JP3271645B2 - 窒化物半導体発光ダイオード - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は窒化物半導体(InXA
lYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)よりなる発
光チップを有する発光ダイオード(LED)に関する。
lYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)よりなる発
光チップを有する発光ダイオード(LED)に関する。
【0002】
【従来の技術】窒化物半導体よりなる高輝度青色LE
D、青緑色LEDが実用化されている。図3に従来の青
色LED、青緑色LEDの代表的な構造を示す。発光チ
ップは基本的にサファイア基板31と、そのサファイア
基板31の上にダブルへテロ構造となるようにヘテロエ
ピタキシャル成長された窒化物半導体層32よりなり、
窒化物半導体層32の同一面側から正、負両電極が取り
出された、いわゆるフリップチップ方式である。この発
光チップはフェイスアップとされて、リードフレーム3
3のカップ内に載置され、両電極はそれぞれワイヤーボ
ンディングされて、リードフレーム33、33’と接続
されている。発光チップは例えば耐候性のエポキシ樹脂
よりなるモールド樹脂34で封止されてLEDとされて
いる。このLEDは順方向電流(If)20mAにおい
て、順方向電圧(Vf)3.6V、ピーク発光波長45
0〜530nm、光度1cd以上、発光出力1.2mW
以上と青色LED、青緑LEDでは過去最高の性能を示
している。
D、青緑色LEDが実用化されている。図3に従来の青
色LED、青緑色LEDの代表的な構造を示す。発光チ
ップは基本的にサファイア基板31と、そのサファイア
基板31の上にダブルへテロ構造となるようにヘテロエ
ピタキシャル成長された窒化物半導体層32よりなり、
窒化物半導体層32の同一面側から正、負両電極が取り
出された、いわゆるフリップチップ方式である。この発
光チップはフェイスアップとされて、リードフレーム3
3のカップ内に載置され、両電極はそれぞれワイヤーボ
ンディングされて、リードフレーム33、33’と接続
されている。発光チップは例えば耐候性のエポキシ樹脂
よりなるモールド樹脂34で封止されてLEDとされて
いる。このLEDは順方向電流(If)20mAにおい
て、順方向電圧(Vf)3.6V、ピーク発光波長45
0〜530nm、光度1cd以上、発光出力1.2mW
以上と青色LED、青緑LEDでは過去最高の性能を示
している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、窒化物
半導体という新たな材料で高輝度な青色LED、青緑色
が実現されると数々の問題が発生してきた。そのひとつ
に発光チップの電極にワイヤーボンディングされた金線
のボールが剥がれやすくなったり、また電極が窒化物半
導体と剥がれやすくなるという問題がある。これらの問
題はLEDの信頼性を低下させる。また電極が剥がれか
けてくると、LEDのVfが次第に上がってきて、つい
にはオープンでLEDが不点灯となる。
半導体という新たな材料で高輝度な青色LED、青緑色
が実現されると数々の問題が発生してきた。そのひとつ
に発光チップの電極にワイヤーボンディングされた金線
のボールが剥がれやすくなったり、また電極が窒化物半
導体と剥がれやすくなるという問題がある。これらの問
題はLEDの信頼性を低下させる。また電極が剥がれか
けてくると、LEDのVfが次第に上がってきて、つい
にはオープンでLEDが不点灯となる。
【0004】これらの問題の原因は発光チップの熱膨張
係数と、モールド樹脂の熱膨張係数との差によるストレ
スから派生することが多い。通常、GaAs、GaAl
As、GaP等のホモエピタキシャル成長された材料よ
りなる従来の赤外、赤色、黄色LEDにおいては、発光
チップとモールド樹脂間のストレスを緩和するために、
発光チップ全体をまずシリコーン樹脂のような柔らかい
樹脂で包囲してから、エポキシ樹脂でモールドすること
により、前記問題を解決している。
係数と、モールド樹脂の熱膨張係数との差によるストレ
スから派生することが多い。通常、GaAs、GaAl
As、GaP等のホモエピタキシャル成長された材料よ
りなる従来の赤外、赤色、黄色LEDにおいては、発光
チップとモールド樹脂間のストレスを緩和するために、
発光チップ全体をまずシリコーン樹脂のような柔らかい
樹脂で包囲してから、エポキシ樹脂でモールドすること
により、前記問題を解決している。
【0005】同様に窒化物半導体よりなる発光チップを
シリコーン樹脂でまず包囲して、エポキシ樹脂で包囲す
るのは常套手段であるが、青色、青緑色LEDは従来の
長波長LEDと異なり、窒化物半導体と全く異なる基板
に積層された、いわゆるヘテロエピタキシャル成長され
た発光チップを有するため、従来のシリコーン樹脂で包
囲しただけでは未だ満足できるものではなかった。
シリコーン樹脂でまず包囲して、エポキシ樹脂で包囲す
るのは常套手段であるが、青色、青緑色LEDは従来の
長波長LEDと異なり、窒化物半導体と全く異なる基板
に積層された、いわゆるヘテロエピタキシャル成長され
た発光チップを有するため、従来のシリコーン樹脂で包
囲しただけでは未だ満足できるものではなかった。
【0006】従って本発明はこのような事情を鑑みて成
されたものであり、その目的とするところは、窒化物半
導体よりなる発光チップの電極の剥がれ、ワイヤーの切
れ等を無くすことにより、長寿命で信頼性に優れた窒化
物半導体LEDを提供することにある。
されたものであり、その目的とするところは、窒化物半
導体よりなる発光チップの電極の剥がれ、ワイヤーの切
れ等を無くすことにより、長寿命で信頼性に優れた窒化
物半導体LEDを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】我々は窒化物半導体が同
一面側から電極を取り出したフリップチップ方式と、さ
らにヘテロエピであるという構造に問題が起因している
ことに着目し、発光チップの封止材料について種々の実
験を重ねたところ、窒化物半導体特有の作用を見いだし
本発明を成すに至った。即ち本発明の窒化物半導体LE
Dは基板上に窒化物半導体がヘテロエピタキシャル成長
されて、同一面側に正、負一対の電極が設けられてなる
発光チップを有し、前記発光チップは前記一対の電極と
外部により導出されたリード電極とワイヤーボンディン
グにより接続されており、前記発光チップが少なくとも
前記発光チップに接した第一の封止材料である流動パラ
フィンと、第一の封止材料に接した第二の封止材料であ
るエポキシ樹脂とで包囲されることにより、発光チップ
の順方向電圧が使用最初の順方向電圧よりも低下するこ
とを特徴とする。リード電極とは、例えば通常のLED
であればリードフレーム、メタルポスト、ステム等を意
味し、またチップタイプのLEDであれば、LEDを載
置したプリント基盤、セラミック基盤上に印刷、蒸着等
で形成されたリード電極等、外部電源と接続するために
導出されたリード電極を意味するものとする。なお使用
最初のVfとはLED点灯直後のVfを意味するものと
する。
一面側から電極を取り出したフリップチップ方式と、さ
らにヘテロエピであるという構造に問題が起因している
ことに着目し、発光チップの封止材料について種々の実
験を重ねたところ、窒化物半導体特有の作用を見いだし
本発明を成すに至った。即ち本発明の窒化物半導体LE
Dは基板上に窒化物半導体がヘテロエピタキシャル成長
されて、同一面側に正、負一対の電極が設けられてなる
発光チップを有し、前記発光チップは前記一対の電極と
外部により導出されたリード電極とワイヤーボンディン
グにより接続されており、前記発光チップが少なくとも
前記発光チップに接した第一の封止材料である流動パラ
フィンと、第一の封止材料に接した第二の封止材料であ
るエポキシ樹脂とで包囲されることにより、発光チップ
の順方向電圧が使用最初の順方向電圧よりも低下するこ
とを特徴とする。リード電極とは、例えば通常のLED
であればリードフレーム、メタルポスト、ステム等を意
味し、またチップタイプのLEDであれば、LEDを載
置したプリント基盤、セラミック基盤上に印刷、蒸着等
で形成されたリード電極等、外部電源と接続するために
導出されたリード電極を意味するものとする。なお使用
最初のVfとはLED点灯直後のVfを意味するものと
する。
【0008】本発明の第一の封止材料である流動パラフ
ィンの比重は、1.1以下であり、発光チップに直接接
して包囲する封止材料として流動パラフィンを選択する
と、電極の剥がれ、ワイヤーの切れ等を防止すると共
に、非常に効果的に発光チップのVfを低下させること
が可能となる。
ィンの比重は、1.1以下であり、発光チップに直接接
して包囲する封止材料として流動パラフィンを選択する
と、電極の剥がれ、ワイヤーの切れ等を防止すると共
に、非常に効果的に発光チップのVfを低下させること
が可能となる。
【0009】さらに前記リード電極は、前記発光チップ
をダイボンドするためのカップを有することを特徴とす
る。
をダイボンドするためのカップを有することを特徴とす
る。
【0010】本発明のLEDにおいて、窒化物半導体が
ヘテロエピタキシャル成長される基板には、例えばサフ
ァイア(Al2O3)のC面、M面、A面、スピネル(M
gAl2O4)の(111)面等の絶縁性基板が使用で
き、上記のように絶縁性基板の上に窒化物半導体を例え
ばホモ、シングルヘテロ、あるいはダブルへテロ構造と
なるように積層することによりウェーハを作製できる。
そのウェーハが基板から順にn層とp層とを積層した構
造であれば、p層のエッチングを行い、n層を表面に露
出させる。次に、同一面側に露出したp層と、n層とに
常法に従い、正電極、負電極を形成した後、ウェーハを
例えばダイサー、スクライバー等でチップ状に分離する
ことにより、フリップチップ方式の発光素子を得ること
ができる。
ヘテロエピタキシャル成長される基板には、例えばサフ
ァイア(Al2O3)のC面、M面、A面、スピネル(M
gAl2O4)の(111)面等の絶縁性基板が使用で
き、上記のように絶縁性基板の上に窒化物半導体を例え
ばホモ、シングルヘテロ、あるいはダブルへテロ構造と
なるように積層することによりウェーハを作製できる。
そのウェーハが基板から順にn層とp層とを積層した構
造であれば、p層のエッチングを行い、n層を表面に露
出させる。次に、同一面側に露出したp層と、n層とに
常法に従い、正電極、負電極を形成した後、ウェーハを
例えばダイサー、スクライバー等でチップ状に分離する
ことにより、フリップチップ方式の発光素子を得ること
ができる。
【0011】
【作用】比重の小さい流動パラフィンからなる第一の封
止材料で発光チップを包囲することによりVfを低下さ
せられるのは次のような作用があると推察される。
止材料で発光チップを包囲することによりVfを低下さ
せられるのは次のような作用があると推察される。
【0012】窒化物半導体は従来よりp型半導体が得に
くい材料であることが知られている。この原因はアクセ
プター不純物をドープした窒化物半導体において、アク
セプター不純物が水素と結合しており、アクセプターが
不活性化されていることによる。このため、アクセプタ
ー不純物をドープした窒化物半導体を熱的アニールする
ことにより、水素を追い出し低抵抗なp型を得ている。
しかし、このアニール処理でも完全には水素原子を窒化
物半導体から追い出すことは不可能であり、アニーリン
グ処理後に多少の水素が結晶中に残留する。つまりp型
窒化物半導体層中に残留する水素をアクセプターと切り
離すことにより、抵抗値が下がるのでVfも低下する。
詳しくは我々が先に出願した特開平5−183189号
公報に記載している。
くい材料であることが知られている。この原因はアクセ
プター不純物をドープした窒化物半導体において、アク
セプター不純物が水素と結合しており、アクセプターが
不活性化されていることによる。このため、アクセプタ
ー不純物をドープした窒化物半導体を熱的アニールする
ことにより、水素を追い出し低抵抗なp型を得ている。
しかし、このアニール処理でも完全には水素原子を窒化
物半導体から追い出すことは不可能であり、アニーリン
グ処理後に多少の水素が結晶中に残留する。つまりp型
窒化物半導体層中に残留する水素をアクセプターと切り
離すことにより、抵抗値が下がるのでVfも低下する。
詳しくは我々が先に出願した特開平5−183189号
公報に記載している。
【0013】このようにして得られたp型層を有する発
光チップに通電すると、n型層からp型層中に電子が注
入される。通常電子はホールと結合して発光するが、そ
の他p型層中に残留するアクセプター不純物と結合した
水素イオンと結合することにより、水素イオンをアクセ
プターから切り離す。この水素は従来のエポキシ樹脂の
ような比重の大きい硬い樹脂で包囲されていると発光チ
ップから出にくく、本発明のように柔らかい比重の小さ
い封止材料である流動パラフィンで封止されていると出
やすくなるので、p型層がさらに低抵抗化してVfが低
下していると推察される。この作用は窒化物半導体発光
チップ特有の作用である。
光チップに通電すると、n型層からp型層中に電子が注
入される。通常電子はホールと結合して発光するが、そ
の他p型層中に残留するアクセプター不純物と結合した
水素イオンと結合することにより、水素イオンをアクセ
プターから切り離す。この水素は従来のエポキシ樹脂の
ような比重の大きい硬い樹脂で包囲されていると発光チ
ップから出にくく、本発明のように柔らかい比重の小さ
い封止材料である流動パラフィンで封止されていると出
やすくなるので、p型層がさらに低抵抗化してVfが低
下していると推察される。この作用は窒化物半導体発光
チップ特有の作用である。
【0014】さらに、基板上にヘテロエピタキシャル成
長された発光チップには強いストレスが係る。それは窒
化物半導体と基板とが他の半導体材料に比べて非常に硬
い性質を有しており、さらに半導体と基板との間の格子
不整、熱膨張係数の差によるところが大きい。さらにま
た発光チップはフリップチップ形式という従来のLED
にはない新規な構造を有している。そのためチップ自体
の発熱、外部からの熱によるエポキシ樹脂の収縮等の要
因により、ヘテロエピされた発光チップが反ったり、曲
がったりすると電極部分には大きなストレスか係る。こ
のストレスの緩衝材として比重の小さい第一の封止材料
が作用する。これらの材料は特に柔らかい性質を有して
おり、ヘテロエピされた窒化物半導体発光チップに対し
て非常に有効に作用し電極の剥がれを防止して、LED
の信頼性を格段に向上させる。さらにまた、従来のよう
に硬い材料で包囲されていると、発光チップの歪で電極
が剥がれかけてくることにより、電極の接触抵抗が大き
くなってVfが高くなるが、本発明のように特に柔らか
い材料で包囲すると、電極が剥がれないので信頼性が向
上する。
長された発光チップには強いストレスが係る。それは窒
化物半導体と基板とが他の半導体材料に比べて非常に硬
い性質を有しており、さらに半導体と基板との間の格子
不整、熱膨張係数の差によるところが大きい。さらにま
た発光チップはフリップチップ形式という従来のLED
にはない新規な構造を有している。そのためチップ自体
の発熱、外部からの熱によるエポキシ樹脂の収縮等の要
因により、ヘテロエピされた発光チップが反ったり、曲
がったりすると電極部分には大きなストレスか係る。こ
のストレスの緩衝材として比重の小さい第一の封止材料
が作用する。これらの材料は特に柔らかい性質を有して
おり、ヘテロエピされた窒化物半導体発光チップに対し
て非常に有効に作用し電極の剥がれを防止して、LED
の信頼性を格段に向上させる。さらにまた、従来のよう
に硬い材料で包囲されていると、発光チップの歪で電極
が剥がれかけてくることにより、電極の接触抵抗が大き
くなってVfが高くなるが、本発明のように特に柔らか
い材料で包囲すると、電極が剥がれないので信頼性が向
上する。
【0015】次に、本発明のLEDは発光チップの電極
が外部より導出されたリード電極とワイヤーボンディン
グにより接続されている。つまり発光チップをフェイス
アップとしてワイヤーボンディングした構造としてい
る。このような発光チップは2箇所のワイヤーボンディ
ングが行われているので、発光チップが反ったり曲がっ
たりすると、金線が切れたり、ボールが電極から剥がれ
る確率は従来のLEDに比べて格段に大きくなる。従っ
て、この発光チップに対して本発明を適用すると、前記
のように金線の切れ、電極の剥がれ等を防止して信頼性
を高めるのに非常に大きな効果がある。
が外部より導出されたリード電極とワイヤーボンディン
グにより接続されている。つまり発光チップをフェイス
アップとしてワイヤーボンディングした構造としてい
る。このような発光チップは2箇所のワイヤーボンディ
ングが行われているので、発光チップが反ったり曲がっ
たりすると、金線が切れたり、ボールが電極から剥がれ
る確率は従来のLEDに比べて格段に大きくなる。従っ
て、この発光チップに対して本発明を適用すると、前記
のように金線の切れ、電極の剥がれ等を防止して信頼性
を高めるのに非常に大きな効果がある。
【0016】図1は本発明に係るLEDの構造を示す模
式的な断面図である。また、本発明に係るLEDは、以
下に記載される参考例と同様の方法にて形成することが
でき る。
式的な断面図である。また、本発明に係るLEDは、以
下に記載される参考例と同様の方法にて形成することが
でき る。
【0017】[参考例1] MOCVD(有機金属気相成長)法により、サファイア
基板1上にダブルヘテロ構造の窒化物半導体層2が積層
され、その窒化物半導体2層の同一面側に正電極と負電
極とが形成された350μm角の発光チップを多数用意
する。
基板1上にダブルヘテロ構造の窒化物半導体層2が積層
され、その窒化物半導体2層の同一面側に正電極と負電
極とが形成された350μm角の発光チップを多数用意
する。
【0018】次にこの発光チップをダイボンダーにセッ
トし、カップが設けられたリードフレーム3にフェイス
アップしてダイボンドする。ダイボンド後、リードフレ
ームをワイヤーボンダーに移送し、発光チップの負電極
をカップの設けられたリードフレーム3に金線でワイヤ
ーボンドし、正電極をもう一方のリードフレーム3’に
ワイヤーボンドする。
トし、カップが設けられたリードフレーム3にフェイス
アップしてダイボンドする。ダイボンド後、リードフレ
ームをワイヤーボンダーに移送し、発光チップの負電極
をカップの設けられたリードフレーム3に金線でワイヤ
ーボンドし、正電極をもう一方のリードフレーム3’に
ワイヤーボンドする。
【0019】次にモールド装置に移送し、モールド装置
のディスペンサーでリードフレーム3のカップ内に透明
なシリコーン樹脂4(JIS−A硬度22、比重1.1
0)を注入する。
のディスペンサーでリードフレーム3のカップ内に透明
なシリコーン樹脂4(JIS−A硬度22、比重1.1
0)を注入する。
【0020】シリコーン樹脂注入後、予めエポキシ樹脂
5(ロックウェル硬度M110、比重1.80)が注入
されたモールド型枠の中にリードフレーム3、3’を浸
漬した後、型枠をはずして樹脂を硬化させ、図1に示す
ような砲弾型のLEDとする。
5(ロックウェル硬度M110、比重1.80)が注入
されたモールド型枠の中にリードフレーム3、3’を浸
漬した後、型枠をはずして樹脂を硬化させ、図1に示す
ような砲弾型のLEDとする。
【0021】このLEDをIf60mAにおいて100
0個点灯し強制試験を行った結果、点灯直後はVf4.
5Vであったが、300時間経過後はVfが5%低下し
ていた。さらに1000個中金線のボールの剥がれ、電
極の剥がれ等は全く発生せず、発光出力の低下はなかっ
た。
0個点灯し強制試験を行った結果、点灯直後はVf4.
5Vであったが、300時間経過後はVfが5%低下し
ていた。さらに1000個中金線のボールの剥がれ、電
極の剥がれ等は全く発生せず、発光出力の低下はなかっ
た。
【0022】[参考例2] カップ内に注入する樹脂をゲル状シリコーン樹脂(比重
0.98、ゲル状の硬度はJIS−Aで表さない。)と
する他は参考例1と同様にしてLEDを作製した。後は
参考例1と同様にして強制試験を行ったところ、100
0個全てにおいてボール剥がれ、電極剥がれ等は発生せ
ず、またVfが5%低下していた。
0.98、ゲル状の硬度はJIS−Aで表さない。)と
する他は参考例1と同様にしてLEDを作製した。後は
参考例1と同様にして強制試験を行ったところ、100
0個全てにおいてボール剥がれ、電極剥がれ等は発生せ
ず、またVfが5%低下していた。
【0023】[参考例3] 図2は本発明の他の実施例に係るLEDの構造を示す模
式的な断面図であり、具体的にはチップLEDの構造を
示している。参考例3は図2を元に説明する。
式的な断面図であり、具体的にはチップLEDの構造を
示している。参考例3は図2を元に説明する。
【0024】参考例1と同様にサファイア基板1上にダ
ブルヘテロ構造の窒化物半導体層2が積層され、その窒
化物半導体2層の同一面側に正電極と負電極とが形成さ
れた350μm発光チップを多数用意する。
ブルヘテロ構造の窒化物半導体層2が積層され、その窒
化物半導体2層の同一面側に正電極と負電極とが形成さ
れた350μm発光チップを多数用意する。
【0025】次にこの発光チップをダイボンダーにセッ
トし、予めリード電極40、41が印刷形成されたセラ
ミック基板23にフェイスアップしてダイボンドする。
ダイボンド後、基板23をワイヤーボンダーに移送し、
発光チップの負電極をカップリード電極40に金線でワ
イヤーボンドし、正電極をもう一方のリード電極41に
ワイヤーボンドする。
トし、予めリード電極40、41が印刷形成されたセラ
ミック基板23にフェイスアップしてダイボンドする。
ダイボンド後、基板23をワイヤーボンダーに移送し、
発光チップの負電極をカップリード電極40に金線でワ
イヤーボンドし、正電極をもう一方のリード電極41に
ワイヤーボンドする。
【0026】基板をモールド装置に移送し、モールド装
置のディスペンサーでチップ全体を透明なゲル状シリコ
ーン樹脂24(比重0.98)でモールドする。
置のディスペンサーでチップ全体を透明なゲル状シリコ
ーン樹脂24(比重0.98)でモールドする。
【0027】さらにそのゲル状シリコーン樹脂24の上
からエポキシ樹脂25(ロックウェル硬度M110、比
重1.80)をディスペンサーでモールドした後、樹脂
を硬化させ、図2に示すようなチップタイプのLEDと
する。
からエポキシ樹脂25(ロックウェル硬度M110、比
重1.80)をディスペンサーでモールドした後、樹脂
を硬化させ、図2に示すようなチップタイプのLEDと
する。
【0028】このLEDを同様にしてIf60mAにお
いて1000個点灯し強制試験を行ったところ、点灯直
後はVf4.5Vであったが、300時間経過後はVf
が5%低下し、1000個中金線のボールの剥がれ、電
極剥がれ等は全く発生せず、発光出力の低下はなかっ
た。
いて1000個点灯し強制試験を行ったところ、点灯直
後はVf4.5Vであったが、300時間経過後はVf
が5%低下し、1000個中金線のボールの剥がれ、電
極剥がれ等は全く発生せず、発光出力の低下はなかっ
た。
【0029】
【発明の効果】本発明の特に予想もしなかった効果とし
ては、Vfが低下したということである。青色LEDは
他の長波長のLEDと比べて、Vfが高いというのが一
般的な常識とされている。ところが本発明によるとVf
を低下させることができたので、LEDを数多く使用し
たフルカラーディスプレイ、信号灯等の発光デバイスを
実現した際に、消費電力を低減させることができる。
ては、Vfが低下したということである。青色LEDは
他の長波長のLEDと比べて、Vfが高いというのが一
般的な常識とされている。ところが本発明によるとVf
を低下させることができたので、LEDを数多く使用し
たフルカラーディスプレイ、信号灯等の発光デバイスを
実現した際に、消費電力を低減させることができる。
【0030】以上説明したように、本発明の窒化物半導
体LEDは信頼性が高く、しかもVfが低いため、フル
カラーディスプレイ、信号灯、その他各種光源等に使用
すると、非常に優れた製品を提供することができる。
体LEDは信頼性が高く、しかもVfが低いため、フル
カラーディスプレイ、信号灯、その他各種光源等に使用
すると、非常に優れた製品を提供することができる。
【図1】 本発明の一実施例に係るLEDの構造を示す
模式断面図。
模式断面図。
【図2】 本発明の他の実施例に係るLEDの構造を示
す模式断面図。
す模式断面図。
【図3】 従来のLEDの構造を示す模式断面図。
1・・・・・サファイア基板 2・・・・・窒化物半導体層 3、3’・・・リードフレーム4、24・・・・・第一封止部材 5、25・・・エポキシ樹脂 23・・・・・セラミック基板 40、41・・リード電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−71179(JP,A) 特開 昭54−19660(JP,A) 特開 昭50−42785(JP,A) 特開 平6−338632(JP,A) 実開 昭52−157764(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 33/00
Claims (2)
- 【請求項1】 基板上に窒化物半導体がヘテロエピタキ
シャル成長されて、同一面側に正、負一対の電極が設け
られてなる発光チップと有する窒化物半導体発光ダイオ
ードにおいて、前記発光チップは前記一対の電極と外部
により導出されたリード電極とワイヤーボンディングに
より接続されており、前記発光チップが少なくとも前記
発光チップに接した第一の封止材料である流動パラフィ
ンと、第一の封止材料に接した第二の封止材料であるエ
ポキシ樹脂とで包囲されることにより、発光チップの順
方向電圧が使用最初の順方向電圧よりも低下することを
特徴とする窒化物半導体発光ダイオード。 - 【請求項2】 前記リード電極は、前記発光チップをダ
イボンドするためのカップを有することを特徴とする請
求項1乃至2に記載の窒化物半導体発光ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14096795A JP3271645B2 (ja) | 1995-06-08 | 1995-06-08 | 窒化物半導体発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14096795A JP3271645B2 (ja) | 1995-06-08 | 1995-06-08 | 窒化物半導体発光ダイオード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08335719A JPH08335719A (ja) | 1996-12-17 |
JP3271645B2 true JP3271645B2 (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=15280996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14096795A Expired - Fee Related JP3271645B2 (ja) | 1995-06-08 | 1995-06-08 | 窒化物半導体発光ダイオード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3271645B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6541800B2 (en) | 2001-02-22 | 2003-04-01 | Weldon Technologies, Inc. | High power LED |
US6903380B2 (en) | 2003-04-11 | 2005-06-07 | Weldon Technologies, Inc. | High power light emitting diode |
AT412928B (de) | 2003-06-18 | 2005-08-25 | Guenther Dipl Ing Dr Leising | Verfahren zur herstellung einer weissen led sowie weisse led-lichtquelle |
TWI275189B (en) * | 2003-12-30 | 2007-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for producing such component |
EP1864339A4 (en) * | 2005-03-11 | 2010-12-29 | Seoul Semiconductor Co Ltd | LIGHT-EMITTING DIODE DIODE WITH PHOTO-EMITTING CELL MATRIX |
KR20060125340A (ko) * | 2005-06-02 | 2006-12-06 | 에이프로시스템즈 (주) | 광학적 매개물을 포함하는 발광 다이오드 |
JP2007300069A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-11-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子、この発光素子を用いた発光装置及びこの発光素子の製造方法 |
KR100963890B1 (ko) * | 2008-01-25 | 2010-06-17 | 서울반도체 주식회사 | 와이어 연결 단자를 구비한 발광 다이오드 |
JP6076429B2 (ja) * | 2015-09-18 | 2017-02-08 | 三菱電機株式会社 | Ledパッケージ装置 |
-
1995
- 1995-06-08 JP JP14096795A patent/JP3271645B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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JPH08335719A (ja) | 1996-12-17 |
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