JP3263516B2 - 液晶マスクマーカの画像表示方法 - Google Patents
液晶マスクマーカの画像表示方法Info
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣチップ等の非金属
物品や金属物品の表面に製造番号や模様等の絵柄を鮮明
に刻印する液晶マスクマーカの画像表示方法に関する。
物品や金属物品の表面に製造番号や模様等の絵柄を鮮明
に刻印する液晶マスクマーカの画像表示方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶マスクマーカは、図５に示す通り、
例えばレーザ発振器１からの高密度エネルギー光Ｒ１を
液晶マスク４の表示画像へ照射し、その透過光Ｒ２をワ
ーク面６へ照射することにより、該ワーク面６に前記画
像を刻印するものである。
例えばレーザ発振器１からの高密度エネルギー光Ｒ１を
液晶マスク４の表示画像へ照射し、その透過光Ｒ２をワ
ーク面６へ照射することにより、該ワーク面６に前記画
像を刻印するものである。
【０００３】そして液晶マスク４の表示画像の書き替え
は、制御器８によって、図６（ｂ）に示すように、全画
素の電位を接地Ｓ（即ち、全画素の印加電圧を零に）し
たのち、次表示画像Ｐを立ち上げて行っている（以下こ
の書き替えを「全画素電位接地式」と呼ぶ）。
は、制御器８によって、図６（ｂ）に示すように、全画
素の電位を接地Ｓ（即ち、全画素の印加電圧を零に）し
たのち、次表示画像Ｐを立ち上げて行っている（以下こ
の書き替えを「全画素電位接地式」と呼ぶ）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記全画素
電位接地式によれば、書き替え直後の液晶マスク４の次
画像Ｐには、残像と後述する逆残像と言える現象とが生
ずる。例えば図７に示すように、ワーク面６に黒塗状の
丸印Ａ（図７（ａ））を刻印し（尚、符号ＢはＡ以外の
部分）、その後、液晶マスク４の表示画像を書き替え、
他のワーク面６に黒塗りの矩形Ｃ（図７（ｂ））を刻印
する場合、上記書き替え直後の液晶マスク４の画像は、
図７（ｃ）に示すように、残像Ａ２を伴った矩形Ｃが現
れ、しかも、この矩形Ｃは鮮明部Ａ１と不鮮明部Ｂ１と
に別れるようになる（この不鮮明部Ｂ１を「逆残像」と
定義する）。
電位接地式によれば、書き替え直後の液晶マスク４の次
画像Ｐには、残像と後述する逆残像と言える現象とが生
ずる。例えば図７に示すように、ワーク面６に黒塗状の
丸印Ａ（図７（ａ））を刻印し（尚、符号ＢはＡ以外の
部分）、その後、液晶マスク４の表示画像を書き替え、
他のワーク面６に黒塗りの矩形Ｃ（図７（ｂ））を刻印
する場合、上記書き替え直後の液晶マスク４の画像は、
図７（ｃ）に示すように、残像Ａ２を伴った矩形Ｃが現
れ、しかも、この矩形Ｃは鮮明部Ａ１と不鮮明部Ｂ１と
に別れるようになる（この不鮮明部Ｂ１を「逆残像」と
定義する）。
【０００５】残像Ａ２と逆残像Ｂ１とは放置すれば自然
に消滅するものである。ところで通常の液晶マスクマー
カは、後述する液晶マスクマーカと比べ、高速性も鮮明
性もないため、これらはほとんど問題とならない。つま
り、通常の液晶マスクマーカでは、残像Ａ２と逆残像Ｂ
１とが生じた画像へ高密度エネルギー光Ｒ１を照射して
も、その照射時間も長いため、逆残像Ｂ１は刻印として
問題とならない。他方、残像Ａ１は、残像Ａ２が消滅し
た画像へ高密度エネルギー光Ｒ１を照射すれば、刻印と
して残らない。もっとも、前記逆残像Ｂ１も、前記同様
に、該逆残像Ｂ１が消滅した画像へ高密度エネルギー光
Ｒ１を照射すれば、刻印として残らない。ところが実際
はこのような配慮も何もなされていないのが実情であ
り、刻印の鮮明度も云々する段階に至っていないのが実
情である。
に消滅するものである。ところで通常の液晶マスクマー
カは、後述する液晶マスクマーカと比べ、高速性も鮮明
性もないため、これらはほとんど問題とならない。つま
り、通常の液晶マスクマーカでは、残像Ａ２と逆残像Ｂ
１とが生じた画像へ高密度エネルギー光Ｒ１を照射して
も、その照射時間も長いため、逆残像Ｂ１は刻印として
問題とならない。他方、残像Ａ１は、残像Ａ２が消滅し
た画像へ高密度エネルギー光Ｒ１を照射すれば、刻印と
して残らない。もっとも、前記逆残像Ｂ１も、前記同様
に、該逆残像Ｂ１が消滅した画像へ高密度エネルギー光
Ｒ１を照射すれば、刻印として残らない。ところが実際
はこのような配慮も何もなされていないのが実情であ
り、刻印の鮮明度も云々する段階に至っていないのが実
情である。
【０００６】ところが本出願人が先に提案した各種液晶
マスクマーカ（例えば特開平５−４２３７９号）では、
刻印の鮮明性もさることながら、書き替え時間及び画像
表示時間が共に最短で約３０msec程度と高速である
（尚、画像表示時間における高密度エネルギー光照射時
間（即ち、刻印時間）はさらに短い）。かかる液晶マス
クマーカでは、残像Ａ２と逆残像Ｂ１とは元より、高密
度エネルギー光Ｒ１の画像への照射タイミングが該液晶
マスクマーカの高速性と高鮮明性とに大きな影響を及ぼ
す。
マスクマーカ（例えば特開平５−４２３７９号）では、
刻印の鮮明性もさることながら、書き替え時間及び画像
表示時間が共に最短で約３０msec程度と高速である
（尚、画像表示時間における高密度エネルギー光照射時
間（即ち、刻印時間）はさらに短い）。かかる液晶マス
クマーカでは、残像Ａ２と逆残像Ｂ１とは元より、高密
度エネルギー光Ｒ１の画像への照射タイミングが該液晶
マスクマーカの高速性と高鮮明性とに大きな影響を及ぼ
す。
【０００７】即ち、かかる高速性と高鮮明性とを備えた
液晶マスクマーカでは、残像処理、逆残像処理及び高密
度エネルギー光照射タイミングが不適当であると、高鮮
明性能を備えているために、図７（ｃ）に示すように、
残像Ａ２と逆残像Ｂ１とがそのまま刻印として明瞭に現
れるようになる。
液晶マスクマーカでは、残像処理、逆残像処理及び高密
度エネルギー光照射タイミングが不適当であると、高鮮
明性能を備えているために、図７（ｃ）に示すように、
残像Ａ２と逆残像Ｂ１とがそのまま刻印として明瞭に現
れるようになる。
【０００８】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、
残像処理、逆残像処理及び高密度エネルギー光照射タイ
ミングを考慮し、高速性と高鮮明性とをより確実かつ向
上させてなる液晶マスクマーカの画像表示方法を提供す
ることを目的とする。
残像処理、逆残像処理及び高密度エネルギー光照射タイ
ミングを考慮し、高速性と高鮮明性とをより確実かつ向
上させてなる液晶マスクマーカの画像表示方法を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係わる液晶マスクマーカの画像表示方法の
第１は、高密度エネルギー光をワークに刻印すべき画像
情報が与えられる液晶マスクへ照射し、その透過光をワ
ーク表面に照射することにより、該ワーク表面に前記画
像を刻印する液晶マスクマーカにおいて、前記液晶マス
クの表示画像書き替え時、全画素を光透過状態にしたの
ち全画素の電極を接地又は同電位にし、そののち次画像
を立ち上げたことを特徴としている。
め、本発明に係わる液晶マスクマーカの画像表示方法の
第１は、高密度エネルギー光をワークに刻印すべき画像
情報が与えられる液晶マスクへ照射し、その透過光をワ
ーク表面に照射することにより、該ワーク表面に前記画
像を刻印する液晶マスクマーカにおいて、前記液晶マス
クの表示画像書き替え時、全画素を光透過状態にしたの
ち全画素の電極を接地又は同電位にし、そののち次画像
を立ち上げたことを特徴としている。
【００１０】そして発明に係わる液晶マスクマーカの画
像表示方法の第２は、高密度エネルギー光をワークに刻
印すべき画像情報が与えられる液晶マスクへ照射し、そ
の透過光をワーク表面に照射することにより、該ワーク
表面に前記画像を刻印する液晶マスクマーカにおいて、
前記液晶マスクの表示画像書き替え時、全画素を光不透
過状態にしたのち全画素の電極を接地又は同電位にし、
そののち次画像を立ち上げたことを特徴としている。
像表示方法の第２は、高密度エネルギー光をワークに刻
印すべき画像情報が与えられる液晶マスクへ照射し、そ
の透過光をワーク表面に照射することにより、該ワーク
表面に前記画像を刻印する液晶マスクマーカにおいて、
前記液晶マスクの表示画像書き替え時、全画素を光不透
過状態にしたのち全画素の電極を接地又は同電位にし、
そののち次画像を立ち上げたことを特徴としている。
【００１１】さらに本発明に係わる液晶マスクマーカの
画像表示方法の第３は、高密度エネルギー光をワークに
刻印すべき画像情報が与えられる液晶マスクへ照射し、
その透過光をワーク表面に照射することにより、該ワー
ク表面に前記画像を刻印する液晶マスクマーカにおい
て、前記液晶マスクの表示画像書き替え時、現画像の光
透過画素を光不透過へかつ光不透過画素を光透過へと反
転したのち全画素の電極を接地又は同電位にし、そのの
ち次画像を立ち上げたことを特徴としている。
画像表示方法の第３は、高密度エネルギー光をワークに
刻印すべき画像情報が与えられる液晶マスクへ照射し、
その透過光をワーク表面に照射することにより、該ワー
ク表面に前記画像を刻印する液晶マスクマーカにおい
て、前記液晶マスクの表示画像書き替え時、現画像の光
透過画素を光不透過へかつ光不透過画素を光透過へと反
転したのち全画素の電極を接地又は同電位にし、そのの
ち次画像を立ち上げたことを特徴としている。
【００１２】
【作用】先ず、前述の従来技術の問題を解析してみた。
この解析グラフを図４に示す。同図に、前記図７の符号
を附して説明すれば、透過部Ａと不透過部Ｂとからなる
現画像Ｐ１を、従来技術の全画素電位接地式により、Ａ
の一部Ａ１及びＢの一部Ｂ１からなる透過部と、Ａの他
部Ａ２及びＢの他部Ｂ２からなる不透過部とからなる次
画像Ｐ２を立ち上げたとする。図４は現画像Ｐ１、画像
書き替え及び次画像Ｐ２の各々における各画素Ａ、Ｂ，
Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２の透過率と時間との連関グラフ
である。
この解析グラフを図４に示す。同図に、前記図７の符号
を附して説明すれば、透過部Ａと不透過部Ｂとからなる
現画像Ｐ１を、従来技術の全画素電位接地式により、Ａ
の一部Ａ１及びＢの一部Ｂ１からなる透過部と、Ａの他
部Ａ２及びＢの他部Ｂ２からなる不透過部とからなる次
画像Ｐ２を立ち上げたとする。図４は現画像Ｐ１、画像
書き替え及び次画像Ｐ２の各々における各画素Ａ、Ｂ，
Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２の透過率と時間との連関グラフ
である。
【００１３】尚、図４には、高密度エネルギー光の照射
開始時期Ｔｓと照射時間Ｔとが示されている。刻印の鮮
明度は、各画素Ａ、Ｂ，Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２に対す
る透過光自体の光強度とその透過時間ｔとの積で表され
る。透過時間ｔは、液晶マスクマーカが一括照射式であ
れば、前記照射時間Ｔ（ｔ＝Ｔ）と一致するが、ラスタ
照射式であれば、前記照射時間Ｔをラスタ速度ｖで除し
た時間（ｔ＝Ｔ／ｖ）となる。
開始時期Ｔｓと照射時間Ｔとが示されている。刻印の鮮
明度は、各画素Ａ、Ｂ，Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２に対す
る透過光自体の光強度とその透過時間ｔとの積で表され
る。透過時間ｔは、液晶マスクマーカが一括照射式であ
れば、前記照射時間Ｔ（ｔ＝Ｔ）と一致するが、ラスタ
照射式であれば、前記照射時間Ｔをラスタ速度ｖで除し
た時間（ｔ＝Ｔ／ｖ）となる。
【００１４】説明を元に戻す。上記従来技術の全画素電
位接地式により、現画像Ｐ１を書き替えて次画像Ｐ２と
すると、同図（図４）に示すように、画素Ｂ１の透過率
の立ち上がりは、画素Ａ１の透過率の立ち上がりより遅
れ、他方、画素Ａ２の透過率の立ち下がりは画素Ｂ２の
透過率の立ち下がりよりも遅れる。即ち、この画素Ｂ１
の透過率の立ち上がり遅れが逆残像Ｂ１となり、他方、
画素Ａ２の透過率の立ち下がり遅れが残像Ａ２である。
そして、これらを考慮することなく高密度エネルギー光
を該次画像Ｐ２に照射することにより、これら残像Ａ２
と逆残像Ｂ１とがワーク面６に刻印されたものである。
しかも、高速になる程、照射開始時期Ｔｓがこの書き替
え時に近くなり、このため、上記残像Ａ２と逆残像Ｂ１
とによる刻印の鮮明度の低下がより顕著となったもので
ある。
位接地式により、現画像Ｐ１を書き替えて次画像Ｐ２と
すると、同図（図４）に示すように、画素Ｂ１の透過率
の立ち上がりは、画素Ａ１の透過率の立ち上がりより遅
れ、他方、画素Ａ２の透過率の立ち下がりは画素Ｂ２の
透過率の立ち下がりよりも遅れる。即ち、この画素Ｂ１
の透過率の立ち上がり遅れが逆残像Ｂ１となり、他方、
画素Ａ２の透過率の立ち下がり遅れが残像Ａ２である。
そして、これらを考慮することなく高密度エネルギー光
を該次画像Ｐ２に照射することにより、これら残像Ａ２
と逆残像Ｂ１とがワーク面６に刻印されたものである。
しかも、高速になる程、照射開始時期Ｔｓがこの書き替
え時に近くなり、このため、上記残像Ａ２と逆残像Ｂ１
とによる刻印の鮮明度の低下がより顕著となったもので
ある。
【００１５】また上記図４の解析グラフによってこれま
で不明の新たな問題点も指摘できる。即ち、液晶マスク
マーカが一括照射式であれば、残像Ａ２と逆残像Ｂ１と
は均一に発生するが、液晶マスクマーカがラスタ照射式
であれば、次画像Ｐ２において、ラスタ照射開始画素側
の残像Ａ２及び逆残像Ｂ１は、ラスタ照射終了画素側の
残像Ａ２及び逆残像Ｂ１よりも激しくなる。
で不明の新たな問題点も指摘できる。即ち、液晶マスク
マーカが一括照射式であれば、残像Ａ２と逆残像Ｂ１と
は均一に発生するが、液晶マスクマーカがラスタ照射式
であれば、次画像Ｐ２において、ラスタ照射開始画素側
の残像Ａ２及び逆残像Ｂ１は、ラスタ照射終了画素側の
残像Ａ２及び逆残像Ｂ１よりも激しくなる。
【００１６】即ち、上記図４の解析グラフの各画素Ａ、
Ｂ、Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２の傾向から、各画素の履歴
が透過状態であれ、又は、不透過状態であれ、安定状態
であるときは、これを他の状態に移すには時間を要すこ
とが分かる。言い換えれば履歴が不安定であれば、又
は、履歴を一旦キャンセルして不安定にすれば、他の状
態への移行に時間を要さないことが分かる。これに基づ
き構成した液晶マスクマーカが、上記第１〜第３の液晶
マスクマーカの画像表示方法である。
Ｂ、Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２の傾向から、各画素の履歴
が透過状態であれ、又は、不透過状態であれ、安定状態
であるときは、これを他の状態に移すには時間を要すこ
とが分かる。言い換えれば履歴が不安定であれば、又
は、履歴を一旦キャンセルして不安定にすれば、他の状
態への移行に時間を要さないことが分かる。これに基づ
き構成した液晶マスクマーカが、上記第１〜第３の液晶
マスクマーカの画像表示方法である。
【００１７】第１構成における「全画素を光透過状態に
する」とは、両画素Ａ、Ｂを一旦高密度エネルギー光が
透過する状態とすることを意味し、以下これをオープン
すると言う。実際は、画素Ａは現画像Ｐ１において既に
透過状態であるため、画素Ｂの電圧のみ透過状態となる
値まで上げることになる。また「全画素の電極を接地
し」とは、従来技術の全画素電位接地式と同じ操作をさ
せることである（以下同じ）。即ち、上記第１構成によ
れば、画素Ｂについて、現画像Ｐ１におけるその履歴を
キャンセルし、次いで全画素の電極を接地又は同電位に
したのち次画像Ｐ２を立ち上げる。
する」とは、両画素Ａ、Ｂを一旦高密度エネルギー光が
透過する状態とすることを意味し、以下これをオープン
すると言う。実際は、画素Ａは現画像Ｐ１において既に
透過状態であるため、画素Ｂの電圧のみ透過状態となる
値まで上げることになる。また「全画素の電極を接地
し」とは、従来技術の全画素電位接地式と同じ操作をさ
せることである（以下同じ）。即ち、上記第１構成によ
れば、画素Ｂについて、現画像Ｐ１におけるその履歴を
キャンセルし、次いで全画素の電極を接地又は同電位に
したのち次画像Ｐ２を立ち上げる。
【００１８】第２構成における「全画素を光不透過状態
にする」とは、両画素Ａ、Ｂを一旦高密度エネルギー光
が透過しない状態とすることを意味し、以下これをシャ
ットすると言う。実際は、画素Ｂは現画像Ｐ１において
既に不透過状態であるため、画素Ａの電圧のみ不透過状
態となる値まで下げることになる。即ち、第２構成によ
れば、両画素Ａ、Ｂ（即ち、現画像Ｐ１）について、現
画像Ｐ１における各履歴をキャンセルし、次いで全画素
の電極を接地又は同電位にしたのち次画像Ｐ２を立ち上
げる。
にする」とは、両画素Ａ、Ｂを一旦高密度エネルギー光
が透過しない状態とすることを意味し、以下これをシャ
ットすると言う。実際は、画素Ｂは現画像Ｐ１において
既に不透過状態であるため、画素Ａの電圧のみ不透過状
態となる値まで下げることになる。即ち、第２構成によ
れば、両画素Ａ、Ｂ（即ち、現画像Ｐ１）について、現
画像Ｐ１における各履歴をキャンセルし、次いで全画素
の電極を接地又は同電位にしたのち次画像Ｐ２を立ち上
げる。
【００１９】第３構成における「反転」とは、画素Ａの
電圧は下げ、他方、画素Ｂの電圧は上げることである。
この場合、画素Ａが透過状態から完全な不透過状態にな
り、また、画素Ｂが不透過状態から完全な透過状態にな
ると限る必要はなく、単に電圧の上下だけである。即
ち、第３構成によれば、両画素Ａ、Ｂ（即ち、現画像Ｐ
１）について、現画像Ｐ１における各履歴をキャンセル
し、次いで全画素の電極を接地又は同電位にしたのち次
画像Ｐ２を立ち上げる。
電圧は下げ、他方、画素Ｂの電圧は上げることである。
この場合、画素Ａが透過状態から完全な不透過状態にな
り、また、画素Ｂが不透過状態から完全な透過状態にな
ると限る必要はなく、単に電圧の上下だけである。即
ち、第３構成によれば、両画素Ａ、Ｂ（即ち、現画像Ｐ
１）について、現画像Ｐ１における各履歴をキャンセル
し、次いで全画素の電極を接地又は同電位にしたのち次
画像Ｐ２を立ち上げる。
【００２０】
【実施例】以下、実施例を説明する。先ず、図５を参照
して液晶マスクマーカの本体例を大略説明する。同図の
液晶マスクマーカをラスタ照射式として説明する。レー
ザ発振器１からのレーザ光Ｒ１はラスタ照射用偏向器２
によって液晶マスク４の画像面へラスタ照射される。ラ
スタ照射とは、画像面を細いレーザ光Ｒ１でＸＹ方向で
順次照射してゆく照射方式である。液晶マスク４の画像
面を透過したレーザ光Ｒ２は偏向器５を経てワーク面６
へ照射される。透過レーザ光Ｒ２は前記画像の情報を含
んでいるため、ワーク面６には該画像が刻印される。
尚、液晶マスク４から偏向器５までの透過レーザ光Ｒ２
の集光は液晶マスク４の上流位置に設置した集光レンズ
３で行われる。
して液晶マスクマーカの本体例を大略説明する。同図の
液晶マスクマーカをラスタ照射式として説明する。レー
ザ発振器１からのレーザ光Ｒ１はラスタ照射用偏向器２
によって液晶マスク４の画像面へラスタ照射される。ラ
スタ照射とは、画像面を細いレーザ光Ｒ１でＸＹ方向で
順次照射してゆく照射方式である。液晶マスク４の画像
面を透過したレーザ光Ｒ２は偏向器５を経てワーク面６
へ照射される。透過レーザ光Ｒ２は前記画像の情報を含
んでいるため、ワーク面６には該画像が刻印される。
尚、液晶マスク４から偏向器５までの透過レーザ光Ｒ２
の集光は液晶マスク４の上流位置に設置した集光レンズ
３で行われる。
【００２１】上記ラスタ照射式液晶マスクマーカの本体
例では、図６に示すように、一つの全体画像Ｐを予め５
つの画像Ｐａ〜Ｐｆに分割し、各分割画像Ｐａ〜Ｐｆを
液晶マスク４で順次表示し（図６（ｂ））、表示毎に、
該分割画像Ｐａ〜Ｐｆがワーク面６の最適刻印領域へ刻
印されるように、偏向器５を駆動させる構成となってい
る。そして全体画像Ｐの刻印（刻印時間Ｔ１）の完了
後、図６（ａ）に示すように、次のワークを待ち（待ち
時間Ｔ２）、その後、次のワークに対して上記刻印動作
を繰り返す。次のワークへの移行は、同じく上記偏向器
５を用いてもよいが、本例では、ワークフイーダ７を用
いている。即ち、制御器８を備え、該制御器８は、同図
に示すように、前記レーザ発振器１、ラスタ照射用偏向
器２、液晶マスク４ 偏向器５、ワークフイーダ用駆動
モータ７１、ワーク位置検出センサ７２と電気的に接続
され、外部端末機９からの指示により、これらを同期制
御している。液晶マスク４への電圧の印加（即ち、電圧
の印加及び接地）及び調整（印加電圧の上げ下げ）は、
この制御器８が行っている。
例では、図６に示すように、一つの全体画像Ｐを予め５
つの画像Ｐａ〜Ｐｆに分割し、各分割画像Ｐａ〜Ｐｆを
液晶マスク４で順次表示し（図６（ｂ））、表示毎に、
該分割画像Ｐａ〜Ｐｆがワーク面６の最適刻印領域へ刻
印されるように、偏向器５を駆動させる構成となってい
る。そして全体画像Ｐの刻印（刻印時間Ｔ１）の完了
後、図６（ａ）に示すように、次のワークを待ち（待ち
時間Ｔ２）、その後、次のワークに対して上記刻印動作
を繰り返す。次のワークへの移行は、同じく上記偏向器
５を用いてもよいが、本例では、ワークフイーダ７を用
いている。即ち、制御器８を備え、該制御器８は、同図
に示すように、前記レーザ発振器１、ラスタ照射用偏向
器２、液晶マスク４ 偏向器５、ワークフイーダ用駆動
モータ７１、ワーク位置検出センサ７２と電気的に接続
され、外部端末機９からの指示により、これらを同期制
御している。液晶マスク４への電圧の印加（即ち、電圧
の印加及び接地）及び調整（印加電圧の上げ下げ）は、
この制御器８が行っている。
【００２２】尚、予め説明すれば、本発明が適用される
液晶マスクマーカの本体例は、上記ラスタ照射式液晶マ
スクマーカに限る必要はなく、図５をそのまま流用して
説明すれば、ラスタ照射用偏向器２を単なる拡大レンズ
とすれば、一括照射式液晶マスクマーカとなる。また勿
論、ラスタ照射式であれ、又は、一括照射式であれ、ま
た、偏向器５の有無に係わらず、上記したような画像分
割方式ではなく、全体画像をそのまま刻印する方式の液
晶マスクマーカであってもよい。この場合、図６（ｂ）
の手順はなく、同図（ａ）を、その「刻印時間Ｔ１」を
同図（ｂ）の「表示」と、また「待ち時間Ｔ２」を「接
地及び待ち時間」として見ればよい。
液晶マスクマーカの本体例は、上記ラスタ照射式液晶マ
スクマーカに限る必要はなく、図５をそのまま流用して
説明すれば、ラスタ照射用偏向器２を単なる拡大レンズ
とすれば、一括照射式液晶マスクマーカとなる。また勿
論、ラスタ照射式であれ、又は、一括照射式であれ、ま
た、偏向器５の有無に係わらず、上記したような画像分
割方式ではなく、全体画像をそのまま刻印する方式の液
晶マスクマーカであってもよい。この場合、図６（ｂ）
の手順はなく、同図（ａ）を、その「刻印時間Ｔ１」を
同図（ｂ）の「表示」と、また「待ち時間Ｔ２」を「接
地及び待ち時間」として見ればよい。
【００２３】かかる液晶マスクマーカの各本体例におい
て、制御器８は、例えば次の制御を行う。尚、以下の各
実施例は、各解析グラフ図１〜図３を参照してその構
成、作用及び効果を説明する。各図は、前記解析グラフ
図４の符号に対応する。
て、制御器８は、例えば次の制御を行う。尚、以下の各
実施例は、各解析グラフ図１〜図３を参照してその構
成、作用及び効果を説明する。各図は、前記解析グラフ
図４の符号に対応する。
【００２４】第１実施例を図１を参照して説明すれば、
制御器８は、液晶マスク４に対し、その表示画像書き替
え時、現画像Ｐ１の画素Ｂの電圧を透過状態の電圧まで
一旦上げ、そののち全画素Ａ、Ｂを接地又は同電位に
し、その後、次画像Ｐ２を立ち上げる信号を出力する。
尚、画素Ｂの電圧を上げるといっても、その透過率を画
素Ａの透過率まで高めるという意味ではない（勿論、画
素Ｂの電圧を画素Ａの電圧まで高め、そのままにすれ
ば、同じ透過率になる）。そして、画素Ｂの上げ電圧
は、画素Ａの電圧と同じである必要はない。
制御器８は、液晶マスク４に対し、その表示画像書き替
え時、現画像Ｐ１の画素Ｂの電圧を透過状態の電圧まで
一旦上げ、そののち全画素Ａ、Ｂを接地又は同電位に
し、その後、次画像Ｐ２を立ち上げる信号を出力する。
尚、画素Ｂの電圧を上げるといっても、その透過率を画
素Ａの透過率まで高めるという意味ではない（勿論、画
素Ｂの電圧を画素Ａの電圧まで高め、そのままにすれ
ば、同じ透過率になる）。そして、画素Ｂの上げ電圧
は、画素Ａの電圧と同じである必要はない。
【００２５】第１実施例によれば、図１の次画像Ｐ２で
示されるように、残像Ａ２は残るものの、逆残像Ｂ１が
なくなるため、刻印の鮮明度は向上する。しかも、透過
部Ａ１、Ｂ１の透過率がほぼ同値で立ち上がるため、レ
ーザ光照射タイミングの設定が容易となり、このため、
高速刻印性を確実に向上させることができる。
示されるように、残像Ａ２は残るものの、逆残像Ｂ１が
なくなるため、刻印の鮮明度は向上する。しかも、透過
部Ａ１、Ｂ１の透過率がほぼ同値で立ち上がるため、レ
ーザ光照射タイミングの設定が容易となり、このため、
高速刻印性を確実に向上させることができる。
【００２６】第２実施例を図２を参照して説明すれば、
制御器８は、液晶マスク４に対し、その表示画像書き替
え時、現画像Ｐ１の画素Ａの電圧を不透過状態の電圧ま
で一旦下げ、そののち全画素Ａ、Ｂを接地又は同電位に
し、その後、次画像Ｐ２を立ち上げる信号を出力する。
本例では、画素Ａの透過率が画素Ｂの透過率まで下がっ
たときを見計らって、全画素Ａ、Ｂを接地し、その後、
次画像Ｐ２を立ち上げる。尚、本実施例においても、画
素Ａの下げ電圧は、画素Ｂの電圧と同じである必要はな
い。
制御器８は、液晶マスク４に対し、その表示画像書き替
え時、現画像Ｐ１の画素Ａの電圧を不透過状態の電圧ま
で一旦下げ、そののち全画素Ａ、Ｂを接地又は同電位に
し、その後、次画像Ｐ２を立ち上げる信号を出力する。
本例では、画素Ａの透過率が画素Ｂの透過率まで下がっ
たときを見計らって、全画素Ａ、Ｂを接地し、その後、
次画像Ｐ２を立ち上げる。尚、本実施例においても、画
素Ａの下げ電圧は、画素Ｂの電圧と同じである必要はな
い。
【００２７】第２実施例によれば、図２の次画像Ｐ２に
示されるように、残像Ａ２と逆残像Ｂ１がなくなるた
め、刻印の鮮明度が向上する。しかも、透過部Ａ１、Ｂ
１の透過率がほぼ同値で立ち上がるため、レーザ光照射
タイミングの設定が容易となり、このため、高速刻印性
も向上する。尚、従来の全画素電位接地式でも、上記第
２実施例（図２）の類似状態を得ることができるが、従
来の全画素電位接地式の場合は、液晶が一種のコンデン
サとして完全に作用するため、図２と同じ状態を得るに
は上記第２実施例よりも長い時間を要す。即ち、この第
１実施例によれば、時間短縮を図ることができる。
示されるように、残像Ａ２と逆残像Ｂ１がなくなるた
め、刻印の鮮明度が向上する。しかも、透過部Ａ１、Ｂ
１の透過率がほぼ同値で立ち上がるため、レーザ光照射
タイミングの設定が容易となり、このため、高速刻印性
も向上する。尚、従来の全画素電位接地式でも、上記第
２実施例（図２）の類似状態を得ることができるが、従
来の全画素電位接地式の場合は、液晶が一種のコンデン
サとして完全に作用するため、図２と同じ状態を得るに
は上記第２実施例よりも長い時間を要す。即ち、この第
１実施例によれば、時間短縮を図ることができる。
【００２８】第３実施例を図３も併せて参照して説明す
れば、制御器８は、液晶マスク４に対し、その表示画像
書き替え時、現画像Ｐ１を画素Ａの電圧を下げ（好まし
くは不透過レベルの電圧まで）、かつ、画素Ｂの電圧を
上げた（好ましくは光透過レベルの電圧まで）のち全画
素Ａ、Ｂを接地又は同電位にし、その後、次画像Ｐ２を
立ち上げる信号を出力する。尚、画素Ａの下げ電圧と、
画素Ｂの上げ電圧とは同一である必要はないが、本例で
は、両透過率が所定の透過率となる時を見計らって、そ
の時、全画素Ａ、Ｂを接地し、その後、次画像Ｐ２を立
ち上げた。
れば、制御器８は、液晶マスク４に対し、その表示画像
書き替え時、現画像Ｐ１を画素Ａの電圧を下げ（好まし
くは不透過レベルの電圧まで）、かつ、画素Ｂの電圧を
上げた（好ましくは光透過レベルの電圧まで）のち全画
素Ａ、Ｂを接地又は同電位にし、その後、次画像Ｐ２を
立ち上げる信号を出力する。尚、画素Ａの下げ電圧と、
画素Ｂの上げ電圧とは同一である必要はないが、本例で
は、両透過率が所定の透過率となる時を見計らって、そ
の時、全画素Ａ、Ｂを接地し、その後、次画像Ｐ２を立
ち上げた。
【００２９】第３実施例によれば、図３の次画像Ｐ２に
示されるように、残像Ａ２と逆残像Ｂ１とがなくなるた
め、刻印の鮮明度が向上する。しかも、透過部Ａ１、Ｂ
１の透過率がほぼ同値で立ち上がるため、レーザ光照射
タイミングの設定が容易となり、このため、高速刻印性
も向上する。
示されるように、残像Ａ２と逆残像Ｂ１とがなくなるた
め、刻印の鮮明度が向上する。しかも、透過部Ａ１、Ｂ
１の透過率がほぼ同値で立ち上がるため、レーザ光照射
タイミングの設定が容易となり、このため、高速刻印性
も向上する。
【００３０】補足すれば、本発明（実施例）が単に高速
性を有する液晶マスクマーカだけに適用されるばかりで
なく、通常の液晶マスクマーカへも適用できることは言
うまでもない。
性を有する液晶マスクマーカだけに適用されるばかりで
なく、通常の液晶マスクマーカへも適用できることは言
うまでもない。
【００３１】上記実施例によれば、残像Ａ２と逆残像Ｂ
１とを解消でき、刻印の鮮明度を高めることができる。
従って、分割画像の継ぎ目における刻印品質の低下も阻
止できる。
１とを解消でき、刻印の鮮明度を高めることができる。
従って、分割画像の継ぎ目における刻印品質の低下も阻
止できる。
【００３２】さらに、上記第１実施例〜第３実施例を比
較すれば、個々の鮮明度は多少異なるが、いずれの実施
例も、透過部Ａ１、Ｂ１の透過率をほぼ同値で立ち上げ
ることができることである。即ち、高密度エネルギー光
の照射開始時期Ｔｓを高速性と高鮮明性とを考慮しつつ
管理状態における。これにより、刻印速度と刻印鮮明度
を自在に管理できる。
較すれば、個々の鮮明度は多少異なるが、いずれの実施
例も、透過部Ａ１、Ｂ１の透過率をほぼ同値で立ち上げ
ることができることである。即ち、高密度エネルギー光
の照射開始時期Ｔｓを高速性と高鮮明性とを考慮しつつ
管理状態における。これにより、刻印速度と刻印鮮明度
を自在に管理できる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
残像処理、逆残像処理及び高密度エネルギー光照射タイ
ミングを管理状態にできる。即ち、要求に応じてこれら
を自在に設定できる液晶マスクマーカの画像表示方法と
なる。詳しくは、次の通りである。
残像処理、逆残像処理及び高密度エネルギー光照射タイ
ミングを管理状態にできる。即ち、要求に応じてこれら
を自在に設定できる液晶マスクマーカの画像表示方法と
なる。詳しくは、次の通りである。
【００３４】（１）第１発明なる液晶マスクマーカの画
像表示方法によれば、液晶マスクの表示画像書き替え
時、現画像をオープンしたのち全画素の電極を接地又は
同電位にし、そののち次画像を立ち上げたため、現画像
Ｐ１における不透過画素Ｂの該履歴をキャンセルでき、
このため、残像Ａ２は残るものの、逆残像Ｂ１がなくな
る。即ち、刻印鮮明度が向上する。しかも、透過部Ａ
１、Ｂ１の透過率がほぼ同値で立ち上がるため、レーザ
光照射タイミングの設定を高速性と高鮮明性とをからめ
て管理できる。
像表示方法によれば、液晶マスクの表示画像書き替え
時、現画像をオープンしたのち全画素の電極を接地又は
同電位にし、そののち次画像を立ち上げたため、現画像
Ｐ１における不透過画素Ｂの該履歴をキャンセルでき、
このため、残像Ａ２は残るものの、逆残像Ｂ１がなくな
る。即ち、刻印鮮明度が向上する。しかも、透過部Ａ
１、Ｂ１の透過率がほぼ同値で立ち上がるため、レーザ
光照射タイミングの設定を高速性と高鮮明性とをからめ
て管理できる。
【００３５】（２）第２発明なる液晶マスクマーカの画
像表示方法によれば、液晶マスクの表示画像書き替え
時、現画像をシャットしたのち全画素の電極を接地又は
同電位にし、そののち次画像を立ち上げたため、現画像
Ｐ１における透過画素Ａ及び不透過画素Ｂ（即ち、現画
像Ｐ１自体）の履歴をキャンセルでき、このため、残像
Ａ２と逆残像Ｂ１がなくなる。即ち、刻印鮮明度が向上
する。しかも、透過部Ａ１、Ｂ１の透過率がほぼ同値で
立ち上がるため、レーザ光照射タイミングの設定を高速
性と高鮮明性とをからめて管理できる。
像表示方法によれば、液晶マスクの表示画像書き替え
時、現画像をシャットしたのち全画素の電極を接地又は
同電位にし、そののち次画像を立ち上げたため、現画像
Ｐ１における透過画素Ａ及び不透過画素Ｂ（即ち、現画
像Ｐ１自体）の履歴をキャンセルでき、このため、残像
Ａ２と逆残像Ｂ１がなくなる。即ち、刻印鮮明度が向上
する。しかも、透過部Ａ１、Ｂ１の透過率がほぼ同値で
立ち上がるため、レーザ光照射タイミングの設定を高速
性と高鮮明性とをからめて管理できる。
【００３６】（３）第３発明なる液晶マスクマーカの画
像表示方法によれば、液晶マスクの表示画像書き替え
時、現画像を反転したのち全画素の電極を接地又は同電
位にし、そののち次画像を立ち上げたため、現画像Ｐ１
における透過画素Ａ及び不透過画素Ｂ（即ち、現画像Ｐ
１自体）の履歴をキャンセルでき、このため、残像Ａ２
と逆残像Ｂ１がなくなる。即ち、刻印鮮明度が向上す
る。しかも、透過部Ａ１、Ｂ１の透過率がほぼ同値で立
ち上がるため、レーザ光照射タイミングの設定を高速性
と高鮮明性とをからめて管理できる。
像表示方法によれば、液晶マスクの表示画像書き替え
時、現画像を反転したのち全画素の電極を接地又は同電
位にし、そののち次画像を立ち上げたため、現画像Ｐ１
における透過画素Ａ及び不透過画素Ｂ（即ち、現画像Ｐ
１自体）の履歴をキャンセルでき、このため、残像Ａ２
と逆残像Ｂ１がなくなる。即ち、刻印鮮明度が向上す
る。しかも、透過部Ａ１、Ｂ１の透過率がほぼ同値で立
ち上がるため、レーザ光照射タイミングの設定を高速性
と高鮮明性とをからめて管理できる。
【図１】第１実施例の解析グラフである。
【図２】第２実施例の解析グラフである。
【図３】第３実施例の解析グラフである。
【図４】従来技術の解析グラフである。
【図５】実施例の液晶マスクマーカ本体の構成図であ
る。
る。
【図６】液晶マスクの表示画像書き替え手順を示す図で
あり、（ａ）はワーク毎、（ｂ）は分割画像毎を示す。
あり、（ａ）はワーク毎、（ｂ）は分割画像毎を示す。
【図７】刻印鮮明性の説明図であり、（ａ）は現画像、
（ｂ）は次画像、（ｃ）は残像と逆残像とを含む次画像
である。
（ｂ）は次画像、（ｃ）は残像と逆残像とを含む次画像
である。
１ レーザ発振器 ２ ラスタ照射用偏向器 ３ 集光レンズ ４ 液晶マスク ５ 偏向器 ６ ワーク面 ７ ワークフイーダ ７１ ワークフイーダ用駆動モータ ７２ ワーク位置検出センサ ８ 制御器 ９ 外部端末機 Ｒ１ レーザ光 Ｒ２ 透過レーザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 26/06 B23K 26/00 G02F 1/13
Claims (3)
- 【請求項１】 高密度エネルギー光をワークに刻印すべ
き画像情報が与えられる液晶マスクへ照射し、その透過
光をワーク表面に照射することにより、該ワーク表面に
前記画像を刻印する液晶マスクマーカにおいて、前記液
晶マスクの表示画像書き替え時、全画素を光透過状態に
したのち全画素の電極を接地又は同電位にし、そののち
次画像を立ち上げたことを特徴とする液晶マスクマーカ
の画像表示方法。 - 【請求項２】 高密度エネルギー光をワークに刻印すべ
き画像情報が与えられる液晶マスクへ照射し、その透過
光をワーク表面に照射することにより、該ワーク表面に
前記画像を刻印する液晶マスクマーカにおいて、前記液
晶マスクの表示画像書き替え時、全画素を光不透過状態
にしたのち全画素の電極を接地又は同電位にし、そのの
ち次画像を立ち上げたことを特徴とする液晶マスクマー
カの画像表示方法。 - 【請求項３】 高密度エネルギー光をワークに刻印すべ
き画像情報が与えられる液晶マスクへ照射し、その透過
光をワーク表面に照射することにより、該ワーク表面に
前記画像を刻印する液晶マスクマーカにおいて、前記液
晶マスクの表示画像書き替え時、現画像の光透過画素を
光不透過へかつ光不透過画素を光透過へと反転したのち
全画素の電極を接地又は同電位にし、そののち次画像を
立ち上げたことを特徴とする液晶マスクマーカの画像表
示方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03422894A JP3263516B2 (ja) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | 液晶マスクマーカの画像表示方法 |
| DE69509072T DE69509072T2 (de) | 1994-02-08 | 1995-02-06 | Bildanzeigeverfahren für eine flüssigkristallmaske-markiervorrichtung |
| US08/687,467 US5760370A (en) | 1994-02-08 | 1995-02-06 | Image display method for liquid crystal mask laser marker |
| PCT/JP1995/000149 WO1995021717A1 (fr) | 1994-02-08 | 1995-02-06 | Procede d'affichage d'image pour afficheur par panneau a cristaux liquides |
| EP95907837A EP0744238B1 (en) | 1994-02-08 | 1995-02-06 | Image display method for liquid crystal mask marker |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03422894A JP3263516B2 (ja) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | 液晶マスクマーカの画像表示方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07214363A JPH07214363A (ja) | 1995-08-15 |
| JP3263516B2 true JP3263516B2 (ja) | 2002-03-04 |
Family
ID=12408296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03422894A Expired - Fee Related JP3263516B2 (ja) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | 液晶マスクマーカの画像表示方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5760370A (ja) |
| EP (1) | EP0744238B1 (ja) |
| JP (1) | JP3263516B2 (ja) |
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| WO (1) | WO1995021717A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4734558A (en) * | 1983-05-16 | 1988-03-29 | Nec Corporation | Laser machining apparatus with controllable mask |
| US4818835A (en) * | 1987-03-02 | 1989-04-04 | Hitachi, Ltd. | Laser marker and method of laser marking |
| JPH01134497A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置の電源回路 |
| ATE126381T1 (de) * | 1989-10-27 | 1995-08-15 | Canon Kk | Flüssigkristall-anzeigegerät mit kontrollierter abschaltung. |
| JPH03248784A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-06 | Hitachi Ltd | レーザマーキングシステム |
| JP2701183B2 (ja) * | 1991-08-09 | 1998-01-21 | 株式会社小松製作所 | 液晶マスク式レーザマーカ |
| JP2631595B2 (ja) * | 1992-01-31 | 1997-07-16 | 株式会社小松製作所 | 液晶駆動装置およびレーザマーカ |
| DE69326704T2 (de) * | 1992-11-11 | 2000-06-08 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho, Tokio/Tokyo | Flüssigkristallanzeige für laser-markierungsvorrichtung |
| JP3195449B2 (ja) * | 1992-11-26 | 2001-08-06 | 株式会社小松製作所 | レーザマーカにおける液晶表示切換え装置 |
-
1994
- 1994-02-08 JP JP03422894A patent/JP3263516B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-02-06 WO PCT/JP1995/000149 patent/WO1995021717A1/ja active IP Right Grant
- 1995-02-06 DE DE69509072T patent/DE69509072T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-02-06 EP EP95907837A patent/EP0744238B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-02-06 US US08/687,467 patent/US5760370A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0744238B1 (en) | 1999-04-14 |
| WO1995021717A1 (fr) | 1995-08-17 |
| DE69509072D1 (de) | 1999-05-20 |
| US5760370A (en) | 1998-06-02 |
| EP0744238A1 (en) | 1996-11-27 |
| JPH07214363A (ja) | 1995-08-15 |
| EP0744238A4 (en) | 1997-01-29 |
| DE69509072T2 (de) | 1999-08-05 |
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