JP3256455B2 - socket - Google Patents

socket

Info

Publication number
JP3256455B2
JP3256455B2 JP35231696A JP35231696A JP3256455B2 JP 3256455 B2 JP3256455 B2 JP 3256455B2 JP 35231696 A JP35231696 A JP 35231696A JP 35231696 A JP35231696 A JP 35231696A JP 3256455 B2 JP3256455 B2 JP 3256455B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
base
socket
contact
cover
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP35231696A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH10172703A (en
Inventor
正生 遠山
Original Assignee
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=18423234&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3256455(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 filed Critical 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
Priority to JP35231696A priority Critical patent/JP3256455B2/en
Priority to SG1997004328A priority patent/SG63781A1/en
Priority to TW086118564A priority patent/TW369691B/en
Priority to KR1019970067277A priority patent/KR19980063979A/en
Publication of JPH10172703A publication Critical patent/JPH10172703A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3256455B2 publication Critical patent/JP3256455B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/32Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Connecting Device With Holders (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気部品を試験す
るソケットにかかり、特に、幅の狭いリード端子を多数
有する半導体装置に用いられるソケットに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a socket for testing an electric component, and more particularly to a socket used for a semiconductor device having a large number of narrow lead terminals.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体デバイスを供給するメー
カーでは、シリコン基板上に所定の集積回路を形成し、
ウェハー状態での試験が終了した後、シリコン基板を分
割し、分割されたシリコン基板を樹脂やセラミック等で
封止して半導体デバイスを製造している。完成品の半導
体デバイスは出荷やプリント基板上への実装前に、動作
試験やバーンイン試験等による、良品と不良品の判別
や、スクリーニングが行われている。
2. Description of the Related Art Generally, a maker that supplies semiconductor devices forms a predetermined integrated circuit on a silicon substrate,
After the test in the wafer state is completed, the silicon substrate is divided, and the divided silicon substrate is sealed with a resin, ceramic, or the like to manufacture a semiconductor device. Prior to shipment and mounting on a printed circuit board, a finished semiconductor device is subjected to an operation test, a burn-in test, or the like, to discriminate between a good product and a defective product, and to perform screening.

【0003】そのような試験には、多数の半導体デバイ
スを取り扱う必要があるため、挿入抜去が容易なソケッ
トが用いられているが、半導体デバイスのパッケージ形
状やリード形状は多数の種類があるため、半導体デバイ
スの試験に用いられる試験用のソケットにも、種々の形
状のものがある。
[0003] In such a test, a large number of semiconductor devices must be handled, so sockets that can be easily inserted and removed are used. However, since there are many types of semiconductor device package shapes and lead shapes, There are various shapes of test sockets used for testing semiconductor devices.

【0004】それらのうち、図11(a)、(b)の符号2
00で示したSOJ(small out-line J-lead)型の半導
体デバイスの試験に用いられる従来技術のソケットを説
明する。
Among them, reference numeral 2 in FIGS. 11 (a) and 11 (b)
A conventional socket used for testing an SOJ (small out-line J-lead) type semiconductor device indicated by reference numeral 00 will be described.

【0005】図14(a)〜(c)を参照し、符号102で
示すものは、その従来技術のソケットであり、同図(a)
は平面図、同図(b)はI−I線截断面図、同図(c)はII
−II線截断面図である。このソケット102は、絶縁性
樹脂(プラスチックス)から成るベース116と、コンタ
クトピン113とを有している。
Referring to FIGS. 14 (a) to 14 (c), what is indicated by reference numeral 102 is a socket of the prior art, which is shown in FIG.
FIG. 1B is a plan view, FIG. 2B is a sectional view taken along line II, and FIG.
FIG. 2 is a sectional view taken along line II. The socket 102 has a base 116 made of an insulating resin (plastics) and contact pins 113.

【0006】コンタクトピン113の上部は二股に分か
れ、先端に接触部114、115が形成されており、下
部には脚部119が2本形成されている。ベース116
には、凹部形状のIC収納部128が設けられており、
その外側には、スリット部材131が複数等間隔で列設
され、スリットが形成されている。
[0006] The upper portion of the contact pin 113 is bifurcated, contact portions 114 and 115 are formed at the tip, and two legs 119 are formed at the lower portion. Base 116
Is provided with a recessed IC housing 128.
Outside of this, a plurality of slit members 131 are arranged at equal intervals to form slits.

【0007】コンタクトピン113は、スリット内に脚
部119側から挿入され、押圧部17上端が押圧される
ことでベース116に植設されており、そのベース11
6の底面から脚部119が下方に突き出され、ソケット
102全体をプリント基板に接続固定できるように構成
されている。
[0007] The contact pin 113 is inserted into the slit from the leg portion 119 side, and is implanted on the base 116 by pressing the upper end of the pressing portion 17.
Legs 119 protrude downward from the bottom surface of 6, so that the entire socket 102 can be connected and fixed to the printed circuit board.

【0008】IC収納部128内の四隅には、半導体デ
バイスを位置決めするための位置決め部121が設けら
れており、IC収納部128の開口端部の四隅には、挿
入途中の半導体デバイスを、位置決め部121まで導く
誘い込み部122が設けられている。
Positioning portions 121 for positioning the semiconductor device are provided at the four corners in the IC housing portion 128, and the semiconductor device being inserted is positioned at the four corners of the opening end portion of the IC housing portion 128. An invitation portion 122 for leading to the portion 121 is provided.

【0009】上述したIC収納部109内に半導体デバ
イス200を収納する方法を説明する。SOJ型の半導
体デバイス200では、そのリード端子202は、パッ
ケージ201の側面から導出され、底面204側で内側
に折り曲げられており、パッケージ201の下でプリン
ト基板に接続できるように構成されている。
A method of housing the semiconductor device 200 in the above-described IC housing 109 will be described. In the SOJ type semiconductor device 200, the lead terminal 202 is led out from the side surface of the package 201, is bent inward on the bottom surface 204 side, and is configured to be connectable to a printed board under the package 201.

【0010】この半導体デバイス200をソケット10
2に保持させる際、先ず、半導体デバイス200の背2
03を下、リード端子202を上に向け、IC収納部1
28上で水平にする(図15(a))。
The semiconductor device 200 is connected to the socket 10
When holding the semiconductor device 200 at first,
03 downward and the lead terminal 202 upward,
It is leveled on 28 (FIG. 15 (a)).

【0011】ソケット102内では、コンタクトピン1
13の接触部114、115は、スリット内からIC収
納部128側に突き出されており、半導体デバイス20
0を垂直に降ろし、そのパッケージ201の角を誘い込
み部122内に滑り込ませると、先ず、リード端子20
2が、コンタクトピン113の最上部に位置する接触部
114に接触する(図15(b))。
In the socket 102, contact pins 1
The contact portions 114 and 115 of the semiconductor device 20 protrude from the inside of the slit toward the IC housing portion 128.
0 is lowered vertically, and the corner of the package 201 is slid into the guiding portion 122.
2 comes into contact with the contact portion 114 located at the top of the contact pin 113 (FIG. 15B).

【0012】その状態で半導体デバイス200を押し下
げると、リード端子202の側面が接触部114をスリ
ット内に押し込もうとし、接触部114に付与された弾
性力によってリード端子202の側面と接触部114と
が摺動し、リード端子202の摺動面がクリーニングさ
れる。
In this state, when the semiconductor device 200 is pushed down, the side surface of the lead terminal 202 tries to push the contact portion 114 into the slit, and the side surface of the lead terminal 202 and the contact portion 114 are elastically applied to the contact portion 114. Slides, and the sliding surface of the lead terminal 202 is cleaned.

【0013】パッケージ201の角が位置決め部122
にはまり込み、それ以上押し下げられなくなったところ
で、半導体デバイス200はIC収納部128内に収納
されたことになり、リード端子202のクリーニングさ
れた面は、接触部114の下方に位置する接触部115
に当接される。この状態では、リード端子202とコン
タクトピン113とが電気的に接続されており、半導体
デバイス200の動作試験を行うことができる。
The corners of the package 201 are positioned
When the semiconductor device 200 is stuck in the IC housing portion 128 and cannot be pushed down any more, the semiconductor device 200 is housed in the IC housing portion 128.
Contacted. In this state, the lead terminal 202 and the contact pin 113 are electrically connected, and an operation test of the semiconductor device 200 can be performed.

【0014】動作試験が終了し、半導体デバイス200
の良・不良を判別した後、ソケット102から半導体デ
バイス200を取り出し、不良品であれば除去し、良品
であれば後工程に送る。
When the operation test is completed, the semiconductor device 200
After determining whether the semiconductor device 200 is good or bad, the semiconductor device 200 is taken out of the socket 102, removed if the semiconductor device is defective, or sent to a post-process if the semiconductor device is good.

【0015】このように、ソケット102を用いれば、
多数のリード端子202を有する半導体デバイス200
の動作試験やバーンイン試験を確実に行えることから、
種々の半導体デバイスについて、その形状に対応したソ
ケットが用意され、広く使用されるに至っている。
As described above, if the socket 102 is used,
Semiconductor device 200 having multiple lead terminals 202
Operation test and burn-in test can be performed reliably.
For various semiconductor devices, sockets corresponding to the shapes have been prepared and widely used.

【0016】しかしながら上記従来技術のソケット10
2では、IC収納部内に半導体デバイス200を収納し
た状態では、リード端子202には接触部114、11
5からの押圧力が加えられている。個々のリード端子2
02に加えられる押圧力は小さくても、リード端子20
2は多数であるため、全体では大きな力で保持されてい
ることになり、ソケット102内から半導体デバイス2
00を取り出す際に、そのまま垂直方向に抜去しようと
すると、保持力に逆らうため、非常に大きな力を必要と
してしまう。
However, the prior art socket 10
2, when the semiconductor device 200 is housed in the IC housing, the contact portions 114 and 11 are
A pressing force from 5 is applied. Individual lead terminals 2
02, even if the pressing force applied to the lead terminal 20 is small.
2 are held by a large force as a whole, and the semiconductor device 2
If the user tries to remove 00 in the vertical direction as it is, the holding force will be opposed, and a very large force will be required.

【0017】そこで上述のようなソケット102では、
収納状態の半導体デバイス200の背203とベース1
16の間に隙間129が存するように構成されており、
半導体デバイス200をソケット102から取り出す
際、ソケット102の側方から隙間129内に治具を挿
入し、梃子の原理によって半導体デバイス200の一端
を押し上げてから抜去していた。このようにすれば、抜
去する際にはコンタクトピン113と接触しているリー
ド端子202の数が少なくなり、保持力が小さくなるの
で、少ない力で半導体デバイス200を抜去することが
できる。
Therefore, in the socket 102 as described above,
The back 203 and the base 1 of the semiconductor device 200 in the housed state
16, so that there is a gap 129 between them.
When removing the semiconductor device 200 from the socket 102, a jig is inserted into the gap 129 from the side of the socket 102, and one end of the semiconductor device 200 is pushed up by the principle of leverage and then removed. By doing so, the number of lead terminals 202 that are in contact with the contact pins 113 at the time of removal is reduced, and the holding force is reduced. Therefore, the semiconductor device 200 can be removed with a small force.

【0018】しかしながら、半導体デバイス200の一
端を持ち上げると、各リード端子202は、ソケット1
02内のコンタクトピン113に対して互いに斜めな状
態で接触させられた後、抜去されることになるため、多
数のリード端子202のうちには、コンタクトピン11
3の間にはまり込むものが生じる。その状態の半導体デ
バイス200を無理に抜き取ろうとすると、リード端子
202が曲がってしまったり、又はコンタクトピン11
3とリード端子202とが全く噛み合ってしまい、抜去
できない場合もあった。
However, when one end of the semiconductor device 200 is lifted, each of the lead terminals 202
02 are contacted with the contact pins 113 in an oblique state, and then removed, so that the contact pins 11
Something gets stuck between the three. If the semiconductor device 200 in that state is forcibly removed, the lead terminal 202 may be bent or the contact pin 11 may be bent.
In some cases, the lead 3 and the lead terminal 202 were completely engaged and could not be removed.

【0019】また、ソケットに設けられた半導体装置に
対する位置決め精度が甘かったり、あるいはソケットに
対して半導体装置が斜めに挿入されたりすると、半導体
装置のリード端子とソケットのコンタクトピンがからみ
合い、結果として半導体装置のリード端子を変形させる
ことがあった。
If the positioning accuracy with respect to the semiconductor device provided in the socket is poor or the semiconductor device is obliquely inserted into the socket, the lead terminals of the semiconductor device are entangled with the contact pins of the socket. In some cases, lead terminals of a semiconductor device are deformed.

【0020】[0020]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたもので、その目的
は、電気部品のリード端子がコンタクトピンの間にはま
り込まないソケットを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned disadvantages of the prior art, and an object of the present invention is to provide a socket in which a lead terminal of an electric component does not fit between contact pins. It is in.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第1のソケットは、ベースと、上記ベース
に対して上下動可能に設けられたカバーと、複数のリー
ド端子を有する半導体装置を載置するための上記ベース
に設けられた載置部と、複数のコンタクトピンとを有
し、前記コンタクトピンは、上記ベースに固定される台
座部と、上記台座部に設けられた弾性部と、上記弾性部
に弾性支持された接触部とを有し、上記接触部は、上記
カバーの第1の位置から第2の位置への往動に応答して
原位置から退避して上記半導体装置を上記載置部に収容
可能とし、上記カバーの上記第2の位置から上記第1の
位置への復動に応答して上記原位置に復帰して上記半導
体装置のリード端子に接触するソケットであって、上記
複数のコンタクトピンの間隔が上記半導体装置の各リー
ド端子の幅よりも小さい。
In order to solve the above problems, a first socket of the present invention has a base, a cover provided to be vertically movable with respect to the base, and a plurality of lead terminals. A mounting portion provided on the base for mounting the semiconductor device; and a plurality of contact pins, wherein the contact pins have a pedestal portion fixed to the base and an elasticity provided on the pedestal portion. And a contact portion elastically supported by the elastic portion. The contact portion retreats from the original position in response to the forward movement of the cover from the first position to the second position. The semiconductor device can be housed in the mounting portion, and returns to the original position in response to the return of the cover from the second position to the first position, and comes into contact with a lead terminal of the semiconductor device. A socket, wherein the plurality of contact pins Interval is less than the width of each lead terminal of the semiconductor device.

【0022】また、本発明の第2のソケットは、ベース
と、上記ベースに対して上下動可能に設けられたカバー
と、複数のリード端子を有する半導体装置を載置するた
めの上記ベースに設けられた載置部と、複数のコンタク
トピンとを有し、前記コンタクトピンは、上記ベースに
固定される台座部と、上記台座部に設けられた弾性部
と、上記弾性部に弾性支持された接触部とを有し、上記
接触部は、上記カバーの第1の位置から第2の位置への
往動に応答して原位置から退避して上記半導体装置を上
記載置部に収容可能とし、上記カバーの上記第2の位置
から上記第1の位置への復動に応答して上記原位置に復
帰して上記半導体装置のリード端子に接触するソケット
であって、上記複数のコンタクトピンの間隔が各コンタ
クトピンの幅よりも小さい。
A second socket according to the present invention is provided on the base, a cover provided to be vertically movable with respect to the base, and provided on the base for mounting a semiconductor device having a plurality of lead terminals. And a plurality of contact pins, wherein the contact pins are fixed to the base, an elastic portion provided on the pedestal portion, and a contact elastically supported by the elastic portion. A contact portion, wherein the contact portion retracts from the original position in response to the forward movement of the cover from the first position to the second position, and allows the semiconductor device to be housed in the mounting portion, A socket that returns to the original position and contacts a lead terminal of the semiconductor device in response to the return of the cover from the second position to the first position, wherein a space between the plurality of contact pins is provided; Is greater than the width of each contact pin Sai.

【0023】また、本発明の第3のソケットは、ベース
と、上記ベースに対して上下動可能に設けられたカバー
と、複数のリード端子を有する半導体装置を載置するた
めの上記ベースに設けられた載置部と、複数のコンタク
トピンとを有し、前記コンタクトピンは、上記ベースに
固定される台座部と、上記台座部に設けられた弾性部
と、上記弾性部に弾性支持された接触部とを有し、上記
接触部は、上記カバーの第1の位置から第2の位置への
往動に応答して原位置から退避して上記半導体装置を上
記載置部に収容可能とし、上記カバーの上記第2の位置
から上記第1の位置への復動に応答して上記原位置に復
帰して上記半導体装置のリード端子に接触するソケット
であって、上記複数のコンタクトピンの幅が上記各リー
ド端子の間隔よりも大きいソケット。
A third socket of the present invention is provided on the base, a cover provided to be vertically movable with respect to the base, and provided on the base for mounting a semiconductor device having a plurality of lead terminals. And a plurality of contact pins, wherein the contact pins are fixed to the base, an elastic portion provided on the pedestal portion, and a contact elastically supported by the elastic portion. A contact portion, wherein the contact portion retracts from the original position in response to the forward movement of the cover from the first position to the second position, and allows the semiconductor device to be housed in the mounting portion, A socket that returns to the original position and contacts a lead terminal of the semiconductor device in response to the return of the cover from the second position to the first position, the width of the plurality of contact pins being Is longer than the distance between the lead terminals Listening socket.

【0024】また、本発明のソケットにおいては、載置
された半導体装置のリード端子と接触する上記接触部の
先端部の幅が他の部分よりも広い。
In the socket of the present invention, the width of the tip of the contact portion that contacts the lead terminal of the mounted semiconductor device is wider than other portions.

【0025】また、本発明のソケットにおいては、更
に、上記複数のコンタクトピンの間に設けられた絶縁性
物質からなる絶縁部材を有する。
Further, the socket of the present invention further comprises an insulating member made of an insulating material provided between the plurality of contact pins.

【0026】また、本発明のソケットにおいては、上記
絶縁部材が上記ベースに一体に形成されていてもよい
し、上記絶縁部材が上記ベースに位置決めされた隔壁状
絶縁フィルムであってもよい。
In the socket of the present invention, the insulating member may be formed integrally with the base, or the insulating member may be a partition-like insulating film positioned on the base.

【0027】上述の構成の本発明のソケットは、ベース
と、上記ベースに対して上下動可能に設けられたカバー
と、複数のリード端子を有する半導体装置を載置するた
めの上記ベースに設けられた載置部と、上記ベースに固
定される台座部と、上記台座部に連接される円弧状バネ
部と、上記円弧状バネ部に連接されて載置された半導体
装置のリード端子に電気的に接続される接触部とを有す
る複数のコンタクトピンとを有し、上記接触部は、上記
カバーの第1の位置から第2の位置への往動に応答して
原位置から退避して半導体装置を上記載置部に収容可能
とし、上記カバーの上記第2の位置から上記第1の位置
への復動に応答して上記原位置に復帰して上記リード端
子に接触するソケットであって、複数のコンタクトピン
の間隔が載置される半導体装置の各リード端子の幅より
も小さくされているので、半導体装置のリード端子がコ
ンタクトピンの間にはまり込むことはない。また、複数
のコンタクトピンの間隔を各コンタクトピンの幅よりも
小さくしたり、各リード端子の間隔よりも大きくしても
同様である。
The socket of the present invention having the above-described structure is provided on the base, a cover provided to be vertically movable with respect to the base, and the base for mounting a semiconductor device having a plurality of lead terminals. A mounting portion, a pedestal portion fixed to the base, an arc-shaped spring portion connected to the pedestal portion, and a lead terminal of the semiconductor device mounted and connected to the arc-shaped spring portion. And a plurality of contact pins having contact portions connected to the semiconductor device, wherein the contact portions are retracted from the original position in response to the forward movement of the cover from the first position to the second position. And a socket that returns to the original position in response to the return of the cover from the second position to the first position and contacts the lead terminal. Multiple contact pin spacings are placed Because it is smaller than the width of each lead terminal of the semiconductor device, there is no possibility that the lead terminal of the semiconductor device is fitted between the contact pins. The same applies to the case where the interval between the plurality of contact pins is made smaller than the width of each contact pin or larger than the interval between each lead terminal.

【0028】このようなコンタクトピンについては、リ
ード端子と接触する先端部分の幅を他の部分よりも広く
しておくと、リード端子と接触する面積が大きくなり、
電気的接続が確実になる。
In such a contact pin, if the width of the tip portion in contact with the lead terminal is made wider than the other portions, the area in contact with the lead terminal becomes large,
The electrical connection is assured.

【0029】更に、各コンタクトピンの間に、絶縁性物
質からなる絶縁部材を配置しておくと、コンタクトピン
間の短絡を防止することができて都合がよい。
Further, if an insulating member made of an insulating material is arranged between each contact pin, it is possible to prevent a short circuit between the contact pins, which is convenient.

【0030】そのソケットの絶縁部材については、ソケ
ット本体に一体に形成されたスリットにすると、ソケッ
ト製造工程が簡略化でき、また、ソケット本体に位置決
めされた隔壁状絶縁フィルムにすると、コンタクトピン
間を一層近接配置させることができる。
When the insulating member of the socket is formed as a slit formed integrally with the socket body, the socket manufacturing process can be simplified, and when a partition-like insulating film positioned on the socket body is formed, the distance between the contact pins is reduced. It can be placed closer.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】本発明の第1の実施形態のソケッ
トを図1〜5を用いて説明する。図2(a)〜(c)の符号
2は、その第1の実施形態のソケットであり、図2(a)
は正面図、同図(b)はA−A線截断面図、同図(c)はB
−B線截断面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A socket according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Reference numeral 2 in FIGS. 2A to 2C denotes a socket according to the first embodiment, and FIG.
FIG. 1B is a front view, FIG. 2B is a sectional view taken along line AA, and FIG.
FIG. 3 is a sectional view taken along line B-B.

【0032】このソケット2は、上述のソケット102
と同様に、SOJ型の半導体デバイスの試験に用いられ
るものであり、絶縁製材料で形成されたベース16と、
金属板の打ち抜き加工によって形成された複数のコンタ
クトピン13とを有している。その金属板は0.4mm
厚の銅合金で構成されており、コンタクトピンの幅a
(厚み)は、0.4mmにされている。
This socket 2 is the same as the socket 102 described above.
Similarly to the above, it is used for testing a SOJ type semiconductor device, and includes a base 16 formed of an insulating material,
And a plurality of contact pins 13 formed by punching a metal plate. The metal plate is 0.4mm
It is composed of thick copper alloy and has a contact pin width a
(Thickness) is set to 0.4 mm.

【0033】このコンタクトピン13は、図1に示すよ
うに、台座部11を有しており、その上部には、2つの
接触部14、15が、弾性部181、182によって弾
性支持された状態で設けられている。下部には、プリン
ト基板との接続に用いられる脚部19が設けられてい
る。接触部14、15のうち、上側に位置する接触部1
4の先端は折り曲げとつぶし加工によって他の部分より
も幅広に形成されており、その幅bは0.55mmにさ
れている。
As shown in FIG. 1, the contact pin 13 has a pedestal 11 on which two contact portions 14 and 15 are elastically supported by elastic portions 181 and 182. It is provided in. A leg 19 used for connection to a printed circuit board is provided at a lower portion. Of the contact portions 14 and 15, the contact portion 1 located on the upper side
The tip of 4 is formed to be wider than other portions by bending and crushing, and has a width b of 0.55 mm.

【0034】ベース16中央には、載置部の一例である
凹部形状のIC収納部28が設けられており、その外側
に、絶縁性樹脂から成り、ベース16と一体に形成され
た複数のスリット部材31が複数個等間隔で列設されて
いる。各スリット部材31によって、図4(a)の符号3
2で模式的に示すようなスリット32が形成されている
(弾性部181は省略してある)。
At the center of the base 16, there is provided a recessed IC accommodating portion 28, which is an example of a mounting portion, and outside thereof, a plurality of slits made of insulating resin and formed integrally with the base 16. A plurality of members 31 are arranged at equal intervals. By the respective slit members 31, reference numeral 3 in FIG.
2, a slit 32 is formed as schematically shown in FIG.
(Elastic portion 18 1 is omitted).

【0035】そのスリット32は、測定対象の半導体デ
バイスのリード端子配列に適合するように、ベース16
上に2列に並べられており、コンタクトピン13が、脚
部19側からスリット32内に挿入され、ベース16に
植設されている。
The slit 32 is formed in the base 16 so as to match the lead terminal arrangement of the semiconductor device to be measured.
The contact pins 13 are arranged in two rows on the upper side, and the contact pins 13 are inserted into the slits 32 from the leg portions 19 and are implanted in the base 16.

【0036】スリット部材31の幅(厚み)cは0.3m
mであるが、上端部分の幅dは0.15mmと薄くされ
ており、スリット部材31のピッチは0.8mmなの
で、上端部のスリット間隔は0.65mm、それ以外の
部分のスリット間隔は0.5mmになっている。
The width (thickness) c of the slit member 31 is 0.3 m.
m, the width d of the upper end portion is as thin as 0.15 mm, and the pitch of the slit members 31 is 0.8 mm. Therefore, the slit interval at the upper end portion is 0.65 mm, and the slit interval at other portions is 0. 0.5 mm.

【0037】このスリット32内では、弾性部181
182はスリット間隔0.5mmのところ、接触部14
はスリット間隔0.65mmのところに位置しており、
コンタクトピン13のピッチも0.8mmなので、弾性
部181、182間の間隔eは、0.4mm、接触部14
間の間隔fは0.25mmになっており、弾性部1
1、182と接触部14とは、スリット部材31とは非
接触の状態で、スリット32内をそれぞれ出入りするこ
とができる。
In the slit 32, the elastic portions 18 1 ,
18 2 has a contact portion 14 at a slit interval of 0.5 mm.
Is located at a slit interval of 0.65 mm,
Since the pitch of the contact pins 13 is also 0.8 mm, the interval e between the elastic portions 18 1 and 18 2 is 0.4 mm,
The distance f between the elastic portions 1 is 0.25 mm.
8 1 , 18 2 and the contact portion 14 can enter and exit the slit 32, respectively, without being in contact with the slit member 31.

【0038】このソケット2でも、図11の符号200
で示したSOJ型の半導体デバイスを挿入する際には、
その背203を下に向け、IC収納部28上で水平にし
(図3(a))、その状態から垂直に降ろす。すると、リー
ド端子202は、先ず、コンタクトピン13の最上部に
位置する接触部14と接触する(図3(b))。
This socket 2 also has a reference numeral 200 in FIG.
When inserting the SOJ type semiconductor device shown in,
With its back 203 facing down and horizontal on the IC housing 28
(FIG. 3 (a)), it is lowered vertically from that state. Then, the lead terminal 202 first contacts the contact portion 14 located at the uppermost part of the contact pin 13 (FIG. 3B).

【0039】その状態で半導体デバイス202を押し下
げると、接触部14に付与された弾性力により、リード
端子202側面が接触部14の幅広に形成された部分と
摺動し、摺動面がクリーニングされる。半導体デバイス
200が収納部29内に収納されたところで、クリーニ
ング後のリード端子202側面に接触部15が当接さ
れ、コンタクトピン13とリード端子202とが電気的
に接続され、動作試験をできる状態になる。
When the semiconductor device 202 is pushed down in this state, the side surface of the lead terminal 202 slides on the wide portion of the contact portion 14 due to the elastic force applied to the contact portion 14, and the sliding surface is cleaned. You. When the semiconductor device 200 is stored in the storage portion 29, the contact portion 15 contacts the side surface of the cleaned lead terminal 202, the contact pin 13 and the lead terminal 202 are electrically connected, and the operation test can be performed. become.

【0040】動作試験が終了し、半導体デバイス200
をソケット2から取り出す際には、図5に示すように、
治具を用いて半導体デバイス200の一端を持ち上げ、
斜めにした後、抜去する。
When the operation test is completed, the semiconductor device 200
When taking out from the socket 2, as shown in FIG.
Lift one end of the semiconductor device 200 using a jig,
After slanting, remove.

【0041】半導体デバイス200のリード端子202
の寸法は、根本部分205では幅0.47mm、根本部
分205よりも先の先端部分206では幅0.26mm
と細くされているが、コンタクトピン13の接触部14
間の間隔fは、上述したように、0.25mmなので、
図5に示すように、半導体デバイス200の一端を持ち
上げたとき、接触部14と接触している先端部分206
でも接触部14間にははまり込むことはない。従って、
抜去する際にリード端子202が曲がったり、半導体デ
バイス200が抜けなくなったりすることはない。
Lead terminal 202 of semiconductor device 200
Has a width of 0.47 mm in the root portion 205 and a width of 0.26 mm in the tip portion 206 ahead of the root portion 205.
Contact portion 14 of the contact pin 13
Since the interval f between them is 0.25 mm as described above,
As shown in FIG. 5, when one end of the semiconductor device 200 is lifted, the tip portion 206 that is in contact with the contact portion 14 is formed.
However, it does not get stuck between the contact portions 14. Therefore,
When the lead terminal 202 is removed, the lead terminal 202 does not bend or the semiconductor device 200 does not come off.

【0042】他方、上述した従来技術のソケット102
では、図4(b)に示すように、スリット部材131の幅
は0.3mmにされており、また、コンタクトピン11
3の幅は接触部114、115の他、他の部分も全部
0.4mmにされている。スリット部材131やコンタ
クトピン113のピッチは0.8mmであるから、接触
部114の間隔は0.4mmになり、リード端子202
の先端部分206が容易にはまり込んでしまう。
On the other hand, the above-described prior art socket 102
Then, as shown in FIG. 4B, the width of the slit member 131 is set to 0.3 mm.
The width of 3 is 0.4 mm in all other portions in addition to the contact portions 114 and 115. Since the pitch between the slit member 131 and the contact pin 113 is 0.8 mm, the interval between the contact portions 114 is 0.4 mm, and the lead terminals 202
End portion 206 easily gets stuck.

【0043】本発明のソケット2では、そのような不都
合はなく、斜め状態の半導体デバイス200を容易に抜
去することができる。また、リード端子202は接触部
14の幅広にされた部分と摺動するので、リード端子2
02の側面を確実にクリーニングすることができ、接触
部15とリード端子202との電気的接触状態は良好で
ある。
In the socket 2 of the present invention, there is no such a disadvantage, and the semiconductor device 200 in an oblique state can be easily removed. Further, since the lead terminal 202 slides on the widened portion of the contact portion 14, the lead terminal 2
02 can be reliably cleaned, and the electrical contact between the contact portion 15 and the lead terminal 202 is good.

【0044】次に、本発明の第2の実施形態を図6、7
を用いて説明する。図7(a)、(b)の符号3は、その第
2の実施形態のソケットの断面図であり、図12に示し
たTSOP(thin small outline package)型の半導体デ
バイス300の試験用に用いられるものである。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. Reference numeral 3 in FIGS. 7A and 7B is a cross-sectional view of the socket according to the second embodiment, which is used for testing a TSOP (thin small outline package) type semiconductor device 300 shown in FIG. It is something that can be done.

【0045】このソケット3は、絶縁性材料で形成され
たベース46と、そのベース46上に被せられたカバー
56と、図6に示したコンタクトピン43とを有してい
る。
The socket 3 has a base 46 made of an insulating material, a cover 56 placed on the base 46, and the contact pins 43 shown in FIG.

【0046】コンタクトピン43は、台座部41を有し
ており、その台座部41の上方には、弾性部48に弾性
支持された状態で接触部44が設けられている。下方に
はプリント基板との接続に用いられる脚部49が設けら
れている。
The contact pin 43 has a pedestal portion 41, and a contact portion 44 is provided above the pedestal portion 41 while being elastically supported by an elastic portion 48. A leg 49 used for connection to a printed circuit board is provided below.

【0047】コンタクトピン43は、金属板の打ち抜き
加工によって形成されているが、接触部44の先端は折
り曲げとつぶし加工が施され、幅広に形成されている。
このコンタクトピン43の弾性部48や接触部44の幅
a'と、幅広部分の幅b'とは、それぞれ0.2mm、
0.4mmにされている。
The contact pins 43 are formed by punching a metal plate, and the ends of the contact portions 44 are bent and crushed to be wide.
The width a ′ of the elastic portion 48 and the contact portion 44 of the contact pin 43 and the width b ′ of the wide portion are 0.2 mm, respectively.
0.4 mm.

【0048】ベース46中央には、凹部形状のIC収納
部58が設けられており、そのIC収納部58の周囲に
は、ベース46と一体に成形されたスリット部材61が
等間隔で列設され、各スリット部材61でスリットが形
成されている。そのスリット内にはコンタクトピン43
が脚部49側から挿入され、押圧部分47が押圧される
ことで、ベース46の底面に植設されている。その際、
ベース46の底面からは脚部49が下方に突き出され、
ソケット3全体をプリント基板に接続固定できるように
構成されている。
At the center of the base 46, a recessed IC housing portion 58 is provided. Around the IC housing portion 58, slit members 61 formed integrally with the base 46 are arranged at equal intervals. Each slit member 61 forms a slit. The contact pin 43 in the slit
Is inserted from the leg portion 49 side, and the pressing portion 47 is pressed to be implanted on the bottom surface of the base 46. that time,
Legs 49 protrude downward from the bottom surface of the base 46,
The entire socket 3 can be connected and fixed to a printed circuit board.

【0049】このソケット3では、バネの弾性力に逆ら
って、カバー56を押し下げると、図7(a)に示すよう
になる。この状態では、コンタクトピン43に設けられ
たトリガ部42が、カバー56内に設けられた押圧部材
57によって押圧され、接触部44は外方に向けて退避
する。
In this socket 3, when the cover 56 is pressed down against the elastic force of the spring, the state shown in FIG. 7A is obtained. In this state, the trigger portion 42 provided on the contact pin 43 is pressed by the pressing member 57 provided in the cover 56, and the contact portion 44 is retracted outward.

【0050】スリット部材61の厚み、ピッチは上述の
ソケット2の場合と同様にされており、スリット部材6
1の上部は薄くされているので、トリガ部42が押圧部
材57によって押圧された状態では、接触部44の幅広
に成形された部分はスリット内に挿入された状態になっ
ている。
The thickness and pitch of the slit member 61 are the same as those of the socket 2 described above.
Since the upper part of 1 is thin, when the trigger part 42 is pressed by the pressing member 57, the wide part of the contact part 44 is inserted into the slit.

【0051】その状態で、カバー56の中央に設けれた
穴から半導体デバイス300をベース46のIC収納部
58内に垂直に落とし込み、次いで、バネの付勢力によ
ってカバー56を押し上げると、図7(b)のように、押
圧部材57は上方に移動し、接触部44は、リード端子
302と電気的に接続される。
In this state, when the semiconductor device 300 is vertically dropped into the IC housing portion 58 of the base 46 from a hole provided in the center of the cover 56, and then the cover 56 is pushed up by the biasing force of the spring, FIG. As shown in b), the pressing member 57 moves upward, and the contact portion 44 is electrically connected to the lead terminal 302.

【0052】半導体デバイスと接触する際、位置決めの
状態が悪いとリード端子間にコンタクトピンが入り込ん
でしまい接触を得られないことがあった。
When a semiconductor device is brought into contact with a semiconductor device, if the positioning state is poor, contact pins may enter between the lead terminals and contact may not be obtained.

【0053】それに対し、上述のソケット3の接触部同
士の間隔は0.25mmにされており、リード端子30
2先端の幅0.26mmよりも狭いので、リード端子3
02が接触部44間にはまり込むことはなく、半導体デ
バイス300を容易に抜去することができる。なお、こ
のソケット3では、接触部44のうち、リード端子30
2と接触する部分は幅広に形成されているので、コンタ
クトピン302が傷が付かない。
On the other hand, the interval between the contact portions of the socket 3 is set to 0.25 mm, and the lead terminals 30
2 Since the width of the tip is narrower than 0.26 mm,
02 does not get stuck between the contact portions 44, and the semiconductor device 300 can be easily removed. In the socket 3, the lead terminals 30 of the contact portions 44
2 is formed wide so that the contact pins 302 are not damaged.

【0054】次に、本発明の第3の実施形態を図8〜1
0を用いて説明する。図9、10の符号4は、その第3
の実施形態のソケットであり、図13に示すQFP(qua
d flat package)型の半導体デバイス400の動作試験
やバーンイン試験に用いられるものである。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
Explanation will be made using 0. Reference numeral 4 in FIGS.
The QFP (quan) shown in FIG.
This is used for an operation test and a burn-in test of the semiconductor device 400 of the (d flat package) type.

【0055】図8は、このソケット4に用いられるコン
タクトピン73であり、図9、10は、それぞれカバー
を外した状態のソケット4の平面図、その状態の部分截
断面図である。
FIG. 8 shows a contact pin 73 used in the socket 4. FIGS. 9 and 10 are a plan view of the socket 4 with the cover removed and a partial cross-sectional view in that state.

【0056】コンタクトピン73は台座部71を有して
おり、その上方には、弾性部78によって弾性支持され
た接触部74が設けられている。下方には、プリント基
板との接続用の脚部79が設けられている。
The contact pin 73 has a pedestal portion 71, and a contact portion 74 elastically supported by an elastic portion 78 is provided above the pedestal portion 71. A leg 79 for connection to a printed circuit board is provided below.

【0057】そのコンタクトピン73も、金属板の打ち
抜き加工によって形成されているが、接触部74の上端
は、折り曲げとつぶしによって幅広に形成されており、
幅広部分以外の幅a"と、幅広部分の幅b"とは、上述の
コンタクトピン3、13と同様に、それぞれ0.3m
m、0.55mmにされている。
The contact pins 73 are also formed by punching a metal plate. The upper ends of the contact portions 74 are formed wide by bending and crushing.
The width a ″ other than the wide portion and the width b ″ of the wide portion are each 0.3 m, similarly to the contact pins 3 and 13 described above.
m, 0.55 mm.

【0058】ソケット4は絶縁性材料で形成されたベー
ス76を有しており、ベース76の底面中央には凹部形
状のIC収納部88が設けられている。IC収納部88
の周囲には、ベース76と一体に成形されたスリット部
材91が等間隔で列設されており、各スリット部材91
によってスリットが構成されている。
The socket 4 has a base 76 made of an insulating material, and a recessed IC housing 88 is provided at the center of the bottom of the base 76. IC storage unit 88
Are arranged at regular intervals around the periphery of the base member 76.
Constitutes a slit.

【0059】スリット内には、コンタクトピン73が脚
部79側から挿入され、ベース76底面に植設され、脚
部79がベース76の底面から突き出されている。接触
部74はスリット上に位置するようにされており、半導
体デバイス400を、図示しない誘い込み部からIC収
納部88内に落とし込み、そのパッケージ401の角
が、図示しない位置決め部にはまり込んだところで、リ
ード端子402の先端が接触部74に接触するように構
成されている。
In the slit, a contact pin 73 is inserted from the side of the leg 79 and is implanted on the bottom of the base 76, and the leg 79 protrudes from the bottom of the base 76. The contact portion 74 is located on the slit, and the semiconductor device 400 is dropped into the IC housing portion 88 from the guiding portion (not shown), and the corner of the package 401 fits into the positioning portion (not shown). The tip of the lead terminal 402 is configured to contact the contact portion 74.

【0060】そのとき、リード端子402は接触部74
の幅広に形成された表面と接触し、その状態で、図示し
ない押圧部材によってリード端子402先端を上方から
押圧すると、各リード端子402とコンタクトピン13
との電気的接続が行われる。
At this time, the lead terminal 402 is
When the leading end of the lead terminal 402 is pressed from above by a pressing member (not shown) in this state, each lead terminal 402 and the contact pin 13 are pressed.
Electrical connection is made.

【0061】スリット部材91の上部は薄く形成されて
いるので、スリットの間隔は、上部では広く、下部では
狭くされている。上部では接触部74の幅広部分の幅よ
りも広くなるようにされているので、リード端子402
先端の押圧により、接触部74が下方に移動したとき
に、接触部74の幅広部分はスリット内に退避される。
Since the upper part of the slit member 91 is formed thin, the interval between the slits is wide at the upper part and narrow at the lower part. Since the upper portion is wider than the wide portion of the contact portion 74, the lead terminal 402
When the contact portion 74 moves downward by the pressing of the tip, the wide portion of the contact portion 74 is retracted into the slit.

【0062】その状態で半導体デバイス400の動作試
験を行った後、リード端子402先端に加えていた押圧
力を取り除くと、接触部74の位置は、スリット上に戻
る。
After the operation test of the semiconductor device 400 is performed in this state, when the pressing force applied to the tip of the lead terminal 402 is removed, the position of the contact portion 74 returns to the position on the slit.

【0063】その後、半導体デバイス400を垂直方向
に持ち上げると、半導体デバイス400を容易に抜去す
ることができるが、半導体デバイス400を保持した状
態が悪く、半導体デバイス400が斜めになる場合があ
る。
Thereafter, when the semiconductor device 400 is lifted in the vertical direction, the semiconductor device 400 can be easily removed. However, the state of holding the semiconductor device 400 is poor, and the semiconductor device 400 may be inclined.

【0064】従来技術のソケットでは、スリット上に位
置するコンタクトピンの接触部間の間隔がリード端子4
02の幅よりも広いため、半導体デバイス400が斜め
になった際に、リード端子402の先端が、その接触部
間にはまり込んでからみ合うことがあった。
In the prior art socket, the interval between the contact portions of the contact pins located on the slit is smaller than that of the lead terminal 4.
Since the width of the lead terminal 402 is wider than the width of the semiconductor device 400, the tip of the lead terminal 402 may be stuck between the contact portions when the semiconductor device 400 is inclined.

【0065】本発明のソケット4では、上述のソケット
2、3と同様に、スリット上に位置するコンタクトピン
の幅広部分の間隔は0.25mm以下であり、リード端
子402先端の幅0.26mmよりも狭くなっている。
従って、リード端子402が接触部74間にはまり込む
ことはなく、半導体デバイス400を容易に抜去でき
る。
In the socket 4 of the present invention, similarly to the sockets 2 and 3 described above, the interval between the wide portions of the contact pins located on the slit is not more than 0.25 mm, and the width of the leading end of the lead terminal 402 is less than 0.26 mm. Is also getting smaller.
Therefore, the lead terminal 402 does not get stuck between the contact portions 74, and the semiconductor device 400 can be easily removed.

【0066】なお、上記実施例は、ソケットのベースに
スリットを列設させるものであるが、場合によっては、
これらのスリットを設ける代わりに、絶縁フィルムのよ
うなものをコンタクトピン間に挿入させるようにしても
よい。その場合、絶縁性フィルムは、コンタクトピンの
側面に接着剤を介して貼付するようにしてもよい。ある
いは、ベースに複数の溝を形成し、その溝内に絶縁フィ
ルムを立設させるようにしてもよい。
In the above embodiment, the slits are arranged in the base of the socket.
Instead of providing these slits, something like an insulating film may be inserted between the contact pins. In that case, the insulating film may be attached to the side surface of the contact pin via an adhesive. Alternatively, a plurality of grooves may be formed in the base, and the insulating film may be erected in the grooves.

【0067】[0067]

【発明の効果】半導体デバイスのリード端子がソケット
のコンタクトピンの間にはまり込んでからみ合うことが
ないので、半導体デバイスを抜去する際のリード端子の
変形を防止することができる。リード端子と接触する部
分が幅広に形成されているので、電気的接続が確実にな
る。スリット部材の一部を薄く形成するだけで、接触部
の幅広の部分をスリット内に入出させることができるの
で、スリットの強度が低下することはない。
According to the present invention, the lead terminals of the semiconductor device do not fit into the contact pins of the socket and do not engage with each other, so that deformation of the lead terminals when removing the semiconductor device can be prevented. Since the portion in contact with the lead terminal is formed wide, electrical connection is ensured. By simply forming a part of the slit member thinly, the wide part of the contact part can be moved in and out of the slit, so that the strength of the slit does not decrease.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態のソケットに用いられ
るコンタクトピンとその一部を拡大した図
FIG. 1 is an enlarged view of a contact pin used in a socket according to a first embodiment of the present invention and a part thereof;

【図2】(a):そのソケットの平面図 (b):A−A線
部分截断面図 (c):B−B線部分截断面図
2A is a plan view of the socket; FIG. 2B is a partial cross-sectional view taken along a line AA; FIG.

【図3】(a)〜(c):そのソケットに半導体デバイスを
挿入する方法を説明するための図
FIGS. 3A to 3C are diagrams for explaining a method of inserting a semiconductor device into the socket.

【図4】(a):そのソケットのスリット部分を拡大した
図 (b):従来技術のソケットのスリット部分を拡大し
た図
4A is an enlarged view of a slit portion of the socket. FIG. 4B is an enlarged view of a slit portion of a conventional socket.

【図5】第1の実施形態のソケットから半導体デバイス
を抜去する様子を説明するための図
FIG. 5 is a view for explaining a state in which the semiconductor device is removed from the socket according to the first embodiment;

【図6】本発明の第2の実施形態のソケットに用いられ
るコンタクトピンとその一部を拡大した図
FIG. 6 is an enlarged view of a contact pin used in a socket according to a second embodiment of the present invention and a part thereof;

【図7】(a)、(b):そのソケットに半導体デバイスを
挿入及び抜去する様子を説明するための図
FIGS. 7A and 7B are diagrams for explaining how a semiconductor device is inserted into and removed from its socket.

【図8】本発明の第3の実施形態のソケットに用いられ
るコンタクトピンとその部分拡大図
FIG. 8 is a partially enlarged view of a contact pin used in a socket according to a third embodiment of the present invention.

【図9】そのソケットの平面図FIG. 9 is a plan view of the socket.

【図10】そのソケットのC−C線部分截断面図FIG. 10 is a partial sectional view of the socket taken along line CC.

【図11】(a)、(b):本発明の第1の実施形態のソケ
ットで試験を行うSOJ型半導体デバイスの外形図
FIGS. 11A and 11B are external views of an SOJ semiconductor device to be tested with the socket according to the first embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第2の実施形態のソケットで試験を
行うTSOP型半導体デバイスの外形図
FIG. 12 is an external view of a TSOP type semiconductor device to be tested with a socket according to the second embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第3の実施形態のソケットで試験を
行うQFP型半導体デバイスの外形図
FIG. 13 is an external view of a QFP semiconductor device to be tested with a socket according to the third embodiment of the present invention.

【図14】(a):従来技術のソケットの一例の平面図
(b):そのI−I線部分截断面図 (c):II−II線部分
截断面図
14A is a plan view of an example of a conventional socket. FIG.
(b): Partial sectional view of the II line. (c): Partial sectional view of the II-II line.

【図15】(a)〜(c):そのソケットに半導体デバイス
を挿入する様子を説明するための図
FIGS. 15A to 15C are diagrams for explaining a state of inserting a semiconductor device into the socket.

【符号の説明】 2、3、4……ソケット 13、43、73……コン
タクトピン 14、44、74……接触部 28、
58、88……載置部(IC収納部) 31、61、9
1……スリット部材 200、300、400……半
導体装置 201、301、401……パッケージ
202、302、402……リード端子
[Description of References] 2, 3, 4 ... Socket 13, 43, 73 ... Contact Pin 14, 44, 74 ... Contact Part 28,
58, 88 ... Placement part (IC storage part) 31, 61, 9
1. Slit member 200, 300, 400 Semiconductor device 201, 301, 401 Package
202, 302, 402 ... lead terminals

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01R 13/11 H01R 33/76 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01R 13/11 H01R 33/76

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ベースと、上記ベースに対して上下動可能
に設けられたカバーと、複数のリード端子を有する半導
体装置を載置するための上記ベースに設けられた載置部
と、複数のコンタクトピンとを有し、 前記コンタクトピンは、上記ベースに固定される台座部
と、上記台座部に設けられた弾性部と、上記弾性部に弾
性支持された接触部とを有し、 上記接触部は、上記カバーの第1の位置から第2の位置
への往動に応答して原位置から退避して上記半導体装置
を上記載置部に収容可能とし、上記カバーの上記第2の
位置から上記第1の位置への復動に応答して上記原位置
に復帰して上記半導体装置のリード端子に接触するソケ
ットであって、 上記複数のコンタクトピンの間隔が上記半導体装置の各
リード端子の幅よりも小さいソケット。
A base, a cover provided to be vertically movable with respect to the base, a mounting portion provided on the base for mounting a semiconductor device having a plurality of lead terminals, and a plurality of mounting portions provided on the base. The contact pin includes a pedestal portion fixed to the base, an elastic portion provided on the pedestal portion, and a contact portion elastically supported by the elastic portion. Responds to the forward movement of the cover from the first position to the second position, retracts from the original position and allows the semiconductor device to be accommodated in the mounting portion, and moves the cover from the second position of the cover. A socket that returns to the original position in response to the return to the first position and contacts a lead terminal of the semiconductor device, wherein a distance between the plurality of contact pins is equal to each of the lead terminals of the semiconductor device. Socket smaller than width.
【請求項2】ベースと、上記ベースに対して上下動可能
に設けられたカバーと、複数のリード端子を有する半導
体装置を載置するための上記ベースに設けられた載置部
と、複数のコンタクトピンとを有し、 前記コンタクトピンは、上記ベースに固定される台座部
と、上記台座部に設けられた弾性部と、上記弾性部に弾
性支持された接触部とを有し、 上記接触部は、上記カバーの第1の位置から第2の位置
への往動に応答して原位置から退避して上記半導体装置
を上記載置部に収容可能とし、上記カバーの上記第2の
位置から上記第1の位置への復動に応答して上記原位置
に復帰して上記半導体装置のリード端子に接触するソケ
ットであって、 上記複数のコンタクトピンの間隔が各コンタクトピンの
幅よりも小さいソケット。
2. A base, a cover provided to be vertically movable with respect to the base, a mounting portion provided on the base for mounting a semiconductor device having a plurality of lead terminals, and a plurality of mounting portions provided on the base. The contact pin includes a pedestal portion fixed to the base, an elastic portion provided on the pedestal portion, and a contact portion elastically supported by the elastic portion. Responds to the forward movement of the cover from the first position to the second position, retracts from the original position and allows the semiconductor device to be accommodated in the mounting portion, and moves the cover from the second position of the cover. A socket that returns to the original position and contacts a lead terminal of the semiconductor device in response to the return to the first position, wherein a distance between the plurality of contact pins is smaller than a width of each contact pin. socket.
【請求項3】ベースと、上記ベースに対して上下動可能
に設けられたカバーと、複数のリード端子を有する半導
体装置を載置するための上記ベースに設けられた載置部
と、複数のコンタクトピンとを有し、 前記コンタクトピンは、上記ベースに固定される台座部
と、上記台座部に設けられた弾性部と、上記弾性部に弾
性支持された接触部とを有し、 上記接触部は、上記カバーの第1の位置から第2の位置
への往動に応答して原位置から退避して上記半導体装置
を上記載置部に収容可能とし、上記カバーの上記第2の
位置から上記第1の位置への復動に応答して上記原位置
に復帰して上記半導体装置のリード端子に接触するソケ
ットであって、 上記複数のコンタクトピンの幅が上記各リード端子の間
隔よりも大きいソケット。
3. A base, a cover provided to be vertically movable with respect to the base, a mounting portion provided on the base for mounting a semiconductor device having a plurality of lead terminals, and a plurality of mounting portions provided on the base. The contact pin includes a pedestal portion fixed to the base, an elastic portion provided on the pedestal portion, and a contact portion elastically supported by the elastic portion. Responds to the forward movement of the cover from the first position to the second position, retracts from the original position and allows the semiconductor device to be accommodated in the mounting portion, and moves the cover from the second position of the cover. A socket that returns to the original position in response to the return to the first position and contacts a lead terminal of the semiconductor device, wherein a width of the plurality of contact pins is greater than a distance between the lead terminals; Large socket.
【請求項4】載置された半導体装置のリード端子と接触
する上記接触部の先端部の幅が他の部分よりも広い請求
項1、2又は3に記載のソケット。
4. The socket according to claim 1, wherein a width of a tip portion of the contact portion that contacts the lead terminal of the mounted semiconductor device is wider than other portions.
【請求項5】上記複数のコンタクトピンの間に設けられ
た絶縁性物質からなる絶縁部材を有する請求項1、2、
3又は4に記載のソケット。
5. An apparatus according to claim 1, further comprising an insulating member made of an insulating material provided between said plurality of contact pins.
The socket according to 3 or 4.
【請求項6】上記絶縁部材が上記ベースに一体に形成さ
れている請求項5に記載のソケット。
6. The socket according to claim 5, wherein said insulating member is formed integrally with said base.
【請求項7】上記絶縁部材が上記ベースに位置決めされ
た隔壁状絶縁フィルムである請求項5に記載のソケッ
ト。
7. The socket according to claim 5, wherein said insulating member is a partition-like insulating film positioned on said base.
JP35231696A 1996-12-12 1996-12-12 socket Expired - Fee Related JP3256455B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35231696A JP3256455B2 (en) 1996-12-12 1996-12-12 socket
SG1997004328A SG63781A1 (en) 1996-12-12 1997-12-05 Socket apparatus for semicondutors devices
TW086118564A TW369691B (en) 1996-12-12 1997-12-10 Socket apparatus for semiconductor devices
KR1019970067277A KR19980063979A (en) 1996-12-12 1997-12-10 Socket device for semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35231696A JP3256455B2 (en) 1996-12-12 1996-12-12 socket

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10172703A JPH10172703A (en) 1998-06-26
JP3256455B2 true JP3256455B2 (en) 2002-02-12

Family

ID=18423234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35231696A Expired - Fee Related JP3256455B2 (en) 1996-12-12 1996-12-12 socket

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP3256455B2 (en)
KR (1) KR19980063979A (en)
SG (1) SG63781A1 (en)
TW (1) TW369691B (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5701915B2 (en) * 2013-02-05 2015-04-15 ヒロセ電機株式会社 Electrical connector with multi-contact terminals
KR102192759B1 (en) * 2019-10-16 2020-12-18 주식회사 오킨스전자 Device for SSD memory test socket having Key switch

Also Published As

Publication number Publication date
TW369691B (en) 1999-09-11
SG63781A1 (en) 1999-03-30
JPH10172703A (en) 1998-06-26
KR19980063979A (en) 1998-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4133141B2 (en) Socket for electrical parts
US5131852A (en) Electrical socket
TWI397690B (en) Component for testing device for electronic component and testing method of the electronic component
KR100393316B1 (en) Semiconductor device testing apparatus
US6921271B2 (en) Socket having terminals with reslient contact arms
JP2001326046A (en) Contact pin assembly
JP3205814B2 (en) socket
JP3256455B2 (en) socket
US6544044B2 (en) Socket for BGA package
JP3266530B2 (en) socket
JP2002071750A (en) Carrier and pusher for handler device and handler device
JPH1098083A (en) Test socket and electric characteristic test device
JP3225685B2 (en) Function test method for contact unit and IC semiconductor device
JP2724675B2 (en) IC measuring jig
JP2819762B2 (en) IC socket
JP2572209B2 (en) Socket for semiconductor device
JP4266454B2 (en) socket
JP2915905B1 (en) IC socket and locator
JPH10112365A (en) Ic socket
JP2003297512A (en) Socket for electric component
JP2002190361A (en) Socket for electrical component
US20050068753A1 (en) IC socket having fastening mechanism for sensor
JP2606309Y2 (en) IC socket
JP3157871B2 (en) Integrated circuit socket
EP1742523A2 (en) Memory module with chip fixture

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20011120

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S303 Written request for registration of pledge or change of pledge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S303 Written request for registration of pledge or change of pledge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071130

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071130

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081130

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081130

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081130

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081130

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081130

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081130

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091130

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091130

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101130

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101130

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101130

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101130

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees