JP3266361B2

JP3266361B2 - 反射鏡の製造方法

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Publication number: JP3266361B2
Application number: JP07966693A
Authority: JP
Inventors: 聖一板橋
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1993-04-06
Filing date: 1993-04-06
Publication date: 2002-03-18
Anticipated expiration: 2017-03-18
Also published as: JPH06289194A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線から、極短紫外
光、紫外光、可視光、赤外光等のさまざまな波長の電磁
波の反射に利用する反射鏡に関するものである。特に、
波長の短いＸ線や極短紫外光を反射する反射鏡に適用し
た場合、顕著な効力を発揮する。

【０００２】

【従来の技術】一般的に電磁波を反射することを目的と
して反射鏡は、図１に示すように、母材１の表面に、反
射率を高めることを目的として電磁波ビーム３を反射す
る反射膜２を形成した構造を有している。従来、母材
は、切削あるいは研削等の方法で形状加工した後、表面
に残る切削あるいは研削の痕をなくし、表面の凹凸を小
さくするために研磨加工が行われている。近年、コンピ
ュータによる数値制御（ＮＣ：Numerical Control ）に
よる、高速かつ高精度な形状加工が可能な高性能ＮＣ加
工機が開発され、形状加工精度は格段に向上し、かつ安
価に母材を加工できるようになってきた。しかし、ＮＣ
加工機を用いても、切削あるいは研削加工工程だけで切
削あるいは研削痕を消すことができないのが現状であ
る。図２に現状の切削技術で、できるだけ表面凹凸が小
さくなるように切削だけで加工した表面のプロファイル
を光の干渉によって測定した例を示す。母材表面には、
切削痕による凹凸と、その上に同一箇所を何回も重ねて
切削するためできると考えられる、長周期の「うねり」
が残っていることが分かる。これは、加工機の切削バイ
ト先端の位置が切削のたびに数ｎｍずれるために発生す
ると考えられ、現在の技術ではそれを避けることは困難
である。このため、研磨加工を経ない母材は反射鏡母材
として使用できないとされ、表面の最終的仕上げは、依
然として、研磨工程で行われている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】電磁波のビームを効率
良く反射し、反射によってビームを絞り、平行にし、ビ
ームの断面形状を精密に整形するといった反射鏡のビー
ム制御性能は、反射鏡の放物面あるいは回転楕円面のよ
うに加工された表面形状や、凹凸等の表面状態によって
決まる。表面形状の加工精度が悪い場合、電磁波ビーム
を制御する光学素子としての性能は著しく劣化する。ま
た、表面凹凸が大きい場合、反射率は急激に低下するこ
とが良く知られている。従って、反射鏡には、表面形状
が所定の形状に高精度に加工され、かつ表面の凹凸が小
さいことが求められる。特に、Ｘ線や極短紫外線といっ
た、波長が１ｎｍから数百ｎｍと波長が短い電磁波に対
しては、曲率等の形状精度はミクロン以下、表面凹凸は
ｒｍｓ（root mean square）粗さで１ｎｍあるいはそれ
以下にする必要がある。しかし、従来は、反射鏡の母材
の表面形状を数値制御工作機で精密に加工できても、最
終的に研磨工程が回避できないため、これを経ることに
よって表面凹凸は小さくなるが、形状精度は悪化するた
めに、電磁波ビーム形状を制御する光学素子としての性
能が劣化するという問題があった。

【０００４】また、曲面の研磨工程は、依然として人間
の手作業で行っているのが現状であり、時間がかかるだ
けでなく、加工精度が個人の技量に依存するため品質に
ばらつきが生じ、かつ反射鏡の価格もこれによって著し
く上昇するといった問題があった。また、研磨工程を省
いてしまうと、精密な形状精度を維持するために、切
削、あるいは研削、あるいは両者の複合加工で作製した
母材をそのまま用いなければならないが、表面には図２
に示すような加工痕が残ることを回避できない問題があ
った。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、研磨加工によ
って表面形状が変形し、電磁波ビームを制御する光学素
子特性が悪化する問題と、研磨加工を省くことによっ
て、今度は表面に加工痕が残ってしまい、反射率特性が
劣化する問題点とを回避した、特性の良好な反射鏡を提
供することを目的とする。

【０００６】本発明の第１の特徴は、例えば、切削、あ
るいは研削、あるいは両者を複合させた加工によって母
材を形状加工し、研磨加工しない母材をそのまま使用す
る点にある。母材が研磨加工を経ていないため、高精度
に加工された形状はそのまま残すことができるが、表面
には図２に見れるような数十ｎｍの高さの加工痕が残
る。従って、このままでは反射率が低下するため、反射
鏡として使用することは難しい。

【０００７】本発明の第２の特徴は、上記の加工痕によ
る表面凹凸を小さくして反射率の減少を抑え、かつ電磁
波ビーム形状の制御性が高い反射鏡を得るために、図３
に示すように、母材に付着して膜を形成する粒子（原子
あるいは分子）５と同時に、10から 500ｅＶのエネルギ
ーを有し、かつその数が、10¹³個／sec ／ｃｍ² 以上の
粒子からなるビーム４を母材１上の膜表面に照射しつ
つ、電磁波を反射する反射膜２を形成する点にある。こ
のビーム４は、例えばイオン、あるいは中性原子・分
子、あるいはクラスター等を含み、自らのエネルギーを
母材表面に与えるため、膜を構成する原子が表面に移動
して広い領域に拡散し易くなり、表面の凹凸を小さくす
る。実際に、ビーム４の刺激によって、図４に示すよう
な、真空蒸着法やＣＶＤ法等では不可避の反射膜表面の
微細な凹凸の成長が抑えられる。従って、反射膜２は、
通常の膜形成法で不可避の、微小凹凸の成長を抑制して
形成されるため、反射率を低下させないという大きな特
徴を有する。エネルギーを有するビーム４の数と表面粗
さの関係を、白金膜を形成して調べた結果、図５に示す
ようにその数が10¹³個／sec ／ｃｍ² 以上ではほぼ一定
の小さな値を示すことが分かった。従って、反射率の減
少を抑えるためには粒子の数は10¹³個／sec ／ｃｍ² 以
上であることが望ましい。また、ビームのエネルギーと
表面粗さの関係を調べた結果を図６に示す。上記の粒子
数があり、かつエネルギーが10ｅＶ以上であれば平坦化
が可能であることが分かる。しかし、エネルギーが 500
ｅＶを越えるとスパッタ現象が支配的になり、膜が形成
されなくなるため、エネルギーは500 ｅＶ以下である必
要がある。

【０００８】また、母材表面にイオンを照射せずに、Ｃ
ＶＤ法、蒸着法、スパッタ法、あるいは液体を塗布して
中間層を形成し、さらに中間層上部に前記条件で反射膜
を形成することで表面の粗さを小さくして反射率の減少
を抑え、反射鏡特性を向上させることができる。例え
ば、母材表面に、蒸着法でＰt 膜を形成すると、Ｘ線で
測定した表面粗さはｒｍｓで1.2 ｎｍとなるが、さらに
その上に前記条件でＰt膜を形成することで、粗さは0.5
ｎｍと半分以下に小さくなるため、反射率の減少は抑
えられ高性能反射鏡が得られる。この中間層には、例え
ば軽元素層と重元素層とを交互に積層した多層膜を用い
ることもできる。これによって反射鏡は、特定の波長の
みを反射するため、分光素子としての性能も持つことが
でき、より多様な目的に用いることができる。

【０００９】従来の技術とは、切削あるいは研削で高精
度に加工した表面を研磨加工しなくても表面の凹凸成長
を抑え、粗さを小さくした膜を形成することで電磁波の
反射率減少を抑制して反射鏡の特性を向上させた点で異
なる。

【００１０】

【作用】研磨工程を無くすことで、例えば切削あるいは
研削、あるいは両者の複合工程で精密に加工した形状の
研磨による変形を回避することができるため、電磁波ビ
ームを抑制する光学素子としての性能を向上させること
ができる。さらに、研磨加工を行う個人の技量に強く依
存する研磨工程を省くことで、品質のばらつきを抑え、
加工時間の短縮と費用の大幅な削減を実現することがで
きる。さらに、表面に膜を形成する際に照射する、エネ
ルギーを持ったイオン、あるいは中性原子・分子、ある
いはクラスター等の粒子からなるビーム４は、衝突する
母材表面の原子と効率良く相互作用して表面状態を変え
るため、従来の膜形成法では不可避の微小領域の膜の表
面凹凸の成長を抑制する効果があり、粗さによる反射率
の減少を抑えることができる。この照射に最適な条件と
して、イオンあるいは高速原子・分子、あるいはクラス
ターからなる粒子のエネルギーは10から500 ｅＶで、粒
子の数は10¹³個／sec ／ｃｍ²である。また、母材表面
に、従来の方法で多層膜等の種々の機能を有する膜を中
間層として形成し、その上にエネルギーを有する粒子を
照射しつつ膜を形成することで、反射鏡に分光特性を付
与し、かつ表面が平坦であるため反射率の減少を抑える
ことができる。これによって、電磁波ビームの制御性能
が良好で、多様な使用が可能で反射率も高い反射鏡が得
られる。

【００１１】

【実施例】以下、図面により本発明の実施例を詳細に説
明する。

【００１２】（実施例１）図７に本発明の第１の実施例
を示す。図７（ａ）は切削によって作製した母材表面を
模式的に表示したもので、Ｌは切削痕の周期を、ｈは凹
凸の高さを示している。現在の切削技術で到達できる典
型的な値は、Ｌが数十μｍ、ｈが約十ｎｍである。図７
（ｂ）は切削表面を研磨加工せずにそのままイオン照射
しつつ膜を形成した本発明の第１の実施例を模式的に示
した図である。５は膜を構成する原子で、７の蒸発源か
ら放出され、母材に付着して膜を形成する。４は膜の形
成中に表面に照射されるエネルギーを持った粒子であ
り、これは６のエネルギー粒子源から照射される。

【００１３】図８に表面を無電解ニッケルメッキ（組成
はＮi ：約90％、Ｐ：約10％）したサンプルを切削加工
し、その表面を光の干渉を利用した方法で形状測定した
結果を示す。周期が約30μｍで、高さが約10ｎｍの凹凸
がある。これは同じ箇所の切削を繰り返すことで、多数
の切削痕が重なった結果できた「うねり」のようなもの
である。この周期は可視光の波長（約0.5 μｍ）の約10
0 倍の長さであり、虹色の干渉縞を生成するため、粗れ
た表面に見える。実際、図８の像から表面のｒｍｓ粗さ
を求めると、7.46ｎｍと非常に大きく、可視光領域の光
に対しては粗れた面として振る舞うことが分かる。

【００１４】しかし、一方で、表面の微小部分をＳＴＭ
（トンネル電流顕微鏡）で拡大して観察すると、図９お
よび図１０に示すように、大きな周期の中にはより小さ
い凹凸があり、１つ１つの山の高さは数ｎｍであること
が分かる。これらの像から求めたｒｍｓ粗さはそれぞれ
1.8ｎｍと 1.2ｎｍと、図８から求めた粗さとは大きく
異なっている。実際に波長0.834 ｎｍのＸ線に対する反
射率を測定したのが図１１である。これは８が実験値、
９が表面粗さが1.44ｎｍとした時の計算値であり、10は
ｒｍｓ粗さが０ｎｍとした場合の反射率の計算値であ
る。反射率からｒｍｓ粗さを評価すると1.44ｎｍとな
り、可視光の干渉から評価した値と大きく異なり、微小
領域のＳＴＭ像から導出した値に近い。つまり、Ｘ線領
域の反射率は、可視光で見える凹凸ではなく、より小さ
い凹凸に影響されることが分かる。従って、１μｍ□以
下の領域の粗さをより小さくする膜が形成できれば、高
い反射率を有する反射鏡が作製できる。

【００１５】従って、図７（ｂ）の構成で、表面にエネ
ルギーを有するイオンビーム４を照射しつつＰt 膜を10
ｎｍ形成した。この場合の膜を形成する粒子５は白金原
子である。この粒子５は、蒸発装置７において、加速し
た電子ビームを白金の塊に照射することによって発生さ
せた。イオンビーム４はアルゴンのイオンビームで、イ
オンビーム発生装置６でイオンを生成し、 200ｅＶに加
速して照射した。イオンビーム発生装置としては、カウ
フマン型のイオン源、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共
鳴）型のイオン源、ディオプラズマトロン型のイオン源
等を用いることができるが、この例ではカウフマン型イ
オン源を用いた。Ｐt 原子の粒子が母材１に到達して膜
を形成すると同時に、アルゴンイオン４が母材表面に到
達して表面を刺激する。イオン数と蒸発Ｐt 原子数との
比率（イオン照射比と呼ぶ）は、イオン数が10¹³個／se
c ／ｃｍ² の時、この数の約10％とした。すなわち、こ
の時、アルゴンイオン１個が母材１に到達すると同時に
Ｐt 原子が10個母材に到達する。

【００１６】イオンを照射しながら、切削母材の上にＰ
t 膜を形成した場合のＳＴＭ像を図１２、図１３に示
す。図１２に示すように１μｍ□領域の凹凸はまだ残っ
ているが、中でも短い周期の粗さは滑らかになってお
り、図１３に示すように 100μｍ□領域を拡大すると凹
凸は平滑化されてほとんど痕跡は見られない。従って、
上記の膜の形成によって、明らかに表面凹凸が減ってい
ることが分かる。このサンプルのＸ線反射率を図１４に
示す。11はＸ線反射率の実験値、12は表面粗さが0.76ｎ
ｍとした時のＸ線反射率の計算値であり、13の点線はｒ
ｍｓ粗さが０ｎｍとした場合の反射率の計算値である。
反射率から求めた粗さは1.44ｎｍから0.76ｎｍと約半分
に小さくなっており、イオンを照射しながらの膜形成に
よって反射鏡の高性能化が実現されたことが分かる。ま
た、この反射膜の厚さは、10ｎｍ程度の膜厚であるた
め、膜の応力も小さく、膜の応力による母材形状の変形
も抑えられる。

【００１７】（実施例２）図１５は本発明の第２の実施
例を示す。母材の上に中間層14として、単一の元素、あ
るいは化合物、あるいは合金、あるいは個となる種類の
元素を積層した多層膜がある。これらの膜は真空蒸着
法、ＣＶＤ法、ＤＣあるいはＲＦスパッタ法、あるいは
液体を塗布することでも形成できるが、表面に数ｎｍの
凹凸があっても構わない。本実施例は小さな凹凸がある
この中間層14の上に、エネルギーを持った粒子を照射し
つつ反射膜２を形成したものである。母材と反射膜の間
に中間層を挟むことによって、ビーム整形性能と反射特
性を劣化させずに、反射鏡の特性を上げるか、あるいは
別の機能を付与することができる。例えば、流動的な液
体を薄く塗布することで、さらに滑らかして反射率を上
げることができる。また、多層膜のように、特定の波長
だけを反射する中間層を形成し、その上部にエネルギー
粒子を照射しつつ形成することで表面を滑らかにし、特
定の波長を効率よく反射できる反射鏡を作製することが
できる。

【００１８】母材は第１の実施例のように無電解ニッケ
ルメッキした母材を切削加工した。このサンプルの光干
渉法で測定した表面像を図２に示す。また、ＳＴＭ像を
図１６に示す。実施例１のサンプルと同様に切削による
凹凸が見られる。このサンプルの上に中間層14を形成す
る。この例では真空蒸着法によって表面にＰt 膜を12ｎ
ｍ形成した。従って、膜形成中には表面刺激がないた
め、表面には図１７に見られる微小凹凸が密に発生して
しまう。このＰt 膜の上にさらに真空蒸着法でＰt 膜を
24ｎｍ形成すると、図１８に示すように表面の凹凸がさ
らに成長する。このままでは、反射特性が劣化するた
め、特性の良好な反射鏡が得られない。

【００１９】そこで、さらにこの上に第１の実施例と同
じ条件でイオン照射しながら最上層に膜を形成する。膜
の表面ＳＴＭ像を図１９に示す。表面の微小凹凸は消失
し、滑らかな面が形成される。このサンプルの粗さをＸ
線反射率（波長 0.834ｎｍ）から評価した結果を図２０
に示す。15が母材のＸ線反射率、16が母材の上に蒸着Ｐ
t の中間膜を12ｎｍ形成した膜の反射率、17がさらにそ
の上に中間膜を24ｎｍ形成した膜の反射率、18が最上層
にイオンを照射しながら膜を12ｎｍ形成した場合の反射
率である。16と17の反射率がほとんど変わらないのに対
し、18は高い反射率を示すことが分かる。16および17か
ら求めた表面粗さは1.3 ｎｍである。一方、18から求め
た表面粗さは0.71ｎｍで、急激に粗さが小さくなり、反
射特性が向上していることが分かる。従って、本実施例
のように母材と反射膜の間に単一の元素、あるいは化合
物、あるいは合金、あるいは異なる種類の元素を積層し
た多層膜からなる表面に小さな凹凸のある中間層14を挟
んでも、少なくとも最上層だけでも、エネルギー粒子で
照射しつつ形成すれば、高性能な反射鏡が作製できる。

【００２０】（実施例３）図１５の構造を持つ反射鏡に
おいて、表面反射膜２に中間層14とは異なった種類の金
属あるいは合金を使用することができる。表面反射膜を
形成する金属としては、融点の高いものが融点の低い金
属より平坦な面を作り易いため、Ｗ，Ｔa，Ｒe ，Ｉr
，Ｏs ，Ｐt ，Ａu 等の重金属や、Ｔi ，Ｍn ，Ｃr
，Ｃo ，Ｆe，Ｎi ，Ｃu ，Ｚn ，Ｇe ，Ｚr ，Ｍo ，
Ｒu ，Ｒh ，Ｐd ，Ａg 等の遷移金属、また、Ｌa ，Ｃ
e ，Ｅu ，Ｐr ，Ｓm ，Ｎd ，Ｇd ，Ｔb ，Ｅr ，Ｔm
，Ｙb等の希土類あるいはアクチノイド類等を用いるこ
とができ、また、これらの合金も用いることができる。
図２１にＰt 中間層の上にエネルギーを有するＥＣＲプ
ラズマ中のイオンを照射しながらＲe を形成した反射鏡
表面のＳＴＭ像測定した例を示す。ｒｍｓ粗さが0.54ｎ
ｍの非常に小さな表面粗さが得られる。これらの金属は
融点が高いため、耐熱性に優れた反射鏡を作成すること
ができる。

【００２１】（実施例４）図１５の構造の反射鏡は、反射膜２に中間層14とは異な
った種類の半導体、絶縁体、あるいは、それらの化合物
を形成することによっても作製できる。反射膜を構成す
る物質としては、例えばＳi あるいはその化合物（Ｓi
Ｃ, Ｓi Ｏ₂ ,Ｓi Ｎ ...）や、Ｃあるいはその化合物
（Ｂ₄ Ｃ等）、Ｂあるいはその化合物（ＢＮ等）、Ａl
あるいはその化合物（Ａl₂Ｏ₃ ）等を用いることができ
る。これらの他にも、熱的、化学的に安定な物質が適当
である。図２２に、Ｐt の中間層の上に数十ｅＶのイオ
ンを照射しつつＳi Ｏ₂ を形成し、Ｘ線（波長 0.834ｎ
ｍ）反射率を測定した結果を示す。実線がｒｍｓ表面粗
さが０ｎｍとして場合の反射率で、黒丸は実験値であ
る。実験値から求めたｒｍｓ粗さは0.19ｎｍであり、表
面粗さの非常に小さな反射鏡が形成されていることが分
かる。これらの物質は、化学的に安定なため、経時変化
の少ない反射鏡を作製することができる。

【００２２】（実施例５）図１５と同じ構造を有する反
射鏡において、中間層14に第３の実施例で記述したよう
な金属や合金、あるいは第４の実施例で記述したような
半導体、絶縁体および化合物、さらには、これらを積層
した構造の多層膜を用いることができ、これにより特性
のよい反射鏡を作製することができる。

【００２３】

【発明の効果】以上述べたように、母材の上にＸ線等の
電磁波を反射する膜がある反射鏡において、母材を、研
磨加工工程を除く切削あるいは研削、あるいは両者の複
合工程で作製し、該母材表面に、10から 500ｅＶのエネ
ルギーを有し、その数が、10¹³個／sec ／ｃｍ²以上の
粒子を該膜の表面に照射しつつ膜を形成することによっ
て、反射率の高い反射鏡を作製することができる。ま
た、この反射膜の厚さは、10ｎｍ程度の膜厚で充分であ
るため、膜の応力も小さく、膜の応力による母材形状の
変形も抑えられる。研磨工程を無くしたことで、例えば
切削あるいは研削あるいは両者の複合工程で精密に加工
した形状の研磨による変形を回避することができ、電磁
波ビームを制御する光学素子としての性能を向上させる
ことができる。さらに、研磨加工を行う個人の技量に強
く依存する研磨工程を省くことで、品質のばらつきを抑
え、加工時間の短縮と費用の大幅な削減を実現すること
ができる。さらに、表面にエネルギーを持ったイオン、
あるいは中性原子・分子、あるいはクラスター等の粒子
からかるビームを照射することで、衝突する母材表面の
原子と効率よく相互作用し、表面状態を変えるため、従
来の膜形成法では不可避の微小領域の膜の表面凹凸の成
長が抑制され、粗さによる反射率の減少を抑えることが
できる。

【００２４】また、母材と上記反射膜の間に、単一の元
素、あるいは化合物、あるいは合金、あるいは異なる種
類の元素を積層した多層膜からなる中間膜を挟むことが
できる。表面反射膜や中間層としては、Ｗ，Ｔa ，Ｒe
，Ｉr ，Ｏs ，Ｐt ，Ａu 等の重金属や、Ｔi ，Ｍn
，Ｃr ，Ｃo ，Ｆe ，Ｎi ，Ｃu ，Ｚn ，Ｇe ，Ｚr
，Ｍo ，Ｒu ，Ｒh ，Ｐd ，Ａg 等の遷移金属、ま
た、Ｌa ，Ｃe ，Ｅu ，Ｐr ，Ｓm ，Ｎd ，Ｇd ，Ｔb
，Ｅr ，Ｔm ，Ｙb 等の希土類あるいはアクチノイド
類等を用いることができ、また、これらの合金も用いる
ことができる。これらの金属は融点が高いため、耐熱性
に優れた反射鏡を作成することができる。

【００２５】反射膜や中間層を構成する物質としては、
例えばＳi あるいはその化合物（Ｓi Ｃ, Ｓi Ｏ₂，Ｓ
i Ｎ .... ）や、Ｃあるいはその化合物（Ｂ₄Ｃ等）、
Ｂあるいはその化合物（ＢＮ等）、Ａl あるいはその化
合物（Ａl₂Ｏ₃）等を用いることができる。これらの他
にも、熱的、化学的に安定な物質が適当である。これら
の物質は、化学的に安定なため、経時変化の少ない反射
鏡を得ることができ、また、中間層には上記物質を積層
した多層膜を用いることができる。多層膜は特定の波長
を選択的に反射できるため、反射鏡に分光機能を付与す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は光学素子の構造と入射する電磁波を示す
模式図である。

【図２】図２は切削した母材表面を光の干渉で測定した
図である。

【図３】図３は本発明の構成を示す第１の模式図であ
る。

【図４】図４は真空蒸着法で作製したＰt 膜の表面ＳＴ
Ｍ像である。

【図５】図５は表面粗さとイオン数の関係を示す図であ
る。

【図６】図６は表面粗さとイオンエネルギーとの関係を
示す図である。

【図７】図７は本発明の第１の実施例を示す図である。

【図８】図８は第１の実施例に使用した母材表面を光の
干渉で測定した図である。

【図９】図９は第１の実施例に使用した母材表面のＳＴ
Ｍ像である。

【図１０】図１０は第１の実施例に使用した母材表面の
微細領域のＳＴＭ像である。

【図１１】図１１はＸ線反射率を示す図である。

【図１２】図１２は母材表面に反射膜を形成した反射鏡
表面のＳＴＭ像である。

【図１３】図１３は母材表面に反射膜を形成した反射鏡
表面の微細領域のＳＴＭ像である。

【図１４】図１４は母材表面に反射膜を形成した反射鏡
のＸ線反射率である。

【図１５】図１５は本発明の第２の実施例を示す図であ
る。

【図１６】図１６は第２の実施例に使用した母材表面の
ＳＴＭ像である。

【図１７】図１７は母材表面に真空蒸着膜を形成した反
射鏡表面のＳＴＭ像である。

【図１８】図１８は母材表面に真空蒸着膜を形成した上
にさらに真空蒸着膜を形成した反射鏡表面のＳＴＭ像で
ある。

【図１９】図１９は母材表面に真空蒸着膜を形成した上
にさらに真空蒸着膜を形成した上にイオンを照射しなが
ら膜を形成した反射鏡表面のＳＴＭ像である。

【図２０】図２０は第２の実施例で作製した膜のＸ線反
射率である。

【図２１】図２１は中間膜としてＰt を、反射膜として
Ｒe 膜を有する反射鏡のＳＴＭ像である。

【図２２】図２２は中間膜としてＰt を、反射膜として
Ｓi Ｏ₂膜を有する反射鏡のＸ線反射率を示す図であ
る。

【符号の説明】

１母材２反射膜３電磁波ビーム４エネルギーを有するビーム５膜を形成する粒子６エネルギー粒子源７蒸発源８Ｘ線反射率（実験値）９ｒｍｓ粗さ1.44ｎｍとした時のＸ線反射率の計算値 10 ｒｍｓ粗さ０ｎｍとした時のＸ線反射率の計算値 11 Ｘ線反射率 12 ｒｍｓ粗さ0.76ｎｍとした時のＸ線反射率の計算値 13 ｒｍｓ粗さ０ｎｍとした時のＸ線反射率の計算値 14 中間層 15 母材のＸ線反射率 16 母材に真空蒸着Ｐt 膜を12ｎｍ形成した表面のＸ線
反射率 17 試料16の上に真空蒸着Ｐt 膜を24ｎｍ形成した表面
のＸ線反射率 18 試料17の上にイオンを照射しつつＰt 膜を12ｎｍ形
成した表面のＸ線反射率

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】平面もしくは有限の曲率を有する母材上
に電磁波を反射する反射膜を有する反射鏡を製造する方
法において、前記母材を切削又は研削或いは両者の複合
工程で形状加工し、母材の形状加工した表面に、１０ｅ
Ｖ〜５００ｅＶのエネルギーを有する粒子ビームを１０
¹³個／ｓｅｃ／ｃｍ² 以上の照射量で照射しながら前記
反射膜を構成する材料の粒子を照射することにより反射
膜を形成することを特徴とする反射鏡の製造方法。
【請求項２】平面もしくは有限の曲率を有する母材上
に電磁波を反射する反射膜を有する反射鏡を製造する方
法において、前記母材を切削又は研削或いは両者の複合
工程で形状加工し、母材の形状加工した表面に中間層と
なる膜を形成し、当該中間層の表面に、１０ｅＶ〜５０
０ｅＶのエネルギーを有する粒子ビームを１０¹³個／ｓ
ｅｃ／ｃｍ² の照射量で照射しながら前記反射膜を構成
する材料の粒子を照射することにより反射膜を形成する
ことを特徴とする反射鏡の製造方法。