JP3258224B2 - ジャイロトロン用磁場発生装置 - Google Patents
ジャイロトロン用磁場発生装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁場発生装置に関
し、特に、電子サイクロトロン共鳴メーザー作用を利用
してマイクロ波又はミリ波を発生するジャイロトロン・
ジャイロクライストロン、ジャイロＴＷＴ（トラベリン
グ・ウェーブ・チューブ）等に使用して好適な磁場発生
装置に関する。
し、特に、電子サイクロトロン共鳴メーザー作用を利用
してマイクロ波又はミリ波を発生するジャイロトロン・
ジャイロクライストロン、ジャイロＴＷＴ（トラベリン
グ・ウェーブ・チューブ）等に使用して好適な磁場発生
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】サイクロトロン共鳴によるメーザー作用
を用いたマイクロ波電子管として、軸対称の中空円筒の
電子ビームを用いたジャイロトロンが知られている。ジ
ャイロトロンには、電子群が１個の共振回路（空洞共振
器）中の電磁界と相互作用し、電子の運動エネルギーを
電磁波エネルギーに変換することによって共振回路中に
高周波を発振させるジャイロモノトロンや、複数の空洞
共振器を用いて電磁波の増幅現象を行わせるジャイロク
ライストロン等がある。
を用いたマイクロ波電子管として、軸対称の中空円筒の
電子ビームを用いたジャイロトロンが知られている。ジ
ャイロトロンには、電子群が１個の共振回路（空洞共振
器）中の電磁界と相互作用し、電子の運動エネルギーを
電磁波エネルギーに変換することによって共振回路中に
高周波を発振させるジャイロモノトロンや、複数の空洞
共振器を用いて電磁波の増幅現象を行わせるジャイロク
ライストロン等がある。
【０００３】このような電子サイクロトロン共鳴メーザ
ー相互作用を利用した従来例として、例えば図５に示す
ようなジャイロトロンがある。このジャイロトロン８
は、電子銃１２、空洞共振器２２及びコレクター２６を
構成要素として含むジャイロトロン本体３０と、該本体
３０の外側に設けられる主電磁石３２と電子銃電磁石３
４とから構成される。
ー相互作用を利用した従来例として、例えば図５に示す
ようなジャイロトロンがある。このジャイロトロン８
は、電子銃１２、空洞共振器２２及びコレクター２６を
構成要素として含むジャイロトロン本体３０と、該本体
３０の外側に設けられる主電磁石３２と電子銃電磁石３
４とから構成される。
【０００４】電子銃１２は、カソード１４、カソード１
４上に設けられた電子放出部１６、第１アノード１８、
第２アノード２０等から成り、この電子銃１２から電子
ビーム１０が出力される。空洞共振器２２は、では、電
子ビーム１０と高周波電磁場とが共鳴的に相互作用を起
こし、高周波の電磁波２４が発生する。コレクター２６
は電磁波と相互作用を終えた電子ビームを回収するため
のものであり、高周波の電磁波２４は出力窓２８から外
部に取り出される。
４上に設けられた電子放出部１６、第１アノード１８、
第２アノード２０等から成り、この電子銃１２から電子
ビーム１０が出力される。空洞共振器２２は、では、電
子ビーム１０と高周波電磁場とが共鳴的に相互作用を起
こし、高周波の電磁波２４が発生する。コレクター２６
は電磁波と相互作用を終えた電子ビームを回収するため
のものであり、高周波の電磁波２４は出力窓２８から外
部に取り出される。
【０００５】電磁石３２及び３４は、ジャイロトロン３
０の中心軸（ｚ軸）方向に磁場を発生して電子ビーム１
０に旋回運動を与える。
０の中心軸（ｚ軸）方向に磁場を発生して電子ビーム１
０に旋回運動を与える。
【０００６】図６は、主電磁石３２と電子銃電磁石３４
が発生する軸方向（ｚ方向）成分磁場を示している。一
般に、空洞共振器においては磁場は平坦で、０．５％程
度以下の均一度が要求される。更に、電子銃１２とコレ
クター２６における磁束密度の空間変化が比較的小さく
なるように電磁石３２及び３４の配置やその励磁電流を
決める必要がある。
が発生する軸方向（ｚ方向）成分磁場を示している。一
般に、空洞共振器においては磁場は平坦で、０．５％程
度以下の均一度が要求される。更に、電子銃１２とコレ
クター２６における磁束密度の空間変化が比較的小さく
なるように電磁石３２及び３４の配置やその励磁電流を
決める必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のジ
ャイロトロン装置における電磁石３２及び３４として
は、超伝導電磁石または常伝導電磁石、あるいはその両
方を用いた電磁石が使用されている。しかし、超伝導電
磁石は一般に高価であり、励磁するためには液体ヘリウ
ムなどの冷媒を供給するか、冷凍機を使って極低温にま
で電磁石を冷却しなければならないなど、手間がかか
り、また磁場を急激に変化させることが難しいという問
題があった。一方、常伝導電磁石では、高磁場の発生に
大容量の励磁電源が必要である。このため、大電力を消
費すること、電磁石や励磁電源を冷却水で冷却する必要
があり、所謂ランニングコストが高くなるという問題が
あった。
ャイロトロン装置における電磁石３２及び３４として
は、超伝導電磁石または常伝導電磁石、あるいはその両
方を用いた電磁石が使用されている。しかし、超伝導電
磁石は一般に高価であり、励磁するためには液体ヘリウ
ムなどの冷媒を供給するか、冷凍機を使って極低温にま
で電磁石を冷却しなければならないなど、手間がかか
り、また磁場を急激に変化させることが難しいという問
題があった。一方、常伝導電磁石では、高磁場の発生に
大容量の励磁電源が必要である。このため、大電力を消
費すること、電磁石や励磁電源を冷却水で冷却する必要
があり、所謂ランニングコストが高くなるという問題が
あった。
【０００８】本発明は、上記の従来例の問題を解決する
ためになされたものであり、ジャイロトロンの維持と操
作性を格段に容易にすると共に、装置を小型化し、ラン
ニングコストを極めて低くでき、更に装置組立後におけ
る磁場調整が簡単に行えるジャイロトロン用磁場発生装
置を提供することを目的とする。
ためになされたものであり、ジャイロトロンの維持と操
作性を格段に容易にすると共に、装置を小型化し、ラン
ニングコストを極めて低くでき、更に装置組立後におけ
る磁場調整が簡単に行えるジャイロトロン用磁場発生装
置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
発明は、磁化方向がほぼ径方向の輪環状永久磁石を該輪
環状永久磁石の軸方向に複数配置してなる筒型磁場回路
を備え、該筒型磁場回路の空洞部に軸方向磁場を発生さ
せるジャイロトロン用磁場発生装置において、該筒型磁
場回路の外周側にヒーターを設け、さらにその外周側を
断熱材で被覆したことを特徴とするジャイロトロン用磁
場発生装置を提供する。
発明は、磁化方向がほぼ径方向の輪環状永久磁石を該輪
環状永久磁石の軸方向に複数配置してなる筒型磁場回路
を備え、該筒型磁場回路の空洞部に軸方向磁場を発生さ
せるジャイロトロン用磁場発生装置において、該筒型磁
場回路の外周側にヒーターを設け、さらにその外周側を
断熱材で被覆したことを特徴とするジャイロトロン用磁
場発生装置を提供する。
【００１０】また、本発明の請求項２記載の発明は、前
記筒型磁場回路の温度を計測する手段と、該温度計測手
段により計測した前記筒型磁場回路の温度に応じて前記
ヒーターの出力を制御する手段とを備えたことを特徴と
する請求項１記載のジャイロトロン用磁場発生装置を提
供する。
記筒型磁場回路の温度を計測する手段と、該温度計測手
段により計測した前記筒型磁場回路の温度に応じて前記
ヒーターの出力を制御する手段とを備えたことを特徴と
する請求項１記載のジャイロトロン用磁場発生装置を提
供する。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】上述のように、電磁石を用いた磁場回路を
備えた従来のジャイロトロン用磁場発生装置では、高磁
場を発生させるには大容量の励磁電源が必要となり、超
伝導磁石を用いた場合、磁石自体が高価であるばかりで
なく、励磁するために液体ヘリウム等の冷媒を供給する
必要がある等、大規模な設備が必要となる。
備えた従来のジャイロトロン用磁場発生装置では、高磁
場を発生させるには大容量の励磁電源が必要となり、超
伝導磁石を用いた場合、磁石自体が高価であるばかりで
なく、励磁するために液体ヘリウム等の冷媒を供給する
必要がある等、大規模な設備が必要となる。
【００１３】そこで発明者等は、希土類永久磁石を用い
たジャイロトロン用磁気発生装置を先に提案した（特願
平６−２８４１３２）。希土類永久磁石には大別すると
ＳｍＣｏ系とＮｄＦｅＢ系の２種類がある。前者のキュ
リー温度（Ｔｃ）は７００〜８５０℃であり、後者のＴ
ｃは３００〜３５０℃である。キュリー温度により磁化
の温度変化率（室温〜１００℃程度）は異なり、ＳｍＣ
ｏ系で〜−０．０３％／℃、ＮｄＦｅＢ系で−０．１２
％／℃程度である。従って、希土類永久磁石を使用した
磁気回路では、単体磁石の磁化の可逆温度変化率と同じ
だけ発生磁場は変化する。例えばＮｄＦｅＢ系磁石を使
用した場合、外気温が３０℃変化すると、発生磁場は３
％以上変化する。
たジャイロトロン用磁気発生装置を先に提案した（特願
平６−２８４１３２）。希土類永久磁石には大別すると
ＳｍＣｏ系とＮｄＦｅＢ系の２種類がある。前者のキュ
リー温度（Ｔｃ）は７００〜８５０℃であり、後者のＴ
ｃは３００〜３５０℃である。キュリー温度により磁化
の温度変化率（室温〜１００℃程度）は異なり、ＳｍＣ
ｏ系で〜−０．０３％／℃、ＮｄＦｅＢ系で−０．１２
％／℃程度である。従って、希土類永久磁石を使用した
磁気回路では、単体磁石の磁化の可逆温度変化率と同じ
だけ発生磁場は変化する。例えばＮｄＦｅＢ系磁石を使
用した場合、外気温が３０℃変化すると、発生磁場は３
％以上変化する。
【００１４】このような温度変化による発生磁場の変化
を抑えるため、ジャイロトロン電子管の外側にコイルを
巻き、温度によって変化するジャイロトロン用磁場発生
装置の磁場強度を、設定の磁場強度になるように補正電
流を流すことで、磁場強度の制御を行う方法もあるが、
この方法では、温度変化に対応して常に補正電流を最適
に制御しなければならず、また、温度変化が大きく磁場
が大きく変化した場合に補正電流が制御範囲を越えてし
まうという欠点が存在する。更に、コイルに電流を流す
ため、発熱し、これが更に磁気回路の発生磁場に影響を
与える。
を抑えるため、ジャイロトロン電子管の外側にコイルを
巻き、温度によって変化するジャイロトロン用磁場発生
装置の磁場強度を、設定の磁場強度になるように補正電
流を流すことで、磁場強度の制御を行う方法もあるが、
この方法では、温度変化に対応して常に補正電流を最適
に制御しなければならず、また、温度変化が大きく磁場
が大きく変化した場合に補正電流が制御範囲を越えてし
まうという欠点が存在する。更に、コイルに電流を流す
ため、発熱し、これが更に磁気回路の発生磁場に影響を
与える。
【００１５】そこで本発明は、ジャイロトロン用磁場発
生装置において、磁場発生手段として永久磁石を用いる
とともに、装置にヒータを取り付け、これらを断熱材で
覆うことにより、外気温が大きく変化しても設定の磁場
強度を保つことができる。また、さらに永久磁石の温度
計測を行う手段とその計測結果に基づいて温度制御を行
う手段を設けることにより、磁気回路を所定温度に保持
することができる。
生装置において、磁場発生手段として永久磁石を用いる
とともに、装置にヒータを取り付け、これらを断熱材で
覆うことにより、外気温が大きく変化しても設定の磁場
強度を保つことができる。また、さらに永久磁石の温度
計測を行う手段とその計測結果に基づいて温度制御を行
う手段を設けることにより、磁気回路を所定温度に保持
することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１７】図１は本発明の請求項１に対応する実施の
形態を示す。図において、ジャイロトロン用磁場発生装
置は、ジャイロトロン本体３０の周囲に筒型磁場回路３
５を設け、磁気回路３５の周囲を覆うように円筒形のヒ
ータ３７を設け、さらにこれらジャイロトロン本体３
０、磁気回路３５及びヒータ３７を覆うように断熱材３
９を設けたものである。磁気回路３５周辺はヒータ３７
により約３０〜４０℃に加温されている。ヒータ３７に
よる設定温度は外気温＋数度程度に設定すればよく、補
正磁場を印加するよりずっと少ない電流量でよい。
形態を示す。図において、ジャイロトロン用磁場発生装
置は、ジャイロトロン本体３０の周囲に筒型磁場回路３
５を設け、磁気回路３５の周囲を覆うように円筒形のヒ
ータ３７を設け、さらにこれらジャイロトロン本体３
０、磁気回路３５及びヒータ３７を覆うように断熱材３
９を設けたものである。磁気回路３５周辺はヒータ３７
により約３０〜４０℃に加温されている。ヒータ３７に
よる設定温度は外気温＋数度程度に設定すればよく、補
正磁場を印加するよりずっと少ない電流量でよい。
【００１８】筒型磁場回路３５は、図２に示すように、
複数の輪環状永久磁石３６ａ〜３６ｈを軸（ｚ軸）方向
に配列したものであり、２つの筒状永久磁石群Ｕ及びＶ
から成る。輪環状永久磁石３６ａ〜３６ｈの各々は、図
に示すように径方向に磁化されている。
複数の輪環状永久磁石３６ａ〜３６ｈを軸（ｚ軸）方向
に配列したものであり、２つの筒状永久磁石群Ｕ及びＶ
から成る。輪環状永久磁石３６ａ〜３６ｈの各々は、図
に示すように径方向に磁化されている。
【００１９】即ち、筒状永久磁石群Ｕを構成する輪環状
永久磁石３６ａ〜３６ｄの各々は磁化が内側から外側に
向き（即ちｚ軸に対してほぼ直角で且つ外側に向かって
磁化され）、一方、筒状永久磁石群Ｖを構成する輪環状
永久磁石３６ｅ〜３６ｈの各々は磁化が外側から内側に
向いている（即ちｚ軸に対してほぼ直角で且つ内側に向
かって磁化されている）。
永久磁石３６ａ〜３６ｄの各々は磁化が内側から外側に
向き（即ちｚ軸に対してほぼ直角で且つ外側に向かって
磁化され）、一方、筒状永久磁石群Ｖを構成する輪環状
永久磁石３６ｅ〜３６ｈの各々は磁化が外側から内側に
向いている（即ちｚ軸に対してほぼ直角で且つ内側に向
かって磁化されている）。
【００２０】従って、筒状永久磁石群Ｕ及びＶから成る
筒型磁場回路３５の内部にはｚ軸方向に磁場３８が発生
する。
筒型磁場回路３５の内部にはｚ軸方向に磁場３８が発生
する。
【００２１】図３は、筒型磁場回路３５が発生する軸方
向（ｚ方向）成分磁場を示している。空洞共振器部の磁
場強度は本例では５１５０Ｇであり、±５０ｍｍの範囲
で０．５％の均一性が得られる。
向（ｚ方向）成分磁場を示している。空洞共振器部の磁
場強度は本例では５１５０Ｇであり、±５０ｍｍの範囲
で０．５％の均一性が得られる。
【００２２】図４は、本発明の請求項２に対応する一実
施形態を示す。本実施形態では、図１に示した実施形態
において、磁場回路３５の温度を計測する温度計測器４
０を設け、この温度計測器４０からの出力に基づいてヒ
ータ３７の出力を制御する制御器４１を設けたものであ
る。本実施形態では、外気温が特に大きく変動した場合
でも、ヒータ３７の出力を制御することにより、磁場回
路３５の温度を一定に保つことができ、より均一な磁場
強度が得られる。
施形態を示す。本実施形態では、図１に示した実施形態
において、磁場回路３５の温度を計測する温度計測器４
０を設け、この温度計測器４０からの出力に基づいてヒ
ータ３７の出力を制御する制御器４１を設けたものであ
る。本実施形態では、外気温が特に大きく変動した場合
でも、ヒータ３７の出力を制御することにより、磁場回
路３５の温度を一定に保つことができ、より均一な磁場
強度が得られる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、製作
及び動作維持に極めて多額の費用がかかる超伝導電磁石
や、高磁場発生に大電力を必要とする常伝導電磁石を用
いることなく、複数の輪環状永久磁石からなる筒型磁場
回路によりジャイロトロン用の磁場発生装置を実現して
いる。また、温度による磁場強度が変化する永久磁石を
用いているにも拘わらず、補正電流による制御が不要で
あり、外気温が大きく変化しても設定の磁場強度を保つ
ことができる。
及び動作維持に極めて多額の費用がかかる超伝導電磁石
や、高磁場発生に大電力を必要とする常伝導電磁石を用
いることなく、複数の輪環状永久磁石からなる筒型磁場
回路によりジャイロトロン用の磁場発生装置を実現して
いる。また、温度による磁場強度が変化する永久磁石を
用いているにも拘わらず、補正電流による制御が不要で
あり、外気温が大きく変化しても設定の磁場強度を保つ
ことができる。
【図１】本発明のジャイロトロン磁場発生装置の請求項
１に対応する一実施形態を示す側断面図である。
１に対応する一実施形態を示す側断面図である。
【図２】図１のジャイロトロン磁場発生装置における磁
気回路の磁場発生の様子を示す説明図である。
気回路の磁場発生の様子を示す説明図である。
【図３】図１のジャイロトロン磁場発生装置における軸
方向成分磁場の分布を示す図である。
方向成分磁場の分布を示す図である。
【図４】本発明のジャイロトロン磁場発生装置の請求項
２に対応する一実施形態を示す側断面図である。
２に対応する一実施形態を示す側断面図である。
【図５】従来のジャイロトロン磁場発生装置の一例を示
す側断面図である。
す側断面図である。
【図６】図５のジャイロトロン磁場発生装置における軸
方向成分磁場の分布を示す図である。
方向成分磁場の分布を示す図である。
１０ 電子ビーム １２ 電子銃 １４ カソード １６ 電子放出部 １８ 第１アノード ２０ 第２アノード ２２ 空洞共振器 ２４ 電磁波 ２６ コレクター ２８ 出力窓 ３０ ジャイロトロン ３２ 主電磁石 ３４ 電子銃電磁石 ３５ 磁場発生装置 ３７ ヒータ ３９ 断熱材 ４０ 温度計測器 ４１ 制御器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 23/10 H01J 25/00
Claims (2)
- 【請求項１】 磁化方向がほぼ径方向の輪環状永久磁石
を該輪環状永久磁石の軸方向に複数配置してなる筒型磁
場回路を備え、該筒型磁場回路の空洞部に軸方向の磁場
を発生させるジャイロトロン用磁場発生装置において、 該筒型磁場回路の外周側にヒーターを設け、さらにその
外周側を断熱材で被覆したことを特徴とするジャイロト
ロン用磁場発生装置。 - 【請求項２】 前記筒型磁場回路の温度を計測する手段
と、該温度計測手段により計測した前記筒型磁場回路の
温度に応じて前記ヒーターの出力を制御する手段とを備
えたことを特徴とする請求項１記載のジャイロトロン用
磁場発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01950496A JP3258224B2 (ja) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | ジャイロトロン用磁場発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01950496A JP3258224B2 (ja) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | ジャイロトロン用磁場発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09190770A JPH09190770A (ja) | 1997-07-22 |
| JP3258224B2 true JP3258224B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=12001212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01950496A Expired - Fee Related JP3258224B2 (ja) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | ジャイロトロン用磁場発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3258224B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7872555B2 (en) * | 2004-01-23 | 2011-01-18 | Hitachi Metals, Ltd. | Undulator |
| JP5885607B2 (ja) * | 2012-07-20 | 2016-03-15 | 株式会社東芝 | 磁場発生装置、磁場発生制御方法および磁場発生システム |
| JP6038694B2 (ja) * | 2013-03-12 | 2016-12-07 | 住友重機械工業株式会社 | サイクロトロン |
| CN107527779B (zh) * | 2017-08-18 | 2019-06-07 | 电子科技大学 | 一种基于螺旋带状电子注冷阴极辐射源 |
-
1996
- 1996-01-10 JP JP01950496A patent/JP3258224B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09190770A (ja) | 1997-07-22 |
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