JP3262298B2 - 光信号増幅素子 - Google Patents
光信号増幅素子Info
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- JP3262298B2 JP3262298B2 JP14602393A JP14602393A JP3262298B2 JP 3262298 B2 JP3262298 B2 JP 3262298B2 JP 14602393 A JP14602393 A JP 14602393A JP 14602393 A JP14602393 A JP 14602393A JP 3262298 B2 JP3262298 B2 JP 3262298B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光信号増幅素子に関
し、より詳細には光スイッチや光変調器を実現しやすい
特性を有する光導波路に対して、そこを伝搬する光信号
を増幅する機能に優れた光信号増幅素子に関するもので
ある。
し、より詳細には光スイッチや光変調器を実現しやすい
特性を有する光導波路に対して、そこを伝搬する光信号
を増幅する機能に優れた光信号増幅素子に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】２１世紀の高度な情報通信サービスの実
現に向けた高速・高帯域通信網の構築のため、光通信技
術が不可欠になっている。
現に向けた高速・高帯域通信網の構築のため、光通信技
術が不可欠になっている。
【０００３】例えば、量子井戸構造を有する光導波路を
伝搬する光信号に対して、電圧や電流を加えることで光
導波路の屈折率等を変化させ、これを利用することで光
変調や光スイッチングを行うことが試みられている。
伝搬する光信号に対して、電圧や電流を加えることで光
導波路の屈折率等を変化させ、これを利用することで光
変調や光スイッチングを行うことが試みられている。
【０００４】例えば、量子閉じ込めシュタルク効果等の
効果を利用して、逆方向電圧を加えることで光導波路の
屈折率を変える場合には、光導波路の量子井戸構造のバ
リアが高い方が量子効果が大きくなるため、光の変調や
スイッチングを低電圧で駆動することができて有利であ
る。
効果を利用して、逆方向電圧を加えることで光導波路の
屈折率を変える場合には、光導波路の量子井戸構造のバ
リアが高い方が量子効果が大きくなるため、光の変調や
スイッチングを低電圧で駆動することができて有利であ
る。
【０００５】量子井戸構造導波路として従来使われてい
た、バリアの低いＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系（ＩｎＧａ
ＡｓＰは量子井戸構造層の材料／ＩｎＰはバリア層の材
料）やＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系（ＩｎＧａＡ
ｓＰは量子井戸構造層の材料／ＩｎＧａＡｓＰはバリア
層の材料）を使った場合には、量子効果が小さいために
光スイッチや光変調器として利用した場合の効果が悪
く、高い電圧や電流を加えなければならなかった。この
ために、よりバリアの高いＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
系やＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系等の導波路が用
いられ始めている。
た、バリアの低いＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系（ＩｎＧａ
ＡｓＰは量子井戸構造層の材料／ＩｎＰはバリア層の材
料）やＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系（ＩｎＧａＡ
ｓＰは量子井戸構造層の材料／ＩｎＧａＡｓＰはバリア
層の材料）を使った場合には、量子効果が小さいために
光スイッチや光変調器として利用した場合の効果が悪
く、高い電圧や電流を加えなければならなかった。この
ために、よりバリアの高いＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
系やＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系等の導波路が用
いられ始めている。
【０００６】ここで問題となるのは、光導波路を伝搬す
る間に減衰する光信号をいかに補償するかである。通常
は、光増幅器を用いて光信号を増幅する。
る間に減衰する光信号をいかに補償するかである。通常
は、光増幅器を用いて光信号を増幅する。
【０００７】しかしながら、バリアが高い（すなわち抵
抗が高く、電流が流れにくい）光導波路に対して、それ
に装荷された形で形成された光増幅器によって光信号を
補償することは、以下に説明するように困難であった。
抗が高く、電流が流れにくい）光導波路に対して、それ
に装荷された形で形成された光増幅器によって光信号を
補償することは、以下に説明するように困難であった。
【０００８】従来の光信号増幅素子の例を図３に示す。
図３において、５０１はｎ型電極、５０２はｎ型ＩｎＰ
基板、５０３はバリアが高い量子井戸構造の光導波路
（例えば、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系やＩｎＧａＡ
ｌＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系）、５０４は光信号の損失を補
償するための光増幅器の活性層、５０５，５０６は活性
層への電流狭窄を行うための高抵抗層、５０７はｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層、５０８はｐ型電極である。
図３において、５０１はｎ型電極、５０２はｎ型ＩｎＰ
基板、５０３はバリアが高い量子井戸構造の光導波路
（例えば、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系やＩｎＧａＡ
ｌＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系）、５０４は光信号の損失を補
償するための光増幅器の活性層、５０５，５０６は活性
層への電流狭窄を行うための高抵抗層、５０７はｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層、５０８はｐ型電極である。
【０００９】図３に示す光信号増幅素子は、量子井戸導
波路のバリア層が通常使われるＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ
系やＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系の量子井戸導波
路に比べて高いためにキャリアの閉じ込めが強く、量子
効果が大きい。そのため光スイッチや光変調器を構成
し、それを動作させる際に導波路部分に加える電圧が小
さくてすむという利点があった。
波路のバリア層が通常使われるＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ
系やＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系の量子井戸導波
路に比べて高いためにキャリアの閉じ込めが強く、量子
効果が大きい。そのため光スイッチや光変調器を構成
し、それを動作させる際に導波路部分に加える電圧が小
さくてすむという利点があった。
【００１０】一方、前記光信号増幅素子は、導波路の伝
搬損失に伴う損失を補償するため、光増幅器の活性層５
０４に電流を注入する必要がある。ところが、バリアが
高い光導波路５０３の抵抗が高く、すなわち、電流が流
れにくいために、この素子は光増幅器の活性層５０４に
十分な電流密度を与えることが困難で、伝搬損失に伴う
損失の補償が不可能であった。
搬損失に伴う損失を補償するため、光増幅器の活性層５
０４に電流を注入する必要がある。ところが、バリアが
高い光導波路５０３の抵抗が高く、すなわち、電流が流
れにくいために、この素子は光増幅器の活性層５０４に
十分な電流密度を与えることが困難で、伝搬損失に伴う
損失の補償が不可能であった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】以上、説明したよう
に、光信号増幅素子の光導波路としてバリアの高いもの
（例えばＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系やＩｎＧａＡｌ
Ａｓ／ＩｎＡｌＡｓ系）を用いた場合には、光スイッチ
や光変調器としては有利であるが、光増幅器の活性層に
電流を注入することができず、光導波路の伝搬損失を補
償できないという問題があった。
に、光信号増幅素子の光導波路としてバリアの高いもの
（例えばＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系やＩｎＧａＡｌ
Ａｓ／ＩｎＡｌＡｓ系）を用いた場合には、光スイッチ
や光変調器としては有利であるが、光増幅器の活性層に
電流を注入することができず、光導波路の伝搬損失を補
償できないという問題があった。
【００１２】一方、光信号増幅素子の光導波路としてバ
リアの低いもの（例えばＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系やＩ
ｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系）を用いた場合には光
増幅器への電流注入は容易であるが、光導波路の量子効
果が弱いために光スイッチや光変調器としての効率が悪
いという問題があった。
リアの低いもの（例えばＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系やＩ
ｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系）を用いた場合には光
増幅器への電流注入は容易であるが、光導波路の量子効
果が弱いために光スイッチや光変調器としての効率が悪
いという問題があった。
【００１３】本発明は、前記問題点を解決するためにな
されたものであり、本発明の目的は光導波路としてバリ
アの高いものを利用しつつ、光増幅器への電流注入を容
易にする光信号増幅素子を提供することにある。
されたものであり、本発明の目的は光導波路としてバリ
アの高いものを利用しつつ、光増幅器への電流注入を容
易にする光信号増幅素子を提供することにある。
【００１４】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
にする。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
にする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、半導体基板と、該基板上に形成された少
なくとも光導波層を有する光導波路と、該光導波路上に
装荷された少なくとも活性層と電流を注入する電極とを
有する光増幅器からなる光信号増幅素子において、前記
光導波路は、多重量子井戸構造で構成され、そのバリア
層の電子もしくは正孔に対する障壁の高さがクラッド層
よりも高い材料からなり、前記クラッド層として、前記
光増幅器の活性層の片側にｎ型の半導体層、逆側にｐ型
の半導体層を有することを特徴とする。
に、本発明は、半導体基板と、該基板上に形成された少
なくとも光導波層を有する光導波路と、該光導波路上に
装荷された少なくとも活性層と電流を注入する電極とを
有する光増幅器からなる光信号増幅素子において、前記
光導波路は、多重量子井戸構造で構成され、そのバリア
層の電子もしくは正孔に対する障壁の高さがクラッド層
よりも高い材料からなり、前記クラッド層として、前記
光増幅器の活性層の片側にｎ型の半導体層、逆側にｐ型
の半導体層を有することを特徴とする。
【００１６】前記バリア層として、ＩｎＧａＡｌＡｓま
たはＩｎＡｌＡｓを用いることを特徴とする。
たはＩｎＡｌＡｓを用いることを特徴とする。
【００１７】前記光増幅器の活性層の上に高抵抗層また
は絶縁層を有することを特徴とする。
は絶縁層を有することを特徴とする。
【００１８】
【作用】前述の手段によれば、光増幅器の活性層の片側
にｎ型の半導体層、逆側にｐ型の半導体層を使うことに
よって光増幅器の活性層への電流注入を、光導波路の光
導波層のバリアに妨害されずに行うことができる。これ
により、光導波層としてバリアの高いものを利用しつ
つ、光増幅器への電流注入を容易にする光信号増幅素子
を得ることができる。
にｎ型の半導体層、逆側にｐ型の半導体層を使うことに
よって光増幅器の活性層への電流注入を、光導波路の光
導波層のバリアに妨害されずに行うことができる。これ
により、光導波層としてバリアの高いものを利用しつ
つ、光増幅器への電流注入を容易にする光信号増幅素子
を得ることができる。
【００１９】また、活性層の上に高抵抗層を設けること
により、電極から注入された電流を効率よく活性層に閉
じ込めることができる。
により、電極から注入された電流を効率よく活性層に閉
じ込めることができる。
【００２０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００２１】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
係わる光信号増幅素子の模式的な断面図である。図１に
おいて、１０２はｐ型ＩｎＰ基板、１０３はバリアが高
い量子井戸光導波路である。量子井戸光導波路１０３
は、例えば、量子井戸構造層の材料としてＩｎＧａＡｓ
を用い、バリア層の材料としてＩｎＡｌＡｓを用いた、
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系で構成されている。ある
いは、量子井戸構造層の材料としてＩｎＧａＡｌＡｓを
用いた、バリア層の材料としてＩｎＡｌＡｓを用いるＩ
ｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系で構成してもよい。
係わる光信号増幅素子の模式的な断面図である。図１に
おいて、１０２はｐ型ＩｎＰ基板、１０３はバリアが高
い量子井戸光導波路である。量子井戸光導波路１０３
は、例えば、量子井戸構造層の材料としてＩｎＧａＡｓ
を用い、バリア層の材料としてＩｎＡｌＡｓを用いた、
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系で構成されている。ある
いは、量子井戸構造層の材料としてＩｎＧａＡｌＡｓを
用いた、バリア層の材料としてＩｎＡｌＡｓを用いるＩ
ｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系で構成してもよい。
【００２２】１０４は光導波路を伝搬する光信号の損失
を補償するための光増幅器の活性層、１０５はｎ型Ｉｎ
Ｐクラッド層、１０６はｐ型ＩｎＰクラッド層、１１５
はｎ型電極、１１６はｐ型電極である。
を補償するための光増幅器の活性層、１０５はｎ型Ｉｎ
Ｐクラッド層、１０６はｐ型ＩｎＰクラッド層、１１５
はｎ型電極、１１６はｐ型電極である。
【００２３】本実施例１の光信号増幅素子は、図１に示
すように、量子井戸導波路１０３のバリア層が通常使わ
れているＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系やＩｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＧａＡｓＰ系の量子井戸導波路に比べて高いために
キャリアの閉じ込めが強く、量子効果が大きい。そのた
め光スイッチや光変調器を構成する際に量子井戸光導波
路１０３の部分に加える電圧を小さくすることができ
る。
すように、量子井戸導波路１０３のバリア層が通常使わ
れているＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系やＩｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＧａＡｓＰ系の量子井戸導波路に比べて高いために
キャリアの閉じ込めが強く、量子効果が大きい。そのた
め光スイッチや光変調器を構成する際に量子井戸光導波
路１０３の部分に加える電圧を小さくすることができ
る。
【００２４】一方、前記光信号増幅素子は、導波路の伝
搬損失に伴う損失を補償するため、光増幅器の活性層１
０４に電流を注入する必要がある。図１に示すように、
ｎ型電極１１５及びｐ型電極１１６から注入されたキャ
リアは量子井戸構造の高いバリア層によって妨害される
ことなく、活性層１０４に達することができる。
搬損失に伴う損失を補償するため、光増幅器の活性層１
０４に電流を注入する必要がある。図１に示すように、
ｎ型電極１１５及びｐ型電極１１６から注入されたキャ
リアは量子井戸構造の高いバリア層によって妨害される
ことなく、活性層１０４に達することができる。
【００２５】（実施例２） 図２は本発明の実施例２に係わる光信号増幅素子の模式
的な断面図である。図２において、３０２はｐ型ＩｎＰ
基板、３０３はバリアが高い量子井戸光導波路（例え
ば、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系やＩｎＧａＡｌＡｓ
／ＩｎＡｌＡｓ系）、３０４は光導波路を伝搬する光信
号の損失を補償するための光増幅器の活性層、３０５は
ｎ型ＩｎＰクラッド層、３０６はｐ型ＩｎＰクラッド
層、３０７は高抵抗層、３１５はｎ型電極、３１６はｐ
型電極である。
的な断面図である。図２において、３０２はｐ型ＩｎＰ
基板、３０３はバリアが高い量子井戸光導波路（例え
ば、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系やＩｎＧａＡｌＡｓ
／ＩｎＡｌＡｓ系）、３０４は光導波路を伝搬する光信
号の損失を補償するための光増幅器の活性層、３０５は
ｎ型ＩｎＰクラッド層、３０６はｐ型ＩｎＰクラッド
層、３０７は高抵抗層、３１５はｎ型電極、３１６はｐ
型電極である。
【００２６】本実施例２の光信号増幅素子は、図２に示
すように、量子井戸光導波路３０３のバリアが通常使わ
れるＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系やＩｎＧａＡｌＡｓ／Ｉ
ｎＧａＡｓＰ系の量子井戸導波路に比べて高いためにキ
ャリアの閉じ込めが強く、量子効果が大きい。そのため
光スイッチや光変調器を構成する際に導波路部分に加え
る電圧を小さくすることができる。
すように、量子井戸光導波路３０３のバリアが通常使わ
れるＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系やＩｎＧａＡｌＡｓ／Ｉ
ｎＧａＡｓＰ系の量子井戸導波路に比べて高いためにキ
ャリアの閉じ込めが強く、量子効果が大きい。そのため
光スイッチや光変調器を構成する際に導波路部分に加え
る電圧を小さくすることができる。
【００２７】一方、前記光信号増幅素子は、導波路の伝
搬損失に伴う損失を補償するため、光増幅器の活性層３
０４に電流を注入する必要がある。図２に示すように、
ｎ型電極３１５及びｐ型電極３１６から注入されたキャ
リアは、量子井戸構造の高いバリア層によって妨害され
ることなく、活性層３０４に達することができる。
搬損失に伴う損失を補償するため、光増幅器の活性層３
０４に電流を注入する必要がある。図２に示すように、
ｎ型電極３１５及びｐ型電極３１６から注入されたキャ
リアは、量子井戸構造の高いバリア層によって妨害され
ることなく、活性層３０４に達することができる。
【００２８】また、活性層３０４の上に高抵抗層３０７
を設けることにより、電極から注入された電流を効率よ
く活性層３０４に閉じ込めることができる。
を設けることにより、電極から注入された電流を効率よ
く活性層３０４に閉じ込めることができる。
【００２９】以上の説明からわかるように、本実施例
１，２によれば、光増幅器の活性層１０４，３０４への
電流注入を横方行から行うことにより、電流注入を光導
波路の高い抵抗に妨害されずに行うことができる。これ
により、光導波路としてバリアの高いものを利用しつ
つ、光増幅器への電流注入を容易にする光信号増幅素子
を得ることができる。
１，２によれば、光増幅器の活性層１０４，３０４への
電流注入を横方行から行うことにより、電流注入を光導
波路の高い抵抗に妨害されずに行うことができる。これ
により、光導波路としてバリアの高いものを利用しつ
つ、光増幅器への電流注入を容易にする光信号増幅素子
を得ることができる。
【００３０】なお、前記実施例においては、ＩｎＰ基板
を例に説明を行ったが、他の半導体基板においても同様
な効果を得ることができる。
を例に説明を行ったが、他の半導体基板においても同様
な効果を得ることができる。
【００３１】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００３２】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、光増幅器の活性層の片側にｎ型の半導体層、逆側に
ｐ型の半導体層を使うことによって光増幅器への電流注
入を光導波路のバリアに妨害されずに行うことができ
る。これにより、光導波路として量子効果の大きい、バ
リア層の高い量子井戸構造を利用しつつ、光増幅器への
電流注入を容易にする光信号増幅素子を得ることができ
る。
ば、光増幅器の活性層の片側にｎ型の半導体層、逆側に
ｐ型の半導体層を使うことによって光増幅器への電流注
入を光導波路のバリアに妨害されずに行うことができ
る。これにより、光導波路として量子効果の大きい、バ
リア層の高い量子井戸構造を利用しつつ、光増幅器への
電流注入を容易にする光信号増幅素子を得ることができ
る。
【００３３】また、活性層の上に高抵抗層を設けること
により、電極から注入された電流を効率よく活性層に閉
じ込めることができる。
により、電極から注入された電流を効率よく活性層に閉
じ込めることができる。
【図１】 本発明の実施例１に係わる光信号増幅素子の
模式的な断面図、
模式的な断面図、
【図２】 本発明の実施例２に係わる光信号増幅素子の
模式的な断面図、
模式的な断面図、
【図３】 従来の光信号増幅素子の問題点を説明するた
めの図。
めの図。
１０２，３０２，５０１…ｐ型ＩｎＰ基板、１０３，３
０３，５０３…バリアが高い量子井戸光導波路、１０
４，３０４，５０４…光増幅器の活性層、１０５，３０
５…ｎ型ＩｎＰクラッド層、１０６，３０６，５０７…
ｐ型ＩｎＰクラッド層、３０７，５０５，５０６…高抵
抗層、１１５，３１５，５０１…ｎ型電極、１１６，３
１６，５０８…ｐ型電極。
０３，５０３…バリアが高い量子井戸光導波路、１０
４，３０４，５０４…光増幅器の活性層、１０５，３０
５…ｎ型ＩｎＰクラッド層、１０６，３０６，５０７…
ｐ型ＩｎＰクラッド層、３０７，５０５，５０６…高抵
抗層、１１５，３１５，５０１…ｎ型電極、１１６，３
１６，５０８…ｐ型電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−184416（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−163983（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−50124（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−19715（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−335551（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 G02B 6/12 G02F 1/35
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板と、該基板上に形成された少
なくとも光導波層を有する光導波路と、該光導波路上に
装荷された少なくとも活性層と電流を注入する電極とを
有する光増幅器からなる光信号増幅素子において、 前記光導波路は、多重量子井戸構造で構成され、そのバ
リア層の電子もしくは正孔に対する障壁の高さがクラッ
ド層よりも高い材料からなり、前記クラッド層として、 前記光増幅器の活性層の片側に
ｎ型の半導体層、逆側にｐ型の半導体層を有することを
特徴とする光信号増幅素子。 - 【請求項２】 前記バリア層として、ＩｎＧａＡｌＡｓ
またはＩｎＡｌＡｓを用いることを特徴とする請求項１
に記載の光信号増幅素子。 - 【請求項３】 前記光増幅器の活性層の上に高抵抗層ま
たは絶縁層を有することを特徴とする請求項１または２
に記載の光信号増幅素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14602393A JP3262298B2 (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 光信号増幅素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14602393A JP3262298B2 (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 光信号増幅素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077226A JPH077226A (ja) | 1995-01-10 |
| JP3262298B2 true JP3262298B2 (ja) | 2002-03-04 |
Family
ID=15398358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14602393A Expired - Lifetime JP3262298B2 (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 光信号増幅素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3262298B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5463760B2 (ja) | 2009-07-02 | 2014-04-09 | 三菱電機株式会社 | 光導波路集積型半導体光素子およびその製造方法 |
| WO2022113153A1 (ja) * | 2020-11-24 | 2022-06-02 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光素子 |
-
1993
- 1993-06-17 JP JP14602393A patent/JP3262298B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH077226A (ja) | 1995-01-10 |
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