JP3269982B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体装置に関
し、特にレーザビームによる導電膜の溶断工程を含む半
導体装置に関するものである。
し、特にレーザビームによる導電膜の溶断工程を含む半
導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プロセスのランダムな欠陥によるＬＳＩ
の歩留り低下を防止するため回路に冗長度を設けてお
き、少数の欠陥があってもＬＳＩの機能が損なわれない
ようにする技術がメモリを中心に適用が進められてい
る。ＲＡＭおよびＥＰＲＯＭにおいては予備メモリアレ
ーを用意しておき、本体メモリアレーに欠陥があった場
合は予備アレーを使う方式が主流である。
の歩留り低下を防止するため回路に冗長度を設けてお
き、少数の欠陥があってもＬＳＩの機能が損なわれない
ようにする技術がメモリを中心に適用が進められてい
る。ＲＡＭおよびＥＰＲＯＭにおいては予備メモリアレ
ーを用意しておき、本体メモリアレーに欠陥があった場
合は予備アレーを使う方式が主流である。
【０００３】予備メモリアレー切換え用素子としては電
気ヒューズ方式やレーザヒューズ方式が最も広く用いら
れている。レーザヒューズ方式においてはテスターから
の情報によりレーザビーム位置を制御しレーザブローを
行い、ヒューズを溶断する。
気ヒューズ方式やレーザヒューズ方式が最も広く用いら
れている。レーザヒューズ方式においてはテスターから
の情報によりレーザビーム位置を制御しレーザブローを
行い、ヒューズを溶断する。
【０００４】図４はレーザブローする半導体装置と照射
するレーザビームの位置関係を示した断面図である。図
において、１はシリコン基板、２はヒューズ、３はシリ
コン基板１とヒューズ２との間に位置する絶縁膜、４は
ヒューズ２上の絶縁膜、５はレーザビームであり、矢印
はレーザビーム５の入射方向を示している。図４は模式
図であり、実際の半導体装置では例えば、絶縁膜３はＬ
ＯＣＯＳ酸化膜やゲート酸化膜などから成っており、ヒ
ューズ２はゲート電極、絶縁膜４はそれぞれの半導体装
置形成のために必要な層間絶縁膜の多層膜から成ってい
る。
するレーザビームの位置関係を示した断面図である。図
において、１はシリコン基板、２はヒューズ、３はシリ
コン基板１とヒューズ２との間に位置する絶縁膜、４は
ヒューズ２上の絶縁膜、５はレーザビームであり、矢印
はレーザビーム５の入射方向を示している。図４は模式
図であり、実際の半導体装置では例えば、絶縁膜３はＬ
ＯＣＯＳ酸化膜やゲート酸化膜などから成っており、ヒ
ューズ２はゲート電極、絶縁膜４はそれぞれの半導体装
置形成のために必要な層間絶縁膜の多層膜から成ってい
る。
【０００５】次に、図４を参照して、レーザブローの工
程を説明する。レーザビーム５をヒューズ２に絶縁膜４
方向からシリコン基板１に向かって照射する。ヒューズ
２は照射されたレーザビーム５を吸収することで発熱
し、固体、液体、気体といった過程を経て溶断される。
この時、ヒューズ２が液体から気体へと変化する際、特
に急激な圧力変化を伴うため、ヒューズ２の上部に位置
する絶縁膜４が吹き飛びブローが完結する。図５はレー
ザブロー後の半導体装置の断面図である。
程を説明する。レーザビーム５をヒューズ２に絶縁膜４
方向からシリコン基板１に向かって照射する。ヒューズ
２は照射されたレーザビーム５を吸収することで発熱
し、固体、液体、気体といった過程を経て溶断される。
この時、ヒューズ２が液体から気体へと変化する際、特
に急激な圧力変化を伴うため、ヒューズ２の上部に位置
する絶縁膜４が吹き飛びブローが完結する。図５はレー
ザブロー後の半導体装置の断面図である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザブローは
以上のようであり、図４に示すように、ヒューズ２上部
の絶縁膜４は反応による成膜だけでなく、半導体装置の
製造工程で生じる凹凸の平坦化のために水ガラスなどの
液体の絶縁膜のコーティングを施す。この場合、液体絶
縁膜の膜厚はベアウエハによって膜厚の条件出しを行っ
ており、凹凸が存在する実際のウエハ上では膜厚が設定
膜厚と異なってしまう。そのうえ、この液体絶縁膜は遠
心力等によってコーティングされるので、ウエハ面内で
も膜厚がばらつき、ヒューズ上部の絶縁膜の膜厚は設定
膜厚値の±１０％程度の精度となる。
以上のようであり、図４に示すように、ヒューズ２上部
の絶縁膜４は反応による成膜だけでなく、半導体装置の
製造工程で生じる凹凸の平坦化のために水ガラスなどの
液体の絶縁膜のコーティングを施す。この場合、液体絶
縁膜の膜厚はベアウエハによって膜厚の条件出しを行っ
ており、凹凸が存在する実際のウエハ上では膜厚が設定
膜厚と異なってしまう。そのうえ、この液体絶縁膜は遠
心力等によってコーティングされるので、ウエハ面内で
も膜厚がばらつき、ヒューズ上部の絶縁膜の膜厚は設定
膜厚値の±１０％程度の精度となる。
【０００７】ところが、図６に示すように、ヒューズ２
の光吸収率等はヒューズ２上部に位置している絶縁膜４
の膜厚変化に非常に敏感であり、電気的特性や製造プロ
セスの面からのみ設計，形成されたヒューズ２の場合に
はヒューズ２上部の絶縁膜４厚によって光吸収率が２０
％程度も変動するという問題点があった。
の光吸収率等はヒューズ２上部に位置している絶縁膜４
の膜厚変化に非常に敏感であり、電気的特性や製造プロ
セスの面からのみ設計，形成されたヒューズ２の場合に
はヒューズ２上部の絶縁膜４厚によって光吸収率が２０
％程度も変動するという問題点があった。
【０００８】つまり、一定エネルギーの光を照射してレ
ーザブローを行ってもヒューズ上部の絶縁膜厚のバラツ
キでヒューズの光吸収率が異なる。従って、あるウエハ
あるいはウエハ面内のある部分ではヒューズの切断が行
えるが、あるウエハあるいはウエハ面内のある部分では
ヒューズの切断が行えないといった場合が生じ、安定し
てヒューズ切断が行えないという問題点があった。
ーザブローを行ってもヒューズ上部の絶縁膜厚のバラツ
キでヒューズの光吸収率が異なる。従って、あるウエハ
あるいはウエハ面内のある部分ではヒューズの切断が行
えるが、あるウエハあるいはウエハ面内のある部分では
ヒューズの切断が行えないといった場合が生じ、安定し
てヒューズ切断が行えないという問題点があった。
【０００９】また、図４に示すように、絶縁膜４は半導
体装置では多層膜で構成されているので、各膜で反射及
び透過された光が相互に合成されることからヒューズ２
での光吸収も各膜の膜厚によって大きく左右されること
になる。
体装置では多層膜で構成されているので、各膜で反射及
び透過された光が相互に合成されることからヒューズ２
での光吸収も各膜の膜厚によって大きく左右されること
になる。
【００１０】これらのことから、必ずしも効率良く光が
吸収されていないヒューズの切断にはレーザビームの照
射エネルギーを高めるといった方法が採用されていた。
吸収されていないヒューズの切断にはレーザビームの照
射エネルギーを高めるといった方法が採用されていた。
【００１１】しかし、ヒューズの光透過率が高く、しか
も照射されるレーザビームのエネルギーが高い場合など
は、ヒューズばかりでなくシリコン基板への光照射量も
多くなる。従って、ヒューズと同様にシリコン基板の表
面が固体、液体、気体といった過程を経ることになり、
やはり液体から気体へと変化する際に急激な圧力変化を
伴うことになる。したがって、図７に示すように、絶縁
膜４ばかりでなくシリコン基板１とヒューズ２との間に
位置する絶縁膜３をも吹き飛ばしてしまい、シリコン基
板１が外気に対してむき出しの状態となる。
も照射されるレーザビームのエネルギーが高い場合など
は、ヒューズばかりでなくシリコン基板への光照射量も
多くなる。従って、ヒューズと同様にシリコン基板の表
面が固体、液体、気体といった過程を経ることになり、
やはり液体から気体へと変化する際に急激な圧力変化を
伴うことになる。したがって、図７に示すように、絶縁
膜４ばかりでなくシリコン基板１とヒューズ２との間に
位置する絶縁膜３をも吹き飛ばしてしまい、シリコン基
板１が外気に対してむき出しの状態となる。
【００１２】また、照射するレーザビーム径よりもヒュ
ーズ幅のほうが小さいためにヒューズ幅からはみ出した
ヒューズに照射されないレーザビームがシリコン基板に
到達してしまい吸収されることでシリコン基板にダメー
ジを与えるという問題点もあった。
ーズ幅のほうが小さいためにヒューズ幅からはみ出した
ヒューズに照射されないレーザビームがシリコン基板に
到達してしまい吸収されることでシリコン基板にダメー
ジを与えるという問題点もあった。
【００１３】この場合、ヒューズは完全に切断されてい
るので、初期の電気的テストでは問題は起こらないが、
長時間たった場合にシリコン基板や絶縁膜が空気中の水
分を含み膜剥がれなどが起こり信頼性において問題があ
った。
るので、初期の電気的テストでは問題は起こらないが、
長時間たった場合にシリコン基板や絶縁膜が空気中の水
分を含み膜剥がれなどが起こり信頼性において問題があ
った。
【００１４】この発明は、上記の様な問題点を解消する
ためになされたものであり、シリコン基板にダメージを
与えること無く安定してヒューズ切断が行え、信頼性の
高い半導体装置を得ることを目的としている。
ためになされたものであり、シリコン基板にダメージを
与えること無く安定してヒューズ切断が行え、信頼性の
高い半導体装置を得ることを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体装置は、ヒューズ溶断の際のヒューズ溶断部の
下部および周辺部のシリコン基板の光吸収率をヒューズ
の光吸収率より低くしたものである。
る半導体装置は、ヒューズ溶断の際のヒューズ溶断部の
下部および周辺部のシリコン基板の光吸収率をヒューズ
の光吸収率より低くしたものである。
【００１６】この発明の請求項２に係る半導体装置は、
ヒューズ溶断の際のヒューズ溶断部の下部および周辺部
のシリコン基板の複素屈折率の減衰係数値をヒューズの
複素屈折率の減衰係数値より小さくしたものである。
ヒューズ溶断の際のヒューズ溶断部の下部および周辺部
のシリコン基板の複素屈折率の減衰係数値をヒューズの
複素屈折率の減衰係数値より小さくしたものである。
【００１７】この発明の請求項３に係る半導体装置は、
ヒューズ溶断部の下部および周辺部のシリコン基板のキ
ャリア濃度を１０24ｍ-3以下としたものである。
ヒューズ溶断部の下部および周辺部のシリコン基板のキ
ャリア濃度を１０24ｍ-3以下としたものである。
【００１８】
実施の形態１．図７に示すように、ヒューズのレーザブ
ローによってシリコン基板１がダメージを受けるのはシ
リコン基板１で光が吸収されシリコン基板１表面がブロ
ーされることで起こる。このためシリコン基板１表面で
の光吸収を極力低減することによってシリコン基板１が
ダメージを受けることを防ぐことができると考えられ
る。
ローによってシリコン基板１がダメージを受けるのはシ
リコン基板１で光が吸収されシリコン基板１表面がブロ
ーされることで起こる。このためシリコン基板１表面で
の光吸収を極力低減することによってシリコン基板１が
ダメージを受けることを防ぐことができると考えられ
る。
【００１９】図１は常温におけるシリコンの複素屈折率
（＝屈折率−減衰係数ｉ）の減衰係数と光の波長との関
係を示した図である。複素屈折率のうちの減衰係数が光
の吸収の度合いを表していることを考慮すれば、図１に
示すように、シリコンは近赤外光つまりレーザビームに
対して殆ど吸収はないことがわかる。
（＝屈折率−減衰係数ｉ）の減衰係数と光の波長との関
係を示した図である。複素屈折率のうちの減衰係数が光
の吸収の度合いを表していることを考慮すれば、図１に
示すように、シリコンは近赤外光つまりレーザビームに
対して殆ど吸収はないことがわかる。
【００２０】ところが、実際の半導体装置のシリコン基
板はイオンを注入して使用されている。図２は常温にお
けるイオン注入されたシリコンの減衰係数と光の波長と
の関係を示した図である。図２に示すように、シリコン
はキャリア濃度が増すことで減衰係数が増加してしま
う。つまりシリコンはキャリア濃度が増すことによって
レーザビームの吸収率が増加する。
板はイオンを注入して使用されている。図２は常温にお
けるイオン注入されたシリコンの減衰係数と光の波長と
の関係を示した図である。図２に示すように、シリコン
はキャリア濃度が増すことで減衰係数が増加してしま
う。つまりシリコンはキャリア濃度が増すことによって
レーザビームの吸収率が増加する。
【００２１】これらのことより、シリコン基板のキャリ
ア濃度を低くすればヒューズのレーザブローの際にヒュ
ーズを透過した光がシリコン基板に到達してもシリコン
基板表面での光吸収を低減することができ、シリコン基
板がダメージを受けることを防ぐことができる。しか
し、半導体装置の場合、ある程度のイオン注入は不可欠
であることからこのシリコン基板へのイオン注入量つま
りキャリア濃度が問題となる。
ア濃度を低くすればヒューズのレーザブローの際にヒュ
ーズを透過した光がシリコン基板に到達してもシリコン
基板表面での光吸収を低減することができ、シリコン基
板がダメージを受けることを防ぐことができる。しか
し、半導体装置の場合、ある程度のイオン注入は不可欠
であることからこのシリコン基板へのイオン注入量つま
りキャリア濃度が問題となる。
【００２２】ここで、シリコン系でヒューズとして採用
されるものにポリシリコンがある。ポリシリコンの複素
屈折率はレーザの波長である１３２１ｎｍに対して３．
６−９×１０-2ｉであることからヒューズにポリシリコ
ンを使用した場合シリコン基板はヒューズであるポリシ
リコンの減衰係数値である９×１０-2以下となるキャリ
ア濃度を設定する必要がある。
されるものにポリシリコンがある。ポリシリコンの複素
屈折率はレーザの波長である１３２１ｎｍに対して３．
６−９×１０-2ｉであることからヒューズにポリシリコ
ンを使用した場合シリコン基板はヒューズであるポリシ
リコンの減衰係数値である９×１０-2以下となるキャリ
ア濃度を設定する必要がある。
【００２３】ところが、図１，図２に示すように、レー
ザの波長である１３２１ｎｍに関するシリコンおよびイ
オン注入されたシリコンの減衰係数値はポリシリコンの
減衰係数値に対して無視できるほど十分小さい。したが
って、常温ではシリコン基板に直接レーザ照射を行って
もレーザブローされることはない。しかし、実際の半導
体装置でのヒューズ切断においてはヒューズそのものが
加熱されるので熱伝導によってシリコン基板もかなり高
温になることを考慮する必要がある。
ザの波長である１３２１ｎｍに関するシリコンおよびイ
オン注入されたシリコンの減衰係数値はポリシリコンの
減衰係数値に対して無視できるほど十分小さい。したが
って、常温ではシリコン基板に直接レーザ照射を行って
もレーザブローされることはない。しかし、実際の半導
体装置でのヒューズ切断においてはヒューズそのものが
加熱されるので熱伝導によってシリコン基板もかなり高
温になることを考慮する必要がある。
【００２４】図３は１３２１ｎｍの波長に対するイオン
注入されたシリコンの減衰係数と温度の関係を示した図
である。図に示すように、全般に、温度の上昇とともに
減衰係数の値は増加している。これは温度の上昇によっ
てシリコンの禁止帯バンド幅が狭くなり、低い光子エネ
ルギーでも電子が励起され易くなるためである。
注入されたシリコンの減衰係数と温度の関係を示した図
である。図に示すように、全般に、温度の上昇とともに
減衰係数の値は増加している。これは温度の上昇によっ
てシリコンの禁止帯バンド幅が狭くなり、低い光子エネ
ルギーでも電子が励起され易くなるためである。
【００２５】さらに、図３より、キャリア濃度が５×１
０20ｍ-3と５×１０24ｍ-3とは温度上昇に対する減衰係
数はほぼ同様の値をとっていることがわかる。ところ
が、キャリア濃度が５×１０25ｍ-3の場合では温度上昇
に対する減衰係数値がキャリア濃度が５×１０20ｍ-3や
５×１０24ｍ-3の場合と比較すると一桁程大きな値とな
っていることがわかる。これは温度が若干上昇しただけ
でも光吸収が劇的に増加することを表している。
０20ｍ-3と５×１０24ｍ-3とは温度上昇に対する減衰係
数はほぼ同様の値をとっていることがわかる。ところ
が、キャリア濃度が５×１０25ｍ-3の場合では温度上昇
に対する減衰係数値がキャリア濃度が５×１０20ｍ-3や
５×１０24ｍ-3の場合と比較すると一桁程大きな値とな
っていることがわかる。これは温度が若干上昇しただけ
でも光吸収が劇的に増加することを表している。
【００２６】ヒューズ溶断の際のシリコン基板の温度は
ヒューズからシリコン基板までの距離にもよるが数百Ｋ
から千数百Ｋ程度にまで達すると予想される。そこで、
シリコン基板が１２００Ｋ程度にまで達した場合につい
て考えると、図３に示すように、キャリア濃度が５×１
０25ｍ-3の場合では減衰係数が０．０９にまで達してい
る。つまり、ヒューズであるポリシリコンの減衰係数と
等しくなってしまい、ヒューズとともにシリコン基板も
レーザブローされてしまうことになる。
ヒューズからシリコン基板までの距離にもよるが数百Ｋ
から千数百Ｋ程度にまで達すると予想される。そこで、
シリコン基板が１２００Ｋ程度にまで達した場合につい
て考えると、図３に示すように、キャリア濃度が５×１
０25ｍ-3の場合では減衰係数が０．０９にまで達してい
る。つまり、ヒューズであるポリシリコンの減衰係数と
等しくなってしまい、ヒューズとともにシリコン基板も
レーザブローされてしまうことになる。
【００２７】ところが、キャリア濃度が５×１０24ｍ-3
の場合ではシリコン基板が１２００Ｋになっても減衰係
数は０．０１程度である。これはヒューズ材料にかかわ
らずキャリア濃度が５×１０25ｍ-3の場合に比べて一桁
程度も低い値となっている。したがって、ヒューズ材料
にかかわらずシリコン基板にダメージを与えることなく
ヒューズのみレーザブローすることができる。
の場合ではシリコン基板が１２００Ｋになっても減衰係
数は０．０１程度である。これはヒューズ材料にかかわ
らずキャリア濃度が５×１０25ｍ-3の場合に比べて一桁
程度も低い値となっている。したがって、ヒューズ材料
にかかわらずシリコン基板にダメージを与えることなく
ヒューズのみレーザブローすることができる。
【００２８】さらに、半導体装置を量産する場合、絶縁
膜である多層膜の膜厚変動がかなりあることやヒューズ
とシリコン基板との間の絶縁膜が薄くなるとシリコン基
板に熱が伝わり易くシリコン基板が高温になり易いこと
などを考慮するとシリコン基板のキャリア濃度を１０24
ｍ-3以下とすればレーザブローによるヒューズ溶断の際
のシリコン基板へのダメージを低減でき、大幅な歩留ま
り改善となる。
膜である多層膜の膜厚変動がかなりあることやヒューズ
とシリコン基板との間の絶縁膜が薄くなるとシリコン基
板に熱が伝わり易くシリコン基板が高温になり易いこと
などを考慮するとシリコン基板のキャリア濃度を１０24
ｍ-3以下とすればレーザブローによるヒューズ溶断の際
のシリコン基板へのダメージを低減でき、大幅な歩留ま
り改善となる。
【００２９】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ヒュー
ズ溶断の際のヒューズ溶断部の下部および周辺部のシリ
コン基板の光吸収率をヒューズの光吸収率より低くした
ので、レーザビームの照射エネルギーを高めシリコン基
板への照射量が多くなってもレーザビームのシリコン基
板への吸収を低減でき、シリコン基板がダメージを受け
ること無く安定してヒューズ切断が行え、信頼性の高い
半導体装置が得られる効果がある。
ズ溶断の際のヒューズ溶断部の下部および周辺部のシリ
コン基板の光吸収率をヒューズの光吸収率より低くした
ので、レーザビームの照射エネルギーを高めシリコン基
板への照射量が多くなってもレーザビームのシリコン基
板への吸収を低減でき、シリコン基板がダメージを受け
ること無く安定してヒューズ切断が行え、信頼性の高い
半導体装置が得られる効果がある。
【００３０】また、ヒューズ溶断の際のヒューズ溶断部
の下部および周辺部のシリコン基板の複素屈折率の減衰
係数値をヒューズの複素屈折率の減衰係数値より小さく
したので、レーザビームの照射エネルギーを高めシリコ
ン基板への照射量が多くなってもレーザビームのシリコ
ン基板への吸収を低減でき、シリコン基板がダメージを
受けること無く安定してヒューズ切断が行え、信頼性の
高い半導体装置が得られる効果がある。
の下部および周辺部のシリコン基板の複素屈折率の減衰
係数値をヒューズの複素屈折率の減衰係数値より小さく
したので、レーザビームの照射エネルギーを高めシリコ
ン基板への照射量が多くなってもレーザビームのシリコ
ン基板への吸収を低減でき、シリコン基板がダメージを
受けること無く安定してヒューズ切断が行え、信頼性の
高い半導体装置が得られる効果がある。
【００３１】また、ヒューズ溶断部の下部および周辺部
のシリコン基板のキャリア濃度を１０24ｍ-3以下とした
ので、レーザビームの照射エネルギーを高めシリコン基
板への照射量が多くなってもレーザビームのシリコン基
板への吸収を低減でき、シリコン基板がダメージを受け
ること無く安定してヒューズ切断が行え、信頼性の高い
半導体装置が得られる効果がある。
のシリコン基板のキャリア濃度を１０24ｍ-3以下とした
ので、レーザビームの照射エネルギーを高めシリコン基
板への照射量が多くなってもレーザビームのシリコン基
板への吸収を低減でき、シリコン基板がダメージを受け
ること無く安定してヒューズ切断が行え、信頼性の高い
半導体装置が得られる効果がある。
【図１】 常温におけるシリコンの複素屈折率の減衰係
数と光の波長との関係を示した図である。
数と光の波長との関係を示した図である。
【図２】 常温におけるイオン注入されたシリコンの減
衰係数と光の波長との関係を示した図である。
衰係数と光の波長との関係を示した図である。
【図３】 １３２１ｎｍの波長に対するイオン注入され
たシリコンの減衰係数と温度の関係を示した図である。
たシリコンの減衰係数と温度の関係を示した図である。
【図４】 レーザブローする半導体装置と照射するレー
ザビームの位置関係を示した断面図である。
ザビームの位置関係を示した断面図である。
【図５】 レーザブロー後の半導体装置の断面図であ
る。
る。
【図６】 ヒューズ上部の絶縁膜厚に対するヒューズの
光吸収率を示した図である。
光吸収率を示した図である。
【図７】 レーザブロー後の問題点を示す半導体装置の
断面図である。
断面図である。
１ シリコン基板、２ ヒューズ、５ レーザビーム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−70045（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−152039（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−275665（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−235169（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/82
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコン基板上に冗長回路を有し、上記
冗長回路の切り換えのためにレーザビームによってヒュ
ーズ溶断を行う半導体装置において、 上記ヒューズ溶断の際の上記ヒューズ溶断部の下部およ
び周辺部の上記シリコン基板の光吸収率を上記ヒューズ
の光吸収率より低くしたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 シリコン基板上に冗長回路を有し、上記
冗長回路の切り換えのためにレーザビームによってヒュ
ーズ溶断を行う半導体装置において、 上記ヒューズ溶断の際の上記ヒューズ溶断部の下部およ
び周辺部の上記シリコン基板の複素屈折率の減衰係数値
を上記ヒューズの複素屈折率の減衰係数値より小さくし
たことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 シリコン基板上に冗長回路を有し、上記
冗長回路の切り換えのためにレーザビームによってヒュ
ーズ溶断を行う半導体装置において、 上記ヒューズ溶断部の下部および周辺部の上記シリコン
基板のキャリア濃度を１０24ｍ-3以下としたことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06949597A JP3269982B2 (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06949597A JP3269982B2 (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270559A JPH10270559A (ja) | 1998-10-09 |
| JP3269982B2 true JP3269982B2 (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=13404365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06949597A Expired - Lifetime JP3269982B2 (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3269982B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4155677B2 (ja) | 1998-09-08 | 2008-09-24 | 株式会社リコー | 中間転写ベルト、その製造方法及び画像形成装置 |
-
1997
- 1997-03-24 JP JP06949597A patent/JP3269982B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10270559A (ja) | 1998-10-09 |
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