Ｐｓｅｌ＊（ここで、＊は反転記号を表わ
す）の否定信号である論理０を供給すると、第１のＰＭ
ＯＳＦＥＴ５３、第３のＰＭＯＳＦＥＴ５５がオン状
態、第２のＰＭＯＳＦＥＴ５４、ＮＭＯＳＦＥＴ５６が
オフ状態になり、電流源用ＮＭＯＳＦＥＴ５１ｃがオン
状態になる。このとき、第１のＰＭＯＳＦＥＴ５３のオ
ンによってプルアップノード６０に高電圧Ｖｃｃが供給
され、トランジスタＥＣＬゲート（カレントスイッチ）
５１が動作（選択）状態になる。そして、トランジスタ
５１ａ、５１ｂのベースに供給されたプリセンスアンプ
前段（図示なし）からの論理信号は、動作状態にあるト
ランジスタＥＣＬゲート（カレントスイッチ）５１を通
して次続のエミッタフォロワトランジスタ５２に供給さ
れ、次いで、エミッタフォロワトランジスタ５２のエミ
ッタに結合されるデータバス（図示なし）に伝送供給さ
れる。

【０００８】一方、この単位選択回路を非選択にする場
合、トランジスタＥＣＬゲート（カレントスイッチ）５
１に反転選択信号Ｐｓｅｌ＊の肯定信号である論理１を
供給すると、第１のＰＭＯＳＦＥＴ５３、第３のＰＭＯ
ＳＦＥＴ５５がオフ状態、第２のＰＭＯＳＦＥＴ５４、
ＮＭＯＳＦＥＴ５６がオン状態になり、電流源用ＮＭＯ
ＳＦＥＴ５１ｃがオフ状態になる。このとき、電流源用
ＮＭＯＳＦＥＴ５１ｃのオフによってトランジスタＥＣ
Ｌゲート（カレントスイッチ）５１が非動作（非選択）
状態になるが、プルアップノード６０は、第１のＰＭＯ
ＳＦＥＴ５３のオフによって高電圧Ｖｃｃの供給が停止
され、代わりに第２のＰＭＯＳＦＥＴ５４のオンによっ
て基準電圧Ｖｒｅｆが供給される。

【０００９】このように、前記単位選択回路において
は、動作状態にあるトランジスタＥＣＬゲート（カレン
トスイッチ）５１に接続されたエミッタフォロワトラン
ジスタ５２のベース電圧が、非動作状態にあるトランジ
スタＥＣＬゲート（カレントスイッチ）５１に接続され
たエミッタフォロワトランジスタ５２のベース電圧より
も高くなるので、それぞれのエミッタフォロワトランジ
スタ５２のエミッタに共通結合されるデータバスには、
選択されたトランジスタＥＣＬゲート（カレントスイッ
チ）５１の出力だけが供給される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】前記既知の出力選択制
御回路（単位制御回路）においては、消費電力を極力少
なくするために高電圧Ｖｃｃをできるだけ低電圧化する
ようにしており、一方、高電圧Ｖｃｃの低電圧化に伴
い、トランジスタＥＣＬゲート（カレントスイッチ）５
１における２つのトランジスタ５２ａ、５２ｂのベース
動作電圧が高電圧Ｖｃｃから１Ｖｂｅ（ここで、Ｖｂｅ
はトランジスタのベース・エミッタ間電圧降下を表わ
す）程度下がった電圧レベルまで高めるようにして、ト
ランジスタＥＣＬゲート（カレントスイッチ）５１の動
作マージンを確保している。ところが、トランジスタＥ
ＣＬゲート（カレントスイッチ）５１が反転選択信号Ｐ
ｓｅｌ＊によって非選択状態に制御される場合は、トラ
ンジスタＥＣＬゲート（カレントスイッチ）５１のコレ
クタノードの電圧が基準電圧Ｖｒｅｆに等しくなるよう
に制御されるため、それらのコレクタ電圧がベース動作
電圧より低くなり、これらのトランジスタ５２ａ、５２
ｂが飽和領域で動作するという問題が懸念される。一
方、トランジスタＥＣＬゲート（カレントスイッチ）５
１を制御（クランプ）電圧で規定する場合、これらトラ
ンジスタ５２ａ、５２ｂが飽和領域で動作しないよう
に、その制御（クランプ）電圧の下限値はトランジスタ
ＥＣＬゲート（カレントスイッチ）５１の基準電圧Ｖｒ
ｅｆ程度までしか下げることができないという問題もあ
る。

【００１１】また、前記既知の出力選択制御回路（単位
制御回路）においては、トランジスタＥＣＬゲート（カ
レントスイッチ）５１が反転選択信号Ｐｓｅｌ＊によっ
て選択または非選択される場合、一時的ではあるもの
の、第１のＰＭＯＳＦＥＴ５３と第２のＰＭＯＳＦＥＴ
５４が同時にオン状態になってしまい、高電圧端子５８
と基準電圧端子５７間が瞬間短絡状態になり、その間及
びその後の僅かの期間、基準電圧Ｖｒｅｆが本来の電圧
値から変動してしまうという問題がある。

【００１２】本発明は、これらの問題点を解消するもの
であって、その目的は、トランジスタＥＣＬゲート（カ
レントスイッチ）のトランジスタを飽和させず、かつ、
基準電圧や制御（クランプ）電圧を変動させることがな
い出力選択制御回路及びこの出力選択制御回路を構成す
る各別の半導体集積回路装置を提供することにある。

【００１３】また、本発明の他の目的は、トランジスタ
ＥＣＬゲート（カレントスイッチ）の制御（クランプ）
電圧を基準電圧よりも低く設定することが可能な出力選
択制御回路及びこの出力選択制御回路を構成する各別の
半導体集積回路装置を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】前記目的及び他の目的を
達成するために、本発明は、入力論理信号が供給される
トランジスタＥＣＬゲートと、このトランジスタＥＣＬ
ゲートの出力側に接続されたエミッタフォロワトランジ
スタとによって単位選択回路が構成され、複数の単位選
択回路の前記エミッタフォロワトランジスタのエミッタ
出力が共通接続されてワイヤードＯＲ機能を果たす出力
選択制御回路において、前記各単位選択回路は、前記ト
ランジスタＥＣＬゲートの出力と前記エミッタフォロワ
トランジスタの入力間に第１の転送ゲートが接続される
とともに、前記エミッタフォロワトランジスタの入力に
第２の転送ゲートが分路接続され、前記トランジスタＥ
ＣＬゲートの選択状態への駆動時は、前記第２の転送ゲ
ートが非転送状態に制御された後で前記第１の転送ゲー
トが転送状態に制御され、一方、前記トランジスタＥＣ
Ｌゲートの非選択状態への駆動時は、前記第１の転送ゲ
ートが非転送状態に制御された後で前記第２の転送ゲー
トが転送状態に制御される第１の手段を備えている。

【００１５】また、前記目的及び他の目的を達成するた
めに、本発明は、少なくともトランジスタＥＣＬゲート
と第１及び第２の転送ゲートを備えるインバータ回路段
と、エミッタフォロワトランジスタを備えるエミッタフ
ォロワ回路段とからなり、前記第１の転送ゲートは前記
トランジスタＥＣＬゲートと前記エミッタフォロワトラ
ンジスタの入力に接続されるとともに、前記第２の転送
ゲートは前記エミッタフォロワトランジスタの入力に分
路接続され、前記トランジスタＥＣＬゲートが選択状態
へ駆動される時は、前記第２の転送ゲートが非転送状態
に制御された後で前記第１の転送ゲートが転送状態に制
御され、一方、前記トランジスタＥＣＬゲートが非選択
状態へ駆動される時は、前記第１の転送ゲートが非転送
状態に制御された後で前記第２の転送ゲートが転送状態
に制御される第２の手段を備えている。

【００１６】

【作用】前記第１及び第２の手段によれば、トランジス
タＥＣＬゲート（カレントスイッチ）の出力コレクタノ
ードとエミッタフォロワトランジスタのベース間に第１
の転送ゲートが接続されるとともに、エミッタフォロワ
トランジスタのベースに第２の転送ゲートが分路接続さ
れ、トランジスタＥＣＬゲート（カレントスイッチ）が
選択状態に駆動されるときは、第２の転送ゲートが非転
送状態に制御された後で第１の転送ゲートが転送状態に
制御され、一方、トランジスタＥＣＬゲート（カレント
スイッチ）が非選択状態に駆動されるときは、第１の転
送ゲートが非転送状態に制御された後で第２の転送ゲー
トが転送状態に制御される。

【００１７】このため、トランジスタＥＣＬゲート（カ
レントスイッチ）の出力コレクタノードは、トランジス
タＥＣＬゲート（カレントスイッチ）が選択状態に駆動
される際、高電圧Ｖｃｃに等しい電圧まで上昇し、最低
の場合でも高電圧Ｖｃｃから出力論理信号振幅を差し引
いた電圧になる。そして、トランジスタＥＣＬゲート
（カレントスイッチ）のベース電圧は、高電圧Ｖｃｃか
ら出力論理信号振幅を差し引いた電圧よりもさらに低い
電圧に設定されるのが普通であるので、トランジスタＥ
ＣＬゲート（カレントスイッチ）を構成するトランジス
タのコレクタ電圧とベース電圧間で電圧逆転が生じるこ
とはなくなり、トランジスタＥＣＬゲート（カレントス
イッチ）を構成するトランジスタが飽和することはな
い。

【００１８】また、トランジスタＥＣＬゲート（カレン
トスイッチ）が非選択状態に駆動される際、第１の転送
ゲートが非転送状態に制御され、エミッタフォロワトラ
ンジスタのベースが高電圧Ｖｃｃから絶縁された後、第
２の転送ゲートが転送状態に制御され、エミッタフォロ
ワトランジスタのベースに制御（クランプ）電圧Ｖｃｌ
ｐが供給されるので、高電圧Ｖｃｃと制御（クランプ）
電圧Ｖｃｌｐとが短絡を起し、制御（クランプ）電圧Ｖ
ｃｌｐが変動することはなく、しかも、トランジスタＥ
ＣＬゲート（カレントスイッチ）が非選択状態に駆動さ
れた際に、エミッタフォロワトランジスタのベース電圧
が変動することもない。

【００１９】さらに、トランジスタＥＣＬゲート（カレ
ントスイッチ）が非選択状態に駆動される際、それらト
ランジスタのコレクタノードとエミッタフォロワトラン
ジスタのベースノードとを切離し、エミッタフォロワト
ランジスタのベースノードのみを制御してトランジスタ
ＥＣＬゲート（カレントスイッチ）のトランジスタは飽
和に陥ることがないため、制御（クランプ）電圧Ｖｃｌ
ｐをトランジスタＥＣＬゲート（カレントスイッチ）の
基準電位より低い電圧に設定することが可能になる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。

【００２１】図１は、本発明に係わる出力選択制御回路
の全体構成の概略及び一部の半導体集積回路装置の内部
構成の概略を示す基本的な実施例の構成図である。

【００２２】図１において、１はトランジスタＥＣＬゲ
ート（カレントスイッチ）、１ａは第１のトランジス
タ、１ｂは第２のトランジスタ、１ｃは電流源、２は第
１の転送ゲート、３は第２の転送ゲート、４はコレクタ
負荷抵抗、５はエミッタフォロワトランジスタ、６は論
理信号入力端子、７は基準電圧（Ｖｒｅｆ）端子、８は
高電圧（Ｖｃｃ）端子、９は第１のトランジスタ１ａの
コレクタにあるコレクタノード、１０はエミッタフォロ
ワトランジスタ５のベースにあるベースノード、１１は
データバスである。

【００２３】ここにおいて、トランジスタＥＣＬゲート
１、第１の転送ゲート２、第２の転送ゲート３、コレク
タ負荷抵抗４からなる部分は、インバータ回路段Ｃ０を
構成し、エミッタフォロワトランジスタ５からなる部分
は、エミッタフォロワ回路段Ｅ０を構成している。ま
た、Ｃ１、Ｃ２はインバータ回路段Ｃ０と同一構成のイ
ンバータ回路段であり、Ｅ１、Ｅ２はエミッタフォロワ
回路段Ｅ０と同一構成のエミッタフォロワ回路段であ
る。さらに、インバータ回路段Ｃ０及びエミッタフォロ
ワ回路段Ｅ０は１つの単位選択回路、即ち半導体集積回
路装置を構成しており、他のインバータ回路段Ｃ１、Ｃ
２及びエミッタフォロワ回路段Ｅ１、Ｅ２も同様に各別
の単位選択回路、即ち半導体集積回路装置を構成してい
る。

【００２４】そして、トランジスタＥＣＬゲート１は、
エミッタが共通結合された第１のトランジスタ１ａ及び
第２のトランジスタ１ｂと、共通結合されたエミッタと
接地電位点Ｖｅｅ間に接続された電流源１ｃとからな
り、第１のトランジスタ１ａのベースが論理信号入力端
子６に、第２のトランジスタ１ｂのベースが基準電圧端
子７にそれぞれ接続される。第１の転送ゲート２はコレ
クタノード９とベースノード１０間に接続され、第２の
転送ゲート３はベースノード１０と基準電圧端子７間、
即ち、ベースノード１０に分路接続される。コレクタ負
荷抵抗４は高電圧端子８とコレクタノード９間に接続さ
れ、エミッタフォロワトランジスタ５のエミッタはデー
タバス１１に接続される。

【００２５】なお、図１には図示されていないが、トラ
ンジスタＥＣＬゲート１は、別途供給される選択信号Ｐ
ｓｅｌによって選択（動作）状態または非選択（非動
作）状態に駆動される構成が採用されており、この構成
としては、例えば、後述する図３または図５に示される
構成が用いられる。また、同じく図１には図示されてい
ないが、第１の転送ゲート２及び第２の転送ゲート３
も、別途供給される選択信号Ｐｓｅｌによって転送（オ
ン）状態または非転送（オフ）状態に駆動される構成が
採用されており、この構成についても、例えば、後述す
る図３または図５に示される構成が用いられる。

【００２６】前記構成による本実施例の出力選択制御回
路及び半導体集積回路装置は、概要、次のように動作す
る。

【００２７】いま、選択信号Ｐｓｅｌの供給によって、
インバータ回路段Ｃ０（トランジスタＥＣＬゲート１）
が選択（動作）状態に駆動されるときは、第１の転送ゲ
ート２が転送（オン）状態に、第２の転送ゲート３が非
転送（オフ）状態になる。このときに第１の転送ゲート
２と第２の転送ゲート３が制御される状態は、まず第２
の転送ゲート３がオフ状態に制御された後、若干の時間
差をもって第１の転送ゲート２がオン状態に制御され
る。そして、第１の転送ゲート２のオンによってコレク
タノード９とベースノード１０間が短絡接続され、ま
た、第２の転送ゲート３のオフによってベースノード１
０と基準電圧端子７間の接続が開放される。一方、反転
選択信号Ｐｓｅｌ＊の供給によって、インバータ回路段
Ｃ０（トランジスタＥＣＬゲート１）が非選択（非動
作）状態に駆動されるときは、第１の転送ゲート２がオ
フ状態に、第２の転送ゲート３がオン状態になる。この
ときに第１の転送ゲート２と第２の転送ゲート３が制御
される状態は、始めに第１の転送ゲート２がオフ状態に
制御され、その後若干の時間差をもって第２の転送ゲー
ト３がオン状態に制御される。そして、第１の転送ゲー
ト２のオフによって、コレクタノード９とベースノード
１０間の接続が開放され、また、第２の転送ゲート３の
オンによりベースノード１０と基準電圧端子７間が短絡
接続される。

【００２８】ここで、図２は、図１に図示の本実施例の
回路における入出力論理信号の電圧レベル及び基準電圧
Ｖｒｅｆ等の電圧レベルの関係を示す特性図である。

【００２９】図２に示されるように、トランジスタＥＣ
Ｌゲート１に供給される入力論理信号は、通常、プリセ
ンスアンプ前段に配置されるエミッタフォロワトランジ
スタ（図示なし）の出力から取り出されるため、その論
理１（Ｈ）の電圧レベルは高電圧Ｖｃｃから１Ｖｂｅ
（ここで、１Ｖｂｅは１つのトランジスタのベース・エ
ミッタ間電圧降下である）だけ低下した電圧レベルにな
っている。また、トランジスタＥＣＬゲート１のコレク
タノード９に得られる出力論理信号は、入力論理信号に
対して１Ｖｂｅだけ高い電圧レベルになり、その論理１
（Ｈ）の電圧レベルは高電圧Ｖｃｃに等しくなってい
る。この場合、基準電圧Ｖｒｅｆは、入力論理信号の論
理１（Ｈ）と論理０（Ｌ）の中間の電圧レベルになるよ
うに選択される。

【００３０】再び、図１に図示された本実施例の出力選
択制御回路に戻って、トランジスタＥＣＬゲート１が選
択状態に駆動される際に、トランジスタＥＣＬゲート１
に、図２に示されるような入力論理信号が供給される
と、その入力論理信号に応答してコレクタノード９から
取り出される出力論理信号は、図２に示されるようなも
のになり、論理１（Ｈ）の電圧レベルが高電圧Ｖｃｃに
等しくなる。続いて、この出力論理信号は、オン状態に
ある第１の転送ゲート２を介してベースノード１０に転
送された後、エミッタフォロワトランジスタ５のベース
に供給される。このとき、出力論理信号は、エミッタフ
ォロワトランジスタ５のベース・エミッタ間電圧降下Ｖ
ｂｅによって、１Ｖｂｅだけ電圧レベルが低下し、入力
論理信号の電圧レベルと同じ電圧レベルを有する出力が
エミッタフォロワトランジスタ５のエミッタからデータ
バス１１に供給される。

【００３１】このように、図１の図示された本実施例の
出力選択制御回路及び半導体集積回路装置によれば、ト
ランジスタＥＣＬゲート１が選択状態に駆動された際
は、第２の転送ゲート３がオフ状態に制御された後に第
１の転送ゲート２がオン状態に制御される。このとき、
まずベースノード１０が基準電圧Ｖｒｅｆと隔離され、
続いてベースノード１０がコレクタノード９に結合され
るようになるので、入力論理信号の論理状態に関係な
く、コレクタノード９の電圧はベースノード１０を通し
てエミッタフォロワトランジスタ５にそのまま伝送され
る。一方、トランジスタＥＣＬゲート１が非選択状態に
駆動された際は、第１の転送ゲート２がオフ状態に制御
された後に第２の転送ゲート３がオン状態に制御され
る。このとき、まずベースノード１０がコレクタノード
９の電圧と隔離され、続いてベースノード１０が基準電
圧Ｖｒｅｆに結合されるようになるので、入力論理信号
の論理状態に関係なく、コレクタノード９の電圧はその
ままの状態に保持されるとともに、第１のトランジスタ
１ａは、常時コレクタ電圧がベース電圧よりも低下する
ことはなく、第１のトランジスタ１ａが飽和状態に駆動
されることはない。また、コレクタノード９から隔離さ
れたベースノード１０に基準電圧Ｖｒｅｆが供給される
ので、確実にエミッタフォロワトランジスタ５をカット
オフすることが可能になる。

【００３２】なお、図１に図示された実施例において
は、入出力論理信号の形態が不平衡型であり、出力選択
制御回路及び半導体集積回路装置の構成が不平衡型回路
の一種であるシングルエンド構成の回路例を示すもので
あるが、本発明による入出力論理信号の形態や出力選択
制御回路及び半導体集積回路装置の構成は、不平衡型の
もの及びシングルエンド構成の回路のものに限られず、
平衡型の形態のもの及び平衡型回路の一種であるダブル
エンド構成の回路を用いてもよい。ただし、出力選択制
御回路及び半導体集積回路装置の構成を、ダブルエンド
構成の回路に変更する場合は、例えば、後述する図３に
示されるような構成の回路が用いられ、第１の転送ゲー
ト２、第２の転送ゲート３、コレクタ負荷抵抗４、エミ
ッタフォロワトランジスタ５等の回路素子は、それぞれ
平衡型信号伝送路上にそれぞれ対で設けられる。

【００３３】次いで、図３は、本発明に係わる出力選択
制御回路及び半導体集積回路装置の他の実施例の構成を
示す回路図であって、全体がダブルエンド構成の回路か
らなる例を示すものである。

【００３４】図３において、１ｄは選択用ＮＭＯＳＦＥ
Ｔ、２ａは第１の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ、２ｂは第２の
転送用ＰＭＯＳＦＥＴ、３ａは第３の転送用ＰＭＯＳＦ
ＥＴ、３ｂは第４の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ、４ａは第１
のコレクタ負荷抵抗、４ｂは第２のコレクタ負荷抵抗、
５ａは第１のエミッタフォロワトランジスタ、５ｂは第
２のエミッタフォロワトランジスタ、６ａは第１の論理
信号入力端子、６ｂは第２の論理信号入力端子、９ａは
第１のコレクタノード、９ｂは第２のコレクタノード、
１０ａは第１のエミッタフォロワトランジスタ５ａのベ
ースノード、１０ｂは第２のエミッタフォロワトランジ
スタ５ｂのベースノード、１１ａは第１のデータバス、
１１ｂは第２のデータバス、１２は選択用ＰＭＯＳＦＥ
Ｔ、１３は第１のインバータ段、１４は第２のインバー
タ段、１５はクランプ電圧供給端子、１６ａはプリセン
スアンプ前段の第１のエミッタフォロワトランジスタ、
１６ｂはプリセンスアンプ前段の第２のエミッタフォロ
ワトランジスタ、１７ａはプリセンスアンプ前段の第１
の選択用ＮＭＯＳＦＥＴ、１７ｂはプリセンスアンプ前
段の第２の選択用ＮＭＯＳＦＥＴ、１８ａはプリセンス
アンプ前段の第１の定電流源、１８ｂはプリセンスアン
プ前段の第２の定電流源、１９ａは出力側の第１の定電
流源、１９ｂは出力側の第２の定電流源、２０は選択信
号供給端子であり、その他、図１に示された構成要素と
同じ構成要素については同じ符号を付けている。

【００３５】そして、トランジスタＥＣＬゲート１は、
第１及び第２のトランジスタ１ａ、１ｂの共通接続され
たエミッタと定電流源１ｃ間に選択用ＮＭＯＳＦＥＴ１
ｄが接続配置される。第１の転送ゲート２は、並列的に
配置された第１の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ２ａと第２の転
送用ＰＭＯＳＦＥＴ２ｂとからなる。第２の転送ゲート
３は、並列的に配置された第３の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ
３ａ及び第４の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ３ｂと、これらと
クランプ電圧供給端子１５間に接続配置された選択用Ｐ
ＭＯＳＦＥＴ１２とからなる。負荷抵抗４は、第１のト
ランジスタ１ａのコレクタに接続された第１のコレクタ
負荷抵抗４ａと、第２のトランジスタ１ｂのコレクタに
接続された第２のコレクタ負荷抵抗４ｂとからなる。エ
ミッタフォロワトランジスタ５は、並列的に配置された
第１のエミッタフォロワトランジスタ５ａと第２のエミ
ッタフォロワトランジスタ５ｂとからなる。入力論理信
号端子６は、第１のトランジスタ１ａのベースに接続さ
れる第１の論理信号入力端子６ａと第２のトランジスタ
１ｂのベースに接続された第２の論理信号入力端子６ｂ
とからなる。コレクタノード９は、第１のトランジスタ
１ａのコレクタに接続された第１のコレクタノード９ａ
と第２のトランジスタ１ｂのコレクタに接続された第２
のコレクタノード９ｂとからなる。ベースノード１０
は、第１のエミッタフォロワトランジスタ５ａに接続さ
れた第１のベースノード１０ａと第２のエミッタフォロ
ワトランジスタ５ｂに接続された第２のベースノード１
０ｂとからなる。

【００３６】また、データバス１１は対の第１及び第２
のデータバス１１ａ、１１ｂからなる。第１及び第２の
データバス１１ａ、１１ｂは、各単位選択回路の第１及
び第２のエミッタフォロワトランジスタ５ａ、５ｂのエ
ミッタにそれぞれ接続され、また、出力側の第１及び第
２の定電流源にそれぞれ接続される。選択用ＰＭＯＳＦ
ＥＴ１２は、ゲートが選択信号入力端子２０に接続され
る。第１のインバータ段１３は、入力が選択信号入力端
子２０に接続され、出力が次続の第２のインバータ段１
４の入力に接続されるとともに、第１の転送用ＰＭＯＳ
ＦＥＴ２ａ及び第２の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ２ｂのゲー
トに接続される。第２のインバータ段１４は、出力が第
３の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第４の転送用ＰＭＯ
ＳＦＥＴ３ｂのゲートに接続される。プリセンスアンプ
前段は、第１のエミッタフォロワトランジスタ１６ａ、
第１の選択用ＮＭＯＳＦＥＴ１７ａ、第１の定電流源１
８ａの直列回路、及び、第２のエミッタフォロワトラン
ジスタ１６ｂ、第２の選択用ＮＭＯＳＦＥＴ１７ｂ、第
２の定電流源１８ｂの直列回路からなり、これら直列回
路が並列的に配置された構成になっている。この場合、
第１及び第２のエミッタフォロワトランジスタ１６ａ、
１６ｂは、各ベースが入力論理信号ラインに接続され、
各エミッタが第１及び第２の入力論理信号端子６ａ、６
ｂに接続される。なお、クランプ電圧供給端子１５に供
給されるクランプ電圧Ｖｃｌｐは、図１や図２に示され
ている基準電圧Ｖｒｅｆと同様の電圧レベルを有するも
のであってもよく、基準電圧Ｖｒｅｆよりも低い電圧レ
ベルを有するものであってもよい。

【００３７】この場合においても、トランジスタＥＣＬ
ゲート１と第１の転送ゲート２と第２の転送ゲート３と
負荷抵抗４と第１及び第２のインバータ段１３、１４と
からなる回路部分はインバータ回路段Ｃ０を構成し、エ
ミッタフォロワトランジスタ５からなる回路部分は、エ
ミッタフォロワ回路段Ｅ０を構成する。また、インバー
タ回路段Ｃ０及びエミッタフォロワ回路段Ｅ０からなる
回路部分は、半導体集積回路装置または単位選択回路を
構成する。

【００３８】前記構成による本実施例の出力選択制御回
路及び半導体集積回路装置は、以下に述べるように動作
する。

【００３９】始めに、この単位選択回路を選択状態また
は非選択状態にさせる場合は、選択信号供給端子２０に
論理１（Ｈ）の選択信号Ｐｓｅｌまたは論理０（Ｌ）の
反転選択信号Ｐｓｅｌ＊を供給する。そして、この単位
選択回路を選択状態にするために、論理１（Ｈ）の選択
信号Ｐｓｅｌを供給すると、この選択信号Ｐｓｅｌは、
選択用ＮＭＯＳＦＥＴ１ｄ、選択用ＰＭＯＳＦＥＴ１
２、第１及び第２の選択用ＮＭＯＳＦＥＴ１７ａ、１７
ｄの各ゲートに直接供給されるとともに、第１のインバ
ータ段１３を介して第１及び第２の転送用ＰＭＯＳＦＥ
Ｔ２ａ、２ｂの各ゲートに供給され、第１及び第２のイ
ンバータ段１３、１４を介して第３及び第４の転送用Ｐ
ＭＯＳＦＥＴ３ａ、３ｂの各ゲートに供給される。この
場合、選択用ＮＭＯＳＦＥＴ１ｄ、第１及び第２の選択
用ＮＭＯＳＦＥＴ１７ａ、１７ｄは、それぞれ選択信号
Ｐｓｅｌが供給された後直ちにオン状態になり、選択用
ＰＭＯＳＦＥＴ１２も選択信号Ｐｓｅｌが供給された後
直ちにオフ状態になる。また、第１及び第２の転送用Ｐ
ＭＯＳＦＥＴ２ａ、２ｂは、選択信号Ｐｓｅｌが供給さ
れた後第１のインバータ段１３の動作遅延時間Δｔを経
た後にオン状態になり、第３及び第４の転送用ＰＭＯＳ
ＦＥＴ３ａ、３ｂは、選択信号Ｐｓｅｌが供給された後
に第１及び第２のインバータ段１３、１４の動作遅延時
間２Δｔを経た後にオフ状態になる。

【００４０】一方、この単位選択回路を非選択状態にす
るために論理０（Ｌ）の反転選択信号Ｐｓｅｌ＊を供給
すると、この論理０（Ｌ）の反転選択信号Ｐｓｅｌ＊
は、選択用ＮＭＯＳＦＥＴ１ｄ、選択用ＰＭＯＳＦＥＴ
１２、第１及び第２の選択用ＮＭＯＳＦＥＴ１７ａ、１
７ｄの各ゲートに直接供給されるとともに、第１のイン
バータ段１３を介して第１及び第２の転送用ＰＭＯＳＦ
ＥＴ２ａ、２ｂの各ゲートに供給され、第１及び第２の
インバータ段１３、１４を介して第３及び第４の転送用
ＰＭＯＳＦＥＴ３ａ、３ｂの各ゲートに供給される。こ
の場合、選択用ＮＭＯＳＦＥＴ１ｄ、第１及び第２の選
択用ＮＭＯＳＦＥＴ１７ａ、１７ｄは、それぞれ反転選
択信号Ｐｓｅｌ＊が供給された後直ちにオフ状態にな
り、選択用ＰＭＯＳＦＥＴ１２も反転選択信号Ｐｓｅｌ
＊が供給された後直ちにオン状態になる。また、第１及
び第２の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ２ａ、２ｂは、反転選択
信号Ｐｓｅｌ＊が供給された後前記時間Δｔを経てオフ
状態になり、第３及び第４の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ３
ａ、３ｂは、反転選択信号Ｐｓｅｌ＊が供給された後に
前記時間２Δｔを経てオフ状態になる。

【００４１】次に、この単位選択回路を選択状態または
非選択状態にさせた際の定常時の動作は、次のとおりで
ある。まず、選択信号供給端子２０に論理１（Ｈ）の選
択信号Ｐｓｅｌが供給されたことによって、トランジス
タＥＣＬゲート１及びプリセンスアンプ前段が能動状態
になり、第１の転送ゲート２が転送状態、第２の転送ゲ
ート３が非転送状態になっているとき、プリセンスアン
プ前段の第１及び第２のエミッタフォロワトランジスタ
１６ａ、１６ｂのベースに論理信号が供給されると、こ
の論理信号は能動状態の第１及び第２のエミッタフォロ
ワトランジスタ１６ａ、１６ｂにおいて入力電圧レベル
がＶｂｅだけレベルダウンされ、それらのエミッタから
出力される。次いで、この論理信号は、第１及び第２の
入力論理端子６ａ、６ｂを介してトランジスタＥＣＬゲ
ート１の第１及び第２のトランジスタ１ａ、１ｂのベー
スに供給され、第１及び第２のトランジスタ１ａ、１ｂ
で構成されるカレントスイッチにより増幅され、出力論
理信号がコレクタノード９ａ、９ｂに出力される。続い
て、この出力論理信号は、既に転送状態にある第１の転
送ゲート２の第１及び第２の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ２
ａ、２ｂを殆んど無損失状態で転送され、第１及び第２
のベースノード１０ａ、１０ｂに出力される。そして、
第１及び第２のベースノード１０ａ、１０ｂに供給され
た出力論理信号は、既に第２の転送ゲート３の第３及び
第４の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ３ａ、３ｂ及び選択用ＰＭ
ＯＳＦＥＴ１２がともにオフ状態になっているので、第
２の転送ゲート３による損失は殆んどない。続いて、出
力論理信号は、第１及び第２のエミッタフォロワトラン
ジスタ５ａ、５ｂにおいて再び電圧レベルがＶｂｅだけ
レベルダウンされ、それらのエミッタから第１及び第２
のデータバス１１ａ、１１ｂに供給される。

【００４２】一方、選択信号供給端子２０に論理０
（Ｌ）の選択信号Ｐｓｅｌ＊が供給されることによっ
て、トランジスタＥＣＬゲート１及びプリセンスアンプ
前段が非能動状態になり、第１の転送ゲート２が非転送
状態、第２の転送ゲート３が転送状態になっていると
き、プリセンスアンプ前段の第１及び第２のエミッタフ
ォロワトランジスタ１６ａ、１６ｂのベースに論理信号
が供給されると、プリセンスアンプ前段及びトランジス
タＥＣＬゲート１は非能動状態にあるので、この論理信
号は、プリセンスアンプ前段において阻止され、トラン
ジスタＥＣＬゲート１に伝送されない。このとき、第１
の転送ゲート２の第１及び第２の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ
２ａ、２ｂはオフ状態にあるので、第１及び第２のコレ
クタノード９ａ、９ｂと第１及び第２のベースノード１
０ａ、１０ｂは絶縁状態にあり、しかも、第２の転送ゲ
ート３の第３及び第４の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ３ａ、３
ｂ及び選択用ＰＭＯＳＦＥＴ１２がいずれもオン状態に
あるので、第１及び第２のベースノード１０ａ、１０ｂ
にはクランプ電圧供給端子１５のクランプ電圧Ｖｃｌｐ
が供給され、それによって第１及び第２のエミッタフォ
ロワトランジスタ５ａ、５ｂはオフ状態に駆動される。

【００４３】このように、本実施例の出力選択制御回路
及び半導体集積回路装置は、選択信号Ｐｓｅｌまたは反
転選択信号Ｐｓｅｌ＊が供給された後の定常時において
は、選択された単位選択回路の出力論理信号だけが第１
及び第２のエミッタフォロワトランジスタ５ａ、５ｂを
介して第１及び第２のデータバス１１ａ、１１ｂに伝送
され、選択されない単位選択回路の第１及び第２のエミ
ッタフォロワトランジスタ５ａ、５ｂはオフ状態に維持
されているので、第１及び第２のデータバス１１ａ、１
１ｂにおいてはワイアードＯＲ機能が達成されるように
なる。

【００４４】続く、図４は、図３に図示された実施例の
回路（単位選択回路）に選択信号Ｐｓｅｌまたは反転選
択信号Ｐｓｅｌ＊が供給された直後のおけるトランジス
タＥＣＬゲート１とプリセンスアンプ前段の能動、非能
動状態への転移タイミング、及び、第１の転送ゲート２
と第２の転送ゲート３の転送、非転送状態への転移タイ
ミングを示す動作説明図である。

【００４５】この図４を用いて、この単位選択回路に選
択信号Ｐｓｅｌまたは反転選択信号Ｐｓｅｌ＊が供給さ
れた直後の過渡的な動作状態について述べると、次のと
おりである。

【００４６】まず、この単位選択回路が選択されない状
態（非選択状態）にあるとき、論理１（Ｈ）の選択信号
Ｐｓｅｌが供給されると、選択用ＮＭＯＳＦＥＴ１ｄ及
び第１及び第２の選択用ＮＭＯＳＦＥＴ１７ａ、１７ｄ
が直ちにオンになるため、トランジスタＥＣＬゲート１
及びプリセンスアンプ前段も同様に直ちに能動（オン）
状態になる。また、第１の転送ゲート２は第１のインバ
ータ段１３の動作遅延時間Δｔにより、選択信号Ｐｓｅ
ｌが供給されてから時間Δｔを経た後に転送（オン）状
態になり、第２の転送ゲート３は選択用ＰＭＯＳＦＥＴ
１２が直ちにオフになるので、同様に直ちに非転送（オ
フ）状態になる。このように、この単位選択回路が選択
された状態（選択状態）に変更される過渡状態において
は、第１の転送ゲート２がオン状態に転移したとき、第
１及び第２のコレクタノード９ａ、９ｂに出力論理信号
が得られていても、既に第２の転送ゲート３がオフ状態
に転移しており、第１及び第２のベースノード１０ａ、
１０ｂがクランプ電圧Ｖｃｌｐに対して絶縁状態にある
ので、出力論理信号の電圧レベルが変動することはな
く、トランジスタＥＣＬゲート１を構成する第１及び第
２のトランジスタ１ａ、１ｂのコレクタ電圧とベース電
圧間で電圧逆転現象が生じることはない。

【００４７】一方、この単位選択回路が選択された状態
（選択状態）にあるとき、論理０（Ｌ）の反転選択信号
Ｐｓｅｌ＊が供給されると、選択用ＮＭＯＳＦＥＴ１ｄ
及び第１及び第２の選択用ＮＭＯＳＦＥＴ１７ａ、１７
ｄが直ちにオフになるため、トランジスタＥＣＬゲート
１及び前置段も同様に直ちに非能動（オフ）状態にな
る。また、第１の転送ゲート２は第１のインバータ段１
３の動作遅延時間Δｔにより、反転選択信号Ｐｓｅｌ＊
が供給されてから時間Δｔを経た後に非転送（オフ）状
態になり、第２の転送ゲート３は第１及び第２のインバ
ータ段１３、１４の動作遅延時間２Δｔにより、反転選
択信号Ｐｓｅｌ＊が供給されてから時間２Δｔを経た後
に転送（オフ）状態になる。このように、この単位選択
回路が選択されない状態（非選択状態）に変更される過
渡状態においては、第２の転送ゲート２がオン状態に転
移する以前に、既に第１の転送ゲート２がオフ状態に転
移しているので、第１及び第２のコレクタノード９ａ、
９ｂに得られた電源電圧Ｖｃｃに等しい高電圧が第１及
び第２の転送ゲート２、３を介してクランプ電圧供給端
子１５に転送されることがなく、クランプ電圧Ｖｃｌｐ
が高電圧によって電圧変動を受け、第１及び第２のベー
スノード１０ａ、１０ｂの電圧が変動することはない。

【００４８】次に、図５は、本発明に係わる出力選択制
御回路及び半導体集積回路装置のさらに別の実施例の構
成を示す回路図であって、全体がシングルエンド構成の
回路からなる例を示すものである。

【００４９】図５において、図３に示された構成要素と
同じ構成要素については同じ符号を付けている。

【００５０】そして、本実施例と図３に図示された実施
例との構成の違いは、トランジスタＥＣＬゲート１の構
成を除いて、図３に図示された実施例は、それぞれａの
サフィックスを付けている構成要素とｂのサフィックス
を付けている構成要素の並列配置によって構成されてい
るのに対し、本実施例は、ｂのサフィックスを付けてい
る構成要素が全て撤廃され、ａのサフィックスを付けて
いる構成要素単独のもので構成されている点、及び、ト
ランジスタＥＣＬゲート１において、図３に図示された
実施例は、第２のトランジスタ１ｂのベースが第２の論
理信号入力端子６ｂに接続されているのに対し、本実施
例は、第２のトランジスタ１ｂのベースがクランプ電圧
供給端子１５に接続されている点だけであって、その他
には、本実施例と図３に図示された実施例との間に構成
上の違いはない。

【００５１】前記構成において、本実施例の動作は、論
理信号の形態が平衡型のものから不平衡型のものに変更
され、それに伴って出力選択制御回路及び半導体集積回
路装置の構成がダブルエンド構成のものからシングルエ
ンド構成のものに変更された点を除けば、図３に図示さ
れた実施例の動作と殆んど同じであるので、本実施例の
動作についての説明は、省略する。

【００５２】また、本実施例と図３に図示された実施例
の動作が殆んど同じであるため、本実施例において得ら
れる効果も、図３に図示された実施例において得られる
効果と同じである。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
トランジスタＥＣＬゲート１の出力コレクタノード９ａ
（９ｂ）とエミッタフォロワトランジスタ５ａ（５ｂ）
のベース１０ａ（１０ｂ）間に第１の転送ゲート２を接
続するとともに、エミッタフォロワトランジスタ５ａ
（５ｂ）のベース１０ａ（１０ｂ）に第２の転送ゲート
３を分路接続し、トランジスタＥＣＬゲート１が選択状
態に駆動される際は、第２の転送ゲート３が非転送状態
に制御された後で第１の転送ゲート２が転送状態に制御
され、一方、トランジスタＥＣＬゲート１が非選択状態
に駆動される際は、第１の転送ゲート２が非転送状態に
制御された後で第２の転送ゲート３が転送状態に制御さ
れる。

【００５４】このため、トランジスタＥＣＬゲート１が
選択状態に駆動される際、トランジスタＥＣＬゲート１
の出力コレクタノード９ａ（９ｂ）は、高電圧Ｖｃｃに
等しい電圧まで上昇し、最低の場合でも高電圧Ｖｃｃか
ら出力論理信号振幅を差し引いた電圧になり、しかも、
それらの電圧はクランプ電圧Ｖｃｌｐまたは基準電圧Ｖ
ｒｅｆと確実に電気的に絶縁されるので、トランジスタ
ＥＣＬゲート１を構成する第１及び第２のトランジスタ
１ａ、１ｂはコレクタ電圧とベース電圧間で電圧逆転を
生じることがなく、第１及び第２のトランジスタ１ａ、
１ｂが飽和状態に陥ることがないという効果がある。

【００５５】また、トランジスタＥＣＬゲート１が非選
択状態に駆動される際、第１の転送ゲート２が非転送状
態に制御され、エミッタフォロワトランジスタ５ａ（５
ｂ）のベースノード１０ａ（１０ｂ）が高電圧Ｖｃｃか
ら絶縁された後、第２の転送ゲート３が転送状態に制御
され、エミッタフォロワトランジスタ５ａ（５ｂ）のベ
ースノード１０ａ（１０ｂ）にクランプ電圧Ｖｃｌｐま
たは基準電圧Ｖｒｅｆが供給されるので、高電圧Ｖｃｃ
とクランプ電圧Ｖｃｌｐまたは基準電圧Ｖｒｅｆとが短
絡を起し、クランプ電圧Ｖｃｌｐや基準電圧Ｖｒｅｆが
変動することはなく、エミッタフォロワトランジスタ５
ａ（５ｂ）のベースノード１０ａ（１０ｂ）の電圧が変
動しないという効果がある。

【００５６】さらに、トランジスタＥＣＬゲート１が非
選択状態に駆動される際、第１及び第２のトランジスタ
１ａ、１ｂのコレクタノードコレクタノード９ａ（９
ｂ）とエミッタフォロワトランジスタ５ａ（５ｂ）のベ
ースノードノード１０ａ（１０ｂ）とを切離し、エミッ
タフォロワトランジスタのベースノードのみを制御して
第１及び第２のトランジスタ１ａ、１ｂは飽和に陥るこ
とがないため、制御（クランプ）電圧Ｖｃｌｐをトラン
ジスタＥＣＬゲート（カレントスイッチ）の基準電位よ
り低い電圧に設定することができるという効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる出力選択制御回路の全体構成の
概略及び一部の半導体集積回路装置の内部構成の概略を
示す基本的な実施例の構成図である。

【図２】図１に図示の出力選択制御回路における入出力
論理信号の電圧レベルや基準電圧Ｖｒｅｆ等の電圧レベ
ルを示す特性図である。

【図３】本発明に係わる出力選択制御回路及び半導体集
積回路装置の他の実施例の構成を示す回路図である。

【図４】単位選択回路に選択信号Ｐｓｅｌまたは反転選
択信号Ｐｓｅｌ＊が供給された直後の各部の能動、非能
動状態への転移タイミング、及び、各部の転送、非転送
状態への転移タイミングを示す動作説明図である。

【図５】本発明に係わる出力選択制御回路及び半導体集
積回路装置のさらに別の実施例の構成を示す回路図であ
る。

【図６】既知の出力選択制御回路における１つの単位選
択回路（半導体集積回路装置）の構成の一例を示す回路
図である。

【符号の説明】

１トランジスタＥＣＬゲート（カレントスイッチ）１ａ第１のトランジスタ１ｂ第２のトランジスタ１ｃ電流源１ｄ選択用ＮＭＯＳＦＥＴ２第１の転送ゲート２ａ第１の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ２ｂ第２の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ３第２の転送ゲート３ａ第３の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ３ｂ第４の転送用ＰＭＯＳＦＥＴ４コレクタ負荷抵抗４ａ第１のコレクタ負荷抵抗４ｂ第２のコレクタ負荷抵抗５エミッタフォロワトランジスタ５ａ第１のエミッタフォロワトランジスタ５ｂ第２のエミッタフォロワトランジスタ６論理信号入力端子、６ａ第１の論理信号入力端子６ｂ第２の論理信号入力端子７基準電圧端子８高電圧端子９第１のトランジスタ１ａのコレクタにあるコレクタ
ノード９ａ第１のコレクタノード９ｂ第２のコレクタノード１０エミッタフォロワトランジスタ５のベースにある
ベースノード１０ａ第１のエミッタフォロワトランジスタ１０ｂ第２のエミッタフォロワトランジスタ１１データバス１１ａ第１のデータバス１１ｂ第２のデータバス１２選択用ＰＭＯＳＦＥＴ１３第１のインバータ段１４第２のインバータ段１５クランプ電圧供給端子１６ａプリセンスアンプ前段の第１のエミッタフォロ
ワトランジスタ１６ｂプリセンスアンプ前段の第２のエミッタフォロ
ワトランジスタ１７ａプリセンスアンプ前段の第１の選択用ＮＭＯＳ
ＦＥＴ１７ｂプリセンスアンプ前段の第２の選択用ＮＭＯＳ
ＦＥＴ１８ａプリセンスアンプ前段の第１の定電流源１８ｂプリセンスアンプ前段の第２の定電流源１９ａ出力側の第１の定電流源１９ｂ出力側の第２の定電流源２０選択信号供給端子Ｃ０、Ｃ１、Ｃ２同一構成のインバータ回路段Ｅ０、Ｅ１、Ｅ２同一構成のエミッタフォロワ回路段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者光本欽哉東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内 (56)参考文献特開平３−224316（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03K 19/086 H03K 17/00 - 17/70

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】入力論理信号が供給されるトランジスタ
ＥＣＬゲートと、このトランジスタＥＣＬゲートの出力
側に接続されたエミッタフォロワトランジスタとによっ
て単位選択回路が構成され、複数の単位選択回路の前記
エミッタフォロワトランジスタのエミッタ出力が共通接
続されてワイヤードＯＲ機能を果たす出力選択制御回路
において、前記各単位選択回路は、前記トランジスタＥ
ＣＬゲートの出力と前記エミッタフォロワトランジスタ
の入力間に第１の転送ゲートが接続されるとともに、前
記エミッタフォロワトランジスタの入力に第２の転送ゲ
ートが分路接続され、前記トランジスタＥＣＬゲートの
選択状態への駆動時は、前記第２の転送ゲートが非転送
状態に制御された後で前記第１の転送ゲートが転送状態
に制御され、一方、前記トランジスタＥＣＬゲートの非
選択状態への駆動時は、前記第１の転送ゲートが非転送
状態に制御された後で前記第２の転送ゲートが転送状態
に制御されることを特徴とする出力選択制御回路。
【請求項２】前記第１の転送ゲートは、１つの転送ゲ
ート素子のみで構成され、前記第２の転送ゲートは、直
列接続された２つの転送ゲート素子で構成されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の出力選択制御回路。
【請求項３】前記第１の転送ゲートの１つの転送ゲー
ト素子及び前記第２の転送ゲートの一方の転送ゲート素
子はＰＭＯＳＦＥＴによって構成され、前記第２の転送
ゲートの他方の転送ゲート素子はＮＭＯＳＦＥＴによっ
て構成されていることを特徴とする請求項２に記載の出
力選択制御回路。
【請求項４】前記第１の転送ゲートの１つの転送ゲー
ト素子は１つのインバータ回路を介して選択信号が供給
され、前記第２の転送ゲートの一方の転送ゲート素子は
２つのインバータ回路を介して選択信号が供給され、前
記第２の転送ゲートの他方の転送ゲート素子は直接選択
信号が供給されることを特徴とする請求項２乃至３のい
ずれかに記載の出力選択制御回路。
【請求項５】前記第１及び第２の転送ゲート及び前記
エミッタフォロワトランジスタはそれぞれダブルエンド
構成の回路からなり、前記トランジスタＥＣＬゲートは
ダブルエンド構成の入力論理信号が供給されることを特
徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の出力選択制
御回路。
【請求項６】前記第１及び第２の転送ゲート及び前記
エミッタフォロワトランジスタはそれぞれシングルエン
ド構成の回路からなり、前記トランジスタＥＣＬゲート
はシングルエンド構成の入力論理信号が供給されること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の出力選
択制御回路。
【請求項７】少なくともトランジスタＥＣＬゲートと
第１及び第２の転送ゲートを備えるインバータ回路段
と、エミッタフォロワトランジスタを備えるエミッタフ
ォロワ回路段とからなり、前記第１の転送ゲートは前記
トランジスタＥＣＬゲートと前記エミッタフォロワトラ
ンジスタの入力に接続されるとともに、前記第２の転送
ゲートは前記エミッタフォロワトランジスタの入力に分
路接続され、前記トランジスタＥＣＬゲートが選択状態
へ駆動される時は、前記第２の転送ゲートが非転送状態
に制御された後で前記第１の転送ゲートが転送状態に制
御され、一方、前記トランジスタＥＣＬゲートが非選択
状態へ駆動される時は、前記第１の転送ゲートが非転送
状態に制御された後で前記第２の転送ゲートが転送状態
に制御されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】前記第１の転送ゲートは、１つの転送ゲ
ート素子のみで構成され、前記第２の転送ゲートは、直
列接続された２つの転送ゲート素子で構成されているこ
とを特徴とする請求項７に記載の半導体集積回路装置。
【請求項９】前記第１の転送ゲートの１つの転送ゲー
ト素子及び前記第２の転送ゲートの一方の転送ゲート素
子はＰＭＯＳＦＥＴによって構成され、前記第２の転送
ゲートの他方の転送ゲート素子はＮＭＯＳＦＥＴによっ
て構成されていることを特徴とする請求項７に記載の半
導体集積回路装置。
【請求項１０】前記第１の転送ゲートの１つの転送ゲ
ート素子は１つのインバータ回路を介して選択信号が供
給され、前記第２の転送ゲートの一方の転送ゲート素子
は２つのインバータ回路を介して選択信号が供給され、
前記第２の転送ゲートの他方の転送ゲート素子は直接選
択信号が供給されることを特徴とする請求項８乃至９の
いずれかに記載の半導体集積回路装置。
【請求項１１】前記第１及び第２の転送ゲート及び前
記エミッタフォロワトランジスタはそれぞれダブルエン
ド構成の回路からなり、前記トランジスタＥＣＬゲート
はダブルエンド構成の入力論理信号が供給されることを
特徴とする請求項７乃至１１のいずれかに記載の半導体
集積回路装置。
【請求項１２】前記第１及び第２の転送ゲート及び前
記エミッタフォロワトランジスタはそれぞれシングルエ
ンド構成の回路からなり、前記トランジスタＥＣＬゲー
トはシングルエンド構成の入力論理信号が供給されるこ
とを特徴とする請求項７乃至１１のいずれかに記載の半
導体集積回路装置。