JP3270557B2

JP3270557B2 - 放電ランプ装置

Info

Publication number: JP3270557B2
Application number: JP01338293A
Authority: JP
Inventors: 邦正望月; 幸男脇水; 優一長澤
Original assignee: Koito Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Koito Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1993-01-29
Filing date: 1993-01-29
Publication date: 2002-04-02
Anticipated expiration: 2017-04-02
Also published as: JPH06223784A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は自動車用の光源として用
いられる放電ランプ装置に係り、特に絶縁性ベース前方
に配設されたアークチューブが紫外線遮蔽用グローブに
包囲された放電ランプ装置に関する。

【０００２】

【従来技術】近年の自動車用ヘッドランプの光源として
は、白熱ランプから光量の大きいハロゲンランプに移行
し、最近ではさらに光量が大きくかつ寿命の長い放電ラ
ンプが開発されつつある。図６は先に提案されているこ
の種の放電ランプ装置を示したもので、絶縁性ベース２
から突出する一対のリードサポート３，４によって放電
ランプ本体であるアークチューブ５の両端が支持された
構造となっている。アクチューブ５は、ガラス管中央の
密閉ガラス球５ａ内に電極６，６が対設され、ガラス管
には電極６，６に接続されたモリブデン箔７ａ，７ｂを
封着するピンチシール部５ｂ₁，５ｂ₂が形成され、ピン
チシール部５ｂ₁，５ｂ₂からはモリブデン箔７ａ，７ｂ
に接続されたリード線（モリブデン線）８，８が外部に
導出し、このリード線８，８が金属支持体８ａ，８ｂを
介してリードサポート３，４に溶接固定されている。な
お符号５ｃは、後端側ピンチシール部５ｂ₂に連成され
た非ピンチシール部であるガラス管延出部である。また
ガラス球５ａ内には、発光物質として水銀のほかに金属
ハロゲン物質（例えば、ナトリウム−タリウム−インジ
ュウム系又はスカンジウム−ナトリウム系）が含まれて
いる。符号９はベース２に固定保持された円筒形状の紫
外線遮蔽用グローブで、アークチューブ５の発光から人
体に有害な波長域および灯具内の樹脂部品を劣化させる
波長域の紫外線をカットするようになっている。そして
この放電ランプ装置はリフレクター１のバルブ挿着孔１
ａに挿着されて、ランプボディと前面レンズによって形
成される灯室空間（図示せず）内に配置される。

【０００３】

【発明の解決しようとする課題】しかし図６に示される
放電ランプ装置では、アークチューブ５の周囲が紫外線
遮蔽用グローブ９の開口端を介して灯室空間に連通して
いる。そしてヘッドランプ点灯時にはアークチューブ５
が高熱を発し灯室内が高温となるが、この高熱のためラ
ンプボディと前面レンズ間係合部をシールするために装
填されているシール剤や灯室空間内に設けられているＳ
ｉ系合成樹脂材からシリコンが低分子シロキサンとして
灯室空間に飛び出し、回遊し、高温度となるアークチュ
ーブの表面付近で大気中のＯ₂と結合し、アークチュー
ブの表面にＳｉＯ₂として付着する。この付着したＳｉ
Ｏ₂はアークチューブを白く曇らせ、アークチューブの
発光効率を低下させるという問題があった。

【０００４】また図７に示されるように、紫外線遮蔽用
グローブ９を前端部の閉塞された形状とし、ベース２の
前面に固定したセラミックディスク２ａにグローブ開口
端部を接着してグローブ９内を密封し、浮遊する低分子
シロキサンがグローブ９内に侵入できないようにして、
アークチューブ５へのＳｉＯ₂の付着を防ぐ構造も提案
されている。なおアークチューブ５の構成部品であるモ
リブデン箔７ａ，７ｂは、部品の共通化による製造の容
易性という観点から、同一寸法に形成されている。

【０００５】しかし、この図７に示す構造では、グロー
ブ９内を密封したため放熱性が悪く、アークチューブ５
をグローブで密封しない構造（図６参照）に比べてアー
クチューブ５が高温となり、ピンチシール部５ｂ₁，５
ｂ₂に封着されているモリブデン線８やモリブデン箔が
酸化膨張し、ピンチシール部にクラックが生じたりモリ
ブデン箔が切れ（以下、箔切れという）たりするおそれ
がある。即ち、ピンチシール部では、特に後端側ピンチ
シール部５ｂ₂の一部を拡大して示す図８に示されるよ
うに、線膨張係数が違うガラスと金属（モリブデン）と
の境界に、リード線（モリブデン線）８に沿って微小隙
間５ｄやビリ５ｅが生じており、モリブデン線８は勿
論、モリブデン箔７ｂの一部（モリブデン線接合部付
近）もこの隙間５ｄやビリ５ｅを介してグローブ９内の
大気にさらされている。このピンチシール部内の構造
は、前端側ピンチシール部５ｂ₁においても同様であ
る。そして大気中におけるモリブデンは３５０℃を越え
ると酸化反応が促進されることが一般に知られており、
この大気にさらされているリード線（モリブデン線）８
やモリブデン箔７ａ，７ｂがモリブデンの酸化促進温度
である３５０℃を越えるため、酸化して体積が増え、ピ
ンチシール部５ｂ₁，５ｂ₂にクラックが生じたり、箔切
れを起こして断線するおそれがある等の問題が生じた。

【０００６】さらに図９に示すように、アークチューブ
５を紫外線遮断用グローブ９で包囲し、かつアークチュ
ーブ５とグローブ９間を溶着してグローブ９内を完全密
封するとともに、グローブ９内に不活性ガスを封止し
て、アークチューブ５へのＳｉＯ₂の付着を確実になく
すようにした放電ランプ装置（特願平４−１６１１２８
号）も提案されている。

【０００７】この構造では、前記した図７に示す放電ラ
ンプ装置よりもグローブ９内の密封度が確実であるた
め、アークチューブ５のピンチシール５ｂ₁，５ｂ₂部の
温度はさらに高温となる。しかし前端側ピンチシール部
５ｂ₁はグローブ９内に封止されている不活性ガス雰囲
気下にあるため、このピンチシール部５ｂ₁におけるリ
ード線（モリブデン線）８やモリブデン箔７ａが酸化す
るおそれはない。一方、後端側ピンチシール部５ｂ₂に
おけるリード線導出部位はガラス管延出部５ｃを介して
グローブ９の外部の大気にさらされる状態となってい
る。このためこの後端側ピンチシール部５ｂ₂内のリー
ド線（モリブデン線）８やモリブデン箔７ｂがモリブデ
ン酸化促進温度である３５０℃を越えることにより酸化
して体積が増加し、これに伴ってピンチシール部５ａ内
にクラックが生じたり箔切れを起こしたりする。

【０００８】本発明は前記従来技術の問題点に鑑みなさ
れたもので、その目的は、アークチューブ表面にＳｉＯ
₂が折出しないことは勿論、ガラス管封止部（ピンチシ
ール部）内にクラックが生じたり箔切れが生じたりしな
い放電ランプ装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明に係る放電ランプ装置においては、アークチ
ューブの後端部がアークチューブを包囲する紫外線遮断
用グローブに溶着されて、不活性ガスを封止した紫外線
遮断用グローブ内にアークチューブが前後方向に延出配
置されたアークチューブグローブ結合体が、絶縁性ベー
スに固定保持された放電ランプ装置であって、前記アー
クチューブは、電極棒の対設された密閉ガラス球を挾ん
で、一端に前記電極棒が他端にモリブデン線がそれぞれ
接続された矩形状モリブデン箔の封着された一対の直線
状のガラス管封止部が連成されるとともに、後端側のガ
ラス管封止部には内部にモリブデン線が挿通されかつ外
周に紫外線遮断用グローブの溶着されたガラス管延出部
が連成された構造で、後端側ガラス管封止部に封着され
たモリブデン箔の長さを前端側ガラス封止部に封着され
たモリブデン箔の長さより長くすることにより、後端側
ガラス管封止部の長さを前端側ガラス管封止部の長さよ
りも長く形成するようにしたものである。

【００１０】

【作用】アークチューブの周りは紫外線遮断用グローブ
により完全密封状態に保持されており、アークチューブ
を包囲する紫外線遮蔽用のグローブが、放電による発熱
で灯室空間内に飛び出した低分子シロキサン（Ｓｉ）の
高温度となるアークチューブへの接近を妨げ、ＳｉＯ₂
の生成およびＳｉＯ₂のアークチューブ表面への付着を
妨げる。なおグローブはアークチューブと比べて表面温
度が低いため、グローブ近傍において灯室空間内の低分
子シロキサン（Ｓｉ）がＯ₂と結合する度合は少なく、
さらにＳｉＯ₂としてグローブに付着することもない。

【００１１】またアークチューブの発光時に、発熱源で
ある密閉ガラス球の発する熱がガラス管封止部に伝達さ
れてガラス管封止部内に封着されているモリブデン線お
よびモリブデン箔が高温となるが、後端側ガラス管封止
部の端部の温度は例えばモリブデン酸化促進温度を越え
ない。即ち、後端側ガラス管封止部内のモリブデン箔を
前端側ガラス管封止部内のモリブデン箔よりも長くして
後端側ガラス管封止部を前端側ガラス管封止部よりも長
く（熱伝達経路を長く）形成したので、後端側ガラス管
封止部の端部に伝達される熱量が低下し、後端側ガラス
管封止部に封着されてはいるが大気にさらされるモリブ
デン線およびこのモリブデン線に接続されているモリブ
デン箔が例えば酸化促進温度を越えないので、後端側モ
リブデン線およびモリブデン箔が酸化して体積膨張する
ことに起因したガラス管封止部におけるクラックの発生
や箔切れが抑制される。なお前端側ガラス管封止部に封
着されているモリブデン線およびモリブデン箔は不活性
ガスにさらされるため酸化のおそれはなく、従って前端
側ガラス封止部におけるクラックの発生や箔切れのおそ
れはない。

【００１２】

【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１〜図２は本発明の実施例を示すもので、図１
は本発明の一実施例である放電ランプ装置の斜視図、図
２は同放電ランプ装置の縦断面図、図３はアークチュー
ブの拡大断面図、図４および図５は同放電ランプ装置の
製造工程説明図である。

【００１３】これらの図において、放電ランプ装置は、
アークチューブ１０とこのアークチューブ１０を包囲す
る紫外線遮蔽用のアウターチューブであるグローブ２０
とが一体化されたアークチューブ・グローブ結合体Ａ
と、アークチューブ・グローブ結合体Ａの後端部を支持
するアークチューブ支持ベースである絶縁性ベース３０
と、この絶縁性ベース３０から前方に延出してアウター
チューブ・グローブ結合体Ａの前端部を支持するリード
サポート４０とから主として構成されている。

【００１４】アークチューブ１０は、円パイプ形状の石
英ガラス管の前端部寄り及び後端部寄りがピンチされ
て、放電空間を形成する楕円体形状の密閉ガラス球１２
の両端部に横断面矩形状のピンチシール部１３ａ，１３
ｂが形成された構造で、ガラス球１２内には始動用希ガ
ス，水銀及び金属ハロゲン化物（例えばナトリウム・タ
リウム−インジュウム系発光物質）が封入されている。
密閉ガラス球１２内にはタングステン製の放電電極１５
ａ，１５ｂが対向配置されており、放電電極１５ａ，１
５ｂはピンチシール部１３ａ，１３ｂに封着されたモリ
ブデン箔１６ａ，１６ｂに接続され、ピンチシール部１
３ａ，１３ｂの端部からはモリブデン箔１６ａ，１６ｂ
にそれぞれ接続されたモリブテン製リード線１８ａ，１
８ｂが導出し、リード線１８ｂは非ピンチシール部であ
る円パイプ形状部１４ｂを挿通して外部に延びている。
一方、前端側リード線１８ａは、紫外線遮蔽用グローブ
２０前端のシール部２２に封着されたモリブテン箔１６
ｃを介してグローブ前方に導出するモリブテン製リード
線１８ｃに接続され、このリード線１８ｃは、リードサ
ポート４０の先端に固定された金属支持体４１に接続さ
れている。またアークチューブ１０の後端部の円パイプ
形状部１４ｂにはガラス製ディスクが溶着一体化されて
フランジ部２４が形成され、このディスク（フランジ
部）２４にグローブ２０の開口端部が溶着一体化され
て、アークチューブ・グローブ結合体Ａが構成されてい
る。

【００１５】アークチューブ１０を包囲する紫外線遮蔽
用のガラス製グローブ２０は、球形の先端部にシール部
２２が突設されたキャップ型で、グローブ後端開口部が
アークチューブ１０の後端部に周設されたガラス製ディ
スク（フランジ部）２４に溶着されて、アークチューブ
１０を包囲した構造となっている。ガラス製グローブ２
０の外側にはＺｎＯなどの紫外線カット作用のある紫外
線遮蔽膜がコーティングされており、アークチューブ１
０の放電部の発光から人体や灯具構成部材に有害な波長
域の紫外線をカットするようになっている。

【００１６】グローブ先端のシール部２２は、当初は図
４（ｅ）に示されるように、ガラス管２１により構成さ
れているが、このガラス管２１内にリード線１８ａに接
続した、モリブデン箔１６ｃとリード線１８ｃからなる
リード線アッシー１７を挿通させた状態で、ガラス管２
１をシュリンクシールすることによって、シール部２２
が形成される。モリブテン箔１６ｃはガラスとの馴染み
がよく、通電路であるリード線アッシー１７を封着した
ガラス管封止部における気密性を確保できる。さらにガ
ラス製アークチューブ１０とガラス製ディスク（フラン
ジ部）２４，ガラス製ディスク（フランジ部）２４とガ
ラス製グローブ２０が溶着により一体化されて、それぞ
れの接合部の気密性が確保されている。そして完全密閉
状態とされたグローブ２０内には不活性ガスが封入され
ており、この不活性ガスの断熱作用により、グローブ２
０の表面温度が低く抑えられるようになっている。この
ため放電ランプ装置の点灯中に、温度が上昇することに
よって、ヘッドランプ構成部材であるランプボディと前
面レンズとの係合部に装填されているシール剤や灯室空
間内のシリコン系合成樹脂材から飛び出した低分子シロ
キサンは、表面温度の低いグローブ２０と接触はして
も、表面温度の高いアークチューブ１０とは接触できな
いので、ＳｉＯ₂の生成が抑制されるとともに、たとえ
生成されたとしても生成されたＳｉＯ₂がアークチュー
ブに付着するおそれもない。従って、アークチューブ１
０が白く曇って発光効率を低下させるという従来のよう
な不具合はない。

【００１７】図３はフランジ部２４が溶着される前のア
ークチューブ１０を拡大して示しており、後端側ピンチ
シール部１３ｂは前端側ピンチシール部１３ａより長く
形成されて、アークチューブ点灯中の符号Ｐで示すピン
チシール部１３ｂの後端部位の温度が３５０℃を越えな
い様になっている。即ちピンチシール部１３ｂ内には、
モリブデン製リード線１８ｂに沿って微小隙間やビリ
（図８における符号５ｄや符号５ｅ参照）が生じてお
り、リード線１８ｂやモリブデン箔１６ｂはこれらの隙
間やビリを介し大気にさらされて酸化され得る状態とな
っているが、モリブデン箔１６ｂの長さａ₂が前端側モ
リブデン箔１６ａの長さａ₁より長くされて後端側ピン
チシール部１３ｂの長さｂ₂が前端側ピンチシール部１
３ａの長さｂ₁より長く形成されており、発熱源である
密閉ガラス球１２からピンチシール部１３ｂの後端部位
Ｐまでの長さが長くなった分だけピンチシール部後端部
位Ｐに伝達される熱量が減じ、この部位Ｐにおける温度
がモリブデン酸化促進温度３５０℃を越えない様に設定
されている。このため後端側ピンチシール部１３ｂのリ
ード線（モリブデン線）１８ｂやモリブデン箔１６ｂの
酸化が従来の様に促進されるという問題はなく、後端側
ピンチシール部１３ｂにおいてクラックが生じたり箔切
れを起こす等の不具合がない。なお、前端側ピンチシー
ル部１３ａはグローブ２０に封止された不活性ガス雰囲
気下にあるため、ピンチシール部１３ａに封着されてい
るモリブデン箔１６ａやリード線１８ａが酸化するおそ
れはなく、従って前端側ピンチシール部１３ａにクラッ
クが生じたり箔切れを起こしたりすることもない。なお
符号１９はガラス管延出部１４ｂに周設された突条部
で、ここにフランジ部２４が溶着される。

【００１８】またグローブ２０にはＺｎＯ等の紫外線を
カットするための紫外線遮蔽膜がコーティングされてお
り、この紫外線遮蔽膜の耐久性は高温となると低下する
傾向にあるが、グローブ２０内の不活性ガスの断熱作用
によって紫外線遮蔽膜の温度の上昇が抑えられるので、
紫外線遮蔽膜の耐久性も保証される。なお符号２６はリ
ード線１８ａに溶接固定され、グローブ２０内の不純物
成分（例えばＨ₂，Ｏ₂等のガス）を吸着除去するゲッタ
ーである。

【００１９】絶縁性ベース３０は合成樹脂の一体成形体
で、ベース３０の前面にはインサート成形されたリード
サポート４０が前方に延出している。ベース３０の前面
にはねじ３２によってセラミックディスク３４が固定さ
れ、ベース３０の前面に形成されたアークチューブ係合
孔３１にアークチューブ後端部が係合するとともに、ア
ークチューブ・グローブ結合体Ａのフランジ部２４相当
領域がセラミックディスク３４に無機系接着剤３６によ
って固定されている。そしてアークチューブ後端側のリ
ード線１８ｂは、アークチューブ係合孔３１の底面に設
けられている小孔３１ａからベース背面側に導出し、ベ
ース３０の背面側に突設されたコネクターの一部である
端子３７に溶接されている。

【００２０】一方、アークチューブ前端側のリード線１
８ａは、グローブ２０の前端シール部２２内に封着され
ているモリブテン箔１６ｃに接続され、モリブテン箔１
６ｃからモリブデン製リード線１８ｃがグローブ２０外
に導出している。そしてこのリード線１８ｃにはリード
サポート４０の先端に固定された金属支持体４１にスポ
ット溶接により接続され、この前端側リード線１８ａへ
の通電路として作用するリードサポート４０は、ベース
３０内にて屈曲し、ベース背面側に突出してコネクター
の一部である端子３８を構成している。符号４２はリー
ドサポート４０に外嵌した放電防止用のセラミック製パ
イプである。端子３７，３８にはそれぞれ給電用コード
Ｃ₁，Ｃ₂が接続され、端子３７，３８間にはベース３０
から二股隔壁３９が延出し、二股隔壁３９にはコードＣ
₁，Ｃ₂を挿通保持するプラグカバー５０側の隔壁５２が
係合して、両端子３７，３８間の放電を防止する構造と
なっている。

【００２１】また符号４６は絶縁性ベース３０の周縁部
に固定されている焦点リングである。放電ランプ装置を
リフレクターのバルブ挿着孔に位置決めする際の基準当
接部である焦点リング４６と絶縁性ベース３０とは、両
部材４６，３０の付き合わせ面に金属リング４７が介在
されて、周方向及び軸方向（図２に示す左右方向）に相
対スライドできる構造であるが、放電部である密閉ガラ
ス球１２と焦点リング４６とを軸方向及び周方向に位置
決めした位置において、高周波誘導加熱により金属リン
グ４７を加熱して両部材３０，４６の付き合わせ面を溶
着一体化するようになっている。

【００２２】次に本実施例の放電ランプ装置の製造工程
を図４および図５に基づいて説明する。まず図４（ａ）
に示すアークチューブ１０を用意し、図４（ｂ）に示す
ように、モリブテン箔１６ｃとリード線１８ｃの一体化
されたリード線アッシー１７をアークチューブ前端側リ
ード線１８ａに接続する。さらに図４（ｃ）に示すよう
に、リード線１８ａにゲッター２６を接続するととも
に、図４（ｄ）に示すように、ガラス製のディスク（フ
ランジ部）２４をＣＯ₂レーザ等の熱源によってアーク
チューブ後端部に溶着する。

【００２３】次に図４（ｅ）に示すように、紫外線遮蔽
用グローブ２０をアークチューブ１０の上方から被せ、
リード線アッシー１７をグローブ先端に連成されている
ガラス管２１内に挿通し、グローブ２０の下端開口部を
ディスク（フランジ部）２４に係合させ、グローブ２０
とディスク（フランジ部）２４とをＣＯ₂レーザ等の熱
源によって溶着する。

【００２４】次に図５（ａ）に示すように、ガラス管２
１を介してグローブ２０内を真空に排気し、次いで不活
性ガスを注入し、グローブ２０内を不活性ガスで置換す
るとともに、シュリンクシールによりガラス管２１を封
止してシール部２２とする。次に図５（ｂ）に示すよう
に、前面にセラミックディスク３４が固定され、かつリ
ードサポート４０が突設された絶縁性ベース３０を用意
し、アークチューブ後端部をチューブ係合孔３１に挿入
してセラミックディスク３４にアークチューブ・グロー
ブ結合体Ａの後端部を接着固定する。このときアークチ
ューブ後端側リード線１８ｂは小孔３１ａからベース３
０の背面側に突出させておく。さらにリードサポート４
０の前端に固定した金属支持体４１に、グローブ前端か
ら導出するリード線１８ｃをスポット溶接する。

【００２５】次に図５（ｃ）に示すように、ベース３０
の背面側に端子３７を螺着し、この端子３７にリード線
１８ｂをスポット溶接する。さらに端子３７、およびリ
ードサポート４０のベース後方突出部である端子３８に
コードＣ₁，Ｃ₂を接続するとともに、金属リング４７を
環装し、その後プラグカバー５０をベース３０に係合す
る。次に図５（ｄ）に示すように、焦点リング４６を装
着し、焦点リング位置を調整するアライニングを行い、
適正位置において高周波誘導加熱によりプラグカバー５
０とベース３０と焦点リング４６とを一体化する。

【００２６】この様に本実施例では、紫外線遮蔽用のグ
ローブ２０がリードサポート４０を包囲することなくア
ークチューブ１０だけを包囲した構造であるため、従来
構造に比べて非常にコンパクトである。また従来のグロ
ーブに比べて短いため、図７矢印に示されるように、リ
フレクターでの反射光がグローブ前端部で散乱してグレ
ア光となったり、グローブ先端で光がカットされて配光
パターンの中心部の光度が不足するといった不具合もな
い。またリードサポート４０は、グローブ２０外に配設
されているため、アークチューブ１０の発する有害波長
域の紫外線にさらされることがないので、変性しにくく
それだけリードサポート４０の耐久性も確保される。

【００２７】またアークチューブ１０の高温状態がアー
クチューブ１０を取り囲む不活性ガス雰囲気によって断
熱されて紫外線遮蔽用グローブに伝えられるため、グロ
ーブ２０に形成されている紫外線遮蔽膜の耐久性が低下
することが抑制される。またアークチューブ１０はグロ
ーブ２０内の断熱雰囲気下におかれて一定の動作温度を
保持できるので、ヘッドランプの光束や色や温度等の安
定化を図ることができる。

【００２８】なお前記した実施例では、ガラス管封止部
であるシール部２２をシュリンクシールにより形成する
ようになっているが、ピンチシールにより形成してもよ
い。

【００２９】

【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明に
係る放電ランプ装置によれば、アークチューブは紫外線
遮蔽用グローブによって包囲され、完全な密閉状態に保
持されているので、点灯による灯室内の温度の上昇によ
り灯室空間内に飛び出した低分子シロキサンが高温度の
アークチューブの表面近傍に回遊することがなく、Ｓｉ
Ｏ₂の生成およびこのＳｉＯ₂のアークチューブへの付着
が抑制されて、アークチューブの発光率の低下が防止さ
れる。なおグローブの表面温度はアークチューブに比べ
て低いので、Ｓｉ（低分子シロサキン）の酸化反応が抑
制され、ＳｉＯ₂のグローブへの付着もない。

【００３０】またアークチューブの後端側ガラス管封止
部に封着されているモリブデン線およびモリブデン箔の
大気にさらされる部位における温度は例えばモリブデン
の酸化促進温度以下に保持されるので、後端側ガラス管
封止部にクラックが生じたり箔切れを起こしたりする不
具合がなく、長期使用に耐え得る放電ランプ装置が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例である放電ランプ装置の
斜視図

【図２】同放電ランプ装置の縦断面図

【図３】アークチューブの拡大断面図

【図４】同放電ランプ装置の製造工程を示す図で、紫外
線遮蔽用グローブ内にアークチューブを固定するまでの
工程を説明する図

【図５】同放電ランプ装置の製造工程を示す図で、紫外
線遮蔽用グローブ先端部をシュリンクシールする工程か
ら放電ランプ装置が出来上がるまでの工程を説明する図

【図６】先に提案されている放電ランプ装置の縦断面図

【図７】先に提案されている他の放電ランプ装置の縦断
面図

【図８】アークチューブの後端側ピンチシール部の拡大
断面図

【図９】先に提案されている他の放電ランプ装置の拡大
断面図

【符号の説明】

１０放電ランプ本体であるアークチューブ１２放電部である密閉ガラス球１３ａ，１３ｂピンチシール部１４ｂ円筒形状部１５ａ，１５ｂ放電電極１６ａ，１６ｂモリブデン箔１８ａアークチューブ前端側に導出するリード線（モ
リブデン線）１８ｂアークチューブ後端側に導出するリード線（モ
リブデン線）２０紫外線遮蔽用グローブ２１紫外線遮蔽用グローブ先端に形成されたガラス管２２ガラス管封止部であるシール部３０絶縁性ベース３４セラミックディスク３６接着剤４０リードサポートＡアークチューブ・グローブ結合体

フロントページの続き (56)参考文献特開平４−229942（ＪＰ，Ａ) 特開平４−112447（ＪＰ，Ａ) 特開平４−79148（ＪＰ，Ａ) 特開平３−57154（ＪＰ，Ａ) 特開平６−196003（ＪＰ，Ａ) 特開平５−251055（ＪＰ，Ａ) 特開平５−41198（ＪＰ，Ａ) 特開平５−234568（ＪＰ，Ａ) 特開平６−5257（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 61/36 H01J 61/34

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】アークチューブの後端部がアークチュー
ブを包囲する紫外線遮断用グローブに溶着されて、不活
性ガスを封止した紫外線遮断用グローブ内にアークチュ
ーブが前後方向に延出配置されたアークチューブ・グロ
ーブ結合体が絶縁性ベースに固定保持された放電ランプ
装置であって、前記アークチューブは、電極棒の対設さ
れた密閉ガラス球を挾んで、一端に前記電極棒が他端に
モリブデン線がそれぞれ接続された矩形状モリブデン箔
の封着された一対の直線状のガラス管封止部が連成され
るとともに、後端側のガラス管封止部には内部にモリブ
デン線が挿通されかつ外周に紫外線遮断用グローブの溶
着されたガラス管延出部が連成された構造で、後端側ガ
ラス管封止部に封着されたモリブデン箔の長さを前端側
ガラス封止部に封着されたモリブデン箔の長さより長く
することにより、後端側ガラス管封止部の長さが前端側
ガラス管封止部の長さよりも長く形成されたことを特徴
とする放電ランプ装置。