JP3272640B2 - Bonding equipment - Google Patents

Bonding equipment

Info

Publication number
JP3272640B2
JP3272640B2 JP20238297A JP20238297A JP3272640B2 JP 3272640 B2 JP3272640 B2 JP 3272640B2 JP 20238297 A JP20238297 A JP 20238297A JP 20238297 A JP20238297 A JP 20238297A JP 3272640 B2 JP3272640 B2 JP 3272640B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
imaging
workpiece
range
subject
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP20238297A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH1131718A (en
Inventor
岩男 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kaijo Corp
Original Assignee
Kaijo Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=16456579&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3272640(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Kaijo Corp filed Critical Kaijo Corp
Priority to JP20238297A priority Critical patent/JP3272640B2/en
Publication of JPH1131718A publication Critical patent/JPH1131718A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3272640B2 publication Critical patent/JP3272640B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はボンディング装置に
関し、特に加工対象物としての半導体チップの電極薄膜
としてのパッドと、リードフレームに配設されたリード
とをボンディング加工で接続する場合に、加工対象物と
ボンディングツールとの相対的な位置決めをカメラで俯
瞰的に撮像した画像を利用して行うボンディング装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bonding apparatus, and more particularly to a bonding apparatus for connecting a pad as an electrode thin film of a semiconductor chip as an object to be processed and a lead provided on a lead frame by bonding. The present invention relates to a bonding apparatus that performs relative positioning between an object and a bonding tool by using an image captured from a bird's-eye view by a camera.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体チップ上のパッドと、リードとを
ボンディング加工で接続するボンディング装置は、半導
体の加工分野で良く知られている。ボンディング装置に
は、ボンディング加工の対象物をAu(金)、Al(ア
ルミニューム)などの金属細線で接続するワイヤボンデ
ィング装置と、テープを利用するテープボンディング装
置とがある。
2. Description of the Related Art A bonding apparatus for connecting a pad on a semiconductor chip and a lead by bonding is well known in the field of semiconductor processing. The bonding apparatus includes a wire bonding apparatus that connects an object to be bonded by a thin metal wire such as Au (gold) or Al (aluminum), and a tape bonding apparatus that uses a tape.

【0003】前者のワイヤボンディング装置としては、
ネールヘッドボンディング(nail・head Bonding)法が
一般的で、これには熱印加状態で加圧ボンディングする
サーモコンプレッションボンディングや、熱印加状態で
超音波振動エネルギーを利用するサーモソニックボンデ
ィングのほか、常温での超音波加工を利用する超音波ウ
エッジボンディング等がある。
[0003] As the former wire bonding apparatus,
Nail head bonding is a common method, including thermocompression bonding using pressure bonding with heat applied, thermosonic bonding using ultrasonic vibration energy with heat applied, and room temperature bonding. Ultrasonic wedge bonding using ultrasonic processing.

【0004】後者のテープボンディング装置は、利用す
るテープが、通常、ポリミドテープに銅箔を貼り合わせ
て定ピッチごとに窓を設け、この窓にはICなどの半導
体チップの電極としてのパッドに対応させたリードが形
成され、且つパッドには金の隆起物としてのバンプ(bu
mp,こぶ)が盛られ、リードと各バンプの重合する位置
で加工道具としてのボンディングツールで加圧し、同時
に通電加熱してボンディングを行っている。
In the latter tape bonding apparatus, a tape to be used is usually provided with windows at regular intervals by bonding a copper foil to a polyimide tape, and the windows correspond to pads as electrodes of a semiconductor chip such as an IC. Bumps (buds) as gold bumps are formed on the pads.
mp, bumps) are applied, and pressure is applied by a bonding tool as a processing tool at a position where the lead and each bump overlap, and at the same time, electric current is heated to perform bonding.

【0005】ところで、上述したワイヤボンディング装
置とテープボンディング装置何れにおいても、ボンディ
ング加工時における被加工物としての半導体チップとリ
ード(ワイヤボンディング)、もしくは半導体チップ
(テープボンディング)の位置が正しい加工位置にある
か否かを確認してから位置決めを行って加工ツールで加
工することが必要で、通常、この位置決めには、被加工
物を上方からITV等のカメラで光学的に撮像して得ら
れる画像信号によって生成する画像を、標準の位置パタ
ンと照合するなどの方法で被加工物の位置ずれを検出
し、この位置ずれを正しく整合した上でボンディング加
工を行っている。
In both the wire bonding apparatus and the tape bonding apparatus described above, the position of the semiconductor chip and the lead (wire bonding) or the position of the semiconductor chip (tape bonding) as the workpiece at the time of the bonding processing is at the correct processing position. It is necessary to perform positioning with a processing tool after confirming whether or not there is an object. Usually, for this positioning, an image obtained by optically imaging the work from above with a camera such as an ITV A displacement of the workpiece is detected by a method such as collating an image generated by a signal with a standard position pattern, and bonding processing is performed after the displacement is correctly aligned.

【0006】図4は、従来のボンディング装置における
位置決め部の構成を示すブロック図である。図4はワイ
ヤボンディング装置の場合を例とし、図4の(a)に示
すように、あらかじめ設定した焦点距離を有する光学系
を構成するレンズ101bと、カメラ101aとは、被
写体としての被加工物を上方から俯瞰的に撮像して、取
得した画像信号Sを画像処理部103に送出する。
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a positioning unit in a conventional bonding apparatus. FIG. 4 shows a case of a wire bonding apparatus as an example. As shown in FIG. 4A, a lens 101b constituting an optical system having a preset focal length, and a camera 101a are a workpiece as a subject. From above, and sends the acquired image signal S to the image processing unit 103.

【0007】カメラ101a及びレンズ101bは、通
常一体化構成とされ、カメラ駆動部102により駆動さ
れる懸架機構105により被写体に対する撮像位置を設
定される。カメラ駆動部102は、駆動制御部104の
出力する駆動制御信号Dによって駆動されるアクチュエ
ータやモータ等を備える。画像処理部103は、入力し
た画像信号Sにより被写体の俯瞰画像を生成し、これと
被写体の正しい位置を示す標準パタンとを照合し、その
差を被写体の位置ずれを表現する位置ずれデータEとし
て、図示しない位置整合部へ送出し、これにより被写体
の搭載構造等を駆動して加工のための位置整合を行って
いる。
[0007] The camera 101a and the lens 101b are usually integrated, and an imaging position of a subject is set by a suspension mechanism 105 driven by a camera driving unit 102. The camera drive unit 102 includes an actuator, a motor, and the like driven by a drive control signal D output from the drive control unit 104. The image processing unit 103 generates a bird's-eye view image of the subject based on the input image signal S, compares the image with a standard pattern indicating the correct position of the subject, and uses the difference as displacement data E representing the displacement of the subject. Is sent to a position matching unit (not shown), whereby the mounting structure and the like of the subject are driven to perform position matching for processing.

【0008】図4の(b)には、こうして撮像される被
写体(被加工物)に対する焦点範囲aを併記して示す。
即ち、図4の(b)に示す焦点範囲aに、被加工物を包
含するようにして撮像される。
FIG. 4B also shows a focus range a for the subject (workpiece) imaged in this manner.
That is, an image is captured so as to include the workpiece in the focal range a shown in FIG.

【0009】図5は、被加工物の一例を示す側面図であ
る。図5は、ワイヤボンディング装置の対象とする被加
工物の側面図であり、ICなどの半導体チップ1001
と、半導体チップ1001とワイヤボンディングされる
リード1002とを示し、これら半導体チップ1001
とリード2とは互いに離隔し、その間がAu,Alなど
の金属細線を利用してボンディング加工され、ブリッジ
される。
FIG. 5 is a side view showing an example of a workpiece. FIG. 5 is a side view of a workpiece to be processed by the wire bonding apparatus, and shows a semiconductor chip 1001 such as an IC.
And a lead 1002 to be wire-bonded to the semiconductor chip 1001.
The lead 2 and the lead 2 are separated from each other, and a gap therebetween is formed by bonding using a thin metal wire such as Au, Al or the like, and is bridged.

【0010】半導体チップ1001の上面と、リード1
002の上面との差のチップ段差1003のバラツキに
対応して焦点範囲を設定することが、良き撮像の前提条
件となる。
The upper surface of the semiconductor chip 1001 and the lead 1
A precondition for good imaging is to set the focal range in accordance with the variation of the chip step 1003 of the difference from the upper surface of 002.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のボンデ
ィング装置における被加工物に対する位置決めは、単一
焦点を有する光学系としてのレンズを使用するカメラで
撮像した画像信号を利用して行っていたので、被加工物
の高さ、即ちチップ段差のバラツキに対応して焦点を変
えることはできず、このため、チップ段差が大きい場合
には、次の,及びのいずれかに基づいて、被加工
物を焦点範囲内に取り込んで撮像を行っていた。
In the above-mentioned conventional bonding apparatus, positioning with respect to a workpiece is performed using an image signal captured by a camera using a lens as an optical system having a single focus. The focus cannot be changed corresponding to the height of the workpiece, that is, the variation of the chip step. Therefore, when the chip step is large, the work is performed based on one of the following and Was taken in the focal range to perform imaging.

【0012】 焦点深度の深いレンズを使用して撮像
する。 レンズを上下させる機構を使用して撮像する。 被加工物を上下させる機構を使用して撮像する。 しかしながら、の場合は、焦点範囲を拡大することと
なって、解像度が低下して位置決め精度の劣化を招き、
またの場合にはレンズを上下させる機構の付加を必要
とするとともに、レンズ上下のための時間が必要とな
り、さらにの場合には撮像の都度、被加工物を上下さ
せる機構が必要となるが、この機構自体の重量が大き
く、また上下動作のための時間が必要となるという問題
がある。
An image is taken using a lens having a large depth of focus. An image is taken using a mechanism for raising and lowering the lens. An image is taken using a mechanism for moving the workpiece up and down. However, in the case of, the focal range is enlarged, the resolution is reduced, and the positioning accuracy is deteriorated.
In other cases, it is necessary to add a mechanism for moving the lens up and down, and time for moving the lens up and down is required. In each case, a mechanism for moving the workpiece up and down is required every time an image is taken. There is a problem in that the weight of the mechanism itself is large, and time is required for the vertical movement.

【0013】本発明の目的は、上述した問題点を解決
し、チップ段差のバラツキを有する被加工物を対象とし
ても精度良く撮像しうる簡素な構成のボンディング装置
を提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide a bonding apparatus having a simple configuration capable of accurately capturing an image of a workpiece having a variation in chip steps.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、上述した目的
を達成するため、次の手段構成を有する。即ち、本発明
第1の構成は、半導体チップの電極としてのパッド
と、リードフレームのリードとをボンディングにより接
続する場合に、被写体とする被加工物の半導体チップと
リードとをカメラで俯瞰的に撮像して、ボンディングツ
ールと前記被加工物との相対位置の整合を行うボンディ
ング装置において、半導体チップの上面とリードの上面
との高低差としての段差のバラツキに対応して、前記被
写体の撮像領域である焦点範囲を、撮像面に近い近位置
焦点範囲と前記近位置焦点範囲よりも遠くに設定する遠
位置焦点範囲との2つの焦点範囲のそれぞれに対応した
撮像面を異にする互いに独立した2系統の光路を有する
光学系と、この光学系を介して前記被写体を前記近位置
焦点範囲と前記遠位置焦点範囲のいずれかの焦点範囲で
撮像する2つのカメラとを備え前記被写体の画像信号を
取得する撮像手段と、前記撮像手段で取得した前記被写
体の画像信号と前記被写体の正常位置を示す標準パタン
とを照合してボンディング加工時の加工ツールと前記被
写体とのあるべき状態からの相対位置差を検出する相対
位置差検出手段と、前記相対位置差検出手段で検出した
前記相対位置差に基づきボンディング加工時における前
記加工ツールと前記被写体との位置整合を確保するボン
ディング位置整合手段とを備える。
The present invention has the following means in order to achieve the above object. That is, in the first configuration of the present invention, when a pad serving as an electrode of a semiconductor chip and a lead of a lead frame are connected by bonding, the semiconductor chip and the lead of a workpiece to be processed are viewed from above with a camera. In a bonding apparatus for performing alignment of a relative position between a bonding tool and the workpiece, the imaging of the object is performed in accordance with a variation in a step between a top surface of a semiconductor chip and a top surface of a lead. The focal range, which is an area, corresponds to each of two focal ranges: a near-focus range close to the imaging surface and a far-focus range set farther than the near-focus range .
Has two independent optical paths with different imaging planes
An optical system, and the subject is positioned at the near position through the optical system.
In one of the focus range and the far position focus range
An imaging unit that includes two cameras for imaging and acquires an image signal of the subject; and an image signal of the subject acquired by the imaging unit is compared with a standard pattern indicating a normal position of the subject during bonding processing. Relative position difference detection means for detecting a relative position difference between a processing tool and the subject from an expected state; and the processing tool and the subject during bonding processing based on the relative position difference detected by the relative position difference detection means Bonding position aligning means for ensuring position alignment with the bonding position.

【0015】[0015]

【0016】また、本発明の第2の構成は、前記第1の
構成の撮像手段に代えて、前記近位置焦点範囲と前記遠
位置焦点範囲のそれぞれに対応した撮像面を共通とする
互いに独立した2系統の光路を有する光学系と、この光
学系の有する2系統の光路を切り替え可能とするシャッ
ター部と、このシャッター部で切り替えた前記2系統の
光路に対応した前記近位置焦点範囲と前記遠位置焦点範
囲のいずれかの焦点範囲、もしくは前記シャッター部を
開放状態として前記近位置焦点範囲と前記遠位置焦点範
囲の双方の焦点範囲で撮像する1つのカメラとを備え
記被写体の画像信号を取得する撮像手段を備えたもので
ある。
Further, a second configuration of the present invention is the first configuration ,
Instead of the imaging means of the configuration, the optical system having two systems optical path of mutually independent for a common imaging surface corresponding to each of said distal position focus range and the near position focus range, 2 lines with of this optical system A shutter section that can switch the optical path of the shutter, and any one of the near-position focal range and the far-position focal range corresponding to the two optical paths switched by the shutter section, or the shutter section is opened. the front and a single camera for imaging the focus range of both the far position focus range and the near position focus range as
It is provided with an imaging means for acquiring an image signal of the subject.
is there.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】半導体チップの電極構造としての
パッドと、リードフレームのリードとを接続するボンデ
ィング装置では、通常、被加工物の俯瞰的撮像で取得す
る画像信号を利用して生成する画像を利用して被加工物
の位置決めを行っている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a bonding apparatus for connecting a pad as an electrode structure of a semiconductor chip to a lead of a lead frame, an image generated by using an image signal obtained by a bird's-eye image of a workpiece is usually used. Is used to position the workpiece.

【0018】従来のボンディング装置における被加工物
の撮像においては、単一の焦点、従って、被加工物に対
して一定の距離範囲に形成される単一の焦点範囲のみを
有するレンズ(光学系)を使用していたので、被加工物
(被写体)の高さの増大に対応して焦点範囲の位置を変
えることはできず、このため、ボンディングすべきパッ
ドとリードとの段差がバラつく場合には、いわゆる焦点
深度の深い、即ち、焦点範囲の長いレンズを使用すると
か、レンズもしくは被加工物を上下させる機構を備える
などして撮像していたが、これらの対応のそれぞれにつ
いて、いずれも問題点を有することは前述したとおりで
ある。
In imaging an object to be processed by a conventional bonding apparatus, a lens (optical system) having a single focal point, that is, a single focal range formed at a certain distance from the object. , The position of the focus range cannot be changed in accordance with the increase in the height of the workpiece (subject). Therefore, when the step between the pad to be bonded and the lead varies, Has used a lens with a so-called deep depth of focus, that is, using a lens with a long focal range, or equipped with a mechanism to move the lens or the workpiece up and down. The point is as described above.

【0019】本発明にあっては、例えば図1に示す如
く、2つの光路を光学的に形成して成る光学系1cとカ
メラ(1)1a及びカメラ(2)1bとの組合せによっ
て、被加工物のチップ段差が通常の場合には被加工物に
対する所定の定位置に被写体の被加工物を含むことを可
能とする距離範囲で近位置焦点範囲を形成し、チップ段
差が大きい場合には、より被加工物に近接させた位置に
遠位置焦点範囲を形成し、何れの場合も焦点範囲の中に
被加工物を存在せしめることを可能とした状態で精度良
く被加工物を撮像することを可能としている。
In the present invention, for example, as shown in FIG. 1, the optical system 1c having two optical paths formed optically and the camera (1) 1a and the camera (2) 1b are combined to process. When the chip step of the object is normal, a near-position focus range is formed in a distance range that allows the object to be included in the predetermined fixed position with respect to the workpiece, and when the chip step is large, A far-point focal range is formed at a position closer to the workpiece, and in any case, the workpiece can be accurately imaged in a state where the workpiece can be present in the focal range. It is possible.

【0020】図1において、カメラ(1)1aと光学系
1cとによって、上述した近位置焦点範囲を、またカメ
ラ(2)1bと光学系1cとにより、被加工物により近
接せしめた遠位置焦点範囲を形成して撮像する。これら
2つの異なる位置の焦点範囲の何れを選択するかは、被
加工物に基づいて予め手動によって設定される。
In FIG. 1, the above-mentioned near focus range is set by the camera (1) 1a and the optical system 1c, and the far focus is set closer to the workpiece by the camera (2) 1b and the optical system 1c. An image is formed by forming a range. Which of the two different focus ranges is selected is manually set in advance based on the workpiece.

【0021】図1において、アーム8及びキャピラリー
9が、ボンディング加工に必要なボンディングツールで
あり、キャリヤ部10に載置した半導体チップ14とリ
ード15とが被加工物(被写体)であり、位置制御部
4、駆動部5、XYステージ6、ボンディングヘッド7
が被加工物の位置設定を行い、画像処理部2が撮像画像
を生成し、CPU3が全体動作を制御している。
In FIG. 1, an arm 8 and a capillary 9 are bonding tools necessary for bonding, a semiconductor chip 14 and a lead 15 mounted on a carrier section 10 are a workpiece (subject), and position control is performed. Unit 4, drive unit 5, XY stage 6, bonding head 7
Sets the position of the workpiece, the image processing unit 2 generates a captured image, and the CPU 3 controls the overall operation.

【0022】尚、ワイヤボンディング装置では、被加工
物に数100度の熱印加も施し、この目的のためヒータ
ブロック11と温度コントローラ12が存在する。
In the wire bonding apparatus, heat is applied to the workpiece by several hundred degrees, and a heater block 11 and a temperature controller 12 are provided for this purpose.

【0023】[0023]

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1は、本発明の第1の実施例の構成を示すブロッ
ク図である。図1に示す実施例の構成は、ワイヤボンデ
ィング装置の場合を例とし、遠・近2つの位置に同一の
焦点範囲を形成する光学系1cと、光学系1cの形成す
る遠・近2つの焦点範囲に包含する被加工物を対象とし
て得られる2つの光学像を撮像する2台のITV形式の
カメラ(1)1a,カメラ(2)1bと、2台のカメラ
で取得した画像信号Pに基づいて、半導体チップ及びリ
ードの俯瞰画像を生成し、被加工物の位置ずれを検出す
る画像処理部2と、処理及び制御プログラムを内蔵し、
全体の動作を制御するCPU3と、被加工物の位置制御
する位置制御信号を送出する位置制御部4と、位置制御
部4の出力する位置制御信号を受けて被加工物を駆動す
る駆動信号を発生する駆動部5と、基盤13上に取り付
けられ、加工ツールをXY方向(水平方向)に移動する
XYステージ6と、加工ツールのZ方向(垂直方向)の
移動を与え、且つ加工ツール並びに撮像系を取り付ける
ボンディングヘッド7と、加工ツールとしてのアーム8
及びキャピラリー9と、被加工物を載置するキャリヤ部
10と、被加工物に熱印加するヒータブロック11と、
ヒータブロック11の加熱温度制御を行う温度コントロ
ーラ12と、撮像系と加工系等を載置する基盤13と、
被加工物の半導体チップ14とリード15とを備え、図
1には尚撮像系をボンディングヘッド7に固着する支持
アーム20と、データバス30,同40とを併記して示
す。
Next, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the first embodiment of the present invention. The configuration of the embodiment shown in FIG. 1 is an example of a wire bonding apparatus, and has an optical system 1c that forms the same focal range at two positions, far and near, and two far and near focal points formed by the optical system 1c. Based on two ITV cameras (1) 1a and 1 (b) for capturing two optical images obtained for a workpiece included in the range, and an image signal P acquired by the two cameras. And an image processing unit 2 for generating a bird's-eye view image of the semiconductor chip and the lead and detecting a displacement of a workpiece, and a processing and control program,
A CPU 3 for controlling the overall operation, a position control unit 4 for transmitting a position control signal for controlling the position of the workpiece, and a drive signal for driving the workpiece in response to the position control signal output from the position control unit 4 The driving unit 5 that is generated, the XY stage 6 that is mounted on the base 13 and moves the processing tool in the X and Y directions (horizontal direction), gives the movement of the processing tool in the Z direction (vertical direction), and provides the processing tool and imaging Bonding head 7 for mounting the system and arm 8 as a processing tool
And a capillary 9, a carrier unit 10 on which a workpiece is placed, a heater block 11 for applying heat to the workpiece,
A temperature controller 12 for controlling a heating temperature of the heater block 11, a base 13 on which an imaging system and a processing system are mounted,
FIG. 1 also shows a support arm 20 for fixing the imaging system to the bonding head 7 and data buses 30 and 40 together with a semiconductor chip 14 to be processed and leads 15.

【0024】これら構成のうち、カメラ(1)1a、カ
メラ(2)1b及び光学系1cが撮像手段を形成し、画
像処理部2とCPU3とが相対位置差検出手段を形成
し、CPU3と、位置制御部4と、駆動部5と、XYス
テージ6と、ボンディングヘッド7とがボンディング位
置整合手段を形成する。
Among these components, the camera (1) 1a, the camera (2) 1b and the optical system 1c form an image pickup means, the image processing section 2 and the CPU 3 form a relative position difference detection means, and the CPU 3 The position control unit 4, the drive unit 5, the XY stage 6, and the bonding head 7 form a bonding position alignment unit.

【0025】次に、本実施例の動作について説明する。
ボンディングヘッド7に、支持アーム20を介して取り
付けられた光学系1cとカメラ(1)1a及びカメラ
(2)1bによる撮像系は、被加工物の半導体チップ1
4とリード15との段差の大小に応じて、通常のチップ
段差の場合の撮像に対してはカメラ(1)1aと光学系
1cとによって所定の定位置に近位置焦点範囲が形成さ
れ、この近位置焦点範囲に被加工物を包含せしめて撮像
する。
Next, the operation of this embodiment will be described.
The optical system 1c attached to the bonding head 7 via the support arm 20 and the imaging system of the camera (1) 1a and the camera (2) 1b are used for the semiconductor chip 1 of the workpiece.
According to the size of the step between the lead 4 and the lead 15, a near-focus range is formed at a predetermined fixed position by the camera (1) 1a and the optical system 1c for imaging in the case of a normal chip step. An image is taken with the workpiece included in the near position focus range.

【0026】また、チップ段差が大となって前述した近
位置の焦点範囲から被加工物がはみ出すような場合に
は、遠位置焦点範囲を形成するように手動で予め切り替
えておく。
When the chip step is large and the workpiece protrudes from the above-described focal position at the near position, it is manually switched in advance so as to form a focal position at a far position.

【0027】このように、近位置及び遠位置焦点範囲の
形成を可能としておけば、被加工物のチップ段差の相違
に対する的確な撮像にも極めて容易に対応しうることと
なる。
As described above, if the near-position and far-position focal ranges can be formed, it is possible to very easily cope with accurate imaging of a difference in chip level difference of a workpiece.

【0028】図2は、図1の実施例における被加工物の
撮像を説明する図である。図2の(a)に示すように、
撮像カメラを2台利用する場合は、カメラ(1)1aと
光路(1)1005との組合せは、遠位置焦点範囲の形
成を撮像条件とする場合、即ち、半導体チップ面とリー
ド面との段差が大きくて、通常の焦点範囲から被加工物
が逸脱してしまい、被加工物を正しく撮像できない場合
に選択され、カメラ(2)1bと光路(2)1006と
の組合せは、このような遠位置の焦点範囲を形成するも
のとして選択される。
FIG. 2 is a view for explaining imaging of a workpiece in the embodiment of FIG. As shown in FIG.
When two imaging cameras are used, the combination of the camera (1) 1a and the optical path (1) 1005 is used when the imaging condition is to form a far-position focal range, that is, the step between the semiconductor chip surface and the lead surface. Is selected when the workpiece deviates from the normal focus range and the workpiece cannot be properly imaged, and the combination of the camera (2) 1b and the optical path (2) 1006 is used in such a case. It is selected to form the focal range of the position.

【0029】また、カメラ(1)1aと光路(1)10
05との組合せは、通常のチップ段差に対する近位置焦
点範囲を形成するために利用される。
The camera (1) 1a and the optical path (1) 10
The combination with 05 is used to form a near focus range for a normal chip step.

【0030】図2の(b)に、光路(1)とカメラ
(1)1aを利用して形成する光路(1)の近位置焦点
範囲aと、光路(2)とカメラ(2)1bを利用して形
成する光路(2)の遠位置焦点範囲bとを示す。
FIG. 2B shows an optical path (1) and a near-focus range a of the optical path (1) formed by using the camera (1) 1a, an optical path (2) and the camera (2) 1b. 6 shows a far-field focal range b of an optical path (2) formed by utilizing.

【0031】本実施例では、光路(1)の近位置焦点範
囲aと、光路(2)の遠位置焦点範囲bとが相隣接する
状態で形成されるが、これら両焦点範囲の間に非焦点範
囲が設定されることもあり、これらは被加工物の内容や
撮像系の構成内容等に基づいて所望の状態に設定され
る。
In this embodiment, the near focus range a of the optical path (1) and the far focus range b of the optical path (2) are formed adjacent to each other. A focus range may be set, and these are set to a desired state based on the content of the workpiece, the configuration of the imaging system, and the like.

【0032】再び図1に戻って、実施例の動作の説明を
続行する。カメラ(1)1aもしくはカメラ(2)1b
で取得した被加工物の半導体チップ14とリード15を
含む画像信号Pは、画像処理部2に送出される。画像処
理部2は、画像生成部21とパターン認識部22とを備
える。
Returning to FIG. 1, the description of the operation of the embodiment will be continued. Camera (1) 1a or Camera (2) 1b
The image signal P including the semiconductor chip 14 and the lead 15 of the workpiece acquired in the step (1) is sent to the image processing unit 2. The image processing unit 2 includes an image generation unit 21 and a pattern recognition unit 22.

【0033】画像生成部21は、提供された画像信号P
を利用し、データバス30を介して受けるCPU3のプ
ログラムの制御の下に静止画像としての被写体パタンを
生成しパタン認識部22に供給する。
The image generator 21 receives the supplied image signal P
And generates a subject pattern as a still image under the control of a program of the CPU 3 received via the data bus 30 and supplies the pattern to the pattern recognition unit 22.

【0034】パタン認識部22は、画像生成部21から
提供された被写体パタンと、予め内蔵する被加工物の正
常位置における標準パタンとのパタン照合に基づいて、
被写体パタンのずれ、即ち、被加工物の現位置の、ある
べき正しい位置からの位置ずれを検出し、この位置ずれ
情報をデータバス30を介してCPU3に送出する。
The pattern recognition unit 22 performs pattern matching between the subject pattern provided from the image generation unit 21 and a standard pattern at a normal position of a built-in workpiece in advance.
The shift of the subject pattern, that is, the shift of the current position of the workpiece from the correct position should be detected, and this shift information is sent to the CPU 3 via the data bus 30.

【0035】CPU3は、提供された位置ずれ情報に基
づいて、被加工物の位置ずれを補正すべき位置ずれ補正
データを算出し、これをデータバス40を介して位置制
御部4に送出する。位置制御部4は、提供された位置ず
れ補正信号を受けて、被加工物に対するボンディングツ
ールの相対的位置を正しい状態に補正する位置制御信号
Cを送出する。
The CPU 3 calculates position shift correction data for correcting the position shift of the workpiece based on the provided position shift information, and sends the data to the position control unit 4 via the data bus 40. The position control unit 4 receives the provided positional deviation correction signal and sends out a position control signal C for correcting the relative position of the bonding tool with respect to the workpiece to a correct state.

【0036】この位置制御信号Cは、基盤13上に載置
されているXYステージ6をX,Y軸上で、またボンデ
ィングツールとしてのアーム8とキャピラリー9とを取
り付けたボンディングヘッド7をZ軸上で移動させて、
被加工物に対するボンディングツールの相対位置を整合
させる入力としてのX方向駆動信号L、Y方向駆動信号
M及びZ方向駆動信号Nを駆動部5から出力せしめる3
方向の位置制御信号である。
The position control signal C is obtained by moving the XY stage 6 placed on the base 13 on the X and Y axes and the bonding head 7 on which the arm 8 and the capillary 9 as a bonding tool are mounted on the Z axis. Move it up,
The drive unit 5 outputs an X-direction drive signal L, a Y-direction drive signal M, and a Z-direction drive signal N as inputs for matching the relative position of the bonding tool with respect to the workpiece 3
A direction control signal.

【0037】こうして、被加工物に対する相対位置整合
を確保したアーム8の先端に設けられたキャピラリー9
には、図示しないワイヤ送出機構からワイヤの金細線が
供給され、例えば本実施例の如く、熱圧着(thermo com
pression,サーモコンプレッション)手法でボンディン
グする場合には、キャリヤ部10に内包され、且つ温度
コントローラ12で制御される温度のヒータブロック1
1で加熱(300 〜350°C程度)された被加工物の半導
体チップ14に対する熱圧着による第1のボンディング
を終えたのち、ワイヤをリード15に移して熱圧着によ
る第2のボンディングを施したのちワイヤを切断し、か
くしてボンディングを終了し、次のボンディング工程に
移行する。
In this manner, the capillary 9 provided at the tip of the arm 8 ensuring the relative positional alignment with the workpiece
Is supplied with a fine gold wire from a wire feeding mechanism (not shown).
In the case of bonding by a compression (thermo-compression) method, the heater block 1 having a temperature included in the carrier unit 10 and controlled by the temperature controller 12 is used.
After the first bonding by thermocompression of the workpiece heated (about 300 to 350 ° C.) to the semiconductor chip 14 in step 1 is completed, the wire is transferred to the lead 15 and the second bonding by thermocompression is performed. Thereafter, the wire is cut, and thus the bonding is completed, and the process proceeds to the next bonding step.

【0038】図3は、本発明の第2の実施例の部分構成
を示すブロック図である。本発明の第2の実施例は、図
3の(a)に示す部分構成による撮像系以外の部分は、
全て図1に示す構成と同一であるので、これら同一構成
に関する詳細な説明は省略する。第2の実施例では、近
位置焦点範囲と遠位置焦点範囲を形成し、且つ撮像面を
共通とする互いに独立した2つの光路としての光路
(3)1007と光路(4)1008とを光学系1dと
して有し、光路(3)1007と光路(4)1008は
それぞれ機械的シャッターとしてのシャッター16bで
いずれか一方の光路のみが光学的に閉鎖される。これら
2つの光路による撮像は、同一の撮像面を共有するの
で、1台のカメラ(1)1aで撮像することができる。
FIG. 3 is a block diagram showing a partial configuration of the second embodiment of the present invention. In the second embodiment of the present invention, parts other than the imaging system having the partial configuration shown in FIG.
Since all of the components are the same as those shown in FIG. 1, a detailed description of these same components will be omitted. In the second embodiment, an optical path (3) 1007 and an optical path (4) 1008 are formed as two independent optical paths that form a near-focus range and a far-focus range and have a common imaging surface. The optical path (3) 1007 and the optical path (4) 1008 are each mechanically closed by a shutter 16b, and only one of the optical paths is optically closed. Since imaging using these two optical paths shares the same imaging surface, it is possible to perform imaging with one camera (1) 1a.

【0039】一点鎖線で示すシャッター制御器16a
は、シャッター16bとともにシャッター部16cを形
成し、シャッター制御器16aはシャッター16bの動
作を制御するシャッター制御信号SHを送出する。シャ
ッター16bは、図3の(b)に示す如く、入力光Wを
2分岐するハーフミラーHと、光路を選択的に閉鎖する
機械的シャッターエレメントとしてのシャッターエレメ
ントS1,S2を備え、シャッターエレメントS1,S
2の何れか一方をシャッター制御信号SHで選択的に閉
鎖するか、もしくはシャッターエレメントS1,S2の
双方を開放状態(光進行可能状態)として、選択した近
位置焦点範囲と遠位置焦点範囲のいずれか、もしくは双
方で捕捉した対象シーンの撮像を可能ならしめている。
A shutter controller 16a indicated by a chain line.
Forms a shutter section 16c with the shutter 16b, and the shutter controller 16a sends a shutter control signal SH for controlling the operation of the shutter 16b. As shown in FIG. 3B, the shutter 16b includes a half mirror H that splits the input light W into two, and shutter elements S1 and S2 as mechanical shutter elements that selectively close an optical path. , S
2 is selectively closed by the shutter control signal SH, or both of the shutter elements S1 and S2 are set to the open state (light traveling state), and the selected one of the near focus range and the far focus range is selected. Alternatively, it is possible to capture a target scene captured by both.

【0040】尚、本第2の実施例では、2つの光路を選
択的に閉鎖するか、もしくは双方を開放状態に制御する
ものとして機械的シャッターを利用しているが、これは
同一閉鎖機能を有する他のシャッター、例えば、印加電
圧によって屈折率を変化するLib3 結晶等の電気
光学部材を利用した光路の切替スイッチング等によって
も容易に実施しうるものである。
In the second embodiment, a mechanical shutter is used to selectively close two optical paths or to control both of them to be in an open state. other shutter having, for example, by an applied voltage are those which can be implemented easily by L i N b O 3 switching such as switching the optical path of the electro-optical member utilizing crystals that change the refractive index.

【0041】このようにして、簡素な構成による高精度
の撮像データに基づく位置整合を前提とするボンディン
グ加工が可能となる。尚、図1,2及び3には、ワイヤ
ボンディング装置の場合を例として示したが、テープボ
ンディングの場合も全体構成は異なるものの、撮像に基
づく被加工物とボンディングツールとの相対位置整合に
関しては、略同様に容易に実施しうることは明らかであ
る。
In this way, it is possible to perform a bonding process based on high-precision imaging data with a simple configuration and premised on position alignment. Although FIGS. 1, 2 and 3 show the case of a wire bonding apparatus as an example, the overall configuration is also different in the case of tape bonding, but the relative position alignment between the workpiece and the bonding tool based on imaging is not described. Obviously, it can be easily implemented almost as well.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体チ
ップの電極としてのパッドと、リードフレームに配設し
たリードとを接続するボンディング装置において、ボン
ディングツールと被加工物との相対位置を整合するため
に行う被加工物の俯瞰的撮像において、パッド面とリー
ド面との段差に対応して、所定の距離を有する撮像範囲
としての焦点範囲を近位置及び遠位置の2つの撮像範囲
として設定することにより、解像度を保存した状態で深
い焦点深度を有する画像を得ることができ、カメラもし
くは被写体の上下移動による焦点合わせを不要として、
焦点範囲の高速切替と、装置の著しい小形軽量化が確保
できる効果を有する。
As described above, according to the present invention, in a bonding apparatus for connecting a pad serving as an electrode of a semiconductor chip to a lead provided on a lead frame, the relative positions of a bonding tool and a workpiece are matched. In the bird's-eye view imaging of the workpiece to be performed, a focus range as an imaging range having a predetermined distance is set as two imaging ranges of a near position and a far position, corresponding to a step between the pad surface and the lead surface. By doing so, it is possible to obtain an image having a deep depth of focus in a state where the resolution is preserved, eliminating the need for focusing by moving the camera or the subject up and down,
This has the effect that high-speed switching of the focus range and remarkable reduction in size and weight of the apparatus can be ensured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例の構成を示すブロック図
である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a first exemplary embodiment of the present invention.

【図2】図1の実施例における被加工物の撮像を説明す
る図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating imaging of a workpiece in the embodiment of FIG. 1;

【図3】本発明の第2の実施例の部分構成を示すブロッ
ク図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a partial configuration of a second embodiment of the present invention.

【図4】従来のボンディング装置における位置決め部の
構成を示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a positioning unit in a conventional bonding apparatus.

【図5】ワイヤボンディング装置の対象とする被加工物
の側面図である。
FIG. 5 is a side view of a workpiece to be processed by the wire bonding apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a カメラ(1) 1b カメラ(2) 1c 光学系 1d 光学系 2 画像処理部 3 CPU 4 位置制御部 5 駆動部 6 XYステージ 7 ボンディングヘッド 8 アーム 9 キャピラリー 10 キャリヤ部 11 ヒータブロック 12 温度コントローラ 13 基盤 14 半導体チップ 15 リード 16a シャッター制御器 16b シャッター 16c シャッター部 1a Camera (1) 1b Camera (2) 1c Optical System 1d Optical System 2 Image Processing Unit 3 CPU 4 Position Control Unit 5 Drive Unit 6 XY Stage 7 Bonding Head 8 Arm 9 Capillary 10 Carrier Unit 11 Heater Block 12 Temperature Controller 13 Base 14 semiconductor chip 15 lead 16a shutter controller 16b shutter 16c shutter section

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体チップの電極としてのパッドと、
リードフレームのリードとをボンディングにより接続す
る場合に、被写体とする被加工物の半導体チップとリー
ドとをカメラで俯瞰的に撮像して、ボンディングツール
と前記被加工物との相対位置の整合を行うボンディング
装置において、半導体チップの上面とリードの上面との
高低差としての段差のバラツキに対応して、前記被写体
の撮像領域である焦点範囲を、撮像面に近い近位置焦点
範囲と前記近位置焦点範囲よりも遠くに設定する遠位置
焦点範囲との2つの焦点範囲のそれぞれに対応した撮像
面を異にする互いに独立した2系統の光路を有する光学
系と、この光学系を介して前記被写体を前記近位置焦点
範囲と前記遠位置焦点範囲のいずれかの焦点範囲で撮像
する2つのカメラとを備え前記被写体の画像信号を取得
する撮像手段と、前記撮像手段で取得した前記被写体の
画像信号と前記被写体の正常位置を示す標準パタンとを
照合してボンディング加工時の加工ツールと前記被写体
とのあるべき状態からの相対位置差を検出する相対位置
差検出手段と、前記相対位置差検出手段で検出した前記
相対位置差に基づきボンディング加工時における前記加
工ツールと前記被写体との位置整合を確保するボンディ
ング位置整合手段とを備えることを特徴とするボンディ
ング装置。
A pad as an electrode of a semiconductor chip;
When connecting the lead of the lead frame by bonding, the semiconductor chip and the lead of the workpiece to be processed are imaged from a bird's eye view with a camera, and the relative positions of the bonding tool and the workpiece are aligned. In the bonding apparatus, the focal range, which is the imaging region of the subject, is changed to a near-focus range close to the imaging surface and the near-focus range in response to a step difference as a height difference between the upper surface of the semiconductor chip and the upper surface of the lead. Imaging corresponding to each of the two focal ranges with the far-position focal range set farther than the range
Optics having two independent optical paths with different surfaces
System and the near focus on the subject via the optical system.
Imaging in either one of the focal range
Imaging means for obtaining an image signal of the object, comprising : two cameras for performing bonding processing by comparing the image signal of the object acquired by the imaging means with a standard pattern indicating a normal position of the object; A relative position difference detecting means for detecting a relative position difference between a tool and the subject from an expected state; and the processing tool and the subject during bonding processing based on the relative position difference detected by the relative position difference detecting means. And a bonding position aligning means for ensuring the position alignment.
【請求項2】 半導体チップの電極としてのパッドと、
リードフレームのリードとをボンディングにより接続す
る場合に、被写体とする被加工物の半導体チップとリー
ドとをカメラで俯瞰的に撮像して、ボンディングツール
と前記被加工物との相対位置の整合を行うボンディング
装置において、半導体チップの上面とリードの上面との
高低差としての段差のバラツキに対応して、前記被写体
の撮像領域である焦点範囲を、撮像面に近い近位置焦点
範囲と前記近位置焦点範囲よりも遠くに設定する遠位置
焦点範囲との2つの焦点範囲のそれぞれに対応した撮像
面を共通とする互いに独立した2系統の光路を有する光
学系と、この光学系の有する2系統の光路を切り替え可
能とするシャッター部と、このシャッター部で切り替え
た前記2系統の光路に対応した前記近位置焦点範囲と前
記遠位置焦点範囲のいずれかの焦点範囲、もしくは前記
シャッター部を開放状態として前記近位置焦点範囲と前
記遠位置焦点範囲の双方の焦点範囲で撮像する1つのカ
メラと を備え前記被写体の画像信号を取得する撮像手段
と、前記撮像手段で取得した前記被写体の画像信号と前
記被写体の正常位置を示す標準パタンとを照合してボン
ディング加工時の加工ツールと前記被写体とのあるべき
状態からの相対位置差を検出する相対位置差検出手段
と、前記相対位置差検出手段で検出した前記相対位置差
に基づきボンディング加工時における前記加工ツールと
前記被写体との位置整合を確保するボンディング位置整
合手段とを備えることを特徴とするボンディング装置。
2. A pad as an electrode of a semiconductor chip,
Connect the lead of the lead frame by bonding
The semiconductor chip of the object to be processed
And a bonding tool
For aligning the relative positions of the workpiece and the workpiece
In the device, the upper surface of the semiconductor chip is
According to the variation of the step as a height difference, the object
The focal range, which is the imaging area of
Range and far position set farther than the near focus range
Imaging corresponding to each of the two focal ranges with the focal range
Light having two independent optical paths with a common surface
Switchable between optical system and optical system of this optical system
Switchable with this shutter section
The near-position focal range corresponding to the two optical paths and
Any one of the focus positions in the telephoto position focus range, or
With the shutter part open, the near focus range and the front
One camera that captures images in both focal ranges
Imaging means for obtaining an image signal of the object and a camera
And the image signal of the subject acquired by the imaging means and
Check the pattern against a standard pattern that indicates the normal position of the subject.
There should be a processing tool and the subject at the time of loading processing
Relative position difference detection means for detecting a relative position difference from the state
And the relative position difference detected by the relative position difference detecting means.
Based on the above processing tool at the time of bonding
Bonding alignment to ensure alignment with the subject
A bonding apparatus comprising: a joining unit.
JP20238297A 1997-07-11 1997-07-11 Bonding equipment Expired - Lifetime JP3272640B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20238297A JP3272640B2 (en) 1997-07-11 1997-07-11 Bonding equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20238297A JP3272640B2 (en) 1997-07-11 1997-07-11 Bonding equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1131718A JPH1131718A (en) 1999-02-02
JP3272640B2 true JP3272640B2 (en) 2002-04-08

Family

ID=16456579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20238297A Expired - Lifetime JP3272640B2 (en) 1997-07-11 1997-07-11 Bonding equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3272640B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7848022B2 (en) 2007-06-08 2010-12-07 Kabushiki Kaisha Shinkawa Imaging device and method for a bonding apparatus

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112233994B (en) * 2020-10-13 2021-08-24 珠海市科迪电子科技有限公司 Chip gold wire detection method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7848022B2 (en) 2007-06-08 2010-12-07 Kabushiki Kaisha Shinkawa Imaging device and method for a bonding apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1131718A (en) 1999-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5732631B2 (en) Joining apparatus and joining method
US8098284B2 (en) Method of manufacturing camera module
JP4033838B2 (en) Alignment method and mounting method using the method
US20210351056A1 (en) Mounting device and mounting method
JP3272640B2 (en) Bonding equipment
JP6120286B2 (en) Joining apparatus and joining method
US8091762B1 (en) Wedge bonding method incorporating remote pattern recognition system
US20230163096A1 (en) Mounting device and mounting method
JP4856026B2 (en) Alignment method and mounting method using the method
JP3813088B2 (en) Bonding equipment
KR100696211B1 (en) Bonding apparatus
JPH1123952A (en) Automatic focusing device and laser beam machining device using the same
CN111988507B (en) Assembling method and assembling apparatus of image capturing device
JP4264403B2 (en) Bonding equipment
JP3836479B2 (en) Wire bonding equipment
JP2008060366A (en) Bonding equipment and bonding method
JPH11214428A (en) Bonding device
JP4083533B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
TWI818614B (en) Semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method
JP5753805B2 (en) Mounting apparatus and control method thereof
US20230178510A1 (en) Wire bonding apparatus
JPH11176883A (en) Device and method for thermocompression bonding of electronic component having bumps
CN116709664A (en) Laser reflow method
JP2004273507A (en) Wire bonding device
JPH10335752A (en) Optic axis gradient detecting method and device as well bonding method and device

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090125

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100125

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140125

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term