JP3269976B2 - 高圧紫外線水銀ランプ - Google Patents
高圧紫外線水銀ランプInfo
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- H01J61/18—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature having a metallic vapour as the principal constituent
- H01J61/20—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature having a metallic vapour as the principal constituent mercury vapour
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外線硬化装置等
の光源に使用する高圧紫外線水銀ランプに関するもので
ある。
の光源に使用する高圧紫外線水銀ランプに関するもので
ある。
【０００２】
【従来技術】従来の高圧紫外線水銀ランプにおいては、
通常は、放電しやすくするためにその電極の電極芯棒の
先端部に二重あるいは三重のコイルを設け、このコイル
に酸化バリウムなどからなるエミッター材を保持させた
構造を有している。しかし、このエミッター材は、ラン
プ点灯中に放電容器内で加熱され飛散し、放電容器の壁
に付着して、該放電容器壁の紫外線透過率を低下させ
る。すなわち、紫外線を利用する処理に必要な光出力を
低下し短寿命の原因の一つになっている。
通常は、放電しやすくするためにその電極の電極芯棒の
先端部に二重あるいは三重のコイルを設け、このコイル
に酸化バリウムなどからなるエミッター材を保持させた
構造を有している。しかし、このエミッター材は、ラン
プ点灯中に放電容器内で加熱され飛散し、放電容器の壁
に付着して、該放電容器壁の紫外線透過率を低下させ
る。すなわち、紫外線を利用する処理に必要な光出力を
低下し短寿命の原因の一つになっている。
【０００３】そして近年、紫外線利用機器の装置の小型
化の進展とともに、ランプの小型化が進んでいる。ショ
ートアーク型の高圧紫外線水銀ランプはその内容積が約
２．５ｃｍ3 程度の寸法のランプまでは上記エミッター
材保持構造が実用化されている。 しかし、それ以下の
寸法の小型の高圧紫外線水銀ランプでは、電極の芯棒に
エミッター材を担持することは構造上困難を伴う。ま
た、たとえ電極の芯棒にエミッター材を担持できたとし
ても、小型の高圧紫外線水銀ランプにおいては、放電容
器の内壁面積が小さいので、上記のエミッター材の壁面
への飛散による光量低下の影響は大きい。特に４００ｎ
ｍ以下の波長の紫外線を利用する場合には、放電容器壁
に付着したエミッター材は可視光領域の光に比較して短
波長領域の紫外域光の吸収度合いが大きいので、エミッ
ター材の飛散による放電容器壁の膜付着の影響は著しく
大きいものとなる。また、放電容器が２．５ｃｍ3 以下
の内容積になると、寸法精度を出すのが難しくなる。
化の進展とともに、ランプの小型化が進んでいる。ショ
ートアーク型の高圧紫外線水銀ランプはその内容積が約
２．５ｃｍ3 程度の寸法のランプまでは上記エミッター
材保持構造が実用化されている。 しかし、それ以下の
寸法の小型の高圧紫外線水銀ランプでは、電極の芯棒に
エミッター材を担持することは構造上困難を伴う。ま
た、たとえ電極の芯棒にエミッター材を担持できたとし
ても、小型の高圧紫外線水銀ランプにおいては、放電容
器の内壁面積が小さいので、上記のエミッター材の壁面
への飛散による光量低下の影響は大きい。特に４００ｎ
ｍ以下の波長の紫外線を利用する場合には、放電容器壁
に付着したエミッター材は可視光領域の光に比較して短
波長領域の紫外域光の吸収度合いが大きいので、エミッ
ター材の飛散による放電容器壁の膜付着の影響は著しく
大きいものとなる。また、放電容器が２．５ｃｍ3 以下
の内容積になると、寸法精度を出すのが難しくなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記に示したように本
発明において解決しようとする課題は、放電容器の内容
積が２．５ｃｍ3 以下の高圧紫外線水銀ランプにおい
て、電極の芯棒にエミッター材を担持させない構造とす
ることによって、該エミッター材が、ランプ点灯中に飛
散し、放電容器の壁に付着して、該壁の紫外線透過率を
低下させて短寿命となることがない高圧紫外線水銀ラン
プをつくることである。また、寸法精度の高い小型の紫
外線水銀ランプをつくることである。
発明において解決しようとする課題は、放電容器の内容
積が２．５ｃｍ3 以下の高圧紫外線水銀ランプにおい
て、電極の芯棒にエミッター材を担持させない構造とす
ることによって、該エミッター材が、ランプ点灯中に飛
散し、放電容器の壁に付着して、該壁の紫外線透過率を
低下させて短寿命となることがない高圧紫外線水銀ラン
プをつくることである。また、寸法精度の高い小型の紫
外線水銀ランプをつくることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】内容積が２．５ｃｍ3 以
下の小型の放電容器に、一対の電極と主発光成分として
水銀を封入した高圧紫外線水銀ランプにおいて、イット
リウム、ランタン、セリウム、ジスプロシウム、ガドリ
ニウム、トリウムのハロゲン化物からなる第一群のハロ
ゲン化物の中から選ばれた少なくとも一種のハロゲン化
物と、前記第一群のハロゲン化物がエミッター材として
機能するためにアルカリ金属元素のハロゲン化物からな
る第二群のハロゲン化物の中から選ばれた少なくとも一
種のハロゲン化物とを、第一群のハロゲン化物と第二群
のハロゲン化物のモル分率での封入比で１：４〜１：２
０の範囲で封入し、ランプ電流を電流芯棒の軸方向に垂
直な方向の断面積で除した値を電流密度としたとき、定
常点灯状態における電流密度を３Ａ／ｍｍ 2 から１５Ａ
／ｍｍ 2 の範囲にして点灯される高圧紫外線水銀ランプ
とすることで、小型の高圧紫外線水銀ランプにおいても
電極の芯棒にエミッター材を担持するのと同等の機能が
生じるし、また該エミッター材がランプ点灯中に飛散し
なくなり、ランプの長寿命化を図ることができる。
下の小型の放電容器に、一対の電極と主発光成分として
水銀を封入した高圧紫外線水銀ランプにおいて、イット
リウム、ランタン、セリウム、ジスプロシウム、ガドリ
ニウム、トリウムのハロゲン化物からなる第一群のハロ
ゲン化物の中から選ばれた少なくとも一種のハロゲン化
物と、前記第一群のハロゲン化物がエミッター材として
機能するためにアルカリ金属元素のハロゲン化物からな
る第二群のハロゲン化物の中から選ばれた少なくとも一
種のハロゲン化物とを、第一群のハロゲン化物と第二群
のハロゲン化物のモル分率での封入比で１：４〜１：２
０の範囲で封入し、ランプ電流を電流芯棒の軸方向に垂
直な方向の断面積で除した値を電流密度としたとき、定
常点灯状態における電流密度を３Ａ／ｍｍ 2 から１５Ａ
／ｍｍ 2 の範囲にして点灯される高圧紫外線水銀ランプ
とすることで、小型の高圧紫外線水銀ランプにおいても
電極の芯棒にエミッター材を担持するのと同等の機能が
生じるし、また該エミッター材がランプ点灯中に飛散し
なくなり、ランプの長寿命化を図ることができる。
【０００６】前記第一群のハロゲン化物と第二群のハロ
ゲン化物の封入比をモル分率で１：５〜１：２０にする
と、さらに上記の効果が良好となる。
ゲン化物の封入比をモル分率で１：５〜１：２０にする
と、さらに上記の効果が良好となる。
【０００７】また、請求項１に記載の高圧紫外線水銀ラ
ンプにおいて、前記放電容器を透光性セラミック製とす
ることもでき、透光性セラミック製にすることで石英ガ
ラス製より小型の高圧紫外線水銀ランプにおいて寸法精
度の確保ができる。
ンプにおいて、前記放電容器を透光性セラミック製とす
ることもでき、透光性セラミック製にすることで石英ガ
ラス製より小型の高圧紫外線水銀ランプにおいて寸法精
度の確保ができる。
【０００８】そして、請求項１あるいは請求項２に記載
の高圧紫外線水銀ランプにおいて、具体的な第一のハロ
ゲン化物の選択として、ジスプロシウムのハロゲン化物
としたときには、定常状態において波長４２２．５ｎｍ
のジスプロシウム原子のスペクトル線の発光強度を波長
４０４．６ｎｍの水銀原子の発光強度で除した値を０．
２５以下にすることにより、前記課題解決を実現する。
の高圧紫外線水銀ランプにおいて、具体的な第一のハロ
ゲン化物の選択として、ジスプロシウムのハロゲン化物
としたときには、定常状態において波長４２２．５ｎｍ
のジスプロシウム原子のスペクトル線の発光強度を波長
４０４．６ｎｍの水銀原子の発光強度で除した値を０．
２５以下にすることにより、前記課題解決を実現する。
【０００９】あるいは、具体的な第一のハロゲン化物の
選択として、ランタンのハロゲン化物としたときには、
定常状態において波長４０６．０ｎｍのランタン原子の
スペクトル線の発光強度を波長４０４．６ｎｍの水銀原
子の発光強度で除した値を０．１以下にするとよい。
選択として、ランタンのハロゲン化物としたときには、
定常状態において波長４０６．０ｎｍのランタン原子の
スペクトル線の発光強度を波長４０４．６ｎｍの水銀原
子の発光強度で除した値を０．１以下にするとよい。
【００１０】あるいは、具体的な第一のハロゲン化物の
選択として、ガドリニウムのハロゲン化物としたときに
は、定常状態において波長４０２．８ｎｍのガドリニウ
ム原子のスペクトル線の発光強度を波長４０４．６ｎｍ
の水銀原子の発光強度で除した値を０．１５以下にした
請求項１あるいは請求項２に記載の高圧紫外線水銀ラン
プにしてもよい。
選択として、ガドリニウムのハロゲン化物としたときに
は、定常状態において波長４０２．８ｎｍのガドリニウ
ム原子のスペクトル線の発光強度を波長４０４．６ｎｍ
の水銀原子の発光強度で除した値を０．１５以下にした
請求項１あるいは請求項２に記載の高圧紫外線水銀ラン
プにしてもよい。
【００１１】あるいは、具体的な第一のハロゲン化物の
選択として、セリウムのハロゲン化物としたときには、
定常状態において波長３９７．２ｎｍのセリウム原子の
スペクトル線の発光強度を波長４０４．６ｎｍの水銀原
子の発光強度で除した値を０．１以下にしてもよい。
選択として、セリウムのハロゲン化物としたときには、
定常状態において波長３９７．２ｎｍのセリウム原子の
スペクトル線の発光強度を波長４０４．６ｎｍの水銀原
子の発光強度で除した値を０．１以下にしてもよい。
【００１２】あるいは、具体的な第一のハロゲン化物の
選択として、イットリウムのハロゲン化物としたときに
は、定常状態において波長４１０．２ｎｍのイットリウ
ム原子のスペクトル線の発光強度を波長４０４．６ｎｍ
の水銀原子の発光強度で除した値を０．１５以下にして
もよい。
選択として、イットリウムのハロゲン化物としたときに
は、定常状態において波長４１０．２ｎｍのイットリウ
ム原子のスペクトル線の発光強度を波長４０４．６ｎｍ
の水銀原子の発光強度で除した値を０．１５以下にして
もよい。
【００１３】あるいは、具体的な第一のハロゲン化物の
選択として、トリウムのハロゲン化物としたときには、
定常状態において波長４０８．５ｎｍのトリウム原子の
スペクトル線の発光強度を波長４０４．６ｎｍの水銀原
子の発光強度で除した値を０．２以下にしてもよい。
選択として、トリウムのハロゲン化物としたときには、
定常状態において波長４０８．５ｎｍのトリウム原子の
スペクトル線の発光強度を波長４０４．６ｎｍの水銀原
子の発光強度で除した値を０．２以下にしてもよい。
【００１４】
【００１５】本願の請求の範囲に示した第一群のハロゲ
ン化物と第二群のハロゲン化物の組合せの例として沃化
ジスプロシウムと沃化ナトリウム系を考えると、既知の
文献から同系の蒸気圧と活量については図２と図３にそ
れぞれ示したようになっている。これらの図はランプ点
灯時の放電容器内の最冷点温度に近い１２６０Ｋにおけ
る状態を示している。
ン化物と第二群のハロゲン化物の組合せの例として沃化
ジスプロシウムと沃化ナトリウム系を考えると、既知の
文献から同系の蒸気圧と活量については図２と図３にそ
れぞれ示したようになっている。これらの図はランプ点
灯時の放電容器内の最冷点温度に近い１２６０Ｋにおけ
る状態を示している。
【００１６】図３において、とりわけ沃化ナトリウムの
モル分率の高い領域では沃化ジスプロシウムの活量は急
速に低下する。同系内には複合化合物であるＮａＤｙＩ
4 と沃化ジスプロシウム、沃化ナトリウムが存在する。
そして各蒸気相の全圧は図２の上の曲線（ａ）のように
なる。またＮａＤｙＩ4 の蒸気圧曲線は図２の下の曲線
（ｂ）のようにあらわされる。この図からＮａＤｙＩ4
の蒸気圧は沃化ナトリウムのモル分率の高い領域では急
速に下がることがわかる。すなわち蒸発しにくくなる。
気相中で活動するジスプロシウム原子の密度はＮａＤｙ
Ｉ4 、沃化ジスプロシウムの両相を構成するジスプロシ
ウム原子合計の密度となり、それは図４に示したＮａＤ
ｙＩ4 と沃化ジスプロシウムを合わせた蒸気圧曲線で近
似される。図４は図２と図３を組み合わせることによっ
て得られる。
モル分率の高い領域では沃化ジスプロシウムの活量は急
速に低下する。同系内には複合化合物であるＮａＤｙＩ
4 と沃化ジスプロシウム、沃化ナトリウムが存在する。
そして各蒸気相の全圧は図２の上の曲線（ａ）のように
なる。またＮａＤｙＩ4 の蒸気圧曲線は図２の下の曲線
（ｂ）のようにあらわされる。この図からＮａＤｙＩ4
の蒸気圧は沃化ナトリウムのモル分率の高い領域では急
速に下がることがわかる。すなわち蒸発しにくくなる。
気相中で活動するジスプロシウム原子の密度はＮａＤｙ
Ｉ4 、沃化ジスプロシウムの両相を構成するジスプロシ
ウム原子合計の密度となり、それは図４に示したＮａＤ
ｙＩ4 と沃化ジスプロシウムを合わせた蒸気圧曲線で近
似される。図４は図２と図３を組み合わせることによっ
て得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本願発明の高圧紫外線ランプの考
え方は、図４において言えば、ナトリウムのハロゲン化
物の多い領域の混合比組成のハロゲン化物を封入物とし
て使用することにより、気相中でのジスプロシウムの蒸
気圧をコントロールし、ひいては密度をコントロールし
て低く抑え発光に寄与しないようにしたものである。そ
れゆえに水銀の発光が主となり、演色評価指数が４０以
下という紫外線ランプを完成することができるというこ
とである。
え方は、図４において言えば、ナトリウムのハロゲン化
物の多い領域の混合比組成のハロゲン化物を封入物とし
て使用することにより、気相中でのジスプロシウムの蒸
気圧をコントロールし、ひいては密度をコントロールし
て低く抑え発光に寄与しないようにしたものである。そ
れゆえに水銀の発光が主となり、演色評価指数が４０以
下という紫外線ランプを完成することができるというこ
とである。
【００１８】上記のランプにおいては次のことが考えら
れる。アルカリ金属元素のハロゲン化物からなる第二群
のハロゲン化物の中から選ばれた少なくとも一種である
沃化ナトリウムを封入すると、このハロゲン化物は、蒸
気圧が比較的高いので、放電容器内の最冷部である放電
容器壁と電極根元部の間に形成される隙間に液体状にな
って入り込み、該隙間を埋め尽くし、放電空間の温度を
実質的に高くするはたらきをする。そうすることによ
り、放電容器内の第一のハロゲン化物の蒸気の接触する
最冷部温度が上昇し、蒸気圧の低い第一群のハロゲン化
物が蒸発し易くなって蒸発分解し、電極にハロゲン化物
の構成金属が付着するのである。
れる。アルカリ金属元素のハロゲン化物からなる第二群
のハロゲン化物の中から選ばれた少なくとも一種である
沃化ナトリウムを封入すると、このハロゲン化物は、蒸
気圧が比較的高いので、放電容器内の最冷部である放電
容器壁と電極根元部の間に形成される隙間に液体状にな
って入り込み、該隙間を埋め尽くし、放電空間の温度を
実質的に高くするはたらきをする。そうすることによ
り、放電容器内の第一のハロゲン化物の蒸気の接触する
最冷部温度が上昇し、蒸気圧の低い第一群のハロゲン化
物が蒸発し易くなって蒸発分解し、電極にハロゲン化物
の構成金属が付着するのである。
【００１９】そして、第一群のハロゲン化物を構成する
ジスプロシウムは、仕事関数が小さいので、電極先端に
付着することにより電極先端域の仕事関数が低下し、そ
の結果、電極先端域からの熱電子放出が盛んになり、電
極の温度が低下する。すなわち、第一群のハロゲン化物
はエミッター材の役割をする。しかも、電極に付着後あ
らためて電極から蒸発したジスプロシウムは、ふたたび
ハロゲン原子と結合しハロゲン化物となり再使用される
ので、放電容器壁に膜付着することなく紫外線透過率を
低下させることがない。そして、ジスプロシウムは電極
先端部に付着してエミッター機能を果たすのである。
ジスプロシウムは、仕事関数が小さいので、電極先端に
付着することにより電極先端域の仕事関数が低下し、そ
の結果、電極先端域からの熱電子放出が盛んになり、電
極の温度が低下する。すなわち、第一群のハロゲン化物
はエミッター材の役割をする。しかも、電極に付着後あ
らためて電極から蒸発したジスプロシウムは、ふたたび
ハロゲン原子と結合しハロゲン化物となり再使用される
ので、放電容器壁に膜付着することなく紫外線透過率を
低下させることがない。そして、ジスプロシウムは電極
先端部に付着してエミッター機能を果たすのである。
【００２０】以上のように第二群のナトリウムのハロゲ
ン化物は、ジスプロシウムのハロゲン化物がエミッター
材として機能するために働いている。また、第二群のハ
ロゲン化物は、放電時のアーク安定化にも貢献する。
ン化物は、ジスプロシウムのハロゲン化物がエミッター
材として機能するために働いている。また、第二群のハ
ロゲン化物は、放電時のアーク安定化にも貢献する。
【００２１】ここまでの説明では、第一群のハロゲン化
物として沃化ジスプロシウム、アルカリ金属元素のハロ
ゲン化物からなる第二群のハロゲン化物として沃化ナト
リウムとを選定して説明したが、第一群のハロゲン化物
としてディスプロシウムのハロゲン化物の他にもイット
リウム、ランタン、セリウム、ガドリニウム、トリウム
のいずれかのハロゲン化物と、アルカリ金属元素のハロ
ゲン化物としてナトリウムのハロゲン化物の他にもリチ
ウム、カリウム、ルビジウム、セシウム等のアルカリ金
属元素のハロゲン化物とを適宜選定して組合せ放電容器
に封入しても、点灯状態において、放電容器内の熱力学
的状態は沃化ジスプロシウム＋沃化ナトリウム系と同様
であって、第一群のハロゲン化物と第二群のハロゲン化
物のモル分率での封入比を第二群のハロゲン化物のモル
分率が高い領域に選択して封入することによって、第一
群のハロゲン化物はランプ点灯時に発光に寄与せず、エ
ミッター材としての役割を果たすことが考えられる。
物として沃化ジスプロシウム、アルカリ金属元素のハロ
ゲン化物からなる第二群のハロゲン化物として沃化ナト
リウムとを選定して説明したが、第一群のハロゲン化物
としてディスプロシウムのハロゲン化物の他にもイット
リウム、ランタン、セリウム、ガドリニウム、トリウム
のいずれかのハロゲン化物と、アルカリ金属元素のハロ
ゲン化物としてナトリウムのハロゲン化物の他にもリチ
ウム、カリウム、ルビジウム、セシウム等のアルカリ金
属元素のハロゲン化物とを適宜選定して組合せ放電容器
に封入しても、点灯状態において、放電容器内の熱力学
的状態は沃化ジスプロシウム＋沃化ナトリウム系と同様
であって、第一群のハロゲン化物と第二群のハロゲン化
物のモル分率での封入比を第二群のハロゲン化物のモル
分率が高い領域に選択して封入することによって、第一
群のハロゲン化物はランプ点灯時に発光に寄与せず、エ
ミッター材としての役割を果たすことが考えられる。
【００２２】
寸法：外径４．０ｍｍ、内径３．０ｍｍ（肉厚０．５ｍ
ｍ） 材質：多結晶イットリウム・アルミニウム・ガ−ネット
（ＹＡＧ） 内容積：０．０２５ｃｍ3 〔電極（２ａ、２ｂ）〕 寸法：放電容器内突出長 １．０ｍｍ、直径：０．３ｍ
ｍ 材質：タングステン 電極間距離：１．０ｍｍ 〔封入物〕 封入ガス：Ａｒ ３００Ｔｏｒｒ 水銀：０．９ｍｇ 沃化セシウム：２．６ｍｇ 沃化ジスプロシウム：０．２５ｍｇ 封止部はＹＡＧ製発光管の内部において電極のタングス
テン棒をアルミナセラミック材４にて巻き込み封止部内
壁面３と接合している。そして封止部端部領域内にてニ
オブ線５を介して白金リード線６に接合し、封止部端は
フリットガラス７にて封止している。点灯条件は、ラン
プ電流０．５Ａ、ランプ電力１５Ｗである。
ｍ） 材質：多結晶イットリウム・アルミニウム・ガ−ネット
（ＹＡＧ） 内容積：０．０２５ｃｍ3 〔電極（２ａ、２ｂ）〕 寸法：放電容器内突出長 １．０ｍｍ、直径：０．３ｍ
ｍ 材質：タングステン 電極間距離：１．０ｍｍ 〔封入物〕 封入ガス：Ａｒ ３００Ｔｏｒｒ 水銀：０．９ｍｇ 沃化セシウム：２．６ｍｇ 沃化ジスプロシウム：０．２５ｍｇ 封止部はＹＡＧ製発光管の内部において電極のタングス
テン棒をアルミナセラミック材４にて巻き込み封止部内
壁面３と接合している。そして封止部端部領域内にてニ
オブ線５を介して白金リード線６に接合し、封止部端は
フリットガラス７にて封止している。点灯条件は、ラン
プ電流０．５Ａ、ランプ電力１５Ｗである。
【００２３】図５は本実施例の紫外線高圧水銀ランプの
発光スペクトル図を示したもので、沃化ジスプロシウム
と沃化セシウムのモル分率比で１：１０の割合で封入し
ている。第一群のハロゲン化物である沃化ジスプロシウ
ムの封入量を制御することによってジスプロシウムの発
光ピークが抑制され平均演色指数は２５になり、ランプ
の可視光領域の発光に対して４００ｎｍ以下の紫外線の
発光割合が大きくなり、高効率の紫外線高圧水銀ランプ
が得られた結果を示している。
発光スペクトル図を示したもので、沃化ジスプロシウム
と沃化セシウムのモル分率比で１：１０の割合で封入し
ている。第一群のハロゲン化物である沃化ジスプロシウ
ムの封入量を制御することによってジスプロシウムの発
光ピークが抑制され平均演色指数は２５になり、ランプ
の可視光領域の発光に対して４００ｎｍ以下の紫外線の
発光割合が大きくなり、高効率の紫外線高圧水銀ランプ
が得られた結果を示している。
【００２４】図７は放電容器内の沃化ディスプロシウム
の封入割合を変えていき、その封入割合と電極温度の関
係を測定した結果を示したもので、沃化セシウムの封入
比を上げていきジスプロシウム原子の密度が減少してい
くと、もはや電極を被覆してエミッター機能を有するだ
けのジスプロシウム原子が存在しなくなり、沃化ディス
プロシウムの沃化セシウムに対する封入量が１／２０よ
り小さくなると、ついにはエミッター原子の電極被覆率
が略ゼロになり、電極温度が急激に上昇してしまうこと
を示している。電極温度の急激な増加は放電ランプの短
寿命につながる。このことから、第一群のハロゲン化物
の第二群のハロゲン化物に対する封入量は１／２０以上
にしなくてはならないことがわかる。
の封入割合を変えていき、その封入割合と電極温度の関
係を測定した結果を示したもので、沃化セシウムの封入
比を上げていきジスプロシウム原子の密度が減少してい
くと、もはや電極を被覆してエミッター機能を有するだ
けのジスプロシウム原子が存在しなくなり、沃化ディス
プロシウムの沃化セシウムに対する封入量が１／２０よ
り小さくなると、ついにはエミッター原子の電極被覆率
が略ゼロになり、電極温度が急激に上昇してしまうこと
を示している。電極温度の急激な増加は放電ランプの短
寿命につながる。このことから、第一群のハロゲン化物
の第二群のハロゲン化物に対する封入量は１／２０以上
にしなくてはならないことがわかる。
【００２５】図６は、沃化ジスプロシウムと沃化セシウ
ムのモル分率比を１：４とした高圧紫外線水銀ランプの
発光スペクトルを示すもので、ジスプロシウムの発光の
ピークが出てきて、そのため水銀の発光強度が低下して
高圧紫外線水銀ランプとしては効率が若干悪くなってい
る。
ムのモル分率比を１：４とした高圧紫外線水銀ランプの
発光スペクトルを示すもので、ジスプロシウムの発光の
ピークが出てきて、そのため水銀の発光強度が低下して
高圧紫外線水銀ランプとしては効率が若干悪くなってい
る。
【００２６】図８は放電容器内の沃化ディスプロシウム
の封入割合と波長３６５ｎｍの紫外線の発光強度の関係
を示したものである。縦軸の３６５ｎｍの波長の紫外線
の発光強度は、封入ハロゲン化物の構成金属の発光が４
５０ｎｍ以下の短波長域でみられない、紫外線高圧水銀
ランプの３６５ｎｍの発光強度を１としたときの比較値
である。沃化ジスプロシウムの封入比を上げていき、沃
化ディスプロシウムの沃化セシウムに対する封入量を１
／４より大きくすると、水銀の発光強度が紫外線水銀ラ
ンプとしての実用的許容限度の９０％より低下してしま
う。このことから、第一群のハロゲン化物の第二群のハ
ロゲン化物に対する封入量は１／４以下にしなくてはな
らないことがわかる。
の封入割合と波長３６５ｎｍの紫外線の発光強度の関係
を示したものである。縦軸の３６５ｎｍの波長の紫外線
の発光強度は、封入ハロゲン化物の構成金属の発光が４
５０ｎｍ以下の短波長域でみられない、紫外線高圧水銀
ランプの３６５ｎｍの発光強度を１としたときの比較値
である。沃化ジスプロシウムの封入比を上げていき、沃
化ディスプロシウムの沃化セシウムに対する封入量を１
／４より大きくすると、水銀の発光強度が紫外線水銀ラ
ンプとしての実用的許容限度の９０％より低下してしま
う。このことから、第一群のハロゲン化物の第二群のハ
ロゲン化物に対する封入量は１／４以下にしなくてはな
らないことがわかる。
【００２７】さらには、第一群のハロゲン化物の第二群
のハロゲン化物に対する封入量を１／５以下にすると、
３６５ｎｍの発光強度は９５％以上を確保でき、効率の
良い紫外線高圧水銀ランプとできるので一層良い。
のハロゲン化物に対する封入量を１／５以下にすると、
３６５ｎｍの発光強度は９５％以上を確保でき、効率の
良い紫外線高圧水銀ランプとできるので一層良い。
【００２８】なお、ここではハロゲン化物として沃化物
を例として示したが、臭化物や塩化物等の他のハロゲン
化物であってもよい。
を例として示したが、臭化物や塩化物等の他のハロゲン
化物であってもよい。
【００２９】本発明のランプにおいて第一群のハロゲン
化物としてジスプロシウムのハロゲン化物を選択した場
合は、水銀の発光強度が紫外線水銀ランプとしての実用
的許容限度以上であるためには、定常点灯状態におい
て、波長４２２．５ｎｍのジスプロシウム原子のスペク
トル線の発光強度を波長４０４．６ｎｍの水銀原子の発
光強度で除した値が０．２５以下に抑える必要があり、
第一群のジスプロシウムのハロゲン化物と第二群のハロ
ゲン化物のモル分率での封入比が前述のように１：４〜
１：２０の間の値であればその条件を満足する。
化物としてジスプロシウムのハロゲン化物を選択した場
合は、水銀の発光強度が紫外線水銀ランプとしての実用
的許容限度以上であるためには、定常点灯状態におい
て、波長４２２．５ｎｍのジスプロシウム原子のスペク
トル線の発光強度を波長４０４．６ｎｍの水銀原子の発
光強度で除した値が０．２５以下に抑える必要があり、
第一群のジスプロシウムのハロゲン化物と第二群のハロ
ゲン化物のモル分率での封入比が前述のように１：４〜
１：２０の間の値であればその条件を満足する。
【００３０】また、水銀の発光強度が紫外線水銀ランプ
としての実用的許容限度以上であるためには、同様に第
一群のハロゲン化物としてランタンのハロゲン化物を選
択した本発明のランプにおいては、定常点灯状態におい
て、波長４０６．０ｎｍのランタン原子のスペクトル線
の発光強度を波長４０４．６ｎｍの水銀原子の発光強度
で除した値を０．１以下に抑える必要があり、その時の
第一群のランタンのハロゲン化物と第二群のハロゲン化
物のモル分率での封入比が１：４〜１：２０の間の値で
あればその条件を満足する。
としての実用的許容限度以上であるためには、同様に第
一群のハロゲン化物としてランタンのハロゲン化物を選
択した本発明のランプにおいては、定常点灯状態におい
て、波長４０６．０ｎｍのランタン原子のスペクトル線
の発光強度を波長４０４．６ｎｍの水銀原子の発光強度
で除した値を０．１以下に抑える必要があり、その時の
第一群のランタンのハロゲン化物と第二群のハロゲン化
物のモル分率での封入比が１：４〜１：２０の間の値で
あればその条件を満足する。
【００３１】また、第一群のハロゲン化物としてガドリ
ニウムのハロゲン化物を選択した本発明のランプにおい
ては、定常点灯状態において、波長４０２．８ｎｍのガ
ドリニウム原子のスペクトル線の発光強度を波長４０
４．６ｎｍの水銀原子の発光強度で除した値を０．１５
以下に抑える必要があり、その時の第一群のハロゲン化
物と第二群のハロゲン化物のモル分率での封入比が１：
４〜１：２０の間の値であればその条件を満足する。
ニウムのハロゲン化物を選択した本発明のランプにおい
ては、定常点灯状態において、波長４０２．８ｎｍのガ
ドリニウム原子のスペクトル線の発光強度を波長４０
４．６ｎｍの水銀原子の発光強度で除した値を０．１５
以下に抑える必要があり、その時の第一群のハロゲン化
物と第二群のハロゲン化物のモル分率での封入比が１：
４〜１：２０の間の値であればその条件を満足する。
【００３２】また、第一群のハロゲン化物としてセリウ
ムのハロゲン化物を選択した本発明のランプにおいて
は、定常点灯状態において、波長３９７．２ｎｍのセリ
ウム原子のスペクトル線の発光強度を波長４０４．６ｎ
ｍの水銀原子の発光強度で除した値を０．１以下にする
必要があり、その時の第一群のセリウムのハロゲン化物
と第二群のハロゲン化物のモル分率での封入比が１：４
〜１：２０の間の値であればその条件を満足する。
ムのハロゲン化物を選択した本発明のランプにおいて
は、定常点灯状態において、波長３９７．２ｎｍのセリ
ウム原子のスペクトル線の発光強度を波長４０４．６ｎ
ｍの水銀原子の発光強度で除した値を０．１以下にする
必要があり、その時の第一群のセリウムのハロゲン化物
と第二群のハロゲン化物のモル分率での封入比が１：４
〜１：２０の間の値であればその条件を満足する。
【００３３】また、第一群のハロゲン化物としてイット
リウムのハロゲン化物を選択した本発明のランプにおい
ては、定常点灯状態において、波長４１０．２ｎｍのイ
ットリウム原子のスペクトル線の発光強度を波長４０
４．６ｎｍの水銀原子の発光強度で除した値を０．１５
以下に抑える必要があり、その時の第一群のイットリウ
ムのハロゲン化物と第二群のハロゲン化物のモル分率で
の封入比が１：４〜１：２０の間の値であればその条件
を満足する。
リウムのハロゲン化物を選択した本発明のランプにおい
ては、定常点灯状態において、波長４１０．２ｎｍのイ
ットリウム原子のスペクトル線の発光強度を波長４０
４．６ｎｍの水銀原子の発光強度で除した値を０．１５
以下に抑える必要があり、その時の第一群のイットリウ
ムのハロゲン化物と第二群のハロゲン化物のモル分率で
の封入比が１：４〜１：２０の間の値であればその条件
を満足する。
【００３４】また、第一群のハロゲン化物としてトリウ
ムのハロゲン化物を選択したランプにおいては、定常点
灯状態において、波長４０８．５ｎｍのトリウム原子の
スペクトル線の発光強度を波長４０４．６ｎｍの水銀原
子の発光強度で除した値を０．２以下に抑える必要があ
り、その時の第一群のトリウムのハロゲン化物と第二群
のハロゲン化物のモル分率での封入比が１：４〜１：２
０の間の値であればその条件を満足する。
ムのハロゲン化物を選択したランプにおいては、定常点
灯状態において、波長４０８．５ｎｍのトリウム原子の
スペクトル線の発光強度を波長４０４．６ｎｍの水銀原
子の発光強度で除した値を０．２以下に抑える必要があ
り、その時の第一群のトリウムのハロゲン化物と第二群
のハロゲン化物のモル分率での封入比が１：４〜１：２
０の間の値であればその条件を満足する。
【００３５】さらに、電極径とランプ電流の関係として
電流密度をとらえ、ランプ性能との関係を検討したが、
電流密度が１５Ａ／ｍｍ2 を越えると電極温度が高くな
るために、電極の地金が露出し、仕事関数低下の効果が
少なくなることが判明した。また、電流密度が３Ａ／ｍ
ｍ2 未満では、電極輝点が電極先端の一部分に集中する
ために、放電が不安定になるという欠点が生じることも
判明した。
電流密度をとらえ、ランプ性能との関係を検討したが、
電流密度が１５Ａ／ｍｍ2 を越えると電極温度が高くな
るために、電極の地金が露出し、仕事関数低下の効果が
少なくなることが判明した。また、電流密度が３Ａ／ｍ
ｍ2 未満では、電極輝点が電極先端の一部分に集中する
ために、放電が不安定になるという欠点が生じることも
判明した。
【００３６】ランプ電流を電極芯棒の軸方向に垂直な方
向の断面積で除した値を電流密度と定義すると、定常点
灯状態における電流密度が３Ａ／ｍｍ2 から１５Ａ／ｍ
ｍ2の範囲では、電極輝点は電極先端全面に広がり、第
一群のハロゲン化物がエミッター材として最適に動作す
るので、長寿命のランプが可能になることが判明した。
向の断面積で除した値を電流密度と定義すると、定常点
灯状態における電流密度が３Ａ／ｍｍ2 から１５Ａ／ｍ
ｍ2の範囲では、電極輝点は電極先端全面に広がり、第
一群のハロゲン化物がエミッター材として最適に動作す
るので、長寿命のランプが可能になることが判明した。
【００３７】また、内容積が２．５ｃｍ3 以下になると
放電容器が小さくなるため、容器の製作加工が困難にな
り、従来のように石英ガラスを使用する場合にはガラス
を溶融して加工するので、寸法精度が不正確になりがち
であるが、該放電容器を焼結法で製作する透光性アルミ
ナやＹＡＧ等の透光性セラミックで構成すると、寸法精
度が正確にでて、バラツキの小さなランプを製作するこ
とができる利点がある。
放電容器が小さくなるため、容器の製作加工が困難にな
り、従来のように石英ガラスを使用する場合にはガラス
を溶融して加工するので、寸法精度が不正確になりがち
であるが、該放電容器を焼結法で製作する透光性アルミ
ナやＹＡＧ等の透光性セラミックで構成すると、寸法精
度が正確にでて、バラツキの小さなランプを製作するこ
とができる利点がある。
【００３８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、内容積が
２．５ｃｍ3 以下の高圧紫外線水銀ランプにおいて、イ
ットリウム、ランタン、セリウム、ジスプロシウム、ガ
ドリニウム、トリウムのハロゲン化物からなる第一群の
ハロゲン化物の中から選ばれた少なくとも一種のハロゲ
ン化物と、前記第一群のハロゲン化物がエミッター材と
して機能するためにアルカリ金属元素のハロゲン化物か
らなる第二群のハロゲン化物の中から選ばれた少なくと
も一種のハロゲン化物とを、第一群のハロゲン化物と第
二群のハロゲン化物のモル分率での封入比で１：４〜
１：２０の範囲で封入し、ランプ電流を電流芯棒の軸方
向に垂直な方向の断面積で除した値を電流密度としたと
き、定常点灯状態における電流密度を３Ａ／ｍｍ 2 から
１５Ａ／ｍｍ 2 の範囲にして点灯される高圧紫外線水銀
ランプとすることで、小型の高圧紫外線水銀ランプにお
いても電極の芯棒にエミッター材を担持するのと同等の
機能を生じさせ、また該エミッター材がランプ点灯中に
飛散しなくなり、放電容器の壁の紫外線透過率の低下を
阻止し、当該ランプが短寿命となることを防ぐことがで
きて長寿命化を図ることができる。
２．５ｃｍ3 以下の高圧紫外線水銀ランプにおいて、イ
ットリウム、ランタン、セリウム、ジスプロシウム、ガ
ドリニウム、トリウムのハロゲン化物からなる第一群の
ハロゲン化物の中から選ばれた少なくとも一種のハロゲ
ン化物と、前記第一群のハロゲン化物がエミッター材と
して機能するためにアルカリ金属元素のハロゲン化物か
らなる第二群のハロゲン化物の中から選ばれた少なくと
も一種のハロゲン化物とを、第一群のハロゲン化物と第
二群のハロゲン化物のモル分率での封入比で１：４〜
１：２０の範囲で封入し、ランプ電流を電流芯棒の軸方
向に垂直な方向の断面積で除した値を電流密度としたと
き、定常点灯状態における電流密度を３Ａ／ｍｍ 2 から
１５Ａ／ｍｍ 2 の範囲にして点灯される高圧紫外線水銀
ランプとすることで、小型の高圧紫外線水銀ランプにお
いても電極の芯棒にエミッター材を担持するのと同等の
機能を生じさせ、また該エミッター材がランプ点灯中に
飛散しなくなり、放電容器の壁の紫外線透過率の低下を
阻止し、当該ランプが短寿命となることを防ぐことがで
きて長寿命化を図ることができる。
【００３９】また、放電容器を透光性セラミック製とす
ることもでき、透光性セラミック製にすることで石英ガ
ラス製より小型の高圧紫外線水銀ランプにおいて寸法精
度の確保ができる。
ることもでき、透光性セラミック製にすることで石英ガ
ラス製より小型の高圧紫外線水銀ランプにおいて寸法精
度の確保ができる。
【００４０】
【図１】本発明の高圧紫外線水銀ランプの説明用断面図
を示す。
を示す。
【図２】沃化ナトリウムと沃化ディスプロシウム系の熱
力学的活量を示す。
力学的活量を示す。
【図３】１２６０Ｋにおける沃化ナトリウムと沃化ディ
スプロシウム系の蒸気圧曲線を示す。
スプロシウム系の蒸気圧曲線を示す。
【図４】１２６０Ｋにおける沃化ディスプロシウムと複
合化合物のＮａＤｙＩ4 の蒸気圧曲線を示す。
合化合物のＮａＤｙＩ4 の蒸気圧曲線を示す。
【図５】本発明の高圧紫外線水銀ランプのスペクトル図
の一例を示す。
の一例を示す。
【図６】沃化ジスプロシウムと沃化セシウムのモル分率
比を１：４とした高圧紫外線水銀ランプの発光スペクト
ル図の一例を示す。
比を１：４とした高圧紫外線水銀ランプの発光スペクト
ル図の一例を示す。
【図７】放電容器内の沃化ディスプロシウムの封入割合
と電極温度の関係を示す。
と電極温度の関係を示す。
【図８】放電容器内の沃化ディスプロシウムの封入割合
と波長３６５ｎｍの紫外線の発光強度の関係を示す。
と波長３６５ｎｍの紫外線の発光強度の関係を示す。
１ 発光管 ２ａ 電極 ２ｂ 電極 ３ 封止部内壁面 ４ アルミナセラミック材 ５ ニオブ線 ６ 白金リード線 ７ フリットガラス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松野 博光 兵庫県姫路市別所町佐土1194番地 ウシ オ電機株式会社内 審査官 江成 克己 (56)参考文献 特開 平３−4435（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−5357（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−272677（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 61/20 H01J 61/30 H01J 61/88
Claims (9)
- 【請求項１】 内容積が２．５ｃｍ3 以下の放電容器
に、一対の電極と主発光成分として水銀を封入した高圧
紫外線水銀ランプにおいて、 イットリウム、ランタン、セリウム、ジスプロシウム、
ガドリニウム、トリウムのハロゲン化物からなる第一群
のハロゲン化物の中から選ばれた少なくとも一種のハロ
ゲン化物と、 前記第一群のハロゲン化物がエミッター材として機能す
るためにアルカリ金属元素のハロゲン化物からなる第二
群のハロゲン化物の中から選ばれた少なくとも一種のハ
ロゲン化物とを、 第一群のハロゲン化物と第二群のハロゲン化物のモル分
率での封入比で１：４〜１：２０の範囲で封入し、ランプ電流を電流芯棒の軸方向に垂直な方向の断面積で
除した値を電流密度としたとき、定常点灯状態における
電流密度を３Ａ／ｍｍ 2 から１５Ａ／ｍｍ 2 の範囲にし
て点灯される ことを特徴とする高圧紫外線水銀ランプ。 - 【請求項２】 前記第一群のハロゲン化物と第二群のハ
ロゲン化物のモル分率での封入比で１：５〜１：２０の
範囲で封入したことを特徴とする請求項１に記載の高圧
紫外線水銀ランプ。 - 【請求項３】 前記放電容器を透光性セラミックで構成
したことを特徴とする請求項１あるいは請求項２のいず
れかに記載の高圧紫外線水銀ランプ。 - 【請求項４】 定常点灯状態において波長４２２．５ｎ
ｍのジスプロシウム原子のスペクトル線の発光強度を波
長４０４．６ｎｍの水銀原子の発光強度で除した値を
０．２５以下にしたことを特徴とする請求項１、請求項
２あるいは請求項３のいずれかに記載の高圧紫外線水銀
ランプ。 - 【請求項５】 定常点灯状態において波長４０６．０ｎ
ｍのランタン原子のスペクトル線の発光強度を波長４０
４．６ｎｍの水銀原子の発光強度で除した値を０．１以
下にしたことを特徴とする請求項１、請求項２あるいは
請求項３のいずれかに記載の高圧紫外線水銀ランプ。 - 【請求項６】 定常点灯状態において波長４０２．８ｎ
ｍのガドリニウム原子のスペクトル線の発光強度を波長
４０４．６ｎｍの水銀原子の発光強度で除した値を０．
１５以下にしたことを特徴とする請求項１、請求項２あ
るいは請求項３のいずれかに記載の高圧紫外線水銀ラン
プ。 - 【請求項７】 定常点灯状態において波長３９７．２ｎ
ｍのセリウム原子のスペクトル線の発光強度を波長４０
４．６ｎｍの水銀原子の発光強度で除した値を０．１以
下にしたことを特徴とする請求項１、請求項２あるいは
請求項３のいずれかに記載の高圧紫外線水銀ランプ。 - 【請求項８】 定常点灯状態において波長４１０．２ｎ
ｍのイットリウム原子のスペクトル線の発光強度を波長
４０４．６ｎｍの水銀原子の発光強度で除した値を０．
１５以下にしたことを特徴とする請求項１、請求項２あ
るいは請求項３のいずれかに記載の高圧紫外線水銀ラン
プ。 - 【請求項９】 定常点灯状態において波長４０８．５ｎ
ｍのトリウム原子のスペクトル線の発光強度を波長４０
４．６ｎｍの水銀原子の発光強度で除した値を０．２以
下にしたことを特徴とする請求項１、請求項２あるいは
請求項３のいずれかに記載の高圧紫外線水銀ランプ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28286496A JP3269976B2 (ja) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | 高圧紫外線水銀ランプ |
| US08/946,096 US5905341A (en) | 1996-10-07 | 1997-10-07 | High pressure mercury ultraviolet lamp |
| DE69703079T DE69703079T2 (de) | 1996-10-07 | 1997-10-07 | Hochdruck Quecksilber-Ultravioletlampe |
| EP97117311A EP0834904B1 (en) | 1996-10-07 | 1997-10-07 | High pressure mercury ultraviolet lamp |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28286496A JP3269976B2 (ja) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | 高圧紫外線水銀ランプ |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10112283A JPH10112283A (ja) | 1998-04-28 |
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Family
ID=17658077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28286496A Expired - Fee Related JP3269976B2 (ja) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | 高圧紫外線水銀ランプ |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5905341A (ja) |
| EP (1) | EP0834904B1 (ja) |
| JP (1) | JP3269976B2 (ja) |
| DE (1) | DE69703079T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US6646379B1 (en) | 1998-12-25 | 2003-11-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Metal vapor discharge lamp having cermet lead-in with improved luminous efficiency and flux rise time |
| JP3238909B2 (ja) * | 1999-05-24 | 2001-12-17 | 松下電器産業株式会社 | メタルハライドランプ |
| JP3233355B2 (ja) | 1999-05-25 | 2001-11-26 | 松下電器産業株式会社 | メタルハライドランプ |
| JP3177230B2 (ja) | 1999-05-25 | 2001-06-18 | 松下電子工業株式会社 | 金属蒸気放電ランプ |
| JP2001185080A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 高圧放電ランプ、高圧放電ランプ装置および照明装置 |
| JP3565137B2 (ja) * | 2000-05-26 | 2004-09-15 | ウシオ電機株式会社 | 放電ランプの製造方法および放電ランプ並びにハロゲン導入用担体 |
| JP3840054B2 (ja) * | 2000-12-08 | 2006-11-01 | フェニックス電機株式会社 | 超高圧放電灯の点灯方法と該方法が適用されるバラスト及び点灯システム |
| US20020117965A1 (en) * | 2001-02-23 | 2002-08-29 | Osram Sylvania Inc. | High buffer gas pressure ceramic arc tube and method and apparatus for making same |
| EP1271614B1 (en) * | 2001-06-27 | 2005-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Metal Halide Lamp |
| JP2003016998A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メタルハライドランプ |
| US20030051990A1 (en) * | 2001-08-15 | 2003-03-20 | Crt Holdings, Inc. | System, method, and apparatus for an intense ultraviolet radiation source |
| WO2004027817A1 (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-01 | Iwasaki Electric Co., Ltd. | 高圧放電ランプ |
| US6888312B2 (en) * | 2002-12-13 | 2005-05-03 | Welch Allyn, Inc. | Metal halide lamp for curing adhesives |
| WO2004110932A2 (en) * | 2003-05-27 | 2004-12-23 | Abq Ultraviolet Pollution Solutions, Inc. | Method and apparatus for a high efficiency ultraviolet radiation source |
| EP1810317A2 (en) * | 2004-11-03 | 2007-07-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Quartz metal halides lamp with improved lumen maintenance |
| US20090039785A1 (en) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Discharge lamp |
| CN103463666B (zh) * | 2013-09-27 | 2015-06-24 | 何志明 | 一种紫外灭菌消毒装置及其设置方法 |
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| US3786297A (en) * | 1972-04-13 | 1974-01-15 | Westinghouse Electric Corp | Discharge lamp which incorporates cerium and cesium halides and a high mercury loading |
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